JP2000239848A - Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置Info
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- JP2000239848A JP2000239848A JP11045923A JP4592399A JP2000239848A JP 2000239848 A JP2000239848 A JP 2000239848A JP 11045923 A JP11045923 A JP 11045923A JP 4592399 A JP4592399 A JP 4592399A JP 2000239848 A JP2000239848 A JP 2000239848A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非導電性の基板に対して非接触で、ＲＦバイ
アスをその基板表面に均一に印加して緻密なＣＶＤ薄膜
をその表面に均一に形成する。 【解決手段】 真空チャンバ１１内において、基板１５
の裏面側に、所定の間隔をあけて電極板１７を平行に配
置して、これら基板１５と電極板１７との間に静電結合
を生じさせ、高周波源１９からＲＦマッチングボックス
２０および導線性のシャフト１８を介して電極板１７に
高周波を印加し、さらに上記の静電結合を介して基板１
５に高周波バイアスを加える。
アスをその基板表面に均一に印加して緻密なＣＶＤ薄膜
をその表面に均一に形成する。 【解決手段】 真空チャンバ１１内において、基板１５
の裏面側に、所定の間隔をあけて電極板１７を平行に配
置して、これら基板１５と電極板１７との間に静電結合
を生じさせ、高周波源１９からＲＦマッチングボックス
２０および導線性のシャフト１８を介して電極板１７に
高周波を印加し、さらに上記の静電結合を介して基板１
５に高周波バイアスを加える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえばハード
ディスク記録装置の磁気ディスクなどの保護膜を形成す
るのに好適な、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に関する。
ディスク記録装置の磁気ディスクなどの保護膜を形成す
るのに好適な、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＣＲプラズマＣＶＤ技術とＲＦ基板バ
イアス方式との併用により緻密で均一な保護膜の形成が
可能であることが知られており、従来より、磁気ヘッド
製造の後工程における保護膜形成に利用されてきてい
る。アルミニウムディスクによりハードディスク記録装
置の磁気ディスクを製造する場合、その後工程で、同様
に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置においてＲＦ基板バイア
ス方式を採用することにより、高品位な保護膜を形成す
ることができる。この場合、基板保持器（爪）の形状に
依存せずに両面同時成膜させるため、パルス重畳したＤ
Ｃバイアスを基板に印加する方式が適している。
イアス方式との併用により緻密で均一な保護膜の形成が
可能であることが知られており、従来より、磁気ヘッド
製造の後工程における保護膜形成に利用されてきてい
る。アルミニウムディスクによりハードディスク記録装
置の磁気ディスクを製造する場合、その後工程で、同様
に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置においてＲＦ基板バイア
ス方式を採用することにより、高品位な保護膜を形成す
ることができる。この場合、基板保持器（爪）の形状に
依存せずに両面同時成膜させるため、パルス重畳したＤ
Ｃバイアスを基板に印加する方式が適している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バイアス印加方式のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置では、非
導電性のガラス基板に成膜できないという問題がある。
すなわち、昨今の磁気ディスク市場ではさらなる高密度
化が要求されており、その結果基板材料としてガラスが
使われているようになっているのであるが、これに対応
できない。
バイアス印加方式のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置では、非
導電性のガラス基板に成膜できないという問題がある。
すなわち、昨今の磁気ディスク市場ではさらなる高密度
化が要求されており、その結果基板材料としてガラスが
使われているようになっているのであるが、これに対応
できない。
【０００４】つまり、ガラス基板は非導電性であるた
め、ＤＣバイアスを印加することができないが、かとい
って、ＲＦバイアスを印加することも、バイアス分布が
基板保持器の爪構造に大きく依存して均一な膜を得るこ
とができないため、採用し得ない。また、基板にバイア
スをまったく印加しないことも考えられるが、生成され
る保護膜はやはり緻密な膜とはならず、保護膜として適
切な膜を形成することができない。
め、ＤＣバイアスを印加することができないが、かとい
って、ＲＦバイアスを印加することも、バイアス分布が
基板保持器の爪構造に大きく依存して均一な膜を得るこ
とができないため、採用し得ない。また、基板にバイア
スをまったく印加しないことも考えられるが、生成され
る保護膜はやはり緻密な膜とはならず、保護膜として適
切な膜を形成することができない。
【０００５】この発明は、上記に鑑み、ガラス基板等の
非導電性の基板に対して均一な膜を形成することができ
るように改善した、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
非導電性の基板に対して均一な膜を形成することができ
るように改善した、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において
は、外周に電磁コイルが設けられ且つマイクロ波が導入
されるＥＣＲプラズマ生成用キャビティと、該キャビテ
ィに連結されキャビティ内のプラズマがその内部に引き
出される真空チャンバと、該真空チャンバ内において電
位が加えられない状態で基板を保持する基板保持器と、
上記真空チャンバ内において、上記基板の上記キャビテ
ィとは反対側に、該基板に対して平行で且つ所定の間隔
を有するように設置される電極板と、該電極板に高周波
を印加する高周波印加装置とが備えられることが特徴と
なっている。
め、この発明によるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において
は、外周に電磁コイルが設けられ且つマイクロ波が導入
されるＥＣＲプラズマ生成用キャビティと、該キャビテ
ィに連結されキャビティ内のプラズマがその内部に引き
出される真空チャンバと、該真空チャンバ内において電
位が加えられない状態で基板を保持する基板保持器と、
上記真空チャンバ内において、上記基板の上記キャビテ
ィとは反対側に、該基板に対して平行で且つ所定の間隔
を有するように設置される電極板と、該電極板に高周波
を印加する高周波印加装置とが備えられることが特徴と
なっている。
【０００７】電極板が、基板の裏面側（ＥＣＲプラズマ
生成用キャビティとは反対側）において、基板と平行に
なるように真空チャンバ内に設置される。そして、基板
と電極板との間は、所定の間隔となるようにされてい
る。一方、基板は真空チャンバ内において電位が加えら
れない状態（電気的に浮いた状態）で保持されている。
そのため、電極板に高周波が印加されると、電極板と基
板との間の静電結合を介して、この高周波が基板にも印
加されることになる。これにより、非接触で基板に対し
て高周波バイアスの印加が可能になる。この場合、電極
板と基板とは平行でかつ所定の間隔を有するようにされ
ているため、基板の面に対して均一な高周波バイアス印
加ができ、基板表面に対する均一なＣＶＤ成膜ができ
る。基板に対して非接触で高周波バイアスを印加するこ
とができるので、基板の裏面を傷つけることがなく、そ
のため、その裏面側をキャビティ側に向けてその面での
ＣＶＤ成膜を行えば、基板両面における良好なＣＶＤ膜
を得ることができる。
生成用キャビティとは反対側）において、基板と平行に
なるように真空チャンバ内に設置される。そして、基板
と電極板との間は、所定の間隔となるようにされてい
る。一方、基板は真空チャンバ内において電位が加えら
れない状態（電気的に浮いた状態）で保持されている。
そのため、電極板に高周波が印加されると、電極板と基
板との間の静電結合を介して、この高周波が基板にも印
加されることになる。これにより、非接触で基板に対し
て高周波バイアスの印加が可能になる。この場合、電極
板と基板とは平行でかつ所定の間隔を有するようにされ
ているため、基板の面に対して均一な高周波バイアス印
加ができ、基板表面に対する均一なＣＶＤ成膜ができ
る。基板に対して非接触で高周波バイアスを印加するこ
とができるので、基板の裏面を傷つけることがなく、そ
のため、その裏面側をキャビティ側に向けてその面での
ＣＶＤ成膜を行えば、基板両面における良好なＣＶＤ膜
を得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１に示す
ように、この発明にかかるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置１
０は、真空チャンバ１１と、これに連結されたキャビテ
ィ１２とを備える。キャビティ１２の外周には電磁コイ
ル１３が設けられ、導波管１４を通じてたとえば２．４
５ＧＨｚのマイクロ波が導入され、これによってＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）放電によるプラズマがキャ
ビティ１２内に形成される。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１に示す
ように、この発明にかかるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置１
０は、真空チャンバ１１と、これに連結されたキャビテ
ィ１２とを備える。キャビティ１２の外周には電磁コイ
ル１３が設けられ、導波管１４を通じてたとえば２．４
５ＧＨｚのマイクロ波が導入され、これによってＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）放電によるプラズマがキャ
ビティ１２内に形成される。
【０００９】このプラズマは、発散磁場によって真空チ
ャンバ１１内に引き出される。真空チャンバ１１内に
は、保護膜を形成すべき基板１５が電位が加えられない
状態で配置されている。この例では基板１５は磁気ディ
スクとなるガラス基板であり、カルーセル（回転荷台）
１６によって保持されている。
ャンバ１１内に引き出される。真空チャンバ１１内に
は、保護膜を形成すべき基板１５が電位が加えられない
状態で配置されている。この例では基板１５は磁気ディ
スクとなるガラス基板であり、カルーセル（回転荷台）
１６によって保持されている。
【００１０】そして、この真空チャンバ１１内には、導
電性の金属の電極板１７が設置されている。この電極板
１７は、基板１５の裏面側（キャビティ１２と反対側）
に、この基板１５と平行に、所定の間隔たとえば０．５
ｍｍ〜５ｍｍ程度の間隔を置いて、配置されている。こ
の電極板１７の表面は粗に形成されている。電極板１７
には、導電性のシャフト１８が取り付けられており、こ
れを通じて、高周波源１９からのたとえば１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波が、ＲＦマッチングボックス２０を介し
て、給電されている。このＲＦマッチングボックス２０
はインピーダンス整合をとって反射波を防止するための
もので、ＬＣ回路により構成されている。
電性の金属の電極板１７が設置されている。この電極板
１７は、基板１５の裏面側（キャビティ１２と反対側）
に、この基板１５と平行に、所定の間隔たとえば０．５
ｍｍ〜５ｍｍ程度の間隔を置いて、配置されている。こ
の電極板１７の表面は粗に形成されている。電極板１７
には、導電性のシャフト１８が取り付けられており、こ
れを通じて、高周波源１９からのたとえば１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波が、ＲＦマッチングボックス２０を介し
て、給電されている。このＲＦマッチングボックス２０
はインピーダンス整合をとって反射波を防止するための
もので、ＬＣ回路により構成されている。
【００１１】基板１５の表面（キャビティ１２側）に保
護膜を形成する場合、図では省略しているガス導入系か
ら真空チャンバ１１内に炭化水素ガス（あるいはこれと
アルゴンガスの混合ガス）が導入される。すると、キャ
ビティ１２内では、ＥＣＲプラズマにより電離作用が生
じ、プラスの炭素イオン、水素イオン、炭化水素イオン
が生成する。このイオンは真空チャンバ１１内に引き出
され、基板１５に向かい、その表面に付着する。こうし
て、炭素系のＤＬＣ薄膜（ダイアモンド状薄膜）が基板
１５の表面に形成される。このＤＬＣ薄膜は、耐腐食性
および耐摩耗性に優れており、磁気ディスクの保護膜と
して最適である。
護膜を形成する場合、図では省略しているガス導入系か
ら真空チャンバ１１内に炭化水素ガス（あるいはこれと
アルゴンガスの混合ガス）が導入される。すると、キャ
ビティ１２内では、ＥＣＲプラズマにより電離作用が生
じ、プラスの炭素イオン、水素イオン、炭化水素イオン
が生成する。このイオンは真空チャンバ１１内に引き出
され、基板１５に向かい、その表面に付着する。こうし
て、炭素系のＤＬＣ薄膜（ダイアモンド状薄膜）が基板
１５の表面に形成される。このＤＬＣ薄膜は、耐腐食性
および耐摩耗性に優れており、磁気ディスクの保護膜と
して最適である。
【００１２】ここで、電極板１７に高周波が加えられて
おり、基板１５が電気的にフローティング状態となって
いて、且つ基板１５と電極板１７とが所定の間隔をあけ
て平行に配置されてその間で静電結合が生じるようにさ
れているので、この静電結合を通じて高周波バイアスが
基板１５に印加されることになる。基板１５と電極板１
７とは平行になっているので、基板１５の表面に均一に
高周波バイアス印加することができる。そのため、基板
１５の表面において、均一なＤＬＣ膜をきわめて緻密に
形成することができる。
おり、基板１５が電気的にフローティング状態となって
いて、且つ基板１５と電極板１７とが所定の間隔をあけ
て平行に配置されてその間で静電結合が生じるようにさ
れているので、この静電結合を通じて高周波バイアスが
基板１５に印加されることになる。基板１５と電極板１
７とは平行になっているので、基板１５の表面に均一に
高周波バイアス印加することができる。そのため、基板
１５の表面において、均一なＤＬＣ膜をきわめて緻密に
形成することができる。
【００１３】また、非接触でＲＦ給電できるため、裏面
に傷がつくこともない。そのため、裏返して再度ＣＶＤ
薄膜形成すれば、両面において良好なＤＬＣ薄膜の形成
ができる。
に傷がつくこともない。そのため、裏返して再度ＣＶＤ
薄膜形成すれば、両面において良好なＤＬＣ薄膜の形成
ができる。
【００１４】電極板１７の表面は上記したように、粗に
なっているが、これはメンテナンス性を考慮したためで
ある。すなわち、ディスク基板１５の中心孔などを通っ
てきたイオンが電極板１７の表面に付着するが、電極板
１７の表面が粗になっていると、その表面に付着した膜
が剥離しにくくなる。電極板１７に付着した膜が剥離す
ると、パーティクルとなって基板１５に悪影響を与える
ことになるが、その剥離を防止することによって、その
悪影響をなくすことができる。
なっているが、これはメンテナンス性を考慮したためで
ある。すなわち、ディスク基板１５の中心孔などを通っ
てきたイオンが電極板１７の表面に付着するが、電極板
１７の表面が粗になっていると、その表面に付着した膜
が剥離しにくくなる。電極板１７に付着した膜が剥離す
ると、パーティクルとなって基板１５に悪影響を与える
ことになるが、その剥離を防止することによって、その
悪影響をなくすことができる。
【００１５】磁気ディスク基板を一貫製造する場合、図
２に示すように、加熱・冷却などの処理を行う処理装置
や、磁性膜を形成するためのスパッタ装置などの複数の
処理装置２１を円形に配置し、ガラス基板をカルーセル
で保持して各ステージに順次移行させる。この終りに近
い工程で、ディスク基板に保護膜を形成するため、上記
のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置１０を２台、互いに反対方
向に配置する。すなわち、基板を裏返すのではなく、互
いに反対方向に配置された２台のＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置１０に、順次基板を、表裏方向は変えずに移送し、
それぞれで片面ずつの成膜を行うことにより、基板両面
で保護膜を形成する。
２に示すように、加熱・冷却などの処理を行う処理装置
や、磁性膜を形成するためのスパッタ装置などの複数の
処理装置２１を円形に配置し、ガラス基板をカルーセル
で保持して各ステージに順次移行させる。この終りに近
い工程で、ディスク基板に保護膜を形成するため、上記
のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置１０を２台、互いに反対方
向に配置する。すなわち、基板を裏返すのではなく、互
いに反対方向に配置された２台のＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置１０に、順次基板を、表裏方向は変えずに移送し、
それぞれで片面ずつの成膜を行うことにより、基板両面
で保護膜を形成する。
【００１６】なお、上の記載は、この発明の一つの実施
形態を説明するもので、この発明がこの記述に限定され
る趣旨でないことはもちろんである。具体的な構成など
は種々に変更可能である。
形態を説明するもので、この発明がこの記述に限定され
る趣旨でないことはもちろんである。具体的な構成など
は種々に変更可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置によれば、非導電性の基板に対して
非接触でＲＦバイアスを、その基板表面に均一に印加す
ることができ、これによって緻密なＣＶＤ薄膜をその表
面に均一に形成することができる。
プラズマＣＶＤ装置によれば、非導電性の基板に対して
非接触でＲＦバイアスを、その基板表面に均一に印加す
ることができ、これによって緻密なＣＶＤ薄膜をその表
面に均一に形成することができる。
【図１】この発明の実施の形態を示す模式図。
【図２】この発明によるＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を利
用した磁気ディスク基板の一貫製造システムを示す概念
図。
用した磁気ディスク基板の一貫製造システムを示す概念
図。
１０ ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置 １１ 真空チャンバ １２ ＥＣＲプラズマ生成用チャンバ １３ 電磁コイル １４ 導波管 １５ 基板 １６ カルーセル １７ 電極板 １８ シャフト １９ 高周波源 ２０ ＲＦマッチングボックス ２１ 処理装置
Claims (1)
- 【請求項１】 外周に電磁コイルが設けられ且つマイク
ロ波が導入されるＥＣＲプラズマ生成用キャビティと、
該キャビティに連結されキャビティ内のプラズマがその
内部に引き出される真空チャンバと、該真空チャンバ内
において電位が加えられない状態で基板を保持する基板
保持器と、上記真空チャンバ内において、上記基板の上
記キャビティとは反対側に、該基板に対して平行で且つ
所定の間隔を有するように設置される電極板と、該電極
板に高周波を印加する高周波印加装置とを備えることを
特徴とするＥＣＲプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045923A JP2000239848A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
| US09/502,488 US6268582B1 (en) | 1999-02-24 | 2000-02-11 | ECR plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045923A JP2000239848A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000239848A true JP2000239848A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=12732788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11045923A Pending JP2000239848A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000239848A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011507133A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
| JP7017832B1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-02-09 | 株式会社シンクロン | バイアス印加装置 |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP11045923A patent/JP2000239848A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011507133A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
| JP2011507134A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
| JP2011507131A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | パターン化媒体を商業的に製造するシステム及び方法 |
| JP2013225370A (ja) * | 2007-12-06 | 2013-10-31 | Intevac Inc | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
| US8784622B2 (en) | 2007-12-06 | 2014-07-22 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
| KR101548398B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2015-08-28 | 인테벡, 인코포레이티드 | 기판의 양면 스퍼터 에칭을 위한 시스템 및 방법 |
| US9165587B2 (en) | 2007-12-06 | 2015-10-20 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
| JP7017832B1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-02-09 | 株式会社シンクロン | バイアス印加装置 |
| WO2022259368A1 (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-15 | 株式会社シンクロン | バイアス印加装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050401 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050404 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050802 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070521 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071129 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080422 |