JP5993111B2 - 温度制御システム - Google Patents
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Description
初めに、図1を参照して温度制御システムの概要及びその構成ついて説明する。図1に示す温度制御システムは、半導体ウエハWをエッチング処理する処理チャンバ100と、半導体ウエハW及びF/R(Focus Ring)の温度を測定する温度測定装置200と、温度測定装置200で測定される温度に基づき制御信号(温度指示信号)を送信する装置システム300と、装置システム300からの制御信号(温度指示信号)に基づいて冷媒(例えばブライン)の温度を制御するチラー400とを備える。
参照光の入射方向に平行な一方向へ移動させるためのリニアステージ、モータ、He−Neレーザエンコーダ等から構成されている。
上記温度測定装置200では、第1〜第n測定光における第2スプリッタ230から半導体ウエハWまでの各光路長が夫々互いに異なるように構成されている。具体的には例えばコリメートファイバF1〜Fnの長さが夫々同一の場合は、例えばコリメートファイバF1〜Fnの先端面、すなわち測定光照射位置が、半導体ウエハW及びF/Rから照射方向に略平行な方向に夫々ずれるように配置される。また、コリメートファイバF1〜Fnの先端面をずらすことなく、コリメートファイバF1〜Fnの長さ又は光ファイバの長さを変えることにより、上記第1〜第n測定光における第2スプリッタ230から半導体ウエハW及びF/Rまでの各光路長が異なるようにしてもよい。
図1に示す温度測定装置200においては、光源210からの光は、第1スプリッタ220の端子aに入射され、第1スプリッタ220により端子bと端子cへと2分波される。このうち、端子bからの光(測定光)は、第2スプリッタ230に入射され、第2スプリッタ230により第1〜第n測定光に分波される。これら第1〜第n測定光はそれぞれコリメートファイバF1〜Fnを介して照射され、半導体ウエハW及びF/Rで反射される。
ここで、温度測定装置200の受光手段260により得られる干渉波形の具体例を図2に示す。図2は、第2スプリッタ230により分波された第1,第2測定光が、半導体ウエハWの面内における測定ポイントP1(例えば半導体ウエハWの端部(Edge))、P2(例えば半導体ウエハWの中心(Center))にそれぞれ照射されるようにした場合における第1及び第2測定光と参照光との干渉波形を示したものである。図2(a)は温度変化前の干渉波形を示したものであり、図2(b)は温度変化後の干渉波形を示したものである。図2において縦軸は干渉強度、横軸は参照ミラーの移動距離をとっている。
次に、温度算出手段270における測定光と参照光との干渉波に基づいて温度を測定する方法について説明する。干渉波に基づく温度測定方法としては、例えば温度変化に基づく光路長変化を用いる温度換算方法がある。ここでは、上記干渉波形の位置ズレを利用した温度換算方法について説明する。
上記数式(1)に示すように、温度変化によって測定ポイントPを透過する測定光の光路長が変化する。光路長は一般に、厚さdと屈折率nとの積で表される。従って、温度変化前の測定ポイントPを透過する測定光の光路長をLとし、測定ポイントにおける温度がΔTだけ変化した後の光路長をL′とすると、L、L′は夫々下記の数式(2)に示すようになる。
従って、測定ポイントにおける測定光の光路長の温度変化前後の差(L′−L)は、上記数式(1)、(2)により計算して整理すると、下記数式(3)に示すようになる。なお、下記数式(3)では、α・β≪α、α・β≪βを考慮して微小項を省略している。
=L・(α+β)・ΔT …(3)
図4は、第1の実施形態に係る温度制御システム1の構成図である。第1の実施形態に係る温度制御システム1では、処理チャンバ100が備えるサセプタ101とチラー400(第1の温調手段)との間に、チラー400とは独立したサブチラー500(第2の温調手段)をさらに備えた点が図1に示した温度制御システムと異なる。以下、図4を参照して、第1の実施形態に係る温度制御システム1について説明するが、図1で説明した構成と実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
第1の実施形態では、光源210で発生する光を測定光と参照光とに分岐し、半導体ウエハWの測定ポイントで反射された測定光と、参照光反射手段240で反射された参照光を干渉させて半導体ウエハW及びF/Rの温度を測定していた。この第1の実施形態の変形例では、参照光を使用せずに半導体ウエハW及びF/Rの温度を測定する実施形態について説明する。
図9は、第2の実施形態に係る温度制御システム2の構成図である。現在、300mmウエハを処理する半導体製造装置では、一台の半導体製造装置に複数の処理チャンバを備えるマルチチャンバ方式が主流となっている。この第2の実施形態では、本発明をマルチチャンバ方式に適用した場合について説明する。なお、図4に示した第1の実施形態に係る温度制御システム1と実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
図10は、第3の実施形態に係る温度制御システム3の構成図である。第3の実施形態にかかる温度制御システム3は、処理チャンバ100と、温度測定装置200と、装置システム300と、チラー400(第1の温調手段)と、サブチラー500(第2の温調手段)と、IM600と、バックヘリウム制御手段700とを備える。以下、第3の実施形態に係る温度制御システム3の構成ついて説明するが、図4に示した第1の実施形態に係る温度制御システム1と実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、上記実施形態では、処理対象物として半導体ウエハを例に説明したが、処理対象物は半導体ウエハに限られず、例えば、太陽電池用ウエハ、液晶パネルなどであってもよい。また、半導体ウエハをエッチング処理する場合の温度測定について説明したが、プロセス中に半導体ウエハの温度をモニタする必要のあるプロセス(例えば、PVD(Physical Vapor Deposition)やCVD(Chemical Vapor Deposition)プロセス等)であれば本発明を適用できる。また、第1〜第3の実施形態に係る温度制御システム1〜3が備える温度測定装置200を、第1の実施形態の変形例に係る温度制御システム1A(図6参照)が備える温度測定装置200Aとしてもよい。
Claims (2)
- 上面に処理対象物を載置可能とし、内部に温調媒体の流路が形成されたサセプタと、
前記サセプタの上面に載置された前記処理対象物の温度を測定する温度測定手段と、
前記流路を流れる温調媒体を温調する第1の温調手段と、
前記サセプタと前記第1の温調手段との間に介在し、前記温度測定手段によりリアルタイムに測定される前記処理対象物若しくはフォーカスリングの温度、若しくはその温度変化に基づいて、前記温調媒体を温調する第2の温調手段と、
を備え、
前記第1の温調手段と前記第2の温調手段との間及び前記第2の温調手段と前記サセプタとの間に配置され、前記温調媒体を、前記第2の温調手段を介して前記第1の温調手段から前記サセプタの流路へ供給する、第1の流路と、
前記サセプタと前記第2の温調手段との間及び前記第2の温調手段と前記第1の温調手段との間に配置され、前記温調媒体を、前記第2の温調手段を介して前記サセプタの流路から前記第1の温調手段へ供給する、第2の流路と、
を含み、
前記温調媒体を、前記第1の流路及び前記第2の流路を通じて、前記第1の温調手段から前記第2の温調手段を介して前記サセプタに循環させるように構成され、
前記第2の温調手段は、
前記第1の流路を通じて、前記第1の温調手段から前記サセプタへと流れる前記温調媒体を温調する第1の温調部、前記第2の流路を通じて、前記サセプタから前記第1の温調手段へと流れる前記温調媒体を温調する第2の温調部、及び前記温度測定手段で測定される温度、若しくは温度変化に基づいた制御信号で、前記第1,第2の温調部を各々独立に制御する制御回路を備えた
ことを特徴とする温度制御システム。 - 前記温度測定手段は、
光源からの光を、測定光と参照光とに分岐する分岐手段と、
前記分岐手段からの参照光を反射するための参照光反射手段と、
前記参照光反射手段から反射される参照光の光路長を変化させる光路長変化手段と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の温度制御システム。
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