TWI396484B - 蝕刻裝置及使用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法 - Google Patents

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蝕刻裝置及使用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法
本發明涉及電路板製造技術,尤其涉及一種蝕刻裝置及使用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法。
在資訊、通訊及消費性電子產業中,電路板為所有電子產品不可或缺之基本構成要件。隨著電子產品往小型化、高速化方向發展,電路板亦從單面電路板往雙面電路板、多層電路板方向發展。多層電路板由於具有較多佈線面積與較高裝配密度而得到廣泛應用,請參見Takahashi, A.等人於1992年發表於IEEE Trans. on Components, Packaging, and Manufacturing Technology 之文獻“High density multilayer printed circuit board for HITAC M~880”。
單面電路板、雙面電路板及多層電路板均具有用於傳輸訊號之導電線路。導電線路一般通過在基板表面噴淋蝕刻液蝕刻銅箔形成。惟,在蝕刻過程中,在蝕刻銅箔表面而在銅箔表面形成凹陷之後,反應後之蝕刻液會易於聚集於這些凹陷之中,從而阻止未反應之銅蝕刻液進入這些凹陷之中以繼續向下蝕刻凹陷下之銅箔,造成導電線路之蝕刻不足。另外,這些反應後之蝕刻液長期存積於凹陷之中,可能會蝕刻凹陷側面之銅箔,造成導電線路側面蝕刻過度而斷線。這種現象稱為“水池效應”,水池效應會嚴重影響導電線路之製作,造成導電線路之蝕刻不足或蝕刻過度,這兩個問題都影響了電路板之製作良率。
有鑑於此,有必要提供一種蝕刻裝置及採用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法,以可製作具有較高製作良率之電路板。
以下將以實施例說明一種蝕刻裝置及採用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法。
一種蝕刻裝置,包括傳送機構、噴淋機構、吸液機構及控制器。傳送機構包括相對之上傳送輥組與下傳送輥組,所述傳送機構用於傳送位於上傳送輥組與下傳送輥組之間之基板。噴淋機構包括一第一噴液泵及與第一噴液泵連通之複數上噴嘴。所述複數上噴嘴位於上傳送輥組上方,用於向基板表面噴淋蝕刻液以蝕刻基板。所述第一噴液泵具有開啟狀態與關閉狀態,在開啟狀態下第一噴液泵用於向複數上噴嘴輸送蝕刻液,在關閉狀態下第一噴液泵停止向複數上噴嘴輸送蝕刻液。吸液機構包括一第一吸液泵及與第一吸液泵連通之複數上吸嘴。所述複數上吸嘴與下傳送輥組相對,用於靠近基板。所述第一吸液泵也具有開啟狀態與關閉狀態,在開啟狀態下第一吸液泵使得複數上吸嘴吸取基板表面之蝕刻液,在關閉狀態下使得複數上吸嘴停止吸取基板表面之蝕刻液。所述第一噴液泵與第一吸液泵均與控制器訊號連接,所述控制器用於控制第一噴液泵處於開啟狀態時第一吸液泵處於關閉狀態,第一噴液泵處於關閉狀態時第一吸液泵處於開啟狀態,並控制第一噴液泵處於開啟狀態之時間等於第一噴液泵處於關閉狀態之時間。
一種蝕刻基板之方法,包括步驟:提供基板及如上所述之蝕刻裝置;將基板放置於上傳送輥組與下傳送輥組之間進行傳送;控制器控制第一噴液泵處於開啟狀態,以使得複數上噴嘴將蝕刻液噴淋至基板表面,在第一噴液泵處於開啟狀態額定時間後控制器控制第一噴液泵處於關閉狀態,並控制吸液機構之第一吸液泵處於開啟狀態額定時間,以使得複數上吸嘴吸取基板表面之蝕刻液。
本技術方案之蝕刻裝置中,控制器可以開啟與關閉第一噴液泵與第一吸液泵。本技術方案之蝕刻基板之方法中,控制器控制第一噴液泵開啟定額時間後使得第一吸液泵開啟定額時間。如此,即可使得複數上噴嘴噴淋在基板表面之蝕刻液均基本可以被吸液機構之複數上吸嘴吸取乾淨。從而,不會有蝕刻後之蝕刻液殘留於基板表面造成“水池效應”,也就不會對基板表面銅箔之蝕刻造成影響。從而在蝕刻基板之銅箔以製作導電線路之過程中可以具有較高之製作良率。
下面將結合附圖及實施例,對本技術方案提供之蝕刻裝置及採用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法作進一步之詳細說明。
請一併參閱圖1及圖2,本技術方案實施例提供之蝕刻裝置10用於對基板進行蝕刻,以形成線路。所述蝕刻裝置10包括蝕刻槽100、傳送機構12、噴淋機構14、吸液機構16及控制器18。所述蝕刻槽100用於儲存蝕刻液,其位於傳送機構12下方,並與噴淋機構14相連通。
所述傳送機構12包括上傳送輥組122、下傳送輥組124、上輔助輥組126及下輔助輥組128。所述上傳送輥組122與下傳送輥組124相對,用於在驅動機構帶動下傳送位於上傳送輥組122與下傳送輥組124之間之基板。所述上輔助輥組126與下輔助輥組128相對,上輔助輥組126用於壓制基板並用於導流,下輔助輥組128用於支撐基板,也用於導流。
所述上傳送輥組122包括複數平行排列之上傳送輥123,每個上傳送輥123均包括一上傳送軸1230與複數間隔安裝於上傳送軸1230之上傳送滾輪1231。在本實施例中,複數上傳送輥123兩兩成組地間隔排列,亦即,兩個上傳送輥123相靠近,組成一個小組,並與另一個小組之兩個上傳送輥123間隔一段距離。所述下傳送輥組124包括複數平行排列之下傳送輥125,每個下傳送輥125均包括一個下傳送軸1250與複數間隔安裝於下傳送軸1250之下傳送滾輪1251。所述下傳送輥組124中,每個下傳送輥125均可與一上傳送輥123相對,亦可僅部分之下傳送輥125與部分之上傳送輥123相對,其他部分之下傳送輥125與其他部分之上傳送輥123則與噴淋機構14或吸液機構16相對。在本實施例中,複數下傳送輥125亦為兩兩成組地間隔排列,亦即,兩個下傳送輥125相靠近,組成一個小組,並與另一個小組之兩個下傳送輥125間隔一段距離。並且,每個小組之兩個下傳送輥125中,一個下傳送輥125與一個上傳送輥123相對,另一個下傳送輥125與噴淋機構14或吸液機構16相對。
上傳送滾輪1231之直徑基本等於下傳送滾輪1251之直徑,一般為30毫米左右。上傳送軸1230與下傳送軸1250可以由同一個驅動裝置帶動轉動,亦可由複數驅動裝置分別帶動轉動,從而帶動上傳送滾輪1231與下傳送滾輪1251轉動以傳送位於上傳送滾輪1231與下傳送滾輪1251之間基板。需要說明,上傳送軸1230與下傳送軸1250之轉動方向相反,並且,上傳送滾輪1231與下傳送滾輪1251轉動之線速度相同。基板之傳送速度與上傳送軸1230、下傳送軸1250之轉速相關,一般來說,可調節上傳送軸1230、下傳送軸1250之轉速以使基板之傳送速度為3米每分鐘。
所述上輔助輥組126包括複數平行排列之壓制輥127,所述下輔助輥組128包括複數平行排列之支撐輥129。所述上輔助輥組126中,每個壓制輥127均可與一個支撐輥129相對,亦可部分之壓制輥127與部分之支撐輥129相對,還可為壓制輥127均與噴淋機構14或與下傳送輥組124相對。在本實施例中,複數壓制輥127亦為兩兩成組之間隔排列,亦即,兩個壓制輥127相鄰,構成一個小組,且該小組之兩個壓制輥127位於四個上傳送輥123構成之兩個小組之間。可以說,每個壓制輥127均位於相鄰之兩個上傳送輥123之間。複數支撐輥129亦為兩兩成組之間隔排列,亦即,兩個支撐輥129相鄰,構成一個小組,且該小組之兩個支撐輥129位於四個下傳送輥125構成之兩個小組之間。可以說,每個支撐輥129均位於相鄰之兩個下傳送輥125之間。壓制輥127與支撐輥129均為實心之圓輥,其直徑均為15毫米左右,即為上傳送滾輪1231之直徑之一半。壓制輥127與支撐輥129可以由帶動上傳送輥組122與下傳送輥組124之驅動裝置帶動轉動,亦可由另外之驅動裝置帶動轉動。
本領域技術人員可以理解,傳送機構12還可以為其他結構,僅需可以實現傳送基板即可。例如,其可以為由驅動馬達帶動皮帶傳送基板之結構,亦可為包括如上所述上傳送輥組122與下傳送輥組124之結構,而並不需包括上輔助輥組126與下輔助輥組128。並且,即使傳送機構12為如上所述之包括上傳送輥組122、下傳送輥組124、上輔助輥組126及下輔助輥組128之結構,但複數上傳送輥123、複數下傳送輥125、複數壓制輥127及複數支撐輥129之排列及結構均可以有其他變形。例如,複數上傳送輥123、複數下傳送輥125、複數壓制輥127及複數支撐輥129均可以等間距排列,或者為其他排列方式。
所述噴淋機構14包括相對之上噴淋系統140與下噴淋系統145。
所述上噴淋系統140包括一第一噴液泵141、一第一輸送管142、複數上噴管143以及複數上噴嘴144。所述第一噴液泵141浸置於蝕刻槽100儲存之蝕刻液中。第一噴液泵141具有開啟狀態與關閉狀態。在開啟狀態下,第一噴液泵141向第一輸送管142輸送蝕刻液;在關閉狀態下,第一噴液泵141停止向第一輸送管142輸送蝕刻液。第一輸送管142連接於第一噴液泵141與複數上噴管143之間,亦即,每個上噴管143均通過第一輸送管142與第一噴液泵141相連通。複數上噴管143彼此平行地排列於上傳送輥123上方,且基本平行於上傳送輥123。在本實施例中,複數上噴管143等間距地安裝於第一輸送管142上,每相鄰兩個上噴管143之間之距離約為200毫米。每個上噴管143上均等間距安裝有複數上噴嘴144。一般地,每個上噴管143上安裝之上噴嘴144之數量為6個至10個,例如為8個。複數上噴嘴144朝向上傳送輥123,用於向傳送機構12傳送之基板噴淋蝕刻液。上噴嘴144與下傳送輥125之間距大於上傳送輥123之直徑,例如可為180毫米左右。
所述下噴淋系統145包括一個第二噴液泵146、一個第二輸送管147、複數下噴管148以及複數下噴嘴149。所述第二噴液泵146浸置於蝕刻槽100儲存之蝕刻液中。第二噴液泵146具有開啟狀態與關閉狀態。在開啟狀態下,第二噴液泵146向第二輸送管147輸送蝕刻液;在關閉狀態下,第二噴液泵146停止向第二輸送管147輸送蝕刻液。第二輸送管147連接於第二噴液泵146與複數下噴管148之間,亦即,每個下噴管148均通過第二輸送管147與第二噴液泵146相連通。複數下噴管148彼此平行排列地位於下傳送輥125下方,且基本平行於下傳送輥125。在本實施例中,複數下噴管148等間距地安裝於第二輸送管147上,每相鄰兩個下噴管148之間之距離約為200毫米。每個下噴管148上均等間距安裝有複數下噴嘴149,複數下噴嘴149朝向下傳送輥125,用於向傳送機構12傳送之基板噴淋蝕刻液。下噴嘴149與上傳送輥123之間距大於下傳送輥125之直徑,例如可以為180毫米。或者可以說,上噴嘴144與下噴嘴149之間之間距大於上傳送輥123之直徑與下傳送輥125之直徑之加和,在本實施例中,上噴嘴144與下噴嘴149之間距約為360毫米。
第一噴液泵141與第二噴液泵146可為加壓泵。本領域技術人員可以理解,所述噴淋機構14亦可為其他之結構,僅需可以實現對基板表面之噴淋即可。例如,噴淋機構14可以為包括第一輸送管142、與第一輸送管142連通之第二輸送管147、一個安裝於第一輸送管142或第二輸送管147之噴液泵、複數安裝於第一輸送管142之複數上噴嘴144以及複數安裝於第二輸送管147之複數下噴嘴149之結構,噴液泵可以同時向複數上噴嘴144與複數下噴嘴149輸送蝕刻液。除包括一個噴液泵與兩個噴液泵外,噴淋機構14還可以包括三個以上同時向複數上噴嘴144與複數下噴嘴149輸送蝕刻液之噴液泵。
所述吸液機構16包括相對之上吸液系統160與下吸液系統165。
所述上吸液系統160包括一第一吸液泵161、一第一傳輸管162以及複數上吸嘴163。複數上吸嘴163相互平行地安裝於第一傳輸管162,且每個上吸嘴163均位於下傳送輥125上方,且靠近下傳送輥125。在本實施例中,複數上吸嘴163兩兩成組地安裝於第一傳輸管162,且每兩個成組之上吸嘴163均設置於相鄰之兩個上噴管143之間,且位於兩個構成小組之壓制輥127之間。可以說,每個上吸嘴163均位於兩個壓制輥127之間。每個上吸嘴163均呈長條狀,均具有一沿其長度方向開設之長條形之開口。每個上吸嘴163均基本平行於下傳送輥125設置,且其開口靠近下傳送輥125,亦即,靠近傳送機構12傳送之基板。上吸嘴163之橫截面形狀可以為倒梯形,其最大寬度一般為10毫米左右。所述第一吸液泵161安裝於第一傳輸管162。第一吸液泵161具有開啟狀態與關閉狀態。在開啟狀態下,第一吸液泵161降低第一傳輸管162及複數上吸嘴163內之壓強,從而使得複數上吸嘴163之開口可以吸取基板表面之蝕刻液。在關閉狀態下,第一吸液泵161不再降低第一傳輸管162及複數上吸嘴163內之壓強,從而使得複數上吸嘴163之開口不再吸取基板表面之蝕刻液。
所述下吸液系統165包括一第二吸液泵166、一第二傳輸管167以及複數下吸嘴168。複數下吸嘴168相互平行地安裝於第二傳輸管167,且每個下吸嘴168均位於上傳送輥123下方,且靠近上傳送輥123。在本實施例中,複數下吸嘴168兩兩成組地安裝於第二傳輸管167,且每兩個成組之下吸嘴168均設置於相鄰之兩個下噴管148之間,且位於兩個構成小組之支撐輥129之間。可以說,每個下吸嘴168均位於兩個支撐輥129之間。每個下吸嘴168均呈長條狀,均具有一個沿其長度方向開設之長條形之開口。每個下吸嘴168均基本平行於上傳送輥123設置,且其開口靠近上傳送輥123,亦即,靠近傳送機構12傳送之基板。下吸嘴168之橫截面形狀可以為倒梯形,其最大寬度一般為10毫米左右。所述第二吸液泵166安裝於第二傳輸管167。第二吸液泵166具有開啟狀態與關閉狀態。在開啟狀態下,第二吸液泵166降低第二傳輸管167及複數下吸嘴168內之壓強,從而使得複數下吸嘴168之開口可以吸取基板表面之蝕刻液。在關閉狀態下,第二吸液泵166不再降低第二傳輸管167及複數下吸嘴168內之壓強,從而使得複數下吸嘴168之開口不再吸取基板表面之蝕刻液。
由於長條狀之壓制輥127可以引導基板表面之蝕刻液聚集成長條狀,亦即壓制輥127具有導流作用,從而可以有利於位於兩個壓制輥127之間之上吸嘴163對基板表面之蝕刻液之吸取。同樣地,位於兩個支撐輥129之間之下吸嘴168亦可很方便地吸取基板表面之蝕刻液。並且,由於上吸液系統160與下吸液系統165相對設置,上吸嘴163對基板向上之吸力與下吸嘴168對基板向下之吸力平衡,從而上吸嘴163與下吸嘴168不會造成基板之變形或皺褶。
第一吸液泵161與第二吸液泵166可為真空泵。本領域技術人員可以理解,所述吸液機構16亦可具有其他結構。例如,可為省略下吸液系統165,而僅包括上吸液系統160之結構。即使為如前所述包括上吸液系統160與下吸液系統165之結構,亦可具有其他變形之結構。例如,吸液機構16可以包括一個吸液泵、第一傳輸管162、第二傳輸管167、複數安裝於第一傳輸管162之上吸嘴163及複數安裝於第二傳輸管167之下吸嘴168,僅需使得第一傳輸管162與第二傳輸管167相連通,而吸液泵安裝於第一傳輸管162或第二傳輸管167即可,從而使用一個吸液泵即可同時降低複數上吸嘴163與複數下吸嘴168內之壓強。吸液機構16亦可包括三個以上同時降低複數上吸嘴163與複數下吸嘴168內壓強之噴液泵。另外,除吸液泵與傳輸管外,吸液機構16之複數上吸嘴163與複數下吸嘴168亦可有其他變形。例如,吸液機構16之上吸液系統160可以包括一個第一吸液泵161、一個與第一吸液泵161連通之第一傳輸管162以及複數安裝於第一傳輸管162之相互平行排列之上吸管之結構,僅需每個上吸管安裝於相鄰之兩個上噴管143之間,且每個上吸管朝向基板之一側均等間距安裝有複數圓錐狀、柱狀、管狀或其他形狀之上吸嘴即可。如此,複數上吸嘴同樣可以實現吸取基板表面蝕刻液之作用。吸液機構16之下吸液系統165亦可有類似變形,即亦可由安裝有複數圓錐狀、柱狀、管狀或其他形狀之下吸嘴之複數下吸管來代替長條形之下吸嘴168。
所述控制器18可以為中央處理器,其與第一噴液泵141、第二噴液泵146、第一吸液泵161及第二吸液泵166訊號連接,用於控制第一噴液泵141、第二噴液泵146、第一吸液泵161及第二吸液泵166之開啟狀態與關閉狀態。具體而言,控制器18用於控制第一噴液泵141與第二噴液泵146開啟定額時間後被關閉,在關閉第一噴液泵141與第二噴液泵146之同時開啟第一吸液泵161與第二吸液泵166,並在維持第一吸液泵161與第二吸液泵166之開啟狀態同樣之定額時間後關閉第一吸液泵161與第二吸液泵166,在關閉第一吸液泵161與第二吸液泵166之同時開啟第一噴液泵141與第二噴液泵146。第一噴液泵141與第二噴液泵146開啟之定額時間一般為1-3秒。亦即,控制器18用於控制第一噴液泵141與第二噴液泵146處於開啟狀態之時間等於第一噴液泵141與第二噴液泵146處於關閉狀態之時間,並使得第一噴液泵141與第二噴液泵146處於開啟狀態時,第一吸液泵161與第二吸液泵166處於關閉狀態,使得第一噴液泵141與第二噴液泵146處於關閉狀態時,第一吸液泵161與第二吸液泵166處於開啟狀態。
本領域技術人員可以理解,不論噴淋機構14之噴液泵之數量為多少,均與控制器18訊號連接;不論吸液機構16之吸液泵之數量為多少,均與控制器18訊號連接;並且,控制器18控制所有之噴液泵均同時開啟、同時關閉,控制所有之吸液泵均同時開始、同時關閉。
請一併參閱圖1至圖3,本技術方案實施例還提供一種使用如上所述之蝕刻裝置10蝕刻基板之方法,包括步驟:
第一步,提供基板200及如上所述之蝕刻裝置10。所述基板200為用於製作電路板之基材,可以為單面覆銅基材,雙面覆銅基材,或已形成內部線路、未製作外部線路之多層基材。在本實施例中,所述基板200為雙面覆銅基材。基板200具有相對之上表面201與下表面202,上表面201與下表面202均為待蝕刻製成線路之銅箔。
第二步,將基板200放置於上傳送輥組122與下傳送輥組124之間進行傳送,即,使得基板200位於上傳送輥123、壓制輥127與下傳送輥125、支撐輥129之間。複數上傳送輥123與複數下傳送輥125轉動從而可以帶動基板200沿垂直於上傳送輥123之軸線方向傳送。基板200之上表面201與上傳送輥組122、上輔助輥組126、上噴淋系統140及上吸液系統160相對。基板200之下表面202與下傳送輥組124、下輔助輥組128、下噴淋系統145及下吸液系統165相對。
第三步,控制器18控制噴淋機構14之第一噴液泵141與第二噴液泵146處於開啟狀態定額時間,以使得複數上噴嘴144將蝕刻液噴淋至基板200之上表面201從而蝕刻上表面201之銅箔,使得複數下噴嘴149將蝕刻液噴淋至基板200之下表面202從而蝕刻下表面202之銅箔。第一噴液泵141與第二噴液泵146處於開啟狀態定額時間後控制器18控制第一噴液泵141與第二噴液泵146處於關閉狀態,並使得吸液機構16之第一吸液泵161與第二吸液泵166處於開啟狀態定額時間,以使得複數上吸嘴163吸取基板200上表面201蝕刻後之蝕刻液,使得複數下吸嘴168吸取基板200下表面202蝕刻後之蝕刻液。第一噴液泵141與第二噴液泵146處於開啟狀態之定額時間一般為1-3秒,第一噴液泵141與第二噴液泵146處於開啟狀態之定額時間等於第一吸液泵161與第二吸液泵166處於開啟狀態之定額時間。如是重複,在基板200傳送之過程中,控制器18控制第一噴液泵141與第二噴液泵146開啟額定時間後關閉,並在關閉第一噴液泵141與第二噴液泵146時開啟第一吸液泵161與第二吸液泵166,在開啟第一吸液泵161與第二吸液泵166額定時間後關閉,並同時再次開啟第一噴液泵141與第二噴液泵146。如此,每次開啟第一噴液泵141與第二噴液泵146後,噴淋在基板200之上表面201與下表面202之蝕刻液均基本可以被吸液機構16之複數上吸嘴163與複數下吸嘴168吸取乾淨。從而,不會有蝕刻後之蝕刻液殘留於基板200之上表面201或下表面202造成“水池效應”,也就不會對基板200上表面201或下表面202之銅箔之蝕刻造成影響。從而在蝕刻基板200之銅箔以製作導電線路之過程中可以具有較高之製作良率。
本領域技術人員可以理解,可以根據基板200之傳送速度,定額時間之長短,調節第一噴液泵141與第二噴液泵146之噴壓從而提高或降低複數上噴嘴144與複數下噴嘴149之噴壓,以調節噴淋到基板200上表面201與下表面202之蝕刻液之量,以保證基板200之導電線路之製作良率與製作效果。
本技術方案之蝕刻裝置10中,控制器18可以開啟與關閉第一噴液泵141、第二噴液泵146、第一吸液泵161與第二吸液泵166。本技術方案之蝕刻基板之方法中,控制器18控制第一噴液泵141與第二噴液泵146開啟定額時間後使得第一吸液泵161與第二吸液泵166開啟定額時間。如此,即可使得複數上噴嘴144與複數下噴嘴149噴淋在基板200之上表面201與下表面202之蝕刻液均基本可以被吸液機構16之複數上吸嘴163與複數下吸嘴168吸取乾淨。從而,不會有蝕刻後之蝕刻液殘留於基板200之上表面201或下表面202造成“水池效應”,也就不會對基板200上表面201或下表面202之銅箔之蝕刻造成影響。從而在蝕刻基板200之銅箔以製作導電線路之過程中可以具有較高之製作良率。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施方式,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10‧‧‧蝕刻裝置
100‧‧‧蝕刻槽
12‧‧‧傳送機構
14‧‧‧噴淋機構
16‧‧‧吸液機構
18‧‧‧控制器
122‧‧‧上傳送輥組
124‧‧‧下傳送輥組
126‧‧‧上輔助輥組
128‧‧‧下輔助輥組
123‧‧‧上傳送輥
1230‧‧‧上傳送軸
1231‧‧‧上傳送滾輪
125‧‧‧下傳送輥
1250‧‧‧下傳送軸
1251‧‧‧下傳送滾輪
127‧‧‧壓制輥
129‧‧‧支撐輥
140‧‧‧上噴淋系統
141‧‧‧第一噴液泵
142‧‧‧第一輸送管
143‧‧‧上噴管
144‧‧‧上噴嘴
145‧‧‧下噴淋系統
146‧‧‧第二噴液泵
147‧‧‧第二輸送管
148‧‧‧下噴管
149‧‧‧下噴嘴
160‧‧‧上吸液系統
161‧‧‧第一吸液泵
162‧‧‧第一傳輸管
163‧‧‧上吸嘴
165‧‧‧下吸液系統
166‧‧‧第二吸液泵
167‧‧‧第二傳輸管
168‧‧‧下吸嘴
200‧‧‧基板
201‧‧‧上表面
202‧‧‧下表面
圖1為本技術方案實施例提供之蝕刻裝置之正視示意圖。
圖2為本技術方案實施例提供之蝕刻裝置之上傳送輥組、上噴淋機構、上吸液機構之俯視示意圖。
圖3為本技術方案實施例提供之蝕刻裝置蝕刻基板時之示意圖。
10‧‧‧蝕刻裝置
100‧‧‧蝕刻槽
12‧‧‧傳送機構
14‧‧‧噴淋機構
16‧‧‧吸液機構
18‧‧‧控制器
122‧‧‧上傳送輥組
124‧‧‧下傳送輥組
126‧‧‧上輔助輥組
128‧‧‧下輔助輥組
123‧‧‧上傳送輥
1230‧‧‧上傳送軸
1231‧‧‧上傳送滾輪
125‧‧‧下傳送輥
1250‧‧‧下傳送軸
1251‧‧‧下傳送滾輪
127‧‧‧壓制輥
129‧‧‧支撐輥
140‧‧‧上噴淋系統
141‧‧‧第一噴液泵
142‧‧‧第一輸送管
143‧‧‧上噴管
144‧‧‧上噴嘴
145‧‧‧下噴淋系統
146‧‧‧第二噴液泵
147‧‧‧第二輸送管
148‧‧‧下噴管
149‧‧‧下噴嘴
160‧‧‧上吸液系統
161‧‧‧第一吸液泵
162‧‧‧第一傳輸管
163‧‧‧上吸嘴
165‧‧‧下吸液系統
166‧‧‧第二吸液泵
167‧‧‧第二傳輸管
168‧‧‧下吸嘴

Claims (12)

  1. 一種蝕刻裝置,包括:
    傳送機構,其包括上傳送輥組及與所述上傳送輥組相對之下傳送輥組,所述傳送機構用於傳送位於上傳送輥組與下傳送輥組之間之基板;
    噴淋機構,其包括一第一噴液泵及與第一噴液泵連通之複數上噴嘴,所述複數上噴嘴位於上傳送輥組上方,用於向基板表面噴淋蝕刻液以蝕刻基板,所述第一噴液泵具有開啟狀態與關閉狀態,在開啟狀態下第一噴液泵用於向複數上噴嘴輸送蝕刻液,在關閉狀態下第一噴液泵停止向複數上噴嘴輸送蝕刻液;
    吸液機構,其包括一第一吸液泵及與第一吸液泵連通之複數上吸嘴,所述複數上吸嘴與下傳送輥組相對,用於靠近基板,所述第一吸液泵亦具有開啟狀態與關閉狀態,在開啟狀態下第一吸液泵使得複數上吸嘴吸取基板表面之蝕刻液,在關閉狀態下使得複數上吸嘴停止吸取基板表面之蝕刻液;以及
    控制器,所述第一噴液泵與第一吸液泵均與控制器訊號連接,所述控制器用於控制第一噴液泵處於開啟狀態時第一吸液泵處於關閉狀態,第一噴液泵處於關閉狀態時第一吸液泵處於開啟狀態,並控制第一噴液泵處於開啟狀態之時間等於第一噴液泵處於關閉狀態之時間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻裝置,其中,所述噴淋機構還包括複數平行排列之上噴管,每個上噴管均與第一噴液泵連通,每個上噴管均安裝有複數所述上噴嘴,每個上吸嘴均沿上噴管之軸線方向延伸,每個上吸嘴均位於兩個相鄰之上噴管之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之蝕刻裝置,其中,所述上傳送輥組包括複數相互平行之上傳送輥,所述下傳送輥組包括複數平行排列之下傳送輥,所述複數上噴管、複數上吸嘴及複數下傳送輥均與所述複數上傳送輥平行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻裝置,其中,所述噴淋機構還包括與第一噴液泵連通之複數下噴嘴,所述複數下噴嘴位於下傳送輥組下方,用於向基板表面噴淋蝕刻液以蝕刻基板,所述吸液機構還包括與第一吸液泵連通之複數下吸嘴,所述複數下吸嘴與上傳送輥組相對,並靠近上傳送輥組,用於在第一吸液泵處於開啟狀態時吸取基板表面之蝕刻液。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之蝕刻裝置,其中,所述蝕刻裝置還包括蝕刻槽,所述蝕刻槽用於存儲蝕刻液,所述第一噴液泵為加壓泵,且浸置於所述蝕刻槽之蝕刻液中,所述第一吸液泵為真空泵。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻裝置,其中,所述噴淋機構還包括一第二噴液泵及與所述第二噴液泵相連通之複數下噴嘴,所述第二噴液泵具有開啟狀態與關閉狀態,在開啟狀態下第二噴液泵用於向複數下噴嘴輸送蝕刻液,在關閉狀態下第二噴液泵停止向複數下噴嘴輸送蝕刻液,所述複數下噴嘴位於下傳送輥組下方,用於在第二噴液泵處於開啟狀態下向基板表面噴淋蝕刻液以蝕刻基板;所述吸液機構還包括一第二吸液泵及與第二吸液泵連通之複數下吸嘴,所述複數下吸嘴與上傳送輥組相對,用於靠近基板,所述第二吸液泵也具有開啟狀態與關閉狀態,在開啟狀態下第二吸液泵使得複數下吸嘴吸取基板表面之蝕刻液,在關閉狀態下使得複數下吸嘴停止吸取基板表面之蝕刻液;所述第二噴液泵與第二吸液泵均與控制器訊號連接,所述控制器還用於控制第一噴液泵與第二噴液泵同時處於開啟狀態或同時處於關閉狀態,第一吸液泵與第二吸液泵同時處於開啟狀態或同時處於關閉狀態。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之蝕刻裝置,其中,所述蝕刻裝置還包括蝕刻槽,所述蝕刻槽用於存儲蝕刻液,所述第一噴液泵與第二噴液泵均為加壓泵,且均浸置於所述蝕刻槽之蝕刻液中,所述第一吸液泵與第二吸液泵均為真空泵。
  8. 如申請專利範圍第4項或第6項所述之蝕刻裝置,其中,所述傳送機構還包括上輔助輥組與下輔助輥組,所述上輔助輥組包括複數平行排列之壓制輥,所述下輔助輥組包括複數平行排列之支撐輥,每個上吸嘴均位於兩個相鄰之壓制輥之間,每個下吸嘴均位於兩個相鄰之支撐輥之間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之蝕刻裝置,其中,所述上傳送輥組包括複數相互平行之上傳送輥,至少部分上傳送輥彼此間隔排列,兩個彼此間隔之上傳送輥之間設置有一個上噴嘴或設置有兩個壓制輥,該兩個壓制輥之間設置有兩個上吸嘴;所述下傳送輥組包括複數平行排列之下傳送輥,至少部分下傳送輥彼此間隔排列,兩個彼此間隔之下傳送輥之間設置有一個下噴嘴或設置有兩個支撐輥,該兩個支撐輥之間設置有兩個下吸嘴。
  10. 一種蝕刻基板之方法,包括步驟:
    提供基板及如申請專利範圍第1項所述之蝕刻裝置;
    將基板放置於上傳送輥組與下傳送輥組之間進行傳送;以及
    控制器控制第一噴液泵處於開啟狀態,以使得複數上噴嘴將蝕刻液噴淋至基板表面,在第一噴液泵處於開啟狀態額定時間後控制器控制第一噴液泵處於關閉狀態,並控制吸液機構之第一吸液泵處於開啟狀態額定時間,以使得複數上吸嘴吸取基板表面之蝕刻液。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之蝕刻基板之方法,其中,基板之傳送速度為3米每分鐘,所述額定時間為1至3秒。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之蝕刻基板之方法,其中,控制器控制吸液機構之第一吸液泵處於開啟狀態額定時間後控制第一吸液泵處於關閉狀態,並控制第一噴液泵再次處於開啟狀態額定時間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570763B (zh) * 2013-05-17 2017-02-11 佳能安內華股份有限公司 蝕刻裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051116A (en) * 1995-10-17 2000-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Etching apparatus
TW200618098A (en) * 2004-10-06 2006-06-01 Ebara Corp Apparatus and method of processing substrate
TW200816429A (en) * 2006-09-26 2008-04-01 Advanced Semiconductor Eng Apparatus for etching a substrate
TW200901310A (en) * 2007-02-23 2009-01-01 Sekisui Chemical Co Ltd Etching method and apparatus, and subject to be processed

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051116A (en) * 1995-10-17 2000-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Etching apparatus
TW200618098A (en) * 2004-10-06 2006-06-01 Ebara Corp Apparatus and method of processing substrate
TW200816429A (en) * 2006-09-26 2008-04-01 Advanced Semiconductor Eng Apparatus for etching a substrate
TW200901310A (en) * 2007-02-23 2009-01-01 Sekisui Chemical Co Ltd Etching method and apparatus, and subject to be processed

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI570763B (zh) * 2013-05-17 2017-02-11 佳能安內華股份有限公司 蝕刻裝置
US11195700B2 (en) 2013-05-17 2021-12-07 Canon Anelva Corporation Etching apparatus

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