JP4657959B2 - 成膜装置及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る成膜装置は、非導電性の基板に対しバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置であって、複数枚の基板を略々一平面上に保持する基台と、複数のバイアス印加用端子が設けられた導電性のバイアス印加部材とを備え、バイアス印加部材は、基台に対し、基台上に保持された複数の基板の略々中央を通り各基板に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持されており、基台に対して回動されることにより、複数のバイアス印加用端子を基台上に保持された複数の基板に対応して接離させることを特徴とするものである。
本発明に係る成膜装置は、構成1を有する成膜装置において、各バイアス印加用端子は、バイアス印加部材により、弾性を有する扞部を介して支持されており、各基板に対して接触されたとき、扞部の弾性力によって、各基板に押接されることを特徴とするものである。
本発明に係る成膜装置は、構成1、または、構成2を有する成膜装置において、バイアス印加部材は、基台に対して回動されて複数のバイアス印加用端子を基台上に保持された複数の基板に対応して接触させたときに、基台外に設置された直流電圧供給端子に接触することを特徴とするものである。
本発明に係る成膜装置は、構成1乃至構成3のいずれか一を有する成膜装置において、基板としてディスク基板を用い、このディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜することを特徴とするものである。
本発明に係る磁気ディスクの製造方法は、非磁性及び非導電性のディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜する磁気ディスクの製造方法であって、複数のディスク基板を略々一平面上として基台上に保持させる工程と、真空チャンバ内において基台上に保持された各ディスク基板上に導電性膜を成膜する工程と、真空チャンバ内において基台に対してバイアス印加部材を回動させることによりこのバイアス印加部材に設けられた複数のバイアス印加用端子を各ディスク基板に対応して接触させる工程と、真空チャンバ内においてバイアス印加部材及び各バイアス印加用端子を介して導電性膜にバイアス電圧を印加しつつ導電性膜上に磁性層及び保護層を順次成膜する工程とを有し、バイアス印加部材として、基台上に保持された複数のディスク基板の略々中央を通り各ディスク基板に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持され、基台に対して回動されることにより、複数のバイアス印加用端子を各ディスク基板に対応して接触させるものを用いることを特徴とするものである。
本発明に係る磁気ディスクの製造方法は、構成5を有する磁気ディスクの製造方法において、各バイアス印加用端子は、バイアス印加部材により、弾性を有する扞部を介して支持されており、各ディスク基板に対して接触されたとき、扞部の弾性力によって、各ディスク基板に押接されることを特徴とするものである。
本発明に係る磁気ディスクの製造方法は、構成5、または、構成6を有する磁気ディスクの製造方法において、バイアス印加部材は、ディスク基台に対して回動されて複数のバイアス印加用端子を基台上に保持された複数のディスク基板に対応して接触させたときに、基台外に設置された直流電圧供給端子に接触することを特徴とするものである。
図1は、本発明に係る磁気ディスクの製造方法によって製造される磁気ディスクの構成を示す平面図(a)及び断面図(b)である。
図2は、本発明に係る成膜装置における回転搬送型の枚葉式反応チャンバの構成を示す平面図(a)及び直線搬送型の枚葉式反応チャンバの構成を示す平面図(b)である。
図3は、本発明に係る成膜装置における基台の構成を示す平面図(a)及びそのI−I´線で切断した縦断面図(b)である。
この実施の形態においては、磁性層3の成膜時に、基台6によって保持されている複数枚のディスク基板1に対し、同時にDCバイアスを印加させることが可能であり、高記録密度に対応した磁気ディスクを良好な生産性において製造することができる。
図5は、本発明に係る成膜装置における基台の構成のさらに他の例を示す平面図である。
前述のように構成された基台6を用いて、ディスク基板1の表面に下地層2(第1の下地層2a及び第2の下地層2b)、磁性層3を成膜するにあたっては、まず、精密研磨及び化学強化処理を施した1.0インチ型磁気ディスク用のディスク基板1を、基台6により保持させる。そして、図2に示すように、この基台6を自動搬送装置に装着し、図示しない仕込み室を経て、加熱チャンバ10内に導入する。加熱チャンバ10では、加熱ヒータによって、ディスク基板1を、例えば、300°C、1分間の加熱条件にて加熱する。
図6は、本発明に係る磁気ディスクの製造方法におけるDCバイアスの効果として、保持力との関係(a)及びSN比との関係(b)を示すグラフである。
2 下地層
2a 第1の下地層
2b 第2の下地層
3 磁性層
4 保護層
5 潤滑層
6 基台
6a 基台本体
7 第1のターゲット
8 第2のターゲット
9 第3のターゲット
13 バイアス印加用端子
14 バイアス印加部材
15 扞部
16 直流電圧供給端子
17 リードアーム
Claims (7)
- 非導電性の基板に対し、バイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置であって、
複数枚の基板を略々一平面上に保持する基台と、
複数のバイアス印加用端子が設けられた導電性のバイアス印加部材と
を備え、
前記バイアス印加部材は、前記基台に対し、前記基台上に保持された複数の基板の略々中央を通り各基板に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持されており、前記基台に対して回動されることにより、前記複数のバイアス印加用端子を前記基台上に保持された複数の基板に対応して接離させる
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記各バイアス印加用端子は、前記バイアス印加部材により、弾性を有する扞部を介して支持されており、前記各基板に対して接触されたとき、前記扞部の弾性力によって、前記各基板に押接される
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記バイアス印加部材は、前記基台に対して回動されて前記複数のバイアス印加用端子を前記基台上に保持された複数の基板に対応して接触させたときに、前記基台外に設置された直流電圧供給端子に接触する
ことを特徴とする請求項1、または、請求項2記載の成膜装置。 - 前記基板としてディスク基板を用い、このディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の成膜装置。 - 非磁性及び非導電性のディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜する磁気ディスクの製造方法であって、
複数の前記ディスク基板を、略々一平面上として基台上に保持させる工程と、
真空チャンバ内において、前記基台上に保持された各ディスク基板上に導電性膜を成膜する工程と、
前記真空チャンバ内において、前記基台に対してバイアス印加部材を回動させることにより、このバイアス印加部材に設けられた複数のバイアス印加用端子を前記各ディスク基板に対応して接触させる工程と、
前記真空チャンバ内において、前記バイアス印加部材及び前記各バイアス印加用端子を介して前記導電性膜にバイアス電圧を印加しつつ、該導電性膜上に磁性層及び保護層を順次成膜する工程と
を有し、
前記バイアス印加部材として、前記基台上に保持された複数のディスク基板の略々中央を通り各ディスク基板に対して垂直な回転軸回りに回動可能に支持され、前記基台に対して回動されることにより、前記複数のバイアス印加用端子を各ディスク基板に対応して接触させるものを用いる
ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。 - 前記各バイアス印加用端子は、前記バイアス印加部材により、弾性を有する扞部を介して支持されており、前記各ディスク基板に対して接触されたとき、前記扞部の弾性力によって、前記各ディスク基板に押接される
ことを特徴とする請求項5記載の磁気ディスクの製造方法。 - 前記バイアス印加部材は、前記基台に対して回動されて前記複数のバイアス印加用端子を前記基台上に保持された複数のディスク基板に対応して接触させたときに、前記基台外に設置された直流電圧供給端子に接触する
ことを特徴とする請求項5、または、請求項6記載の磁気ディスクの製造方法。
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