CN1225719C - 电路基板、使用该基板的tft阵列基板及液晶显示装置 - Google Patents

电路基板、使用该基板的tft阵列基板及液晶显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1225719C
CN1225719C CNB008125724A CN00812572A CN1225719C CN 1225719 C CN1225719 C CN 1225719C CN B008125724 A CNB008125724 A CN B008125724A CN 00812572 A CN00812572 A CN 00812572A CN 1225719 C CN1225719 C CN 1225719C
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
film
wiring
metal
grid wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB008125724A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1373886A (zh
Inventor
小川一文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1373886A publication Critical patent/CN1373886A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1225719C publication Critical patent/CN1225719C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

在制造液晶显示板使用的TFT阵列基板中，提供降低掩模枚数、即简化制造步骤并降低制造成本的TFT阵列基板。在基板表面上，形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜，用光刻法以第1图像依次腐蚀接触电极金属膜、半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜，对栅极布线和成为栅电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化，形成透明导电性膜，用光刻法以第2图形依次腐蚀透明导电性膜、接触电极金属膜和半导体膜的一部分。

Description

电路基板、使用该基板的TFT阵列基板及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及可应用于多用途的电路基板的新构造、应用该构造的TFT阵列基板、使用该TFT阵列基板的液晶显示装置以及它们的制造方法。
背景技术
以往，在彩色液晶显示装置使用的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)阵列基板的制造中，使用5～9枚的光掩模，而由于光掩模的使用枚数多和相应的制造步骤多，制造变得繁杂，所以难以降低制造成本。
另一方面，在二极管阵列基板的制造过程中，提出了将光掩模的使用枚数能够降低至2枚的技术(特表昭62-502361号公报(日本))。但是，由于二极管阵列基板在性能上比TFT阵列基板差，所以不适于彩色电视机。
发明内容
因此，本发明的目的在于，在TFT阵列基板的制造方法中，提供能够减少光掩模的使用片数的新构造。
(1)为了实现该目的的第一本发明群涉及可以用于半导体集成电路等的电路板构造。第一发明如下构成。
一种电路基板，包括：在绝缘性基板上的同一平面内由同一导电性金属膜分别形成的X布线；以及与所述X布线交叉的交叉部分被所述X布线分断的与X布线隔离的Y断续布线；所述X布线的侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；被所述绝缘性膜覆盖的X布线分断、隔离的Y断续布线之间通过所述绝缘性膜上形成的Y断续布线连接电极来电连接。
如果是该结构，可以单独地将可通电的X线、Y线交叉型的电路组装在非常薄的平面内，因此，可以将该电路进行多层地集成。因此，该结构使半导体器件的一致性非常良好，通过采用该结构，可以显著地提高半导体电路等的集成度。
在该结构中，至少所述X布线的侧面的绝缘性膜是将所述导电性金属膜进行氧化所得的金属氧化膜，而且，所述金属氧化膜可以是按阳极氧化法形成的阳极氧化膜。如果是阳极氧化膜，那么即使是薄的薄膜，也可以获得良好的绝缘性。
上述结构的电路板可以根据以下的制造方法高生产率地制造。即，该方法包括：第一步骤，在绝缘性基板上堆积导电性金属膜层；第二步骤，对所述导电性金属膜层进行腐蚀，将X布线、以及由所述X布线分断与所述X布线交叉的交叉部分且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；第三步骤，在所述第二步骤后，对所述X布线的侧面和上表面进行氧化，用绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面和上表面；以及第四步骤，在所述第三步骤后，堆积导电性膜层，以便至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线分断隔离的Y断续布线之间进行电连接。
在该制造方法中，可以按阳极氧化法来进行所述第三步骤中的X布线的氧化。如果是阳极氧化法，可以有选择并且高效率地仅氧化X布线。
上述结构的电路板可以通过以下的制造方法以高生产率来制造。即，该制造方法包括：第一步骤，在绝缘性基板上至少依次堆积导电性金属膜层和绝缘性膜层；第二步骤，对包含所述绝缘性膜层和所述导电性金属膜层的层进行腐蚀，将X布线、以及交叉于所述X布线的交叉部分被所述X布线分断且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；第三步骤，在所述第二步骤后，对所述X布线的侧面进行氧化，用绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面；以及第四步骤，在所述第三步骤后，堆积导电性膜层，以便至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线分断隔离的Y断续布线之间进行电连接。
在该制造方法中，可以按阳极氧化法来进行所述第三步骤中的X布线的侧面的氧化。
(2)第2发明群涉及使用上述电路基板的底栅型TFT阵列基板，如下来构成。
该底栅型TFT阵列基板包括：栅电极，直接或通过内涂膜层形成在基板上，并且侧面用绝缘性膜来覆盖；栅极绝缘膜，层积在所述栅电极上；半导体膜，层积在所述栅极绝缘膜上，具有源极区域、漏极区域和夹置于两区域的沟道区域；源极接触电极，层积在所述半导体膜的源极区域上；漏极接触电极，层积在所述半导体膜的漏极区域上；象素电极，通过所述漏极接触电极被连接到所述半导体膜的漏极区域；栅极布线，连接到所述栅电极，侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；源极断续布线，与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部呈被所述栅极布线分断隔离的形状；以及源极连接电极，经由栅极布线的上方将被栅极布线分断隔离的源极断续布线之间进行电连接。
如果是该结构，可以提供可靠性优良的底栅型TFT阵列基板。
而且，所述象素电极和所述源极线连接电极可以由同质的透明导电膜材料构成。
而且，所述源极断续布线位于源极断续布线、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、透明导电膜的各膜构成的5层构造的源极断续布线区划图形的最下层；所述栅极布线位于栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、透明导电膜的各膜构成的5层构造的栅极布线区划图形的最下层；并且所述源极断续布线和所述栅极布线存在于所述基板上的同一平面内。
而且，至少所述栅极布线的侧面的绝缘性膜可以由所述导电性金属膜构成。
而且，所述氧化膜可以是按阳极氧化法形成的阳极氧化膜。
所述半导体膜可以形成i型非晶硅层和n型非晶硅层的双层构造。
此外，也可以使用光反射性的导电膜材料来代替所述透明导电膜材料，由此可以构成反射型的底栅型TFT阵列基板。
以上的底栅型TFT阵列基板可以根据下述构成的制造方法高生产率地制造。
即，可以根据底栅型TFT阵列基板的制造方法来制造，该方法包括：(A)步骤，至少在绝缘性基板表面上依次堆积用于形成栅电极、栅极布线和源极断续布线的G-S金属膜层、栅极绝缘膜层、半导体膜层、以及接触金属膜层；(B)步骤，在所述(A)步骤后，用第1抗蚀剂图形，按光刻法将所述各层腐蚀至所述绝缘性基板表面，形成栅电极区划图形、栅极布线区划图形、以及源极断续线区划图形，栅电极区划图形包含栅电极、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜，栅极布线区划图形包含所述栅电极上连接的栅极布线、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜，而源极断续线区划图形包含在与所述栅极布线的交叉部被分断隔离的源极断续线、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜；(C)步骤，在所述(B)步骤后，对所述栅电极和栅极布线的侧面进行氧化来生成电绝缘性的金属氧化膜；(D)步骤，在所述(C)步骤后，从所述接触金属膜上起在基板整个表面上堆积透明导电膜层，至少所述源极断续布线相互之间通过导电膜进行电连接；以及(E)步骤，在所述(D)步骤后，用第2抗蚀剂图形，按照光刻法，将所述透明导电膜层腐蚀为规定的图形来形成象素电极，同时还通过该腐蚀，腐蚀露出的栅电极区划图形上的接触金属膜部分到达所述半导体膜表面，在所述半导体膜上形成沟道区域。
在该制造方法中，可以按阳极氧化法来进行所述栅电极和栅极布线侧面的氧化。
此外，所述半导体膜层是n型非晶硅层和i型非晶硅层的双层构造，所述(E)步骤中的栅电极区划图形上的接触金属膜部分的腐蚀是将接触金属膜的一部分和与其相连的n型非晶硅层的一部分腐蚀至i型非晶硅层。
此外，可以层积光反射性的导电膜层来取代所述(D)步骤中的所述透明导电膜层。
(3)第3发明(方案19～23)涉及使用底栅型TFT阵列基板的液晶显示装置，可如下构成。
一种液晶显示装置，以形成TFT的面作为内侧，按规定的间隙使底栅型TFT阵列基板和对置基板对置，在该间隙中保持液晶，其中，底栅型TFT阵列基板包括：在基板上直接或通过底涂敷膜层形成的、并且侧面用绝缘性膜覆盖的栅电极；在所述栅电极上层积的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上层积的、具有源极区域和漏极区域及夹置在两区域中的沟道区域的半导体膜；在所述半导体膜上的源极区域上层积的源极接触电极；在所述半导体膜的漏极区域上层积的漏极接触电极；通过所述漏极接触电极连接到所述半导体膜的漏极区域的象素电极；与到所述栅电极连接的、侧面和上表面由绝缘性膜覆盖的栅极布线；与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部分呈由所述栅极布线分断隔离形状的源极断续布线；以及经由栅极布线的上方使被栅极布线分断的源极断续布线之间电连接的源极线连接电极。
在该结构中可以附加下述结构。即，可以形成用保护膜来保护所述TFT阵列基板的表面的结构，而且，所述保护膜可以是二氧化硅膜或氮化硅膜。
所述象素电极可以由透明金属膜来构成。
所述象素电极可以由光反射性金属膜来构成。
(4)第4发明(方案24-29)涉及底栅型TFT阵列基板，被如下构成。
(方案24)
一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和反射象素金属电极组，其特征在于，
至少栅电极和栅极布线的侧面被氧化，反射象素金属电极是接触电极金属和其他金属电极膜的双层构造，通过接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触电极金属和金属电极这两层连接到TFT的源极区域。
(方案25)
如方案24的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，反射象素金属电极组是铝或铝系的合金。
(方案26)
如方案24的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线的一部分为接触金属膜和铝系的金属电极膜的双层构造。
(方案27)
如方案24的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，在栅电极金属和接触电极金属之间形成栅极绝缘膜和半导体膜。
(方案28)
如方案24的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线被栅极布线分断，在栅极布线上通过接触电极金属和金属电极两层来交叉连接。
(方案29)
如方案24的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，半导体膜的一部分是i型层和n+型层的双层构造。
(5)第5发明(方案31-35)如下构成。
(方案31)
一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，包括：至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜的步骤；用光刻法以第1图形依次腐蚀所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤；对成为栅极布线和栅电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化的步骤；形成接触电极金属膜和金属电极膜的步骤；以及用光刻法以第2图形腐蚀所述金属电极膜、接触电极金属膜和半导体膜的一部分的步骤。
(方案32)
如方案31的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，作为金属电极膜，形成铝膜或铝系的合金膜。
(方案33)
如方案31的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成二氧化硅系的底涂敷膜的步骤。
(方案34)
如方案31的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，作为栅极布线金属膜，至少形成铝系的合金膜。
(方案35)
如方案31的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在氧化步骤中，在中性溶液中使用阳极氧化法。
(6)第6发明(方案36-38)如下构成。
(方案36)
一种液晶显示装置，其特征在于，底栅型TFT阵列基板的阵列侧和形成对置透明电极的滤色器基板的滤色器一侧对置，保持规定的间隙贴合，在所述间隙中夹置作为取向膜的液晶，其中，在底栅型TFT阵列基板侧，至少栅电极和栅极布线侧面被氧化，反射象素金属电极是接触电极金属和其他金属电极膜的双层构造，通过接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触电极金属和金属电极两层连接到TFT的源极区域。
(方案37)
如方案36的液晶显示装置，其特征在于，至少TFT阵列的一部分被保护膜覆盖。
(方案38)
如方案37的液晶显示装置，其特征在于，保护膜是无机物。
(7)第7发明(方案39-41)如下构成。
(方案39)
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：通过至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜和栅极绝缘膜及半导体膜的步骤、使用光刻法按第1图形依次形成所述半导体膜和栅极绝缘膜及栅极布线金属膜的步骤、对栅极布线和成为栅电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化的步骤、形成接触金属膜和金属电极膜的步骤、用光刻法以第2图形对所述金属电极膜和接触金属膜及半导体膜的一部分进行腐蚀的步骤来制造第1底栅型TFT阵列基板的步骤；再在其上形成取向膜的步骤；形成了对置透明电极的第2滤色器基板的对置电极侧表面上形成取向膜的步骤和所述两个取向膜分别以内侧保持规定的间隙并且将位置对准来粘结固定周边的步骤；以及在所述第1和第2基板之间注入规定的液晶的步骤。
(方案40)
如方案39的液晶显示装置的制造方法，其特征在于包括，在制造底栅型TFT阵列基板的步骤后，在形成取向膜之前至少用保护膜覆盖所述TFT阵列的一部分的步骤。
(方案41)
如方案39的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，金属电极和接触电极金属由同一材质在一层形成。
(8)第8发明(方案42-47)如下构成。
(方案42)
一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和梳形象素电极组，其特征在于，
至少对栅电极和栅极布线侧面及第1梳形象素电极侧面进行氧化，第2梳形象素金属电极经接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线经接触电极金属和金属电极连接到TFT的源极区域。
(方案43)
如方案42的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，栅极布线侧面和第1梳形象素电极侧面的氧化膜是阳极氧化膜。
(方案44)
如方案42的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线的一部分和第1梳形象素电极成为栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜和金属电极膜的五层构造。
(方案45)
如方案42的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，在半导体膜和梳形电极的连接处形成接触电极金属。
(方案46)
如方案42的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线由栅极布线和第1梳形电极分断、在栅极布线和第1梳形电极上经接触电极金属和金属电极来进行交叉连接。
(方案47)
如方案42的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，半导体膜的一部分为i型层和n型层的双层构造。
(9)第9发明(方案49-53)如下构成。
(方案49)
一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜的步骤；用光刻法以第1图形依次腐蚀所述接触金属膜、半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤；对栅极布线、栅电极和成为第1梳形象素电极部分的金属膜图形的侧面进行氧化的步骤；形成金属电极膜的步骤；以及用光刻法以第2图形依次腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤。
(方案50)
如方案49的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，对栅极布线和栅电极及成为第1梳形象素电极的部分同时进行腐蚀。
(方案51)
如方案49的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜的步骤。
(方案52)
如方案49的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，至少连续形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜。
(方案53)
如方案49的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在氧化步骤中使用阳极氧化法。
(10)第10发明(方案54-56)如下构成。
(方案54)
一种液晶显示装置，其特征在于，底栅型TFT阵列基板的电极侧和滤色器基板的滤色器侧对置，保持规定的间隙并贴合，在所述间隙中夹置作为取向膜的液晶，其中，在底栅型TFT阵列基板中，至少栅电极、栅极布线侧面和第1梳形电极侧面被氧化，第2梳形象素金属电极经接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线经接触电极金属和金属电极连接到TFT的源极区域。
(方案55)
如方案54的液晶显示装置，其特征在于，至少TFT阵列的一部分被保护膜覆盖。
(方案56)
如方案55的液晶显示装置，其特征在于，保护膜是无机物。
(11)第11发明(方案57-59)如下构成。
(方案57)
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于包括，通过至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜的步骤，用光刻法以第1图形依次腐蚀所述接触金属膜、半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤，对栅极布线、栅电极和成为第1梳形象素电极部分的金属膜图形的侧面进行氧化的步骤，形成金属电极膜的步骤，用光刻法以第2图像依次腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤来制造第1底栅型TFT阵列基板的步骤；以及在其上形成取向膜的步骤；在第2滤色器基板的表面形成取向膜的步骤和使所述两个取向膜分别以内侧保持规定的间隙并且将位置对准来进行周边接合固定的步骤；以及在所述第1和第2基板之间注入规定的液晶的步骤。
(方案58)
如方案57的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：在制造底栅型TFT阵列基板的步骤后，在形成取向膜之前，至少用保护膜来覆盖所述TFT阵列的一部分的步骤；以及以该保护膜作为掩模对金属电极膜、接触金属膜、半导体膜和栅极绝缘膜进行腐蚀而使栅极布线端子露出的步骤。
(方案59)
如方案58的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，在制造底栅型TFT阵列基板的步骤后，在形成取向膜之前，至少将所述TFT阵列的一部分由保护膜来覆盖，以该保护膜作为掩模并进行腐蚀使栅极布线端子露出，形成二氧化硅膜或氮化硅膜作为保护膜。
(12)第12发明(方案60-65)如下构成。
(方案60)
一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和梳形象素金属电极组，其特征在于，至少栅电极和栅极布线侧面被氧化，梳形反射象素金属电极是接触电极金属和其他金属电极膜的双层构造，通过接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触电极金属和金属电极两层连接到TFT的源极区域。
(方案61)
如方案60的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，在栅电极上使用铝系的金属，侧面的绝缘膜是阳极氧化膜。
(方案62)
如方案60的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线的一部分为栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜和金属电极膜的五层构造。
(方案63)
如方案60的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，在源电极、梳形电极和半导体膜之间形成接触电极金属。
(方案64)
如方案60的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线被栅极布线分断，在栅极布线上通过接触电极金属和金属电极两层进行交叉连接。
(方案65)
如方案60的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，半导体膜的一部分为i型层和n型层的双层构造。
(13)第13发明(方案67-71)
(方案67)
一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：至少在绝缘膜基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜的步骤；用光刻法以第1图形依次腐蚀所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤；对栅极布线、栅电极和成为第1梳形电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化的步骤；形成接触金属膜和金属电极膜的步骤；以及用光刻法以第2图形腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤。
(方案68)
如方案67的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，半导体膜为i型层和n型层的双层构造，将n型层的一部分腐蚀至i型层。
(方案69)
如方案67的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜的步骤。
(方案70)
如方案67的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，至少连续形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜。
(方案71)
如方案67的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在氧化步骤中使用阳极氧化法。
(14)第14发明(方案72-74)如下构成。
(方案72)
一种液晶显示装置，其特征在于，底栅型TFT阵列基板的阵列侧和形成对置透明电极的滤色器基板的滤色器一侧对置，保持规定的间隙贴合，在所述间隙中夹置作为取向膜的液晶，其中，在底栅型TFT阵列基板侧，至少栅电极和栅极布线侧面被氧化，第1梳形象素金属电极是接触电极金属和其他金属电极膜的双层构造，通过接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触电极金属和金属电极两层连接到TFT的源极区域。
(方案73)
如方案72的液晶显示装置，其特征在于，至少TFT阵列的一部分被保护膜覆盖。
(方案74)
如方案72的液晶显示装置，其特征在于，保护膜为无机物。
(15)第15发明(方案75-77)如下构成。
(方案75)
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括：通过至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜的步骤，用光刻法以第1图形依次腐蚀所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤，对栅极布线、栅电极和成为第1梳形电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化的步骤，形成接触金属膜和金属电极膜的步骤，用光刻法以第2图形腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤来制造第1底栅型TFT阵列基板的步骤；再在其上形成取向膜的步骤；在第2滤色器基板的对置电极侧表面上形成取向膜的步骤和所述两个取向膜分别以内侧保持规定的间隙并且将位置对准进行接合固定周边的步骤；以及在所述第1和第2基板之间注入规定的液晶的步骤。
(方案76)
如方案75的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括在制造底栅型TFT阵列基板的步骤后、在形成取向膜之前至少将所述TFT阵列的一部分用保护膜覆盖的步骤。
(方案77)
如方案75的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，金属电极和接触电极金属用同一材质以一层来形成。
(16)第16发明(方案78-83)如下构成。
(方案78)
一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和梳形象素电极组，其特征在于，至少栅电极和栅极布线的侧面被氧化，第1梳形象素电极通过接触金属电极连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触金属电极和金属电极连接到TFT的源极区域，而且通过保护膜形成第2梳形象素电极。
(方案79)
如方案78的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，栅电极侧面的氧化膜是阳极氧化膜。
(方案80)
如方案78的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线的一部分成为栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜和金属电极膜的五层构造。
(方案81)
如方案78的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，在半导体膜、源极和漏电极之间形成接触电极金属。
(方案82)
如方案78的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，源极断续布线被栅极布线分断，在栅极布线上通过接触电极金属和金属电极进行交叉连接。
(方案83)
如方案78的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，半导体膜的一部分为i型层和n型层的双层构造。
(17)第17发明(方案85-89)如下构成。
(方案85)
一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜的步骤；用光刻法以第1图形依次腐蚀所述接触金属膜、半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤；对栅极布线和成为栅电极部分的金属膜图形的侧面进行氧化的步骤；形成金属电极膜的步骤；用光刻法以第2图形依次腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤；以及通过保护膜以第3图形来形成第2梳形象素电极的步骤。
(方案86)
如方案85的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，半导体膜为i型层和n型层的双层构造，对n型层的一部分进行腐蚀。
(方案87)
如方案85的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜的步骤。
(方案88)
如方案85的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，至少连续形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜。
(方案89)
如方案85的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，在氧化步骤中使用阳极氧化法。
(18)第18发明(方案90-92)如下构成。
(方案90)
一种液晶显示装置，其特征在于，底栅型TFT阵列基板的阵列侧和形成对置透明电极的滤色器基板的滤色器一侧对置，保持规定的间隙贴合，在所述间隙中通过取向膜夹置液晶，其中，在底栅型TFT阵列基板侧，至少栅电极和栅极布线侧面被氧化，第1梳形象素金属电极通过接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触金属电极和金属电极连接到TFT的源极区域，并且通过保护膜形成有第2梳形象素电极。
(方案91)
如方案90的液晶显示装置，其特征在于，至少TFT阵列的一部分被保护膜覆盖。
(方案92)
如方案90的液晶显示装置，其特征在于，保护膜为无机物。
(19)第19发明(方案93-95)如下构成。
(方案93)
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于包括：通过至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜半导体膜和接触金属膜的步骤；用光刻法以第1图形依次腐蚀接触金属膜、所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤，对栅极布线、栅电极和成为第1梳形电极部分的栅极布线金属膜图形的侧面进行氧化的步骤，形成金属电极膜的步骤，用光刻法以第2图形依次腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤，通过保护膜以第3图形形成第2梳形象素电极的步骤来制造第1底栅型TFT阵列基板的步骤；再在其上形成取向膜的步骤；在第2滤色器基板的对置电极侧表面上形成取向膜的步骤和所述两个取向膜分别以内侧保持规定的间隙并且将位置对准进行接合固定周边的步骤；以及在所述第1和第2基板之间注入规定的液晶的步骤。
(方案94)
如方案93的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括在形成第2梳形象素电极后，至少将所述第2梳形象素电极的一部分用保护膜覆盖的步骤。
(方案95)
如方案93的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，形成二氧化硅膜或氮化硅膜作为保护膜。
(20)第20发明(方案96-97)如下构成。
(方案96)
一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和梳形象素电极组，其特征在于，至少栅电极和栅极布线的侧面被氧化，第1梳形象素金属电极为接触金属电极与另一金属电极膜的双层构造，连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触电极金属和金属电极通过接触电极金属连接到TFT的源极区域，而且通过保护膜形成第2梳形对置电极。
(方案97)
如方案96的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，至少源极断续布线由金属电极和接触电极金属的双层构造来连接。
(21)第21发明(方案98)如下构成。
(方案98)
一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜的步骤；用光刻法以第1图形依次腐蚀所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤；对栅极布线和成为栅电极部分的金属膜图形的侧面进行氧化的步骤；形成接触金属膜和金属电极膜的步骤；用光刻法以第2图形依次腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤；以及通过保护膜以第3图形来形成第2梳形对置电极的步骤。
(22)第22发明(方案99)如下构成。
(方案99)
一种液晶显示装置，其特征在于，底栅型TFT阵列基板的电极侧和滤色器基板的滤色器一侧对置，保持规定的间隙贴合，在所述间隙中夹置作为取向膜的液晶，其中，在底栅型TFT阵列基板侧，至少栅电极和栅极布线侧面被氧化，第1梳形象素电极是接触电极金属与另一金属电极膜的双层构造，通过接触电极金属连接到TFT的漏极区域，源极断续布线通过接触电极金属和金属电极2层结构连接到TFT的源极区域，而且通过保护膜来形成第2梳形的象素电极。
(23)第23发明(方案100-101)如下构成。
(方案100)
一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于包括：通过至少在绝缘性基板表面上形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜的步骤，用光刻法以第1图形依次腐蚀所述半导体膜、栅极绝缘膜和栅极布线金属膜的步骤，对栅极布线和成为栅电极部分的金属膜图形的侧面进行氧化的步骤，形成接触金属膜和金属电极膜的步骤，用光刻法以第2图形依次腐蚀所述金属电极膜、接触金属膜和半导体膜的一部分的步骤，以及通过保护膜以第3图形形成第2梳形象素电极的步骤来制造第1底栅型TFT阵列基板的步骤；再在其上形成取向膜的步骤；在第2滤色器基板的滤色器一侧表面上形成取向膜的步骤和所述两个取向膜分别以内侧保持规定的间隙并且将位置对准进行接合固定周边的步骤；以及在所述第1和第2基板之间注入规定的液晶的步骤。
(方案101)
如方案100的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，包括用保护膜来覆盖至少所述第2梳形象素电极的一部分的步骤。
附图说明
图1是说明本发明实施例1-1的电路板的制造步骤的剖面示意图。
图2是表示在本发明的实施例1-1中用第一抗蚀剂图形进行腐蚀后的基板表面的状态的平面图。
图3是表示在本发明的实施例1-1中在整个基板表面上堆积导电性膜层状况的平面图。
图4是表示在本发明的实施例1-1中将基板上的导电性膜层加工成规定的图形(Y断续布线连接电极)状况的平面图。
图5是说明本发明实施例2-1的TFT阵列的制造步骤的步骤剖面示意图。
图6是说明本发明实施例2-1的TFT阵列的制造步骤的步骤剖面示意图。
图7是从上方观察图6(b)的平面模式图。
图8是说明本发明实施例2-1的TFT阵列的制造步骤的步骤剖面示意图。
图9是说明本发明实施例2-1的TFT阵列的制造步骤的步骤剖面示意图。
图10是说明本发明实施例2-1的TFT阵列的制造步骤的步骤剖面示意图。
图11是说明本发明实施例2-1的TFT阵列的制造步骤的步骤剖面示意图。
图12是实施例2-1的TFT阵列基板的平面模式图。
图13是说明本发明实施例2-2的液晶显示装置的剖面示意图。
图14是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图15是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图16是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图17是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图18是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图19是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图20是说明本发明实施例2-3的TFT阵列的制造步骤的图。
图21是说明本发明实施例2-4的液晶显示装置的剖面示意图。
图22是本发明实施例2-5的TFT的剖面示意图。
图23是本发明实施例2-7的TFT的剖面示意图。
图24是本发明实施例2-9的TFT的剖面示意图。
图25是本发明实施例2-11的TFT的剖面示意图。
图26是本发明实施例2-1的TFT阵列基板的整体图。
具体实施方式
以下，根据实施例来具体说明本发明的内容。
(实施例1-1)
准备预先良好清洗过的透明玻璃基板(绝缘性基板)101，用CVD法以0.4微米的厚度来堆积作为底涂敷膜层102的二氧化硅(SiO2)膜层。接着，用溅射法镀敷形成膜厚200nm左右的Al-Zr(97∶3)合金膜层。作为形成X布线和Y断续布线的金属膜层103。随后，使用等离子体CVD法堆积150nm的SiNx膜，作为绝缘膜层104(图1)。
接着，使用第一抗蚀剂图形105(图1)，按光刻法从绝缘膜层104之上进行腐蚀，直至达到底涂敷膜层102，将X布线106、与X布线的交叉部被X布线分断并且在X布线和Y断续布线之间形成了间隙形状的Y断续布线107按图形形成在基板上(图2)。
然后，将整个基板浸渍在使用硼酸氨的pH约为7的电解液中，以从基板的外周仅使X布线通电的方法(阳极氧化法)来氧化X布线的侧面，在侧面形成绝缘性的金属氧化膜106’(主要成分Al2O3)。
接着，从绝缘性膜层104之上起在整个基板表面上堆积例如氧化铟锡(ITO)构成的导电性膜层108，以便将X布线和Y断续布线的间隙填埋(图3)。然后，使用第二抗蚀剂图形，如图4所示，对绝缘膜上不需要的导电膜进行腐蚀，形成Y断续布线连接电极109。通过该腐蚀，断开并行排列的相邻的Y断续布线之间的导通，并且完成通过Y断续布线连接电极109进行在XY交叉部被X布线分断的Y断续布线之间的导通(连接)构造的实施例1-1的电路板。
(实施例1-2)
在实施例1-2中不堆积绝缘膜层，而从金属膜层103之上起使用所述第一抗蚀剂图形105，对金属膜层103进行腐蚀，直至达到底涂敷膜层102，制作不层积绝缘膜的X布线和Y断续布线。
然后，使用与上述实施例1-1相同的阳极氧化方法，进行X布线的氧化，用Al2O3为主要成分的氧化膜来覆盖X布线的侧面和上表面。根据与上述实施例1-1相同的方法，对X布线的侧面和上表面进行氧化的原因在于，在实施例1-2中，与实施例1-1的情况不同，未用绝缘膜层104来覆盖金属膜层103。
接着，在该基板整个表面上堆积导电性膜层(例如使用ITO、Al等)，然后与实施例1-1同样，使用第二抗蚀剂图形，通过腐蚀来除去不需要的导电膜层。由此，完成没有并行排列的相邻的Y断续布线之间的导通，在XY交叉部分断的Y断续布线之间由导电性膜连接的实施例1-2的电路板。
在实施例1-1和1-2中，用阳极氧化法对金属膜表面进行氧化，而如果是该方法，由于可以仅在X布线上有选择地形成金属氧化膜构成的绝缘膜，所以生产率高。
在上述图4中，形成沿Y断续布线的带状连接电极，但不限于此，例如，通过改变上述第二抗蚀剂图形的形状，形成仅覆盖X布线和Y布线的交叉部分的四角形状或圆形状的连接电极图形也可以。
(实施例2-1)
准备预先良好清洗的透明玻璃基板(绝缘性基板)201，作为底涂敷膜层202，以CVD法堆积0.4微米的二氧化硅(SiO2)膜。然后，用溅射法将Al-Zr(97∶3)合金镀敷形成至200nm左右的膜厚，作为栅电极和栅极布线、以及源极断续布线使用的G-S金属膜层203。然后，用等离子体CVD法堆积150nm的SiNx膜作为栅极绝缘膜层204。接着，连续堆积50nm的不含杂质的非晶硅(i型a-Si)膜205、50nm的含有n型杂质的非晶硅(n+a-Si)膜层206，作为半导体膜层299，最后作为接触金属膜207，用溅射法将Ti金属膜镀敷形成至100nm左右的膜厚后，用通常的方法来形成第1次光刻法使用的第1抗蚀剂图形208(图5)。
然后，依次腐蚀接触金属膜层207(Ti金属膜)、n+a-Si膜206、i型a-Si膜205、栅极绝缘膜层204(SiNx膜)、及G-S金属膜层203(Al-Zr膜)，形成层积了栅电极203’或栅极布线203”、源极断续布线209’·209”、栅极绝缘膜层204’、半导体膜299(205’+206’)和接触金属膜207’的第1图形210(图6)。
这里，图7表示从上方观察图6(b)的平面模式图。从图7可知，栅极布线203”从图面前方沿进深方向延伸，源极断续布线209’·209”沿垂直于203”的方向(图面的左右方向)延伸。而且，源极断续布线209’·209”通过栅极布线203”横切两者之间而被分断，在栅极布线203”和源极断续布线209’·209”之间形成一定的间隙。该间隙正好与各层的合计厚度(腐蚀深度)为相同程度的尺寸。
图6(b)是图7的X-Y线剖面图。
接着，在使用硼酸氨在PH为7左右的电解液中对所述栅电极203’及栅极布线203”有选择地进行阳极氧化，在图形的侧面形成以Al2O3为主要成分的绝缘膜211。
然后，在整个基板表面上用溅射法分别镀敷形成膜厚100nm左右的氧化铟锡膜(ITO)构成的透明导电性膜212(图9)。
该透明透明导电性膜212用于将漏极区上连接的象素透明电极215、以及源极区上连接并且分断的源极断续布线之间进行连接(源极断续布线连接电极)。
接着，用通常的方法形成第2次光刻法使用的第2抗蚀剂图形208’(图10)。接着，依次腐蚀除去所述透明导电性膜212、接触金属膜207’、及栅电极上的n+a-Si膜206’的一部分，直至达到i型-a-Si膜205，形成沟道区域。而且将源极区域213和源极断续布线209’用接触电极207’和透明导电膜214来连接，并且通过接触电极207’将象素透明电极215连接到漏极区216(图11)。
由此，分断的源极断续布线209’·209”通过栅极布线203”上的透明导电性膜214’和接触金属膜207’来连接(图19右)。
最后，用印刷烧制法除去基板的外周，形成300nm的保护膜217来覆盖TFT，然后，以该二氧化硅保护膜图形为掩模从与外部驱动电路连接的周边部分的层积层起腐蚀除去i型a-Si膜205、栅极绝缘膜层204(SiNx)，使栅极G-S金属膜203露出(参照图26)。由此，可以制作可在透过型液晶显示装置中使用的TFT阵列基板218(图11)。
图12是放大本实施例制作的TFT阵列基板218主要部分的平面模式图。这里，图11(a)是图12中的A-A’线剖面部分，图11(b)是图12中的B-B’线剖面部分。
根据以上说明的本实施例，在同一平面内同时形成栅极布线和源极断续布线，栅极布线的侧面通过阳极氧化有选择地进行氧化及绝缘。然后，由栅极布线分断的源极断续布线通过栅极布线上层积的接触金属膜和透明导电膜来连接。因此，不使源极布线电阻大幅度地提高。利用该构造，可以使TFT阵列表面的台阶差很小。
TFT阵列基板的制造中使用的光掩模在现有的方法中需要5～7片，而根据本实施例的方法，用两片就可以。因此，根据本实施例的方法，可以大幅度地降低TFT阵列基板的制造成本。
而且，在对基板的层积时，通过连续堆积G-S金属膜层、栅极绝缘膜层和半导体膜层，可以制造沟道部边界的污染少、可靠性高的底栅型TFT阵列基板。
作为氧化方法，如果使用PH为7的电解液，使用阳极氧化方法，那么可以高效率、有选择地仅氧化栅电极和与其连接的栅极布线的侧面。而且，根据该方法，由于可以形成没有针孔的高质量的氧化膜，所以可以实现栅漏少的布线。
在本实施例中，由于源极断续布线为G-S金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、及导电性膜的五层构造，所以作为整体的源极断续布线电阻变小。
在本实施例中，由于在G-S金属膜(栅电极、栅极布线、源极断续布线)和接触金属膜(接触电极)之间堆积栅极绝缘膜和半导体膜，所以不易产生漏电。
在本实施例中，由于半导体膜为i型层和n型层的双层构造，所以可以减小源极和漏极的接触电阻。
由于在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间配置底涂敷膜层，所以可防止来自基板的杂质扩散。
在上述实施例中，制作了透过型的TFT阵列基板，但通过用Al或Al合金等的反射率高的金属膜来代替透明导电性膜，可以制作可在反射型液晶显示装置中使用的反射型TFT阵列基板。
(实施例2-2)
下面，用图13来说明使用上述实施例2-1制作的TFT阵列基板，实际制造液晶显示器件情况下的制造过程。
首先，在用与实施例2-1相同的两片掩模制造的TFT阵列基板，即在矩阵状装载的第1电极组221和具有驱动该电极的晶体管组222的第1TFT阵列基板223上、以及具有使得与第1电极组对置装载的滤色器组224和第2电极225的第2滤色器基板226上，分别用通常的方法涂敷、固化聚酰亚胺树脂，进行抛光，制作液晶取向膜227。
接着，使所述第1基板223和第2基板226位置对齐而使得电极对置，用隔板228和粘结剂229以大约5微米的间隙制作单元。然后，在所述第1和第2基板之间注入TN液晶230后，将偏振板231、232组装在交叉偏光镜上，完成显示装置。
这样的器件通过将背光233照射在整个表面上，并且用视频信号来驱动各个晶体管，可以在箭头A的方向上显示图像。此时，如果在制造底栅型TFT阵列基板的步骤后，在取向膜形成之前，进行用保护膜至少覆盖一部分所述TFT阵列基板的步骤，那么可以制造可靠性高的液晶显示装置。
作为保护膜，如果使用无机物的二氧化硅膜或氮化硅膜，那么可以制造可靠性更高的液晶显示装置。
如果使用形成了金属电极膜来代替透明导电性膜的TFT阵列基板，那么可以制造反射型液晶显示装置。
(实施例2-3)
与实施例2-1同样，准备预先良好清洗的透明玻璃基板201，作为底涂敷膜层202，以CVD法堆积0.4微米的二氧化硅(SiO2)膜。然后，用溅射法将Al-Zr(97∶3)合金镀敷形成至200nm左右的膜厚，作为栅电极和栅极布线、以及源极断续布线使用的G-S金属膜层203。然后，用等离子体CVD法连续堆积150nm的SiNx膜作为栅极绝缘膜层、200nm的作为半导体膜的不含杂质的非晶硅(i型a-Si)膜205、50nm的含有n型杂质的非晶硅(n+a-Si)膜层206。
这里，由于在n+a-Si膜层206上不堆积接触金属膜，所以在这点上与实施例2-1不同。
接着，用通常的方法形成第1次的光刻法使用的第1抗蚀剂图形208(图14)。
然后，依次腐蚀n+a-Si膜206、i型a-Si膜205、SiNx膜204(SINx膜)、及G-S金属膜层203(Zr膜)，形成层积了栅电极203’、栅极布线203”、源极断续布线209’、栅极绝缘膜层204’、以及半导体膜(205’+206’)的第1图形240(图15)。
接着，在电解液中对所述栅电极203’及栅极布线203”进行阳极氧化，在它们的侧面形成以Al2O3为主要成分的绝缘膜211(图16)后，用溅射法分别镀敷形成50nm的接触电极金属(Ti)241和铝膜(Al)构成的金属电极膜242(图17)，接触电极金属241将漏极区上连接的象素金属电极以及源极区，同时在分断的源极断续布线之间进行连接。
然后，用通常的方法形成第2次光刻法使用的第2抗蚀剂图形(图18)后，依次腐蚀除去所述金属电极膜242、接触金属膜(Ti)241、及栅电极上的n+a-Si膜206’的一部分，形成沟道区域，而且将源极区域213和源极断续布线209’用接触电极7和金属金属膜(Ti)241和金属电极膜图形242’来连接，并且通过接触电极金属241’形成象素金属电极膜243和漏极区216的接续(图19)。此时，预先分断的源极断续布线在栅极布线209’在栅极布线203”上由接触金属膜(Ti)241’和金属电极膜图形242’来连接(图19(b))。
最后，用印刷烧制法除去基板的外周，形成300nm的保护膜217来覆盖TFT，然后，如果以该二氧化硅保护膜图形为掩模来腐蚀除去与驱动电路连接部分的栅电极金属上的氧化膜，那么可以制作可在象素部上有反射型象素金属电极的TFT阵列基板245(图20)。
根据本实施例，由于通过接触金属电极和金属电极两层来连接源极断续布线，所以可以使源极布线的电阻非常低。
通过在反射象素金属电极上使用铝或铝系合金(Al-Zr、Ag-Pd-Cu合金等)，可以制造反射性优良的TFT阵列基板。
在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间，通过用溶胶凝胶法来镀敷形成二氧化硅系的底涂敷膜，可以吸收基板应力。
作为栅极布线金属膜，如果形成铝系的合金膜，那么可以制造布线表面凹凸少的TFT阵列基板。
在氧化步骤中，通过在中性溶液中使用阳极氧化法，可以制造栅极绝缘性优良的TFT阵列基板。
此时，如果栅电极侧面的氧化膜是中性阳极氧化膜，那么可以制造可靠性高的TFT阵列基板。
如果将源极断续布线的一部分形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜和金属电极膜的五层构造，那么可以使源极断续布线的电阻小。
而且，如果在栅电极金属和接触电极金属之间形成氮化硅系的栅极绝缘膜和半导体膜，那么可以制造稳定性优良的TFT阵列基板。
如果源极断续布线被栅极布线分断，在栅极布线上通过接触电极金属和金属电极两层进行交叉连接，那么可以减小TFT阵列基板表面台阶差。
由于使半导体膜的一部分形成i型层和n型层的双层构造，所以可以减小源极、漏极的接触电阻。
如果在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜后，由于该结构可以制造出可靠性高的TFT阵列基板。
(实施例2-4)
下面，用图21来说明用实施例2-3获得的TFT阵列基板来实际制造液晶显示装置的情况下的制造过程。
首先，在用与实施例2-3相同的两片掩模制造的TFT阵列基板上，即在矩阵状装载的第1电极组321和具有驱动该电极的晶体管组322的第1TFT阵列基板323上、以及具有使得与第1电极组对置装载的滤色器组324和第2电极325的滤色器基板326上，分别用通常的方法涂敷、固化聚酰亚胺树脂，进行抛光，制作液晶取向膜327，准备具有TFT的第1基板和具有滤色器的第2基板。
接着，使所述第1基板323和第2基板326位置对齐而使得电极对置，用隔板328和粘结剂329以大约5微米的间隙制作单元。然后，在所述第1和第2基板之间注入TN液晶330后，将偏振板331组装在滤色器一侧单元表面上，完成反射型液晶显示元件。
这样的器件通过用视频信号来驱动各个晶体管，可以在箭头A的方向上显示图像。
(实施例2-5)
与实施例2-1同样，准备预先良好清洗的透明玻璃基板，作为底涂敷膜层，以CVD法堆积0.4微米的二氧化硅(SiO2)膜。然后，用溅射法将Al-Zr(97∶3)合金镀敷形成至200nm左右的膜厚，作为栅电极和栅极布线、以及源极断续布线使用的G-S金属膜层。然后，用等离子体CVD法连续堆积150nm的SiNx膜作为栅极绝缘膜层、50nm的作为半导体膜的不含杂质的非晶硅(i型a-Si)膜、50nm的含有n型杂质的非晶硅(n+a-Si)膜，最后作为接触金属膜层，用溅射法将Ti金属膜镀敷形成至100nm左右的膜厚。然后，为用通常的方法形成的包含第1梳形象素电极，形成第1次的光刻法使用的第1抗蚀剂图形。
然后，依次腐蚀接触金属Ti、n+a-Si膜、i型a-Si膜、SiNx膜、及G-S金属膜层(Al-Zr膜)，形成层积了栅电极或栅极布线、源极断续布线和栅极绝缘膜层、半导体膜的包含第梳形象素金属电极251的第1图形。
接着，使用硼酸氨在PH为7左右的电解液中对所述栅电极203’及栅极布线进行阳极氧化，在图形的侧面形成以Al2O3为主要成分的绝缘膜。
而且，对漏极区域上连接的第2梳形象素金属电极和源极区域进行连接，用溅射法镀敷形成膜厚100nm左右的连接分断的源极断续布线的金属(Al)电极膜。
然后，用通常的方法形成第2次光刻法使用的第2抗蚀剂图形后，依次腐蚀除去所述金属电极膜、接触电极金属、及栅电极上的n+a-Si膜的一部分，直至达到i型-a-Si膜，形成沟道区域。而且将源极区域和源极断续布线用接触电极7和金属电极来连接，并且通过接触电极金属连续形成第2梳形象素金属电极和漏极区域。
利用该制造方法，由栅极布线分断的源极断续布线在栅极布线在栅极布线上通过接触电极金属由接触电极金属来连接。
最后，用印刷烧制法形成300nm的二氧化硅保护膜217来覆盖TFT，然后，如果以该二氧化硅保护膜图形为掩模来腐蚀除去与外部驱动电路连接部分的栅电极金属上的i型-a-Si膜、SiNx膜，那么可以制作可在平面转换(IPS)型液晶显示装置中使用的TFT阵列基板253(图22)。
此时，由于同时腐蚀作为栅极布线、栅电极和第1梳形象素电极的部分，所以可以不增加掩模地制造IPS型TFT阵列基板。
如果在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜，那么可以制造稳定性优良的TFT阵列基板。
由于连续形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜，所以可以防止沟道部分的污染。
在氧化步骤中由于在中性电解液中进行阳极氧化，所以可以有选择地仅对栅电极、栅极布线的侧面和第1梳形象素电极侧面进行氧化绝缘。
由于将源极断续布线的一部分和第1梳形象素电极形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜和金属电极膜的五层构造，所以可以提供源极断续布线电阻小的TFT阵列基板。
而且，由于在半导体膜和梳形电极的连接上形成接触电极金属，所以可以提供漏极接触电阻小的TFT阵列基板。
由于源极断续布线被栅极布线分断，在栅极布线上通过接触电极金属和金属电极进行交叉连接，所以可以提供表面台阶差小的TFT阵列基板。
如果使半导体膜的一部分形成i型层和n型层的双层构造，那么可以提供接触电阻小的TFT阵列基板。
如果在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜后，那么可以防止从基板移动的杂质扩散，可以提供可靠性高的TFT阵列基板。
(实施例2-6)
下面，说明用上述TFT阵列基板实际制造IPS型液晶显示器件情况下的制造过程。
首先，用与实施例2-5同样的两片掩模制造的IPS用的TFT阵列基板，即在矩阵状装载的第1梳形电极组和具有驱动第2梳形电极组和所述第1梳形电极组的晶体管组的第1TFT阵列基板、及具有使得与第1、2电极组对置装载的滤色器组的滤色器基板上，分别用通常的方法涂敷、固化聚酰亚胺树脂，进行抛光，制作液晶取向膜这样形成液晶取向膜，各基板称为第1、第2基板。
接着，使所述第1和第2基板位置对齐而使得电极对置，用隔板和粘结剂以大约5微米的间隙制作单元。然后，在所述第1和第2基板之间注入向列液晶后，将两片偏振板组装在交叉偏光镜上，完成显示元件。
这样的器件通过从里面照射背光，并且用视频信号来驱动各个晶体管，可以显示图像。此时，视野角在对比度为10时可以达到上下左右160°的宽视野角。
在上述制法中，在制造IPS型TFT阵列基板的步骤后，如果在取向膜形成之前，实施用保护膜来覆盖至少所述TFT阵列基板的一部分的步骤，那么可以制造可靠性高的液晶显示装置。
而且，在制造底栅型TFT阵列基板的步骤后，在取向膜形成之前，如果用保护膜来覆盖至少所述TFT阵列基板的一部分，以该保护膜作为掩模，对金属电极膜、接触电极金属膜、半导体膜和栅极绝缘膜进行腐蚀，使栅极布线端子露出，那么可以用低成本来制造液晶显示装置。
(实施例2-7)
与实施例2-3同样，准备预先良好清洗的透明玻璃基板201，作为底涂敷膜层，以CVD法堆积0.4微米的二氧化硅(SiO2)膜。然后，用溅射法将Al-Zr(97∶3)合金镀敷形成至200nm左右的膜厚，作为栅电极和栅极布线、以及源极断续布线使用的G-S金属膜层。然后，用等离子体CVD法连续堆积150nm的SiNx膜作为栅极绝缘膜层、50nm的作为半导体膜的不含杂质的非晶硅(i型a-Si)膜、50nm的含有n型杂质的非晶硅(n+a-Si)膜，用通常的方法形成第1次的光刻法使用的第1抗蚀剂图形。
然后，依次腐蚀n+a-Si膜、i型a-Si膜205、SiNx膜、及Al-Tr膜，形成层积了栅电极或栅极布线、源极断续布线、栅极绝缘膜层、半导体膜的具有第1梳形象素电极261的第1图形。
接着，使用硼酸氨电解液中对所述栅电极、栅极布线及第1梳形象素电极261进行阳极氧化，在图形的侧面形成以Al2O3为主要成分的绝缘膜。
而且，对漏极区域上连接的第2梳形象素金属电极和源极区域进行连接，用溅射法镀敷形成膜厚分别为50nm和100nm左右的连接分断的源极断续布线的金属电极(Ti)膜和铝膜(Al)组成的金属电极膜。
然后，用通常的方法形成具有第2梳形电极图形的第2次光刻法使用的第2抗蚀剂图形后，依次腐蚀除去所述金属电极膜、接触电极金属膜(Ti)和栅电极上的n+a-Si膜的一部分，形成沟道区域。而且将源极区域和源极断续布线209’用接触金属膜(Ti)膜和金属电极膜图形来连接，并且通过接触电极金属连续形成第2梳形象素金属电极262与漏极区域216。
由该制法分断的源极断续布线在栅极布线上由金属电极膜图形与接触电极金属(Ti)膜图形连接。
最后，用印刷烧制法来形成300nm的用于覆盖TFT的保护膜217，然后，以该二氧化硅保护膜图形为掩模来腐蚀与驱动电路连接部分的栅电极金属上的氧化膜后，可以制作在象素部中具有第2梳形象素金属电极的TFT阵列基板263(图23)。
在该制法中，半导体膜为i型层和n型层的双层构造，如果将n型层的一部分腐蚀至i型层，那么可以制造不增加光掩模、成本低的TFT阵列基板。
如果在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜，那么可以防止基板产生的杂质扩散，可以制造可靠性高的TFT阵列基板。
而且，如果连续形成栅极布线金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜，那么可以将沟道部的污染防止到最小限度，可以制造Vt稳定的TFT阵列基板。
如果在氧化步骤中，在中性溶液中进行阳极氧化，那么可以制造针孔少、漏泄电流小的TFT阵列基板。
而且，如果用溶胶凝胶法使用二氧化硅或含有二氧化硅的无机物质构成的保护膜来覆盖TFT阵列基板的一部分，那么可以制造可靠性高的TFT阵列基板。
(实施例2-8)
下面，说明用上述TFT阵列基板来实际制造液晶显示器件情况下的制造步骤。
首先，在用与实施例2-7相同的两片掩模制造的IPS用TFT阵列基板、即在具有矩阵状装载的第1梳形电极组和驱动第2梳形电极组和所述第1梳形电极组的晶体管组的第1TFT阵列基板、以及具有使得与第1、第2梳形电极组对置装载的滤色器组的滤色器基板上，分别以通常的方法来涂敷、固化聚酰亚胺树脂，进行抛光，制作具有液晶取向膜的第1、第2基板。
接着，使所述第1和第2基板位置对齐而使得电极对置，用隔板和粘结剂以大约4微米的间隙制作单元。然后，在所述第1和第2基板之间注入向列液晶后，将两片偏振板组装在交叉偏光镜上，完成显示元件。
这样的器件通过从里面照射背光，并且用视频信号来驱动各个晶体管，可以显示图像。此时，视野角在对比度为10时可以达到上下左右160°的宽视野角。
此时，在制造TFT阵列基板的步骤后，如果至少在取向膜形成之前，实施用二氧化硅等保护膜来覆盖所述TFT阵列基板的一部分的步骤，那么可以制造可靠性高的液晶显示装置。
如果以同一材质单层来形成金属电极和接触金属电极，那么可以进一步简化步骤。
(实施例2-9)
与实施例2-1同样，准备预先良好清洗的透明玻璃基板1，作为底涂敷膜层，以CVD法堆积0.4微米的二氧化硅(SiO2)膜。然后，用溅射法将Al-Zr(97∶3)合金镀敷形成至200nm左右的膜厚，作为栅电极和栅极布线、以及源极断续布线使用的G-S金属膜层。然后，用等离子体CVD法连续堆积150nm的SiNx膜作为栅极绝缘膜层、50nm的作为半导体膜的不含杂质的非晶硅(i型a-Si)膜、50nm的含有n型杂质的非晶硅(n+a-Si)膜，用通常的方法形成第1次的光刻法使用的第1抗蚀剂图形。
然后，依次腐蚀Ti金属膜、n+a-Si膜、i型a-Si膜、SiNx膜、及Al-Zr膜，形成层积了栅电极或栅极布线、源极断续布线、栅极绝缘膜层、半导体膜和接触电极金属的第1图形。
接着，使用硼酸氨在PH为7左右的电解液中对所述栅电极3’及栅极布线3”进行阳极氧化，在图形的侧面形成以Al2O3为主要成分的绝缘膜。
而且，对漏极区域上连接的第1梳形象素金属电极和源极区域进行连接，用溅射法镀敷形成膜厚100nm左右的连接分断的源极断续布线的金属电极膜。
然后，用通常的方法形成具有第1梳形电极图形的第2次光刻法使用的第2抗蚀剂图形后，依次腐蚀除去所述透明导电性膜、接触电极金属、及栅电极上的n+a-Si膜的一部分，直至达到i型-a-Si膜，形成沟道区域。而且将源极区域和源极断续布线用接触电极和金属电极来连接，并且通过接触电极金属连续形成第2梳形象素金属电极271与漏极区域。
在上述制法中，分断的源极断续布线在栅极布线在栅极布线上通过接触电极金属由接触电极金属来连接。
接着，用溶胶凝胶法印刷、烧制形成300nm的二氧化硅保护膜来覆盖TFT，然后，以该二氧化硅保护膜图形为掩模来腐蚀除去与外部驱动电路连接部分的栅电极金属上的i型-a-Si膜、SiNx膜。
然后，在这个表面上镀敷形成150nm膜厚的Al-Zr合金，用具有第1梳形电极图形来形成第1梳形象素金属电极272，能够以三片光掩模来制作可用于IPS型透过型液晶显示装置的TFT阵列基板273(图24)。
在利用该制法，半导体膜是i型层和n型层的双层构造，由于将n型层的一部分腐蚀至i型层，可以简化TFT的步骤。
如果在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜，那么可以制造特性稳定的TFT阵列基板。
在氧化步骤中如果使用阳极氧化法，那么可以制作针孔少的绝缘膜，可以制造栅漏少的TFT阵列基板。
如果使源极断续布线的一部分成为栅极布线金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜和金属电极膜的五层构造，那么可以减小源极断续布线电阻，可以制造特性偏差小的TFT阵列基板。
而且，如果在半导体膜和源极及漏电极之间形成接触电极金属，那么可以制造内部电阻小的TFT阵列基板。
如果源极断续布线被栅极布线分断，在栅极布线上通过接触电极金属和金属电极进行交叉连接，那么可以制造源极断续布线电阻小的TFT阵列基板。
如果使半导体膜的一部分形成i型层和n型层的双层构造，那么可以省略n型杂质扩散步骤。
在绝缘性基板表面和栅极布线金属膜之间形成底涂敷膜后，可以减少来自基板的应力的影响。
(实施例2-10)
下面，说明用上述实施例2-9制作的TFT阵列基板来实际制造液晶显示器件情况下的制造步骤。
首先，在用与实施例2-9相同的两片掩模制造的TFT阵列基板、即在具有矩阵状装载的第1梳形电极组和驱动第2梳形电极组及所述第1梳形电极组的晶体管组的第1TFT阵列基板、以及具有使得与第1、第2梳形电极组对置装载的滤色器组的滤色器基板上，分别以通常的方法来涂敷并固化聚酰亚胺树脂，进行抛光，制作液晶取向膜。
接着，使所述第1和第2基板位置对齐而使得取向膜对置，用隔板和粘结剂以大约5微米的间隙制作取向方向为90度扭转的单元。然后，向所述第1和第2基板注入所述TN液晶后，将偏振板组装在交叉偏光镜上，完成显示元件。
这样的器件通过从里面照射背光，并且用视频信号来驱动各个晶体管，可以显示图像。此时，视野角在对比度为10时可以达到上下左右160°的宽视野角。
此时，在制造TFT阵列基板的步骤后，至少在取向膜形成之前，实施用二氧化硅等保护膜来覆盖所述TFT阵列基板的一部分的步骤后，可以制造可靠性高的液晶显示装置。
(实施例2-11)
与实施例2-8同样，准备预先良好清洗的透明玻璃基板1，作为底涂敷膜层，以CVD法堆积0.4微米的二氧化硅(SiO2)膜。然后，用溅射法将Al-Zr(97∶3)合金镀敷形成至200nm左右的膜厚，作为栅电极和栅极布线、以及源极断续布线使用的G-S金属膜层。然后，用等离子体CVD法连续堆积150nm的SiNx膜作为栅极绝缘膜层、50nm的作为半导体膜的不含杂质的非晶硅(i型a-Si)膜、50nm的含有n型杂质的非晶硅(n+a-Si)膜，用通常的方法形成第1次的光刻法使用的第1抗蚀剂图形。
然后，依次腐蚀n+a-Si膜、i型a-Si膜、SiNx膜、及Al-Zr膜，形成层积了栅电极或栅极布线、源极断续布线、栅极绝缘膜层、及半导体膜(205’和206’)的第1图形。
接着，使用硼酸氨在PH为7左右的电解液中对所述栅电极及栅极布线进行阳极氧化，在图形的侧面形成以Al2O3为主要成分的绝缘膜。
而且，作为连接漏极区域上连接的第1梳形象素金属电极和源极区域上连接的、连接分断的源极断续布线的接触金属膜电极，使用溅射法将Ti金属膜镀敷形成至100nm左右的膜厚后，用溅射法将作为金属电极膜的Al-Zr膜镀敷形成至100nm左右的膜厚。
然后，用通常的方法形成具有第1梳形电极图形的第2次光刻法使用的第2抗蚀剂图形后，依次腐蚀除去所述透明导电性膜、接触金属膜、及栅电极上的n+a-Si膜6’的一部分，直至达到i型-a-Si膜，形成沟道区域，而且将源极区域和源极断续布线用接触电极和金属电极来连接，并且通过接触电极金属将第1梳形象素金属电极281与漏极区域连续形成。
此时，分断的源极断续布线在栅极布线在栅极布线上用接触电极金属和金属电极的双层构造来连接。
接着，用溶胶凝胶法印刷、烧制形成300nm的二氧化硅保护膜17来覆盖TFT，然后，以该二氧化硅保护膜图形为掩模来腐蚀除去与外部驱动电路连接部分的栅电极金属上的i型-a-Si膜5、SiNx膜4。
最后，再次在整个表面上按150nm的膜厚来镀敷形成Al-Zr合金，用具有第2梳形电极图形的光掩模来形成第2梳形象素金属电极282，可以用三片光掩模来制作可在IPS型透过型液晶显示装置上使用的TFT阵列基板283(图25)。
该TFT阵列基极，由于源极断续布线以金属电极和接触电极金属的双层构造来连接，所以可以减小源极断续布线电阻，可以制造图像显示特性优良的TFT阵列基板。
(实施例2-12)
下面，说明用上述实施例2-11制作的TFT阵列基板来实际制造液晶显示器件情况下的制造步骤。
首先，在用与实施例2-11相同的两片掩模制造的TFT阵列基板、即在具有矩阵状装载的第1梳形电极组和驱动第2梳形电极组和所述第1梳形电极组的晶体管组的第1TFT阵列基板、以及具有使得与第1、第2梳形电极组对置装载的滤色器组的滤色器基板上，分别以通常的方法来涂敷并固化聚酰亚胺树脂，进行抛光，制作形成了液晶取向膜第1、第2基板。
接着，使所述第1和第2基板位置对齐而使得取向膜对置，用隔板和粘结剂以大约5微米的间隙制作单元。然后，向所述第1和第2基板注入TN液晶后，将偏振板组装在交叉偏光镜上，完成显示元件。
这样的器件通过从里面照射背光，并且用视频信号来驱动各个晶体管，可以显示图像。此时，视野角在对比度为10时可以达到上下左右160°的宽视野角。
此时，在制造TFT阵列基板的步骤后，至少在取向膜形成之前，实施用二氧化硅等保护膜来覆盖所述TFT阵列基板的一部分的步骤后，可以制造可靠性高的液晶显示装置。
如以上说明的那样，根据本发明，可以极高生产率地制造具有平面交叉型的X·Y布线的电路板。这样的电路板可以用于通用的电子器件。应用了这样的电路板的本发明的TFT阵列基板可以用两片光掩模来制造，所以可以大幅度地降低TFT阵列基板的制造成本。而且，通过使用这样的TFT阵列基板，可以产生更便宜地提供液晶显示装置的效果。因此，本发明的产业上的意义重大。

Claims (31)

1.一种电路基板，其特征在于，包括：在绝缘性基板上的同一平面内由同一导电性金属膜分别形成的X布线；以及与所述X布线交叉的交叉部分被所述X布线分断的与X布线隔离的Y断续布线；
所述X布线的侧面和上表面被绝缘性膜覆盖；
被所述绝缘性膜覆盖的X布线分断、隔离的Y断续布线之间通过所述绝缘性膜上形成的Y断续布线连接电极来电连接，
覆盖所述X布线的侧面的绝缘性膜是所述X布线自身的侧面受氧化而形成的绝缘性金属氧化膜。
2.如权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述绝缘性金属氧化膜是所述X布线自身的侧面受阳极氧化法氧化而形成的阳极氧化膜。
3.一种电路基板，其特征在于具有：
在绝缘性基板上的同一平面内由同一导电性金属膜分别形成的X布线；以及与所述X布线交叉的、交叉部分被所述X布线分断并与X布线隔离的Y断续布线，
所述X布线的侧面和上表面由所述X布线自身的侧面和上表面受氧化而形成的金属氧化膜构成的绝缘膜覆盖；以及
由所述覆盖了绝缘性金属氧化膜的X布线所分断并隔离的Y断续布线之间由在绝缘性金属氧化膜上形成的Y断续布线连接电极进行电连接。
4.如权利要求3的电路基板，其特征在于所述绝缘性金属氧化膜是所述X布线的侧面和上表面受阳极氧化法氧化而形成的阳极氧化膜。
5.一种电路基板的制造方法，包括：
第一步骤，在绝缘性基板上至少依次淀积导电性金属膜层和绝缘性膜层；
第二步骤，对包含所述绝缘性膜层和所述导电性金属膜层的层进行腐蚀，在同一平面内，将X布线、以及交叉于所述X布线的交叉部分被所述X布线分断且与X布线隔离的Y断续布线同时形成在同一平面内；
第三步骤，在所述第二步骤后，将形成了所述X布线和Y断续布线的绝缘性基板整体侵入硼酸氨液中，仅对所述X布线通电，对所述X布线自身的侧面进行阳极氧化，由绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面；以及
第四步骤，在所述第三步骤后，淀积导电性膜层，至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线分断隔离的Y断续布线彼此间进行电连接。
6.一种电路基板的制造方法，包括：
第一步骤，在绝缘性基板上淀积导电性金属膜层；
第二步骤，对所述导电性金属膜层进行腐蚀，在同一平面内同时形成X布线，以及与所述X布线交叉的、交叉部分被所述X布线分断且与X布线隔离的Y断续布线；
第三步骤，在所述第二步骤后，将形成了所述X布线和Y断续布线的绝缘性基板整体侵入硼酸氨液中，仅对所述X布线通电，对所述X布线自身的侧面和上表面进行阳极氧化，由绝缘性的金属氧化膜覆盖该侧面和上表面；以及
第四步骤，在所述第三步骤后，淀积导电性膜层，至少覆盖所述交叉部分，并且使由所述X布线分断隔离的Y断续布线彼此间进行电连接。
7.一种底栅型TFT阵列基板，包括：
栅电极，直接或通过内涂膜层形成在基板上，并且由其自身的侧面受氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖；
栅极绝缘膜，层积在所述栅电极上；
半导体膜，层积在所述栅极绝缘膜上，具有源极区域、漏极区域和两区域夹置的沟道区域；
源极接触电极，层积在所述半导体膜的源极区域上；
漏极接触电极，层积在所述半导体膜的漏极区域上；
象素电极，通过所述漏极接触电极被连接到所述半导体膜的漏极区域；
栅极布线，连接到所述栅电极，由其自身的侧面和上表面受氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖；
源极断续布线，与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部呈被所述栅极布线分断隔离的形状；以及
源极连接电极，经由栅极布线的上方将被栅极布线分断隔离的源极断续布线彼此间进行电连接。
8.如权利要求7的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述象素电极和所述源极线连接电极由同质的透明导电膜材料构成。
9.如权利要求8的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述源极断续布线位于源极断续布线、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、透明导电膜的各膜构成的5层构造的源极断续布线区划图形的最下层；
所述栅极布线位于栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜、接触金属膜、透明导电膜的各膜构成的5层构造的栅极布线区划图形的最下层；
并且所述源极断续布线和所述栅极布线存在于所述基板上的同一平面内。
10.如权利要求7的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述绝缘性金属氧化膜是按阳极氧化法形成的阳极氧化膜。
11.如权利要求7的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体膜是i型非晶硅层和n型非晶硅层的双层构造。
12.如权利要求8的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，使用光反射性的导电膜材料来代替所述透明导电膜材料。
13.一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于包括：
(A)步骤，在绝缘性基板表面上依次淀积用于形成栅电极、栅极布线和源极断续布线的G-S金属膜层、栅极绝缘膜层、半导体膜层、以及接触金属膜层；
(B)步骤，在所述(A)步骤后，用第1抗蚀剂图形，按光刻法将所述各层腐蚀至所述绝缘性基板表面，形成栅电极区划图形、栅极布线区划图形、以及源极断续线区划图形，栅电极区划图形包含栅电极、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜，栅极布线区划图形包含与所述栅电极连接的栅极布线、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜，而源极断续线区划图形包含在与所述栅极布线的交叉部被分断隔离的源极断续线、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜；
(C)步骤，在所述(B)步骤后，对所述栅电极自身和栅极布线自身的侧面以阳极氧化法进行氧化，生成电绝缘性的金属氧化膜；
(D)步骤，在所述(C)步骤后，从所述接触金属膜上起在基板整个表面上淀积透明导电膜层，至少所述源极断续布线相互间通过导电膜进行电连接；以及
(E)步骤，在所述(D)步骤后，用第2抗蚀剂图形，按照光刻法，将所述透明导电膜层腐蚀为规定的图形，形成象素电极，同时还通过该腐蚀，腐蚀露出的栅电极区划图形上的接触金属膜部分达到所述半导体膜表面，在所述半导体膜上形成沟道区域。
14.如权利要求13的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体膜层是n型非晶硅层和i型非晶硅层的双层构造，所述(E)步骤中的栅电极区划图形上的接触金属膜部分的腐蚀是将接触金属膜的一部分和与其相连的n型非晶硅层的一部分腐蚀至i型非晶硅层。
15.如权利要求13的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，层积光反射性的导电膜层来取代所述(D)步骤中的所述透明导电膜层。
16.一种液晶显示装置，以形成TFT的面作为内侧，按规定的间隙使底栅型TFT阵列基板和对置基板对置，在该间隙中保持液晶，其中，底栅型TFT阵列基板包括：
在基板上直接或通过下涂敷膜层形成的、并且其自身的侧面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅电极；
在所述栅电极上层积的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上层积的、具有源极区域和漏极区域及夹置在两区域中的沟道区域的半导体膜；
在所述半导体膜上的源极区域上层积的源极接触电极；在所述半导体膜的漏极区域上层积的漏极接触电极；
通过所述漏极接触电极连接到所述半导体膜的漏极区域的象素电极；与所述栅电极连接的、其自身的侧面和上表面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅极布线；与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部分呈由所述栅极布线分断隔离形状的源极断续布线；以及经由栅极布线的上方使被栅极布线分断的源极断续布线彼此间电连接的源极线连接电极。
17.如权利要求16的液晶显示装置，其特征在于，所述TFT阵列基板的表面由保护膜保护。
18.如权利要求17的液晶显示装置，其特征在于，所述保护膜是二氧化硅膜或氮化硅膜。
19.如权利要求16的液晶显示装置，其特征在于，所述象素电极由透明金属膜构成。
20.如权利要求16的液晶显示装置，其特征在于，所述象素电极由光反射性金属膜构成。
21.一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅极电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和反射象素金属电极组，其特征在于，
在基板上通过下涂敷膜层形成的、并且其自身的侧面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅电极；
在所述栅电极上层积的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上层积的、具有源极区域和漏极区域及夹置在两区域中的沟道区域的半导体膜；
在所述半导体膜上的源极区域上层积的接触金属电极；
在所述接触金属电极上层积的电极金属，该电极金属由不同于构成所述接触金属电极的金属组成；
在所述半导体膜的漏极区域上层积的漏极接触金属电极；
在所述漏极接触电极上层积的、通过所述漏极接触电极连接到所述半导体膜的漏极区域的反射象素金属电极；
与所述栅电极连接的、其自身的侧面和上表面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅极布线；
与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部分呈由所述栅极布线分断隔离形状的源极断续布线；以及
经由栅极布线的上方使被栅极布线分断的隔离的源极断续布线彼此间电连接的接触金属电极和金属电极构成的源极线连接电极。
22.如权利要求21的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，反射象素金属电极是铝或铝系的合金。
23.如权利要求21的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体膜的一部分是i型层和n+型层的双层构造。
24.一种底栅型TFT阵列基板的制造方法，该底栅型TFT阵列基板具有反射型像素金属电极，其特征在于包括：
(AA)步骤，在绝缘性基板表面上直接或通过下涂敷膜层依次淀积用于形成栅电极、栅极布线和源极断续布线的G-S金属膜层、栅极绝缘膜层、半导体膜层、以及接触金属膜层；
(BB)步骤，在所述(AA)步骤后，用第1抗蚀剂图形，按光刻法将所述各层腐蚀至所述绝缘性基板表面，形成栅电极区划图形、栅极布线区划图形、以及源极断续线区划图形，栅电极区划图形包含栅电极、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜、半导体膜和接触金属膜，栅极布线区划图形包含与所述栅电极连接的栅极布线、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜，而源极断续线区划图形包含在与所述栅极布线的交叉部被分断隔离的源极断续线、在其上依次层积的栅极金属膜、栅极绝缘膜和半导体膜；
(CC)步骤，在所述(BB)步骤后，对所述栅电极和栅极布线自身的侧面以阳极氧化法进行氧化，生成电绝缘性的金属氧化膜；
(DD)步骤，在所述(CC)步骤后，再依次层积接触金属膜和金属电极膜，通过接触金属膜形成连接漏区域的像素金属电极，同时在源极断续布线相互间通过接触金属膜和金属电极膜进行电连接；以及
(EE)步骤，在所述(DD)步骤后，用第2抗蚀剂图形，按照光刻法，将所述金属膜、接触金属膜和栅电极上的半导体膜腐蚀除去形成沟道区域。
25.如权利要求24的底栅型TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，形成铝膜或铝系的合金膜作为所述金属电极膜。
26.一种反射型的液晶显示装置，其特征在于，第1基板为在底栅型TFT阵列基板的表面上形成有液晶取向膜，第2基板为在具有对置透明电极的滤色器基板上形成有液晶取向膜，第1基板的阵列侧和第2基板的滤色器侧成保持间隙状态而对置，在所述间隙内封入液晶，其中，所述底栅型TFT阵列基板包括源极断续布线、栅极电极、栅极布线、栅极绝缘膜、半导体膜和反射象素金属电极组；在基板上通过下涂敷膜层形成的、并且其自身的侧面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅电极；在所述栅电极上层积的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上层积的、具有源极区域和漏极区域及夹置在两区域中的沟道区域的半导体膜；在所述半导体膜上的源极区域上层积的接触金属电极；在所述接触金属电极上层积的电极金属，该电极金属由不同于构成所述接触金属电极的金属组成；在所述半导体膜的漏极区域上层积的漏极接触金属电极；在所述漏极接触电极上层积的、通过所述漏极接触电极连接到所述半导体膜的漏极区域的反射象素金属电极；与所述栅电极连接的、其自身的侧面和上表面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅极布线；与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部分呈由所述栅极布线分断隔离形状的源极断续布线；以及经由栅极布线的上方使被栅极布线分断的隔离的源极断续布线彼此间电连接的接触金属电极和金属电极构成的源极线连接电极。
27.一种底栅型TFT阵列基板，包括源极断续布线、栅极布线、栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜和梳形象素金属电极组，其特征在于，
在基板上直接或通过下涂敷膜层形成的、并且其自身的侧面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅电极；
在所述栅电极上层积的栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上层积的、具有源极区域和漏极区域及夹置在两区域中的沟道区域的半导体膜；
在所述半导体膜上的源极区域上层积的源极接触电极；
在所述半导体膜上的漏极区域上层积的漏极接触电极；
通过所述漏极接触电极连接所述半导体膜上的漏极区域的第2梳形象素金属电极；
在与所述栅电极同一平面上且与所述栅电极由同一金属构成的第1梳形象素金属电极；
与所述栅电极连接的、其自身的侧面和上表面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅极布线；
与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部分呈由所述栅极布线分断隔离形状的源极断续布线，通过覆盖所述栅极布线的上方接触电极金属膜和覆盖其上的金属电极膜，使源极断续布线彼此间电连接。
28.如权利要求27的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述栅电极侧面、所述栅极布线的侧面和上表面、所述第1梳形象素电极侧面是阳极氧化膜。
29.如权利要求27的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述源极断续布线由所属栅极布线和所述第1梳形电极分断、在所述栅极布线和所述第1梳形电极上经接触电极金属膜和金属电极膜来进行交叉连接。
30.如权利要求27的底栅型TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体膜的一部分为i型层和n型层的双层构造。
31.一种IPS型的液晶显示装置，其特征在于，第1基板为在底栅型TFT阵列基板的表面上形成有液晶取向膜，第2基板为具有对置透明电极的滤色器基板，第1基板的阵列侧和第2基板的滤色器侧成保持间隙状态而对置，在所述间隙内封入液晶，其中，所述底栅型TFT阵列基板包括源极断续布线、栅极布线、栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜和梳形象素金属电极组；在基板上直接或通过下涂敷膜层形成的、并且其自身的侧面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅电极；在所述栅电极上层积的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上层积的、具有源极区域和漏极区域及夹置在两区域中的沟道区域的半导体膜；在所述半导体膜上的源极区域上层积的源极接触电极；在所述半导体膜上的漏极区域上层积的漏极接触电极；通过所述漏极接触电极连接所述半导体膜上的漏极区域的第2梳形象素金属电极；在与所述栅电极同一平面上且与所述栅电极由同一金属构成的第1梳形象素金属电极；与所述栅电极连接的、其自身的侧面和上表面由氧化而形成的绝缘性金属氧化膜覆盖的栅极布线；与所述栅极布线形成于同一平面内，在同一平面内与所述栅极布线交叉，在该交叉部分呈由所述栅极布线分断隔离形状的源极断续布线，通过覆盖所述栅极布线的上方接触电极金属膜和覆盖其上的金属电极膜，使源极断续布线彼此间电连接。
CNB008125724A 1999-09-08 2000-09-08 电路基板、使用该基板的tft阵列基板及液晶显示装置 Expired - Fee Related CN1225719C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP254385/99 1999-09-08
JP25438599 1999-09-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1373886A CN1373886A (zh) 2002-10-09
CN1225719C true CN1225719C (zh) 2005-11-02

Family

ID=17264259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB008125724A Expired - Fee Related CN1225719C (zh) 1999-09-08 2000-09-08 电路基板、使用该基板的tft阵列基板及液晶显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6885110B1 (zh)
EP (1) EP1220187A4 (zh)
KR (1) KR20020062275A (zh)
CN (1) CN1225719C (zh)
WO (1) WO2001018774A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7483001B2 (en) * 2001-11-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device
KR100497096B1 (ko) 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100484092B1 (ko) 2002-12-26 2005-04-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
KR100497095B1 (ko) 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
TWI266108B (en) * 2003-05-01 2006-11-11 Seiko Epson Corp Electrical wiring structure, manufacturing method of electrical c wiring structure, substrate for optical device having electrical wiring structure and electro-optical device, and method for manufacturing electro-optical device
JP4381063B2 (ja) * 2003-08-18 2009-12-09 東芝モバイルディスプレイ株式会社 アレイ基板および平面表示装置
CN1871711B (zh) * 2003-10-28 2011-12-07 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法,以及电视接收机
JP2006065021A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置並びに電子機器
KR101226444B1 (ko) 2005-12-21 2013-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판
CN100444007C (zh) * 2005-12-29 2008-12-17 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管矩阵基板制造方法
US20090321119A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Yasuhiro Kohara Device mounting board, semiconductor module, mobile device, and manufacturing method of device mounting board
JP5306369B2 (ja) * 2008-11-21 2013-10-02 シャープ株式会社 表示パネル用の基板、表示パネル
US8187929B2 (en) * 2009-11-04 2012-05-29 Cbrite, Inc. Mask level reduction for MOSFET
JP6324098B2 (ja) * 2014-02-06 2018-05-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102269080B1 (ko) * 2015-01-23 2021-06-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107918221A (zh) * 2018-01-02 2018-04-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN112213894B (zh) * 2019-07-12 2023-08-22 夏普株式会社 显示面板用阵列基板的制造方法
KR20210107204A (ko) * 2020-02-21 2021-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60128486A (ja) 1983-12-16 1985-07-09 株式会社日本自動車部品総合研究所 表示装置
JPH0812354B2 (ja) 1987-10-14 1996-02-07 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH02170135A (ja) * 1988-12-23 1990-06-29 Nec Corp 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ
JP2625585B2 (ja) * 1991-03-08 1997-07-02 沖電気工業株式会社 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JPH05142554A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクテイブマトリクス基板
KR950008931B1 (ko) * 1992-07-22 1995-08-09 삼성전자주식회사 표시패널의 제조방법
US5285018A (en) * 1992-10-02 1994-02-08 International Business Machines Corporation Power and signal distribution in electronic packaging
JPH06250211A (ja) * 1993-02-23 1994-09-09 Hitachi Ltd 液晶表示基板とその製造方法
US5893621A (en) * 1994-07-14 1999-04-13 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
US5703389A (en) * 1995-02-24 1997-12-30 Motorola, Inc. Vertical IGFET configuration having low on-resistance and method
KR100283733B1 (ko) * 1995-10-16 2001-03-02 마찌다 가쯔히꼬 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법
JPH09265113A (ja) 1996-03-28 1997-10-07 Nec Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方 法
JP3622934B2 (ja) * 1996-07-31 2005-02-23 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
JP4302194B2 (ja) * 1997-04-25 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020062275A (ko) 2002-07-25
WO2001018774A1 (en) 2001-03-15
EP1220187A1 (en) 2002-07-03
US6885110B1 (en) 2005-04-26
EP1220187A4 (en) 2005-05-18
CN1373886A (zh) 2002-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1225719C (zh) 电路基板、使用该基板的tft阵列基板及液晶显示装置
CN1237386C (zh) 液晶显示装置的制造方法
CN1261805C (zh) 液晶显示装置
CN1052339C (zh) 半导体基体材料的制作方法
CN1310065C (zh) 液晶显示装置
CN1056940C (zh) 半导体部件及其制造方法
CN1042375C (zh) 半导体基体材料的制作方法
CN1214280C (zh) 液晶显示元件
CN1305133C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1287207C (zh) 平面内开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法
CN1197141C (zh) 半导体显示器件及其制作方法
CN1156729C (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1279576C (zh) 半导体设备及其制造方法
CN1651998A (zh) 电子元件、显示元件及其制造方法
CN1603898A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1532617A (zh) 液晶显示器以及其制造方法
CN1658032A (zh) 导电元件基板、液晶显示装置及其制造方法、电子信息设备
CN1296643A (zh) 薄膜晶体管、液晶面板和它们的制造方法
CN1648748A (zh) 显示装置
CN1909751A (zh) 发光装置及其制造方法
CN1223427A (zh) 具有改变的电极排列的液晶显示器
CN1165806C (zh) 有源矩阵型显示器
CN1908777A (zh) 液晶装置、电子光学装置、投影仪及微型器件
CN1341231A (zh) Tft阵列基板及其制造方法以及使用它的液晶显示装置
CN1975546A (zh) 显示器及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee