TWI645170B - 溫度測定方法、基板處理系統及溫度測定用構件 - Google Patents

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TWI645170B TW103143590A TW103143590A TWI645170B TW I645170 B TWI645170 B TW I645170B TW 103143590 A TW103143590 A TW 103143590A TW 103143590 A TW103143590 A TW 103143590A TW I645170 B TWI645170 B TW I645170B
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Abstract

本發明旨在提供一種溫度測定方法，即使於溫度測定對象發生損耗或異物的沉積等，亦可利用低相干性光的干渉，正確地測定溫度。 其中，作成顯示聚焦環25的溫度與既定路徑的光程長之關係的校正資料，利用「實際上將低相干性光對配置於基板處理裝置10的聚焦環25照射時，反射光的光干渉」，求算聚焦環25內的低相干性光於該既定路徑前進時的光程長，與校正資料對照，而求算聚焦環25的溫度。既定路徑，設定為：低相干性光自聚焦環25中不隨時間變化的背面進入聚焦環25內，在斜面25a其前進路徑變更，俾朝聚焦環25中不隨時間變化的壁面25b前進，由壁面25b反射後，回到前進過來的軌跡。

Description

溫度測定方法、基板處理系統及溫度測定用構件
本發明，係關於一種配置於基板處理裝置的基板處理室的溫度測定用構件、測定配置於基板處理裝置的基板處理室的基板或溫度測定用構件之溫度的溫度測定方法、包含測定溫度測定用構件之溫度的溫度測定裝置的基板處理系統。
例如，使用處理室內產生的電漿對半導體晶圓進行電漿蝕刻等處理的基板處理裝置中，為確保處理精度，可測定半導體晶圓及配置於處理室內之各種構件的溫度，控制電漿產生條件等處理條件。
例如，關於對半導體晶圓上電漿之分佈造成大幅影響的聚焦環，有人提案一種溫度測定方法，對於「沿聚焦環的厚度方向照射低相干性光時，來自聚焦環的表面及背面的反射光之強度分佈」進行傅立葉轉換，藉此，測定聚焦環的溫度(參照例如專利文獻1)。
此外，有人提案一種溫度測定方法，於聚焦環的背面側設置薄壁部，在與薄壁部之間，隔著一定空間配置被覆構件，自沿薄壁部的厚度方向照射低相干性光時，來自薄壁部表面及背面的反射光，與對參考鏡照射低相干性光而獲得的反射光，兩者的干渉光，測定聚焦環的溫度(參照例如專利文獻2)。
此等專利文獻1、2所記載的技術中任一者，皆係利用聚焦環的厚度會因熱膨脹率的影響，隨溫度而變化。亦即，事前測定聚焦環的厚度與溫度之相關關係，且使用低相干性光求算聚焦環的厚度，將求得的厚度與事前測定的厚度與溫度之關係對照，藉而求算聚焦環的溫度。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2013-029487號公報
【專利文獻2】日本特開2012-204742號公報
然而，上述專利文獻1所記載的技術中，於照射低相干性光的溫度測定對象的表面或背面發生損耗或異物的沉積時，無法正確地測定厚度，因此有可能無法正確地測定溫度。相對於此，上述專利文獻2所記載的技術中，於薄壁部表面與背面的狀態無變化，故可正確地測定溫度，但仍留下下列問題：零件個數增加會導致成本上升，及組裝精度低即無法正確地量測溫度。
本發明之目的在於提供一種溫度測定方法，即使於溫度測定對象發生損耗或異物的沉積等，亦可利用低相干性光的干渉，正確地測定溫度。且本發明之目的在於提供一種溫度測定用構件，為實現該溫度測定方法，配置於基板處理裝置的基板處理室，並提供一種基板處理系統，包含測定溫度測定用構件之溫度的溫度測定裝置。
為達成上述目的，申請專利範圍第1項記載的溫度測定方法，用來測定配置於基板處理室內，具有因使用而隨時間而損耗或導致異物沉積的至少1個面之構件的溫度，其特徵在於包含：資料作成步驟，作成顯示該構件的溫度與既定路徑的光程長之關係的校正資料；光程長測定步驟，利用對該構件的既定位置照射低相干性光時，來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光於該既定路徑前進時的光程長；及溫度測定步驟，將於該光程長測定步驟求得的光程長與於該資料作成步驟作成的該校正資料對照，而求算該構件的溫度；且該既定路徑設定為：自該構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的第1面進入該構件內的該低相干性光，在設於該構件的反射面其前進路徑變更，俾朝該構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的第2面前進，由該第2面反射後，回到前進過來的軌跡。
申請專利範圍第2項記載的溫度測定方法，如申請專利範圍第1項記載的溫度測定方法，其中，該構件呈板狀，該第1面係表面或背面，該反射面形成為與厚度方向呈45°夾角，該第2面係與厚度方向平行的面。
申請專利範圍第3項記載的溫度測定方法，如申請專利範圍第1項記載的溫度測定方法，其中，該構件呈板狀，包含：與厚度方向形成45°夾角的第1狹縫；及與厚度方向平行的第2狹縫，該第1面係表面或背面，該反射面係該第1狹縫的面，該第2面係該第2狹縫的面。
為達成上述目的，申請專利範圍第4項記載的溫度測定方法，用來測定配置於基板處理室內，具有因使用而隨時間而損耗或導致異物沉積的至少1個面之構件的溫度，其特徵在於包含：資料作成步驟，作成顯示該構件的溫度與既定路徑的光程長之關係的校正資料；光程長測定步驟，利用對該構件的既定位置照射低相干性光時，來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光於該既定路徑前進時的光程長；及溫度測定步驟，將於該光程長測定步驟求得的光程長與於該資料作成步驟作成的該校正資料對照，而求算該構件的溫度；且該既定路徑設定為： 自該構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的第1面進入該構件內的該低相干性光，由與該第1面平行形成的狹縫反射後，回到前進過來的軌跡。
申請專利範圍第5項記載的溫度測定方法，如申請專利範圍第4項記載的溫度測定方法，其中，將該低相干性光，對鄰接該構件而設置的另一構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的面照射而被反射，藉而照射該第1面。
申請專利範圍第6項記載的溫度測定方法，如申請專利範圍第1至5項中任1項記載的溫度測定方法，其中，該構件，係構成配置於該基板處理室的噴淋頭的電極板，或配置成包圍該基板的聚焦環。
申請專利範圍第7項記載的溫度測定方法，如申請專利範圍第1至5項中任1項記載的溫度測定方法，其中，該光程長測定步驟，對於「將該低相干性光對該構件的該第1面照射時，來自該第1面的反射光，與進入該構件內後於該構件內的該既定路徑前進的反射光，兩者的干渉光」進行傅立葉轉換，藉而求算該既定路徑的光程長。
申請專利範圍第8項記載的溫度測定方法，如申請專利範圍第1至5項中任1項記載的溫度測定方法，其中，該光程長測定步驟，將自光源輸出的低相干性光分為2個光路，「於該2個光路之一方前進的低相干性光對該構件的該第1面照射時，來自該第1面的反射光，及進入該構件內後於該構件內的該既定路徑前進的反射光」，分別與「於 該2個光路之另一方前進的低相干性光對平行於低相干性光的入射方向移動的參考鏡照射時，來自該參考鏡的反射光」的干渉光，與該參考鏡的移動距離，求算該既定路徑的光程長。
為達成上述目的，申請專利範圍第9項記載的基板處理系統，包含：基板處理室，對收納的基板進行既定處理；構件，配置於該基板處理室內，具有因進行該既定處理而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面；及溫度測定裝置，測定該構件的溫度；該基板處理系統之特徵在於：該溫度測定裝置包含：光學系，對該構件照射低相干性光，取得其反射光；及分析裝置，利用來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光前進的既定路徑的光程長，將求得的光程長與事前作成之顯示該構件的溫度與該既定路徑的光程長之關係的校正資料對照，藉而求算該構件的溫度；且該構件包含：第1面，被照射以自該光學系輸出的低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；第2面，不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及反射面，將自該第1面進入該構件內的低相干性光反射，俾朝該第2面前進；且該既定路徑設定為：自該第1面進入該構件內的該低相干性光，由該反射面反射，更由該第2面反射後，回到前進過來的軌跡。
申請專利範圍第10項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第9項記載的基板處理系統，其中，該構件中，該第2面及該反射面係鏡面。
申請專利範圍第11項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第9或10項記載的基板處理系統，其中，該構件呈板狀，該第1面係表面或背面，該反射面形成為與厚度方向呈45°夾角，該第2面係與厚度方向平行的面。
申請專利範圍第12項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第9或10項記載的基板處理系統，其中，該構件呈板狀，包含：與厚度方向形成45°夾角的第1狹縫；及與厚度方向平行的第2狹縫，該第1面係表面或背面，該反射面係該第1狹縫的面，該第2面係該第2狹縫的面。
為達成上述目的，申請專利範圍第13項記載的基板處理系統，包含：基板處理室，對收納的基板進行既定處理；構件，配置於該基板處理室內，具有因進行該既定處理而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面；及溫度測定裝置，測定該構件的溫度；該基板處理系統之特徵在於該溫度測定裝置包含：光學系，對該構件照射低相干性光，取得其反射光；及 分析裝置，利用來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光前進的既定路徑的光程長，將求得的光程長與事前作成之顯示該構件的溫度與該構件內的該既定路徑的光程長之關係的校正資料對照，藉而求算該構件的溫度；且該構件包含：第1面，被照射以自該光學系輸出的低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及狹縫，與該第1面平行形成；且該既定路徑設定為：自該第1面進入該構件內的該低相干性光，由該狹縫反射後，回到前進過來的軌跡。
申請專利範圍第14項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第13項記載的基板處理系統，其中，該狹縫中反射該低相干性光的面係鏡面。
申請專利範圍第15項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第13或14項記載的基板處理系統，其中，包含鄰接該構件而配置於該基板處理室內的另一構件，將該低相干性光對該另一構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的面照射而被反射，藉而照射該第1面。
申請專利範圍第16項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第9、10、13、14項中任一項的基板處理系統，其中， 該構件，係構成配置於該基板處理室的噴淋頭的電極板，或配置成包圍該基板的聚焦環。
申請專利範圍第17項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第9、10、13、14項中任一項的基板處理系統，其中，該分析裝置，對於「將自該光學系輸出的低相干性光對該構件照射時，來自照射面的反射光，與於該構件內的該既定路徑前進的反射光，兩者的干渉光」進行傅立葉轉換，藉而求算該構件內的該既定路徑的光程長。
申請專利範圍第18項記載的基板處理系統，如申請專利範圍第9、10、13、14項中任一項的基板處理系統，其中，該光學系，將自光源輸出的低相干性光分為2個光路，取得：「於該2個光路之一方前進的低相干性光對該構件照射時，來自照射面的反射光，及進入該構件內後於該構件內的該既定路徑前進的反射光」，分別與「於該2個光路之另一方前進的低相干性光對平行於低相干性光的入射方向移動的參考鏡照射時，來自該參考鏡的反射光」的干渉光，該分析裝置，自該光學系取得的干渉光與該參考鏡的移動距離，求算該構件內的該既定路徑的光程長。
為達成上述目的，申請專利範圍第19項記載的溫度測定用構件，係配置於基板處理裝置內，具有因使用而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面，其特徵在於包含：第1面，被照射以低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；第2面，不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及 反射面，反射自該第1面進入該溫度測定用構件內的低相干性光，俾朝該第2面前進；其中設置該反射面及該第2面，俾由該第2反射面反射的低相干性光於該溫度測定用構件內回到前進過來的軌跡；且該溫度測定用構件呈板狀，形成有：與厚度方向形成45°夾角的第1狹縫；及與厚度方向平行的第2狹縫；該第1面係表面或背面，該反射面係該第1狹縫的面，該第2面係該第2狹縫的面。
申請專利範圍第20項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第19項記載的溫度測定用構件，其中，該第2面及該反射面係鏡面。
申請專利範圍第21項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第19或20項記載的溫度測定用構件，其中，該溫度測定用構件呈板狀，該第1面係表面或背面，該反射面形成為與厚度方向呈45°夾角，該第2面係與厚度方向平行的面。
為達成上述目的，申請專利範圍第22項記載的溫度測定用構件，係配置於基板處理裝置內，具有因使用而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面，其特徵在於包含：第1面，被照射以低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及 狹縫，與該第1面平行形成，反射與該第1面正交而自該第1面進入該溫度測定用構件內的低相干性光，俾回到前進過來的軌跡。
申請專利範圍第23項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第22項記載的溫度測定用構件，其中，該狹縫中反射該低相干性光的面係鏡面。
申請專利範圍第24項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第19、20、22、23項中任一項的溫度測定用構件，其中，該溫度測定用構件，係對基板進行電漿處理的基板處理裝置中所配置之構成噴淋頭的電極板，或配置成包圍該基板的聚焦環。
為達成上述目的，申請專利範圍第25項記載的溫度測定用構件，係由下列元件構成：第1構件，配置於基板處理裝置內，具有因使用而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面；及第2構件，鄰接該第1構件；該溫度測定用構件之特徵在於該第1構件包含：第1面，不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及狹縫，與該第1面平行形成，反射與該第1面正交而自該第1面進入該溫度測定用構件內的低相干性光，俾回到前進過來的軌跡；且該第2構件包含反射面，該反射面將照射的低相干性光朝與該第1構件的該第1面正交的方向反射。
申請專利範圍第26項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第25項記載的溫度測定用構件，其中，設於該第1構件之該狹縫中、反射自該第1面進入的低相干性光的面，及該第2構件的該反射面，分別係鏡面。
申請專利範圍第27項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第25或26項記載的溫度測定用構件，其中，該第1構件，係對基板進行電漿處理的基板處理裝置中所配置之構成噴淋頭的電極，該第2構件係支持該電極的支持構件。
申請專利範圍第28項記載的溫度測定用構件，如申請專利範圍第25或26項記載的溫度測定用構件，其中，該第1構件，係對基板進行電漿處理的基板處理裝置中配置成包圍該基板的聚焦環，該第2構件，係包圍該聚焦環的覆蓋環。
本發明中，為「利用低相干性光的光干渉，測定配置於基板處理室內的聚焦環或上部電極板等隨時間而損耗的構件之溫度」，而求算構件內的光程長時，於用來獲得反射光的反射面，不使用構件中損耗或是異物沉積的面，而在構件內設定低相干性光的前進路徑。藉此，即使於構件發生損耗或異物的沉積，構件內低相干性光的光程長亦不會發生變化，故可經常性測定取決於溫度變化的光程長，藉此，可測定構件的正確溫度。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧基座
25‧‧‧聚焦環
25a、65a‧‧‧斜面(反射面)
25b‧‧‧壁面
27‧‧‧上部電極板
33、65‧‧‧覆蓋環
40‧‧‧第1溫度測定裝置
41、51‧‧‧低相干性光源
42‧‧‧分光器
43‧‧‧光循環器
44‧‧‧準直器
45、57‧‧‧分析裝置
50‧‧‧第2溫度測定裝置
52‧‧‧光偵測器
53‧‧‧2×2耦合器
54‧‧‧第1準直器
55‧‧‧第2準直器
56‧‧‧參考鏡
61、62、63‧‧‧聚焦環
71‧‧‧第1狹縫
72‧‧‧第2狹縫
73、74‧‧‧狹縫
W‧‧‧晶圓
【圖1】係顯示依本發明之實施形態的溫度測定裝置可適用的基板處理裝置之概略構成的剖面圖。
【圖2】係顯示適用於圖1之基板處理裝置的第1溫度測定裝置之概略構成的方塊圖。
【圖3】(a)~(c)係示意說明以圖2之溫度測定裝置，使用低相干性光的聚焦環內的光程長之測定原理圖。
【圖4】係顯示適用於圖1之基板處理裝置的第2溫度測定裝置之概略構成的方塊圖。
【圖5】(a)~(b)係示意說明以圖4之溫度測定裝置，使用低相干性光的聚焦環內的光程長之測定原理圖。
【圖6】係示意顯示圖1之基板處理裝置具有的聚焦環內低相干性光的光程長與溫度之關係圖。
【圖7】係示意顯示圖1之基板處理裝置具有的聚焦環及覆蓋環的構造，與聚焦環內低相干性光的前進路徑圖。
【圖8】係示意顯示圖1之基板處理裝置具有的上部電極板及腔室構造，與上部電極板內低相干性光的前進路徑圖。
【圖9】(a)~(c)係顯示以聚焦環為例，進入光的光程長縮短而變形之例圖。
以下，參照附圖，詳細說明關於本發明之實施形態。在此，舉出一種基板處理系統，其中，進行依本發明的溫度測定方法之溫度測定裝置，適用於對作為基板的半導體晶圓(以下稱「晶圓」)施加電漿蝕刻處理的基板處理裝置。
圖1，係顯示依本發明之實施形態的溫度測定裝置可適用的基板處理裝置10之概略構成的剖面圖。圖1所示的基板處理裝置10，包含：收納例如直徑為φ300mm的半導體元件用晶圓W的腔室11，腔室11內，配置載置晶圓W的圓柱狀基座12(載置台)。基板處理裝置10中，以腔室11的內側壁與基座12的側面形成側邊排氣道13，側邊排氣道13的途中配置排氣板14。
排氣板14係具有複數貫通孔的板狀零件，作為將腔室11內分隔為上部與下部的分隔板。以排氣板14分隔，藉而在形成於腔室11內上部的基板處理室15，如後述產生電漿。由排氣板14而形成於腔室11內下部的排氣室(岐管)16，連接有：用以排出腔室11內氣體的排氣管17。排氣板14捕捉或反射產生於基板處理室15的電漿，防止電漿朝岐管16漏出。
排氣管17，連接未圖示的TMP(Turbo Molecular Pump，渦輪分子幫浦)及DP(Dry Pump，乾式幫浦)，此等幫浦對腔室11內進行抽氣而使其減壓。具體而言，DP，使腔室11內自大氣壓減壓至中真空狀態(例如，1.3×10Pa(0.1Torr)以下)。又，TMP，與DP一起作用，使腔室11內減壓至低於中真空狀態壓力的高真空狀態(例如，1.3×10-3Pa(1.0×10-5Torr)以下)。又，腔室11內的壓力，由未圖示的APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制)閥控制。
腔室11內的基座12，隔著第1匹配器19連接第1射頻電源18，且隔著第2匹配器21連接第2射頻電源20。第1射頻電源18，對基座12施加較低的頻率，例如，2MHz之離子引進用射頻電力。另一方面，第2射頻電源20，對基座12施加較高的頻率，例如，60MHz的電漿產生用射頻電力。藉此，基座12用作為電極。且第1匹配器19及第2匹配器21，減少來自基座12的射頻電力之反射，使射頻電力對基座12的施加效率最大化。
於基座12上部，形成包圍小口徑圓柱的段差，俾呈小口徑圓柱自大口徑圓柱的前端沿同心軸突出的形狀。於小口徑圓柱的前端，配置於內部具有靜電電極板22之陶瓷所構成的靜電吸盤23。靜電電極板22連接直流電源24，對靜電電極板22施加正的直流電壓後，於晶圓W中靜電吸盤23側的面(背面)即產生負電位，在靜電電極板22與晶圓W的背面之間產生電位差。藉由如此產生的電位差引起的庫倫力或Johnson-Rahbeck力，晶圓W被靜電吸盤23所吸附固持。
且於基座12上部，將作為圓環狀零件的聚焦環25，載置於基座12上部中的段差部，俾包圍由靜電吸盤23吸附固持的晶圓W。聚焦環25，例如以矽(Si)構成。藉此，聚焦環25以半導電物體構成，故使電漿的分佈區域不只在晶圓W上，更擴大到聚焦環25上，使晶圓W周緣部上的電漿密度維持為大約同於晶圓W中央部上的電漿密度。藉此，確保對晶圓W全面施加的電漿蝕刻處理之均勻性。
且設置絕緣材料(氧化釔(Y2O3)等)所構成的覆蓋環33，俾包圍聚焦環25的外周，覆蓋環33，保護基座12或靜電吸盤23、聚焦環25不受電漿影響。
於腔室11的頂部，配置噴淋頭26，俾與基座12對向。噴淋頭26，包含：上部電極板27；以可裝卸而懸吊的方式支持上部電極板27的冷卻板28；及覆蓋冷卻板28的蓋體29。上部電極板27以具有沿厚度方向貫通的複數氣體孔30的圓板狀零件構成，由半導電物體的矽(Si)所構成。
於冷卻板28內部設置緩衝室31，緩衝室31連接處理氣體導入管32。基板處理裝置10中，將自處理氣體導入管32對緩衝室31供給的處理氣體經由氣體孔30導入基板處理室15內部。導入基板處理室15內部的處理氣體，由自第2射頻電源20經由基座12對基板處理室15內部施加的電漿產生用射頻電力所激發，成為電漿。將電漿中的離子，以第1射頻電源18對基座12施加的離子引進用射頻電力而拉往晶圓W，對晶圓W施加電漿蝕刻處理。
此時，例如，聚焦環25或上部電極板27若未保持於既定溫度，對每一晶圓W產生的電漿之狀態即有差異，結果對每一晶圓W的處理品質可能不同。在此，基板處理裝置10中，作為一例，配置用來測定聚焦環25溫度的溫度測定裝置，構成基板處理系統。
圖2，係顯示適用於基板處理裝置10的第1溫度測定裝置之概略構成的方塊圖。第1溫度測定裝置40，包含：低相干性光源41；分光器42；光循環器43；準直器44(參照圖1)；及分析裝置45。低相干性光源41與光循環器43之間的連接、分光器42與光循環器43之間、光循環器43與準直器44之間的連接，分別使用光纖纜線進行。
低相干性光源41，輸出具有波長透射聚焦環25的低相干性光。如前述，聚焦環25以矽(Si)構成，故作為低相干性光源41，可使用例如，將中心波長λ0為1.55μm或1.31μm，相干長度(coherence length)為約50μm的低相干性光以最大輸出1.5mW輸出的SLD(Super Luminescent Diode，超發光二極體)等。又，作為如此波長的低相干性光可透射的材料，除矽(Si)以外，可採用SiO2(石英)或Al2O3(藍寶石)等。
光循環器43，將自低相干性光源41輸出的低相干性光朝準直器44傳送。準直器44，將調整為平行光線的低相干性光射出至聚焦環25的既定位置，並接收其反射光，將接收的反射光對光循環器43傳送。來自聚焦環25的反射光，包含：聚焦環25表面的反射光；及經由聚焦環25內的既定路徑的反射光。又，關於：聚焦環25被照射以低相干性光的既定位置，與聚焦環25內之低相干性光的既定路徑，參照圖7，於後詳述。
分光器42，大致以光分散元件與受光元件構成。光分散元件，將通過光纖纜線傳送的反射光依每一波長以既定分散角分散。光分散元件，例如，可使用繞射光柵。受光元件，接收由光分散元件所分散的反射光，偵測接收的反射光頻譜(強度vs波數)。作為受光元件，具體而言，可使用複數CCD元件呈格子狀配置者。
受光元件，如前述，以CCD元件等光電轉換元件構成，故自分光器42對分析裝置45輸出的反射光頻譜之信號係類比電氣信號。因此，分析裝置45，包含：A/D轉換器，將自分光器42輸出的類比信號轉換成數位信號；及個人電腦等運算裝置，對自A/D轉換器接收之表示反射光頻譜的數位信號進行傅立葉 轉換，計算光程長，自計算的光程長計算溫度。運算裝置(個人電腦)中，CPU，執行儲存於ROM或RAM或是硬碟裝置等既定軟體(程式)，藉此，進行傅立葉轉換等運算處理。又，在此所謂傅立葉轉換，係將「以波數(或頻率或波長)為變數的函數」轉換成「以距離為變數的函數」之處理。
圖3，係說明以第1溫度測定裝置40，使用低相干性光的聚焦環25內的光程長之測定原理。圖3(a)，係簡化示意顯示自聚焦環25的背面朝表面照射低相干性光時，獲得的反射光。聚焦環25內的低相干性光的路徑，如後述之圖7及圖3(a)所示，並不簡單。然而，將於聚焦環25背面的反射光與透射內部而由表面反射的反射光，入射於分光器42，進行傅立葉轉換，此點並無不同。故在此，如圖3(a)所示，將聚焦環25內的路徑代之以沿厚度方向往返的路徑，進行說明。
聚焦環25的折射率為“n”，厚度為“d”。又，厚度d，對應圖7所示的聚焦環25內，低相干性光的前進路徑(P點→Q點→R點→Q點→P點)之長度的1/2(P點~Q點~R點)。
對聚焦環25照射的低相干性光的一部分，由聚焦環25的背面反射(反射光E1)，且入射於聚焦環25的光的一部分，由聚焦環25的表面反射(反射光E2)。於反射光E1、E2間有2nd(2×n×d)的光程差，折射率n已知，故藉由算出光程差2nd，可算出厚度d。又，更高次的反射光雖然也會產生，但在此省略說明。
圖3(b)，係示意顯示入射於分光器42的反射光之頻譜分佈(波數vs強度)圖。假設：於聚焦環25的表面及背面的反射率為“R”；低相干性光的波長 為“λ”；波數為“k(=2π/λ)”；對聚焦環25的入射波頻譜為“S(k)”，則入射於分光器42的反射光之頻譜分佈I(k)如下述式1所示。下述式1所示的“cos(2nkd)”，表示反射光E1與反射光E2造成的表面背面干渉。
圖3(c)，係簡略顯示「表示圖3(b)之頻譜分佈經傅立葉轉換的結果之頻譜圖」。藉由構成分析裝置45的個人電腦，下述式1被進行傅立葉轉換，而獲得下述兩式，獲得反映「如圖3(c)所示，兩個反射光E1、E2的光程差2nd，亦即，聚焦環25內的光程長」之頻譜。自獲得的圖3(c)之頻譜，可算出聚焦環25內的光程長(光程差2nd)，折射率n已知，故可算出厚度d。又，對反射光頻譜進行傅立葉轉換，藉此計算光程長的計算方法之詳細內容，例如，記載於上述專利文獻1等，在此省略詳細說明。
圖4，係顯示設於基板處理裝置10的第2溫度測定裝置之概略構成的方塊圖。第2溫度測定裝置50，構成所謂「邁克生干渉儀(Michelson interferometer)」，包含：低相干性光源51；光偵測器52；2×2耦合器53；第1準直器54；第2準直器55；參考鏡56；及分析裝置57。低相干性光源51與2×2耦合器53之間的連接、光偵測器52與2×2耦合器53之間的連接、2×2耦合器53與第1準直器54及第2準直器55之間的連接，分別使用光纖纜線進行。
低相干性光源51，與構成第1溫度測定裝置40的低相干性光源41相同。第1準直器54及第2準直器55，皆具有與構成第1溫度測定裝置40的準直器 44相同的功能。第1準直器54對聚焦環25照射低相干性光，接收其反射光，第2準直器55對參考鏡56照射低相干性光，接收其反射光。
2×2耦合器53，將自低相干性光源51輸出的低相干性光分叉為2個光路，一方對第1準直器54傳送，另一方對第2準直器55傳送。並且，2×2耦合器53，接收自第1準直器54對聚焦環25照射的低相干性光之來自聚焦環25的反射光，與自第2準直器55對參考鏡56照射的低相干性光之來自參考鏡56的反射光，對光偵測器52傳送。
參考鏡56，可沿平行於「自第2準直器55照射的低相干性光的照射方向」，由未圖示的驅動裝置移動，參考鏡56的移動由分析裝置57控制。
光偵測器52，係例如，Ge光二極體，將接收的反射光的干渉波形輸出至分析裝置57。自光偵測器52輸出至分析裝置57的干渉波形之信號係類比電氣信號。因此，分析裝置57，包含：A/D轉換器，將自光偵測器52輸出的類比信號轉換成數位信號；及個人電腦等運算裝置，根據自A/D轉換器接收的干渉波形資料，計算光程長，再由算出的光程長計算溫度。
來自聚焦環25的反射光，包含：聚焦環25背面的反射光；與經由聚焦環25內的路徑之反射光，此等兩個反射光，分別與「當參考鏡56位於特定位置時，來自參考鏡56的反射光」有劇烈干渉。藉此，可求算參考鏡56移動時，移動距離與「強烈的干渉波形出現的位置」兩者之關係，以測定聚焦環25內的低相干性光的光程長。
圖5，係說明以第2溫度測定裝置50，使用低相干性光的聚焦環25內的光程長之測定原理。圖5(a)，係示意顯示聚焦環25中低相干性光之反射的情形，與圖3(a)相同，故在此省略說明。反射光E1、E2的光程長分別為固定。另一方面，藉由將參考鏡56的位置沿「平行於低相干性光的入射方向之方向」移動，來自參考鏡56的反射光E3(參照圖4)的光程長可加以改變，反射光E1的光程長與反射光E3(參照圖4)的光程長一致時，及反射光E2的光程長與反射光E3的光程長一致時，發生劇烈干渉。
圖5(b)，係顯示參考鏡56的移動距離與入射於光偵測器52的干渉波形之關係。出現了「當參考鏡56處於A點時與處於B點時，顯示劇烈干渉發生的干渉波形I1、I2」，干渉波形I1、I2間的距離相當於兩個反射光E1、E2間的光程差2nd的一半(nd)。由於折射率n已知，故可由圖5(b)算出光程差2nd，亦即，聚焦環25內的光程長。又，自干渉波形計算光程長的方法之詳細內容，例如，記載於上述專利文獻2等，在此省略詳細說明。
又，聚焦環25內的低相干性光的光程長，取決於形成聚焦環25的材料之熱膨脹率，隨溫度而變化。在此，事前使用黑體爐等，測定聚焦環25內的低相干性光的光程長與聚焦環25的溫度之關係，藉而作成校正資料，由分析裝置45、57具有的ROM、非揮發性RAM或是硬碟裝置等記憶媒體先儲存起來。
圖6，係示意顯示聚焦環25內的低相干性光的光程長與溫度之關係圖。此校正資料，與第1溫度測定裝置40及第2溫度測定裝置50共通使用。在此，接著，說明關於聚焦環25內的低相干性光之前進路徑。
圖7，係示意顯示聚焦環25及覆蓋環33的構造，與聚焦環25內的低相干性光之前進路徑。自準直器44(或第1準直器54)朝聚焦環25中未因使用隨時間而損耗的背面照射的低相干性光中，一部分於入射位置P點反射，回到準直器44(或第1準直器54)(相當於反射光E1)；一部分自P點進入聚焦環25內。以下，稱自P點進入聚焦環25內的低相干性光為「進入光」。
聚焦環25的一部分中，形成作為反射進入光的反射面的斜面25a，進入光到達形成於聚焦環25的斜面25a之Q點。又，覆蓋環33保護斜面25a不受損耗。進入光的入射方向與斜面25a構成的夾角θ設定為45°。藉此，進入光，於Q點前進路徑變更為沿水平方向(聚焦環25的徑方向)前進，在到達聚焦環25內徑側的壁面25b(第2反射面)之R點的路徑中前進。又，斜面25a宜為鏡面。
壁面25b係與厚度方向(鉛直方向)平行的面，宜為鏡面。藉此，到達R點的進入光於R點反射，在回到Q點的路徑中前進。此後，進入光，於Q點朝鉛直方向(聚焦環25的厚度方向)變更前進路徑，經由P點，作為反射光(相當於反射光E2)入射於準直器44(或第1準直器54)。
因此，進入光於聚焦環25內的光程長，可藉由將形成聚焦環25的材料之折射率乘上到達P點→Q點→R點→Q點→P點之實際距離求得。又，聚焦環25的溫度若變化，因熱膨脹，聚焦環25內的光程長即變化。因此，取得圖6所示的校正資料時，作為取至圖6之縱軸的光程長，測定到達圖7所示的P點→Q點→R點→Q點→P點的光程長即可。
即使使用圖2之溫度測定裝置40及圖4之溫度測定裝置50中任一者，亦可作為參照圖3及圖5說明的反射光E1、E2間的光程差，在基板處理裝置10之運轉中測定到達圖7所示的P點→Q點→R點→Q點→P點的光程長。藉此，可自以溫度測定裝置40、50測定的光程長與圖6所示的校正資料，而得知例如，電漿蝕刻處理中聚焦環25的溫度或溫度變化。
圖8，係示意顯示上部電極板27及腔室11中支持上部電極板27之部分的構造，與上部電極板27內低相干性光的前進路徑。上部電極板27，例如，與聚焦環25相同，以矽形成，故與測定聚焦環25的溫度時相同，例如，可測定電漿產生時上部電極板27的溫度。
亦即，上部電極板27的情況，不隨時間而損耗的面係上表面，故如圖8所示，將低相干性光，對上部電極板27的上表面，自與上表面正交的方向照射。於上部電極板27，亦設置與低相干性光(進入光)的入射方向以45°交叉的斜面，上部電極板27內的進入光的路徑，係到達P點→Q點→R點→Q點→P點的路徑。因此，藉由將形成上部電極板27的材料之折射率乘上此路徑的距離(實際距離)，即可求算進入光的光程長。
又，R點，於圖8之例中，係上部電極板27中與P點沿徑方向對向的點。於上部電極板27雖設置複數氣體孔30，但在連結Q點與R點的線上不可形成氣體孔30。
圖9，係顯示以聚焦環25為例，縮短進入光的光程長而變形之例圖。藉由縮短進入光的光程長，可抑制進入光之衰減，第1溫度測定裝置40中可獲得強烈的反射光頻譜，第2溫度測定裝置50中可獲得強烈的干渉波形。
在此，第1溫度測定裝置40中，進入光的光程長之測定極限取決於分光器42的解析度。因此，藉由縮短進入光的光程長，可擴大第1溫度測定裝置40的適用範圍。且第2溫度測定裝置50中，可縮短參考鏡56的掃描時間，高效率地測定溫度。
關於圖9之說明中，僅就聚焦環61~63的構造與聚焦環61~63內進入光的前進路徑說明。
圖9(a)所示的聚焦環61中，在圖7所示的聚焦環25外周側設置與徑方向(水平方向)以角度θ=45°交叉的第1狹縫71，且於第1狹縫71內側設置與厚度方向(鉛直方向)平行的第2狹縫72。進入光的入射方向與第1狹縫71構成的夾角設定為45°，聚焦環61內，進入光，於P點→Q點→R點→Q點→P點的路徑前進。有Q點的第1狹縫71內徑側的面71a與有R點的第2狹縫72外徑側的面72a，為提高反射效率宜為鏡面。
又，聚焦環61中，雖於外側設置第1狹縫71，於內側設置第2狹縫，但此等位置亦可相反。此時，第1狹縫71，與水平方向構成的夾角保持45°，傾斜方向相反(沿水平方向對稱)即可。
圖9(b)所示的聚焦環62中，於圖7所示的聚焦環25外周側設置與水平方向平行的狹縫73。聚焦環62內，進入光，於P點→Q點→P點的路徑前進。又，有Q點的狹縫73下側(準直器44側)的面73a，為提高反射效率宜為鏡面。又，於聚焦環62外周配置覆蓋環64。覆蓋環64，防止沉積物沉積至狹縫73下表面等。圖9(b)中，狹縫73雖延伸設置至覆蓋環64，但覆蓋環64中未必非有狹縫不可。
圖9(c)所示的聚焦環63中，具有與厚度方向平行的外周壁，於其內側形成狹縫74，俾與厚度方向平行。於聚焦環63外周配置覆蓋環65，於覆蓋環65內周面，設置用來使低相干性光入射於聚焦環63外周壁的斜面65a。
將低相干性光，自準直器44(或第1準直器54)對覆蓋環65的斜面65a照射，於斜面65a的S點，前進路徑變更為朝聚焦環63外周壁，自P點入射於聚焦環63。進入光，於聚焦環63內，在P點→Q點→P點的路徑前進，其後，於朝聚焦環63的入射路徑相反地前進，入射於準直器44(或第1準直器54)。又，有Q點的狹縫74外徑側的面74a與覆蓋環65的斜面65a，為提高反射效率皆宜為鏡面。
如圖9(a)~(c)所示，低相干性光的前進路徑之變更，就上部電極板27亦可同樣地適用。
如以上說明，依本發明之實施形態，為利用低相干性光的光干渉，測定如配置於腔室11內的聚焦環25或上部電極板27，因使用隨時間而損耗的構件之溫度，而求算構件內低相干性光的光程長時，作為用來獲得反射光的反射面， 不使用構件中損耗的面，而於構件內設定低相干性光的前進路徑。藉此，構件內的光程長不因構件之損耗而變化，故可經常性測定取決於溫度變化的光程長，藉此，可測定構件的正確溫度。
以上，雖已說明關於本發明之實施形態，但本發明不由上述之實施形態限定。例如，溫度測定對象，不由聚焦環25與上部電極板27限定，只要是以低相干性光透射的材料構成之構件，即可適用本發明，例如，亦可測定晶圓W的溫度。此時，於聚焦環25之內周面，設置與圖9(c)的覆蓋環65具有的斜面65a相同的斜面，自晶圓W的側面使低相干性光對晶圓W入射即可。
且上述之實施形態中，雖藉由設置相對於針對構件的低相干性光的入射方向以45°交叉的斜面，將低相干性光導往構件內，但不由此限定，相對於低相干性光的入射方向設置的斜面之角度，可對應構件的形狀，適當設定為適當的角度。
上述之依本發明之實施形態的溫度測定方法，不限定於如電漿蝕刻或是電漿灰化，損耗配置於腔室11內之構件的基板處理裝置，亦可適用於進行如異物因使用而隨時間沉積於構件之處理的基板處理裝置，例如，進行電漿CVD成膜等的基板處理裝置。此時，低相干性光不由異物沉積之構件中異物沉積的面反射，而設定低相干性光照射並被反射的面即可。
且由基板處理裝置處理的基板亦不限定於晶圓W。例如，依本發明的基板處理裝置，亦可係處理作為晶圓W以外的基板之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用玻璃基板或光罩、CD基板、印刷基板等的基板處理裝置。

Claims (28)

  1. 一種溫度測定方法，用來測定配置於基板處理室內，具有因使用而隨時間而損耗或導致異物沉積的至少1個面之構件的溫度，其特徵在於包含：資料作成步驟，作成顯示該構件的溫度與既定路徑的光程長之關係的校正資料；光程長測定步驟，利用對該構件的既定位置照射低相干性光時，來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光於該既定路徑前進時的光程長；及溫度測定步驟，將於該光程長測定步驟求得的光程長與於該資料作成步驟作成的該校正資料對照，而求算該構件的溫度；且該既定路徑設定為：自該構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的第1面進入該構件內的該低相干性光，在設於該構件的反射面其前進路徑變更，俾朝該構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的第2面前進，由該第2面反射後，回到前進過來的軌跡。
  2. 如申請專利範圍第1項的溫度測定方法，其中，該構件呈板狀，該第1面係表面或背面，該反射面形成為與厚度方向呈45°夾角，該第2面係與厚度方向平行的面。
  3. 如申請專利範圍第1項的溫度測定方法，其中，該構件呈板狀，包含：與厚度方向形成45°夾角的第1狹縫；及與厚度方向平行的第2狹縫，該第1面係表面或背面，該反射面係該第1狹縫的面，該第2面係該第2狹縫的面。
  4. 一種溫度測定方法，用來測定配置於基板處理室內，具有因使用而隨時間而損耗或導致異物沉積的至少1個面之構件的溫度，其特徵在於包含：資料作成步驟，作成顯示該構件的溫度與既定路徑的光程長之關係的校正資料；光程長測定步驟，利用對該構件的既定位置照射低相干性光時，來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光於該既定路徑前進時的光程長；及溫度測定步驟，將於該光程長測定步驟求得的光程長與於該資料作成步驟作成的該校正資料對照，而求算該構件的溫度；且該既定路徑設定為：自該構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的第1面進入該構件內的該低相干性光，由與該第1面平行形成的狹縫反射後，回到前進過來的軌跡。
  5. 如申請專利範圍第4項的溫度測定方法，其中，將該低相干性光，對鄰接該構件而設置的另一構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的面照射而被反射，藉而照射該第1面。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項的溫度測定方法，其中，該構件，係構成配置於該基板處理室的噴淋頭的電極板，或配置成包圍該基板的聚焦環。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項的溫度測定方法，其中，該光程長測定步驟，對於「將該低相干性光對該構件的該第1面照射時，來自該第1面的反射光，與進入該構件內後於該構件內的該既定路徑前進的反射光，兩者的干渉光」進行傅立葉轉換，藉而求算該既定路徑的光程長。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項的溫度測定方法，其中，該光程長測定步驟，將自光源輸出的低相干性光分為2個光路，「於該2個光路之一方前進的低相干性光對該構件的該第1面照射時，來自該第1面的反射光，及進入該構件內後於該構件內的該既定路徑前進的反射光」，分別與「於該2個光路之另一方前進的低相干性光對平行於低相干性光的入射方向移動的參考鏡照射時，來自該參考鏡的反射光」的干渉光，與該參考鏡的移動距離，求算該既定路徑的光程長。
  9. 一種基板處理系統，包含：基板處理室，對收納的基板進行既定處理；構件，配置於該基板處理室內，具有因進行該既定處理而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面；及溫度測定裝置，測定該構件的溫度；該基板處理系統之特徵在於該溫度測定裝置包含：光學系，對該構件照射低相干性光，取得其反射光；及分析裝置，利用來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光前進的既定路徑的光程長，將求得的光程長與事前作成之顯示該構件的溫度與該既定路徑的光程長之關係的校正資料對照，藉而求算該構件的溫度；且該構件包含：第1面，被照射以自該光學系輸出的低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；第2面，不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及反射面，將自該第1面進入該構件內的低相干性光反射，俾朝該第2面前進；且該既定路徑設定為：自該第1面進入該構件內的該低相干性光，由該反射面反射，更由該第2面反射後，回到前進過來的軌跡。
  10. 如申請專利範圍第9項的基板處理系統，其中，該構件中，該第2面及該反射面係鏡面。
  11. 如申請專利範圍第9或10項的基板處理系統，其中，該構件呈板狀，該第1面係表面或背面，該反射面形成為與厚度方向呈45°夾角，該第2面係與厚度方向平行的面。
  12. 如申請專利範圍第9或10項的基板處理系統，其中，該構件呈板狀，包含：與厚度方向形成45°夾角的第1狹縫；及與厚度方向平行的第2狹縫，該第1面係表面或背面，該反射面係該第1狹縫的面，該第2面係該第2狹縫的面。
  13. 一種基板處理系統，包含：基板處理室，對收納的基板進行既定處理；構件，配置於該基板處理室內，具有因進行該既定處理而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面；及溫度測定裝置，測定該構件的溫度；該基板處理系統之特徵在於該溫度測定裝置包含：光學系，對該構件照射低相干性光，取得其反射光；及分析裝置，利用來自該構件的反射光的光干渉，求算該構件內該低相干性光前進的既定路徑的光程長，將求得的光程長與事前作成之顯示該構件的溫度與該構件內的該既定路徑的光程長之關係的校正資料對照，藉而求算該構件的溫度；且該構件包含：第1面，被照射以自該光學系輸出的低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及狹縫，與該第1面平行形成；且該既定路徑設定為：自該第1面進入該構件內的該低相干性光，由該狹縫反射後，回到前進過來的軌跡。
  14. 如申請專利範圍第13項的基板處理系統，其中，該狹縫中反射該低相干性光的面係鏡面。
  15. 如申請專利範圍第13或14項的基板處理系統，其中，包含鄰接該構件而配置於該基板處理室內的另一構件，將該低相干性光對該另一構件中不隨時間而損耗且異物不沉積的面照射而被反射，藉而照射該第1面。
  16. 如申請專利範圍第9、10、13、14項中任一項的基板處理系統，其中，該構件，係構成配置於該基板處理室的噴淋頭的電極板，或配置成包圍該基板的聚焦環。
  17. 如申請專利範圍第9、10、13、14項中任一項的基板處理系統，其中，該分析裝置，對於「將自該光學系輸出的低相干性光對該構件照射時，來自照射面的反射光，與於該構件內的該既定路徑前進的反射光，兩者的干渉光」進行傅立葉轉換，藉而求算該構件內的該既定路徑的光程長。
  18. 如申請專利範圍第9、10、13、14項中任一項的基板處理系統，其中，該光學系，將自光源輸出的低相干性光分為2個光路，取得：「於該2個光路之一方前進的低相干性光對該構件照射時，來自照射面的反射光，及進入該構件內後於該構件內的該既定路徑前進的反射光」，分別與「於該2個光路之另一方前進的低相干性光對平行於低相干性光的入射方向移動的參考鏡照射時，來自該參考鏡的反射光」的干渉光，該分析裝置，自該光學系取得的干渉光與該參考鏡的移動距離，求算該構件內的該既定路徑的光程長。
  19. 一種溫度測定用構件，配置於基板處理裝置內，具有因使用而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面，其特徵在於包含：第1面，被照射以低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；第2面，不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及反射面，反射自該第1面進入該溫度測定用構件內的低相干性光，俾朝該第2面前進；其中設置該反射面及該第2面，俾由該第2面反射的低相干性光於該溫度測定用構件內回到前進過來的軌跡；且該溫度測定用構件呈板狀，形成有：與厚度方向形成45°夾角的第1狹縫；及與厚度方向平行的第2狹縫；該第1面係表面或背面，該反射面係該第1狹縫的面，該第2面係該第2狹縫的面。
  20. 如申請專利範圍第19項的溫度測定用構件，其中，該第2面及該反射面係鏡面。
  21. 如申請專利範圍第19或20項的溫度測定用構件，其中，該溫度測定用構件呈板狀，該第1面係表面或背面，該反射面形成為與厚度方向呈45°夾角，該第2面係與厚度方向平行的面。
  22. 一種溫度測定用構件，配置於基板處理裝置內，具有因使用而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面，其特徵在於包含：第1面，被照射以低相干性光，其不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及狹縫，與該第1面平行形成，反射與該第1面正交而自該第1面進入該溫度測定用構件內的低相干性光，俾回到前進過來的軌跡。
  23. 如申請專利範圍第22項的溫度測定用構件，其中，該狹縫中反射該低相干性光的面係鏡面。
  24. 如申請專利範圍第19、20、22、23項中任一項的溫度測定用構件，其中，該溫度測定用構件，係對基板進行電漿處理的基板處理裝置中所配置之構成噴淋頭的電極板，或配置成包圍該基板的聚焦環。
  25. 一種溫度測定用構件，由下列元件構成：第1構件，配置於基板處理裝置內，具有因使用而隨時間而損耗或異物沉積的至少1個面；及第2構件，鄰接該第1構件；該溫度測定用構件之特徵在於該第1構件包含：第1面，不因使用而隨時間而損耗且異物不沉積；及狹縫，與該第1面平行形成，反射與該第1面正交而自該第1面進入該溫度測定用構件內的低相干性光，俾回到前進過來的軌跡；且該第2構件，包含反射面，該反射面將照射的低相干性光朝與該第1構件的該第1面正交的方向反射。
  26. 如申請專利範圍第25項的溫度測定用構件，其中，設於該第1構件之該狹縫中、反射自該第1面進入的低相干性光的面，及該第2構件的該反射面，分別係鏡面。
  27. 如申請專利範圍第25或26項的溫度測定用構件，其中，該第1構件，係對基板進行電漿處理的基板處理裝置中所配置之構成噴淋頭的電極，該第2構件係支持該電極的支持構件。
  28. 如申請專利範圍第25或26項的溫度測定用構件，其中，該第1構件，係對基板進行電漿處理的基板處理裝置中配置成包圍該基板的聚焦環，該第2構件，係包圍該聚焦環的覆蓋環。
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