JP2011243254A - 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気記録媒体の保護層をＣＶＤ法等で作製する場合において、磁気転写に用いられるパターン形成体の繰り返し使用回数が減少するのを抑制する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法を用いて、密着層、軟磁性下地層、配向制御層、非磁性下地層、および垂直記録層を順次積層し（ステップ２０１〜２０５）、得られた積層体に対し、垂直記録層の磁化の向きを一方向に揃えるために第１の向きの直流磁界を印加する初期磁化を行い（ステップ２０６）、初期磁化が施された積層体に、予めサーボ・パターンに対応した凹凸が形成されたマスタ情報記録体を密着させ、第１の向きとは逆となる第２の向きに直流磁界を印加することによってサーボ・パターンを積層体に磁気転写し（ステップ２０７）、サーボ・パターンが磁気転写された積層体の垂直記録層上に、プラズマＣＶＤ法を用いて保護層を積層する（ステップ２０８）。
【選択図】図９

Description

本発明は、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体の製造装置に関する。

ハード・ディスク・ドライブ等に代表される磁気記録装置では、回転する磁気記録媒体に対し、磁気ヘッドを用いたデータの書き込みおよび読み取りが行われる。
この種の磁気記録装置では、磁気記録媒体上の目的とする位置に磁気ヘッドを移動させ、且つ、その位置でのデータの書き込みおよび読み取りを行わせるために、磁気ヘッドの位置決めを行っている。このため、磁気記録媒体には、予め、磁気ヘッドによって読み取られるとともに磁気ヘッドの位置決めに使用される位置決めデータが記録されている。

公報記載の従来技術として、磁気記録媒体に対する位置決めデータ等の記録を、所謂磁気転写方式にて行うことが提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、基板の片面あるいは両面に、軟磁性層、非磁性層、磁性層、保護層および潤滑層を順次形成してなる磁気記録媒体を用意し、記録すべきデータに対応したパターンが形成されたパターン形成体を磁気記録媒体に重ね合わせた状態で、パターン形成体と磁気記録媒体とを挟んで一方向に向かう磁力を加えることで、磁気記録媒体に対するパターンの磁気的な転写を行っている。

また、他の公報記載の従来技術として、磁気ヘッドが磁気記録媒体に接触した際に磁性層を保護するため、または磁気記録媒体の耐食性を高めるために設けられる保護層を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法（特許文献２参照）、イオンビーム法（特許文献３参照）を用いて成膜することが提案されている。

特開２００９−２９５２５０号公報 特開２００４−９５１６３号公報 特開２０００−２２６６６９号公報

ところで、ＣＶＤ法においては、原料ガスの反応によって反応室で生成された反応生成物の一部が塵となって浮遊し、保護層に付着することがある。また、イオンビーム法においても、原料ガスを分解してイオン化する際に反応室で生成された反応生成物の一部が塵となって浮遊し、保護層に付着することがある。このようにして得られた磁気記録媒体に磁気転写を行うと、パターン形成体に塵に起因する傷がついてしまい、パターン形成体を繰り返し使用できる回数が減少し、パターン形成体の寿命が短くなってしまうことがあった。
本発明は、磁気記録媒体の保護層をＣＶＤ法等で作製する場合において、磁気転写に用いられるパターン形成体の繰り返し使用回数が減少するのを抑制することを目的とする。

本発明の磁気記録媒体の製造方法は、被積層体上に、スパッタ法を用いて磁性層を積層する工程と、被積層体に磁性層が積層された積層体に、第１の向きの直流磁界を印加する工程と、第１の向きの直流磁界を印加した後の積層体に、パターンが形成されたパターン形成体を接触させた状態で、第１の向きとは逆の第２の向きの直流磁界を印加する工程と、第２の向きの直流磁界を印加した後の積層体の磁性層に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはイオンビーム法を用いて磁性層を保護するための保護層を積層する工程とを含んでいる。

この製造方法において、磁性層は、垂直磁気記録方式にて情報の記録が行われるものからなり、第１の向きの直流磁界を印加する工程では、磁性層の面に垂直な方向に第１の向きの直流磁界の印加を行い、第２の向きの直流磁界を印加する工程では、磁性層の面に垂直な方向に第２の向きの直流磁界の印加を行うことを特徴とすることができる。

そして、保護層を積層する工程では、保護層としてダイヤモンド・ライク・カーボンを積層することを特徴とすることができる。

また、他の観点から捉えると、本発明の磁気記録媒体の製造装置は、被積層体上に、スパッタ法を用いて磁性層を成膜する磁性層成膜室と、磁性層成膜室に開閉機構を介して接続され、被積層体に磁性層が積層された積層体に、第１の向きの直流磁界を印加して磁性層を初期磁化し、磁性層を初期磁化した後の積層体に、パターンが形成されたパターン形成体を接触させた状態で、第１の向きとは逆の第２の向きの直流磁界を印加することによって磁性層にパターンを磁気的に転写する磁気処理室と、磁気処理室に開閉機構を介して接続され、磁性層にパターンが磁気転写された積層体の磁性層に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはイオンビーム法を用いて磁性層を保護するための保護層を成膜する保護層成膜室とを含んでいる。

この製造装置において、磁気処理室に開閉機構を介して接続されるとともに保護層成膜室に開閉機構を介して接続され、磁気処理室から送られてくる積層体を一時的に収容した後に保護層成膜室に送る一時収容室をさらに含むことを特徴とすることができる。

そして、保護層成膜室では、保護層としてダイヤモンド・ライク・カーボンを成膜することを特徴とすることができる。

本発明によれば、本構成を有していない場合、すなわち、プラズマＣＶＤ法等を用いて保護層を形成した磁気記録媒体に磁気転写を行う場合と比較して、磁気転写においてパターン形成体と磁気記録媒体との間に塵が噛み込まれることに起因して、パターン形成体の繰り返し使用回数が減少するのを抑制することができる。

本実施の形態が適用される磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置の構成の一例を示した図である。 磁気記録媒体の断面構成の一例を示す図である。 磁気記録媒体の上面図である。 本実施の形態における磁気記録媒体の製造方法の一例を示すフローチャートである。 成膜・磁気転写工程で用いられるインライン成膜・磁気転写装置の構成の一例を示す上面図である。 インライン成膜・磁気転写装置で用いられるキャリアの構成の一例を示す図である。 磁気転写室に設けられる磁気転写装置の構成の一例を示す図である。 磁気転写装置で用いられるマスタ情報記録体の構成の一例を示す図である。 磁気記録媒体の製造方法における成膜・磁気転写工程の一例を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本実施の形態が適用される磁気記録媒体１を備えた磁気記録再生装置の構成の一例を示した図である。
この磁気記録再生装置は、データを磁気的に記録する磁気記録媒体１と、磁気記録媒体１を回転駆動させる回転駆動部２と、磁気記録媒体１にデータを書き込むとともに磁気記録媒体１に記録されたデータを読み取る磁気ヘッド３と、磁気ヘッド３を搭載するキャリッジ４と、キャリッジ４を介して磁気記録媒体１に対して磁気ヘッド３を相対移動させるヘッド駆動部５と、外部から入力された情報を処理して得られた記録信号を磁気ヘッド３に出力し、磁気ヘッド３からの再生信号を処理して得られた情報を外部に出力する信号処理部６とを備えている。
ここで、本実施の形態では、磁気記録媒体１が円盤状の形状を有しており、後述するように、その両面にそれぞれデータを記録するための記録層が形成されている。そして、図１に示す例では、１台の磁気記録再生装置に複数（ここでは３枚）の磁気記録媒体１が取り付けられている。

図２は、図１に示す磁気記録媒体１の断面構成の一例を示す図である。なお、磁気記録媒体１に対するデータの記録方式には面内記録方式と垂直記録方式とが存在するが、本実施の形態では、垂直記録方式において使用される磁気記録媒体１について説明を行う。
この磁気記録媒体１は、基板１００と、基板１００の上に形成された密着層１１０と、密着層１１０の上に形成された軟磁性下地層１２０と、軟磁性下地層１２０の上に形成された配向制御層１３０と、配向制御層１３０の上に形成された非磁性下地層１４０と、非磁性下地層１４０の上に形成された垂直記録層１５０と、垂直記録層１５０の上に形成された保護層１６０と、保護層１６０の上に形成された潤滑層１７０とを備えている。そして、本実施の形態では、基板１００の両面のそれぞれに、密着層１１０、軟磁性下地層１２０、配向制御層１３０、非磁性下地層１４０、垂直記録層１５０、保護層１６０、および潤滑層１７０が形成されるようになっている。なお、以下の説明においては、必要に応じて、基板１００の両面に密着層１１０から保護層１６０までを積層したもの、換言すれば、基板１００に潤滑層１７０以外を形成したものを、積層基板１８０と称することがある。また、以下の説明においては、必要に応じて、基板１００の両面に密着層１１０から垂直記録層１５０までを形成したもの、換言すれば、基板１００に保護層１６０および潤滑層１７０以外を形成したものを、積層体１９０と称することがある。

本実施の形態では、基板１００として非磁性体が使用されており、例えばアルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板を用いてもよく、例えばガラスや、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。また、これら金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、ＮｉＰ層又はＮｉＰ合金層が形成されたものを用いることもできる。

これらのうち、ガラス基板としては、例えば、通常のガラスや結晶化ガラスなどを用いることができ、通常のガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。また、セラミック基板としては、例えば、汎用の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体、又はこれらの繊維強化物などを用いることができる。

また、基板１００は、後述するようにＣｏ又はＦｅが主成分となる軟磁性下地層１２０と接することで、表面の吸着ガスや、水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。このため、基板１００と軟磁性下地層１２０との間に密着層１１０を設けることが好ましい。なお、密着層１１０の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択することが可能である。また、密着層１１０の厚みは２ｎｍ（２０Å）以上であることが好ましい。

軟磁性下地層１２０は、垂直記録方式を採用した場合において、記録再生時のノイズの低減を図るために設けられる。
本実施の形態において、軟磁性下地層１２０は、密着層１１０の上に形成される第１軟磁性層１２１と、第１軟磁性層１２１の上に形成されるスペーサ層１２２と、スペーサ層１２２の上に形成される第２軟磁性層１２３とを備えている。すなわち、軟磁性下地層１２０は、第１軟磁性層１２１と第２軟磁性層１２３とによってスペーサ層１２２を挟み込んだ構成を有している。
これらのうち、第１軟磁性層１２１および第２軟磁性層１２３は、Ｆｅ：Ｃｏを４０：６０〜７０：３０（原子比）の範囲で含む材料を用いるのが好ましく、またその透磁率や耐食性を高めるためＴａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒからなる群から選ばれる何れか１種を１ａｔｍ％〜８ａｔｍ％の範囲で含有させるのが好ましい。
また、スペーサ層１２２としては、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｕ等を用いることができるが、この中では特にＲｕを用いるのが好ましい。

配向制御層１３０は、非磁性下地層１４０を介してこの上に積層される垂直記録層１５０の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善するために設けられる。
配向制御層１３０を構成する材料については、特に限定されるものではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有するものが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金、Ｃｕ系合金が好ましく、またこれらの合金を多層化したものを用いてもよい。例えば、基板１００側からＮｉ系合金とＲｕ系合金との多層構造、Ｃｏ系合金とＲｕ系合金との多層構造、Ｐｔ系合金とＲｕ系合金との多層構造を採用することが好ましい。

非磁性下地層１４０は、この上に積層される垂直記録層１５０の初期積層部における結晶成長の乱れを抑制し、記録再生時のノイズの発生を抑制するために設けられる。ただし、非磁性下地層１４０については、必ずしも設ける必要はない。
本実施の形態において、非磁性下地層１４０は、Ｃｏを主成分とする金属に、さらに酸化物を含んだ材料からなることが好ましい。非磁性下地層１４０におけるＣｒの含有量は、２５原子％〜５０原子％とすることが好ましい。非磁性下地層１４０における酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、その中でも特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などを好適に用いることができる。非磁性下地層１４０における酸化物の含有量としては、磁性粒子を構成する、例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の合金を１つの化合物として算出したｍｏｌ総量に対して、３ｍｏｌ％以上１８ｍｏｌ％以下であることが好ましい。

本実施の形態における垂直記録層１５０は、非磁性下地層１４０の上に形成される第１磁性層１５１と、第１磁性層１５１の上に形成される第１非磁性層１５２と、第１非磁性層１５２の上に形成される第２磁性層１５３と、第２磁性層１５３の上に形成される第２非磁性層１５４と、第２非磁性層１５４の上に形成される第３磁性層１５５とを備えている。すなわち、垂直記録層１５０では、第１磁性層１５１と第２磁性層１５３とによって第１非磁性層１５２を挟み込み、第２磁性層１５３と第３磁性層１５５とによって第２非磁性層１５４を挟み込んだ構成を有している。

これらのうち、第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５は、磁気ヘッド３から供給される磁気エネルギーによって垂直記録層１５０の厚さ方向に磁化の向きを反転させ、その状態を維持することでデータを記憶するために設けられる。なお、これら第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５が、本発明における磁性層に対応している。
これら第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５は、Ｃｏを主成分とする金属からなる磁性粒子と非磁性の酸化物とを含み、磁性粒子を酸化物で囲んだグラニュラ型構造を有するものを用いることが好ましい。

ここで、第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５を構成する酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などを好適に用いることができる。また、垂直記録層１５０の中で最下層となる第１磁性層１５１については、２種類以上の酸化物からなる複合酸化物を含んでいることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２などを好適に用いることができる。

また、第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５を構成する磁性粒子に適した材料としては、例えば、９０（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ_２）｛Ｃｒ含有量１４原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏからなる磁性粒子を１つの化合物として算出したモル濃度が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、９２（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ_２）、９４（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）−６（Ｃｒ_２Ｏ_３）の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ_２Ｏ_５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＳｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ_２Ｏ_３）−（ＳｉＯ_２）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ_２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ_２Ｏ_３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ_２Ｏ_３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ_２）などの組成物を挙げることができる。

また、第１非磁性層１５２および第２非磁性層１５４は、垂直記録層１５０を構成する第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５の個々での磁化反転を容易とし、磁性粒子全体での磁化反転の分散を小さくすることで、ノイズを低減するために設けられる。
本実施の形態において、第１非磁性層１５２および第２非磁性層１５４は、例えばＲｕおよびＣｏを含んでいることが好ましい。

なお、この例では、垂直記録層１５０を構成する磁性層を３層（第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５）としていたが、これに限られるものではなく、４層以上の磁性層を備えた構成とすることも可能である。また、この例では、垂直記録層１５０を構成する各磁性層（第１磁性層１５１、第２磁性層１５３および第３磁性層１５５）の間に非磁性層（第１非磁性層１５２および第２非磁性層１５４）を設けていたが、これに限られるものではなく、例えば異なる組成を有する２つの磁性層を、重ねて配置するようにしてもかまわない。

保護層１６０は、垂直記録層１５０の腐食を抑制するとともに、磁気ヘッド３が磁気記録媒体１に接触したときに、磁気記録媒体１の表面の損傷を防いで保護するため、また磁気記録媒体１の耐食性を高めるために設けられる。
保護層１６０としては、従来公知の材料を使用することができ、例えばＣ、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２を含むものを使用することが可能である。そして、これらの中でも、Ｃを含むものとすることが好ましく、特にアモルファス状の硬質炭素膜やダイヤモンド・ライク・カーボン（Diamond Like Carbon：ＤＬＣ）を用いることが、保護層１６０の硬度を保ちつつ薄層化を図るという観点から好ましい。さらに保護層１６０の厚みは、１〜１０ｎｍとすることが、図１に示す磁気記録再生装置において磁気ヘッド３と磁気記録媒体１との距離を小さくできるので、高記録密度の点から好ましい。

潤滑層１７０は、磁気ヘッド３が磁気記録媒体１に接触したときに磁気ヘッド３および磁気記録媒体１の表面の摩耗を抑制するため、また磁気記録媒体１の耐食性を高めるために設けられる。
潤滑層１７０としては、従来公知の材料を使用することができ、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を用いることが好ましい。潤滑層１７０の厚さは、１〜２ｎｍとすることが、図１に示す磁気記録再生装置において磁気ヘッド３と磁気記録媒体１との距離を小さくできるので、高記録密度の点から好ましい。

図３は、図１に示す磁気記録媒体１の上面図である。また、図３には、磁気記録媒体１の表面に設けられる複数のデータ領域を模式的に示している。
本実施の形態における磁気記録媒体１は、上述したように円盤状の形状を有しており、その中央部には磁気記録媒体１の表裏を貫通する円形状の孔が形成されている。以下の説明では、磁気記録媒体１における円形状の孔の縁を内端１ａと称し、磁気記録媒体１における外周の縁を外端１ｂと称する。

図３に示す磁気記録媒体１の表面には、磁気ヘッド３（図１参照）を用いたデータの読み書きを行うための読み書きデータ記憶領域Ａ１と、磁気ヘッド３を用いたデータの読み書きにおいて磁気ヘッド３の位置決めに用いられるデータ（位置決めデータという）を記憶する位置決めデータ記憶領域Ａ２とが設けられている。この例において、位置決めデータ記憶領域Ａ２は、磁気記録媒体１の表面に、放射状に複数設けられている。また、磁気記録媒体１の表面には、同心円状に、複数のトラックＴが設けられる。なお、図示はしていないが、図３に示す磁気記録媒体１の裏面にも、同様にして、読み書きデータ記憶領域Ａ１と位置決めデータ記憶領域Ａ２とが設けられている。ただし、磁気記録媒体１の表裏面のそれぞれに設けられた位置決めデータ記憶領域Ａ２は、表裏で位置を合わせなくてもかまわない。

磁気記録媒体１の位置決めデータ記憶領域Ａ２には、位置決めデータとして、例えば、磁気ヘッド３による読み取り時において検出信号の利得調整に用いられるＡＧＣ（Auto Gain Control）パターン、サーボ信号の検出に用いられる検出パターン、サーボ・トラックのシリンダ情報あるいはセクタ情報の検出に用いられるアドレス・パターン、そして目的とするトラックＴに磁気ヘッド３を移動させた後にそのトラックＴ上に磁気ヘッド３を追従させるのに用いられるバースト・パターン（いずれも図示せず）等を含むサーボ・パターンが記憶されている。なお、サーボ・パターンは、磁気記録媒体１に設けられた垂直記録層１５０の厚み方向の磁化の向きを、位置決めデータに合わせて適宜反転させることで構成されている。

図４は、本実施の形態における磁気記録媒体１の製造方法の一例を示すフローチャートである。本実施の形態では、磁気記録媒体１における積層体１９０の成膜過程において、上述した位置決めデータ記憶領域Ａ２にサーボ・パターンの書き込みを行っていること、より具体的には、積層基板１８０（図２参照）の製造中にサーボ・パターンの磁気転写を行っていることに特徴がある。

磁気記録媒体１の製造に先立ち、予め円盤状に形成されるとともに中央部に表裏を貫通する円形状の孔が形成された基板１００を準備し、予備洗浄を行った後、この基板１００に対する研磨を行う（ステップ１０１）。ステップ１０１における基板１００の研磨は、例えばダイヤモンドスラリーを用いたメカニカルポリッシュで行うことが望ましい。

そして、研磨後の基板１００は、その平均表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ（１０Å）以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であるとことが、磁気ヘッド３（図１参照）を低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、研磨後の基板１００の表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下。）であることが、磁気ヘッド３を低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、研磨後の基板１００の端面のチャンファー部の面取り部と、側面部との少なくとも一方の表面平均粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下。）のものを用いることが、磁気ヘッド３の飛行安定性にとって好ましい。なお、微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。

次に、研磨が施された基板１００に対し、前洗浄を行う（ステップ１０２）。ステップ１０２における基板１００の前洗浄は、研磨が施された基板１００を、純水あるいは超純水に浸漬して超音波振動を加えながら行うことが好ましい。そして、前洗浄がなされた基板１００は、速やかにスピン法等で乾燥させることが好ましい。

続いて、前洗浄が施された基板１００に対し、密着層１１０、軟磁性下地層１２０、配向制御層１３０、非磁性下地層１４０、垂直記録層１５０および保護層１６０を順次積層するとともに、垂直記録層１５０の形成後且つ保護層１６０の形成前にサーボ・パターンを磁気転写する成膜・磁気転写工程を行う（ステップ１０３）。このような成膜・磁気転写工程を行うことで、サーボ・パターンが記録された積層基板１８０（図２参照）が得られる。なお、成膜・磁気転写工程の詳細については後述する。

そして、成膜・磁気転写工程によって得られた積層基板１８０に対し、潤滑剤を塗布し（ステップ１０４）、積層基板１８０に潤滑層１７０を形成する。続いて、潤滑層１７０が塗布された積層基板１８０を１００℃程度で数分間加熱するベークを行う（ステップ１０５）。これにより、潤滑層１７０に含まれる水分が揮発し、且つ、積層基板１８０の最表面側に設けられた保護層１６０と保護層１６０に接する潤滑層１７０との密着性が高まる。以上により、サーボ・パターンが記録された磁気記録媒体１が得られる。なお、ステップ１０３とステップ１０４との間において、積層基板１８０の表面を、純水等を用いてスピン洗浄するようにしてもよい。

次いで、ベークが施された磁気記録媒体１の表面をワイピングする（ステップ１０６）。ワイピング工程は、磁気記録媒体１の表面に付着したスパッタダスト等を拭き取るために行われる。

ワイピング工程は、例えば布製のワイピングテープ等を用いて行なわれ、このワイピングテープを磁気記録媒体１の表面に対して相対走行させつつ、ゴム製のコンタクトロールまたはパッドによってワイピングテープ表面を磁気記録媒体１の表面に押し当てることにより、磁気記録媒体１の表面を軽く拭くことによって行われる。このような処理を行うことにより、磁気記録媒体１の表面に付着していたスパッタダスト等が除去されることになる。その結果、得られた磁気記録媒体１を図１に示す磁気記録再生装置に組み込んだ場合に、磁気記録媒体１に対する磁気ヘッド３の浮上量をより小さくすることが可能となる。

ここで、ワイピング工程に用いられるワイピングテープとしては、超極細繊維よりなる布帛を帯状にスリットしたワイピングテープや、超極細繊維マルチフィラメント糸の織編物等が用いられる。

また、このようなワイピングテープを用いる磁気記録媒体１のワイピング方法は、具体的には、磁気記録媒体１を回転させつつ、この磁気記録媒体１の磁性層側の面に、ワイピングテープの表面（拭き面）を押し当てることにより行われる。これにより、磁気記録媒体１の表面のスパッタダスト等が拭き取られ、表面が清浄化する。ここで、ワイピングテープは、供給リールと巻取りリールとの間に掛け渡されており、供給リールから順次供給され、巻取りリールに巻き取られる。そして、この供給リール側から巻取りリール側に走行する途中で、ワイピングテープは、拭き面と反対側の面（裏面）がゴム等のバッキングロールまたはフェルト等により押圧され、その拭き面が磁気記録媒体１の表面に押し当てられる。

そして、ワイピングが施された磁気記録媒体１の表面に対しバーニッシュを行う（ステップ１０７）。
バーニッシュ工程は、磁気記録媒体１の表面に形成または付着した突起物を除去するため、その表面を、研磨テープを用いて研磨する工程である。このような処理を行うことにより、得られた磁気記録媒体１を図１に示す磁気記録再生装置に組み込んだ場合に、磁気記録媒体１に対する磁気ヘッド３の浮上量をより小さくすることができる。

バーニッシュ工程は、アルミナ砥粒を塗布した研磨テープ等を用いて行なわれ、この研磨テープをゴム製のコンタクトロールによって磁気記録媒体１の表面に押し当てることにより、磁気記録媒体１の表面を軽く研磨することにより行われる。このような処理を行うことにより、磁気記録媒体１の表面の異常突起等が除去される。

バーニッシュ工程に用いられる研磨テープ（バーニッシュテープ）としては、通常ポリエステル製のベースフィルム上に研磨材層を形成してなるテープを使用する。そして、この研磨材層が磁気記録媒体１の磁性層側の面と接触して摺動することによって、磁気記録媒体１の表面に付着した微小な塵埃が除去されると共に、その表面に存在する異常突起等が研磨・除去されて、その表面が平滑化される。研磨材としては、平均粒子径が０．０５μｍ〜５０μｍ程度の、酸化クロム、α−アルミナ、炭化珪素、非磁性酸化鉄、ダイヤモンド、γ−アルミナ、α，γ−アルミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダイヤモンド等が用いられる。

また、このような研磨テープを用いる磁気記録媒体１のバーニッシュ加工は、具体的には、磁気記録媒体１を回転させつつ、この磁気記録媒体１の磁性層側の面に、研磨テープの砥粒面を押し当てることにより行われる。これにより、磁気記録媒体１の表面の突起が研磨除去され平滑化される。ここで、研磨テープは、供給リールと巻取りリールとの間に掛け渡されており、供給リールから順次供給され、巻取りリールに巻き取られる。そして、この供給リール側から巻取りリール側に走行する途中で、研磨テープは、砥粒面と反対側の面（裏面）がゴム等のバッキングロールまたはフェルト等により押圧され、研磨テープの研磨面が磁気記録媒体１の表面に押し当てられる。

続いて、バーニッシュが施された磁気記録媒体１に対しグライド検査を行う（ステップ１０８）。グライド検査工程では、磁気転写済の磁気記録媒体１の表面に突起物が無いかどうかを検査する。磁気ヘッド３を用いて磁気記録媒体１をデータの書き込み（記録）および読み出し（再生）を実行する際に、磁気記録媒体１の表面に浮上量（磁気記録媒体１と磁気ヘッド３の間隔）以上の高さの突起があると、磁気ヘッド３が突起にぶつかって磁気ヘッド３が損傷したり、磁気記録媒体１に欠陥が発生したりする原因となる。このため、グライド検査では、そのような高い突起の有無を検査する。

次いで、グライド検査に合格した磁気記録媒体１に対し、サーティファイ検査を行う（ステップ１０９）。サーティファイ検査工程では、通常の磁気記録再生装置と同様に、磁気記録媒体１に対して磁気ヘッド３で予め決められた信号を記録した後、記録した信号を再生し、得られた再生信号によって磁気記録媒体１の記録不良を検出し、磁気記録媒体１の電気特性や欠陥の有無など磁気記録媒体１の品質を確かめる。上述した方法で製造した磁気記録媒体１には、既にサーボ・パターンが書き込まれているため、従来の方式でのサーティファイ検査を実施することが困難となっている。このため、本実施の形態では、磁気記録媒体１に磁気転写されたサーボ・パターン（位置決めデータ）を利用して磁気ヘッド３を特定箇所に位置づけし、データの読み書きを行う形式の検査を行う。
そして、サーティファイ検査に合格した磁気記録媒体１が、製品として出荷されることになる。

では、上述したステップ１０３における成膜・磁気転写工程について、より詳細に説明する。図５は、成膜・磁気転写工程で用いられるインライン成膜・磁気転写装置１０の構成の一例を示す上面図である。

本実施の形態のインライン成膜・磁気転写装置１０は、複数の処理室を、複数のゲートバルブ１５を介して四角形状に接続して構成されている。また、インライン成膜・磁気転写装置１０の内部には、処理室と同じ数のキャリア２０が配置されており、これら複数のキャリア２０が、複数のゲートバルブ１５（１５ａ〜１５ｔ）を介して、図中時計回り方向（図中の矢印参照）に循環しながら、各処理室に順次搬送されるようになっている。

より具体的に説明すると、インライン成膜・磁気転写装置１０は、処理室として、キャリア２０に対する基板１００（図２参照）の取り付けを行う取り付け室１０００と、ゲートバルブ１５ａを介して取り付け室１０００に接続され、スパッタ法により密着層１１０の成膜を行う第１成膜室１００１と、ゲートバルブ１５ｂを介して第１成膜室１００１に接続され、キャリア２０を図中時計回り方向に９０°回転させる第１方向転換室１１とを備えている。また、インライン成膜・磁気転写装置１０は、処理室として、ゲートバルブ１５ｃを介して第１方向転換室１１に接続され、スパッタ法により第１軟磁性層１２１の成膜を行う第２成膜室１００２と、ゲートバルブ１５ｄを介して第２成膜室１００２に接続され、スパッタ法によりスペーサ層１２２の成膜を行う第３成膜室１００３と、ゲートバルブ１５ｅを介して第３成膜室１００３に接続され、スパッタ法により第２軟磁性層１２３の成膜を行う第４成膜室１００４と、ゲートバルブ１５ｆを介して第４成膜室１００４に接続され、スパッタ法により配向制御層１３０の成膜を行う第５成膜室１００５と、ゲートバルブ１５ｇを介して第５成膜室１００５に接続され、キャリア２０を図中時計回り方向に９０°回転させる第２方向転換室１２とを備えている。

さらに、インライン成膜・磁気転写装置１０は、処理室として、ゲートバルブ１５ｈを介して第２方向転換室１２に接続され、スパッタ法により非磁性下地層１４０の成膜を行う第６成膜室１００６と、ゲートバルブ１５ｉを介して第６成膜室１００６に接続され、スパッタ法により第１磁性層１５１の成膜を行う第７成膜室１００７と、ゲートバルブ１５ｊを介して第７成膜室１００７に接続され、スパッタ法により第１非磁性層１５２の成膜を行う第８成膜室１００８と、ゲートバルブ１５ｋを介して第８成膜室１００８に接続され、スパッタ法により第２磁性層１５３の成膜を行う第９成膜室１００９と、ゲートバルブ１５ｌを介して第９成膜室１００９に接続され、キャリア２０を図中時計回り方向に９０°回転させる第３方向転換室１３とを備えている。さらにまた、インライン成膜・磁気転写装置１０は、処理室として、ゲートバルブ１５ｍを介して第３方向転換室１３に接続され、スパッタ法により第２非磁性層１５４の成膜を行う第１０成膜室１０１０と、ゲートバルブ１５ｎを介して第１０成膜室１０１０に接続され、スパッタ法により第３磁性層１５５の成膜を行う第１１成膜室１０１１とを備えている。

また、インライン成膜・磁気転写装置１０は、処理室として、ゲートバルブ１５ｏを介して第１１成膜室１０１１に接続され、密着層１１０から垂直記録層１５０までが積層された基板１００すなわち積層体１９０に対する初期磁化を行う初期磁化室１０１２と、ゲートバルブ１５ｐを介して初期磁化室１０１２に接続され、初期磁化が施された積層体１９０にサーボ・パターンを磁気転写する磁気転写室１０１３と、ゲートバルブ１５ｑを介して磁気転写室１０１３に接続され、キャリア２０を図中時計回り方向に９０°回転させる第４方向転換室１４とを備えている。ここで、本実施の形態では、隣接して配置される初期磁化室１０１２および磁気転写室１０１３の両者が、磁気処理室として機能している。そして、インライン成膜・磁気転写装置１０は、処理室として、ゲートバルブ１５ｒを介して第４方向転換室１４に接続され、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により保護層１６０の成膜を行う第１２成膜室１０１４と、ゲートバルブ１５ｓを介して第１２成膜室１０１４と接続され、キャリア２０から積層基板１８０（図２参照）の取り外しを行う取り外し室１０１５とを備えている。なお、取り外し室１０１５および取り付け室１０００は隣接して配置されており、両者はゲートバルブ１５ｔを介して接続されている。なお、取り外し室１０１５および取り付け室１０００にガスを供給する必要がない場合、ゲートバルブ１５ｔは不要となる。

また、インライン成膜・磁気転写装置１０は、取り付け室１０００に接続され、取り付け室１０００に基板１００を搬入するためのロボット（図示せず）が配置された取り付け補助室１０００ａと、取り外し室１０１５に接続され、取り外し室１０１５から積層基板１８０を搬出するためのロボット（図示せず）が配置された取り外し補助室１０１５ａとをさらに備えている。
なお、第１１成膜室１０１１が本発明における磁性層成膜室に、第４方向転換室１４が本発明における一時収容室に、第１２成膜室１０１４が本発明における保護層成膜室に、それぞれ対応している。

本実施の形態において、ゲートバルブ１５（１５ａ〜１５ｔ）は、閉動作に伴って、隣接する２つの処理室（例えばゲートバルブ１５ａの場合は取り付け室１０００および第１成膜室１００１）を仕切り、且つ、開動作に伴って、隣接する２つの処理室の仕切りを解除するようになっている。また、１つの処理室に設けられた２つのゲートバルブ１５（例えば第１成膜室１００１におけるゲートバルブ１５ａ、１５ｂ）を閉動作させることにより、この１つの処理室を密閉状態とすることができるようになっている。

さらに、第１成膜室１００１〜第１１成膜室１０１１および第１２成膜室１０１４には、それぞれ、ガス供給源に接続されたガス導入管（ともに図示せず）が設けられており、図示しないバルブを開閉操作することにより、ガス導入管を介して各種ガスが導入されるようになっている。また、各処理室（取り付け室１０００、第１成膜室１００１〜第１１成膜室１０１１、初期磁化室１０１２、磁気転写室１０１３、第１２成膜室１０１４、および第１方向転換室１１〜第４方向転換室１４）には、それぞれ、真空ポンプに接続されたガス排気管（ともに図示せず）が設けられており、図示しないバルブを開閉操作することにより、ガス排気管を介して処理室の内部を減圧排気することが可能となっている。したがって、取り付け室１０００、初期磁化室１０１２、磁気転写室１０１３、および第１方向転換室１１〜第４方向転換室１４にはガス供給は行われないものの、ガス排気管を介した減圧がなされ、これら各室が真空環境下におかれるようになっている。

図６は、インライン成膜・磁気転写装置１０で用いられるキャリア２０の構成の一例を示す図である。
このキャリア２０は、矩形状の支持台２１と、支持台２１の上部に並べて設けられ、それぞれに基板１００を取り付けるための開口が形成された第１ホルダ２２および第２ホルダ２３と、第１ホルダ２２の開口の周縁に設けられて基板１００の保持に用いられる第１保持部材２４と、第２ホルダ２３の開口の周縁に設けられて基板１００の保持に用いられる第２保持部材２５と、支持台２１の下方に設けられてキャリア２０の搬送に用いられる磁石部材２６とを備えている。

本実施の形態において、第１保持部材２４および第２保持部材２５は、それぞれ基板１００の外端周縁を保持するように構成されている。これにより、キャリア２０は、２枚の基板１００を、それぞれ立てた状態で保持することになり、キャリア２０に保持される２枚の基板１００は、それぞれの第１面および第２面が側方に向かう状態となる。

また、磁石部材２６は、極性の異なる２つの磁極（Ｎ極およびＳ極）を、横方向に交互に並べた構成を有している。そして、図５に示すインライン成膜・磁気転写装置１０の下方には、極性の異なる２つの磁極（Ｎ極およびＳ極）を螺旋状に配列した他の磁石部材（図示せず）が配置されており、この他の磁石部材を回転させることに伴って磁石部材２６が受ける磁力により、キャリア２０が図中矢印方向（横方向）に移動するようになっている。このため、キャリア２０の移動においては、第１ホルダ２２側が先頭となり、第２ホルダ２３側が後尾となる。

図７は、図５に示す磁気転写室１０１３に設けられる磁気転写装置７０の構成の一例を示す図である。
磁気転写装置７０は、磁気転写室１０１３において移動可能に取り付けられ、サーボ・パターンが予め記録されたマスタ情報記録体２００を固定した状態で保持する第１記録体ホルダ３０と、第１記録体ホルダ３０に対向して配置されるとともに、磁気転写室１０１３において移動可能に取り付けられ、サーボ・パターンが予め記録されたマスタ情報記録体２００を固定した状態で保持する第２記録体ホルダ４０とを備える。ここで、第１記録体ホルダ３０および第２記録体ホルダ４０は、互いに近づく側および遠ざかる側に移動するように構成されている。そして、第１記録体ホルダ３０に取り付けられたマスタ情報記録体２００および第２記録体ホルダ４０に取り付けられたマスタ情報記録体２００は、互いに対向した状態で配置される。また、磁気転写室１０１３においては、第１記録体ホルダ３０と第２記録体ホルダ４０との間を、キャリア２０（図６参照）が通過するようになっており、２枚のマスタ情報記録体２００の間に、キャリア２０に保持された基板１００が順次対向配置されるようになっている。

また、マスタ情報記録体２００を保持した第１記録体ホルダ３０の背面側には、第１磁石５１を備えた第１磁石部材５０が配置されている。第１磁石部材５０は、第１記録体ホルダ３０の背面に対向配置される第１磁石５１と、第１磁石５１を保持する第１磁石保持部５２と、第１磁石保持部５２の背面側から伸びる第１磁石支持部５３とを備えている。第１磁石支持部５３は、磁気転写室１０１３に対し、図中矢印方向に回転可能に支持されている。これにより、第１磁石支持部５３の進退に伴って第１磁石保持部５２に保持された第１磁石５１が進退するとともに、第１磁石支持部５３の回転に伴って第１磁石保持部５２に保持された第１磁石５１が回転するようになっている。

一方、マスタ情報記録体２００を保持した第２記録体ホルダ４０の背面側には、第２磁石６１を備えた第２磁石部材６０が配置されている。第２磁石部材６０は、第２記録体ホルダ４０の背面に対向配置される第２磁石６１と、第２磁石６１を保持する第２磁石保持部６２と、第２磁石保持部６２の背面側から伸びる第２磁石支持部６３とを備えている。第２磁石支持部６３は、磁気転写室１０１３に対し、図中矢印方向に回転可能に支持されている。これにより、第２磁石支持部６３の進退に伴って第２磁石保持部６２に保持された第２磁石６１が進退するとともに、第２磁石支持部６３の回転に伴って第２磁石保持部６２に保持された第２磁石６１が回転するようになっている。

また、第１磁石部材５０において、第１磁石５１は、第１磁石保持部５２に対し、第１磁石支持部５３の回転中心から偏倚した位置に放射方向に取り付けられている。また、第１磁石５１は、第１記録体ホルダ３０と対向する側が一方の極性の磁極（例えばＮ極）となるように第１磁石保持部５２に保持されている。
一方、第２磁石部材６０において、第２磁石６１は、第２磁石保持部６２に対し、第２磁石支持部６３の回転中心から偏倚した位置に放射方向に取り付けられている。また、第２磁石６１は、第２記録体ホルダ４０と対向する側が他方の極性の磁極（例えばＳ極）となるように第２磁石保持部６２に保持されている。

そして、本実施の形態では、第１磁石５１と第２磁石６１とが、第１記録体ホルダ３０および第２記録体ホルダ４０を挟んで対向するように配置される。また、第１磁石部材５０および第２磁石部材６０は、第１磁石５１と第２磁石６１とを対向させた状態を維持しながら、ともに回転するように構成されている。

図８は、磁気転写装置７０で用いられるマスタ情報記録体２００の構成の一例を示す図である。ここで、図８（ａ）はマスタ情報記録体２００の上面図を、また、図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ断面図を、それぞれ示している。

パターン形成体の一例としてのマスタ情報記録体２００は、基板１００よりも直径が大きい円盤状の形状を有している。また、マスタ情報記録体２００の一方の面（形成面に対応）には、サーボ・パターンに対応する微細な凹凸が形成されたサーボ・パターン形成領域ＳＰが設けられている。この例において、サーボ・パターン形成領域ＳＰは、マスタ情報記録体２００の一方の面に、中央部と外縁部とを除いて、放射状に複数設けられている。なお、図７に示す第１記録体ホルダ３０あるいは第２記録体ホルダ４０にマスタ情報記録体２００を取り付けた際には、サーボ・パターン形成領域ＳＰを設けた面が、互いに露出した状態で対向することになる。

次に、マスタ情報記録体２００の構造について説明すると、マスタ情報記録体２００は、円盤状の基体２０１と、この基体２０１の一方の面に形成されたマスタ磁性層２０２と、マスタ磁性層２０２の上に形成されたマスタ保護層２０３とを備えている。ここで、図８（ｂ）は、サーボ・パターン形成領域ＳＰにおけるマスタ情報記録体２００の断面構成を示しており、この部位には、サーボ・パターンに対応した凸部２０４および凹部２０５が存在している。
なお、大気圧環境下で磁気転写工程を行う場合は、マスタ情報記録体２００と磁気記録媒体１との吸着を防ぐため、マスタ情報記録体２００の表面に転写パターンに応じた凹凸形状を設け、また、サーボ・パターン形成領域ＳＰ以外の領域は、サーボ・パターン形成領域ＳＰにおける凹部２０５と同じ高さとすることが望ましい。ただし、本実施の形態では、磁気転写工程を真空環境下で行うことが可能であり、前述のマスタ情報記録体２００と磁気記録媒体１との吸着の問題は生じない。したがって、本実施の形態のマスタ情報記録体２００として、その表面に存在する凹部２０５を非磁性材料で埋め込むことにより、凸部２０４と略同じ高さとした平滑性の高いものを用いることもできる。

マスタ情報記録体２００は公知の方法によって製造できるが、例えば次の製造方法を掲げることができる。先ず、シリコンウェハの表面に電子線レジストをスピンコート法により塗布する。塗布後、このレジストに対し、電子線露光装置を用いて、サーボ・パターンに対応させて変調した電子ビームを照射し、レジストを露光する。その後、レジストを現像し、未露光部分を除去して、シリコンウェハ上にレジストのパターンを形成する。

次いで、このレジストパターンをマスクとして用い、シリコンウェハに対して反応性エッチング処理を行い、レジストでマスクされていない箇所を掘り下げる。このエッチング処理後、シリコンウェハ上に残存するレジストを溶剤で洗浄除去する。その後、シリコンウェハを乾燥させてマスタ情報記録体２００を作製するための原盤を得る。

この原盤上に、Ｎｉからなる導電層をスパッタリング法により１０ｎｍ程度形成する。その後、この導電層を形成した原盤を母型として用い、電鋳法により、この原盤上に数μｍ厚のＮｉ層を形成する。その後、Ｎｉ層を原盤から外し、このＮｉ層を洗浄等して、表面に凸部を配設した基体２０１を得る。

次いで、この基体２０１の表面にマスタ磁性層２０２を形成する。このマスタ磁性層２０２については磁気記録媒体１に用いられる磁性層（第１磁性層１５１等）と同じものが使用できる。またマスタ磁性層２０２の上には磁気記録媒体１と同様にマスタ保護層２０３を形成する。このマスタ保護層２０３は、マスタ情報記録体２００の耐摩耗性すなわちマスタ情報記録体２００の転写耐久性を高めるものであり、数ｎｍ程度の厚さの硬質炭素膜等を用いることができる。以上の製造工程によってマスタ情報記録体２００を得ることができる。
なお、このようにして得られたマスタ情報記録体２００は、例えば１０万枚以上の磁気記録媒体の製造（磁気転写）に繰り返し使用される。

図９は、本実施の形態の磁気記録媒体１の製造方法における成膜・磁気転写工程の一例を示すフローチャートである。以下では、図５に示すインライン成膜・磁気転写装置１０、図７に示す磁気転写装置７０、図８に示すマスタ情報記録体２００、および図９を参照しながら説明を行う。なお、この説明では、初期の状態において、各処理室にそれぞれ１つずつキャリア２０が配置されているものとする。また、以下では、詳細な説明を省略するが、各キャリア２０は同期して移動および停止を行うものとし、各キャリア２０が図中時計回りに移動している間は、すべてのゲートバルブ１５が開放された状態になり、各キャリア２０が停止している間は、すべてのゲートバルブ１５が閉鎖された状態になるものとする。

まず、取り付け室１０００内に配置されたキャリア２０に対し、２枚の基板１００が取り付けられる。２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、取り付け室１０００内から第１成膜室１００１へと移動する。そして、第１成膜室１００１において、２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による密着層１１０の積層を行う（ステップ２０１）。密着層１１０が積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第１成膜室１００１から第１方向転換室１１へと移動し、時計回り方向に９０°回転して向きを変える。

密着層１１０が積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第１方向転換室１１から第２成膜室１００２へと移動する。そして、第２成膜室１００２において、密着層１１０が積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による第１軟磁性層１２１の積層を行う（ステップ２０２ａ）。第１軟磁性層１２１までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第２成膜室１００２から第３成膜室１００３へと移動する。そして、第３成膜室１００３において、第１軟磁性層１２１までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法によるスペーサ層１２２の積層を行う（ステップ２０２ｂ）。スペーサ層１２２までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第３成膜室１００３から第４成膜室１００４へと移動する。そして、第４成膜室１００４において、スペーサ層１２２までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による第２軟磁性層１２３の積層を行う（ステップ２０２ｃ）。これらステップ２０２ａからステップ２０２ｃまでが、軟磁性下地層１２０を積層する軟磁性下地層積層工程（ステップ２０２）となる。

第２軟磁性層１２３までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第４成膜室１００４から第５成膜室１００５へと移動する。そして、第５成膜室１００５において、第２軟磁性層１２３までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による配向制御層１３０の積層を行う（ステップ２０３）。配向制御層１３０までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第５成膜室１００５から第２方向転換室１２へと移動し、時計回り方向に９０°回転して向きを変える。

配向制御層１３０までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第２方向転換室１２から第６成膜室１００６へと移動する。そして、第６成膜室１００６において、配向制御層１３０までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による非磁性下地層１４０の積層を行う（ステップ２０４）。なお、基板１００に密着層１１０、軟磁性下地層１２０、配向制御層１３０、および非磁性下地層１４０を積層したものが、本発明における被積層体に対応している。

非磁性下地層１４０までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第６成膜室１００６から第７成膜室１００７へと移動する。そして、第７成膜室１００７において、非磁性下地層１４０までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による第１磁性層１５１の積層を行う（ステップ２０５ａ）。第１磁性層１５１までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第７成膜室１００７から第８成膜室１００８へと移動する。そして、第８成膜室１００８において、第１磁性層１５１までが積層された基板１００の両面に、スパッタ法による第１非磁性層１５２の積層を行う（ステップ２０５ｂ）。第１非磁性層１５２までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第８成膜室１００８から第９成膜室１００９へと移動する。そして、第９成膜室１００９において、第１非磁性層１５２までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による第２磁性層１５３の積層を行う（ステップ２０５ｃ）。第２磁性層１５３までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第９成膜室１００９から第３方向転換室１３へと移動し、時計回り方向に９０°回転して向きを変える。

第２磁性層１５３までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第３方向転換室１３から第１０成膜室１０１０へと移動する。そして、第１０成膜室１０１０において、第２磁性層１５３までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による第２非磁性層１５４の積層を行う（ステップ２０５ｄ）。第２非磁性層１５４までが積層された２枚の基板１００を保持したキャリア２０は、次に、第１０成膜室１０１０から第１１成膜室１０１１へと移動する。そして、第１１成膜室１０１１において、第２非磁性層１５４までが積層された２枚の基板１００の両面に、スパッタ法による第３磁性層１５５の積層を行う（ステップ２０５ｅ）。これらステップ２０５ａからステップ２０５ｅまでが、垂直記録層１５０を積層する垂直記録層積層工程（ステップ２０５）となる。なお、このステップ２０５が、『磁性層を積層する工程』に対応している。また、以上の手順により、基板１００の両面に、それぞれ、密着層１１０、軟磁性下地層１２０、配向制御層１３０、非磁性下地層１４０および垂直記録層１５０が積層された積層体１９０が得られる。

垂直記録層１５０までが積層された２枚の積層体１９０を保持したキャリア２０は、次に、第１１成膜室１０１１から初期磁化室１０１２へと移動する。そして、初期磁化室１０１２において、２枚の積層体１９０の初期磁化を行う（ステップ２０６）。なお、このステップ２０６が、『第１の向きの直流磁界を印加する工程』に対応している。この例では、垂直記録方式で用いられる磁気記録媒体１を製造対象としているため、初期磁化工程は、積層体１９０の表面に垂直方向に一方向（第１の向きに対応）の初期直流磁界を印加することによって行われる。その際に印加する初期直流磁界は永久磁石、電磁石によって発生させることが可能であり、より安定で磁力の強いＮｄＦｅＢ系の焼結磁石を用いて発生させるのが好ましい。また、初期磁化工程は磁気記録媒体１と磁石とを非接触状態で行うことが、磁気記録媒体１の表面の清浄性を維持する上で好ましい。

初期磁化が施された２枚の積層体１９０を保持したキャリア２０は、次に、初期磁化室１０１２から磁気転写室１０１３へと移動する。そして、磁気転写室１０１３において、初期磁化が施された２枚の積層体１９０に対するサーボ・パターンの磁気転写を行う（ステップ２０７）。なお、このステップ２０７が、『第２の向きの直流磁界を印加する工程』に対応している。

磁気転写工程についてより具体的に説明すると、磁気転写室１０１３では、まず、第１記録体ホルダ３０に取り付けられたマスタ情報記録体２００と第２記録体ホルダ４０に取り付けられたマスタ情報記録体２００との間に、第１ホルダ２２に保持された積層体１９０を対向させた状態でキャリア２０が停止する。次に、第１記録体ホルダ３０および第２記録体ホルダ４０が、第１ホルダ２２に保持された積層体１９０に近づく側に移動し、第１記録体ホルダ３０に取り付けられたマスタ情報記録体２００と第２記録体ホルダ４０に取り付けられたマスタ情報記録体２００とによって、第１ホルダ２２に保持された積層体１９０を挟み込んだ状態で停止する。

次に、第１磁石部材５０および第２磁石部材６０では、第１磁石保持部５２および第２磁石保持部６２が、第１磁石支持部５３および第２磁石支持部６３を軸とし、２枚のマスタ情報記録体２００と積層体１９０とを挟んで、第１磁石５１および第２磁石６１を対向させた状態を維持しながら１回転する。
第１磁石５１および第２磁石６１が１回転する間、２枚のマスタ情報記録体２００に挟まれた積層体１９０には、第１磁石５１および第２磁石６１により、初期磁化工程とは逆向き（第２の向きに対応）の転写直流磁界が周方向に順次印加される。すると、積層体１９０のうち、第１記録体ホルダ３０側のマスタ情報記録体２００と接する側では、このマスタ情報記録体２００の凹部２０５と対向する部位における磁性層の磁化の向きは初期磁化工程後の状態を維持するものの、凸部２０４と接する部位における磁性層の磁化の向きは反転した状態となる。また、この積層体１９０のうち、第２記録体ホルダ４０側のマスタ情報記録体２００と接する側でも、このマスタ情報記録体２００の凹部２０５と対向する部位における磁性層の磁化の向きは初期磁化工程後の状態を維持するものの、凸部２０４と接する部位における磁性層の磁化の向きは反転した状態となる。このようにして、積層体１９０の両面には、それぞれ、マスタ情報記録体２００に設けられた凹凸の配列からなるサーボ・パターンが、磁化の向きの配列からなるサーボ・パターンとして転写される。

その後、第１記録体ホルダ３０および第２記録体ホルダ４０が、第１ホルダ２２に保持された磁気転写済の積層体１９０から離れる方向に移動する。それから、磁気転写室１０１３におけるキャリア２０の位置がずらされ、２枚のマスタ情報記録体２００の間に、第２ホルダ２３に保持された積層体１９０を対向させた状態に移行する。そして、上述した手順に沿って、第２ホルダ２３に保持された積層体１９０に対するサーボ・パターンの磁気転写が行われる。なお、磁気転写工程においては、マスタ情報記録体２００と積層体１９０との吸着を防ぐため、磁気転写室１０１３の内部を、大気圧よりも減圧しておくことが好ましい。

サーボ・パターンが記録された２枚の積層体１９０を保持したキャリア２０は、次に、磁気転写室１０１３から第４方向転換室１４へと移動し、時計回りに９０°回転して向きを変える。

サーボ・パターンが記録された２枚の積層体１９０を保持したキャリア２０は、次に、第４方向転換室１４から第１２成膜室１０１４へと移動する。そして、第１２成膜室１０１４において、サーボ・パターンが記録された２枚の積層体１９０の両面に、ＣＶＤ法等による保護層１６０の積層を行う（ステップ２０８）。なお、このステップ２０８が、『保護層を積層する工程』に対応している。ここで、保護層１６０として上述したＤＬＣを使用する場合にあっては、炭化水素ガスからＤＬＣを得るプラズマＣＶＤ法を用いることが、得られる保護層１６０の平滑さおよび硬度を確保するという観点から好ましい。また、プラズマＣＶＤ法で保護層１６０を積層する場合にあっては、直流電源、高周波電源およびパルス電源のいずれを用いてもかまわない。以上の手順により、積層基板１８０が得られる。また、本実施の形態では、積層基板１８０の製造が完了した時点で、既にサーボ・パターンも記録済みとなっている。

サーボ・パターンが記録された２枚の積層基板１８０を保持したキャリア２０は、次に、第１２成膜室１０１４から取り外し室１０１５へと移動する。そして、取り外し室１０１５において、キャリア２０から２枚の積層基板１８０が取り外される。

なお、上述した各工程は、各処理室において並列に行われる。例えば、取り付け室１０００において取り付け室１０００内に配置されたキャリア２０に２枚の基板１００の取り付けを行っているとき、取り付け室１０００よりもキャリア２０の移動方向下流側に隣接する第１成膜室１００１では、他のキャリア２０に取り付けられた２枚の基板１００に対する密着層１１０の成膜を行っている。また、他の処理室においても、他の成膜、キャリア２０の回転、初期磁化、磁気転写、および積層基板１８０の取り外しを行っている。

本実施の形態では、上述したように、垂直記録層１５０の上に形成される保護層１６０を、ＣＶＤ法で成膜している。このため、第１２成膜室１０１４では、室内に供給される原料ガスの反応に伴って積層体１９０に保護層１６０が積層されていくのであるが、その際、反応生成物の一部は第１２成膜室１０１４の内壁等に付着、堆積する。また、このようにして第１２成膜室１０１４の内壁等に付着したカーボンダスト等の反応生成物は、内壁等への付着力が弱く、内壁等から剥がれて第１２成膜室１０１４内に落下しあるいは浮遊する。その結果、このような反応生成物のダストが、積層体１９０に積層された保護層１６０に付着してしまうことがある。

従来の手法においては、保護層１６０および潤滑層１７０までを積層して得られた磁気記録媒体１に対して初期磁化および磁気転写を行っていた。このため、ワイピング工程やバーニッシュ工程で除去しきれなかった反応生成物のダストが付着した状態の磁気記録媒体１に磁気転写を行った場合に、マスタ情報記録体２００の接触面がダストによって傷つけられてしまい、結果として、マスタ情報記録体２００の寿命（転写に使用しうる回数）が短くなってしまうことがある。特に本実施の形態では、マスタ情報記録体２００に凹凸によるサーボ・パターンを形成しているため、接触時に凹凸が欠けたり変形してしまったりした場合には、以降の磁気転写において転写不良が生じてしまうことになる。

これに対し、本実施の形態では、垂直記録層１５０をスパッタ法によって形成した後であって、垂直記録層１５０の上に保護層１６０をＣＶＤ法等によって形成する前に、垂直記録層１５０に対する初期磁化およびサーボ・パターンの磁気転写を行うようにした。スパッタ法による成膜では、上述したＣＶＤ法とは異なり、例えばターゲットの未使用部分を覆うことにより処理室の内壁に反応生成物が付着するという事態は生じにくく、また処理室の内壁に付着したスパッタ膜は剥離が生じにくいことから、その結果、反応生成物の塊が積層体１９０の表面に付着するという事態も生じにくい。したがって、本実施の形態で説明した手順を採用することで、磁気転写工程におけるマスタ情報記録体２００の機械的な破損および低寿命化を抑制することができる。また、ワイピング工程およびバーニッシュ工程を、従来よりも簡略化することが可能になる。

また、本実施の形態では、所謂インライン成膜装置における処理室の１つとして初期磁化室１０１２および磁気転写室１０１３をそれぞれ設け、第１１成膜室１０１１から送られてくる積層体１９０を、外気に晒さないまま初期磁化および磁気転写できるようにした。これにより、磁気転写前の積層体１９０に何らかの異物が付着するという事態の発生を回避しやすくなる。

さらに、本実施の形態では、磁気転写室１０１３と保護層１６０の積層に用いられる第１２成膜室１０１４とを、第４方向転換室１４を介して接続するようにした。本実施の形態のインライン成膜・磁気転写装置１０では、キャリア２０を移動させる際に各ゲートバルブ１５（１５ａ〜１５ｔ）を一時的に開放状態にするため、第１２成膜室１０１４で発生した反応生成物のダストが、キャリア２０の移動方向上流側に流れてくるおそれがある。このため、第１２成膜室１０１４と磁気転写室１０１３との間に第４方向転換室１４を配置することにより、第１２成膜室１０１４で発生した反応生成物のダストが磁気転写室１０１３に流れ込むという事態を発生しにくくしている。

なお、本実施の形態では、初期磁化室１０１２と磁気転写室１０１３とを別々に設けていたが、共通の処理室（磁気処理室）としてもよい。この場合には、共通の処理室内において、キャリア２０に取り付けられた２枚の積層体１９０に対し、初期磁化および磁気転写を順番に行うようにすればよい。

また、本実施の形態では、ステップ２０８における保護層１６０の積層を、ＣＶＤ法（より具体的にはプラズマＣＶＤ法）にて行うようにしていたが、これに限られるものではなく、例えばイオンビーム法（イオンビーム蒸着法と呼ばれることもある）にて行うようにしてもよい。
保護層１６０をイオンビーム法によって積層する場合にあっては、図５に示す第１２成膜室１０１４内に、例えばフィラメント状のカソード電極とカソード電極の周囲に配置されたアノード電極、積層体１９０側に設けたイオン加速電極を設ける。そして、実際の製造においては、保護層１６０の積層対象となる２枚の積層体１９０を第１２成膜室１０１４内に搬入した後に、室内を減圧してから炭素および水素を含む原料の気体を導入し、カソード電極を高温に通電加熱し、またアノード電極とカソード電極との間で放電を生じさせる。これに伴い、原料の気体はイオン化されることになる。そして、イオン化した原料の気体を各積層体１９０の表面（より具体的には垂直記録層１５０における第３磁性層１５５の表面）に加速照射する。またこの際に、図示しない磁場発生装置により外部から磁場を印加することによってイオンを収束させ、各積層体１９０の表面に照射されるイオンの密度を高めることで、各積層体１９０の表面に、高密度で緻密な炭素膜すなわち保護層１６０を形成することが可能となる。このような手法を用いた場合、保護層１６０の表層部（露出面側）の硬度が高めることが可能になることから、製造によって得られた磁気記録媒体１の表面を傷つけられにくくすることができる。

１…磁気記録媒体、１０…インライン成膜・磁気転写装置、１００…基板、１１０…密着層、１２０…軟磁性下地層、１３０…配向制御層、１４０…非磁性下地層、１５０…垂直記録層、１６０…保護層、１７０…潤滑層、１８０…積層基板、１９０…積層体

Claims (6)

1. 被積層体上に、スパッタ法を用いて磁性層を積層する工程と、
   前記被積層体に前記磁性層が積層された積層体に、第１の向きの直流磁界を印加する工程と、
   前記第１の向きの直流磁界を印加した後の前記積層体に、パターンが形成されたパターン形成体を接触させた状態で、当該第１の向きとは逆の第２の向きの直流磁界を印加する工程と、
   前記第２の向きの直流磁界を印加した後の前記積層体の前記磁性層に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはイオンビーム法を用いて当該磁性層を保護するための保護層を積層する工程と
   を含む磁気記録媒体の製造方法。
2. 前記磁性層は、垂直磁気記録方式にて情報の記録が行われるものからなり、
   前記第１の向きの直流磁界を印加する工程では、前記磁性層の面に垂直な方向に当該第１の向きの直流磁界の印加を行い、
   前記第２の向きの直流磁界を印加する工程では、前記磁性層の面に垂直な方向に当該第２の向きの直流磁界の印加を行うこと
   を特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 前記保護層を積層する工程では、当該保護層としてダイヤモンド・ライク・カーボンを積層することを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 被積層体上に、スパッタ法を用いて磁性層を成膜する磁性層成膜室と、
   前記磁性層成膜室に開閉機構を介して接続され、前記被積層体に前記磁性層が積層された積層体に、第１の向きの直流磁界を印加して当該磁性層を初期磁化し、当該磁性層を初期磁化した後の当該積層体に、パターンが形成されたパターン形成体を接触させた状態で、当該第１の向きとは逆の第２の向きの直流磁界を印加することによって当該磁性層に当該パターンを磁気的に転写する磁気処理室と、
   前記磁気処理室に開閉機構を介して接続され、前記磁性層に前記パターンが磁気転写された前記積層体の当該磁性層に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはイオンビーム法を用いて当該磁性層を保護するための保護層を成膜する保護層成膜室と
   を含む磁気記録媒体の製造装置。
5. 前記磁気処理室に開閉機構を介して接続されるとともに前記保護層成膜室に開閉機構を介して接続され、当該磁気処理室から送られてくる前記積層体を一時的に収容した後に当該保護層成膜室に送る一時収容室をさらに含むことを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造装置。
6. 前記保護層成膜室では、前記保護層としてダイヤモンド・ライク・カーボンを成膜することを特徴とする請求項４または５記載の磁気記録媒体の製造装置。

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