JP2000163741A - ディスク基板の製造装置 - Google Patents
ディスク基板の製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングチャンバとＥＣＲ−ＣＶＤチ
ャンバとを混在させて下地層、磁性層、保護層の一貫成
膜を行うとともに、ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバによる均一
で薄い優れた保護層を成膜する。 【解決手段】 加熱装置１１、スパッタリングチャンバ
１２、１３およびＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４を並べ、
これらにガラス基板２１を順次搬送して、加熱、下地層
成膜、磁性層成膜および保護層成膜を行う。ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤチャンバ１４では、ガラス基板２１のみ負電位とし
て、ガラス基板２１の表面にのみ緊密・強固な成膜を行
い、保護層として、耐腐食性・耐摩耗性に優れかつ薄く
て均一なＤＬＣ膜を成膜し、反応室はグランド電位に
し、その内壁に成膜材料が付着してもやわらかな状態で
付着し、剥離することがないようにする。
ャンバとを混在させて下地層、磁性層、保護層の一貫成
膜を行うとともに、ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバによる均一
で薄い優れた保護層を成膜する。 【解決手段】 加熱装置１１、スパッタリングチャンバ
１２、１３およびＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４を並べ、
これらにガラス基板２１を順次搬送して、加熱、下地層
成膜、磁性層成膜および保護層成膜を行う。ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤチャンバ１４では、ガラス基板２１のみ負電位とし
て、ガラス基板２１の表面にのみ緊密・強固な成膜を行
い、保護層として、耐腐食性・耐摩耗性に優れかつ薄く
て均一なＤＬＣ膜を成膜し、反応室はグランド電位に
し、その内壁に成膜材料が付着してもやわらかな状態で
付着し、剥離することがないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ディスク基
板や光磁気ディスク基板等のディスク基板を製造する装
置に関し、とくに一連の成膜工程を一貫工程として順次
行うことにより基板上に下地層、磁性層（反射層）等を
順次成膜した後、保護層を成膜してディスク基板を製造
する装置に関する。
板や光磁気ディスク基板等のディスク基板を製造する装
置に関し、とくに一連の成膜工程を一貫工程として順次
行うことにより基板上に下地層、磁性層（反射層）等を
順次成膜した後、保護層を成膜してディスク基板を製造
する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスク基板は、通常、ガラスやアルミニウム等
のディスク基板の表面にクロム等の下地層（配向層）を
成膜した後、コバルト等の磁性層を成膜し、さらにその
上に保護膜を設けて作られる。また、光磁気ディスク基
板は、プラスチックのディスク基板の表面にＳｉＮ層を
設けた後磁性層（反射層）を設け、さらにＳｉＮ層を設
けた後最後に保護層を成膜して作られる。
る磁気ディスク基板は、通常、ガラスやアルミニウム等
のディスク基板の表面にクロム等の下地層（配向層）を
成膜した後、コバルト等の磁性層を成膜し、さらにその
上に保護膜を設けて作られる。また、光磁気ディスク基
板は、プラスチックのディスク基板の表面にＳｉＮ層を
設けた後磁性層（反射層）を設け、さらにＳｉＮ層を設
けた後最後に保護層を成膜して作られる。
【０００３】従来では、これらの下地層、磁性層、保護
層等をスパッタリング装置を用いて一貫工程として成膜
していた。すなわち、複数のスパッタリングチャンバを
並べ、そのそれぞれで下地層、磁性層、保護層を成膜す
るようにし、ディスク基板をそれらのスパッタリングチ
ャンバに順次移送していくようにし、このように一貫工
程として一連の成膜工程を行うことにより、ディスク基
板製造の効率性を高めるようにしている。
層等をスパッタリング装置を用いて一貫工程として成膜
していた。すなわち、複数のスパッタリングチャンバを
並べ、そのそれぞれで下地層、磁性層、保護層を成膜す
るようにし、ディスク基板をそれらのスパッタリングチ
ャンバに順次移送していくようにし、このように一貫工
程として一連の成膜工程を行うことにより、ディスク基
板製造の効率性を高めるようにしている。
【０００４】この場合、スパッタリングチャンバで成膜
する保護層は、カーボンをターゲットとしたカーボン
層、水素化カーボン膜、窒化カーボン膜等となるが、プ
ラズマＣＶＤ法を用いれば、スパッタリング膜よりも耐
腐食性および耐摩耗性に優れたＤＬＣ膜（ダイアモンド
状薄膜）を成膜することができる。スパッタリング法に
よるカーボン系の保護膜は、プラズマＣＶＤ法によるＤ
ＬＣ膜と比べて、薄膜化した場合、耐腐食性、耐摩耗性
等において劣る。とくに膜厚５．０ｎｍ以下のような薄
膜では、スパッタリング法に代えてＣＶＤ法によるＤＬ
Ｃ膜が必要である。そこで、スパッタリングシステムと
プラズマＣＶＤシステムとを組み合わせて一貫成膜する
ことが検討されている。
する保護層は、カーボンをターゲットとしたカーボン
層、水素化カーボン膜、窒化カーボン膜等となるが、プ
ラズマＣＶＤ法を用いれば、スパッタリング膜よりも耐
腐食性および耐摩耗性に優れたＤＬＣ膜（ダイアモンド
状薄膜）を成膜することができる。スパッタリング法に
よるカーボン系の保護膜は、プラズマＣＶＤ法によるＤ
ＬＣ膜と比べて、薄膜化した場合、耐腐食性、耐摩耗性
等において劣る。とくに膜厚５．０ｎｍ以下のような薄
膜では、スパッタリング法に代えてＣＶＤ法によるＤＬ
Ｃ膜が必要である。そこで、スパッタリングシステムと
プラズマＣＶＤシステムとを組み合わせて一貫成膜する
ことが検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
スパッタリングシステムとプラズマＣＶＤシステムとを
混在させて一貫成膜工程を構成することは困難であっ
た。すなわち、プラズマＣＶＤシステムでは、成膜材料
が、対象である基板だけでなくチャンバ内壁のいたる場
所に付着する。そして、そのチャンバ内壁に付着した成
膜材料が剥離してパーティクル（小片や粒子）となって
漂ったりする。そのため、このようなプラズマＣＶＤシ
ステムがスパッタリングシステムに隣接していると、ス
パッタリングシステムがパーティクル汚染され悪影響が
生じやすい。とくにスパッタの対象物（基板）だけでな
くターゲットも汚染されてしまう問題が生じる。そこ
で、従来ではスパッタリングシステムとプラズマＣＶＤ
システムとを隣接させて並べて一連の成膜工程を一貫し
て行っていくという構成をとると、パーティクル発生の
問題が多かったのである。
スパッタリングシステムとプラズマＣＶＤシステムとを
混在させて一貫成膜工程を構成することは困難であっ
た。すなわち、プラズマＣＶＤシステムでは、成膜材料
が、対象である基板だけでなくチャンバ内壁のいたる場
所に付着する。そして、そのチャンバ内壁に付着した成
膜材料が剥離してパーティクル（小片や粒子）となって
漂ったりする。そのため、このようなプラズマＣＶＤシ
ステムがスパッタリングシステムに隣接していると、ス
パッタリングシステムがパーティクル汚染され悪影響が
生じやすい。とくにスパッタの対象物（基板）だけでな
くターゲットも汚染されてしまう問題が生じる。そこ
で、従来ではスパッタリングシステムとプラズマＣＶＤ
システムとを隣接させて並べて一連の成膜工程を一貫し
て行っていくという構成をとると、パーティクル発生の
問題が多かったのである。
【０００６】この発明は、上記に鑑み、プラズマＣＶＤ
システムでのパーティクル発生の問題を解決して、スパ
ッタリングシステムとプラズマＣＶＤシステムとを混在
させて下地層、磁性層等の各層を成膜した後、その上に
保護層を成膜するという一貫成膜を可能とするディスク
基板の製造装置を提供することを目的とする。
システムでのパーティクル発生の問題を解決して、スパ
ッタリングシステムとプラズマＣＶＤシステムとを混在
させて下地層、磁性層等の各層を成膜した後、その上に
保護層を成膜するという一貫成膜を可能とするディスク
基板の製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明によるディスク基板の製造装置において
は、基板表面に所定材料の層を成膜するスパッタリング
手段と、この層上に保護層を成膜する、基板のみに負電
圧が印加され、反応室はグランド電位とされる、ＥＣＲ
−ＣＶＤ手段と、基板を上記のスパッタリング手段およ
びＥＣＲ−ＣＶＤ手段に順次搬送する搬送手段とが備え
られていることが特徴となっている。
め、この発明によるディスク基板の製造装置において
は、基板表面に所定材料の層を成膜するスパッタリング
手段と、この層上に保護層を成膜する、基板のみに負電
圧が印加され、反応室はグランド電位とされる、ＥＣＲ
−ＣＶＤ手段と、基板を上記のスパッタリング手段およ
びＥＣＲ−ＣＶＤ手段に順次搬送する搬送手段とが備え
られていることが特徴となっている。
【０００８】ＥＣＲ−ＣＶＤ手段の反応室はグランド電
位とされ、基板のみが負電位にされる。そのため、プラ
ズマイオンとなった保護層の成膜材料は、基板にのみ緊
密・強固に付着し、反応室の内壁部にはやわらかな（ふ
わふわした）状態で付着する。成膜材料が緊密・強固に
付着した場合は、ある程度厚くなると、内部のストレス
が高まり、剥離するが、やわらかに付着した場合はかな
り厚くなっても内部ストレスは低く、剥離することは少
ない。そこで、反応室の内壁に成膜材料が付着し、これ
が剥離してパーティクルとなることが避けられる。この
ようにスパッタリング手段に悪影響を与えるようなパー
ティクルの発生を抑えることができるため、このＥＣＲ
−ＣＶＤ手段をスパッタリング手段と混在させて一連の
成膜工程を構成することが可能となる。したがって、そ
の保護層として耐腐食性および耐摩耗性に優れたＤＬＣ
膜をＥＣＲーＣＶＤ手段によって薄くかつ均一に成膜し
ながら、一貫工程によってディスク基板に下地層、磁性
層等を成膜した後で、その上に保護層を順次成膜するこ
とが可能となり、製造効率を高めることができる。
位とされ、基板のみが負電位にされる。そのため、プラ
ズマイオンとなった保護層の成膜材料は、基板にのみ緊
密・強固に付着し、反応室の内壁部にはやわらかな（ふ
わふわした）状態で付着する。成膜材料が緊密・強固に
付着した場合は、ある程度厚くなると、内部のストレス
が高まり、剥離するが、やわらかに付着した場合はかな
り厚くなっても内部ストレスは低く、剥離することは少
ない。そこで、反応室の内壁に成膜材料が付着し、これ
が剥離してパーティクルとなることが避けられる。この
ようにスパッタリング手段に悪影響を与えるようなパー
ティクルの発生を抑えることができるため、このＥＣＲ
−ＣＶＤ手段をスパッタリング手段と混在させて一連の
成膜工程を構成することが可能となる。したがって、そ
の保護層として耐腐食性および耐摩耗性に優れたＤＬＣ
膜をＥＣＲーＣＶＤ手段によって薄くかつ均一に成膜し
ながら、一貫工程によってディスク基板に下地層、磁性
層等を成膜した後で、その上に保護層を順次成膜するこ
とが可能となり、製造効率を高めることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。この発明に
かかるディスク基板の製造装置は、図１に示すように、
一貫成膜装置１０として構成されている。ここでは、こ
の一貫成膜装置１０は、ガラス基板２１を用いて磁気デ
ィスク基板を製造するものとしており、ガラス基板２１
を加熱する加熱装置１１と、下地層成膜用のスパッタリ
ングチャンバ１２と、磁性層成膜用のスパッタリングチ
ャンバ１３と、ＤＬＣ保護層成膜用のＥＣＲ−ＣＶＤチ
ャンバ１４とを含み、さらに図では省略しているが、ガ
ラス基板２１をこれらの加熱装置１１、スパッタリング
チャンバ１２、１３、ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４に搬
送・出し入れする搬送装置や真空吸引装置、ガス供給装
置、電圧印加装置、それらの制御装置などを含んで構成
されている。これら搬送装置、真空吸引装置、ガス供給
装置、電圧印加装置、制御装置などは加熱、スパッタリ
ング、ＥＣＲ−ＣＶＤに共通のものとして構成される。
１枚のガラス基板２１について見れば、搬送装置によっ
て加熱装置１１、スパッタリングチャンバ１２、１３、
ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４と順番に搬送されるが、装
置１１〜１４の各々で同時に１枚ずつのガラス基板２１
の処理を行うようにして生産性を高めている。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。この発明に
かかるディスク基板の製造装置は、図１に示すように、
一貫成膜装置１０として構成されている。ここでは、こ
の一貫成膜装置１０は、ガラス基板２１を用いて磁気デ
ィスク基板を製造するものとしており、ガラス基板２１
を加熱する加熱装置１１と、下地層成膜用のスパッタリ
ングチャンバ１２と、磁性層成膜用のスパッタリングチ
ャンバ１３と、ＤＬＣ保護層成膜用のＥＣＲ−ＣＶＤチ
ャンバ１４とを含み、さらに図では省略しているが、ガ
ラス基板２１をこれらの加熱装置１１、スパッタリング
チャンバ１２、１３、ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４に搬
送・出し入れする搬送装置や真空吸引装置、ガス供給装
置、電圧印加装置、それらの制御装置などを含んで構成
されている。これら搬送装置、真空吸引装置、ガス供給
装置、電圧印加装置、制御装置などは加熱、スパッタリ
ング、ＥＣＲ−ＣＶＤに共通のものとして構成される。
１枚のガラス基板２１について見れば、搬送装置によっ
て加熱装置１１、スパッタリングチャンバ１２、１３、
ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４と順番に搬送されるが、装
置１１〜１４の各々で同時に１枚ずつのガラス基板２１
の処理を行うようにして生産性を高めている。
【００１０】ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４は、たとえば
図２に示すように構成される。すなわち、真空チャンバ
４１の左右両側面の窓にキャビティ４２、４２が連結さ
れ、このキャビティ４２、４２の各々にマイクロ波を導
入するための導波管４３、４３が取り付けられている。
キャビティ４２、４２の各々には、その周囲にマグネッ
トコイル４４、４５が設けられて、キャビティ４２、４
２内でＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマが発
生するようにされている。
図２に示すように構成される。すなわち、真空チャンバ
４１の左右両側面の窓にキャビティ４２、４２が連結さ
れ、このキャビティ４２、４２の各々にマイクロ波を導
入するための導波管４３、４３が取り付けられている。
キャビティ４２、４２の各々には、その周囲にマグネッ
トコイル４４、４５が設けられて、キャビティ４２、４
２内でＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマが発
生するようにされている。
【００１１】導波管４３により２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波をキャビティ４２内に導入し、同時にマグネットコ
イル４４、４５により磁場を形成することにより、ＥＣ
Ｒを発生させて活性なＥＣＲプラズマを形成する。この
ＥＣＲプラズマは、マグネットコイル４４、４５により
真空チャンバ４１内に形成されたミラー磁場あるいはカ
スプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ４１内に引
き出される。
ロ波をキャビティ４２内に導入し、同時にマグネットコ
イル４４、４５により磁場を形成することにより、ＥＣ
Ｒを発生させて活性なＥＣＲプラズマを形成する。この
ＥＣＲプラズマは、マグネットコイル４４、４５により
真空チャンバ４１内に形成されたミラー磁場あるいはカ
スプ磁場等の適宜な磁場により真空チャンバ４１内に引
き出される。
【００１２】真空チャンバ４１内には、ガス導入系４６
を通じてＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは不活性
ガスとＣｎＨｍガスとの混合ガスが導入されており、こ
のＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオン化さ
れ、炭素イオンおよび水素イオンが真空チャンバ４１内
に充満する。ガラス基板２１は基板ホルダ２２によって
ホールドされてこの真空チャンバ４１内に配置され、電
圧印加装置４７によって負の電圧（直流電圧または直流
電圧に高周波電圧を重畳したもの）が加えられている。
を通じてＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）あるいは不活性
ガスとＣｎＨｍガスとの混合ガスが導入されており、こ
のＣｎＨｍガスがＥＣＲプラズマによってイオン化さ
れ、炭素イオンおよび水素イオンが真空チャンバ４１内
に充満する。ガラス基板２１は基板ホルダ２２によって
ホールドされてこの真空チャンバ４１内に配置され、電
圧印加装置４７によって負の電圧（直流電圧または直流
電圧に高周波電圧を重畳したもの）が加えられている。
【００１３】真空チャンバ４１およびキャビティ４２、
４２の内壁をすべて被うように、金属製の防着板５１が
設けられている。キャビティ４２、４２の導波管４３、
４３との接続窓には、マイクロ波の導入を妨げないよ
う、ガラスで構成された防着板５２が取り付けられる。
この真空チャンバ４１はグランド電位とされている。ま
た、この真空チャンバ４１の内壁に接している防着板５
１、５２もグランド電位となる。
４２の内壁をすべて被うように、金属製の防着板５１が
設けられている。キャビティ４２、４２の導波管４３、
４３との接続窓には、マイクロ波の導入を妨げないよ
う、ガラスで構成された防着板５２が取り付けられる。
この真空チャンバ４１はグランド電位とされている。ま
た、この真空チャンバ４１の内壁に接している防着板５
１、５２もグランド電位となる。
【００１４】ＥＣＲ−ＣＶＤ法では、イオンビームアシ
ストＣＶＤ法や平行平板型ＣＶＤ法などの他のプラズマ
ＣＶＤ法と異なり、負電位の表面に緊密・強固なＤＬＣ
膜が成膜し、グランド電位とされた表面にはやわらかい
状態で付着するという性質がある。そのため、負電位の
ガラス基板２１の両面に、プラズマ化した炭素イオンお
よび水素イオンが緊密・堅固に付着し、両面同時にＤＬ
Ｃ膜の成膜がなされる。これに対して、真空チャンバ４
１の内壁および防着板５１、５２にプラズマイオンが付
着したとしても、やわらかい（ふわふわした）状態で付
着することとなり、厚く成長しても、内部のストレスは
大きくはならず、そのため剥離したりすることはない。
ストＣＶＤ法や平行平板型ＣＶＤ法などの他のプラズマ
ＣＶＤ法と異なり、負電位の表面に緊密・強固なＤＬＣ
膜が成膜し、グランド電位とされた表面にはやわらかい
状態で付着するという性質がある。そのため、負電位の
ガラス基板２１の両面に、プラズマ化した炭素イオンお
よび水素イオンが緊密・堅固に付着し、両面同時にＤＬ
Ｃ膜の成膜がなされる。これに対して、真空チャンバ４
１の内壁および防着板５１、５２にプラズマイオンが付
着したとしても、やわらかい（ふわふわした）状態で付
着することとなり、厚く成長しても、内部のストレスは
大きくはならず、そのため剥離したりすることはない。
【００１５】そして、防着板５１、５２は特別な表面処
理を施すことによって炭素イオンや水素イオンが付着し
ないようにしたものである。そのため、この防着板５
１、５２によって、炭素イオンや水素イオンが真空チャ
ンバ４１等の内壁に付着すること自体が防がれる。真空
チャンバ４１等の内壁に成膜材料が付着し、これが剥離
してパーティクルを生じる、という事態を防ぐことがで
きる。
理を施すことによって炭素イオンや水素イオンが付着し
ないようにしたものである。そのため、この防着板５
１、５２によって、炭素イオンや水素イオンが真空チャ
ンバ４１等の内壁に付着すること自体が防がれる。真空
チャンバ４１等の内壁に成膜材料が付着し、これが剥離
してパーティクルを生じる、という事態を防ぐことがで
きる。
【００１６】このようにパーティクルの発生を防ぐこと
ができるＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４を用いたことによ
り、下地層・磁性層用のスパッタリングチャンバ１２、
１３に悪影響が及ぶのを避けることができるので、スパ
ッタリングチャンバ１２、１３と並べてＥＣＲ−ＣＶＤ
チャンバ１４を配置し、一連の成膜を順次行っていく一
貫成膜装置１０を構成できる。
ができるＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４を用いたことによ
り、下地層・磁性層用のスパッタリングチャンバ１２、
１３に悪影響が及ぶのを避けることができるので、スパ
ッタリングチャンバ１２、１３と並べてＥＣＲ−ＣＶＤ
チャンバ１４を配置し、一連の成膜を順次行っていく一
貫成膜装置１０を構成できる。
【００１７】したがって、この一貫成膜装置１０におい
ては、たとえば、図２に示すようにガラス基板２１をホ
ルダ２２で保持した状態で搬送装置のロボットアーム等
で把持して搬送することにより、加熱装置１１、下地層
成膜用スパッタリングチャンバ１２、磁性層成膜用スパ
ッタリングチャンバ１３、ＤＬＣ膜の成膜用ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤチャンバ１４などに出し入れしながら、順次送っ
て、ガラス基板２１の表面に下地層、磁性層、保護層を
順次成膜するという一連の成膜工程を効率良く行うこと
が可能になる。つまり、加熱装置１１、スパッタリング
チャンバ１２、１３、ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４の各
々で同時に一定時間の処理を並行して行い、その一定時
間の処理が終わったらいっせいに各処理の終わったガラ
ス基板２１をつぎの工程に送るというようにして、磁気
ディスク基板製造の生産性を高めることができる。この
場合、その一定時間の処理では膜厚が不足であるなら、
その厚さが不足する成膜を行うチャンバを複数個並べて
これらにガラス基板２１を順次移送する。たとえば磁性
層の膜厚が不足する場合には、磁性層成膜用スパッタリ
ングチャンバ１３を複数個並べ、これらにガラス基板２
１を順次送ることによってそれらの各々で所定の厚さず
つ磁性層を設け、その所定厚さの磁性層の複数層で所望
の膜厚を満足させる。
ては、たとえば、図２に示すようにガラス基板２１をホ
ルダ２２で保持した状態で搬送装置のロボットアーム等
で把持して搬送することにより、加熱装置１１、下地層
成膜用スパッタリングチャンバ１２、磁性層成膜用スパ
ッタリングチャンバ１３、ＤＬＣ膜の成膜用ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤチャンバ１４などに出し入れしながら、順次送っ
て、ガラス基板２１の表面に下地層、磁性層、保護層を
順次成膜するという一連の成膜工程を効率良く行うこと
が可能になる。つまり、加熱装置１１、スパッタリング
チャンバ１２、１３、ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ１４の各
々で同時に一定時間の処理を並行して行い、その一定時
間の処理が終わったらいっせいに各処理の終わったガラ
ス基板２１をつぎの工程に送るというようにして、磁気
ディスク基板製造の生産性を高めることができる。この
場合、その一定時間の処理では膜厚が不足であるなら、
その厚さが不足する成膜を行うチャンバを複数個並べて
これらにガラス基板２１を順次移送する。たとえば磁性
層の膜厚が不足する場合には、磁性層成膜用スパッタリ
ングチャンバ１３を複数個並べ、これらにガラス基板２
１を順次送ることによってそれらの各々で所定の厚さず
つ磁性層を設け、その所定厚さの磁性層の複数層で所望
の膜厚を満足させる。
【００１８】なお、スパッタリングチャンバ１２、１３
としては、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ
リングチャンバやＤＣ（あるいはＲＦ）マグネトロンス
パッタリングチャンバなどを用いることができる。ま
た、ディスク基板してはガラス以外にアルミニウム等の
金属やプラスチックなどを使用できるし、上記のような
磁気ディスク基板に限らず、光磁気ディスク基板などの
製造に適用可能である。その他、この発明の趣旨を逸脱
しない範囲で具体的な構成などを種々に変更できること
はいうまでもない。
としては、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ
リングチャンバやＤＣ（あるいはＲＦ）マグネトロンス
パッタリングチャンバなどを用いることができる。ま
た、ディスク基板してはガラス以外にアルミニウム等の
金属やプラスチックなどを使用できるし、上記のような
磁気ディスク基板に限らず、光磁気ディスク基板などの
製造に適用可能である。その他、この発明の趣旨を逸脱
しない範囲で具体的な構成などを種々に変更できること
はいうまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のディス
ク基板の製造装置によれば、プラズマＣＶＤ法のうちの
ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いることによってＣＶＤチャンバ
におけるパーティクルの発生を抑えることができる。そ
のためディスク基板にスパッタリング手段によって下地
層、磁性層等を順次成膜した後、ＥＣＲ−ＣＶＤ手段に
よる性能に優れた、薄い、均一な保護層を成膜するとい
う一連の成膜工程を一貫工程として行い、製造効率を高
めることができる。
ク基板の製造装置によれば、プラズマＣＶＤ法のうちの
ＥＣＲ−ＣＶＤ法を用いることによってＣＶＤチャンバ
におけるパーティクルの発生を抑えることができる。そ
のためディスク基板にスパッタリング手段によって下地
層、磁性層等を順次成膜した後、ＥＣＲ−ＣＶＤ手段に
よる性能に優れた、薄い、均一な保護層を成膜するとい
う一連の成膜工程を一貫工程として行い、製造効率を高
めることができる。
【図１】この発明の実施の形態のブロック図。
【図２】同実施形態で使用するＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ
の一例を示す模式的な断面図。
の一例を示す模式的な断面図。
１０ 一貫成膜装置 １１ 加熱装置 １２ 下地層成膜用スパッタリングチャンバ １３ 磁性層成膜用スパッタリングチャンバ １４ 保護層成膜用ＥＣＲ−ＣＶＤチャンバ ２１ ガラス基板 ２２ ホルダ ４１ 真空チャンバ ４２ キャビティ ４３ 導波管 ４４、４５ マグネットコイル ４６ ガス導入系 ４７ 電圧印加装置 ５１ 防着板 ５２ ガラス防着板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA09 AA24 BB02 BD11 CA05 DC48 KA01 4K030 AA10 BB12 CA06 FA02 HA04 LA05 LA20 5D112 AA07 AA24 BC05 FA04 FA10 FB08 FB26
Claims (1)
- 【請求項１】 基板表面に所定材料の層を成膜するスパ
ッタリング手段と、この層上に保護層を成膜する、基板
のみに負電圧が印加され、反応室はグランド電位とされ
る、ＥＣＲ−ＣＶＤ手段と、基板を上記のスパッタリン
グ手段およびＥＣＲ−ＣＶＤ手段に順次搬送する搬送手
段とを備えることを特徴とするディスク基板の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10336406A JP2000163741A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | ディスク基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10336406A JP2000163741A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | ディスク基板の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000163741A true JP2000163741A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18298814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10336406A Pending JP2000163741A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | ディスク基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000163741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008231472A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 積層膜形成システム、スパッタ装置、および積層膜形成方法 |
| JP2020045520A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| CN112424466A (zh) * | 2018-07-12 | 2021-02-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于涂覆至少一个金属构件的方法 |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10336406A patent/JP2000163741A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008231472A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 積層膜形成システム、スパッタ装置、および積層膜形成方法 |
| CN112424466A (zh) * | 2018-07-12 | 2021-02-26 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于涂覆至少一个金属构件的方法 |
| JP2020045520A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
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