TW201538765A - 真空處理裝置及真空處理方法 - Google Patents

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Abstract

具有就形成於基板上之前述磁記錄層作保護的表面保護層之磁記錄媒體的真空處理方法，係具有於磁記錄層之上形成ta-C膜的ta-C膜形成程序、搬送形成了ta-C膜之基板的搬送程序、將處理氣體激發而予以產生自由基之自由基產生程序、及對於ta-C膜之表面照射前述自由基的自由基處理程序。

Description

真空處理裝置及真空處理方法
本發明，係關於適於表面保護層之處理的真空處理裝置、及表面保護層之真空處理方法，尤其關於磁記錄媒體的表面保護層之真空處理方法及適於表面保護層之處理的真空處理裝置。
於硬式磁碟機之磁記錄媒體的表層，係形成有供以保護磁記錄層用的表面保護層。於表面保護層係以DLC(類鑽碳)為合適，應用以濺鍍法或化學氣相沉積法(CVD法)而形成之保護層。可藉磁記錄層與磁頭之磁隙的窄小化，使記錄密度增大，故需要表面保護層之薄膜化。為此，要求即使為極薄膜仍可滿足耐久性之保護膜，在表面保護層方面，正檢討採用比歷來於耐久性及耐蝕性方面優異之ta-C(四面體非晶碳)膜。ta-C膜係以利用了碳離子之物理蒸鍍法而成膜。例如，採用如示於專利文獻1之真空電弧成膜裝置。
於藉真空電弧成膜裝置而形成的ta-C膜之最表面，係已知有生成sp3鍵結比率低，硬度低的層之情 形。若將表面保護層弄薄，則硬度低的層之厚度佔膜整體的厚度之比例變高，故有損ta-C膜本來的特性。要將表面保護層進一步弄薄，係除去表面之sp3鍵結比率低的層最佳。例如於專利文獻2，係揭露為了將保護層弄薄，利用離子束而除去表層之技術。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：美國專利第6031239號說明書
專利文獻2：日本發明專利公開2007-26506號公報
在磁記錄媒體的製程，係於表面保護層形成後塗布氟碳系液體潤滑劑，惟專利文獻1之技術，係表面能量因存在於處理後之基板表面的懸鍵而難以變均勻。為此潤滑劑塗布後之表面狀態的均勻性並非充分。此外，於硬式磁碟機之記錄密度的增加係使表面為平坦最佳，惟若採用氬離子束而進行蝕刻，則有基板之表面粗糙度增加的傾向。
本發明之目的，係在於提供將藉真空電弧成膜裝置而形成的ta-C膜之最表層最佳化的表面處理方法、及適於如此之表面處理的真空處理裝置。本發明之其他目的，係在於提供處理後之基板的表面可成為平坦之表 面處理方法、及適於如此之表面處理的真空處理裝置。
本發明相關之真空處理裝置，係特徵在於：具備於基板形成由ta-C膜所成之表面保護層的ta-C膜形成裝置、於前述表面保護層進行使自由基反應之自由基處理的自由基處理裝置、及將前述基板在不曝於大氣之下從前述ta-C膜形成裝置搬送至前述自由基處理裝置的搬送裝置。
或者，本發明相關之真空處理方法，係具有就形成於基板上之前述磁記錄層作保護的表面保護層之磁記錄媒體的真空處理方法，特徵在於：具有於前述磁記錄層之上形成ta-C膜的ta-C膜形成程序、搬送形成了前述ta-C膜之基板的搬送程序、將處理氣體激發而予以產生自由基之自由基產生程序、及對於前述ta-C膜之表面照射前述自由基的自由基處理程序。
依本發明的表面處理方法，即可無損表面保護層本來之特性，而除去sp3鍵結比率低的層。此外，可使表面處理後之表面的化學性質為最佳者。或者，依本發明之表面處理方法即可於表面賦予新的機能。本發明的表面處理方法係利用自由基而以化學方式蝕刻，故可防止表層之除去所致的表面粗糙度之增加。於本發明的方法之實 施時係不一定需要使基板台旋轉故可使用廉價的裝置。以串接製造裝置實施本發明的方法之情況下，係可減低基板搬送時之從自由基處理裝置往ta-C室的氣體流入所致之交叉污染。
本發明的其他特徵及優點，係藉以附圖作為 參照之以下的說明而變清楚。另外，於附圖，對於相同或同樣的構成，係附加相同參照號。
1‧‧‧基板
10‧‧‧載體
111~131‧‧‧腔室
151‧‧‧機器人
201‧‧‧處理室
202‧‧‧搬送裝置
210‧‧‧濾波部
212‧‧‧濾波線圈
220‧‧‧來源部
230‧‧‧陽極部
240‧‧‧陰極靶材部
300‧‧‧基板處理室
301‧‧‧排氣系統
302‧‧‧基板電壓施加電源
303‧‧‧氣體導入部
304‧‧‧自由基產生手段
305‧‧‧自由基產生部
306‧‧‧基板處理部
307‧‧‧閥
308‧‧‧流量調整部
309‧‧‧自由基導入路
310‧‧‧氣體整流板
320‧‧‧自由基源
401‧‧‧保持器
402‧‧‧滑件
403‧‧‧彈性構材
404‧‧‧永久磁鐵
501‧‧‧排氣裝置
502‧‧‧基板收納構材
510‧‧‧氣體整流板
511‧‧‧排氣裝置
516‧‧‧卸載室
516a‧‧‧卸載室
516b‧‧‧卸載室
516c‧‧‧卸載室
601‧‧‧ta-C膜
602‧‧‧sp3鍵結比率高之層
603‧‧‧sp3鍵結比率低的層
610‧‧‧磁性層
611‧‧‧612與610之間的層
612‧‧‧基板剖面
704‧‧‧表面處理層
附圖係含於說明書中，構成其一部分，繪示本發明的實施之形態，用於與其記述一起說明本發明的原理。
[圖1]本案發明的第1實施形態相關之真空處理裝置的平面圖。
[圖2]本案發明的第1實施形態相關之ta-C膜形成室的示意圖。
[圖3]本案發明的第1實施形態相關之搬送載體的示意圖。
[圖4]本案發明的第1實施形態相關之表面處理裝置的俯視圖。
[圖5]本案發明的第2實施形態相關之卸載室的側面圖。
[圖6]本案發明的第3實施形態相關之真空處理裝置的平面圖。
[圖7]藉本案發明的第1實施例之表面處理方法而製作的膜之剖面圖。
[圖8]藉本案發明的第2實施例之表面處理方法而製作的膜之剖面圖。
以下，參照圖式，而詳細說明本發明的合適之實施形態。然而，記載於此實施形態之構成要素僅為例示。本發明之技術範圍，係藉申請專利範圍而確定，並非受以下的個別之實施形態而限定。於以下，說明有關於將本發明的成膜裝置應用在採用真空電弧成膜法(Vacuum Arc Deposition)而在作為被處理物之基板形成保護層的成膜裝置之實施形態。
(第1實施形態)
首先，就使用於本發明之真空處理裝置利用圖1至4作說明。圖1係就本實施形態相關之真空處理裝置作繪示的平面圖。本實施形態之真空處理裝置係串接式的成膜裝置。本實施形態之真空處理裝置，係複數個腔室111~131以矩形之無端狀的形式作連結。各腔室111~131係被藉專用或兼用之排氣系統而排氣之真空容器。於各自的腔室，係可於在載體10搭載了基板之狀態下，在相鄰腔室間作搬送之搬送裝置被一體構成。
各腔室111~131係透過閘閥而以無端狀之形 式作連結。於被連結之各腔室111~131係設有可透過閘閥而搬送載體10的搬送裝置。搬送裝置，係具有將載體10以垂直姿勢作搬送之搬送路徑。基板1，係呈被搭載於載體10而沿著不圖示之搬送路徑而搬送。腔室111，係進行往載體10之基板1的搭載之載鎖(load lock)室。 腔室116，係進行從載體10之基板1的回收之卸鎖(Unload lock)室。另外，基板1係於中心部分具有開口(內周孔部)之金屬製、或玻璃製的圓板狀構材，係適於作為磁記錄媒體之使用者。
就在成膜裝置內的基板之處理程序作說明。 首先，在載鎖室111內未處理之2個基板1被搭載於最初的載體10。此載體10係移動至密接層形成室117，而於基板1形成密接層。於最初之載體10配置於密接層形成室117時，往下個載體10，進行2個未處理之基板1的搭載動作。之後，下個載體10係移動至密接層形成室117，於基板1形成密接層，在載鎖室111內進一步進行往下個載體10之基板1的搭載動作。每經過1產距時間，各載體10係邊1次移動1個腔室117~131，邊依序為既定之處理。
腔室117~131係進行各種處理之處理室。在處理室的具體例方面，係舉於基板1形成密接層之密接層形成室117、於形成了密接層之基板1形成軟磁性層的軟磁性層形成室118、119、120、於形成了軟磁性層之基板1形成晶種層的晶種層形成室121、於形成了晶種層之基 板1形成中間層的中間層形成室123、124、於形成了中間層之基板1形成磁性膜的磁性膜形成室126、127、128、於磁性膜之上形成由ta-C膜所成的表面保護層之ta-C膜形成室129、及就ta-C膜之表面作自由基處理的自由基處理室130(自由基處理裝置)。此外，位於以矩形之閉迴路狀的形式而連接之真空處理裝置的4個角之部分的腔室112、113、114、115，係具備將基板1之搬送方向作90度轉換的方向轉換裝置之方向轉換室。腔室131係將附著於載體之堆積物作除去的灰化處理室。上未述之其他處理室，係可作為冷卻基板1之基板冷卻室、或更換基板1之基板更換室等而構成。
將ta-C膜形成室129之示意圖繪示於圖2。利用圖2而就本實施形態之ta-C膜形成室129作說明。ta-C膜形成室129，係具有處理室201、以內部與處理室201連通的方式而連結之濾波部210、及以在內部連通於濾波部210的方式而連結之來源部220。於處理室201內，係設有可將搭載了基板1之載體10移動至既定位置的搬送裝置202。
濾波部210係將電子及碳離子朝向基板1傳輸之通路，以包圍濾波部210的方式設有濾波線圈212或永久磁鐵等之磁場形成手段。磁場形成手段係形成供以傳輸電子、及離子用的磁場。本實施形態之磁場形成手段，係設於濾波部210之外側(大氣側)惟亦可配置於內部(真空側)。
來源部220，係具有供以生成電子及碳離子用的陰極靶材部240、及具備陽極電極之陽極部230。藉維持在陽極部230與陰極靶材部240間之電子電流或離子流，從而維持電弧放電。於本實施形態之陰極靶材部240係搭載碳製之靶材。此外，在本實施形態係以採用真空電弧放電之裝置形成ta-C膜惟ta-C膜係亦得以濺鍍程序而形成。
於圖3繪示載體的概略。載體10係可同時搭載2個基板1。載體10，係具有2個保持基板1之金屬製的保持器401、及將保持器401支撐而移動於搬送路徑上的滑件402。得以設於保持器401之複數個彈性構材(片彈簧)403支撐基板1之外周部的數處，故可在不遮住基板1之表背的成膜面之下以對向於靶材的姿勢作保持。
搬送裝置，係具備沿著搬送路徑而排列之多數個從動輥、及藉磁耦合方式將動力導入至真空側的磁螺。載體10之滑件402係設有永久磁鐵404。在將旋轉之磁螺的螺旋狀之磁場與滑件402的永久磁鐵404予以磁耦合之狀態下，使磁螺旋轉時可使滑件402(載體10)沿著從動輥而移動。另外，在載體10及搬送裝置的構成方面係可採用揭露於日本發明專利公開平8-274142號公報之構成。當然，亦可採用使用了線性馬達或齒條與小齒輪之搬送裝置。
自由基處理室130等之腔室，係具備變更基板1之電位的電壓施加手段。保持於載體10之保持器的 基板1，係透過導電性的彈性構材(片彈簧)403而與保持器401電性連接。可藉變更彈性構材403之電位從而變更基板1之電位。電壓施加手段，係使連接於基板電壓施加電源302或接地之電極接觸於保持器401的裝置。保持器401係亦可為接地電位。此外，於保持器401，亦可利用從直流電源、脈衝電源或高頻電源等所適當選擇之電源而施加各種的電力。
圖4係從上方看自由基處理裝置130(表面處理裝置)之示意圖。利用圖4而就本實施形態之自由基處理裝置130作說明。自由基處理裝置130，係具備基板處理室300(自由基處理容器)、自由基源320、及於基板處理室300與自由基源320之間將基板處理室300與自由基源320連結的自由基導入路309(自由基導入部)。自由基導入路309係具有調整往基板處理室300之自由基流量的流量調整部308。基板處理室300，係具備以載體10(基板1)為基準而左右對稱之構成，自由基源320與自由基導入路309亦分別設於左右。為此，可於保持於載體10之2個基板1的兩面同時作處理。以可透過載體10而將基板1保持於中央之既定位置的方式設有搬送裝置。排氣系統301，係可就基板處理室300內作真空排氣之渦輪分子泵浦等的真空泵浦。
自由基源320，係具備導入處理氣體之氣體導入部303、生成自由基之自由基產生手段304、於自由基產生手段304導通電力而產生自由基之自由基產生部 305、及就從自由基產生部305與自由基產生部305往自由基導入路309之自由基的流入作控制之閥307。所產生之自由基通過自由基導入路309而導入，導入至基板處理室300。
氣體導入部303，係具有儲氣瓶等之供氣源、就從供氣源所供應之氣體導入量作控制的質流控制器(MFC)、於真空容器內導入氣體之氣體導入構材、及在此等構材之間使氣體流通的氣體管路。自由基產生手段304係生成自由基之手段。自由基產生部305係具備自由基產生手段304者，對於所導入之處理氣體導通電力而產生自由基。自由基產生部305係透過自由基導入路309而連接於基板處理室300，可透過自由基導入路309而將自由基導入基板處理室300內。於自由基導入路309係設有由調整氣體流量之MFC或開口等而構成的流量調整部308。
氣體整流板310，係在基板處理室300內配置於既定位置之相對於基板1平行而設的一對之板狀構材，為了對於基板1之成膜面均勻照射自由基而具有多數個氣體噴出口。本實施形態之氣體整流板310，係雖採用均等間隔或於基板內孔之對向面設置氣體噴出口者，惟氣體整流板310，係具有環狀均等間隔而配置之氣體噴出口者亦可。此外，氣體整流板310係不限於一對，亦可設置1個、或3個以上。基板處理部306，係於基板處理室300內，氣體整流板310與基板1之間的空間。在基板處理部 306內，藉透過氣體整流板310而導入之自由基對於形成在基板1之表面的ta-C膜之表層作處理(自由基處理)。
自由基產生手段304，係利用紫外光激發或電漿激發而生成電漿的手段。在紫外光激發源方面，係例如，採用準分子燈、氙燈。採用電漿激發之情況下，高頻電漿、直流電漿源之任何電漿源皆可應用。亦可併用紫外光激發與電漿激發而構成自由基產生手段304。
自由基處理室130係具備複數個自由基產生部305。可從複數個自由基產生部305同時供應自由基，亦可作成1次1個交互供應自由基。交互供應自由基之情況下，係於1產距時間結束後，針對下個基板處理從在正前之程序未使用的自由基產生部305將自由基供應至基板處理室即可。採取此方式時，可將自由基穩定供應故謀得生產性之提升。
就使用了自由基處理裝置130之表面處理程序而詳細作說明。將處理氣體對於自由基處理裝置130之自由基產生部305透過氣體導入部303以既定之流量作導入。在處理氣體方面，係可採用氧氣(O2氣體)或氫氣(H2氣體)或包含其等之混合氣體。或者，在處理氣體方面，亦可採用混合了氮或NO、N2O、NH3之中至少1者的混合氣體或CF4、C2F6、C3F8等。對於自由基產生手段304導通期望之電力，將導入於自由基產生部305之處理氣體作解離及激發而於自由基產生部305予以產生自由 基。
所產生之自由基，係與導入氣體一起通過自由基導入路309，而往配置了基板1之基板處理部306導入。此導入中，藉設於自由基導入路309之流量調整部308，調整成期望的流量。調整成既定之流量的自由基，係導入至基板處理室300內。然後，自由基被照射於搬送至基板處理部306的既定位置之基板1而與ta-C膜之表層作反應以進行自由基處理。將被自由基處理之基板從自由基處理裝置130排出。
另外，在如本實施形態之串接式的真空處理裝置裝置(圖1參照)，係於在基板1之搬送時於鄰接處理室間有壓力差的情況下，於開放閘閥時，氣體從壓力高之腔室朝向低的處理室流入。本發明的ta-C膜形成程序係不使用處理氣體，故ta-C膜形成室129之壓力係比鄰接室低，有氣體從鄰接室流入之虞。然後，在於ta-C膜形成室129殘存來自鄰接室之氣體的狀態下進行ta-C膜形成程序時會於膜中混入氣體成分，無法獲得期望之膜質。為此，於將鄰接於ta-C膜形成室129之處理室的處理氣體充分排氣後進行載體搬送、或於將流入於ta-C膜形成室129之氣體充分排氣後進行ta-C膜之形成最佳。
自由基處理裝置130，係自由基產生部305與基板處理部306分開，故可抑制基板處理部306之壓力的所需以上之上升。原因在於自由基產生部305與基板處理部306分開，故變成於基板處理室300係導入調整成既定 流量之氣體(自由基)，氣體之導入量會減少。藉採取如此之構造，可進一步減低於基板1之搬送時從自由基處理裝置130往ta-C膜形成室129之處理氣體的流入。
(第2實施形態)
在上述之第1實施形態係就在自由基處理裝置130進行自由基處理之構成例作說明，惟亦可在卸載室進行自由基處理。就在卸載室進行自由基處理之構成例以第2實施形態於以下作說明。本實施形態，係將在第1實施形態之自由基處理裝置130所進行之自由基處理在卸載室516內進行之構成。與圖1之真空處理裝置相較時，本實施形態之真空處理裝置，係將第1實施形態之卸載室116交換為可表面處理之卸載室516，成為不具備自由基處理裝置130、或在自由基處理裝置130之位置進行不同處理的構成。亦即，本實施形態之卸載室516a，係相當於第1實施形態之自由基處理室300。另外，於本實施形態之說明，就與第1實施形態同樣之構成係附加相同符號而省略其詳細的說明。
本實施形態之自由基處理裝置係與卸載室516一體構成，惟此係除了於卸載室516內編入自由基處理裝置之構成以外，亦包含使卸載室與自由基處理裝置鄰接之構成者。例如，將自由基處理裝置安裝於卸載室的基板排出側之構成係與卸載室516同樣者，可期待與本實施形態同效果。
圖5，係本實施形態之卸載室516的側面圖。 卸載室516，係由下列者所構成：將基板1從載體10卸除之卸載室516b；收容所卸除之基板的卸載室516c；及於基板1實施表面處理後，將基板1搬出至大氣側的卸載室516a。卸載室516a與卸載室516c係透過閘閥而連接。 排氣裝置501、511係分別連接於卸載室516a、及卸載室516c。卸載室516a、及卸載室516c之各者，係具備可收容複數個基板1之盒子502(基板收納構材)。排氣裝置501、511，係具備渦輪分子泵浦等之真空泵浦。
卸載室516a，係透過流量調整部308而連接於自由基源320。自由基源320，係具備導入處理氣體之氣體導入部303、生成自由基之自由基產生手段304、於自由基產生手段304導通電力而產生自由基之自由基產生部305、就搬送至既定位置的基板1作自由基處理之基板處理部306、將從自由基產生部305所產生之自由基導入至基板處理部306的自由基導入路(自由基導入路)、及就從自由基產生部305往自由基導入路之自由基的流入作控制之閥307。此外，流量調整部308係就從自由基源320導入至卸載室516a之自由基的流量作調整之構材。 亦即，結合本實施形態之卸載室516a、流量調整部308、及自由基源320者相當於第1實施形態之自由基處理裝置130。
氣體導入部303，係具有儲氣瓶等之供氣源、就從供氣源所供應之氣體導入量作控制的MFC、於真空 容器內導入氣體之氣體導入構材、及在此等構材之間使氣體流通的氣體管路。氣體整流板510，係在收納於卸載室516a內之盒子502的基板1之上方所設的板狀構材，如同氣體整流板310，為了將氣體(自由基)均勻導入而具有多數個氣體噴出口。在本實施形態係僅設置1個氣體整流板510，惟亦可設置複數個。
透過自由基導入路309與氣體整流板510而導入自由基，使得可同時進行收納於盒子502之既定數的基板1之自由基處理。依本實施形態之真空處理裝置，即可同時進行多數個基板1之自由基處理，故可使產量大幅提升。
(第3實施形態)
圖6，係就本發明的第3實施形態相關之真空處理裝置作繪示的平面圖。本實施形態相關之真空處理裝置，係在將ta-C膜形成室129，配置於方向轉換室115與卸載室516b之間這點，與第2實施形態之真空處理裝置相異。自由基處理在卸載室516a進行係如同第2實施形態。另外，於本實施形態之說明，就與第1實施形態同樣之構成係附加相同符號而省略其詳細的說明。
就在本實施形態相關之真空處理裝置進行自由基處理的情況作說明。首先，將在ta-C膜形成室129形成ta-C膜之基板1搬送至卸載室516b，從載體10卸除基板1，收納於盒子502。之後，在收納複數個於盒子 502之時點，藉基板載換機器人151從卸載室516b搬送至卸載室516a，使用示於圖5之卸載室，而對於基板1之兩面進行使用了自由基之自由基處理。
在本實施形態相關之真空處理裝置，係採取將ta-C膜形成室129，配置於方向轉換室115、及作為自由基處理裝置之卸載室516b之間，表面處理(自由基處理)係在卸載室516a進行之構成。為此，於ta-C膜形成室129之兩側未配置使用處理氣體之腔室。藉採取如此之配置，使得可於串接式之製造裝置，確實防止於基板1之搬送時從鄰接室往ta-C膜形成室129的處理氣體之流入，以高生產性連續形成膜質良好之ta-C膜。
將使用了上述之真空處理裝置的表面處理之例以實施例1、2於以下作說明。使用示於上述之第1實施形態的裝置，而於基板之上依序積層密接層、下部軟磁性層、晶種層、中間層、磁記錄層、及作為表面保護層之ta-C膜。接著，將基板搬送至自由基處理裝置130，對於形成了ta-C膜的基板之兩面實施使用了自由基的表面處理。另外，使用第2實施形態或第3實施形態之真空處理裝置的情況下，係除了在卸載室516a進行自由基處理以外係進行同樣的處理。
(實施例1)
圖7，係實施例1相關之表面處理方法。於形成於磁性層610上之ta-C膜601的表面，係sp3鍵結比率低的層 603在表面附近，生成至深度0.5nm程度。如圖7所示以自由基而除去表面保護層601之一部分後，係在不伴隨表面粗糙度之增加下，除去sp3鍵結比率低的層603，殘留sp3鍵結比率高之層602，sp3鍵結比率佔膜整體會提高。 基板剖面612與磁性層610之間的層611，係密接層、軟磁性層、晶種層、及中間層之積層體。在密接層之材料方面，係可採用AlTi、AlTa、NiTa、或CoTiAl等。在軟磁性層之材料方面，係可採用FeCo合金、FeTa合金、Co合金等、及Ru合金等之積層體。在晶種層之材料方面，係可採用NiW合金、NiFe合金、NiTa合金、及TaTi合金等。於中間層係可採用Ru或Ru合金之積層體。
再者，於sp3鍵結比率低的層603被以自由基除去時自由基被照射於sp3鍵結比率高之層602的最表層，故可均勻控制sp3鍵結比率高之層602的最表層之表面能量。在本實施形態之表面處理，係自由基產生部305與基板處理部306透過自由基導入路309而連接，ta-C膜不會直接曝於電漿或紫外光。為此，無於表面處理時從電漿飛來之具有動能的離子或紫外光所致之對於ta-C膜的損傷，故ta-C膜不會變質而損及特性。作為在本實施例之處理氣體，係可採用氧氣或氫氣或含其等之混合氣體。
(實施例2)
圖8，係實施例2相關之表面處理方法。如上所述，於形成了ta-C膜601之表面，係形成有sp3鍵結比率低的 層603。在本實施例，係形成藉自由基照射而將sp3鍵結比率低的層603作了改質之表面處理層704。在本實施例之自由基照射，係邊形成表面處理層704邊作蝕刻，故可形成比sp3鍵結比率低的層603薄之表面處理層704。表面處理層704，係將表面之sp3鍵結比率低的層603作了改質之層，與sp3鍵結比率低的層603比較下表面粗糙度係未增加。
於此，在實施例2所形成之表面處理層704的特性與蝕刻速度，係可就照射之自由基量、照射時間、及處理氣體的混合比等作選擇從而控制。例如，可作成賦予了氮化層形成所致的親水性及改善了潤滑劑吸附性之特性、或氟化層形成所致的撥水性及改善了離型性之特性的表面處理層704。於自由基處理時，配合所賦予之特性而選擇生成自由基的氣體種類，而供應至自由基產生部305。
於形成氮化層作為表面處理層704之情況下，係在處理氣體方面，採用混合了氮或NO、N2O、NH3之中至少1者的混合氣體。於此，表面處理層之特性與蝕刻速度，係可就照射之自由基量、照射時間、及處理氣體的混合比等作選擇從而控制。尤其，藉除了上述之處理氣體以外添加氧或氫氣，使得可促進碳之蝕刻。
於形成氟化層作為表面處理層704之情況下，係在處理氣體方面，採用CF4、C2F6、C3F8等。於此，表面處理層之特性與蝕刻速度，係可就照射之自由基 量、照射時間、及氣體種類作選擇從而控制。對於自由基產生手段304導通期望之電力，將導入於自由基產生部305之處理氣體作解離及激發而於自由基產生部305予以產生自由基。在實施例2之自由基處理，係可同時進行極表層之改質(例如氮化)與蝕刻之兩方，惟取決於所選擇之氣體種類(例如，純N2等)係亦可採取僅進行極表面之改質的處理。
本發明非限定於上述實施之形態者，不脫離本發明的精神及範圍之下，可進行各式各樣的變更及變化。因此，為了公開本發明的範圍，附上以下的請求項。
本案，係以2014年3月4日提出的日本發明專利申請案特願2014-41685為基礎而主張優先權者，將其記載內容之全部，援用於此。
1‧‧‧基板
10‧‧‧載體
111~131‧‧‧腔室

Claims (13)

  1. 一種真空處理裝置，特徵在於：具備：於基板形成由ta-C膜所成之表面保護層的ta-C膜形成裝置；於前述表面保護層進行使自由基反應之自由基處理的自由基處理裝置；及將前述基板在不曝於大氣之下從前述ta-C膜形成裝置搬送至前述自由基處理裝置的搬送裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述真空處理裝置，係以矩形之無端狀的方式連結對於前述基板分別進行既定之處理的複數個腔室，前述複數個腔室，係包含為了轉換前述基板之搬送方向而配置於前述矩形之角的位置之方向轉換室、具備前述ta-C膜形成裝置之ta-C膜形成室、及具備前述自由基處理裝置之自由基處理室，朝向前述基板之搬送方向，依前述ta-C膜形成室、前述方向轉換室、及前述自由基處理室的順序而配置。
  3. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述真空處理裝置，係以矩形之無端狀的方式連結對於前述基板分別進行既定之處理的複數個腔室，前述複數個腔室，係包含為了轉換前述基板之搬送方向而配置於前述矩形之角的位置之方向轉換室、對於前述真空處理裝置供應前述基板之載鎖(load lock)室、從前 述真空處理裝置排出前述基板之卸載室、具備前述ta-C膜形成裝置之ta-C膜形成室、及前述自由基處理裝置，前述自由基處理裝置，係與前述卸載室一體構成。
  4. 如申請專利範圍第3項之真空處理裝置，其中，前述自由基處理裝置，係於自由基處理容器具備收容複數個前述基板之盒子。
  5. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述搬送裝置，係一體構成於前述自由基處理裝置及前述ta-C膜形成裝置。
  6. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述自由基處理裝置，係具備：於內部配置前述基板之自由基處理室；從處理氣體使自由基產生之自由基產生部；及將在前述自由基產生部所產生之前述自由基導入至前述自由基處理室的自由基導入部。
  7. 如申請專利範圍第6項之真空處理裝置，其中，前述處理氣體，係包含O2氣體或H2氣體中的至少一者。
  8. 如申請專利範圍第6項之真空處理裝置，其中，前述處理氣體，係包含N2、NO、N2O、NH3之中至少1者。
  9. 如申請專利範圍第6項之真空處理裝置，其中，前述處理氣體，係包含CF4、C2F6、C3F8之中至少1者。
  10. 一種真空處理方法，具有就形成於基板之磁記錄層作保護的表面保護層之磁記錄媒體的真空處理方法，特 徵在於：具有：於前述磁記錄層之上形成ta-C膜的ta-C膜形成程序；搬送形成了前述ta-C膜之基板的搬送程序；將處理氣體激發而予以產生自由基之自由基產生程序；及對於前述ta-C膜之表面照射前述自由基的自由基處理程序。
  11. 如申請專利範圍第10項之真空處理方法，其中，前述處理氣體，係包含O2氣體或H2氣體中的至少一者。
  12. 如申請專利範圍第10項之真空處理方法，其中，前述處理氣體，係包含N2、NO、N2O、NH3之中至少1者。
  13. 如申請專利範圍第10項之真空處理方法，其中，前述處理氣體，係包含CF4、C2F6、C3F8之中至少1者。
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