JPH0997428A

JPH0997428A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0997428A
Application number: JP7254284A
Authority: JP
Inventors: Yuzo Yamamoto; 裕三山本
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08

Abstract

(57)【要約】【課題】ＣＳＳ耐久性に優れ、且つエラー品質にも優
れた磁気記録媒体の製造方法の提供。【解決手段】非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護
層及び潤滑剤層が順次積層されてなる本発明の磁気記録
媒体の製造方法は、上記非磁性基板の洗浄工程、並びに
上記磁性層、保護層及び潤滑剤層それぞれの形成工程を
順次連続的に連続チャンバー内で行うことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関するものであり、更に詳しくは連続一貫工程
により総合的収率に優れた製品を得ることのできる磁気
記録媒体の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年の
磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、磁気ディスク等に
おいては磁気ディスクの回転の高速化や磁気ヘッドの浮
上量の低下が図られている。その結果、磁気ディスクに
要求される耐磨耗性や耐久性は、そのレベルが年々高度
なものとなってきている。

【０００３】上記要求に対して、例えば、特開平４−１
８６５２４号公報においては、磁性層、保護層及び潤滑
剤層（表面重合法による）を、仕切バルブによって接続
された連続チャンバー内で連続的に形成することが記載
されている。これらの層の形成は周囲と遮断された状態
で連続に行われるので、これらの層が周囲と接触する場
合はない。しかし、基板の洗浄工程は、これらの層の形
成工程とは別に不連続に行われるので、洗浄された基板
を上記連続チャンバーに搬送する際に、水や有機物等の
不純物が製造ライン中に混入することがある。その結
果、製品の歩留まりが低下したり、製造された磁気ディ
スクのＣＳＳ耐久性やエラー品質等が十分でない場合が
ある。

【０００４】また、磁気ディスクの製造における保護層
の形成後に、該保護層をバーニッシュ工程に付してから
潤滑剤層を形成することも一般に行われているが、該バ
ーニッシュ工程としては一般にテープバーニッシュが用
いられているので、該バーニッシュ工程の際には磁気デ
ィスクと周囲との接触が避けられず、上記と同様の問題
が起きる。

【０００５】従って、本発明の目的はＣＳＳ耐久性に優
れ、且つエラー品質にも優れた磁気記録媒体の製造方法
を提供することにある。

【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明者らは鋭意検討した結果、基板の洗浄工程から潤滑
剤層の形成工程までを連続チャンバー内で一貫して行う
ことにより、周囲から不純物が混入することなく磁気記
録媒体を製造し得ることを知見した。

【０００６】本発明は上記知見に基づきなされたもので
あり、非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層及び潤
滑剤層が順次積層されてなる磁気記録媒体の製造方法に
おいて、上記非磁性基板の洗浄工程、並びに上記磁性
層、保護層及び潤滑剤層それぞれの形成工程を順次連続
的に連続チャンバー内で行うことを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法を提供することにより上記目的を達成し
たものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体の製
造方法の第１実施形態を図１及び図２を参照して説明す
る。ここで図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
第１実施形態において好ましく用いられる連続チャンバ
ー示す概略平面図であり、図２は図１に示す連続チャン
バーによって製造された磁気記録媒体の構成を示す概略
図である。

【０００８】図２に示す磁気記録媒体１００は、カーボ
ン基板１０２にＴｉ層１０４が設けられ、その上にＡｌ
−１０ｗｔ％Ｓｉからなるテクスチャ層１０６が設けら
れている。該テクスチャ層１０６上には、アモルファス
カーボン層１０８、Ｔｉからなる第１下地層１１０及び
Ｃｒからなる第２下地層１１２が順次設けられている。
更に、該第２下地層１１２上にＣｏＣｒＰｔＢからなる
磁性層１１４、カーボンからなる保護層１１６及び潤滑
剤層１１８が順次設けられている。

【０００９】上記磁気記録媒体１００の製造方法を、図
１に示す磁気記録媒体製造用連続チャンバー１０に基づ
いて説明すると、まず、所定の表面粗さに研磨されたカ
ーボン基板（非磁性基板）は、所定の枚数毎にホルダー
（図示せず）によって保持・立設され洗浄室１２へ搬送
される。該洗浄室１２はバルブ５０ａ及び５０ｂによっ
て仕切られており、内部が気密になるようになされてい
る。また、該洗浄室１２の内部には、一対の活性エネル
ギー線照射源１２ａ，１２ａが設けられている。

【００１０】バルブ５０ａ及び５０ｂが閉じられた状態
の上記洗浄室１２において上記カーボン基板は、活性エ
ネルギー線照射によりその表面が洗浄される。該活性エ
ネルギー線照射によるカーボン基板の洗浄について詳述
すると、該活性エネルギー線としては、例えば紫外線、
電子線、放射線及びＸ線等を挙げることができる。その
照射方法としては、上記紫外線を照射する場合には、例
えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ又はエキシマレ
ーザ等を用いて、１〜１０分間上記カーボン基板に照射
することにより行うことができる。また、上記電子線を
照射する場合には、例えば、Ｗフィラメント等を用い
て、１秒〜１０分間上記カーボン基板に照射することに
より行うことができる。また、上記放射線を照射する場
合には、例えば、ＡｌＫα又はＭｇＫα等の軟Ｘ線等を
用いて、１秒〜１０分間上記カーボン基板に照射するこ
とにより行うことができる。更に、上記Ｘ線を照射する
場合には、例えば、ＣｕＫα又はＺｒＬα等の硬Ｘ線等
を用いて、１秒〜１０分間上記カーボン基板に照射する
ことにより行うことができる。

【００１１】上記活性エネルギー線のうち、紫外線を用
いることが好ましく、更には、紫外線の中でも１７０〜
２６０ｎｍの紫外線が特に好ましい。従って、例えば波
長２５４又は１８５ｎｍの紫外線の照射が行える低圧水
銀ランプを用いて上記洗浄を行うことが好ましい。

【００１２】上記カーボン基板の洗浄完了後、バルブ５
０ａを閉じた状態でバルブ５０ｂを開くと共に、該カー
ボン基板を加熱室１４へ搬送する。該加熱室１４は、次
工程であるスパッタリングのために上記カーボン基板を
予熱するものである。該加熱室１４は、バルブ５０ｂ及
び５０ｃによって仕切られており、内部が気密になるよ
うになされている。また、該加熱室１４の内部には、カ
ーボン基板をその両面から加熱し得る一対のヒータ１４
ａ，１４ａが設けられている。

【００１３】上記カーボン基板の上記加熱室１４への搬
送完了後、バルブ５０ｂは閉じられる。そして、バルブ
５０ｂ及び５０ｃが閉じられた状態の上記加熱室１４に
おいて上記カーボン基板は、ヒータ１４ａ，１４ａによ
ってスパッタリングに適した所定温度に加熱される。こ
の場合、真空度は１×１０^-5Ｔｏｒｒ程度に維持され、
後述する第１スパッタ室１６に搬送するときには該第１
スパッタ室と同じ真空度に合わせる。また、上記加熱室
１４には、その内部を真空にするためのクライオポンプ
（図示せず）が接続されていると共にアルゴンガス源
（図示せず）が接続されている。なお、上記加熱室１４
は、上記第１スパッタ室１６に搬送される前の予備排気
室の役割も果たす。

【００１４】上記カーボン基板の予熱完了後、バルブ５
０ｂを閉じた状態でバルブ５０ｃを開くと共に、該カー
ボン基板を第１スパッタ室１６へ搬送する。該第１スパ
ッタ室１６は、バルブ５０ｃ及び５０ｄによって仕切ら
れており、内部が気密になるようになされている。ま
た、該第１スパッタ室１６の内部には、上記カーボン基
板の搬送方向に沿って、該カーボン基板をその両面から
スパッタリングするための一対のターゲットが３組設け
られている。即ち、上記カーボン基板の搬送方向上流か
ら順に、板状のＴｉターゲット１６ａ，１６ａ、Ａｌ−
１０ｗｔ％Ｓｉターゲット１６ｂ，１６ｂ、及びカーボ
ンターゲット１６ｃ，１６ｃがそれぞれ一対ずつ立設さ
れている。また、それぞれのターゲット間には相対向す
る一対のヒータ１６ｄ，１６ｄが２組設けられており、
スパッタリング中の基板温度を維持している。更に、上
記第１スパッタ室１６には、その内部を真空状態にする
ためのクライオポンプ（図示せず）が接続されていると
共に、スパッタリング用のアルゴンガス源（図示せず）
が接続されている。

【００１５】上記カーボン基板の上記第１スパッタ室１
６への搬送完了後、バルブ５０ｃは閉じられる。この場
合、該第１スパッタ室１６内は予めある程度の減圧状態
にあるが、更にスパッタリングに適した所定の真空状態
にまで減圧される。次いで、スパッタリングに適した所
定圧のアルゴンガスが上記アルゴンガス源から供給され
る。これと共に、上記カーボン基板は上記Ｔｉターゲッ
ト１６ａ，１６ａの位置まで移動し、該ターゲットによ
るスパッタリングが開始される。このスパッタリングに
より、図２に示すＴｉ層１０４が上記カーボン基板上に
所定の厚さで形成される。

【００１６】上記Ｔｉターゲット１６ａ，１６ａによる
スパッタリングの完了後、Ｔｉ層が形成された上記カー
ボン基板は、上記Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉターゲット１６
ｂ，１６ｂの位置まで移動し、該ターゲットによるスパ
ッタリングが開始される。このスパッタリングにより、
図２に示すテクスチャ層１０６が上記Ｔｉ層１０４上に
所定の厚さで形成される。

【００１７】上記Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉターゲット１６
ｂ，１６ｂによるスパッタリングの完了後、テクスチャ
層までが形成された上記カーボン基板は、上記カーボン
ターゲット１６ｃ，１６ｃの位置まで移動し、該ターゲ
ットによるスパッタリングが開始される。このスパッタ
リングにより、図２に示すアモルファスカーボン層１０
８が上記Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ層１０６上に所定の厚さ
で形成される。

【００１８】上記カーボン基板上にアモルファスカーボ
ン層までが形成された後、バルブ５０ｃを閉じた状態で
バルブ５０ｄを開くと共に、該カーボン基板を第１隔離
室１８へ搬送する。該第１隔離室１８は、上記第１スパ
ッタ室１６及び後述する第２スパッタ室２０におけるそ
れぞれの真空状態を隔離すると共に、該第２スパッタ室
２０におけるスパッタリングのために上記カーボン基板
を予熱するものである。該第１隔離室１８は、バルブ５
０ｄ及び５０ｅによって仕切られており、内部が気密に
なるようになされている。また、該第１隔離室１８の内
部には、カーボン基板をその両面から加熱し得る一対の
ヒータ１８ａ，１８ａが設けられている。更に、該第１
隔離室１８はクライオポンプ（図示せず）に接続されて
おり、その内部が予めある程度減圧された状態にある。
従って、上記第１スパッタ室１６から上記第１隔離室１
８へ上記カーボン基板を搬送する際に、該第１スパッタ
室１６の真空状態が破られることはない。

【００１９】上記カーボン基板の上記第１隔離室１８へ
の搬送完了後、バルブ５０ｄは閉じられる。そして、バ
ルブ５０ｄ及び５０ｅが閉じられた状態の上記第１隔離
室１８において、アモルファスカーボン層までが形成さ
れた上記カーボン基板は、ヒータ１８ａ，１８ａによっ
て上記第２スパッタ室２０におけるスパッタリングに適
した所定温度に加熱される。該所定温度は、上記加熱室
１４における温度と同じでもよく又は異なっていてもよ
い。

【００２０】上記第１隔離室１８における上記カーボン
基板の予熱完了後、バルブ５０ｄを閉じた状態でバルブ
５０ｅを開くと共に、該カーボン基板を第２スパッタ室
２０へ搬送する。該第２スパッタ室２０は、バルブ５０
ｅ及び５０ｆによって仕切られており、内部が気密にな
るようになされている。また、該第２スパッタ室２０の
内部には、上記カーボン基板の搬送方向に沿って、該カ
ーボン基板をその両面からスパッタリングするための一
対のターゲットが３組設けられている。即ち、上記カー
ボン基板の搬送方向上流から順に、板状のＴｉターゲッ
ト２０ａ，２０ａ、Ｃｒターゲット２０ｂ，２０ｂ、及
びＣｏＣｒＰｔＢターゲット２０ｃ，２０ｃがそれぞれ
一対ずつ立設されている。また、それぞれのターゲット
間には相対向する一対のヒータ２０ｄ，２０ｄが２組設
けられており、スパッタリング中の基板温度を維持して
いる。更に、上記第２スパッタ室２０には、その内部を
真空状態にするためのクライオポンプ（図示せず）が接
続されていると共に、スパッタリング用のアルゴンガス
源（図示せず）が接続されている。

【００２１】上記カーボン基板の上記第２スパッタ室２
０への搬送完了後、バルブ５０ｅは閉じられる。この場
合、該第２スパッタ室２０内は予めある程度の減圧状態
にあり、しかも上述の通り上記第１隔離室１８もある程
度の減圧状態にあるので、上記カーボン基板の上記第２
スパッタ室２０への搬送時に、該第２スパッタ室２０の
真空状態が完全に破られることはない。上記第２スパッ
タ室２０は、スパッタリングに適した所定の真空状態に
まで更に減圧される。次いで、スパッタリングに適した
所定圧のアルゴンガスが上記アルゴンガス源から供給さ
れる。この状態で、上記カーボン基板は上記Ｔｉターゲ
ット２０ａ，２０ａの位置まで移動し、該ターゲットに
よるスパッタリングが開始される。このスパッタリング
により、図２に示すＴｉからなる第１下地層１１０が上
記アモルファスカーボン層１０８上に所定の厚さで形成
される。

【００２２】上記Ｔｉターゲット２０ａ，２０ａによる
スパッタリングの完了後、第１下地層までが形成された
上記カーボン基板は、上記Ｃｒターゲット２０ｂ，２０
ｂの位置まで移動し、該ターゲットによるスパッタリン
グが開始される。このスパッタリングにより、図２に示
すＣｒからなる第２下地層１１２が上記第１下地層１１
０上に所定の厚さで形成される。

【００２３】上記Ｃｒターゲット２０ｂ，２０ｂによる
スパッタリングの完了後、第２下地層までが形成された
上記カーボン基板は、上記ＣｏＣｒＰｔＢターゲット２
０ｃ，２０ｃの位置まで移動し、該ターゲットによるス
パッタリングが開始される。このスパッタリングによ
り、図２に示す磁性層１１４が上記第２下地層１１２上
に所定の厚さで形成される。

【００２４】上記カーボン基板上に磁性層までが形成さ
れた後、バルブ５０ｅを閉じた状態でバルブ５０ｆを開
くと共に、該カーボン基板を第２隔離室２２へ搬送す
る。該第２隔離室２２の役割は、上記第１隔離室１８の
それと同様である。該第２隔離室２２は、バルブ５０ｆ
及び５０ｇによって仕切られており、内部が気密になる
ようになされている。また、該第２隔離室２２の内部に
は、カーボン基板をその両面から加熱し得る一対のヒー
タ２２ａ，２２ａが設けられている。更に、該第２隔離
室２２はクライオポンプ（図示せず）に接続されてお
り、その内部が予めある程度減圧された状態にある。従
って、上記第２スパッタ室１８から上記第２隔離室２２
へ上記カーボン基板を搬送する際に、該第２スパッタ室
１８の真空状態が破られることはない。

【００２５】上記第２隔離室２２における上記カーボン
基板の予熱完了後、バルブ５０ｆを閉じた状態でバルブ
５０ｇを開くと共に、該カーボン基板を第３スパッタ室
２４へ搬送する。該第３スパッタ室２４は、バルブ５０
ｇ及び５０ｈによって仕切られており、内部が気密にな
るようになされている。また、該第３スパッタ室２４の
内部には、該カーボン基板をその両面からスパッタリン
グするための板状の一対のカーボンターゲット２４ａ，
２４ａが立設されている。また、該ターゲットに隣接し
て一対のヒータ２４ｄ，２４ｄが設けられており、スパ
ッタリング中の基板温度を維持している。更に、上記第
３スパッタ室２４には、その内部を真空状態にするため
のクライオポンプ（図示せず）が接続されていると共
に、スパッタリング用のアルゴンガス源（図示せず）が
接続されている。

【００２６】上記カーボン基板の上記第３スパッタ室２
４への搬送完了後、バルブ５０ｇは閉じられる。この場
合、該第３スパッタ室２４内は予めある程度の減圧状態
にあり、しかも上述の通り上記第２隔離室２２もある程
度の減圧状態にあるので、上記カーボン基板の上記第３
スパッタ室２４への搬送時に、該第３スパッタ室２４の
真空状態が完全に破られることはない。上記第３スパッ
タ室２４は、スパッタリングに適した所定の真空状態に
まで更に減圧される。次いで、スパッタリングに適した
所定圧のアルゴンガスが上記アルゴンガス源から供給さ
れる。これと共に、上記カーボン基板はカーボンターゲ
ット２４ａ，２４ａの位置まで移動し、該ターゲットに
よるスパッタリングが開始される。このスパッタリング
により、図２に示すカーボンからなる保護層１１６が上
記磁性層１１４上に所定の厚さで形成される。

【００２７】ここまでの工程において、上記カーボン基
板上に保護層までが形成される。次いで、バルブ５０ｇ
を閉じた状態でバルブ５０ｈを開くと共に、該カーボン
基板を酸化バーニッシュ室２６へ搬送する。該酸化バー
ニッシュ室２６においては、上記保護層の形成の際に該
保護層表面に不可避的に形成されるいわゆる異常突起が
除去される。この操作により、最終的に得られる磁気記
録媒体のグライド高さを低く保つことができる。

【００２８】上記酸化バーニッシュ室２６について更に
説明すると、該酸化バーニッシュ室２６においては、例
えば空気、オゾン、二酸化炭素又は水蒸気等の酸化性雰
囲気下で、保護層までが形成された上記カーボン基板を
加熱することにより、該保護層の酸化バーニッシュが行
われる。加熱方法としては、例えばニクロム線ヒータ等
の電熱線加熱及び赤外線ランプによる加熱等が挙げられ
るが、これらに制限されるものではない。加熱温度にも
特に制限はないが、一般に３００〜１０００℃であるこ
とが好ましく、４００〜６００℃であることが更に好ま
しい。また、加熱時間にも特に制限はないが、一般に
０．１〜６０分であることが好ましく、生産性を考慮す
ると０．５〜５分であることが更に好ましい。かかる諸
条件を操作することにより、上記保護層表面に存在する
異常突起の低下量を精密に制御することができる。な
お、本発明にいう上記酸化バーニッシュとは、厳密な酸
化現象のみを意味するものではなく、加熱により上記異
常突起が分解、気化又は蒸発するような現象をも包含す
る概念である。従って、例えば、真空中で上記基板を加
熱するようなバーニッシュも本発明にいう酸化バーニッ
シュに含まれる。

【００２９】上記保護層の酸化バーニッシュ完了後、バ
ルブ５０ｈを閉じた状態でバルブ５０ｉを開くと共に、
カーボン基板をＣＶＤ室２８に搬送する。該ＣＶＤ室２
８においては、酸化バーニッシュされた保護層上に、図
２に示すように潤滑剤層１１８が所定厚さで形成され
る。

【００３０】上記ＣＶＤ室２８について更に説明する
と、該ＣＶＤ室２８はバルブ５０ｉ及び５０ｊによって
仕切られており、内部が気密になるようになされてい
る。また、該ＣＶＤ室２８は、クライオポンプ（図示せ
ず）に接続されており、その内部が予めある程度減圧さ
れた状態にある。更に該ＣＶＤ室２８には、後述する気
相重合のための原料ガス源が接続されている。更に、該
ＣＶＤ室の両側壁には、後述する気相重合のためのレー
ザ光透過用窓が設けられている。

【００３１】上記ＣＤＶ室２８における潤滑剤層の形成
について説明すると、該潤滑剤層は、真空条件下で気相
重合を行い、原料ガスであるフッ化炭素系化合物と酸素
とを重合させて潤滑剤層を形成する第１の重合工程と、
湿度（例えば、４０〜９０％）の空気を導入することで
系内に水蒸気を導入した後、真空条件下で気相重合を行
い、フッ化炭素系化合物と酸素とを重合させて潤滑剤層
を形成する第２の重合工程とを順次行うことによって好
ましく形成される。ここで、上記第１の重合工程は、主
として上記固定層を形成する工程であり、上記第２の重
合工程は、主として上記フリー層を形成する工程であ
る。即ち、上記第１の重合工程においても上記フリー層
が形成されることがあり、上記第２の重合工程において
も上記固定層が形成されることがある。なお、上記固定
層とは、上記保護層に化学的又は物理的に強固に固着さ
れている層を意味し、例えば商品名「フロン１１３」等
のフッ素系溶媒を用いて洗浄しても洗い流されない層の
ことをいう。一方、上記フリー層とは、上記フッ素系溶
媒を用いて洗浄した場合に洗い流されてしまう層のこと
をいう。

【００３２】上記潤滑剤層の形成に用いられる気相重合
とは、上記フッ化炭素系化合物と酸素とを気相にガス状
態で保持した系で重合を行い、重合反応を気相のみで生
ぜしめる重合方法を意味し、例えば、プラズマ重合やＣ
ＶＤ等を採用することができる。本実施形態において
は、装置・設備が簡単なもので済む点から光ＣＶＤが好
ましく採用される。上記光ＣＶＤにより重合を行う場合
には、上記レーザー光透過用窓を介してレーザ光を被析
出物表面（即ち、上記保護層の表面）には直接照射せ
ず、上記フッ化炭素系化合物と上記酸素との混合ガス中
にのみ照射して行う。上記光ＣＶＤの際に用いることが
できる光源としては、例えば紫外線及び赤外線が挙げら
れ、特に紫外線を用いることが好ましく、就中、例えば
波長１９３ｎｍのエキシマレーザ光等を用いることが好
ましい。

【００３３】上記気相重合を行うに際しては、上記ＣＶ
Ｄ室２８内を減圧して真空（例えば、１×１０^-5〜１Ｔ
ｏｒｒ）にした後、上記フッ化炭素系化合物及び酸素を
導入して真空条件とする。次に、エキシマレーザ光等を
カーボン基板には当たらないように該ＣＶＤ室２８内に
照射する。なお、上記真空条件とは、真空状態の上記Ｃ
ＶＤ室２８内に上記フッ化炭素系化合物と酸素とを導入
した状態を意味し、この状態における該ＣＶＤ室２８内
の圧力は、５〜２００Ｔｏｒｒとすることが好ましい。

【００３４】上記フッ化炭素系化合物としては、炭素−
炭素二重結合を有するものが好ましい。また、上記フッ
化炭素系化合物と酸素との使用割合は、上記フッ化炭素
系化合物／酸素（モル比）が、好ましくは１／０．５〜
１／１００であり、更に好ましくは１／１〜１／１０で
あり、最も好ましくは１／２〜１／８である。

【００３５】上記フッ化炭素系化合物と酸素との気相重
合により得られた重合体は、主として−（ＣＦ₂Ｏ）−
の構造単位を有する重合体であり、その分子量は、好ま
しくは１５００〜３００００である。また、かかる重合
体からなる上記潤滑剤層における上記固定層の厚さ（重
さ）と上記フリー層の厚さ（重さ）との比は、フリー層
の厚さ（重さ）／固定層の厚さ（重さ）が好ましくは１
／１０〜１０／１、更に好ましくは２／５〜５／１であ
る。更に、上記固定層の厚さは、５〜３０Åであること
が好ましく、上記フリー層の厚さは、２〜８０Åである
ことが好ましい。そして、上記固定層及び上記フリー層
からなる上記潤滑剤層の厚さは、好ましくは２〜２００
Å、より好ましくは１０〜１００Å、更に好ましくは２
０〜８０Å、最も好ましくは２０〜５０Åである。

【００３６】以上の諸工程により、図２に示す構成を有
する磁気記録媒体が得られる。そして、このようにして
得られた磁気記録媒体は、更に、バルブ５０ｊ及び５０
ｋにより仕切られた搬送室３０に搬送され、引き続き、
バルブ５０ｋ及び５０ｌにより仕切られた取出室３２か
ら取り出される。このようにして、上記非磁性基板の洗
浄並びに上記磁性層、保護層及び潤滑剤層の形成が、連
続チャンバー内で連続的に行われる。この間、該連続チ
ャンバー内が周囲と接触することは無く、その結果、周
囲からの不純物の混入が避けられる。

【００３７】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
第２実施形態を図３及び図４を参照して説明する。ここ
で図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の第２実施
形態において好ましく用いられる連続チャンバー示す概
略平面図であり、図４は図３に示す連続チャンバーによ
って製造された磁気記録媒体の構成を示す概略図であ
る。なお、図３及び図４において、図１及び図２と同じ
点については特に詳述しないが、図１及び図２に関して
詳述した説明が適宜適用される。また、図３及び図４に
おいて、図１及び図２と同じ部材については同じ符号を
付した。

【００３８】図４に示す磁気記録媒体１００は、図２に
示す磁気記録媒体に類似のものであり、異なる点は、図
４に示す磁気記録媒体１００では、図２に示す磁気記録
媒体におけるＴｉ層１０４及びアモルファスカーボン層
１０８が用いられておらず、且つテクスチャ層１０６が
磁性層１１４と保護層１１６との間に設けられている点
である。

【００３９】かかる磁気記録媒体１００の製造方法を、
図３に示す磁気記録媒体製造用連続チャンバー１０に基
づいて説明する。図３に示す連続チャンバー１０は、図
１に示す連続チャンバーと類似のものであり、異なる点
は、第１スパッタ室１６、第２スパッタ室２２及び第３
スパッタ室２４におけるターゲットの配置である。これ
らそれぞれのスパッタ室の説明を含め、図４に示す磁気
記録媒体の製造方法を説明する。

【００４０】図４に示す磁気記録媒体の製造において、
図３に示す洗浄室１２及び加熱室１４の構成及びその操
作は、上記第１実施形態の場合と同様である。

【００４１】第１スパッタ室１６には、上記カーボン基
板をその両面からスパッタリングするための板状の一対
のＴｉターゲット１６ａ，１６ａが立設されている。ま
た、該ターゲットに隣接して一対のヒータ１６ｄ，１６
ｄが設けられており、スパッタリング中の基板温度を維
持している。上記第１スパッタ室１６におけるこれ以外
の構成は、上記第１実施形態の場合と同様である。

【００４２】上記第１スパッタ室１６におけるスパッタ
リングは、上記第１実施形態の場合と同様である。そし
て、このスパッタリングにより、図４に示すＴｉからな
る第１下地層１１０が上記カーボン基板上に所定の厚さ
で形成される。

【００４３】上記カーボン基板上に第１下地層が形成さ
れた後、バルブ５０ｃを閉じた状態でバルブ５０ｄを開
くと共に、該カーボン基板を第１隔離室１８へ搬送す
る。該第１隔離室１８の構成及び操作は、上記第１実施
形態の場合と同様である。

【００４４】上記第１隔離室１８に続く第２スパッタ室
２０には、上記カーボン基板をその両面からスパッタリ
ングするための一対のターゲットが２組設けられてい
る。即ち、上記カーボン基板の搬送方向上流から順に、
板状のＣｒターゲット２０ｂ，２０ｂ、及びＣｏＣｒＰ
ｔＢターゲット２０ｃ，２０ｃがそれぞれ一対ずつ立設
されている。また、それぞれのターゲット間には相対向
する一対のヒータ２０ｄ，２０ｄが設けられており、ス
パッタリング中の基板温度を維持している。上記第２ス
パッタ室２０におけるこれ以外の構成は、上記第１実施
形態の場合と同様である。

【００４５】上記第２スパッタ室２２におけるスパッタ
リングは、上記第１実施形態の場合と同様である。そし
て、このスパッタリングにより、図４に示すように、上
記第１下地層１１０上に、Ｃｒからなる第２下地層１１
２及び磁性層１１４がそれぞれ所定の厚さで形成され
る。

【００４６】上記カーボン基板上に磁性層までが形成さ
れた後、バルブ５０ｅを閉じた状態でバルブ５０ｆを開
くと共に、該カーボン基板を第２隔離室２２へ搬送す
る。該第２隔離室２２の構成及び操作は、上記第１実施
形態の場合と同様である。

【００４７】上記第２隔離室２２に続く第３スパッタ室
２４へ搬送には、上記カーボン基板をその両面からスパ
ッタリングするための一対のターゲットが２組設けられ
ている。即ち、上記カーボン基板の搬送方向上流から順
に、板状のＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉターゲット２４ｂ，２
４ｂ、及びカーボンターゲット２４ｃ，２４ｃがそれぞ
れ一対ずつ立設されている。また、それぞれのターゲッ
ト間には相対向する一対のヒータ２４ｄ，２４ｄが設け
られており、スパッタリング中の基板温度を維持してい
る。

【００４８】上記第３スパッタ室２４におけるスパッタ
リングは、上記第１実施形態の場合と同様である。そし
て、このスパッタリングにより、図４に示すように、上
記磁性層１１４上に、テクスチャ層１０６及び保護層１
１６がそれぞれ所定の厚さで形成される。

【００４９】以上の操作により、保護層までが形成され
た上記カーボン基板は、次いで酸化バーニッシュ室２６
において酸化バーニッシュ工程に付され、引き続きＣＶ
Ｄ室２８において潤滑剤層の形成工程に付される。これ
らの工程における操作は上記第１実施形態と同様であ
る。

【００５０】このようにして、上記非磁性基板の洗浄並
びに上記磁性層、保護層及び潤滑剤層の形成が、連続チ
ャンバー内で連続的に行われる。この間、該連続チャン
バー内が周囲と接触することは無く、その結果、周囲か
らの不純物の混入が避けられる。

【００５１】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
第３実施形態を図５を参照して説明する。ここで図５
は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の第３実施形態に
おいて好ましく用いられる連続チャンバー示す概略平面
図である。なお、図５において、図１と同じ点について
は特に詳述しないが、図１に関して詳述した説明が適宜
適用される。また、図５において、図１と同じ部材につ
いては同じ符号を付した。

【００５２】図５に示す連続チャンバーは、図１に示す
連続チャンバー及び図３に示す連続チャンバーにおける
スパッタ室を結合したものである。即ち、図５に示す連
続チャンバーにおける洗浄室１２、加熱室１４、第１隔
離室１８、第２隔離室２２、酸化バーニッシュ室２６、
ＣＶＤ室２８、搬送室３０及び取出室３２は、図１及び
図３に示す連続チャンバーと同様であり、異なる点は、
第１スパッタ室１６、第２スパッタ室２０、第３スパッ
タ室２４におけるターゲットの配置である。そして、図
５に示す連続チャンバーにおける上記各スパッタ室のタ
ーゲットを適宜選択することにより、図２及び図４に示
す磁気記録媒体を一つの連続チャンバーにより製造する
ことができる。

【００５３】上記各スパッタ室におけるターゲットの配
置について説明すると、第１チャンバー室１６において
は、カーボン基板の搬送方向上流から順に、板状のＴｉ
ターゲット１６ａ，１６ａ、Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉター
ゲット１６ｂ，１６ｂ、及びカーボンターゲット１６
ｃ，１６ｃがそれぞれ一対ずつ立設されている。また、
第２チャンバー室２０においては、カーボン基板の搬送
方向上流から順に、板状のＴｉターゲット２０ａ，２０
ａ、Ｃｒターゲット２０ｂ，２０ｂ、及びＣｏＣｒＰｔ
Ｂターゲット２０ｃ，２０ｃがそれぞれ一対ずつ立設さ
れている。また、第３チャンバー室２４においては、カ
ーボン基板の搬送方向上流から順に、板以上のカーボン
ターゲット２４ａ，２４ａ、Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉター
ゲット２４ｂ，２４ｂ、及びカーボンターゲット２４
ｃ，２４ｃがそれぞれ一対ずつ立設されている。

【００５４】そして、図５に示す連続チャンバーを用い
て図２に示す磁気記録媒体を製造する場合には、上記第
１チャンバー室１６におけるターゲットとして、上記Ｔ
ｉターゲット１６ａ，１６ａ、上記Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓ
ｉターゲット１６ｂ，１６ｂ、及び上記カーボンターゲ
ット１６ｃ，１６ｃを選択し、上記第２チャンバー室２
０におけるターゲットとして、上記Ｔｉターゲット２０
ａ，２０ａ、上記Ｃｒターゲット２０ｂ，２０ｂ、及び
上記ＣｏＣｒＰｔＢターゲット２０ｃ，２０ｃを選択
し、そして上記第３チャンバー室２４におけるターゲッ
トとして、上記カーボンターゲット２４ａ，２４ａを選
択し、スパッタリングを行う。

【００５５】一方、図５に示す連続チャンバーを用いて
図４に示す磁気記録媒体を製造する場合には、上記第１
チャンバー室におけるターゲットとして、上記Ｔｉター
ゲット１６ａ，１６ａを選択し、上記第２チャンバー室
２０におけるターゲットとして、上記Ｃｒターゲット２
０ｂ，２０ｂ、及び上記ＣｏＣｒＰｔＢターゲット２０
ｃ，２０ｃを選択し、そして上記第３チャンバー室２４
におけるターゲットとして、上記Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ
ターゲット２４ｂ，２４ｂ、及び上記カーボンターゲッ
ト２４ｃ，２４ｃを選択し、スパッタリングを行う。

【００５６】以上、本発明の磁気記録媒体の製造方法を
その好ましい実施形態に基づいて説明したが、本発明は
上記実施形態に制限されるものではなく、種々の変更形
態が可能である。例えば、上記非磁性基板の洗浄工程、
並びに上記磁性層、保護層及び潤滑剤層それぞれの形成
工程は、上記実施形態に制限されるものではなく、周囲
と接触すること無く連続チャンバー内で連続的に行い得
る工程でれば如何なる工程をも用いることができる。

【００５７】

【実施例】次に、実施例により、本発明の磁気記録媒体
の製造方法を更に詳細に説明する。

【００５８】〔実施例１〜３及び比較例１〜２〕図３に
示す連続チャンバーを用い、表１に示す製造条件にて磁
気ディスクを製造した。但し、比較例１〜２において
は、酸化バーニッシュ室２６及びＣＶＤ室２８は用いな
かった。なお、用いたカーボン基板は、密度１．５ｇ／
ｃｍ³のガラス状カーボン製のディスク（サイズ１．８
インチ、厚さ２５ミル）を研磨し、中心線平均粗さＲａ
を０．８ｎｍにしたものである。実施例及び比較例とも
に、カーボン基板が第１スパッタ室１６に搬送される前
に、洗浄室１２において下記の方法により該カーボン基
板を洗浄した。また、表１における酸化バーニッシュ、
テープバーニッシュ、気相重合ＣＶＤ、及び表面重合Ｃ
ＶＤは、下記の方法により行った。

【００５９】＜カーボン基板の洗浄＞低圧水銀ランプを
用い、オゾンガス２０％存在下でカーボン基板の両面に
紫外線を５分間照射した。＜酸化バーニッシュ＞赤外線ランプを用い、弱真空下、
加熱温度５５０℃、酸化時間３分間で行った。＜テ
ープバーニッシュ＞回転するカーボン基板（保護層まで
が形成されている）に、ゴムロールで研磨テープを押し
つけることにより行なった。その条件は以下の通りであ
る。研磨テープ：ＷＡ＃１００００相対速度：１００ｍ／秒時間：１秒ロール硬度：２５ショア硬度ロール押し付け圧：０．８ｋｇｆ＜気相重合ＣＶＤ＞ＣＶＤ室２６内を５×１０^-2Ｔｏｒ
ｒに排気した後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロ
プロペンと分圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを導入し、Ａｒ
Ｆエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）からのレーザ光
（パワー１５０ｍＪ、繰り返し速度２Ｈｚ）を１２．５
分間かけて１５００パルス照射し、第１の重合工程を１
度行った後、水蒸気を導入し、更にＣＶＤ室２６を５×
１０^-2Ｔｏｒｒに排気した後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘ
キサフルオロプロペンと分圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを
導入し、上記レーザを１２．５分間かけて１５００パル
ス照射し、第２の重合工程を１度行った。＜表面重合ＣＶＤ＞ＣＶＤ室２６を真空排気した後、ヘ
キサフルオロプロペンと酸素との混合ガス（１：１）を
１００Ｔｏｒｒ導入し、上記基板を−２０℃に冷却して
から、該基板に向けてＡｒＦエキシマレーザ（波長１９
３ｎｍ）からのレーザ光（パワー１５０ｍＪ、繰り返し
速度２Ｈｚ）１５００パルスを照射し、その後、チャン
バを真空に引きながら、上記基板を室温にもどし、副生
成物である低分子量のフッ化炭素化合物を上記基板から
除去した。

【００６０】このようにして得られた磁気ディスクにつ
いて、下記の方法にて外観特性、ＧＨＴ特性、エラー特
性、ＣＳＳ特性、及び総合収率を測定・評価した。その
結果を表１に示す。

【００６１】＜外観特性＞明るい照明下で目視観察を行
い、スクラッチ傷等をチェックし、実用上問題ない程度
の外観を有するものを合格とし、下記の基準で評価し
た。Ｓ：合格率が８０％以上〜１００％Ａ：合格率が５０％以上〜８０％未満Ｂ：合格率が３０％以上〜５０％未満Ｃ：合格率が３０％未満

【００６２】＜ＧＨＴ特性＞Ｐｒｏｑｕｉｐ社製ＭＧ１
５０Ｔを用い、５０％スライダヘッドを用いて行った。
１．３μインチの浮上高さの通過率により、下記の基準
で評価した。Ｓ：通過率が９０％以上Ａ：通過率が７０％以上〜９０％未満Ｂ：通過率が５０％以上〜７０％未満Ｃ：通過率が３０％以上〜５０％未満Ｄ：通過率が３０％未満

【００６３】＜エラー特性＞Ｐｒｏｑｕｉｐ社製ＭＧ１
５０Ｔ装置用い、７０％スライダヘッドを使用し、記録
密度５１ＫＦＣＩの条件で評価した。スライスレベルは
７０％とし、１６ビット未満のミッシングエラーの個数
をカウントし、以下のように評価した。Ｓ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が０〜５個
である。Ａ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が６〜１５
個である。Ｂ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が１６〜４
５個である。Ｃ：評価ディスクの５０％以上がエラー個数が４６個以
上である。

【００６４】＜ＣＳＳ特性＞ヤマハ社製の薄膜ヘッド
（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣスライダ）を用い、ヘッド加重
３．５ｇ、ヘッド浮上量２．８μインチ、回転数４５０
０ｒｐｍで５秒間駆動、５秒間停止のサイクルを繰り返
して行い、静摩擦係数が０．６を超えたときの回数が１
０万回以上のものをＳ、５〜１０万回のものをＡ、１〜
５万回のものをＢ、１万回未満のものをＣで表示し
た。

【００６５】＜総合収率＞外観特性、ＧＨＴ特性、エラ
ー特性（Ｂまでを合格とする）及びＣＳＳ特性（２５枚
カセットケースからそれぞれ２枚ずつ計４枚を取り出し
て測定し４枚の中の最低値でもって評価した。Ａ評価を
１００％、Ｂ評価を６０％、Ｃ評価を５０％、Ｄ評価を
１０％と計算した。）の４特性の収率を掛け合わせて、
以下のように評価した。Ｓ：７０％以上Ａ：５０〜７０％Ｂ：３０〜５０％Ｃ：３０％未満

【００６６】

【表１】

【００６７】表１に示す結果から明らかなように、本発
明の方法（実施例１〜３）により製造された磁気ディス
クでは、連続チャンバーが周囲と接触することが無いの
で、各特性に優れると共に、総合収率にも優れたものと
なる。これに対して、酸化バーニッシュ工程及び潤滑剤
層の形成工程を不連続で行う比較例１〜２の方法により
製造された磁気ディスクでは、周囲からの不純物等の混
入が原因と考えられる特性の低下が観察されると共に、
総合収率も高いものとはならない。

【００６８】

【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の磁気記録
媒体の製造方法によれば、基板の洗浄工程から潤滑剤層
の形成工程までを連続チャンバー内で一貫して行うこと
により、周囲から不純物が混入することなく磁気記録媒
体を製造することができ、ＣＳＳ特性やエラー特性に優
れた磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法の第１実施形
態において好ましく用いられる連続チャンバー示す概略
平面図である。

【図２】図１に示す連続チャンバーによって製造された
磁気記録媒体の構成を示す概略図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の製造方法の第２実施形
態において好ましく用いられる連続チャンバー示す概略
平面図である。

【図４】図３に示す連続チャンバーによって製造された
磁気記録媒体の構成を示す概略図である。

【図５】本発明の磁気記録媒体の製造方法の第３実施形
態において好ましく用いられる連続チャンバー示す概略
平面図である。

【符号の説明】

１０連続チャンバー１２洗浄室１４加熱室１６第１スパッタ室１８第１隔離室２０第２スパッタ室２２第２隔離室２４第３スパッタ室２６酸化バーニッシュ室２８ＣＶＤ室３０搬送室３２取出室１００磁気記録媒体１０２非磁性基板１０４Ｔｉ層１０６テクスチャ層１０８アモルファスカーボン層１１０第１下地層１１２第２下地層１１４磁性層１１６保護層１１８潤滑剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護
層及び潤滑剤層が順次積層されてなる磁気記録媒体の製
造方法において、上記非磁性基板の洗浄工程、並びに上
記磁性層、保護層及び潤滑剤層それぞれの形成工程を順
次連続的に連続チャンバー内で行うことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
【請求項２】上記潤滑剤層の形成が気相重合で行われ
る、請求項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】上記潤滑剤層が、上記保護層上に固着さ
れた固定層と該固定層上に形成されたフリー層とからな
る、請求項１又は２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】上記非磁性基板がカーボン基板である、
請求項１〜３の何れかに記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項５】上記非磁性基板の洗浄が活性エネルギー
線照射により行われる、請求項１〜４の何れかに記載の
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】上記保護層の形成後、該保護層を酸化バ
ーニッシュする工程を更に含む、請求項１〜５の何れか
に記載の磁気記録媒体の製造方法。