JP2002056526A - 薄膜磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2002056526A JP2002056526A JP2000243261A JP2000243261A JP2002056526A JP 2002056526 A JP2002056526 A JP 2002056526A JP 2000243261 A JP2000243261 A JP 2000243261A JP 2000243261 A JP2000243261 A JP 2000243261A JP 2002056526 A JP2002056526 A JP 2002056526A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 保護層成膜後の表面パーティクル除去を容易
にかつ保護層を傷つけることなく行い、磁気ヘッド浮上
が安定し、記録再生時の信号欠落によるエラーの少ない
薄膜磁気記録媒体の製造方法の提供。 【解決手段】 非磁性基体上にドライプロセスにより少
なくとも磁気記録層および保護層を順次形成する成膜工
程と、該保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と
を具え、成膜工程と潤滑層形成工程との間に、保護層の
表面にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチン
グ工程を具え、成膜工程からプラズマエッチング工程ま
でを真空中で連続して行うこと薄膜磁気記録媒体の製造
方法。
にかつ保護層を傷つけることなく行い、磁気ヘッド浮上
が安定し、記録再生時の信号欠落によるエラーの少ない
薄膜磁気記録媒体の製造方法の提供。 【解決手段】 非磁性基体上にドライプロセスにより少
なくとも磁気記録層および保護層を順次形成する成膜工
程と、該保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と
を具え、成膜工程と潤滑層形成工程との間に、保護層の
表面にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチン
グ工程を具え、成膜工程からプラズマエッチング工程ま
でを真空中で連続して行うこと薄膜磁気記録媒体の製造
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気記録媒体
の製造方法、特に記録再生時における信号欠落エラーを
生じない薄膜磁気記録媒体を容易に製造する方法に関す
る。
の製造方法、特に記録再生時における信号欠落エラーを
生じない薄膜磁気記録媒体を容易に製造する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気記録媒体（ハードディス
ク）は、基板の上にＣｒ合金下地層、ＣｏＣｒ合金非磁
性中間層、Ｃｏ合金磁気記録層、カーボンを主成分とし
た保護層（以下、カーボンを主成分とした保護層を「カ
ーボン保護層」という）、および潤滑層を順次積層した
積層構造をしている（特開２０００−２００４０９号公
報参照）。なお、中間層は設けられないものもある。
ク）は、基板の上にＣｒ合金下地層、ＣｏＣｒ合金非磁
性中間層、Ｃｏ合金磁気記録層、カーボンを主成分とし
た保護層（以下、カーボンを主成分とした保護層を「カ
ーボン保護層」という）、および潤滑層を順次積層した
積層構造をしている（特開２０００−２００４０９号公
報参照）。なお、中間層は設けられないものもある。
【０００３】このような構造をした磁気記録媒体の従来
の製造方法を図１を参照しながら、説明する。図１は、
従来の磁気記録媒体の製造工程を表すフロー図であり、
基板を図中の矢印の方向に運搬することによって磁気記
録媒体が製造される。
の製造方法を図１を参照しながら、説明する。図１は、
従来の磁気記録媒体の製造工程を表すフロー図であり、
基板を図中の矢印の方向に運搬することによって磁気記
録媒体が製造される。
【０００４】まず、用意された基板１を、大気から真空
状態の薄膜成膜装置２０１の基板搬入装着室（Ｌｏａｄ
室）２０２に挿入する。次いで、基板真空加熱室２０３
にて基板１を加熱し、下地層成膜室２０４にて下地層
を、中間層成膜室２０５にて中間層を、磁気記録層成膜
室２０６にて磁気記録層をそれぞれ成膜する。次いで、
必要に応じて基板冷却室２０７にて基板を冷却し、保護
層成膜室２０８にてカーボン保護層を成膜する。その
後、真空状態の薄膜成膜装置２０１から大気へ、基板取
り出し室２０９より、基板を取り出す。以上の操作は、
内部が真空状態である薄膜成膜装置２０１内で行われ、
ここでの基板の保持および運搬は１系統で、基板搬入装
着室２０２において基板搬送系に装着された後は、基板
取り出し室２０９まで各室へ順次搬送されることによっ
て、保護層までを形成することができる。
状態の薄膜成膜装置２０１の基板搬入装着室（Ｌｏａｄ
室）２０２に挿入する。次いで、基板真空加熱室２０３
にて基板１を加熱し、下地層成膜室２０４にて下地層
を、中間層成膜室２０５にて中間層を、磁気記録層成膜
室２０６にて磁気記録層をそれぞれ成膜する。次いで、
必要に応じて基板冷却室２０７にて基板を冷却し、保護
層成膜室２０８にてカーボン保護層を成膜する。その
後、真空状態の薄膜成膜装置２０１から大気へ、基板取
り出し室２０９より、基板を取り出す。以上の操作は、
内部が真空状態である薄膜成膜装置２０１内で行われ、
ここでの基板の保持および運搬は１系統で、基板搬入装
着室２０２において基板搬送系に装着された後は、基板
取り出し室２０９まで各室へ順次搬送されることによっ
て、保護層までを形成することができる。
【０００５】薄膜成膜装置２０１より取り出した基板
を、そのカーボン保護層表面のテープ研磨（以下、テー
プポリッシュとする）工程２１０、および純水または溶
剤洗浄工程２１１により保護層成膜までに付着したカー
ボンを主成分とした粒子（以後、総称してパーティクル
と表記する）や微小突起などを除去した後、潤滑剤をス
ピンコーター法またはディップ法により塗布する潤滑剤
塗布工程２１２、および大気中で紫外線または加熱法に
よって潤滑剤を保護膜表面に定着させる潤滑層定着工程
２１３を経て、最後に媒体表面をテープまたはヘッドを
用いてバニッシュによる表面処理工程２１４を行う。
を、そのカーボン保護層表面のテープ研磨（以下、テー
プポリッシュとする）工程２１０、および純水または溶
剤洗浄工程２１１により保護層成膜までに付着したカー
ボンを主成分とした粒子（以後、総称してパーティクル
と表記する）や微小突起などを除去した後、潤滑剤をス
ピンコーター法またはディップ法により塗布する潤滑剤
塗布工程２１２、および大気中で紫外線または加熱法に
よって潤滑剤を保護膜表面に定着させる潤滑層定着工程
２１３を経て、最後に媒体表面をテープまたはヘッドを
用いてバニッシュによる表面処理工程２１４を行う。
【０００６】このようにして、磁気記録媒体７を得るこ
とができる。従来の製造方法では、磁気記録媒体の製造
において、真空中の薄膜形成工程、ならびに大気中の洗
浄工程および潤滑層形成工程からなる複雑な工程を必要
としていた。
とができる。従来の製造方法では、磁気記録媒体の製造
において、真空中の薄膜形成工程、ならびに大気中の洗
浄工程および潤滑層形成工程からなる複雑な工程を必要
としていた。
【０００７】ここで、保護層を形成した後に、表面のパ
ーティクルを除去せずにその上に潤滑層を形成すると、
実際にヘッドが媒体上に数十ｎｍの高さを保持しながら
飛行して記録再生を行うときに、パーティクルなどの突
起に衝突してクラッシュし故障するという重大な問題が
発生する。
ーティクルを除去せずにその上に潤滑層を形成すると、
実際にヘッドが媒体上に数十ｎｍの高さを保持しながら
飛行して記録再生を行うときに、パーティクルなどの突
起に衝突してクラッシュし故障するという重大な問題が
発生する。
【０００８】そこで、従来は上述したようにカーボン保
護層を形成した後、基板を大気中に取り出し、テープポ
リッシュによるパーティクル除去、さらに純水や溶媒に
よるウェット洗浄を施して、表面のパーティクル除去を
十分に行った後に潤滑層を形成していた。
護層を形成した後、基板を大気中に取り出し、テープポ
リッシュによるパーティクル除去、さらに純水や溶媒に
よるウェット洗浄を施して、表面のパーティクル除去を
十分に行った後に潤滑層を形成していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のように
テープポリッシュによるパーティクル除去工程を具える
方法では、テープポリッシュのときにカーボン保護層表
面上に付着したパーティクルおよび微小突起をテープが
接触研磨するために、このパーティクルを巻き込んで表
面を研磨することによる傷が発生してしまった。その結
果、記録再生時における信号欠落によるエラーの原因と
なっていた。
テープポリッシュによるパーティクル除去工程を具える
方法では、テープポリッシュのときにカーボン保護層表
面上に付着したパーティクルおよび微小突起をテープが
接触研磨するために、このパーティクルを巻き込んで表
面を研磨することによる傷が発生してしまった。その結
果、記録再生時における信号欠落によるエラーの原因と
なっていた。
【００１０】また、カーボン保護層表面の大気中での洗
浄工程において、潤滑剤塗布までの大気放置時間の経過
と共に、カーボン保護層が大気に暴露されることによる
酸化、窒化、水分吸着などが生じる。その結果、カーボ
ン保護層表面の品質が変化し、潤滑層との密着性が変化
することにより、品質の安定性が損なわれるという問題
が生じていた。
浄工程において、潤滑剤塗布までの大気放置時間の経過
と共に、カーボン保護層が大気に暴露されることによる
酸化、窒化、水分吸着などが生じる。その結果、カーボ
ン保護層表面の品質が変化し、潤滑層との密着性が変化
することにより、品質の安定性が損なわれるという問題
が生じていた。
【００１１】そこで、本発明では保護層成膜後の表面パ
ーティクル除去を容易に、かつ保護層を傷つけることな
く行い、記録再生時の信号欠落によるエラーの少ない媒
体を効率良く製造する方法を提供する。
ーティクル除去を容易に、かつ保護層を傷つけることな
く行い、記録再生時の信号欠落によるエラーの少ない媒
体を効率良く製造する方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ための本発明による薄膜磁気記録媒体の製造方法は、非
磁性基体上にドライプロセスにより少なくとも磁気記録
層および保護層を順次形成する成膜工程と、前記保護層
の上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを具え、前述
の成膜工程と前述の潤滑層形成工程との間に、前述の保
護層の表面にプラズマエッチング処理を施すプラズマエ
ッチング工程を具え、前述の成膜工程から前述のプラズ
マエッチング工程までを真空中で連続して行う。
ための本発明による薄膜磁気記録媒体の製造方法は、非
磁性基体上にドライプロセスにより少なくとも磁気記録
層および保護層を順次形成する成膜工程と、前記保護層
の上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを具え、前述
の成膜工程と前述の潤滑層形成工程との間に、前述の保
護層の表面にプラズマエッチング処理を施すプラズマエ
ッチング工程を具え、前述の成膜工程から前述のプラズ
マエッチング工程までを真空中で連続して行う。
【００１３】ここで、前述の成膜工程は、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、お
よび真空蒸着法よりなる群から選択された方法で行われ
ることが好ましい。
グ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、お
よび真空蒸着法よりなる群から選択された方法で行われ
ることが好ましい。
【００１４】また、前述のプラズマエッチング工程は、
プロセスガスとして不活性ガスと、窒素、酸素、塩素、
およびフッ素よりなる群から選択されたガスとの混合ガ
スを使用することができる。
プロセスガスとして不活性ガスと、窒素、酸素、塩素、
およびフッ素よりなる群から選択されたガスとの混合ガ
スを使用することができる。
【００１５】さらに、上述の本発明の製造方法によって
製造された薄膜磁気記録媒体を具えた磁気ディスク装置
は、エラーが少なく非常に高い信頼性を有する。
製造された薄膜磁気記録媒体を具えた磁気ディスク装置
は、エラーが少なく非常に高い信頼性を有する。
【００１６】なお、本明細書中での真空中とは、圧力が
４×１０-6Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。
４×１０-6Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明について図２および
図３を用いてより詳細に説明する。図２は、本発明の製
造方法によって製造される一例の薄膜磁気記録媒体の断
面略図であり、図３は、本発明の薄膜磁気記録媒体の製
造工程を表すフロー図である。
図３を用いてより詳細に説明する。図２は、本発明の製
造方法によって製造される一例の薄膜磁気記録媒体の断
面略図であり、図３は、本発明の薄膜磁気記録媒体の製
造工程を表すフロー図である。
【００１８】図２に示す薄膜磁気記録媒体７は、アルミ
合金基板１ａ上にＮｉＰメッキ層１ｂを設けた基板１の
上に、順にクロム合金下地層２、コバルト−クロム合金
中間層３、コバルト−クロム−白金合金磁気記録層４、
カーボン保護層５、および潤滑層６を順に積層した構造
をしている。
合金基板１ａ上にＮｉＰメッキ層１ｂを設けた基板１の
上に、順にクロム合金下地層２、コバルト−クロム合金
中間層３、コバルト−クロム−白金合金磁気記録層４、
カーボン保護層５、および潤滑層６を順に積層した構造
をしている。
【００１９】このような薄膜磁気記録媒体７を製造する
ために、本発明では図３に示す工程を具える。先ず、基
板１は真空状態の薄膜成膜装置１０１の基板搬入装着室
１０２に挿入され、基板搬送系に装着される。ここで用
いる基板１は、ＮｉＰメッキ層を設けたアルミ合金基
板、ガラス基板、セラミック基板、Ｔｉ合金基板、また
はプラスチック基板など従来用いられていたものが用い
られ、特に限定はしない。
ために、本発明では図３に示す工程を具える。先ず、基
板１は真空状態の薄膜成膜装置１０１の基板搬入装着室
１０２に挿入され、基板搬送系に装着される。ここで用
いる基板１は、ＮｉＰメッキ層を設けたアルミ合金基
板、ガラス基板、セラミック基板、Ｔｉ合金基板、また
はプラスチック基板など従来用いられていたものが用い
られ、特に限定はしない。
【００２０】次いで、基板１は基板真空加熱室１０３に
て加熱され、下地層成膜室１０４にて下地層２を、中間
層成膜室１０５にて中間層３を、そして磁気記録層成膜
室１０６にて磁気記録層４をそれぞれ成膜する。下地層
２は、中間層３、さらには磁気記録層４のエピタキシャ
ル成長促進のために設けられ、中間層３は、磁気記録層
４のエピタキシャル成長促進のために設けられる。
て加熱され、下地層成膜室１０４にて下地層２を、中間
層成膜室１０５にて中間層３を、そして磁気記録層成膜
室１０６にて磁気記録層４をそれぞれ成膜する。下地層
２は、中間層３、さらには磁気記録層４のエピタキシャ
ル成長促進のために設けられ、中間層３は、磁気記録層
４のエピタキシャル成長促進のために設けられる。
【００２１】ここで、成膜される下地層２はクロム合金
などが挙げられ、具体的にはＣｒ−Ｍｏ20およびＣｒ−
Ｗ20などがある。中間層３としてはＣｏ−Ｃｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金、お
よびＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金が挙げられ、具体的には
Ｃｏ−Ｃｒ37、Ｃｏ−Ｃｒ17−Ｔａ5などがある。磁気
記録層４としてはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ合金、およ
びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ合金などが挙げられ、具体的
にはＣｏ−Ｃｒ20−Ｐｔ10−Ｂ4などがある。いずれ
も、従来用いられていたものが用いられ、特に限定はし
ない。
などが挙げられ、具体的にはＣｒ−Ｍｏ20およびＣｒ−
Ｗ20などがある。中間層３としてはＣｏ−Ｃｒ合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金、お
よびＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金が挙げられ、具体的には
Ｃｏ−Ｃｒ37、Ｃｏ−Ｃｒ17−Ｔａ5などがある。磁気
記録層４としてはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ合金、およ
びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎｂ合金などが挙げられ、具体的
にはＣｏ−Ｃｒ20−Ｐｔ10−Ｂ4などがある。いずれ
も、従来用いられていたものが用いられ、特に限定はし
ない。
【００２２】次いで、基板冷却室１０７にて基板を冷却
する。
する。
【００２３】引き続き、保護層成膜室１０８において磁
気記録層４の上に保護層５を形成する。保護層５として
はカーボンを主成分とした薄膜が用いられ、具体的に
は、ダイヤモンド状およびグラファイト状のカーボンの
混合物、またはカーボンにＮを８ａｔ％以下混合した混
合物を薄膜として用いることができる、下地層２、中間
層３、磁気記録層４、および保護層５を形成する方法と
しては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
プラズマＣＶＤ法、および真空蒸着法などを用いること
が好ましいが、これらに限定されるものではない。
気記録層４の上に保護層５を形成する。保護層５として
はカーボンを主成分とした薄膜が用いられ、具体的に
は、ダイヤモンド状およびグラファイト状のカーボンの
混合物、またはカーボンにＮを８ａｔ％以下混合した混
合物を薄膜として用いることができる、下地層２、中間
層３、磁気記録層４、および保護層５を形成する方法と
しては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
プラズマＣＶＤ法、および真空蒸着法などを用いること
が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００２４】保護層５を成膜した後、引き続き真空状態
である薄膜成膜装置１０１のドライプラズマエッチング
室１０９にて、保護層の表面をドライプラズマエッチン
グ処理する。このドライプラズマエッチング処理によっ
て、保護層の表面に付着したパーティクルおよび微小突
起を除去する。ドライプラズマエッチング処理に用いら
れるプロセスガスとしては、ネオンおよびアルゴンのよ
うな不活性ガスと、窒素、酸素、塩素、またはフッ素な
どのガスとの混合ガスを用いることができる。また、こ
のときのエッチング条件の好ましい具体例は、１０％の
酸素を含むアルゴンの混合ガスをプロセスガスとして用
い、ガス圧１．０Ｐａ、ＲＦ投入電力５０Ｗ、ＲＦ周波
数２７．１２ＭＨｚ、および処理時間２．５ｓｅｃであ
る。
である薄膜成膜装置１０１のドライプラズマエッチング
室１０９にて、保護層の表面をドライプラズマエッチン
グ処理する。このドライプラズマエッチング処理によっ
て、保護層の表面に付着したパーティクルおよび微小突
起を除去する。ドライプラズマエッチング処理に用いら
れるプロセスガスとしては、ネオンおよびアルゴンのよ
うな不活性ガスと、窒素、酸素、塩素、またはフッ素な
どのガスとの混合ガスを用いることができる。また、こ
のときのエッチング条件の好ましい具体例は、１０％の
酸素を含むアルゴンの混合ガスをプロセスガスとして用
い、ガス圧１．０Ｐａ、ＲＦ投入電力５０Ｗ、ＲＦ周波
数２７．１２ＭＨｚ、および処理時間２．５ｓｅｃであ
る。
【００２５】プラズマエッチング処理のエッチング量
は、プロセスガスの組成（酸素含有率）、投入電力、お
よびエッチング時間などによって制御できる。好ましく
は、エッチング時間を前工程の保護層までの成膜時間以
下に設定することによって、各層の成膜時間により決定
される量産性を低下させることなくエッチング処理を実
施することが可能である。
は、プロセスガスの組成（酸素含有率）、投入電力、お
よびエッチング時間などによって制御できる。好ましく
は、エッチング時間を前工程の保護層までの成膜時間以
下に設定することによって、各層の成膜時間により決定
される量産性を低下させることなくエッチング処理を実
施することが可能である。
【００２６】このドライプラズマエッチング処理は、保
護層を成膜した直後であるため、基板表面の温度が室温
よりも数十℃から数百℃高く、活性が高いために、保護
層表面に付着したパーティクルおよび微小突起は、プラ
ズマに曝されることにより極短い処理時間にて化合、蒸
発、昇華などがおこり除去されることが可能となる。よ
って従来のテープポリッシュや洗浄などのクリーニング
工程を全て省略することが可能となる。
護層を成膜した直後であるため、基板表面の温度が室温
よりも数十℃から数百℃高く、活性が高いために、保護
層表面に付着したパーティクルおよび微小突起は、プラ
ズマに曝されることにより極短い処理時間にて化合、蒸
発、昇華などがおこり除去されることが可能となる。よ
って従来のテープポリッシュや洗浄などのクリーニング
工程を全て省略することが可能となる。
【００２７】次いで、ドライプラズマエッチング処理を
された基板を、真空状態の薄膜成膜装置１０１の基板取
り出し室１１０より大気に取り出す。薄膜成膜装置１０
１から取り出した基板を、その保護層表面に潤滑剤を塗
布する工程１１１、および塗布した潤滑剤を加熱処理ま
たはＵＶ処理などによって、具体例としては温度１１０
℃における６０分間にわたる加熱処理、または波長２５
３ｎｍもしくは１８５ｎｍにおいて２０秒間にわたるＵ
Ｖ処理によって、保護層表面に定着させる工程１１２を
経て、薄膜磁気記録媒体７を得る。ここで、潤滑剤の塗
布方法はスピンコーター法、およびディップ法など従来
の方法を用いることができ、特に限定しない。潤滑剤と
しては、フッ素系潤滑剤パーフルオロポリエーテル（Ｐ
ＦＰＥ）を各種溶剤に分散させたものなどを用いること
ができる。
された基板を、真空状態の薄膜成膜装置１０１の基板取
り出し室１１０より大気に取り出す。薄膜成膜装置１０
１から取り出した基板を、その保護層表面に潤滑剤を塗
布する工程１１１、および塗布した潤滑剤を加熱処理ま
たはＵＶ処理などによって、具体例としては温度１１０
℃における６０分間にわたる加熱処理、または波長２５
３ｎｍもしくは１８５ｎｍにおいて２０秒間にわたるＵ
Ｖ処理によって、保護層表面に定着させる工程１１２を
経て、薄膜磁気記録媒体７を得る。ここで、潤滑剤の塗
布方法はスピンコーター法、およびディップ法など従来
の方法を用いることができ、特に限定しない。潤滑剤と
しては、フッ素系潤滑剤パーフルオロポリエーテル（Ｐ
ＦＰＥ）を各種溶剤に分散させたものなどを用いること
ができる。
【００２８】このようにして本発明では薄膜磁気記録媒
体を製造することができる。
体を製造することができる。
【００２９】従来の大気中に基板を取り出してから実施
するテープポリッシュを行う薄膜磁気記録媒体の製造方
法では、潤滑層形成後に、薄膜磁気記録媒体表面をテー
プまたはヘッドによるバニッシュを行う必要があった。
しかし、本発明では、テープポリッシュによるパーティ
クル除去を行わないため、信号欠落エラーの原因となる
テープポリッシュの痕跡による不良傷を根絶することが
可能となる。よって、潤滑層形成後の媒体表面へのテー
プまたはヘッドによるバニッシュ工程も省略することが
可能となる。
するテープポリッシュを行う薄膜磁気記録媒体の製造方
法では、潤滑層形成後に、薄膜磁気記録媒体表面をテー
プまたはヘッドによるバニッシュを行う必要があった。
しかし、本発明では、テープポリッシュによるパーティ
クル除去を行わないため、信号欠落エラーの原因となる
テープポリッシュの痕跡による不良傷を根絶することが
可能となる。よって、潤滑層形成後の媒体表面へのテー
プまたはヘッドによるバニッシュ工程も省略することが
可能となる。
【００３０】以上のように、本発明の薄膜磁気記録媒体
の製造方法を用いることにより、複雑な大気中の洗浄工
程を経ることなく全て真空中での工程において媒体方面
のパーティクルおよび微小突起を媒体に傷を付けずにク
リーニングすることができ、磁気ヘッドの浮上を安定化
させ、またエラーを大幅に向上させた薄膜磁気記録媒体
を容易にかつ安価な方法で大量生産することができる。
の製造方法を用いることにより、複雑な大気中の洗浄工
程を経ることなく全て真空中での工程において媒体方面
のパーティクルおよび微小突起を媒体に傷を付けずにク
リーニングすることができ、磁気ヘッドの浮上を安定化
させ、またエラーを大幅に向上させた薄膜磁気記録媒体
を容易にかつ安価な方法で大量生産することができる。
【００３１】さらに、本発明の製造方法によって用いら
れた磁気記録媒体を具えた磁気ディスク装置は、エラー
が少なく非常に高い信頼性を有する。
れた磁気記録媒体を具えた磁気ディスク装置は、エラー
が少なく非常に高い信頼性を有する。
【００３２】
【実施例】以下に、本発明を具体的に説明する。
【００３３】［実施例１］基板１として直径９５ｍｍの
ＮｉＰメッキ層１ｂを設けたアルミ合金基板１ａを用意
する。これを真空状態の薄膜成膜装置１０１に挿入す
る。そして、投入電力２５０ＷのＤＣ放電にてＡｒガス
圧力０．７Ｐａの条件下で４秒間にわたってＤＣスパッ
タ法を用いて、膜厚６ｎｍのクロム合金下地層２を形成
した。次いで投入電力１２０ＷのＤＣ放電にてＡｒガス
圧力０．７Ｐａの条件下で４秒間にわってＤＣスパッタ
法を用いて、膜厚３ｎｍのコバルト−クロム合金中間層
３を形成した。そして、投入電力７００ＷのＤＣ放電に
てＡｒガス圧力０．７Ｐａの条件下で５．５秒間にわた
ってＤＣスパッタ法を用いて、コバルト−クロム−白金
合金磁気記録層４を形成した。
ＮｉＰメッキ層１ｂを設けたアルミ合金基板１ａを用意
する。これを真空状態の薄膜成膜装置１０１に挿入す
る。そして、投入電力２５０ＷのＤＣ放電にてＡｒガス
圧力０．７Ｐａの条件下で４秒間にわたってＤＣスパッ
タ法を用いて、膜厚６ｎｍのクロム合金下地層２を形成
した。次いで投入電力１２０ＷのＤＣ放電にてＡｒガス
圧力０．７Ｐａの条件下で４秒間にわってＤＣスパッタ
法を用いて、膜厚３ｎｍのコバルト−クロム合金中間層
３を形成した。そして、投入電力７００ＷのＤＣ放電に
てＡｒガス圧力０．７Ｐａの条件下で５．５秒間にわた
ってＤＣスパッタ法を用いて、コバルト−クロム−白金
合金磁気記録層４を形成した。
【００３４】引き続き磁気記録層４を形成した基板を冷
却し、投入電力１２５０ＷのＤＣ放電にてＡｒガス圧力
０．７Ｐａの条件下で５．５秒間にわたってＤＣスパッ
タ法を用いて、カーボン保護層５を形成した。
却し、投入電力１２５０ＷのＤＣ放電にてＡｒガス圧力
０．７Ｐａの条件下で５．５秒間にわたってＤＣスパッ
タ法を用いて、カーボン保護層５を形成した。
【００３５】次いで、アルゴンと１０％の酸素の混合ガ
スをプロセスガスを用いて、プラズマエッチング処理を
施して、カーボン保護層５に付着したパーティクルおよ
び微小突起を除去した。エッチング条件は、直径９５ｍ
ｍ基板１枚について、片面当たり、ＲＦ投入電力５０
Ｗ、ＲＦ電源の周波数２７．１２ＭＨｚ、および処理時
間２．５秒であった。
スをプロセスガスを用いて、プラズマエッチング処理を
施して、カーボン保護層５に付着したパーティクルおよ
び微小突起を除去した。エッチング条件は、直径９５ｍ
ｍ基板１枚について、片面当たり、ＲＦ投入電力５０
Ｗ、ＲＦ電源の周波数２７．１２ＭＨｚ、および処理時
間２．５秒であった。
【００３６】そして、真空装置よりプラズマエッチング
処理を行った薄膜磁気記録媒体を取り出し、ＰＦＰＥ潤
滑剤をフッ素系潤滑剤に分散させた潤滑剤溶液を用いて
ディップ法にて塗布し、１１０℃にて６０分間にわたっ
て加熱して潤滑剤を定着させて潤滑層６を形成した。
処理を行った薄膜磁気記録媒体を取り出し、ＰＦＰＥ潤
滑剤をフッ素系潤滑剤に分散させた潤滑剤溶液を用いて
ディップ法にて塗布し、１１０℃にて６０分間にわたっ
て加熱して潤滑剤を定着させて潤滑層６を形成した。
【００３７】このようにして、薄膜磁気記録媒体７を製
造した。
造した。
【００３８】エッチング処理を施した後、かつ潤滑層を
設ける前に保護層表面のパーティクルの数をパーティク
ルカウンターを用いて計測した。このパーティクルカウ
ンターは、基板表面を真空吸引により集めたパーティク
ルをその直径の違いにより分類し、その個数を計測する
装置である。計測結果を図４に示す。
設ける前に保護層表面のパーティクルの数をパーティク
ルカウンターを用いて計測した。このパーティクルカウ
ンターは、基板表面を真空吸引により集めたパーティク
ルをその直径の違いにより分類し、その個数を計測する
装置である。計測結果を図４に示す。
【００３９】図４は、本実施例および後述する例におい
て、潤滑層を設ける前の各媒体のカーボン保護膜上のパ
ーティクルの測定結果である。
て、潤滑層を設ける前の各媒体のカーボン保護膜上のパ
ーティクルの測定結果である。
【００４０】図４中、縦軸にはパーティクルのサイズを
直径０．１、０．３、０．５μｍにて３種類に分類した
ときのカウント数を示す。横軸Ｂが、本実施例における
薄膜磁気記録媒体の結果を表している。
直径０．１、０．３、０．５μｍにて３種類に分類した
ときのカウント数を示す。横軸Ｂが、本実施例における
薄膜磁気記録媒体の結果を表している。
【００４１】また、得られた潤滑層付き薄膜磁気記録媒
体について、１２μｍピッチにてＲ／Ｗヘッドにより薄
膜磁気記録媒体の半径２０．６０ｍｍ〜４６．６３ｍｍ
の範囲を測定して信号欠落エラーを調べた。測定条件
は、線速度１８．２ｍｍ／ｓ、信号周波数６１．６ＭＨ
ｚ、信号欠落（ミッシングパルス）スライスレベル６５
％であった。薄膜磁気記録媒体４００枚（８００面）に
ついて調べた結果は、１面あたりの平均信号欠落エラー
数は、３．８個であった。
体について、１２μｍピッチにてＲ／Ｗヘッドにより薄
膜磁気記録媒体の半径２０．６０ｍｍ〜４６．６３ｍｍ
の範囲を測定して信号欠落エラーを調べた。測定条件
は、線速度１８．２ｍｍ／ｓ、信号周波数６１．６ＭＨ
ｚ、信号欠落（ミッシングパルス）スライスレベル６５
％であった。薄膜磁気記録媒体４００枚（８００面）に
ついて調べた結果は、１面あたりの平均信号欠落エラー
数は、３．８個であった。
【００４２】［比較例１］カーボン保護層を形成した
後、表面処理を行わずに大気中に基板を出し、潤滑剤層
を形成したあとにヘッドバニッシュを行ったことを除い
て、実施例１と同様にして薄膜磁気記録媒体を製造し
た。
後、表面処理を行わずに大気中に基板を出し、潤滑剤層
を形成したあとにヘッドバニッシュを行ったことを除い
て、実施例１と同様にして薄膜磁気記録媒体を製造し
た。
【００４３】カーボン保護層を形成した後、かつ潤滑層
を設ける前のパーティクルの数を実施例１と同様にして
計測した。結果を図４の横軸Ａとして示す。
を設ける前のパーティクルの数を実施例１と同様にして
計測した。結果を図４の横軸Ａとして示す。
【００４４】また、得られた潤滑層付き薄膜磁気記録媒
体のエラーを実施例１と同様にして測定した。結果は平
均信号欠落エラー数は、一面当たり９．２個であった。
体のエラーを実施例１と同様にして測定した。結果は平
均信号欠落エラー数は、一面当たり９．２個であった。
【００４５】［比較例２］カーボン保護層を形成した
後、大気中に基板を出し、テープポリッシュ加工を施し
てから潤滑層を設け、潤滑剤層形成後にヘッドバニッシ
ュを行ったことを除いて、実施例１と同様にして薄膜磁
気記録媒体を製造した。テープポリッシュは表面粗さ８
０００番、幅３８ｍｍのテープを基板の両面から数１０
ｇ重を押しつけて、基板回転数１０００ｒｐｍにて６秒
間にわたって行った。
後、大気中に基板を出し、テープポリッシュ加工を施し
てから潤滑層を設け、潤滑剤層形成後にヘッドバニッシ
ュを行ったことを除いて、実施例１と同様にして薄膜磁
気記録媒体を製造した。テープポリッシュは表面粗さ８
０００番、幅３８ｍｍのテープを基板の両面から数１０
ｇ重を押しつけて、基板回転数１０００ｒｐｍにて６秒
間にわたって行った。
【００４６】テープポリッシュ加工を行った後、かつ潤
滑層を設ける前のパーティクルの数を実施例１と同様に
して計測した。結果を図４の横軸Ｃとして示す。
滑層を設ける前のパーティクルの数を実施例１と同様に
して計測した。結果を図４の横軸Ｃとして示す。
【００４７】また、得られた潤滑層付き薄膜磁気記録媒
体のエラーを実施例１と同様にして測定した。結果は平
均信号欠落エラー数は、一面当たり４．６個であった。
体のエラーを実施例１と同様にして測定した。結果は平
均信号欠落エラー数は、一面当たり４．６個であった。
【００４８】［比較例３］カーボン保護層を形成した
後、大気中に基板を出し、テープポリッシュ加工、およ
び純水洗浄を行ってから潤滑層を設け、潤滑層を形成し
た後にヘッドバニッシュを行ったことを除いて、実施例
１と同様にして薄膜磁気記録媒体を製造した。
後、大気中に基板を出し、テープポリッシュ加工、およ
び純水洗浄を行ってから潤滑層を設け、潤滑層を形成し
た後にヘッドバニッシュを行ったことを除いて、実施例
１と同様にして薄膜磁気記録媒体を製造した。
【００４９】純水洗浄を行った後、かつ潤滑層を設ける
前のパーティクルの数を実施例１と同様にして計測し
た。結果を図４の横軸Ｄとして示す。
前のパーティクルの数を実施例１と同様にして計測し
た。結果を図４の横軸Ｄとして示す。
【００５０】また、得られた潤滑層付き薄膜磁気記録媒
体のエラーを実施例１と同様にして測定した。結果は平
均信号欠落エラー数は、一面当たり４．２個であった。
体のエラーを実施例１と同様にして測定した。結果は平
均信号欠落エラー数は、一面当たり４．２個であった。
【００５１】図４からも明らかなように、実施例１の真
空中にてプラズマエッチング処理を行うと、従来の大気
中にてテープポリッシュ加工を施した比較例２、および
テープポリッシュ加工と純水洗浄を行った比較例３と比
較しても、同等以上に基板表面に付着したパーティクル
が除去されている。
空中にてプラズマエッチング処理を行うと、従来の大気
中にてテープポリッシュ加工を施した比較例２、および
テープポリッシュ加工と純水洗浄を行った比較例３と比
較しても、同等以上に基板表面に付着したパーティクル
が除去されている。
【００５２】また、実施例１より得られた薄膜磁気記録
媒体はエラーが発生しない、または比較例１から３より
得られた薄膜磁気記録媒体よりも格段に減少されたエラ
ーしか発生しない。これは、実施例１ではテープポリッ
シュ加工を行っていないため、媒体表面にポリッシュ痕
跡による傷が残らないためと考えられる。よって、本発
明では潤滑層を形成した後にバニッシュ工程を行う必要
もない。
媒体はエラーが発生しない、または比較例１から３より
得られた薄膜磁気記録媒体よりも格段に減少されたエラ
ーしか発生しない。これは、実施例１ではテープポリッ
シュ加工を行っていないため、媒体表面にポリッシュ痕
跡による傷が残らないためと考えられる。よって、本発
明では潤滑層を形成した後にバニッシュ工程を行う必要
もない。
【００５３】さらに、本発明のようにエラーを発生しな
い薄膜磁気記録媒体を装着した磁気ディスク装置は、エ
ラーが非常に少なく信頼性が高いものが得られた。
い薄膜磁気記録媒体を装着した磁気ディスク装置は、エ
ラーが非常に少なく信頼性が高いものが得られた。
【００５４】［実施例２］真空プラズマエッチング処理
工程におけるプロセスガスをＡｒ、Ｏ2、Ｎ2を６：１：
３の割合で混合した混合ガスを用いて処理を行ったこと
を除いて、実施例１と同様にして薄膜磁気記録媒体を製
造した。
工程におけるプロセスガスをＡｒ、Ｏ2、Ｎ2を６：１：
３の割合で混合した混合ガスを用いて処理を行ったこと
を除いて、実施例１と同様にして薄膜磁気記録媒体を製
造した。
【００５５】プラズマエッチング処理を施した後、かつ
潤滑層を設ける前に保護層表面のパーティクルの数を、
実施例１と同様にして計測した。結果を図４の横軸Ｅと
して示す。
潤滑層を設ける前に保護層表面のパーティクルの数を、
実施例１と同様にして計測した。結果を図４の横軸Ｅと
して示す。
【００５６】また、得られた潤滑層付き薄膜磁気記録媒
体のエラーを実施例１と同様にして測定したところ、平
均信号欠落エラー数が一面当たり４．０個であるという
結果が得られた。
体のエラーを実施例１と同様にして測定したところ、平
均信号欠落エラー数が一面当たり４．０個であるという
結果が得られた。
【００５７】よってエッチング処理でのプロセスガスを
変えても実施例１同様に、良好な結果が得られることが
わかる。
変えても実施例１同様に、良好な結果が得られることが
わかる。
【００５８】［実施例３］プラズマエッチング処理工程
として、基板に対向する電極をカーボン電極にして、こ
のカーボン電極に直流電圧−３００Ｖを印加することに
より、ＡｒおよびＯ2の９：１割合の混合ガスによる直
流放電を行い、基板側に＋１００Ｖのバイアス電圧を印
加することにより、基板表面を酸素イオンによりエッチ
ングを３秒間行うことを除いて実施例１と同様にして薄
膜磁気記録媒体を製造した。
として、基板に対向する電極をカーボン電極にして、こ
のカーボン電極に直流電圧−３００Ｖを印加することに
より、ＡｒおよびＯ2の９：１割合の混合ガスによる直
流放電を行い、基板側に＋１００Ｖのバイアス電圧を印
加することにより、基板表面を酸素イオンによりエッチ
ングを３秒間行うことを除いて実施例１と同様にして薄
膜磁気記録媒体を製造した。
【００５９】エッチング処理を施した後、かつ潤滑層を
設ける前に保護層表面のパーティクルの数を、実施例１
と同様にして計測した。結果を図４の横軸Ｆとして示
す。
設ける前に保護層表面のパーティクルの数を、実施例１
と同様にして計測した。結果を図４の横軸Ｆとして示
す。
【００６０】また、得られた潤滑層付き薄膜磁気記録媒
体のエラーを実施例１と同様にして測定したところ、平
均信号欠落エラー数は一面当たり３．９個であるという
結果が得られた。
体のエラーを実施例１と同様にして測定したところ、平
均信号欠落エラー数は一面当たり３．９個であるという
結果が得られた。
【００６１】よって、エッチング処理を直流エッチング
にしても、実施例１と同様に良好な結果が得られること
が分かる。
にしても、実施例１と同様に良好な結果が得られること
が分かる。
【００６２】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法を用いて薄
膜磁気記録媒体を製造する、つまり保護層を形成した
後、連続して真空中で基板表面をプラズマエッチング処
理することによって、従来のような大気中でのテープポ
リッシュ工程、および純水もしくは有機溶剤による洗浄
工程、さらにはバニッシュ工程を全く使用せずにパーテ
ィクルおよび微小突起を除去することが可能になる。そ
して、不良原因となるパーティクルおよび微小突起を除
去した媒体を安定して製造することができる。しかも、
大気中でのテープポリッシュ工程および洗浄工程が原因
となる媒体表面の傷による信号欠落エラーやヘッドクラ
ッシュを除去し、さらに、媒体表面の傷による潤滑層の
定着のばらつきもないので、ヘッドの浮上ばらつきもな
いという高品質の高密度媒体を、より容易な工程で安価
に再現性よく安定に製造することができる。
膜磁気記録媒体を製造する、つまり保護層を形成した
後、連続して真空中で基板表面をプラズマエッチング処
理することによって、従来のような大気中でのテープポ
リッシュ工程、および純水もしくは有機溶剤による洗浄
工程、さらにはバニッシュ工程を全く使用せずにパーテ
ィクルおよび微小突起を除去することが可能になる。そ
して、不良原因となるパーティクルおよび微小突起を除
去した媒体を安定して製造することができる。しかも、
大気中でのテープポリッシュ工程および洗浄工程が原因
となる媒体表面の傷による信号欠落エラーやヘッドクラ
ッシュを除去し、さらに、媒体表面の傷による潤滑層の
定着のばらつきもないので、ヘッドの浮上ばらつきもな
いという高品質の高密度媒体を、より容易な工程で安価
に再現性よく安定に製造することができる。
【図１】従来の薄膜磁気記録媒体の製造工程を表すフロ
ー図である。
ー図である。
【図２】本発明における製造方法によって製造される一
例である薄膜磁気記録媒体の断面略図である。
例である薄膜磁気記録媒体の断面略図である。
【図３】本発明における薄膜磁気記録媒体の製造工程を
表すフロー図である。
表すフロー図である。
【図４】実施例１から３および比較例１から３より得ら
れた薄膜磁気記録媒体の潤滑層を設ける前の保護層表面
のパーティクル数を示す図である。
れた薄膜磁気記録媒体の潤滑層を設ける前の保護層表面
のパーティクル数を示す図である。
１ 基板 １ａ アルミ合金基板 １ｂ ＮｉＰメッキ層 ２ クロム合金下地層 ３ コバルト−クロム合金中間層 ４ コバルト−クロム−白金合金磁気記録層 ５ カーボン保護層 ６ 潤滑層 ７ 薄膜磁気記録媒体 １０１、２０１ 薄膜成膜装置 １０２、２０２ 基板搬入装着室（Ｌｏａｄ室） １０３、２０３ 基板真空加熱室 １０４、２０４ 下地層成膜室 １０５、２０５ 中間層成膜室 １０６、２０６ 磁気記録層成膜室 １０７、２０７ 基板冷却室 １０８、２０８ 保護層成膜室 １０９ ドライプラズマエッチング室 １１０、２０９ 基板取り出し室 １１１、２１２ 潤滑剤塗布工程 １１２、２１３ 潤滑層定着工程 ２１０ テープポリッシュ工程 ２１１ 純水（溶剤）洗浄工程 ２１４ バニッシュ工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/851 Ｇ１１Ｂ 5/851 (72)発明者 寺嶋 鋭二 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 窪田 正雄 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 小林 勇治 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA02 AA24 BA21 BA34 BB02 BC06 BD11 CA01 CA03 CA05 EA05 GA02 4K030 BA05 BA06 BA27 BB12 CA02 CA12 DA08 FA01 LA05 LA20 5D112 AA07 AA11 BC02 FA02 FA04 FA06 FA10 GA20 GA22
Claims (3)
- 【請求項１】 非磁性基体上にドライプロセスにより少
なくとも磁気記録層および保護層を順次形成する成膜工
程と、前記保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程
とを具える薄膜磁気記録媒体の製造方法であって、 前記成膜工程と前記潤滑層形成工程との間に、前記保護
層の表面にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッ
チング工程を具え、 前記成膜工程から前記プラズマエッチング工程までを真
空中で連続して行うことを特徴とする薄膜磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】 前記成膜工程は、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、および真空
蒸着法よりなる群から選択された方法で行われることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】 前記プラズマエッチング工程は、プロセ
スガスとして不活性ガスと、窒素、酸素、塩素、および
フッ素よりなる群から選択されたガスとの混合ガスを使
用することを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の薄膜磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243261A JP4491934B2 (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
| TW090116887A TW512323B (en) | 2000-08-10 | 2001-07-10 | Method of manufacturing thin-film magnetic recording medium |
| MYPI20013572A MY136066A (en) | 2000-08-10 | 2001-07-27 | Method of manufacturing thin-film magnetic recording medium |
| US09/927,089 US7153441B2 (en) | 2000-08-10 | 2001-08-09 | Method for manufacturing thin-film magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243261A JP4491934B2 (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002056526A true JP2002056526A (ja) | 2002-02-22 |
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Family
ID=18734144
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000243261A Expired - Lifetime JP4491934B2 (ja) | 2000-08-10 | 2000-08-10 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
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| TW (1) | TW512323B (ja) |
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-
2000
- 2000-08-10 JP JP2000243261A patent/JP4491934B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-10 TW TW090116887A patent/TW512323B/zh active
- 2001-07-27 MY MYPI20013572A patent/MY136066A/en unknown
- 2001-08-09 US US09/927,089 patent/US7153441B2/en not_active Expired - Lifetime
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