JP2011507131A - パターン化媒体を商業的に製造するシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態によると、パターン化媒体ディスクを製造するシステム及び方法が提供される。図1は、HDD用パターン化媒体ディスクを製造するための全処理のフローチャートを示す。フローチャートは、大まかに4つのモジュール(細い点線のボックスによって示される)に分割される。図1において、実線のボックスは従来の連続的媒体製造装置の使用を示し、点線のボックスはたとえばナノインプリントリソグラフィ等のリソグラフィ装置の使用を示し、二重線のボックスは新規なパターン化媒体製造装置の使用を示す。モジュール10において、ディスクを洗浄装置12で洗浄することにより製造を開始する。次にディスクを、非パターン化磁気層を製造するための従来の処理システム14、たとえば200Lean(登録商標)に移動させる。その後、ディスクをリソグラフィモジュール16に移動させてパターンをインプリントする。リソグラフィモジュールは、現在検討されている技術のいかなるものであってもよく、それはナノインプリントリソグラフィを含むがそれに限定されない。一般的に、リソグラフィモジュールでは、ディスクにフォトレジストをコーティングし、フォトレジストを要求されるパターンとなるよう「感光」させ(放射線、又は原盤(master)への物理的接触つまり刻印のいずれかにより)、感光したレジストをUV照射下で現像もしくは硬化させる。リソグラフィ処理が終了すると、ディスクをパターニングシステム18へと移送する。
図3は、本発明の実施の形態に係るパターニングシステムの例を示す。システムの全般的構造は、カリフォルニア州サンタクララ所在のIntevac社から入手可能な200Lean(登録商標)の構造を模したものであってもよい。本例では、システムは、2機のエレベータ302及び304、並びに16室の処理チャンバ(参照符号1〜16)を含む。本システムでは、各チャンバは、全体を通して306と参照符号を付されるディスクの搬送装置を搬送するための搬送チャンバとして機能する下部と、ディスクに処理を実行する上部処理チャンバとを含む。チャンバのいくつかはディスクの両面を同時に処理するが、その他は一面側のみを処理するので、ディスクの両面の処理を完成するために対で設けられる。
図4は、パターン化媒体ディスクを製造する別の処理を示す。この処理は、図2の200と同一のフォトレジストパターン化ディスク400から開始される。図5は、図4の処理を実行するべく設計されたシステムの全体構造を示す。工程440については、チャンバ1でのスカム除去/削り込み工程の後、ディスクをチャンバ2に移動させて薄いCOCをエッチングし、それによりハードマスクを形成する。ここでは、おそらく、COC層の上面にフォトレジストがいくらか残る。工程450では、磁気層をエッチングする。本例では、磁気層のエッチング工程は、冷却工程と交互に順次的に実行される。これは図5に示されており、ディスクは、チャンバ3で一面側にRIE(反応性イオンエッチング)を施され、チャンバ4で冷却され、さらに同一面側にエッチングを施され、その後に冷却工程に付される。その後、他面側について処理が繰り返される。本例では、ディスクの両面で磁気層のエッチング工程が完了した後でも、フォトレジストがいくらか残っている。その後、工程460で、炭素充填工程を実行し、その後にエッチバックを実行する。この工程を、チャンバ12及び3で繰り返してもよい。その後、炭素充填層をエッチバックして残留しているフォトレジストを感光させて剥離する(工程470)。最後に、チャンバ15及び16で、ディスク上に炭素保護層を形成する。
これまでに議論したパターン化媒体ディスクの製造例では、磁気層をエッチングするためにエッチング工程が必要である。以下では、ハードディスクドライブ(HDD)で使用されるハードディスクのスパッタリングには特に有益であるスパッタエッチングを実行するための新規な可動非接触電極を記載する。電極は、RFエネルギーをディスクに結合するべく、基板にほぼ接触しそうな、しかし接触しない距離へと移動する。エッチングされる材料は金属であってよく、たとえばCo/Pt/Crもしくは類似の金属であってよい。システムのいずれの部分による表面接触も許容されない。基板は搬送装置に垂直に保持され、両面がエッチングされなければならない。一つの実施の形態では、一面側を1つのチャンバでエッチングし、その後第2面側を次のチャンバでエッチングする。2つのチャンバ間には遮断弁が設置されており、ディスク搬送装置はディスクをチャンバ間で移動させる。搬送装置は、たとえば磁気車輪及びリニアモーターを用いたリニア駆動式搬送装置であってもよい。
図18は、本発明の実施の形態に係るパターン化媒体ディスクを製造するための非エッチング処理を示す。図19は、図18の処理を実行するべく設計されたシステムの全体構造を示す。本例では、イオン打ち込みを用いて磁気層のパターンを規定する。チャンバ1でのスカム除去/剥離処理の後、工程840でイオン打ち込みを実行する。図19に示すように、本例では、一度に一面側に対してイオン打ち込み処理を実行し、その間に冷却を行う。打ち込まれるのは、磁気層を打ち破ってそこにパターンを規定する、たとえばHe、N、又はArのイオンであってもよい。打ち込みが終了すると、工程850でフォトレジストを剥離する(チャンバ8)。その後、工程860で保護層を形成する(チャンバ11及び12)。
図20は、本発明の実施の形態に係るパターニングを最初に行なう処理(patterning−first)の例を示す。図20の処理は、基板2005上に形成されたSUL層2010上のフォトレジスト2030をパターニングすることにより開始される。次に、本明細書に開示された例のいずれかを用いて本発明の実施の形態にしたがい構成されたシステムにこの構造を移動させる。工程2040ではパターン化されたフォトレジストの上にハードマスク2032を形成する。工程2050では、ハードマスク2032から形成されるパターンのみが残るようにフォトレジストを除去する。工程2060では、ハードマスクをパターニングに用いてSUL層をエッチングする。この工程は、上記のようにディスクの各面を順次的にエッチングすることにより実行してもよい。次に、ハードマスクを除去してもよく(不図示)、その後エッチングされたパターンの上に工程2070でシード層2072及び磁気層2074を形成し、次に工程2080で炭素堆積/エッチバック及び保護層2082によってそれらを仕上げる。
Claims (20)
- パターン化媒体ハードディスクを製造する方法であって、
ディスク基板の上に磁気積層体を形成する工程と、
前記磁気積層体の上にフォトレジストを堆積させる工程と、
前記フォトレジストをパターニングする工程と、
製造システム内の真空環境に前記ディスクを移送し、前記真空環境から前記ディスクを取り出すことなしに、前記磁気積層体をエッチングし、エッチングされた前記磁気積層体の上に充填層を形成し、前記充填層をエッチバックし、前記充填層の上に保護層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする方法。 - 前記磁気積層体は、炭素オーバーコート(COC)層及び磁気層を含み、
前磁気積層体をエッチングする工程は、前記COC層をエッチングしてハードマスクを形成し、前記COCを用いて前記磁気層をエッチングすることを含む、
ことを特徴とする請求項1に係る方法。 - エッチバックする工程は、残留したフォトレジスト又はハードマスクを除去することをさらに含む
ことを特徴とする請求項2に係る方法。 - 前記磁気積層体をエッチングする工程の前に、前記フォトレジストの上にハードマスクを形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - エッチバックする工程は、残留したハードマスクを除去することをさらに含む
ことを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記磁気積層体のエッチングは、一度に前記ディスクの一面側に実行され、
前記真空環境での工程は、前記ディスクを冷却する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記ディスクを冷却する工程は、前記ディスクの各面をエッチングした後に実行される
ことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - パターン化媒体ハードディスクを製造する方法であって、
前記ディスクの上にフォトレジストを堆積させる工程と、
前記フォトレジストをパターニングしてマスクを形成する工程と、
製造システム内の真空環境に前記ディスクを移送し、前記真空環境から前記ディスクを取り出すことなしに、前記マスクを介して前記ディスクをエッチングし、エッチングされた前記ディスクの上に充填層を形成し、前記充填層をエッチバックし、前記充填層の上に保護層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする方法。 - 前記ディスクの上にフォトレジストを堆積させる工程は、軟下地層(SUL)の直上に前記フォトレジストを堆積させることを含み、
前記方法は、前記ディスクをエッチングする工程の後に、シード層を形成する工程及び磁気層を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記ディスクの上にフォトレジストを堆積させる工程は、前記ディスク基板の直上に前記フォトレジストを堆積させることを含み、
前記方法は、前記ディスクをエッチングする工程の後に、軟下地層を形成する工程、シード層を形成する工程、及び磁気層を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記ディスクをエッチングする工程の前に、前記フォトレジストの上にハードマスクを形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記ディスクをエッチングする工程の前に、前記フォトレジストの上にハードマスクを形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記ディスクのエッチングは、一度に前記ディスクの一面側に実行され、
前記真空環境での工程は、前記ディスクを冷却する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記ディスクのエッチングは、一度につき前記ディスクの一面側に実行され、
前記真空環境での工程は、前記ディスクを冷却する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項10に記載の方法。 - パターン化媒体ディスクを製造するシステムであって、
それぞれが独立の真空環境を有する複数の処理チャンバと、
1つのチャンバから次のチャンバへとディスク搬送装置を搬送する搬送システムと
を含み、
前記複数の処理チャンバは、
少なくとも1つのエッチングチャンバと、
少なくとも1つの充填/スパッタリングチャンバと、
少なくとも1つのエッチバックチャンバと
を含む
ことを特徴とするシステム。 - 前記エッチングチャンバの後に配置される冷却チャンバをさらに含む
ことを特徴とする請求項15に記載のシステム。 - 前記エッチングチャンバは、
第1の側と、前記第1の側に対向する第2の側とを有する主チャンバボディと、
前記第1の側に連結された前駆体ガス供給アセンブリと、
前記第2の側に連結された可動陰極アセンブリと
を含む
ことを特徴とする請求項15に記載のシステム。 - 前記複数の処理チャンバは、少なくとも第1及び第2のエッチングチャンバを含み、
前記第1のエッチングチャンバは、
第1の側と、前記第1の側に対向する第2の側とを有する第1の主チャンバボディと、
前記第1の側に連結された第1の前駆体ガス供給アセンブリと、
前記第2の側に連結された第1の可動陰極アセンブリと
を含み、
前記第2のエッチングチャンバは、前記第1のエッチングチャンバの後に続き、前記第2のエッチングチャンバは、
前記第2の側に対向する第3の側と、前記第1の側に対向する第4の側とを有する第2の主チャンバボディと、
前記第4の側に連結された第2の前駆体ガス供給アセンブリと、
前記第3の側に連結された第2の可動陰極アセンブリと
を含む
ことを特徴とする請求項15に記載のシステム。 - ハードマスクスパッタリングチャンバをさらに含む
ことを特徴とする請求項15に記載のシステム。 - ハードマスクエッチングチャンバをさらに含む
ことを特徴とする請求項15に記載のシステム。
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