JP6055575B2 - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明に用いる真空処理装置について図1乃至4を用いて説明する。図1は本実施形態に係る真空処理装置を示す平面図である。本実施形態の真空処理装置はインライン式の成膜装置である。本実施形態の真空処理装置は、複数のチャンバ111〜131が矩形の無端状に連結されている。各チャンバ111〜131は専用又は兼用の排気系によって排気される真空容器である。それぞれのチャンバには、キャリア10に基板が搭載された状態で、隣り合うチャンバ間で搬送できる搬送装置が一体に構成されている。
上述の第1実施形態ではラジカル処理装置130でラジカル処理を行う構成例について説明したが、ラジカル処理をアンロードチャンバで行ってもよい。ラジカル処理をアンロードチャンバで行う構成例について第2実施形態として以下に説明する。本実施形態は、第1実施形態のラジカル処理装置130で行ったラジカル処理をアンロードチャンバ516内で行う構成である。図1の真空処理装置と比べると、本実施形態の真空処理装置は、第1実施形態のアンロードチャンバ116を表面処理が可能なアンロードチャンバ516に交換し、ラジカル処理装置130を備えない、もしくはラジカル処理装置130の位置で異なる処理を行う構成となる。すなわち、本実施形態のアンロードチャンバ516aは、第1実施形態のラジカル処理チャンバ300に相当する。なお、本実施形態の説明において、第1実施形態と同様の構成については同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
図6は、本発明の第3実施形態に係る真空処理装置を示す平面図である。本実施形態に係る真空処理装置は、ta−C膜形成室129を、方向転換室115とアンロードチャンバ516bの間に配置されている点で、第2実施形態の真空処理装置と異なっている。ラジカル処理はアンロードチャンバ516aで行うことは第2実施形態と同様である。なお、本実施形態の説明において、第1実施形態と同様の構成については同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
図7は、実施例1に係る表面処理方法である。磁性層610上に形成されたta−C膜601の表面には、sp3結合比率が低い層603が表面近傍、深さ0.5nm程度まで生じている。図7に示すようにラジカルで表面保護層601の一部を除去した後は、表面粗さの増加を伴わずに、sp3結合比率が低い層603が除去され、sp3結合比率が高い層602が残り、膜全体に占めるsp3結合比率が高くなる。基板断面612と磁性層610の間の層611は、密着層、軟磁性層、シード層、中間層の積層体である。密着層の材料としては、AlTi、AlTa、NiTa、またはCoTiAl等を用いることができる。軟磁性層の材料としては、FeCo合金、FeTa合金、Co合金等とRu合金等との積層体を用いることができる。シード層の材料としては、NiW合金、NiFe合金、NiTa合金、TaTi合金等を用いることができる。中間層にはRuやRu合金の積層体を用いることができる。
図8は、実施例2に係る表面処理方法である。上述のように、ta−C膜601が形成された表面には、sp3結合比率が低い層603が形成されている。本実施例では、ラジカル照射によりsp3結合比率が低い層603を改質した表面処理層704を形成した。本実施例のラジカル照射では、表面処理層704を形成しながらエッチングするため、sp3結合比率が低い層603より薄い表面処理層704を形成できる。表面処理層704は、表面のsp3結合比率が低い層603を改質した層であり、sp3結合比率が低い層603と比べて表面粗さは増加していない。
Claims (12)
- 基板にta−C膜からなる表面保護層を形成するta−C膜形成装置と、
前記表面保護層にラジカルを反応させるラジカル処理を行うラジカル処理装置と、
前記基板を大気に曝すことなく前記ta−C膜形成装置から前記ラジカル処理装置に搬送する搬送装置と、を備え、
前記ラジカル処理装置は、
内部に前記基板が配置されるラジカル処理チャンバと、
プロセスガスからラジカルを発生させるラジカル発生部と、
前記ラジカル発生部で発生した前記ラジカルを前記ラジカル処理チャンバに導入するラジカル導入部と、を備えることを特徴とする真空処理装置。 - 前記真空処理装置は、前記基板にそれぞれ所定の処理を行う複数のチャンバが矩形の無端状に連結されており、
前記複数のチャンバは、前記基板の搬送方向を転換するために前記矩形の角の位置に配置された方向転換チャンバと、前記ta−C膜形成装置を備えるta−C膜形成チャンバと、前記ラジカル処理装置を備えるラジカル処理チャンバとを含み、
前記基板の搬送方向に向かって、前記方向転換チャンバ、前記ta−C膜形成チャンバ、前記ラジカル処理チャンバの順番で配置されていることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。 - 前記真空処理装置は、前記基板にそれぞれ所定の処理を行う複数のチャンバが矩形の無端状に連結されており、
前記複数のチャンバは、前記基板の搬送方向を転換するために前記矩形の角の位置に配置された方向転換チャンバと、前記真空処理装置に前記基板を供給するロードロックチャンバと、前記真空処理装置から前記基板を排出するアンロードチャンバと、前記ta−C膜形成装置を備えるta−C膜形成チャンバと、前記ラジカル処理装置とを含み、
前記ラジカル処理装置は、前記アンロードチャンバと一体に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。 - 前記ラジカル処理装置は、ラジカル処理容器に前記基板を複数収容するカセットを備えていることを特徴とする請求項3に記載の真空処理装置。
- 前記搬送装置は、前記ラジカル処理装置および前記ta−C膜形成装置に一体に構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の真空処理装置。
- 前記プロセスガスは、O2ガス若しくはH2ガスの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。
- 前記プロセスガスは、N2、NO、N2O、NH3のうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とした請求項1に記載の真空処理装置。
- 前記プロセスガスは、CF4、C2F6、C3F8のうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。
- 基板にta−C膜からなる表面保護層を形成するta−C膜形成装置と、前記表面保護層にラジカルを反応させるラジカル処理を行うラジカル処理装置と、前記基板を大気に曝すことなく前記ta−C膜形成装置から前記ラジカル処理装置に搬送する搬送装置と、を備え、前記ラジカル処理装置は、内部に前記基板が配置されるラジカル処理チャンバと、プロセスガスからラジカルを発生させるラジカル発生部と、前記ラジカル発生部で発生した前記ラジカルを前記ラジカル処理チャンバに導入するラジカル導入部と、を備える真空処理装置における真空処理方法であって、前記真空処理方法は、基板に形成された磁気記録層を保護する表面保護層を有する磁気記録媒体の真空処理方法であって、
前記磁気記録層の上にta−C膜を形成するta−C膜形成工程と、
前記ta−C膜が形成された基板を搬送する搬送工程と、
プロセスガスを励起してラジカルを発生させるラジカル発生工程と、
前記ta−C膜の表面に前記ラジカルを照射するラジカル処理工程と、
を有することを特徴とする真空処理方法。 - 前記プロセスガスは、O2ガス若しくはH2ガスの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項9に記載の真空処理方法。
- 前記プロセスガスは、N2、NO、N2O、NH3のうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項9に記載の真空処理方法。
- 前記プロセスガスは、CF4、C2F6、C3F8のうち少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項9に記載の真空処理方法。
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