JP5235033B2 - 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
収することができ、もって、スペーサー37が破損するのを防止できる。
S 処理空間
1,80 プラズマ処理装置
10 チャンバ
10a 接地導体
11 絶縁板
12 サセプタ支持台
13 サセプタ
14 静電チャック
15 下部電極板
16 直流電源
17 フォーカスリング
18 内壁部材
19 冷媒室
20a,20b 配管
21 ガス供給ライン
22 上部電極
23 外側上部電極
24 内側上部電極
25 誘電体
26 絶縁性遮蔽部材
27 上部整合器
28 上部給電棒
29 コネクタ
30 給電筒
31 上部高周波電源
32 上部電極板
32a 電極板ガス通気孔
32b ねじ孔
33 電極支持体
34 C/P
34a C/Pガス通気孔
34b ボルト座面
34c 位置決めピン孔
35 中心バッファ室
36 周辺バッファ室
37 スペーサー
37a スペーサーガス通気孔
38 処理ガス供給源
39 ガス供給管
39a,39b 分岐管
40a,40b 流量制御弁
41 マスフローコントローラ
42 開閉バルブ
43 環状隔壁部材
44 上部給電筒
45 可変コンデンサ
46 排気口
47 排気マニフォールド
48 APCバルブ
49 TMP
50 バッフル板
51 搬入出口
52 ゲートバルブ
53 シールドリング
54 カバーリング
55 シャッタ
56 プッシャーピン
57 下部給電筒
58 下部整合器
59 下部高周波電源
60 バネ
61 LPF
62 HPF
63 ボルト
64 位置決めピン
65 Oリング
65a 上部
65b 下部
66 Oリング収容溝
67 可動給電棒
Claims (15)
- プラズマ処理装置が備える電極アッセンブリであって、
導電材料からなる電極支持体と、
表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなり、前記電極支持体の下方に形成されるバッファ室を閉塞し、多数の第1のガス通気孔を有する中間部材と、
多数の第2のガス通気孔を有し、半導体材料からなる電極板と、
前記中間部材と前記電極板との間に介在し、多数の第3のガス通気孔を有するスペーサーと、
前記中間部材の下面と前記スペーサーの上面との間において同心円に形成される多数の第1の環状溝と、前記スペーサーの下面と前記電極板の上面との間において同心円に形成される多数の第2の環状溝とを備え、
前記中間部材、前記スペーサー及び前記電極板は、この順に積層されて、ねじ部を有する固定具により締結され、
前記第1のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔は前記第1の環状溝に連通し、前記第2のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔は前記第2の環状溝に連通し、
前記中間部材には、前記アルマイト処理によるアルマイトが存在せず前記アルミニウムが露出する、前記固定具の座面が形成され、
前記電極板は、前記固定具の前記ねじ部と螺合するねじ孔を有し、
前記中間部材、前記スペーサー及び前記電極板を導通材料からなる前記固定具で締結した際に、前記固定具が前記中間部材の前記座面に接触すると共に前記電極板の前記ねじ孔に螺合することにより、前記中間部材と前記電極板とが導通することを特徴とする電極アッセンブリ。 - プラズマ処理装置が備える電極アッセンブリであって、
導電材料からなる電極支持体と、
表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなり、前記電極支持体の下方に形成されるバッファ室を閉塞し、多数の第1のガス通気孔を有する中間部材と、
多数の第2のガス通気孔を有し、半導体材料からなる電極板と、
前記中間部材と前記電極板との間に介在し、多数の第3のガス通気孔を有するスペーサーとを備え、
前記中間部材、前記スペーサー及び前記電極板は、この順に積層されて、ねじ部を有する固定具により締結され、
前記第1のガス通気孔、前記第2のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔は、同一直線上に配置されることなく連通し、
前記中間部材には、前記アルマイト処理によるアルマイトが存在せず前記アルミニウムが露出する、前記固定具の座面が形成され、
前記電極板は、前記固定具の前記ねじ部と螺合するねじ孔を有し、
前記中間部材、前記スペーサー及び前記電極板を導通材料からなる前記固定具で締結した際に、前記固定具が前記中間部材の前記座面に接触すると共に前記電極板の前記ねじ孔に螺合することにより、前記中間部材と前記電極板とが導通することを特徴とする電極アッセンブリ。 - 前記第1のガス通気孔、前記第2のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔が同一直線上に配置されないことを特徴とする請求項1記載の電極アッセンブリ。
- 前記第3のガス通気孔は、前記スペーサーを螺旋状に貫通するように形成されることを特徴とする請求項2記載の電極アッセンブリ。
- 前記第1のガス通気孔、前記第2のガス通気孔、前記第3のガス通気孔、前記第1の環状溝及び前記第2の環状溝により構成されるガス流路のコンダクタンスは、6.9×105〜2.1×106であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電極アッセンブリ。
- 前記スペーサーは、多孔質材からなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電極アッセンブリ。
- 前記電極板と前記スペーサーとは電気的に導通することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電極アッセンブリ。
- 前記スペーサーと前記中間部材との位置決めを行うための円筒状の位置決めピンを備え、
前記位置決めピンの断面形状はC字状であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電極アッセンブリ。 - 前記スペーサー及び前記電極板は、シリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電極アッセンブリ。
- 基板を収容する処理室と、前記処理室内に配置された前記基板を載置し、下部電極として機能する載置台と、前記処理室内において前記載置台に対向し、上部電極として機能する電極アッセンブリと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段とを備え、前記載置台に載置された前記基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記電極アッセンブリは、
導電材料からなる電極支持体と、
表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなり、前記電極支持体の下方に形成されるバッファ室を閉塞し、多数の第1のガス通気孔を有する中間部材と、
多数の第2のガス通気孔を有し、半導体材料からなる電極板と、
前記中間部材と前記電極板との間に介在し、多数の第3のガス通気孔を有するスペーサーと、
前記中間部材の下面と前記スペーサーの上面との間において同心円に形成される多数の第1の環状溝と、前記スペーサーの下面と前記電極板の上面との間において同心円に形成される多数の第2の環状溝とを有し、
前記中間部材、前記スペーサー及び前記電極板は、この順に積層されて、ねじ部を有する固定具により締結され、
前記第1のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔は前記第1の環状溝に連通し、前記第2のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔は前記第2の環状溝に連通し、
前記中間部材には、前記アルマイト処理によるアルマイトが存在せず前記アルミニウムが露出する、前記固定具の座面が形成され、
前記電極板は、前記固定具の前記ねじ部と螺合するねじ孔を有し、
前記中間部材、前記スペーサー及び前記電極板を導通材料からなる前記固定具で締結した際に、前記固定具が前記中間部材の前記座面に接触すると共に前記電極板の前記ねじ孔に螺合することにより、前記中間部材と前記電極板とが導通することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記スペーサーは、多孔質材からなることを特徴とする請求項10記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極板と前記スペーサーとは電気的に導通することを特徴とする請求項10又は11記載のプラズマ処理装置。
- 前記スペーサーと前記中間部材との位置決めを行うための円筒状の位置決めピンを備え、
前記位置決めピンの断面形状はC字状であることを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記電極板は、環状の第1の電極板と、前記第1の電極板の内側に絶縁して配置される第2の電極板とからなり、
前記処理ガス供給手段から処理ガスを前記第1の電極板を介して前記処理室内に供給される前記処理スの流量と、前記第2の電極板を介して前記処理室内に供給される前記処理ガスの流量との比率を調整する流量制御装置を有することを特徴とする請求項10乃至13のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第1のガス通気孔、前記第2のガス通気孔及び前記第3のガス通気孔が同一直線上に配置されないことを特徴とする請求項10乃至14のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
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