JPH10298751A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH10298751A JPH10298751A JP12148897A JP12148897A JPH10298751A JP H10298751 A JPH10298751 A JP H10298751A JP 12148897 A JP12148897 A JP 12148897A JP 12148897 A JP12148897 A JP 12148897A JP H10298751 A JPH10298751 A JP H10298751A
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- JP
- Japan
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- vacuum chamber
- substrate
- target
- gas
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の搬送系を不要としてスパッタによる成
膜とＣＶＤによる成膜とを行う。 【解決手段】 一つの真空チャンバ１１内に配置される
ターゲット１４に対して、電圧印加装置１５によって電
圧を選択的に加えるとともに、ガス導入系１６によって
チャンバ１１内に導入するガスを選択し、ターゲット１
４にイオンを衝突させて原子を弾き出して基板１３に付
着させるスパッタ成膜と、ターゲット１４にイオンを衝
突させずに反応ガスのイオンを基板１３に付着させるＣ
ＶＤ成膜とを順次行う。
膜とＣＶＤによる成膜とを行う。 【解決手段】 一つの真空チャンバ１１内に配置される
ターゲット１４に対して、電圧印加装置１５によって電
圧を選択的に加えるとともに、ガス導入系１６によって
チャンバ１１内に導入するガスを選択し、ターゲット１
４にイオンを衝突させて原子を弾き出して基板１３に付
着させるスパッタ成膜と、ターゲット１４にイオンを衝
突させずに反応ガスのイオンを基板１３に付着させるＣ
ＶＤ成膜とを順次行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜形成装置に
関し、とくに、ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスクを製造するのに好適な薄膜形成装置に関
する。
関し、とくに、ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスクを製造するのに好適な薄膜形成装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク記録装置の磁気ディスク
は、通常、ガラス等の基板の表面に磁性層を成膜し、さ
らにその上に保護層を設けて作られる。従来では、磁性
層はＤＣマグネトロンスパッタにより成膜し、後処理と
して、プラズマＣＶＤによる炭素保護膜の成膜を行って
いる。そのため、それぞれ独立したチャンバで成膜プロ
セスを行う必要がある。
は、通常、ガラス等の基板の表面に磁性層を成膜し、さ
らにその上に保護層を設けて作られる。従来では、磁性
層はＤＣマグネトロンスパッタにより成膜し、後処理と
して、プラズマＣＶＤによる炭素保護膜の成膜を行って
いる。そのため、それぞれ独立したチャンバで成膜プロ
セスを行う必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は独立したチャンバで２つの成膜プロセスをそれぞれ別
個に行うため、チャンバ間の基板の移動・搬送に時間や
手間がかかるという問題があり、また、各々のチャンバ
について排気系が必要となるためコストがかかるという
問題もある。
は独立したチャンバで２つの成膜プロセスをそれぞれ別
個に行うため、チャンバ間の基板の移動・搬送に時間や
手間がかかるという問題があり、また、各々のチャンバ
について排気系が必要となるためコストがかかるという
問題もある。
【０００４】この発明は、上記に鑑み、１個のチャンバ
でスパッタによる成膜プロセスとプラズマＣＶＤによる
成膜プロセスとを順次行うことができるようにして、搬
送の問題やコストを改善した薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
でスパッタによる成膜プロセスとプラズマＣＶＤによる
成膜プロセスとを順次行うことができるようにして、搬
送の問題やコストを改善した薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による薄膜形成装置においては、一つの真
空チャンバと、該真空チャンバに連結されたＥＣＲプラ
ズマ発生手段と、上記チャンバ内に所定の磁界を発生さ
せる磁界発生手段と、不活性ガスおよび反応ガスを上記
真空チャンバに導入するガス導入手段と、上記真空チャ
ンバ内に配置されたターゲットと、上記ターゲットおよ
び真空チャンバ内に配置される基板に負の電圧を印加す
る電圧印加手段と、上記ガス導入手段および電圧印加手
段を制御する制御手段とが備えられることが特徴となっ
ている。
め、この発明による薄膜形成装置においては、一つの真
空チャンバと、該真空チャンバに連結されたＥＣＲプラ
ズマ発生手段と、上記チャンバ内に所定の磁界を発生さ
せる磁界発生手段と、不活性ガスおよび反応ガスを上記
真空チャンバに導入するガス導入手段と、上記真空チャ
ンバ内に配置されたターゲットと、上記ターゲットおよ
び真空チャンバ内に配置される基板に負の電圧を印加す
る電圧印加手段と、上記ガス導入手段および電圧印加手
段を制御する制御手段とが備えられることが特徴となっ
ている。
【０００６】不活性ガスのみ真空チャンバに導入してタ
ーゲットに負の高電圧を印加するとともに基板に負の低
電圧を印加すると、ＥＣＲプラズマの電離作用によりイ
オン化した不活性ガスのイオンが電界にしたがって真空
チャンバ内のターゲットに衝突し、ターゲットの原子が
弾き出されて基板表面に付着する。一方、ターゲットに
は電圧印加せず基板にのみ負の高電圧を印加した状態で
真空チャンバに反応ガスを導入すると、ＥＣＲプラズマ
の電離作用により反応ガスがイオン化し、そのイオンが
電界にしたがって真空チャンバ内の基板表面に付着す
る。このように、ターゲットおよび基板に印加する電圧
を制御して電界を切り換えるとともに導入ガスを切り換
えることによって、一つの真空チャンバ内でスパッタに
よる成膜プロセスとプラズマＣＶＤによる成膜プロセス
とを行うことができ、これにより、一つの真空チャンバ
内に基板を配置したままその基板にスパッタによる成膜
とプラズマＣＶＤによる成膜とを順次行うことが可能と
なる。
ーゲットに負の高電圧を印加するとともに基板に負の低
電圧を印加すると、ＥＣＲプラズマの電離作用によりイ
オン化した不活性ガスのイオンが電界にしたがって真空
チャンバ内のターゲットに衝突し、ターゲットの原子が
弾き出されて基板表面に付着する。一方、ターゲットに
は電圧印加せず基板にのみ負の高電圧を印加した状態で
真空チャンバに反応ガスを導入すると、ＥＣＲプラズマ
の電離作用により反応ガスがイオン化し、そのイオンが
電界にしたがって真空チャンバ内の基板表面に付着す
る。このように、ターゲットおよび基板に印加する電圧
を制御して電界を切り換えるとともに導入ガスを切り換
えることによって、一つの真空チャンバ内でスパッタに
よる成膜プロセスとプラズマＣＶＤによる成膜プロセス
とを行うことができ、これにより、一つの真空チャンバ
内に基板を配置したままその基板にスパッタによる成膜
とプラズマＣＶＤによる成膜とを順次行うことが可能と
なる。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１はこの
発明にかかる薄膜形成装置を模式的に示すブロック図
で、この薄膜形成装置は表裏両面に同時に成膜できるよ
うにしたものである。ここでは、ハードディスク記録装
置の磁気ディスクを製造するものとして説明する。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１はこの
発明にかかる薄膜形成装置を模式的に示すブロック図
で、この薄膜形成装置は表裏両面に同時に成膜できるよ
うにしたものである。ここでは、ハードディスク記録装
置の磁気ディスクを製造するものとして説明する。
【０００８】真空チャンバ１１は図示しない排気系によ
り真空に排気されており、その中に、薄膜を形成しよう
とする基板１３とターゲット１４とが配置される。この
基板１３は真空チャンバ１１の側面に設けられたロード
ロック室１２を介して真空チャンバ１１内に搬入され、
且つこれから搬出される。
り真空に排気されており、その中に、薄膜を形成しよう
とする基板１３とターゲット１４とが配置される。この
基板１３は真空チャンバ１１の側面に設けられたロード
ロック室１２を介して真空チャンバ１１内に搬入され、
且つこれから搬出される。
【０００９】基板１３とターゲット１４には電圧印加装
置１５により負の高周波電圧あるいは直流電圧が印加さ
れるようになっている。真空チャンバ１１には、その中
にアルゴンガスや反応ガスを導入するための、ボンベお
よび制御バルブ等からなるガス導入系１６が接続されて
いる。また、この例では、真空チャンバ１１の両側面
（図では左右）の窓に、キャビティ２１、２１が連結さ
れている。このキャビティ２１にはマイクロ波を導入す
るための導波管２２が取り付けられ、且つその周囲にマ
グネットコイル２３、２４が設けられており、このキャ
ビティ２１内でＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラ
ズマが発生するようにされている。
置１５により負の高周波電圧あるいは直流電圧が印加さ
れるようになっている。真空チャンバ１１には、その中
にアルゴンガスや反応ガスを導入するための、ボンベお
よび制御バルブ等からなるガス導入系１６が接続されて
いる。また、この例では、真空チャンバ１１の両側面
（図では左右）の窓に、キャビティ２１、２１が連結さ
れている。このキャビティ２１にはマイクロ波を導入す
るための導波管２２が取り付けられ、且つその周囲にマ
グネットコイル２３、２４が設けられており、このキャ
ビティ２１内でＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラ
ズマが発生するようにされている。
【００１０】すなわち、導波管２２により２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波をキャビティ２１内に導入し、同時にマ
グネットコイル２３、２４によりＥＣＲ条件の８７５ガ
ウスの磁束密度を形成することにより、ＥＣＲを発生さ
せて活性なＥＣＲプラズマを形成する。このＥＣＲプラ
ズマは、マグネットコイル２３、２４により真空チャン
バ１１内に形成されたミラー磁場あるいはカスプ磁場等
の適宜な磁場により、キャビティ２１と真空チャンバ１
１との境界の窓を介して真空チャンバ１１内に引き出さ
れる。
ｚのマイクロ波をキャビティ２１内に導入し、同時にマ
グネットコイル２３、２４によりＥＣＲ条件の８７５ガ
ウスの磁束密度を形成することにより、ＥＣＲを発生さ
せて活性なＥＣＲプラズマを形成する。このＥＣＲプラ
ズマは、マグネットコイル２３、２４により真空チャン
バ１１内に形成されたミラー磁場あるいはカスプ磁場等
の適宜な磁場により、キャビティ２１と真空チャンバ１
１との境界の窓を介して真空チャンバ１１内に引き出さ
れる。
【００１１】制御装置２５は、電圧印加装置１５を制御
して基板１３、ターゲット１４に加える電圧をコントロ
ールするとともに、ガス導入系１６のバルブを開閉して
導入ガスを選択する。また、マグネットコイル２３、２
４に電流を流す電源（図示しない）を制御して、発生磁
場をコントロールする。
して基板１３、ターゲット１４に加える電圧をコントロ
ールするとともに、ガス導入系１６のバルブを開閉して
導入ガスを選択する。また、マグネットコイル２３、２
４に電流を流す電源（図示しない）を制御して、発生磁
場をコントロールする。
【００１２】基板１３に磁性層と保護層とを成膜してハ
ードディスク記録装置の磁気ディスクを製造する場合、
ガラスやアルミニウム等を材質とする基板１３を用い、
その表面にまず配向層を成膜し、つぎにその上に磁性層
を形成し、さらにその上に保護層を形成する。ここで
は、保護層はＤＬＣ膜としている。ＤＬＣ膜はダイアモ
ンド状薄膜であり、非常に硬度が高くしかも薄くできて
磁気ディスクの保護膜として最適なものである。前２者
の金属膜をＥＣＲスパッタにより形成し、最後の炭素膜
をＥＣＲ−ＣＶＤにより形成する。ＥＣＲ−ＣＶＤによ
り形成したＤＬＣ膜は、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性
・耐電圧特性・耐絶縁性に優れたものとなる。ターゲッ
ト１４は、スパッタする材質に合わせて、この例ではク
ロム板やＣｏ／Ｃｒ合金板等を真空チャンバ１１とキャ
ビティ２１との間の窓の周囲に沿うよう交互に数個ずつ
円形に配置する。
ードディスク記録装置の磁気ディスクを製造する場合、
ガラスやアルミニウム等を材質とする基板１３を用い、
その表面にまず配向層を成膜し、つぎにその上に磁性層
を形成し、さらにその上に保護層を形成する。ここで
は、保護層はＤＬＣ膜としている。ＤＬＣ膜はダイアモ
ンド状薄膜であり、非常に硬度が高くしかも薄くできて
磁気ディスクの保護膜として最適なものである。前２者
の金属膜をＥＣＲスパッタにより形成し、最後の炭素膜
をＥＣＲ−ＣＶＤにより形成する。ＥＣＲ−ＣＶＤによ
り形成したＤＬＣ膜は、耐摩耗性・耐腐食性・耐剥離性
・耐電圧特性・耐絶縁性に優れたものとなる。ターゲッ
ト１４は、スパッタする材質に合わせて、この例ではク
ロム板やＣｏ／Ｃｒ合金板等を真空チャンバ１１とキャ
ビティ２１との間の窓の周囲に沿うよう交互に数個ずつ
円形に配置する。
【００１３】最初の配向層の成膜プロセスでは、ターゲ
ット１４のうちクロム板のものにのみ負の高電圧を印加
するとともに基板１３に負の低電圧を印加し、このとき
ガス導入系１６によってアルゴンガスを真空チャンバ１
１に導入する。これによって、ＥＣＲプラズマの電離作
用によってイオン化したアルゴンイオンがクロム板のタ
ーゲット１４に衝突し、クロム原子が弾き飛ばされて、
基板１３に付着する。このような金属スパッタによって
基板１３の表面にクロムの配向層の成膜がなされる。
ット１４のうちクロム板のものにのみ負の高電圧を印加
するとともに基板１３に負の低電圧を印加し、このとき
ガス導入系１６によってアルゴンガスを真空チャンバ１
１に導入する。これによって、ＥＣＲプラズマの電離作
用によってイオン化したアルゴンイオンがクロム板のタ
ーゲット１４に衝突し、クロム原子が弾き飛ばされて、
基板１３に付着する。このような金属スパッタによって
基板１３の表面にクロムの配向層の成膜がなされる。
【００１４】つぎの磁性層の成膜プロセスでは、ターゲ
ット１４のうちのＣｏ／Ｃｒ合金板にのみ負の高電圧を
印加するとともに基板１３に負の低電圧を印加する。こ
のときもアルゴンガスのみが真空チャンバ１１内に導入
される。この場合は、アルゴンイオンが合金板のターゲ
ット１４に衝突し、その組成に対応する原子が弾き飛ば
されて、基板１３に付着する。このような金属スパッタ
によって基板１３の表面に磁性層の成膜がなされる。
ット１４のうちのＣｏ／Ｃｒ合金板にのみ負の高電圧を
印加するとともに基板１３に負の低電圧を印加する。こ
のときもアルゴンガスのみが真空チャンバ１１内に導入
される。この場合は、アルゴンイオンが合金板のターゲ
ット１４に衝突し、その組成に対応する原子が弾き飛ば
されて、基板１３に付着する。このような金属スパッタ
によって基板１３の表面に磁性層の成膜がなされる。
【００１５】その後、ＤＬＣ膜の成膜プロセスに入る。
このときは、ターゲット１４のいずれにも電圧は加え
ず、基板１３にのみ負の高電圧を印加し、アルゴンガス
とＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）を真空チャンバ１１に
導入する。ＥＣＲプラズマによってＣｎＨｍガスがイオ
ン化され、炭素イオンおよび水素イオンが基板１３に蒸
着される。このようなＥＣＲ−ＣＶＤにより基板１３の
表面にＤＬＣ膜の成膜がなされる。
このときは、ターゲット１４のいずれにも電圧は加え
ず、基板１３にのみ負の高電圧を印加し、アルゴンガス
とＣｎＨｍガス（炭化水素ガス）を真空チャンバ１１に
導入する。ＥＣＲプラズマによってＣｎＨｍガスがイオ
ン化され、炭素イオンおよび水素イオンが基板１３に蒸
着される。このようなＥＣＲ−ＣＶＤにより基板１３の
表面にＤＬＣ膜の成膜がなされる。
【００１６】ここでは、ＥＣＲプラズマ形成用のキャビ
ティ２１が真空チャンバ１１の両側に設けられていて基
板１３の両面にＥＣＲプラズマが形成され、またターゲ
ット１４も基板１３の両面に配置されているので、上記
の金属スパッタによる成膜およびＣＶＤによる成膜は、
基板１３の両面で同時に行うことが可能となっており、
効率的な成膜ができる。
ティ２１が真空チャンバ１１の両側に設けられていて基
板１３の両面にＥＣＲプラズマが形成され、またターゲ
ット１４も基板１３の両面に配置されているので、上記
の金属スパッタによる成膜およびＣＶＤによる成膜は、
基板１３の両面で同時に行うことが可能となっており、
効率的な成膜ができる。
【００１７】なお、上記は一つの例についての説明であ
り、この発明は上記の構成に限定されないものであるこ
とはもちろんである。たとえば、基板１３の両面同時成
膜を望まないのであれば、ＥＣＲプラズマ形成用のキャ
ビティ２１は真空チャンバ１１の一方側にのみ設ければ
よい。その他、ターゲット１４の材質等も上記のものに
限定されない。用途も、ハードディスク記録装置の磁気
ディスクの製造だけでなく、その他の薄膜形成に使用す
ることができる。
り、この発明は上記の構成に限定されないものであるこ
とはもちろんである。たとえば、基板１３の両面同時成
膜を望まないのであれば、ＥＣＲプラズマ形成用のキャ
ビティ２１は真空チャンバ１１の一方側にのみ設ければ
よい。その他、ターゲット１４の材質等も上記のものに
限定されない。用途も、ハードディスク記録装置の磁気
ディスクの製造だけでなく、その他の薄膜形成に使用す
ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の薄膜形
成装置によれば、単一の真空チャンバ内でＥＣＲスパッ
タによる成膜とＥＣＲ−ＣＶＤによる成膜とを順次行う
ことができ、基板の搬送系が不要になるので、トータル
のプロセス時間を短縮でき、スループットの向上を図る
ことができ、しかも、スループット向上とともに単一構
造で済むことから、低コスト化も図ることができる。と
くに、ＥＣＲ−ＣＶＤにより形成したＤＬＣ膜は、耐摩
耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性・耐絶縁性に優
れ、磁気ディスクの保護膜として最適であるから、この
発明の薄膜形成装置は磁気ディスクの製造に用いるのに
好適である。
成装置によれば、単一の真空チャンバ内でＥＣＲスパッ
タによる成膜とＥＣＲ−ＣＶＤによる成膜とを順次行う
ことができ、基板の搬送系が不要になるので、トータル
のプロセス時間を短縮でき、スループットの向上を図る
ことができ、しかも、スループット向上とともに単一構
造で済むことから、低コスト化も図ることができる。と
くに、ＥＣＲ−ＣＶＤにより形成したＤＬＣ膜は、耐摩
耗性・耐腐食性・耐剥離性・耐電圧特性・耐絶縁性に優
れ、磁気ディスクの保護膜として最適であるから、この
発明の薄膜形成装置は磁気ディスクの製造に用いるのに
好適である。
【図１】この発明の実施の形態を示す模式図。
１１ 真空チャンバ １２ ロードロック室 １３ 基板 １４ ターゲット １５ 電圧印加装置 １６ ガス導入系 ２１ キャビティ ２２ 導波管 ２３、２４ マグネットコイル ２５ 制御装置
Claims (1)
- 【請求項１】 一つの真空チャンバと、該真空チャンバ
に連結されたＥＣＲプラズマ発生手段と、上記チャンバ
内に所定の磁界を発生させる磁界発生手段と、不活性ガ
スおよび反応ガスを上記真空チャンバに導入するガス導
入手段と、上記真空チャンバ内に配置されたターゲット
と、上記ターゲットおよび真空チャンバ内に配置される
基板に負の電圧を印加する電圧印加手段と、上記ガス導
入手段および電圧印加手段を制御する制御手段とを備え
ることを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12148897A JPH10298751A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12148897A JPH10298751A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10298751A true JPH10298751A (ja) | 1998-11-10 |
Family
ID=14812411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12148897A Pending JPH10298751A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10298751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358760B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2002-10-31 | (주)울텍 | 인시츄 물리기상 증착기 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP12148897A patent/JPH10298751A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358760B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2002-10-31 | (주)울텍 | 인시츄 물리기상 증착기 |
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