JPH09190899A - プラズマ処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板保持機構を介して外部から被処理基板へ直
接的にバイアス電位を与えなくとも、実質的に被処理基
板にバイアス電位を与えたのと等価の効果が得られ、バ
イアススパッタ或いはＣＶＤによる薄膜形成、エッチン
グ加工及び加熱等のプラズマ処理方法、及びそれを実現
する処理装置を提供する。 【解決手段】真空容器内にプラズマを発生させて被処理
基板をプラズマ処理する方法であって、前記真空容器内
に載置された前記被処理基板に対向して設けられた電極
と、前記被処理基板の前記電極側の表面との間隔を所定
間隔以下にすると、前記電極と前記被処理基板の前記電
極側表面との間ではプラズマが発生しないことを利用し
て、前記電極と前記被処理基板を非接触で処理すること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスクに代表される基板両面への
バイアススパッタによる薄膜形成を行うには、例えば、
特開平３−２８３１１１号公報に記載されているよう
に、対向した二つのターゲット電極の中間に、表面をそ
れぞれのターゲット電極に向けて導電体基板を載置し、
それぞれのターゲット電極に負電位を印加してターゲッ
ト電極上にプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンに
よりターゲット表面をスパッタし、飛散したターゲット
材料から成る粒子を基板表面に付着させる方法が知られ
ている。また、このとき基板保持機構に交流または負の
直流電位を印加することで、基板縁部に接触する導電体
の保持爪を介し、基板に交流または負の直流電位を印加
する方法が知られている。

【０００３】また、例えば、特開平４−７９０２５号公
報に記載されているように、基板が絶縁体である場合に
は、基板表面にあらかじめ導電性膜を形成することで、
基板表面と導電性の保持爪との間に電気的接触を得る方
式も知られている。この保持爪を介して基板表面に与え
るバイアス電位により、プラズマ中のイオンは基板表面
にも衝突し、そのエネルギを成膜されている表面分子に
与え、形成する膜の結晶性を高め、磁気特性向上に効果
があることも知られている。

【０００４】さらに例えば特開平５−１４０７５２号公
報に記載されている様に、従来、プラズマＣＶＤによる
基板両面への炭素膜形成法は、二つの従来例と同様に基
板保持機構に基板を載置し、基板保持用爪との接触によ
り基板と電気的導通を得ている。この基板保持機構を接
地し、基板を挟んで対向する二つの電極を真空容器に配
置し、真空容器内を高真空に排気した後、成膜原料ガス
としてメタン等の処理ガスを所定の圧力導入する。二つ
の電極それぞれに高周波電源を接続し、接地電位との間
に高周波電力を印加する。各電極と基板との間には印加
された高周波電位によりプラズマが発生し、高周波電源
からは順次、→電極→プラズマ→基板→基板保持機構→
アース→高周波電源という経路の高周波電流が流れ、基
板とプラズマ間に電位差が発生する。この時、イオン化
した処理ガスが、基板表面に発生する電界により加速さ
れ、基板表面に衝突することによって、基板表面に高強
度の炭素膜を形成する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの例で
は基板がガラス等の絶縁材料である場合、基板保持機構
と基板間に電流が流れないので基板表面とプラズマ間に
は電位差が発生せず、従って成膜面に対するイオン衝撃
による膜質向上効果または成膜効果は期待できない。成
膜する材料が金属等の導電性膜である場合、基板表面は
導電性になるが、基板保持機構と基板との接触点の周り
は陰になるため、接触点の周囲には導電性膜が成膜され
ない。このため、基板保持機構と基板は電気的接触がで
きず、基板表面にバイアス電位を発生させることはでき
ない。

【０００６】また、特開平４−７９０２５号公報に記載
されているように、絶縁体基板表面にあらかじめ導電性
膜を形成する方法では成膜行程が複雑になるだけではな
く、保持爪と基板との間の接触はごく微少な面積であ
り、そこに集中する電流により導電性膜が急激に加熱さ
れ、しばしば蒸発し、電気的な接触不良を起こしたり、
基板を損傷するという問題があった。

【０００７】本発明の目的は、これら従来の問題点を解
決することにあり、基板保持機構を介して外部から被処
理基板へ直接的にバイアス電位を与えなくとも、実質的
に被処理基板にバイアス電位を与えたのと等価の効果が
得られ、バイアススパッタ或いはＣＶＤによる薄膜形
成、エッチング加工及び加熱等のプラズマ処理方法、及
びそれを実現する処理装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
には、電極と基板の電極側表面との間隔が所定間隔以下
で、かつ非接触であるように配置した構成で、基板を片
面ずつプラズマ処理することで達成できる。基板と電極
を非接触にすることにより、電極から基板表面に異物が
付着したり、基板表面に傷をつけたりすることなく基板
の両面をプラズマ処理できる。この時、基板は基板保持
機構と電気的に絶縁された状態にあるか、また基板保持
機構が基板以外の部位と電気的に絶縁されているか、ま
たは基板保持機構がプラズマを発生させるための高周波
回路と電気的に絶縁されているようにすればよい。

【０００９】本発明のプラズマ処理方法は、スパッタリ
ングやＣＶＤによる成膜方法、プラズマエッチング方
法、プラズマアッシング方法など、いずれも周知のプラ
ズマ処理方法一般に適用可能である。

【００１０】真空容器内のアノード電極とカソード電極
間で高周波電力を印加し、プラズマを発生させると、高
周波電流はアノード電極からプラズマを通りカソード電
極に流れる。カソード電極と被処理基板のカソード電極
側表面との間隔を所定間隔以下、例えばデバイ長以下に
するとカソード電極と被処理基板のカソード電極側表面
との間ではプラズマが発生しなくなる。この場合、アノ
ード電極からカソード電極へ流れる高周波電流は、アノ
ード電極→プラズマ→被処理基板→カソード電極という
経路をたどる。このように高周波電流が被処理基板を通
して流れるようになるので、プラズマと被処理基板間に
電位差が発生する。基板のカソード電極と反対側表面で
は、プラズマと基板表面間に発生した電界により加速さ
れたイオンが入射するようになり、基板表面にエネルギ
を与えることができる。

【００１１】このように本発明によれば基板と電極とを
接触させることなく基板に電界を発生させ、イオン入射
を起こすことが可能であり、従来のように基板表面が絶
縁体であっても、その表面へイオン入射を行うことが可
能である。この手段をバイアススパッタ成膜法に用いれ
ば、イオン衝撃により膜中の結晶性が向上し、磁性膜の
保持力向上が図れる。またＣＶＤ法に用いれば、絶縁体
基板の表面に所望する膜を成膜することができる。更に
エッチング法に用いることで絶縁体基板の表面をエッチ
ング処理することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１に本発明の第１の実施例であ
る磁気記録装置用磁気ディスクのカーボン保護膜形成用
ＣＶＤ電極について示す。真空容器１には排気装置２、
及び処理ガス供給装置３を接続している。成膜対象とな
る基板４は絶縁板５により周囲と電気的に絶縁した基板
保持具６により保持する。

【００１３】プラズマ１８から基板保持具６に流れる電
流により基板保持具６の電位が決まることを利用して、
プラズマ１８が発生したときに基板４と基板保持具６が
同電位になるように絶縁板５の静電容量を定めている。
これを行わず、基板４と基板保持具６とが異なる電位に
なると、基板４と基板保持具６の間で大きな電界が発生
し、基板４を損傷する場合がある。

【００１４】基板保持具６には基板４に対向して設けた
電極７の面に対して、基板４を１８０度回転させるため
の回転装置８を接続している。回転装置８には基板４を
真空容器１内に搬送するための搬送装置９を接続してい
る。予備室１０には予備室用排気装置１１を接続してい
る。シール板１２は基板４を真空容器１に搬送したとき
に予備室１０から真空容器１を密閉するためのものであ
る。電極７はアースに接続しており、また電極７の位置
を制御するための電極駆動装置１３を接続している。

【００１５】高周波電源１４は整合器１５を介して絶縁
材１６で電気的に絶縁されたアノード電極１７に接続し
ており、アース電位との間に高周波電位を印加し、プラ
ズマ１８を発生させる。

【００１６】次に第１の実施例による成膜方法を説明す
る。図示していない基板搬入器より予備室１０へ基板４
を搬入した後、予備室用排気装置１１により予備室１０
を１Pa以下の高真空に排気する。真空容器１はその前に
排気装置２により1Pa以下の高真空に排気しておく。排
気が終わったら搬送装置９により基板４を真空容器１内
に地面に対して垂直に搬送して載置してから、電極７と
基板４の電極７側表面との間隔を電極駆動装置１３によ
り所定間隔に調整する。その間に真空容器１を排気装置
２により０．００１Pa以下の高真空に排気する。この
後、処理ガス供給装置３により、例えばメタンを該真空
容器１内で１〜３０Paになるように供給する。

【００１７】高周波電源１４より整合器１５を介してア
ノード電極１７に所定の電力を供給し、処理ガスを電離
してプラズマ１８を発生させる。高周波電流はアノード
電極１７からプラズマ１８を通り、電極７に流れるが、
電極７と基板４の電極７側表面との間ではプラズマが発
生しないので、電極７の基板４に覆われている部分で
は、基板４を介して高周波電流が電極７に流れる。これ
により基板４とプラズマ１８間で電位差が発生し、基板
４の電極７と反対側表面にはイオンが入射する。この
時、基板４の電極７と反対側表面に入射するイオンは基
板４とプラズマ１８間の電界により加速され、基板４表
面に衝突してメタン分子を分解して、その結晶構造が非
結晶であるＣ膜を堆積する。所望の膜厚を堆積したらい
ったん処理ガスと電力の供給を止めて電極７を移動させ
た後、回転装置８により基板４を電極７面に対して１８
０度回転させる。この後、電極駆動装置１３により電極
７の位置を調整し、再び処理ガス及び電力を供給してプ
ラズマ１８を発生させ、前記と同じように膜を堆積させ
ることで基板４の両面に成膜を行うことが可能である。

【００１８】このように本発明によれば、基板に電極を
接触させることなく基板へ電界を発生させ、イオン入射
を起こすことが可能であり、従来のように基板と電極と
の接触点で電流が集中することによる膜の蒸発とそれに
ともなう異常放電や、成膜不良が発生しない。また従来
必要であった導電性膜の事前成膜が不要であり、基板表
面が絶縁体であっても、その表面へＣ膜の成膜が可能で
ある。

【００１９】第１の実施例は、処理ガスをＡｒ等の不活
性ガスまたは処理対象基板表面組成に対して腐食性を持
つガスに変えることで基板両面へのプラズマエッチング
処理、またはプラズマアッシング処理を行うことができ
る。

【００２０】図２に本発明の第２の実施例である磁気記
録装置用磁気ディスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電
極について示す。

【００２１】回転装置８には基板支え爪２０を接続して
いる。基板支え爪２０は図３に示すような形状をしてお
り、基板４の外周部を挟み、基板４を支える。真空容器
１と予備室１０は、ゲートバルブ３０で互いに区切られ
ている。基板保持具６は電極７の中央部に配置してい
る。

【００２２】次に第２の実施例による成膜方法を説明す
る。図示していない基板搬入器より予備室１０に基板４
を搬入した後、予備室用排気装置１１により予備室１０
を１Pa以下の高真空に排気する。真空容器１はその前に
排気装置２により1Pa以下の高真空に排気しておく。排
気が終わったらゲートバルブ３０を開いて、搬送装置９
により基板４を真空容器１内に搬送した後、電極７を電
極駆動装置１３により上昇させて、基板４の中央部の穴
に基板保持具６を挿入させる。その後、基板４から基板
支え爪２０を外して、基板保持具６に基板４が載置され
たら、電極７を元の位置に移動させる。基板支え爪２０
は予備室１０に戻し、ゲートバルブ３０を閉じる。電極
７と基板４の電極７側表面との間隔は、基板保持具６の
ｔで示した厚みの部分であらかじめ調整しておく。真空
容器１内の圧力が、０．００１Pa以下の高真空に排気さ
れたら、処理ガス供給装置３により、例えばメタンを該
真空容器１内で１〜３０Paになるように供給する。

【００２３】高周波電源１４より整合器１５を介してア
ノード電極１７に所定の電力を供給し、処理ガスを電離
してプラズマ１８を発生させる。高周波電流はアノード
電極１７からプラズマ１８を通り、電極７に流れるが、
電極７と基板４の電極７側表面との間ではプラズマが発
生しないので、電極７の基板４に覆われている部分で
は、基板４を介して高周波電流が電極７に流れる。これ
により基板４とプラズマ１８間で電位差が発生し、基板
４の電極７の反対側表面にはイオンが入射する。この
時、基板４の電極７と反対側表面に入射するイオンは基
板４とプラズマ１８間の電界により加速され、基板４表
面に衝突してメタン分子を分解して、その結晶構造が非
結晶であるＣ膜を堆積する。所望の膜厚を堆積したら処
理ガスと電力の供給を止め、電極を上昇させた後に、ゲ
ートバルブ３０を開き、基板支え爪２０を真空容器１内
に搬送して、基板４を支える。その後、電極７を下降さ
せ、回転装置８により基板４を電極７面に対して１８０
度回転させる。回転させた後は、前記と同じように基板
４を載置して膜の堆積を行うことで、基板４の両面に成
膜を行うことが可能である。

【００２４】図４に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第３の実施
例を示す。

【００２５】真空容器１、１’は電極７と７’の電極面
がそれぞれ逆向きになるように配置している。搬送装置
９、９’は装置間搬送装置１００に搭載されている。搬
送通路１０１には搬送通路用排気装置１０２を接続して
いる。

【００２６】次に第３の実施例による成膜方法を説明す
る。搬送通路用排気装置１０２により１Pa以下の高真空
に排気された搬送通路１０１を通って、図示されていな
い基板搬入口から装置間搬送装置１００により搬送され
てきた基板４を、搬送装置９により真空容器１内に載置
する。基板４を載置した際に、真空容器１と搬送通路１
０１はシール板１２により互いに区切られる。

【００２７】基板４を載置した後、電極７と基板４の電
極７側表面との間隔を電極駆動装置１３により所定間隔
に調整し、真空容器１を排気装置２により０．００１Pa
以下の高真空に排気する。この後、処理ガス供給装置３
により、例えばメタンを真空容器１内で１〜３０Paにな
るように供給する。

【００２８】高周波電源１４より整合器１５を介してア
ノード電極１７に所定の電力を供給し、処理ガスを電離
してプラズマ１８を発生させる。高周波電流はアノード
電極１７からプラズマ１８を通り、電極７に流れるが、
電極７と基板４の電極７側表面との間ではプラズマが発
生しないので、電極７の基板４に覆われている部分で
は、基板４を介して高周波電流が電極７に流れる。これ
により基板４とプラズマ１８間で電位差が発生し、基板
４の電極７と反対側表面にはイオンが入射する。この
時、基板４の電極７の反対側表面に入射するイオンは基
板４とプラズマ１８間の電界により加速され、基板４表
面に衝突してメタン分子を分解して、その結晶構造が非
結晶であるＣ膜を堆積する。所望の膜厚を堆積したら電
力の供給と処理ガスの供給を止め、搬送装置９により基
板４を降下させ、装置間搬送装置１００で真空容器１’
の方へ搬送する。真空容器１には図示していない基板搬
入口から新しい基板が搬送される。その後、前述の方法
と同じようにして真空容器１、１’で基板に成膜を行
う。成膜を行った後、真空容器１に載置された基板４は
真空容器１’に真空容器１’に載置された基板４’は、
図示していない基板搬出口にそれぞれ搬送される。

【００２９】真空容器１と１’では、基板の成膜される
面が異なるので、真空容器１と１’で成膜を行うことに
より、基板を回転させることなく基板の両面に成膜を行
うことが可能である。

【００３０】図５に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第４の実施
例を示す。

【００３１】第１の実施例に対して、第２のガス供給装
置２００からガス供給管２０１を通して、電極７の中心
からガスを噴出できる点が異なる。

【００３２】プラズマ１８から発生したラジカルが電極
７と基板４の電極７側表面との間に侵入し、基板４の電
極７側表面に付着すると膜が形成されるか、またはエッ
チングされる。基板４の電極７側ではプラズマが発生せ
ず、従ってイオンの入射がないので、基板４の電極７と
反対側表面とは膜質が異なり、基板４の両面に成膜を行
う場合、膜剥離、成膜分布の均一性低下の原因となる。
エッチングを行う場合、エッチング分布の均一性が低下
の原因となる。

【００３３】第４の実施例の特徴は電極７と基板４の電
極７側表面との間にガスを噴出させ、プラズマ１８から
電極７と基板４の電極７側表面との間に入り込むラジカ
ルを排除し、基板４の電極７側表面に膜が形成されるこ
とを防止できることである。

【００３４】図６に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第５の実施
例を示す。

【００３５】第１の実施例に対して、リングカバー３０
０を電極７に取り付け、電極７面に凹部を設け、その中
に基板４を載置するようにしたものである。第５の実施
例の特徴は、ラジカルが侵入する方向を制限できること
である。例えば、Ａから矢印の方向へ飛来してくるラジ
カルはリングカバー３００ではじかれるため、電極７と
基板４の電極７側表面との間に侵入できない。このた
め、基板４の電極７側表面に膜が形成されることを防止
できる。

【００３６】図７に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第６の実施
例を示す。

【００３７】第１の実施例に対し、電極７の表面の一部
を絶縁体で構成された絶縁カバー４００で覆い、電極７
の面積を基板４の面積以下とし、電極７の面がすべてプ
ラズマ１８に直接晒されない点が異なる。第６の実施例
の特徴は電極７の面積を小さくし、高周波電流を収束さ
せたことにより、成膜速度を向上できることと、絶縁カ
バー４００にはほとんど高周波電流が流れないため、絶
縁カバー４００上には膜が形成されにくく、真空容器１
内の異物発生を低減でき、真空容器１内のクリーニング
間隔を伸長できることである。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、基板両面をプラズマ処
理する場合に、基板表面に電極を接触させることなく、
基板の表面に電界を発生させ、イオン入射を起こすこと
が可能であり、従来のように基板への電極の接触点で電
流が集中し、膜の蒸発とそれにともなう異常放電や、バ
イアス印加不良が発生しない。また、従来必要であった
導電性膜の事前成膜が不要であり、特に絶縁体基板及び
表面が絶縁体で覆われた基板であってもその表面へイオ
ン入射を行うことが可能である。またＣＶＤ法を用いれ
ば絶縁体基板表裏面に所望する膜を成膜することができ
る。更にエッチング法に用いることで絶縁体基板の表裏
面をエッチング処理することができる。

【００３９】また、基板と基板保持機構を同電位にする
ことで、基板への損傷をなくすことができ、更に電極と
基板の電極側表面との間にガスを噴出する機構や電極に
凹部を設け、電極と基板の電極側表面間のラジカルを低
減することで、基板の電極側表面に電極と反対側表面と
膜質の異なる膜が形成される、またはエッチングされる
ことを防止し、膜剥離や成膜分布、エッチング分布の均
一性低下を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図。

【図２】本発明の第２の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図。

【図３】本発明の第２の実施例で使用する基板支え爪の
形状を示す説明図。

【図４】本発明の第３の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図。

【図５】本発明の第４の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図。

【図６】本発明の第５の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図。

【図７】本発明の第６の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図。

【符号の説明】

１…真空容器、 ２…排気装置、 ３…処理ガス供給装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065 21/302 Ｂ (72)発明者 片岡 宏之 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 小角 雄一 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 本田 好範 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 藤巻 成彦 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地株 式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大坪 徹 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空容器内にプラズマを発生させて被処理
   基板をプラズマ処理する方法であって、前記真空容器内
   に載置された前記被処理基板に対向して設けられた電極
   と、前記被処理基板の前記電極側の表面との間隔を所定
   間隔以下にすると、前記電極と前記被処理基板の前記電
   極側表面との間ではプラズマが発生しないことを利用し
   て、前記電極と前記被処理基板を非接触で処理すること
   を特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】請求項１において、前記被処理基板を地面
   に対して垂直に載置して、前記被処理基板を片面ずつプ
   ラズマ処理することにより、前記被処理基板の両面を市
   利するプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】真空容器と、前記真空容器中を高真空に排
   気するための排気手段と、前記真空容器中に処理ガスを
   供給する手段と、前記真空容器中に載置される被処理基
   板と、前記被処理基板を保持する基板保持機構と、前記
   被処理基板を地面に対して垂直に前記真空容器に搬送し
   載置する手段と、前記被処理基板に対向して設けられた
   電極と、前記被処理基板を前記電極面に対して１８０度
   向きを変える手段と、前記真空容器内にプラズマを発生
   させるための高周波回路を有し、前記被処理基板が前記
   高周波回路との間で電気的に絶縁され、前記電極と前記
   被処理基板の前記電極側表面とを非接触で、かつ所定間
   隔以下にした構成から成ることを特徴とするプラズマ処
   理装置。
4. 【請求項４】真空容器と、前記真空容器中を高真空に排
   気するための排気手段と、前記真空容器中に処理ガスを
   供給する手段と、前記真空容器中に載置される被処理基
   板と、前記被処理基板を保持する基板保持機構と、前記
   被処理基板を地面に対して水平に前記真空容器に搬送し
   載置する手段と、前記被処理基板に対向して設けられた
   電極と、前記被処理基板を電極面に対して１８０度向き
   を変える手段と、前記真空容器内にプラズマを発生させ
   るための高周波回路を有し、前記被処理基板が前記高周
   波回路との間で電気的に絶縁され、前記電極と前記被処
   理基板の前記電極側表面とを非接触で、かつ所定間隔以
   下にした構成から成ることを特徴とするプラズマ処理装
   置。
5. 【請求項５】高真空に排気するための排気手段と、処理
   ガスを供給する手段と、載置される被処理基板と、前記
   被処理基板を保持する基板保持機構と、プラズマを発生
   させるための高周波回路を有し、前記被処理基板が前記
   高周波回路との間で電気的に絶縁され、電極と前記被処
   理基板の前記電極側表面とを非接触で、かつ所定間隔以
   下にした構成から成る２台以上の真空容器と、前記各真
   空容器間で前記被処理基板を搬送する搬送手段を有する
   ことを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】請求項３、請求項４または請求項５におい
   て、プラズマが発生している場合に前記被処理基板と前
   記基板保持機構を同電位にする手段を有するプラズマ処
   理装置。
7. 【請求項７】請求項６において、前記被処理基板と前記
   基板保持機構を同電位にする手段が、前記基板保持機構
   のアースに対する静電容量を調整するプラズマ処理装
   置。
8. 【請求項８】請求項３、請求項４または請求項５におい
   て、前記被処理基板に対向する前記電極と、前記被処理
   基板の前記電極側表面とを非接触で、かつ所定間隔以下
   に制御するため、前記被処理基板を保持する前記基板保
   持機構、または前記電極が駆動する手段を有するプラズ
   マ処理装置。
9. 【請求項９】請求項３、請求項４または請求項５におい
   て、前記被処理基板に対向する前記電極と、前記被処理
   基板の前記電極側表面との間に存在するラジカルを排除
   するため、前記電極と前記被処理基板の前記電極側表面
   との間にガスを噴出させる手段を有するプラズマ処理装
   置。
10. 【請求項１０】請求項３、請求項４または請求項５にお
    いて、前記被処理基板に対向する前記電極と、前記被処
    理基板の前記電極側表面との間に侵入するラジカルを防
    止するために、前記電極に凹部を設け、その中に前記被
    処理基板が載置されるプラズマ処理装置。
11. 【請求項１１】請求項３、請求項４または請求項５にお
    いて、前記被処理基板と対向する前記電極の面積が前記
    被処理基板の面積以下であり、前記被処理基板に覆われ
    ていて、前記電極が直接プラズマに晒されないプラズマ
    処理装置。