JPH08315356A - 凹凸の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
凹凸の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH08315356A JPH08315356A JP11559895A JP11559895A JPH08315356A JP H08315356 A JPH08315356 A JP H08315356A JP 11559895 A JP11559895 A JP 11559895A JP 11559895 A JP11559895 A JP 11559895A JP H08315356 A JPH08315356 A JP H08315356A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】領域により互いに高さの異なる凹凸を形成する
ときに、エッチングの再現性を確保し、精度を向上さ
せ、凹凸形成の行程を短縮し、プロセス裕度を持たせ、
さらに設備投資額の抑制を可能とする凹凸の形成方法を
提供すること。 【構成】基体の表面に微粒子１２からなるマスク材を配
置し、これを真空容器内に設置し、その中にエッチング
ガスを導入し、プラズマを発生させ、プラズマの密度を
部分的に変化させて基体表面をエッチングして、基体の
複数の領域に、それぞれ互いに異なる高さの凹凸を同時
に形成する凹凸の形成方法。
ときに、エッチングの再現性を確保し、精度を向上さ
せ、凹凸形成の行程を短縮し、プロセス裕度を持たせ、
さらに設備投資額の抑制を可能とする凹凸の形成方法を
提供すること。 【構成】基体の表面に微粒子１２からなるマスク材を配
置し、これを真空容器内に設置し、その中にエッチング
ガスを導入し、プラズマを発生させ、プラズマの密度を
部分的に変化させて基体表面をエッチングして、基体の
複数の領域に、それぞれ互いに異なる高さの凹凸を同時
に形成する凹凸の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングにより、基
板表面に凹凸を形成する方法及びその方法を用いた磁気
記録媒体の製造方法に関する。
板表面に凹凸を形成する方法及びその方法を用いた磁気
記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体である磁気ディスク
の分野では高記録密度化が急速に進み、そのため磁気ヘ
ッドの浮上量は低くなる一方である。これに対応すべく
磁気ディスクの保護膜の膜厚を４０ｎｍ程度から２０ｎ
ｍ程度へと極めて薄くしてきたが、耐習動特性を維持す
るためには自ずと限界が生じた。そこで、特開昭６４−
７６５５５、特開平４−１１３２４等に開示されている
ように、データゾーンは、その表面の粗さを低下させて
磁気ヘッドの浮上量を下げ、磁気ヘッドをコンタクト・
スタート・ストップさせるためのゾーン（以下、ＣＳＳ
ゾーンという）の表面はデータゾーンの表面よりも粗さ
を粗くする、いわゆるゾーンテクスチャー方式が開発さ
れてきた。
の分野では高記録密度化が急速に進み、そのため磁気ヘ
ッドの浮上量は低くなる一方である。これに対応すべく
磁気ディスクの保護膜の膜厚を４０ｎｍ程度から２０ｎ
ｍ程度へと極めて薄くしてきたが、耐習動特性を維持す
るためには自ずと限界が生じた。そこで、特開昭６４−
７６５５５、特開平４−１１３２４等に開示されている
ように、データゾーンは、その表面の粗さを低下させて
磁気ヘッドの浮上量を下げ、磁気ヘッドをコンタクト・
スタート・ストップさせるためのゾーン（以下、ＣＳＳ
ゾーンという）の表面はデータゾーンの表面よりも粗さ
を粗くする、いわゆるゾーンテクスチャー方式が開発さ
れてきた。
【０００３】従来、このような磁気ディスクの製造方法
として、特開平３−２９５０８６に記載されている方法
が知られている。この方法は、図１に示すように、基板
上に、下地膜、磁性膜、保護膜を形成し、ＣＳＳゾーン
の保護膜表面にマスクとなる微粒子１２を塗布した後全
面をエッチングし、ＣＳＳゾーンに丘（凸部）を形成
し、データゾーンは一面にエッチングし、次ぎに、再度
微粒子を全面に塗付し、全面をエッチングして、高さの
異なる丘をデータゾーンとＣＳＳゾーンにそれぞれ設け
るものである。また、最初にＣＳＳゾーンをマスキング
してデータエリアを一面にエッチングした後、全面に微
粒子を塗付し、ＣＳＳゾーンとデータゾーンを各々別々
にエッチングして同様な表面を形成する方法も行われて
いた。
として、特開平３−２９５０８６に記載されている方法
が知られている。この方法は、図１に示すように、基板
上に、下地膜、磁性膜、保護膜を形成し、ＣＳＳゾーン
の保護膜表面にマスクとなる微粒子１２を塗布した後全
面をエッチングし、ＣＳＳゾーンに丘（凸部）を形成
し、データゾーンは一面にエッチングし、次ぎに、再度
微粒子を全面に塗付し、全面をエッチングして、高さの
異なる丘をデータゾーンとＣＳＳゾーンにそれぞれ設け
るものである。また、最初にＣＳＳゾーンをマスキング
してデータエリアを一面にエッチングした後、全面に微
粒子を塗付し、ＣＳＳゾーンとデータゾーンを各々別々
にエッチングして同様な表面を形成する方法も行われて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、上述
のように非常に繁雑で長い行程を要した。そのため、再
現性、精度、プロセス裕度及び設備コストの点で問題が
あった。
のように非常に繁雑で長い行程を要した。そのため、再
現性、精度、プロセス裕度及び設備コストの点で問題が
あった。
【０００５】本発明の第１の目的は、領域により互いに
高さの異なる凹凸を形成するときに、エッチングにおけ
る再現性を確保し、精度を向上させ、凹凸形成の行程を
短縮し、プロセス裕度を持たせ、さらに設備投資額の抑
制を可能とする凹凸の形成方法を提供することにある。
高さの異なる凹凸を形成するときに、エッチングにおけ
る再現性を確保し、精度を向上させ、凹凸形成の行程を
短縮し、プロセス裕度を持たせ、さらに設備投資額の抑
制を可能とする凹凸の形成方法を提供することにある。
【０００６】本発明の第２の目的は、そのような凹凸の
形成方法を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
形成方法を用いた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明の凹凸の形成方法は、基体の表面に微
粒子からなるマスク材を配置し、これを真空容器内に設
置し、その中にエッチングガスを導入し、プラズマを発
生させ、基体表面をエッチングして、基体の複数の領域
に、それぞれ互いに異なる高さの凹凸を同時に形成する
ようにしたものである。
るために、本発明の凹凸の形成方法は、基体の表面に微
粒子からなるマスク材を配置し、これを真空容器内に設
置し、その中にエッチングガスを導入し、プラズマを発
生させ、基体表面をエッチングして、基体の複数の領域
に、それぞれ互いに異なる高さの凹凸を同時に形成する
ようにしたものである。
【０００８】また、上記第２の目的を達成するために、
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、
磁性膜を、その上に保護膜を少なくとも設け、この上に
上記した或は以下に説明する凹凸の形成方法を適用し、
その複数の領域に互いに異なる高さの凹凸を形成するよ
うにしたものである。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、
磁性膜を、その上に保護膜を少なくとも設け、この上に
上記した或は以下に説明する凹凸の形成方法を適用し、
その複数の領域に互いに異なる高さの凹凸を形成するよ
うにしたものである。
【０００９】このような互いに異なる高さの凹凸を形成
するには、複数の領域の上部でプラズマの密度を互いに
変えることが好ましい。プラズマの密度を部分的に変化
させるには、基板とそれに対向する対向電極との距離を
部分的に変化させればよい。この距離は、プロセスガス
圧力により変化させる必要があり、また、設備のディメ
ンジョンによっても変化するため一概に決定できない
が、凡そプロセスガス圧力で決定されるイオンシースの
距離の約２倍から５倍程度とすることが好ましい。これ
によりエッチング速度で０．５ｎｍ／秒以上の差をつけ
ることができる。各領域のエッチング速度の差は、０．
５ｎｍ／ｓｅｃ〜３ｎｍ／ｓｅｃの範囲とすることが好
ましい。また、エッチングは、基体の１つの面だけに形
成しても、両面に同時に形成してもよい。
するには、複数の領域の上部でプラズマの密度を互いに
変えることが好ましい。プラズマの密度を部分的に変化
させるには、基板とそれに対向する対向電極との距離を
部分的に変化させればよい。この距離は、プロセスガス
圧力により変化させる必要があり、また、設備のディメ
ンジョンによっても変化するため一概に決定できない
が、凡そプロセスガス圧力で決定されるイオンシースの
距離の約２倍から５倍程度とすることが好ましい。これ
によりエッチング速度で０．５ｎｍ／秒以上の差をつけ
ることができる。各領域のエッチング速度の差は、０．
５ｎｍ／ｓｅｃ〜３ｎｍ／ｓｅｃの範囲とすることが好
ましい。また、エッチングは、基体の１つの面だけに形
成しても、両面に同時に形成してもよい。
【００１０】エッチングガスは、酸素、アルゴン、窒
素、ネオン、クリプトン、フッ素、フッ素化合物、塩素
及び塩素化合物の内の少なくとも１種のガスを用いるこ
とができる。つまり、酸素等のリアクティブな作用のガ
ス以外に、アルゴンガス等の物理的なエッチングガスを
用いることもできる。
素、ネオン、クリプトン、フッ素、フッ素化合物、塩素
及び塩素化合物の内の少なくとも１種のガスを用いるこ
とができる。つまり、酸素等のリアクティブな作用のガ
ス以外に、アルゴンガス等の物理的なエッチングガスを
用いることもできる。
【００１１】プロセスガス圧力は、使用するガス種、被
エッチング材料により厳密には異なるが、例えば、磁気
ディスクで一般的に用いられているカーボン保護膜を酸
素ガスによりエッチングする場合、エッチング速度差を
０．５ｎｍ／ｓｅｃ以上を確保するためには、凡そ５０
ｍＴｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲が適切である。
エッチング材料により厳密には異なるが、例えば、磁気
ディスクで一般的に用いられているカーボン保護膜を酸
素ガスによりエッチングする場合、エッチング速度差を
０．５ｎｍ／ｓｅｃ以上を確保するためには、凡そ５０
ｍＴｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲が適切である。
【００１２】マスク材として用いる微粒子は、従来から
用いられている材料を用いればよく、その平均粒径は
０．１〜１ミクロンφ程度であることが好ましい。磁気
記録媒体に凹凸を形成するとき、その高さは、低い方が
０ｎｍ〜数ｎｍ程度であることが好ましく、高い方はそ
れより５〜２０ｎｍ程度高いことが好ましい。
用いられている材料を用いればよく、その平均粒径は
０．１〜１ミクロンφ程度であることが好ましい。磁気
記録媒体に凹凸を形成するとき、その高さは、低い方が
０ｎｍ〜数ｎｍ程度であることが好ましく、高い方はそ
れより５〜２０ｎｍ程度高いことが好ましい。
【００１３】
【作用】上述のように、部分的にプラズマ密度を上げる
ことにより、部分的なエッチング速度を上げることがで
きる。基板と対向する対向電極（この場合アース電極）
の距離を変化させたとき、対向電極に近いほど電界の影
響が大きいことからその部分でのプラズマ密度を上げる
ことが可能となる。これにより部分的なエッチング速度
を上げることができる。なお、基板と対向電極の距離を
極端に狭くすれば、この部分はプラズマが発生せず、こ
の部分ではエッチングはできない。この方法を使用すれ
ば一回のエッチングにより凹凸の高さの違う面を同時に
形成でき、プロセスの短縮、簡略化によりエッチング自
体のプロセス精度も大幅に向上する。
ことにより、部分的なエッチング速度を上げることがで
きる。基板と対向する対向電極（この場合アース電極）
の距離を変化させたとき、対向電極に近いほど電界の影
響が大きいことからその部分でのプラズマ密度を上げる
ことが可能となる。これにより部分的なエッチング速度
を上げることができる。なお、基板と対向電極の距離を
極端に狭くすれば、この部分はプラズマが発生せず、こ
の部分ではエッチングはできない。この方法を使用すれ
ば一回のエッチングにより凹凸の高さの違う面を同時に
形成でき、プロセスの短縮、簡略化によりエッチング自
体のプロセス精度も大幅に向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。ま
ず、評価内容と方法について説明する。エッチング量
は、触針式の表面粗さ計を用いてエッチング後の凹凸の
高さを測定して算出した。測定に用いた測定機は小坂研
究所社製の３次元表面粗さ計を用いた。エッチング速度
はこのデータから単位時間当たりのエッチング量として
割り出した。
ず、評価内容と方法について説明する。エッチング量
は、触針式の表面粗さ計を用いてエッチング後の凹凸の
高さを測定して算出した。測定に用いた測定機は小坂研
究所社製の３次元表面粗さ計を用いた。エッチング速度
はこのデータから単位時間当たりのエッチング量として
割り出した。
【００１５】実験手順は図２（ａ）に示す工程により行
った。磁気ディスク用基板としては表面粗さＲａが１．
０ｎｍ以下のスーパーポリッシュ基板（住友軽金属社
製、アルミニュウム、直径９５ｍｍ）を用い、Ｎｉ−Ｐ
メッキし、スパッタリングにより、下地膜として厚さ３
５ｎｍのクロム膜、厚さ３０ｎｍのコバルト合金磁性
膜、厚さ２５ｎｍのカーボン保護膜を成膜したものを準
備した。
った。磁気ディスク用基板としては表面粗さＲａが１．
０ｎｍ以下のスーパーポリッシュ基板（住友軽金属社
製、アルミニュウム、直径９５ｍｍ）を用い、Ｎｉ−Ｐ
メッキし、スパッタリングにより、下地膜として厚さ３
５ｎｍのクロム膜、厚さ３０ｎｍのコバルト合金磁性
膜、厚さ２５ｎｍのカーボン保護膜を成膜したものを準
備した。
【００１６】この磁気ディスクの保護膜面（スパッタカ
ーボン）全面に、マスク材となる１ミクロンφのテフロ
ンの微粒子１２を溶剤に分散させた液を噴霧し、面積当
たり５％の密度で塗付した後、後に詳述するエッチング
装置の中にセットし、真空容器内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下まで真空排気を行い、ついでエッチングガスとして
酸素ガス（純度９９．９９ｕｐ％）を容器内に送り込
み、容器内の圧力を所望の圧力（本実施例では１ｍＴｏ
ｒｒ〜５Ｔｏｒｒ）に一定にした後、基板にＲＦ電力
（１３．５６ＭＨｚ）を一定パワー（本実施例では５０
Ｗ〜５００Ｗ）、一定時間印加することにより基板表面
の保護膜をエッチングした。この後マスク材のテフロン
微粒子を水洗いにより洗浄除去し、スピン乾燥し、評価
を行った。
ーボン）全面に、マスク材となる１ミクロンφのテフロ
ンの微粒子１２を溶剤に分散させた液を噴霧し、面積当
たり５％の密度で塗付した後、後に詳述するエッチング
装置の中にセットし、真空容器内を１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下まで真空排気を行い、ついでエッチングガスとして
酸素ガス（純度９９．９９ｕｐ％）を容器内に送り込
み、容器内の圧力を所望の圧力（本実施例では１ｍＴｏ
ｒｒ〜５Ｔｏｒｒ）に一定にした後、基板にＲＦ電力
（１３．５６ＭＨｚ）を一定パワー（本実施例では５０
Ｗ〜５００Ｗ）、一定時間印加することにより基板表面
の保護膜をエッチングした。この後マスク材のテフロン
微粒子を水洗いにより洗浄除去し、スピン乾燥し、評価
を行った。
【００１７】エッチング装置は平行平板式の電極を用い
た装置で電極構成は図３に示したものを用いた。つま
り、図３のように、磁気ディスク１の内周部分を両面か
ら高圧印加電極７により挟み込み、基板面に平行な、か
つ、対向した位置に、対向電極６を配し、磁気ディスク
１の外周に沿った形でフローティング電極９を設けた構
成となっており、エッチング速度を変化させる部分には
基板面に近い位置にアース電極２のツバ１０を設けてあ
る。この部分のプラズマ３の密度を他のところより変え
ることでエッチング速度を変化させることができる。こ
のツバと基板面との距離（ギャップ長１１）を変化させ
ることで、ツバのない部分とのエッチング速度差を変え
ることが可能である。本実施例ではギャップ長をシース
の長さの１倍から６倍まで変化させて行った。なお、ツ
バ１０の半径は２５ｍｍである。
た装置で電極構成は図３に示したものを用いた。つま
り、図３のように、磁気ディスク１の内周部分を両面か
ら高圧印加電極７により挟み込み、基板面に平行な、か
つ、対向した位置に、対向電極６を配し、磁気ディスク
１の外周に沿った形でフローティング電極９を設けた構
成となっており、エッチング速度を変化させる部分には
基板面に近い位置にアース電極２のツバ１０を設けてあ
る。この部分のプラズマ３の密度を他のところより変え
ることでエッチング速度を変化させることができる。こ
のツバと基板面との距離（ギャップ長１１）を変化させ
ることで、ツバのない部分とのエッチング速度差を変え
ることが可能である。本実施例ではギャップ長をシース
の長さの１倍から６倍まで変化させて行った。なお、ツ
バ１０の半径は２５ｍｍである。
【００１８】測定ポイントはツバ１０のある中心位置の
Ｒ２０（選択エッチング部）とツバのない中心位置Ｒ３
５（通常部）とした。まず、エッチングガス圧力依存に
ついて見た。この結果を図４に示した。このときのＲＦ
パワーとギャップ長は各々１００Ｗ、１０ｍｍ固定で行
った。これより明らかなように０．５ｎｍ／ｓｅｃ以上
のエッチング速度差を取るにはプロセス圧力としては５
０〜１０００ｍＴｏｒｒの範囲であれば可能であること
が分かった。
Ｒ２０（選択エッチング部）とツバのない中心位置Ｒ３
５（通常部）とした。まず、エッチングガス圧力依存に
ついて見た。この結果を図４に示した。このときのＲＦ
パワーとギャップ長は各々１００Ｗ、１０ｍｍ固定で行
った。これより明らかなように０．５ｎｍ／ｓｅｃ以上
のエッチング速度差を取るにはプロセス圧力としては５
０〜１０００ｍＴｏｒｒの範囲であれば可能であること
が分かった。
【００１９】次にＲＦ投入パワー依存について行った結
果を図５に示す。図に見られるように、ＲＦ投入パワー
を変化させても絶対的なエッチング速度は増すが、エッ
チング速度差としては大きく変化しないことから、パワ
ーの設定に関してはタクトタイム等により設定すればよ
く、特に本発明のプロセス条件として規定する必要はな
いことが分かった。
果を図５に示す。図に見られるように、ＲＦ投入パワー
を変化させても絶対的なエッチング速度は増すが、エッ
チング速度差としては大きく変化しないことから、パワ
ーの設定に関してはタクトタイム等により設定すればよ
く、特に本発明のプロセス条件として規定する必要はな
いことが分かった。
【００２０】つぎに、エッチングの際大きくエッチング
速度差に影響すると考えられるギャップ長について行っ
た結果を図６に示した。これより本実施例において行っ
たプロセスガス圧力１００ｍＴｏｒｒ時の適正ギャップ
長としては、イオンシースの距離が凡そ５ｍｍであるの
に対して、２から５倍の１０〜２５ｍｍ程度においてエ
ッチング速度差が大きくなり、プロセスとして良好であ
ることが分かった。
速度差に影響すると考えられるギャップ長について行っ
た結果を図６に示した。これより本実施例において行っ
たプロセスガス圧力１００ｍＴｏｒｒ時の適正ギャップ
長としては、イオンシースの距離が凡そ５ｍｍであるの
に対して、２から５倍の１０〜２５ｍｍ程度においてエ
ッチング速度差が大きくなり、プロセスとして良好であ
ることが分かった。
【００２１】以上、本発明の実施例について説明してき
た。これにより一回のエッチングにより凹凸の高さの異
なる面を同時に、かつ、制御性良く形成することが可能
である。一例として、ＲＦパワーとギャップ長を各々１
００Ｗ、１０ｍｍとしたとき、ＣＳＳゾーン（ツバのあ
る部分）で１５ｎｍの丘が、データゾーン（ツバのない
部分）で５ｎｍの丘が得られた。
た。これにより一回のエッチングにより凹凸の高さの異
なる面を同時に、かつ、制御性良く形成することが可能
である。一例として、ＲＦパワーとギャップ長を各々１
００Ｗ、１０ｍｍとしたとき、ＣＳＳゾーン（ツバのあ
る部分）で１５ｎｍの丘が、データゾーン（ツバのない
部分）で５ｎｍの丘が得られた。
【００２２】上記実施例は、図２（ａ）に示した工程に
よるものであるが、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示した工
程により、図７に示したように、データゾーンの凹凸１
７の底部とＣＳＳゾーンの凹凸１８の底部の位置が同じ
高さであるような構成の磁気ディスクとすることも可能
である。なお、図において１４は下地膜、１５は磁性
膜、１６は保護膜である。
よるものであるが、図２（ｂ）、図２（ｃ）に示した工
程により、図７に示したように、データゾーンの凹凸１
７の底部とＣＳＳゾーンの凹凸１８の底部の位置が同じ
高さであるような構成の磁気ディスクとすることも可能
である。なお、図において１４は下地膜、１５は磁性
膜、１６は保護膜である。
【００２３】図２（ｂ）に示した工程は、カーボン保護
膜を、全面に１０ｎｍ、次ぎにデータゾーンをマスキン
グしてＣＳＳゾーンのみに５ｎｍ成膜した後、全面に微
粒子１２を塗布し、以下、上記実施例と同様にＣＳＳゾ
ーンを選択的にエッチングして行うものである。
膜を、全面に１０ｎｍ、次ぎにデータゾーンをマスキン
グしてＣＳＳゾーンのみに５ｎｍ成膜した後、全面に微
粒子１２を塗布し、以下、上記実施例と同様にＣＳＳゾ
ーンを選択的にエッチングして行うものである。
【００２４】また、図２（ｃ）に示した工程は次ぎのよ
うにして行う。前記実施例と同様にカーボン保護膜まで
の各膜をそれぞれ前記と同じ一定の厚さで成膜した後、
ＣＳＳゾーンの上のツバのギャップ長を１ｍｍとしてエ
ッチングし、ＣＳＳゾーンをエッチングすることなく、
データゾーンを１０ｎｍエッチングする。その後、全面
に微粒子１２を塗布し、以下、前記実施例と同様にＣＳ
Ｓゾーンを選択的にエッチングする。
うにして行う。前記実施例と同様にカーボン保護膜まで
の各膜をそれぞれ前記と同じ一定の厚さで成膜した後、
ＣＳＳゾーンの上のツバのギャップ長を１ｍｍとしてエ
ッチングし、ＣＳＳゾーンをエッチングすることなく、
データゾーンを１０ｎｍエッチングする。その後、全面
に微粒子１２を塗布し、以下、前記実施例と同様にＣＳ
Ｓゾーンを選択的にエッチングする。
【００２５】なお、上記各実施例は、いずれも２つのゾ
ーンのエッチング速度に差を設けたが、ギャップ長の異
なる複数の、例えば、２つのツバを設け、３つのゾーン
のエッチング速度に差を設けることもできる。また、エ
ッチングガスとしては、酸素ガスを用いたが、アルゴ
ン、窒素、ネオン、クリプトン、フッ素、フッ素化合
物、塩素又は塩素化合物のガスを用いても、また、これ
らの混合ガスを用いても同様な効果が得られた。
ーンのエッチング速度に差を設けたが、ギャップ長の異
なる複数の、例えば、２つのツバを設け、３つのゾーン
のエッチング速度に差を設けることもできる。また、エ
ッチングガスとしては、酸素ガスを用いたが、アルゴ
ン、窒素、ネオン、クリプトン、フッ素、フッ素化合
物、塩素又は塩素化合物のガスを用いても、また、これ
らの混合ガスを用いても同様な効果が得られた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、一回のエッチングによ
り高さの異なる凹凸を同時に形成できる。互いに高さの
異なる凹凸を形成する領域を２つとすれば、従来と比較
し、行程数が約半分、設備投資金額が約半分となる。ま
た、凹凸形成の精度が向上し、再現性が確保される。特
に磁気記録媒体におけるゾーン形成についてはそのまま
適用できるため、高精度の磁気記録媒体を簡便に、か
つ、安価に得ることができる。
り高さの異なる凹凸を同時に形成できる。互いに高さの
異なる凹凸を形成する領域を２つとすれば、従来と比較
し、行程数が約半分、設備投資金額が約半分となる。ま
た、凹凸形成の精度が向上し、再現性が確保される。特
に磁気記録媒体におけるゾーン形成についてはそのまま
適用できるため、高精度の磁気記録媒体を簡便に、か
つ、安価に得ることができる。
【図１】従来方法のプロセス概略図。
【図２】本発明によるプロセス概略図。
【図３】本発明で用いた電極構造模式図。
【図４】実施例で得たエッチング速度と圧力の関係図。
【図５】実施例で得たエッチング速度と投入パワーの関
係図。
係図。
【図６】実施例で得たエッチング速度とギャップ長の関
係図。
係図。
【図７】本発明の一実施例で得た磁気ディスクの構成
図。
図。
１…磁気ディスク ２…アース電極 ３…プラズマ ６…対向電極 ７…高圧印加電極 ９…フローティング電極 １０…ツバ １１…ギャップ長 １２…微粒子 １４…下地膜 １５…磁性膜 １６…保護膜 １７、１８…凹凸
Claims (6)
- 【請求項１】表面に微粒子からなるマスク材が配置され
た基体を真空容器内に設置し、真空容器内に所望のエッ
チングガスを導入し、プラズマを発生させ、基体表面を
エッチングし、基体の複数の領域に、それぞれ互いに異
なる高さの凹凸を同時に形成することを特徴とする凹凸
の形成方法。 - 【請求項２】上記互いに異なる高さの凹凸の形成は、上
記複数の領域の上部で上記プラズマの密度を互いに変え
ることにより行うことを特徴とする請求項１記載の凹凸
の形成方法。 - 【請求項３】上記エッチングガスは、酸素、アルゴン、
窒素、ネオン、クリプトン、フッ素、フッ素化合物、塩
素及び塩素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１
種のガスであることを特徴とする請求項１又は２記載の
凹凸の形成方法。 - 【請求項４】上記エッチングは、０．０５Ｔｏｒｒ〜
１．０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で行うことを特徴とする請
求項１から３のいずれか一に記載の凹凸の形成方法。 - 【請求項５】上記エッチングは、上記複数の領域のエッ
チング速度の差が０．５ｎｍ／ｓｅｃ〜３ｎｍ／ｓｅｃ
の範囲となる条件で行うことを特徴とする請求項１から
４のいずれか一に記載の凹凸の形成方法。 - 【請求項６】非磁性基板上に磁性膜を形成する工程と、
該磁性膜上に保護膜を形成する工程と、請求項１から５
のいずれか一に記載の凹凸の形成方法を適用し、上記保
護膜の複数の領域に互いに異なる高さの凹凸を形成する
工程とを有すること特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11559895A JPH08315356A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 凹凸の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11559895A JPH08315356A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 凹凸の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08315356A true JPH08315356A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14666593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11559895A Pending JPH08315356A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 凹凸の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08315356A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045537A1 (fr) * | 1998-03-04 | 1999-09-10 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et appareil de memorisation magnetique fabrique par utilisation de ce support d'enregistrement magnetique |
| US7153441B2 (en) | 2000-08-10 | 2006-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing thin-film magnetic recording medium |
| JP2007125699A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | パターン基板，パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体 |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP11559895A patent/JPH08315356A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999045537A1 (fr) * | 1998-03-04 | 1999-09-10 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et appareil de memorisation magnetique fabrique par utilisation de ce support d'enregistrement magnetique |
| US7153441B2 (en) | 2000-08-10 | 2006-12-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing thin-film magnetic recording medium |
| JP2007125699A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | パターン基板，パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体 |
| JP4665720B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-04-06 | 株式会社日立製作所 | パターン基板，パターン基板の製造方法、微細金型および磁気記録用パターン媒体 |
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