JPH11250456A - 磁気ディスク基板の製造装置 - Google Patents
磁気ディスク基板の製造装置Info
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- JPH11250456A JPH11250456A JP6457398A JP6457398A JPH11250456A JP H11250456 A JPH11250456 A JP H11250456A JP 6457398 A JP6457398 A JP 6457398A JP 6457398 A JP6457398 A JP 6457398A JP H11250456 A JPH11250456 A JP H11250456A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板上に磁性膜を成膜した後、プラズ
マＣＶＤにおいてガラス基板に対してＤＣバイアスを印
加してその磁性膜上にＤＬＣ膜を両面同時成膜する際
に、そのＤＬＣ膜の成膜を安定・確実に行う。 【解決手段】 ガラス基板に対して複数のスパッタ装置
１１で磁性膜を順次成膜した後、そのガラス基板を搬送
装置１３によって複数のプラズマＣＶＤ装置１２に移し
てこれらで順次成膜を行う。搬送装置１３は、ガラス基
板をスパッタ装置１１からプラズマＣＶＤ装置１２に移
す際に、チャッキングし直して基板ホルダによりホール
ドさせ、チャッキング位置が磁性膜が良好に成膜された
導電性の良好な部分となるようにする。
マＣＶＤにおいてガラス基板に対してＤＣバイアスを印
加してその磁性膜上にＤＬＣ膜を両面同時成膜する際
に、そのＤＬＣ膜の成膜を安定・確実に行う。 【解決手段】 ガラス基板に対して複数のスパッタ装置
１１で磁性膜を順次成膜した後、そのガラス基板を搬送
装置１３によって複数のプラズマＣＶＤ装置１２に移し
てこれらで順次成膜を行う。搬送装置１３は、ガラス基
板をスパッタ装置１１からプラズマＣＶＤ装置１２に移
す際に、チャッキングし直して基板ホルダによりホール
ドさせ、チャッキング位置が磁性膜が良好に成膜された
導電性の良好な部分となるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ハードディスク
記録装置の記録媒体である磁気ディスク基板を製造する
装置に関し、とくにガラス基板上に磁性膜を成膜した後
その上に保護膜を成膜して磁気ディスク基板を製造する
装置に関する。
記録装置の記録媒体である磁気ディスク基板を製造する
装置に関し、とくにガラス基板上に磁性膜を成膜した後
その上に保護膜を成膜して磁気ディスク基板を製造する
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク記録装置の記録媒体であ
る磁気ディスク基板は、通常、ガラス等のディスクの表
面に磁性膜を成膜し、さらにその上に保護膜を設けて作
られる。磁性膜はプラズマスパッタ装置によって成膜さ
れる。保護膜は、プラズマＣＶＤ装置によって成膜され
た、耐腐食性および耐摩耗性に優れた炭素系薄膜である
ＤＬＣ膜（ダイアモンド状薄膜）が用いられる。
る磁気ディスク基板は、通常、ガラス等のディスクの表
面に磁性膜を成膜し、さらにその上に保護膜を設けて作
られる。磁性膜はプラズマスパッタ装置によって成膜さ
れる。保護膜は、プラズマＣＶＤ装置によって成膜され
た、耐腐食性および耐摩耗性に優れた炭素系薄膜である
ＤＬＣ膜（ダイアモンド状薄膜）が用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気ディスク基板の製造装置では、保護膜の両面成膜を
確実に行うことができないという問題がある。すなわ
ち、プラズマＣＶＤ装置によって保護膜を成膜する場
合、基板に対してＲＦ電源によってバイアスを印加する
ときは、プラズマ電荷は基板ホルダの形状に大きく依存
するので、基板の両面での同時成膜は困難である。そこ
で、基板の両面に同時成膜しようとする場合は、ＤＣ電
源によって基板に対してバイアスを加える必要があるの
であるが、保護膜の成膜工程の前に行われる磁性膜成膜
工程において、基板をチャッキングするツメの基板に対
する接触部では磁性膜が厳密には成膜されないため、チ
ャッキング部分で導電性が悪く、そのためにＤＣバイア
ス印加は不確実なものとなり、良好な保護膜を確実に成
膜することができない。
磁気ディスク基板の製造装置では、保護膜の両面成膜を
確実に行うことができないという問題がある。すなわ
ち、プラズマＣＶＤ装置によって保護膜を成膜する場
合、基板に対してＲＦ電源によってバイアスを印加する
ときは、プラズマ電荷は基板ホルダの形状に大きく依存
するので、基板の両面での同時成膜は困難である。そこ
で、基板の両面に同時成膜しようとする場合は、ＤＣ電
源によって基板に対してバイアスを加える必要があるの
であるが、保護膜の成膜工程の前に行われる磁性膜成膜
工程において、基板をチャッキングするツメの基板に対
する接触部では磁性膜が厳密には成膜されないため、チ
ャッキング部分で導電性が悪く、そのためにＤＣバイア
ス印加は不確実なものとなり、良好な保護膜を確実に成
膜することができない。
【０００４】この発明は、上記に鑑み、ガラス基板上に
磁性膜を成膜した後その上に保護膜を成膜して磁気ディ
スク基板を製造する際に、その保護膜を安定・確実に成
膜することができるようにして、磁気ディスク製造の歩
留まりを改善することができるようにした、磁気ディス
ク基板の製造装置を提供することを目的とする。
磁性膜を成膜した後その上に保護膜を成膜して磁気ディ
スク基板を製造する際に、その保護膜を安定・確実に成
膜することができるようにして、磁気ディスク製造の歩
留まりを改善することができるようにした、磁気ディス
ク基板の製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による磁気ディスク基板の製造装置におい
ては、ガラス基板表面に磁性膜を成膜するスパッタ手段
と、該磁性膜の上に保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ手
段と、磁性膜の成膜が終わったガラス基板のチャッキン
グ位置を変更した上で該ガラス基板を基板ホルダにチャ
ッキングさせて上記プラズマＣＶＤ手段に送り込む搬送
手段とが備えられていることが特徴となっている。
め、この発明による磁気ディスク基板の製造装置におい
ては、ガラス基板表面に磁性膜を成膜するスパッタ手段
と、該磁性膜の上に保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ手
段と、磁性膜の成膜が終わったガラス基板のチャッキン
グ位置を変更した上で該ガラス基板を基板ホルダにチャ
ッキングさせて上記プラズマＣＶＤ手段に送り込む搬送
手段とが備えられていることが特徴となっている。
【０００６】スパッタ手段によってガラス基板表面に磁
性膜を成膜する場合、その基板をチャッキングするツメ
の基板に対する接触部では磁性膜が厳密には成膜されな
い。そこで、搬送手段によって、磁性膜の成膜が終わっ
たガラス基板のチャッキング位置を変更して、その基板
を基板ホルダに再度チャッキングさせた上で、プラズマ
ＣＶＤ手段に送り込んで、保護膜を成膜するようにすれ
ば、ツメによりチャッキングしている部分を、磁性膜が
良好に成膜されていて導電性の良好な部分とすることが
できるので、確実にＤＣバイアスを印加することができ
る。そのため、プラズマＣＶＤ手段において、基板に対
してＤＣバイアスを印加して、安定な保護膜を両面同時
成膜することができる。その結果、磁気ディスク製造の
歩留まりを向上させることができる。
性膜を成膜する場合、その基板をチャッキングするツメ
の基板に対する接触部では磁性膜が厳密には成膜されな
い。そこで、搬送手段によって、磁性膜の成膜が終わっ
たガラス基板のチャッキング位置を変更して、その基板
を基板ホルダに再度チャッキングさせた上で、プラズマ
ＣＶＤ手段に送り込んで、保護膜を成膜するようにすれ
ば、ツメによりチャッキングしている部分を、磁性膜が
良好に成膜されていて導電性の良好な部分とすることが
できるので、確実にＤＣバイアスを印加することができ
る。そのため、プラズマＣＶＤ手段において、基板に対
してＤＣバイアスを印加して、安定な保護膜を両面同時
成膜することができる。その結果、磁気ディスク製造の
歩留まりを向上させることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１におい
て、複数のスパッタ装置１１、１１、…と複数のプラズ
マＣＶＤ装置１２、１２、…が並べられており、搬送装
置１３によってガラス基板が順次出し入れされるように
なっている。図２に示すようにガラス基板２１が基板ホ
ルダ３１により保持される。具体的には図３で示すよう
にＶ溝を有する板で構成されたツメ３２が基板ホルダ３
１に固定されており、このツメ３２のＶ溝にガラス基板
２１を入れることによって、ガラス基板２１を基板ホル
ダ３１で保持する。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１におい
て、複数のスパッタ装置１１、１１、…と複数のプラズ
マＣＶＤ装置１２、１２、…が並べられており、搬送装
置１３によってガラス基板が順次出し入れされるように
なっている。図２に示すようにガラス基板２１が基板ホ
ルダ３１により保持される。具体的には図３で示すよう
にＶ溝を有する板で構成されたツメ３２が基板ホルダ３
１に固定されており、このツメ３２のＶ溝にガラス基板
２１を入れることによって、ガラス基板２１を基板ホル
ダ３１で保持する。
【０００８】このように基板ホルダ３１でホールドされ
た状態で、ガラス基板２１が複数のスパッタ装置１１、
１１、…、および複数のプラズマＣＶＤ装置１２、１
２、…に順次所定の時間入れられてスパッタおよびデポ
ジションが行われる。すなわち、スパッタ装置１１とプ
ラズマＣＶＤ装置１２の合計数だけ同時にこれらが行わ
れる。一つのガラス基板２１について見ると、スパッタ
装置１１、１１、…に順次搬送されることにより、その
各々で所定の厚さの磁性膜が成膜される。これにより、
図４に示すようにガラス基板２１の両面に最終的に所望
の厚さとなった磁性膜２２が成膜される。その後、複数
のプラズマＣＶＤ装置１２、１２、…に順次送られるこ
とによって、その各々でＤＬＣ膜が所定の厚さずつ成膜
され、最終的に図４に示すように所望の厚さのＤＬＣ膜
２３を得る。
た状態で、ガラス基板２１が複数のスパッタ装置１１、
１１、…、および複数のプラズマＣＶＤ装置１２、１
２、…に順次所定の時間入れられてスパッタおよびデポ
ジションが行われる。すなわち、スパッタ装置１１とプ
ラズマＣＶＤ装置１２の合計数だけ同時にこれらが行わ
れる。一つのガラス基板２１について見ると、スパッタ
装置１１、１１、…に順次搬送されることにより、その
各々で所定の厚さの磁性膜が成膜される。これにより、
図４に示すようにガラス基板２１の両面に最終的に所望
の厚さとなった磁性膜２２が成膜される。その後、複数
のプラズマＣＶＤ装置１２、１２、…に順次送られるこ
とによって、その各々でＤＬＣ膜が所定の厚さずつ成膜
され、最終的に図４に示すように所望の厚さのＤＬＣ膜
２３を得る。
【０００９】このように複数のスパッタ装置１１、１
１、…および複数のプラズマＣＶＤ装置１２、１２、…
を並べて、それらにガラス基板２１を順に送るととも
に、それらで同時に成膜することにより、多数枚のガラ
ス基板２１に対して効率よく磁性膜とＤＬＣ膜の成膜を
行うことができる。
１、…および複数のプラズマＣＶＤ装置１２、１２、…
を並べて、それらにガラス基板２１を順に送るととも
に、それらで同時に成膜することにより、多数枚のガラ
ス基板２１に対して効率よく磁性膜とＤＬＣ膜の成膜を
行うことができる。
【００１０】搬送装置１３は、図示しないがたとえばロ
ボットアームで基板ホルダ３１を掴んで、基板ホルダ３
１にホールドされたガラス基板２１を搬送するように構
成することなどができる。そして、スパッタ装置１１か
らプラズマＣＶＤ装置１２に移す際に、いったん、ガラ
ス基板２１を基板ホルダ３１のツメ３２から取り外し、
ガラス基板２１を回転させて角度をずらした上で、ふた
たびツメ３２によってチャッキングさせる。このように
チャッキング位置をずらした上で、再度ツメ３２でチャ
ッキングした状態で、プラズマＣＶＤ装置１２に送る。
ボットアームで基板ホルダ３１を掴んで、基板ホルダ３
１にホールドされたガラス基板２１を搬送するように構
成することなどができる。そして、スパッタ装置１１か
らプラズマＣＶＤ装置１２に移す際に、いったん、ガラ
ス基板２１を基板ホルダ３１のツメ３２から取り外し、
ガラス基板２１を回転させて角度をずらした上で、ふた
たびツメ３２によってチャッキングさせる。このように
チャッキング位置をずらした上で、再度ツメ３２でチャ
ッキングした状態で、プラズマＣＶＤ装置１２に送る。
【００１１】スパッタ装置１１により、たとえばコバル
ト／クロム合金をスパッタすることにより、磁性膜であ
るコバルト／クロム合金層を成膜するが、その際、ツメ
３２が接触している部分では十分な成膜がなされない。
そのため、図２の（ａ）に示すようにガラス基板２１を
３つのツメ３２でチャッキングすることによって基板ホ
ルダ３１で保持し、この状態でスパッタ成膜を行うと、
図２の（ｂ）に示すようにガラス基板２１の両面に磁性
膜２２が形成されるが、ツメ３２との接触部では成膜不
良部２４が生じてしまう。
ト／クロム合金をスパッタすることにより、磁性膜であ
るコバルト／クロム合金層を成膜するが、その際、ツメ
３２が接触している部分では十分な成膜がなされない。
そのため、図２の（ａ）に示すようにガラス基板２１を
３つのツメ３２でチャッキングすることによって基板ホ
ルダ３１で保持し、この状態でスパッタ成膜を行うと、
図２の（ｂ）に示すようにガラス基板２１の両面に磁性
膜２２が形成されるが、ツメ３２との接触部では成膜不
良部２４が生じてしまう。
【００１２】ところが、上記のようにガラス基板２１を
回転させてチャッキング位置をずらして再度チャッキン
グすると、図２の（ｃ）に示すように、この成膜不良部
２４以外の部分つまり磁性膜２２が良好に成膜された部
分でツメ３２によってチャッキングしている状態とする
ことができる。そこで、この状態でプラズマＣＶＤ装置
１２、１２、…の各々で、基板ホルダ３１にＤＣ電源に
よるバイアスを加える場合、良好な磁性膜２２の部分で
ツメ３２によるチャッキングがなされていて導電性の良
好な部分から基板２１に直流バイアス電圧印加を行うこ
とができるため、そのＤＣバイアス印加を確実・安定な
ものとすることができ、その結果、ＤＬＣ膜２３のデポ
ジションを良好に行うことができる。
回転させてチャッキング位置をずらして再度チャッキン
グすると、図２の（ｃ）に示すように、この成膜不良部
２４以外の部分つまり磁性膜２２が良好に成膜された部
分でツメ３２によってチャッキングしている状態とする
ことができる。そこで、この状態でプラズマＣＶＤ装置
１２、１２、…の各々で、基板ホルダ３１にＤＣ電源に
よるバイアスを加える場合、良好な磁性膜２２の部分で
ツメ３２によるチャッキングがなされていて導電性の良
好な部分から基板２１に直流バイアス電圧印加を行うこ
とができるため、そのＤＣバイアス印加を確実・安定な
ものとすることができ、その結果、ＤＬＣ膜２３のデポ
ジションを良好に行うことができる。
【００１３】ちなみに、このようにチャッキング位置を
変更することなく従来のようにそのままスパッタ装置１
１からプラズマＣＶＤ装置１２に移すなら、ツメ３２に
よるチャッキング位置は磁性膜２２の成膜不良部２４の
ままであるから、ツメ３２と基板２１の導電性は悪く、
そのため基板２１に対して安定にＤＣバイアス電圧印加
を行うことができない。その結果、ＤＣバイアス電圧印
加によって基板２１の両面にＤＬＣ膜２３を成膜するこ
とができなかったのである。
変更することなく従来のようにそのままスパッタ装置１
１からプラズマＣＶＤ装置１２に移すなら、ツメ３２に
よるチャッキング位置は磁性膜２２の成膜不良部２４の
ままであるから、ツメ３２と基板２１の導電性は悪く、
そのため基板２１に対して安定にＤＣバイアス電圧印加
を行うことができない。その結果、ＤＣバイアス電圧印
加によって基板２１の両面にＤＬＣ膜２３を成膜するこ
とができなかったのである。
【００１４】なお、スパッタ装置１１としては、ＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ装置やＤＣ（ある
いはＲＦ）マグネトロンスパッタ装置などを用いること
ができる。また、プラズマＣＶＤ装置１２としては、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置等を用いることができる。その
他、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で具体的な構成な
どを種々に変更できることはいうまでもない。
（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ装置やＤＣ（ある
いはＲＦ）マグネトロンスパッタ装置などを用いること
ができる。また、プラズマＣＶＤ装置１２としては、Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置等を用いることができる。その
他、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で具体的な構成な
どを種々に変更できることはいうまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の磁気デ
ィスク基板の製造装置によれば、ガラス基板上に磁性膜
を成膜した後その上に保護膜を成膜する際に、導電性の
良好な部分でチャッキングできるため、プラズマＣＶＤ
においてガラス基板に対して確実にＤＣバイアスを印加
し、その保護膜を安定・確実に両面同時成膜することが
できる。そのため、磁気ディスク製造の歩留まりを向上
させることができる。
ィスク基板の製造装置によれば、ガラス基板上に磁性膜
を成膜した後その上に保護膜を成膜する際に、導電性の
良好な部分でチャッキングできるため、プラズマＣＶＤ
においてガラス基板に対して確実にＤＣバイアスを印加
し、その保護膜を安定・確実に両面同時成膜することが
できる。そのため、磁気ディスク製造の歩留まりを向上
させることができる。
【図１】この発明の実施の形態を示すブロック図。
【図２】各工程でのガラス基板の基板ホルダによる保持
状態を示す正面概略図。
状態を示す正面概略図。
【図３】基板ホルダのツメによるチャッキングを示す模
式的な斜視図。
式的な斜視図。
【図４】ガラス基板とその上に成膜された膜を示す断面
図。
図。
１１ スパッタ装置 １２ プラズマＣＶＤ装置 １３ 搬送装置 ２１ ガラス基板 ２２ 磁性膜 ２３ ＤＬＣ膜 ２４ 磁性膜の成膜不良部 ３１ 基板ホルダ ３２ ツメ
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板表面に磁性膜を成膜するスパ
ッタ手段と、該磁性膜の上に保護膜を成膜するプラズマ
ＣＶＤ手段と、磁性膜の成膜が終わったガラス基板のチ
ャッキング位置を変更した上で該ガラス基板を基板ホル
ダにチャッキングさせて上記プラズマＣＶＤ手段に送り
込む搬送手段とを備えることを特徴とする磁気ディスク
基板の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6457398A JPH11250456A (ja) | 1998-02-28 | 1998-02-28 | 磁気ディスク基板の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6457398A JPH11250456A (ja) | 1998-02-28 | 1998-02-28 | 磁気ディスク基板の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250456A true JPH11250456A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13262117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6457398A Pending JPH11250456A (ja) | 1998-02-28 | 1998-02-28 | 磁気ディスク基板の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250456A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083164A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Lg Electronics Inc. | Surface treatment system, surface treatment method and product produced by surface treatment method |
| JP2007184041A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| CN100413602C (zh) * | 2002-08-19 | 2008-08-27 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 热交换器的表面处理装置和其方法及制品 |
| JP2011228192A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Toyota Motor Corp | 燃料電池用出力ターミナル |
-
1998
- 1998-02-28 JP JP6457398A patent/JPH11250456A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003083164A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Lg Electronics Inc. | Surface treatment system, surface treatment method and product produced by surface treatment method |
| CN100413602C (zh) * | 2002-08-19 | 2008-08-27 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 热交换器的表面处理装置和其方法及制品 |
| JP2007184041A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| JP4552861B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2010-09-29 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
| JP2011228192A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Toyota Motor Corp | 燃料電池用出力ターミナル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040603 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050404 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050628 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20051101 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |