JPH08255341A

JPH08255341A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH08255341A
Application number: JP5947295A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Nakamura; 雅幸中村; Atsushi Suzuki; 敦鈴木
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1995-03-17
Filing date: 1995-03-17
Publication date: 1996-10-01

Abstract

(57)【要約】【目的】磁気記録媒体にとって過酷な環境下である高
温低湿下放置しても潤滑剤層の厚さの減少及びＣＳＳ耐
久性の低下が抑えられた磁気記録媒体を製造する方法の
提供。【構成】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、気相重
合により潤滑剤層を磁性層上に形成した磁気記録媒体
を、３０〜１００℃、５０〜９８％ＲＨに１時間以上放
置することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体の製造方
法に関するものであり、更に詳しくは、磁気記録媒体に
とって過酷な環境下である高温低湿下に放置しても潤滑
剤層の厚さの減少及びＣＳＳ耐久性の低下が抑えられた
磁気記録媒体を製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスクや磁気テープ等の磁気記録
媒体は、一般に、支持体上に磁性層を設け、該磁性層上
に又は該磁性層上に設けられた保護層上に潤滑剤層を設
けてなる。該潤滑剤層は、磁気記録媒体の表面摩擦係数
を低減し、耐久性を高める作用を有する。該潤滑剤層
は、一般に、パープルオロポリエーテル等のフッ素系炭
化水素潤滑剤をディップコーティング等の塗布手段によ
り塗布することによって形成される。

【０００３】近年の記録密度の増大に伴い、グライドハ
イト（ＧＨＴ）特性を満足しつつ、耐久性が一層向上し
た磁気記録媒体が要求されており、かかる要求を満足す
べく、上記塗布法による潤滑剤層に代えて、気相重合に
より形成された種々の潤滑剤層を使用することが提案さ
れている。例えば、特開平４−１８６５２４号公報に
は、潤滑剤層として、レーザー光を用いた気相重合法に
より形成されたフッ素系重合体から成る潤滑剤層を用い
ることによって、耐久性が向上した磁気記録媒体が記載
されている。

【０００４】また、特開平６−３２２０１１号公報に
は、フッ素置換オレフィンガスにレーザー光を照射する
ことによって、潤滑剤層として有用なフッ素含有高分子
薄膜を製造する方法が記載されている。

【０００５】しかしながら、上述の気相重合により形成
された潤滑剤層は、磁気記録媒体にとって過酷な環境下
である高温低湿下（例えば、４０〜６０℃、５０％ＲＨ
以下）に２４時間以上放置すると、その厚さの減少が見
られ、ＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）耐久
性が急速に低下してしまうという問題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、磁気記録媒体にとって過酷な環境下である高温低湿
下に放置しても潤滑剤層の厚さの減少及びＣＳＳ耐久性
の低下が抑えられた磁気記録媒体を製造する方法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、潤滑剤層の形成後に、
該潤滑剤層を特定条件下にエージングさせることによっ
て、高温低湿下においても潤滑剤層の厚さの減少を抑制
し得ることを知見した。

【０００８】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
であり、気相重合により潤滑剤層を磁性層上に形成した
磁気記録媒体を、３０〜１００℃、５０〜９８％ＲＨ下
に１時間以上放置することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法を提供することにより、上記目的を達成したも
のである。

【０００９】本発明の方法によって製造された磁気記録
媒体の潤滑剤層が、高温低湿下に放置されてもその厚さ
の減少が抑制される理由については必ずしも明らかでは
ないが、該潤滑剤層を３０〜１００℃、５０〜９８％Ｒ
Ｈ下に１時間以上放置することによって、該潤滑剤層を
構成する分子と磁性層表面（磁性層上に保護層が設けら
れているときには該保護層表面）との結合が強固になっ
たことに起因すると考えられる。また、上記潤滑剤層を
構成する分子の構造が変化したことに起因するとも考え
られる。

【００１０】本発明の方法によって製造された磁気記録
媒体は、例えば、磁気ドラムや磁気テープとして有用で
あるが、特に固定ディスク等の磁気ディスクとして有用
である。

【００１１】本発明の磁気記録媒体の製造方法において
は、まず、気相重合により潤滑剤層を磁性層上に形成し
た磁気記録媒体を製造する。次いで、該磁気記録媒体
を、３０〜１００℃、５０〜９８％ＲＨ下に１時間以上
放置するエージング工程を行う。これによって、磁気記
録媒体にとって過酷な環境下である高温低湿下において
も上記潤滑剤層の厚さの減少を抑制することができる。
温度が３０℃に満たないとエージングを行わないものと
同等の性能しか得られず、１００℃を超えると潤滑剤層
の飛散による減少がエージング中に起こる。また、相対
湿度が５０％に満たないとエージングを行わないものと
同等の性能しか得られず、９８％を超えると磁気記録媒
体の表面に水分が結露して性能が悪化する。また、放置
する時間が１時間に満たないとエージングによる効果が
ない。

【００１２】上記潤滑剤層を形成した後、上記エージン
グするまでの放置時間は、特に制約されないが、早い時
期、例えば、上記潤滑剤層を形成した後１週間以内にエ
ージングを行うことが好ましい。

【００１３】上記エージングの雰囲気に特に制限はな
い。一般には、空気中においてエージングを行うことが
簡便である。好ましくは窒素やヘリウム等の不活性ガス
雰囲気下でエージングを行う。

【００１４】上記エージングは好ましくは、４０〜７０
℃、６０〜８０％ＲＨ下に３〜１２時間行い、更に好ま
しくは、不活性ガス雰囲気下で４０〜７０℃、６０〜８
０％ＲＨ下に３〜１２時間行う。

【００１５】上記エージングを行うに際しては、周囲温
度及び湿度から目標とする温度及び湿度まで徐々に温度
及び湿度を上げていき、目標とする温度及び湿度に到達
した時点で所定の時間放置する。所定時間放置後、温度
及び湿度を徐々に下げていき周囲温度及び湿度にまで戻
すことが好ましい。この場合、温度の上昇と湿度の上昇
とは連動していてもよく、又は連動していなくてもよ
い。例えば、温度のみを先に目標とする値に到達せしめ
た後に、湿度を目標とする値に到達せしめてもよい。ま
た、同様に、温度の降下と湿度の降下とは連動していて
もよく、又は連動していなくてもよい。

【００１６】なお、上記エージングは、１回のみ行って
もよく、また必要に応じて複数回行ってもよい。

【００１７】上述の通り、上記潤滑剤層は、気相重合に
より形成されたものである。上記気相重合により形成さ
れた潤滑剤層としては、例えば、特開平４−１８６５２
４号公報に記載されているような、ヘキサフルオロプレ
ピレンや２，３−パーフルオロブテン等を光酸化重合し
たりプラズマ重合して形成された潤滑剤層を挙げること
ができる。また、上記気相重合により形成された潤滑剤
層の別の例としては、特開平６−２２０１８５号公報に
記載されているような、パーフルオロエチレンやパーフ
ルオロプロピレンのようなフッ素置換オレフィンガスに
レーザー光を照射することにより形成されたフッ素含有
高分子薄膜から成る潤滑剤層を挙げることができる。

【００１８】特に好ましい潤滑剤層は、フッ化炭素系化
合物と酸素とを重合させて潤滑剤層を形成する第１の重
合工程と、水蒸気を導入した後、真空条件下で気相重合
を行い、フッ化炭素系化合物と酸素とを重合させて潤滑
剤層を形成する第２の重合工程とを、順次行うことから
成る気相重合により形成されたものである（以下、第１
の気相重合法という）。

【００１９】上記の第１及び第２の重合工程において行
われる気相重合について以下に説明する。上記気相重合
とは、フッ化炭素系化合物と上記酸素とを気相にガス状
態で保持した系で重合を行い、重合反応を気相のみで生
ぜしめる重合方法を意味する。重合に際して採用するこ
とができる手法としては、例えば、プラズマ重合や光Ｃ
ＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジション）等のＣＶＤ
を採用することができるが、本発明においては、装置・
設備が簡単なもので済む点から光ＣＶＤが好ましく採用
される。

【００２０】上記光ＣＶＤにより重合を行う場合には、
レーザ光を被析出物表面には直接照射せず、フッ化炭素
系化合物と酸素との混合ガス中にのみ照射して行うこと
が好ましい。

【００２１】上記光ＣＶＤの際に用いることができる光
源としては、例えば紫外線及び赤外線が挙げられる。こ
こで、赤外線を光源とする赤外レーザによる反応は、基
本的に振動励起による反応であるから、本質的に熱反応
と同じであり、サイドリアクションが生じて目的物以外
の生成物が生成し、形成する上記潤滑剤層の構造制御が
困難となる場合がある。これに対して、紫外線を光源と
する紫外レーザは、電子励起により重合反応を起こすも
のであり、反応の選択性が良く、更には、熱反応の関与
が極めて低いため、サイドリアクションの生じるおそれ
が低い。従って、上記光ＣＶＤの際に用いる光源として
は、紫外線を用いることが好ましく、具体的には、例え
ば１９３ｎｍのエキシマレーザ光等を好ましく用いるこ
とができる。

【００２２】また、上記気相重合を行う際における被析
出物（即ち、潤滑剤層が設けられるべき磁気記録媒体）
の温度は１０〜９０℃に設定されていることが好まし
く、更には１５〜５０℃であることが好ましい。上記範
囲外であると上記潤滑剤層が形成されない場合があるの
で、上記範囲内とすることが好ましい。

【００２３】次に、上記の第１及び第２の重合工程につ
いて、図１を参照して更に具体的に説明する。ここで図
１は、上記潤滑剤層の形成に好ましく用いられる光反応
用のチャンバーを示す模式図である。

【００２４】図１に示す光反応用のチャンバー１は、そ
の上方の左右両側面に設けられたレーザ光を透過するレ
ーザ透過窓２と、下部に設けられた磁気記録媒体として
の磁気ディスク３を一定間隔をおいて立設させることが
できる媒体設置部材４と、上記チャンバー１の上部に設
けられたチャンバー内部の減圧及び大気解放を行うため
のバルブ５とを有する。

【００２５】そして、上記の第１の重合工程に際して
は、先ず、上記バルブ５を真空ポンプ（図示せず）に接
続して、一旦、チャンバー１内を減圧して真空（例え
ば、１×１０^{- 5}〜１Ｔｏｒｒ）にした後、フッ化炭素
系化合物及び酸素を導入して後述する真空条件とする。
次に、エキシマレーザ光等を磁気ディスク３上部とチャ
ンバー天井との間の中央を透過し且つ該磁気ディスク３
には当たらないように、図１に示す矢印方向に照射す
る。ここで、上記真空条件とは、真空状態のチャンバー
１内にフッ化炭素系化合物と酸素とを導入した状態を意
味し、この状態におけるチャンバー１内の圧力は、５〜
２００Ｔｏｒｒとすることが好ましい。また、上記チャ
ンバー１においては、上記潤滑剤層が、磁気ディスク３
の全面にわたって均一に形成されるようにするために、
上記媒体設置部材４は、各磁気ディスク３をその円周方
向に向けて回転させることができるようになされてい
る。

【００２６】なお、上記の第１の重合工程は、１回のみ
行ってもよく、又は数回繰り返されてもよい。

【００２７】次いで、上記の第２の重合工程に際して
は、上記の第１の重合工程の終了後、上記バルブ５を大
気開放して、該第１の重合工程における上記真空条件を
大気圧条件に戻して、チャンバー１内に水蒸気を導入し
た後、上記の第１の重合工程と同様に、減圧して真空に
した後、フッ化炭素系化合物及び酸素を導入して上記真
空条件とし、エキシマレーザー光等を照射する。ここ
で、第２の重合工程における「真空条件」も、上記の第
１の重合工程における「真空条件」と同じである。

【００２８】また、本発明において、上記の水蒸気の導
入は、上述の如く、上記チャンバー１を大気圧条件とす
ることにより大気を導入して行うことが好ましい。この
際導入される大気の相対湿度は、３０〜９０％であるこ
とが好ましく、４０〜８０％であることが更に好まし
い。

【００２９】なお、上記の第２の重合工程も、数回繰り
返されてもよい。更に、上記の第２の重合工程の後に、
再度上記の第１の重合工程を行うこともできる。

【００３０】上記フッ化炭素系化合物としては、炭素−
炭素二重結合を有するものが好ましく、特に好ましく
は、下記一般式（Ｉ）〜(III) で表される化合物から成
る群から選択される。ＣＦ₂＝ＣＦＲ_f ¹・・・・（Ｉ）（式中、Ｒ_f ¹は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基又は部分フッ素化アリール基を示す）ＣＦ₂＝Ｃ（Ｒ_f ²)（Ｒ_f ³)・・・・（II）（式中、Ｒ_f ²及びＲ_f ³は、同一の又は異なる水素原
子、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、パーフルオ
ロアルケニル基、部分フッ素化アルキル基、部分フッ素
化アルケニル基、パーフルオロアリール基又は部分フッ
素化アリール基を示す）ＣＦ₂＝ＣＦＯ（Ｒ_f ⁴)・・・・（III) （式中、Ｒ_f ⁴は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基、部分フッ素化アリール基又はパーフルオロアルコキ
シアルキル基を示す）

【００３１】上記フッ化炭素系化合物は、それぞれ単独
で用いてもよく又は２種以上を混合して用いてもよい。
２種以上用いる場合には、上記一般式（Ｉ）〜(III) の
何れか一つの範疇から２種以上を選択して用いてもよく
又は上記一般式（Ｉ）〜(III) のうちの少なくとも２つ
の範疇からそれぞれ１種以上を選択して用いてもよい。

【００３２】上記一般式（Ｉ）において、好ましいパー
フルオロアルキル基としては、パーフルオロメチル基
（ＣＦ₃−）、パーフルオロヘプチル基（Ｃ₅Ｆ₁₁−）
及びパーフルオロヘキシル基（Ｃ₆Ｆ₁₃−）が挙げら
れ；好ましいパーフルオロアルケニル基としては、パー
フルオロエチニル基（ＣＦ₂＝ＣＦ−）が挙げられ；好
ましい部分フッ素化アルキル基としては、１Ｈ−パーフ
ルオロブチル基（Ｃ₄Ｆ₈Ｈ−）が挙げられ；好ましい
部分フッ素化アルケニル基としては、−ＣＦ₂−ＣＦ＝
ＣＨ₂が挙げられ；好ましいパーフルオロアリール基と
しては、パーフルオロベンジル基（−ＣＦ₂−Ｃ₆Ｆ₅)
が挙げられ；そして、好ましい部分フッ素化アリール基
としては、−ＣＦＨ−Ｃ₆Ｆ₅及び−ＣＦ₂−Ｃ₆Ｈ₅
が挙げられる。

【００３３】従って、一般式（Ｉ）で表される化合物の
うち、好ましいものとしては、テトラフルオロエチレン
（ＣＦ₂＝ＣＦ₂)、ヘキサフルオロプロペン（ＣＦ₂＝
ＣＦＣＦ₃)、パーフルオロヘプテン−１（ＣＦ₂＝ＣＦ
Ｃ₅Ｆ₁₁）、６Ｈ−パーフルオロヘキセン−１（ＣＦ₂
＝ＣＦＣ₄Ｆ₈Ｈ）、パーフルオロオクテン−１（ＣＦ
₂＝ＣＦＣ₆Ｆ₁₃）、ヘキサフルオロ−１，３−ブタジ
エン（ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ＝ＣＦ₂)、３−（ペンタフルオ
ロフェニル）ペンタフルオロプロペン−１（ＣＦ₂＝Ｃ
ＦＣＦ₂Ｃ₆Ｆ₅)、ＣＦ₂＝ＣＦＣＨＦ−Ｃ₆Ｆ₅、Ｃ
Ｆ₂＝ＣＦＣＦ ₂−Ｃ₆Ｈ₅、ＣＦ₂＝ＣＦＣＦ₂ＣＦ
＝ＣＨ₂等が挙げられる。

【００３４】上記一般式（II）において、好ましいパー
フルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｉ）におけ
るものの他にＣＦ₃ＣＦ₂−が挙げられ；好ましいパー
フルオロアルケニル基としては、上記一般式（Ｉ）にお
けるものの他に−ＣＦ₂−ＣＦ＝ＣＦ₂が挙げられ；好
ましい部分フッ化アルキル基としては−ＣＦ₂Ｈ及び−
ＣＦ₂ＣＦ₂Ｈが挙げられ；好ましい部分フッ化アルケ
ニル基としては、上記一般式（Ｉ）におけるものの他に
−ＣＦ＝ＣＨ₂が挙げられ；そして、好ましいパーフル
オロアリール基及び部分フッ素化アリール基としては、
上記一般式（Ｉ）におけるものと同様のものが挙げられ
る。

【００３５】従って、一般式（II）で表される化合物の
うち、好ましいものとしては、ＣＦ ₂＝Ｃ（ＣＦ₃)₂、
ＣＦ₂＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＨＦ、ＣＦ₂＝ＣＨＣ
Ｆ₃、ＣＦ₂＝ＣＨＣＦ₂ＣＦ₃、ＣＦ₂＝ＣＨＣＦ＝
ＣＦ₂、ＣＦ₂＝ＣＨＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝Ｃ
ＨＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂＝ＣＨＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂＝Ｃ
ＨＣＦ₂ＣＦ＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＨＣＦ＝ＣＨ₂、Ｃ
Ｆ₂＝ＣＨＣＦＨ−Ｃ₆Ｆ ₅、ＣＦ₂＝ＣＨＣＦ₂−Ｃ
₆Ｈ₅等が挙げられる。

【００３６】上記一般式（III)において、好ましいパー
フルオロアルキル基及びパーフルオロアルケニル基とし
ては、上記一般式（II）におけるものと同様のものが挙
げられ；好ましい部分フッ素化アルキル基としては、−
ＣＦ₂Ｈ、−ＣＦ₂ＣＦ₂Ｈ及び−Ｃ₄Ｆ₈Ｈが挙げら
れ；好ましい部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロ
アリール基及び部分フッ素化アリール基としては、上記
一般式（II）におけるものと同様のものが挙げられ；そ
して、好ましいパーフルオロアルコキシアルキル基とし
ては、−ＣＦ₂ＣＦ（ＣＦ₃)ＯＣ₃Ｈ₇が挙げられる。

【００３７】従って、一般式（III)で表される化合物の
うち、好ましいものとしては、ＣＦ ₂＝ＣＦＯＣＦ₃、
ＣＦ₂＝ＣＦＯＣ₅Ｆ₁₁、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣ₆Ｆ₁₃、Ｃ
Ｆ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ₃、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ＝ＣＦ
₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ＝ＣＦ₂、ＣＦ₂＝Ｃ₄
Ｆ₈Ｈ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ
₂ＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂−ＣＦ＝ＣＨ₂、Ｃ
Ｆ₂＝ＣＦＯＣＦ＝ＣＨ₂、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂−Ｃ
₆Ｆ₅、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦＨ−Ｃ₆Ｈ₅、ＣＦ₂＝Ｃ
ＦＯＣＦ₂−Ｃ₆Ｈ₅、ＣＦ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ＣＦ（Ｃ
Ｆ₃)ＯＣ₃Ｈ₇等が挙げられる。

【００３８】上記フッ化炭素系化合物と酸素との使用割
合は、上記フッ化炭素系化合物／酸素（モル比）が、好
ましくは１／０．５〜１／１００であり、更に好ましく
は１／１〜１／１０であり、最も好ましくは１／２〜１
／８である。上記使用割合が１／１００より低いと、上
記気相重合におけるレーザー光等の吸収効率が低下して
重合が十分に進行しない場合があり、上記使用割合が１
／０．５より高いと、重合体中のエーテル結合量が低下
して得られる潤滑剤層の耐久特性が低下する場合がある
ので、上記範囲内とするのが好ましい。

【００３９】上記フッ化炭素系化合物と酸素との気相重
合により得られた重合体は、主として−（ＣＦ₂Ｏ）−
の構造単位を有する重合体であり、その分子量は、好ま
しくは５００〜３００００である。

【００４０】上記重合体の構造は必ずしも明確ではない
が、例えば、下記構造式で示される重合体等が推定され
る。Ｘ-(ＣＦ₂Ｏ) _l-(ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ) _m-(ＣＦ(
ＣＦ₃)ＣＦＯ) _nＸ' 〔ここで、ｌ、ｍ及びｎは、正の整数を示し（但し、
ｌ》ｍ、ｌ》ｎ）、Ｘ及びＸ’は、同一の又は異なるア
ルコール、エーテル結合、エステル結合又はウレタン結
合等を含む末端部を示す。〕上記重合体における上記−（ＣＦ₂Ｏ）−の構造単位の
含有率は、全構造単位中７０％以上であることが好まし
く、例えば、上記構造式で表される重合体においては
〔ｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）〕×１００が７０％以上であるこ
とが好ましい。

【００４１】なお、上記第１及び第２の重合工程におい
て使用される上記フッ化炭素系化合物は、同一でもよく
又は異なっていてもよい。特に、上記第１の重合工程に
おいて使用される上記フッ化炭素系化合物が上記一般式
（Ｉ）で表される化合物である場合には、上記第２の重
合工程において使用される上記フッ化炭素系化合物も上
記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好まし
い。同様に、上記第１の重合工程において使用される上
記フッ化炭素系化合物が上記一般式（II）又は（III)で
表される化合物である場合には、上記第２の重合工程に
おいて使用される上記フッ化炭素系化合物もそれぞれ上
記一般式（II）又は（III)で表される化合物であること
が好ましい。最も好ましくは、上記第１及び第２の重合
工程において使用される上記フッ化炭素系化合物は同じ
ものである。

【００４２】上記第１の重合工程によれば、主として、
磁性層上（磁性層上に保護層が設けられている場合には
該保護層上）に固着された固定層が形成される。また、
上記第２の重合工程によれば、主として、上記固定層上
にフリー層が形成される。従って、上記第１の重合工程
においてもフリー層が形成されることがあり、上記第２
の重合工程においても固定層が形成されることがある。

【００４３】ここで、上記固定層とは、上記保護層に化
学的又は物理的に強固に固着されている層を意味し、例
えば商品名「フロン１１３」等のフッ素系溶媒を用いて
洗浄しても洗い流されない層のことをいう。一方、上記
フリー層とは、上記フッ素系溶媒を用いて洗浄した場合
に洗い流されてしまう層のことをいう。このように、本
発明の製造方法において形成される好ましい潤滑剤層
は、磁性層上（磁性層上に保護層が設けられている場合
には該保護層上）に固着された固定層と該固定層上に形
成されたフリー層とから成る。

【００４４】上記固定層の厚さ（重さ）と上記フリー層
の厚さ（重さ）との比は、フリー層の厚さ（重さ）／固
定層の厚さ（重さ）が好ましくは１／１０〜１０／１、
更に好ましくは２／５〜５／１である。

【００４５】上記固定層の厚さは、５〜３０Åであるこ
とが好ましい。厚さが５Å未満であると、上記潤滑剤層
の耐摩耗性が不十分で耐久性が低下し、厚さ３０Åを超
えると、上記固定層の構造が乱れて上記潤滑剤層の耐摩
耗性が低下するので上記範囲内とすることが好ましい。

【００４６】上記フリー層の厚さは、２〜８０Åである
ことが好ましい。厚さが２Å未満であると、上記潤滑剤
層の耐久性が不十分で、厚さが８０Åを超えると、上記
潤滑剤層の摩擦係数が増大するので上記範囲内とするこ
とが好ましい。

【００４７】このように、本発明の製造方法において形
成される好ましい潤滑剤層では、上記フリー層の厚さを
従来のフリー層の厚さ（８〜２０Å）よりも厚くして
も、磁気記録媒体表面の摩擦係数が高くならない（吸着
しにくい）ものであるため、上記フリー層の厚さは、従
来の磁気記録媒体におけるフリー層の厚さよりも厚くす
ることができる。

【００４８】上記固定層及び上記フリー層からなる上記
潤滑剤層の厚さは、好ましくは５〜２００Åであるが、
１０〜１００Åであると潤滑効果が高く、スペーシング
ロスが抑えられるので特に好ましい。上記潤滑剤層の厚
さを、２０〜８０Å、特に２０〜５０Åとすると上記効
果が顕著となるので一層好ましい。上記厚さが２００Å
を超えるとスペーシングロスが大きくなり、上記厚さが
５Å未満であると潤滑効果が乏しくなるので、上記範囲
内であることが好ましい。

【００４９】本発明においては、上記第１の気相重合法
に加えて、上記潤滑剤層を下記の方法によって形成する
第２の気相重合法を用いることも好ましい。即ち、上記
第２の気相重合法においては、上記潤滑剤層を、１〜１
０Ｔｏｒｒの水の共存下でフッ化炭素系化合物と酸素と
を気相重合させて形成する。

【００５０】上記気相重合の際に反応系に１〜１０Ｔｏ
ｒｒの水が共存することによって、形成される潤滑剤層
の膜厚を大きくすることができ、しかも、膜厚の制御も
容易となり、生産性が一層向上する。水の量が１Ｔｏｒ
ｒに満たないと１回の工程で生成する成膜厚が薄く非効
率的であり、１０Ｔｏｒｒを超えると成膜が過剰になる
と同時に、膜厚の均一性も悪くなるので、上記範囲内と
することが好ましい。。更に好ましい水の量は、２〜６
Ｔｏｒｒである。

【００５１】また、系に導入される上記フッ化炭素系化
合物の圧力は、好ましくは０．５〜５０Ｔｏｒｒであ
り、更に好ましくは１〜２０Ｔｏｒｒである。一方、系
に導入される酸素の圧力は、好ましくは１〜１５０Ｔｏ
ｒｒであり、更に好ましくは３〜７０Ｔｏｒｒである。

【００５２】上記工程は、１回のみ行ってもよく、又は
必要に応じて複数回行ってもよい。特に好ましくは、以
下に述べるように、第１の重合工程及び第２の重合工程
の少なくとも２回の工程を行う。

【００５３】即ち、上記方法において特に好ましくは、
１〜１０Ｔｏｒｒの水の共存下で上記フッ化炭素系化合
物と酸素とを気相重合させて潤滑剤層を形成する第１の
重合工程と、反応系を真空にした後、１〜１０Ｔｏｒｒ
の水の共存下で上記フッ化炭素系化合物と酸素とを気相
重合させて潤滑剤層を形成する第２の重合工程とを順次
行う。かかる工程を行うことによって、固定層とフリー
層とからなる潤滑剤層を形成することが一層容易とな
る。

【００５４】そして、上記の第１の重合工程に際して
は、上記第１の気相重合法と同様に、図１に示す如く、
先ず、上記バルブ５を開放して上記チャンバー１を真空
ポンプ（図示せず）に接続し、一旦、上記チャンバー１
内を減圧（好ましくは１×１０ ^-5〜１Ｔｏｒｒ、特に好
ましくは１×１０^-2〜０．１Ｔｏｒｒ）した後、上記チ
ャンバー１内に１〜１０Ｔｏｒｒ（好ましくは２〜６Ｔ
ｏｒｒ）の水を導入し、更に、上記フッ化炭素系化合物
（好ましくは１〜２０Ｔｏｒｒ）及び酸素（好ましくは
３〜７０Ｔｏｒｒ）を導入して真空条件とする。次に、
エキシマレーザ光等を磁気ディスク支持体３上部とチャ
ンバ天井との間の中央を透過し且つ該磁気ディスク支持
体３には当たらないように、図１に示す矢印方向に照射
する。ここで、上記真空条件とは、好ましくは１×１０
^-5〜１Ｔｏｒｒ（特に好ましくは１×１０^-2〜０．１Ｔ
ｏｒｒ）の反応容器内に、１〜１０Ｔｏｒｒ（好ましく
は２〜６Ｔｏｒｒ）の水並びに上記フッ化炭素系化合物
（好ましくは１〜２０Ｔｏｒｒ）及び酸素（好ましくは
３〜７０Ｔｏｒｒ）を導入した状態を意味し、この状態
における上記チャンバー１内の圧力は、好ましくは５〜
２００Ｔｏｒｒであり、更に好ましくは１０〜１００Ｔ
ｏｒｒである。

【００５５】なお、上記の第１の重合工程は、数回繰り
返されてもよい。

【００５６】次いで、上記の第２の重合工程に際して
は、上記の第１の重合工程の終了後、上記チャンバー１
内を排気して反応系を真空（好ましくは１×１０^-5〜１
Ｔｏｒｒ、特に好ましくは１×１０^-2〜０．１Ｔｏｒ
ｒ）にした後、１〜１０Ｔｏｒｒ（好ましくは２〜６Ｔ
ｏｒｒ）の水を導入し、更に、上記フッ化炭素系化合物
（好ましくは１〜２０Ｔｏｒｒ）及び酸素（好ましくは
３〜７０Ｔｏｒｒ）を導入して真空条件とし、エキシマ
レーザー光等を照射する。ここで、上記の第２の重合工
程における「真空条件」も、上記の第１の重合工程にお
ける「真空条件」と同じである。

【００５７】上記の第２の重合工程も、数回繰り返され
てもよい。更に、上記の第２の重合工程の後に、再度上
記の第１の重合工程を行うこともでき、或いは、第３の
重合工程、第４の重合工程等を行うこともできる。

【００５８】なお、上記第２の気相重合法において、特
に詳述しなかった点については、上記第１の気相重合法
に関して詳述した説明が適宜適用される。

【００５９】本発明においては、上記潤滑剤層は、磁性
層上に直接形成してもよく、或いは、磁性層上に設けら
れた他の層（例えば、上記磁性層を保護するための保護
層）上に形成してもよい。以下に、これら磁性層及び保
護層について説明する。

【００６０】まず、上記磁性層について説明する。上記
磁性層は、公知の磁性材料を用いて公知の方法により形
成することができる。例えば、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、Ｃ
ｏＣｒＸ、ＣｏＮｉＸ及びＣｏＷＸ（ここで、Ｘは、Ｔ
ａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｂ、
Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａ
ｇ、Ｓｂ及びＨｆ等からなる群より選ばれる１種又は２
種以上の金属を示す）等で表されるＣｏを主成分とする
Ｃｏ系の磁性合金等の１種又は２種以上から成る金属薄
膜型の磁性層を用いることができる。該磁性層は、好ま
しくは、フィジカル・ベーパー・デポジション法（ＰＶ
Ｄ）により形成することができる。上記磁性層の厚さは
２０〜５０ｎｍであることが好ましいが、かかる範囲に
は限定されない。

【００６１】次に、上記保護層について説明する。上記
保護層は、公知の材料を用いてＰＶＤやＣＶＤ等の公知
の方法により形成することができる。例えば、特開昭５
３−７６０１３号公報や特公昭５５−２９５００号公報
に記載されているようなポリ珪酸やＳｉＯ₂から成る保
護層及び特開昭６２−９７１２３号公報に記載されてい
るようなＳｉＣから成る保護層を用いることができる。

【００６２】特に好ましい保護層は、特開平６−２５８
４０号公報に記載されているようなガラス状炭素又は水
素化されたガラス状炭素から成る保護層；特開平５−２
１７１５６号公報に記載されているようなガラス状炭素
及びケイ素の複合材料から成る保護層；特開平６−１１
９６３９号公報に記載されているようなガラス状炭素、
ケイ素及び酸素の複合材料から成る保護層；特開平５−
２２５５５５号公報及び特開平５−２２５５５７号公報
に記載されているようなガラス状炭素を含む複数の層か
ら成る保護層；特開平５−２８２６６１号公報、特開平
６−２０３３６７号公報、特開平６−２５１３５８号公
報及び特開平６−２５１３５９号公報に記載されている
ようなガラス状炭素と炭化物形成能を有する元素とから
成る保護層；並びに特開平２−４０１２９号公報に記載
されているような窒化ホウ素から成る保護層等が挙げら
れる。

【００６３】なお、上記磁性層を支持するための支持体
としては、従来公知のものを特に制限なく用いることが
できる。例えば、上記支持体としては、磁性支持体と非
磁性支持体との何れをも用いることができるが、一般的
には非磁性支持体が用いられる。

【００６４】上記非磁性支持体としては、例えば、ガラ
ス状カーボン等のカーボン、強化ガラス、結晶化ガラ
ス、アルミニウム及びアルミニウム合金（例えば、Ｎｉ
Ｐ−Ａｌ等）、チタン及びチタン合金、セラミックス、
樹脂、並びにこれらの複合材料から成る基板が用いられ
る。これらの中でも、ガラス状カーボンから成る基板
は、耐熱性、軽量性等の点において特に優れたものであ
り、本発明において特に好ましく用いることができる。

【００６５】上記支持体には、必要に応じて、各種のテ
クスチャ処理を施してもよい。かかるテクスチャ処理と
しては、例えば、研磨テープや研磨砥粒を用いての処
理、酸によるエッチング処理、熱酸化や陽極酸化処理、
シリケート化合物をスピンコートにより表面析出させる
処理、プラズマアッシングあるいは金属をスパッタリン
グして表面に凹凸を形成するスパッタテクスチャ等によ
る粗面化処理等を挙げることができる。

【００６６】また、上記テクスチャ表面には、必要に応
じてＣｒやＣｒ合金の下地層を設けて、上記支持体と上
記磁性層との密着性を高めることもできる。

【００６７】なお、本発明の方法においては、上記諸工
程の他に、必要に応じて、磁気記録媒体の製造方法とし
て公知の諸工程を特に制限なく行うことができる。

【００６８】

【実施例】以下、実施例により本発明の方法を更に詳細
に説明する。しかしながら、かかる実施例は本発明の範
囲を何ら制限するものではない。

【００６９】〔実施例１〕密度１．５ｇ／ｃｍ³ のガラ
ス状カーボン製のディスク支持体（サイズ１．８イン
チ、厚さ２５ミル）を研磨し、中心線平均粗さＲａを
１．０ｎｍにした。次いで、Ａｒガス圧２ｍＴｏｒｒ、
上記ディスク支持体の温度２２５℃の条件で、ＤＣマグ
ネトロンスパッタリングにより、厚さ４０ｎｍのＡｌ−
１０wt％Ｓｉ合金層を設け、Ｒａが１．８ｎｍのテクス
チャ層を得た。

【００７０】次いで、Ａｌ−Ｓｉ合金のテクスチャー層
上にＡｒガス圧２ｍＴｏｒｒ、ディスク支持体温度２５
０℃の条件で、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより
５ｎｍ厚さのアモルファスカーボンからなる第１の下地
層を設けた。さらにＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒガス雰囲気中で厚さ１００ｎｍのＴｉからなる
第２の下地層と厚さ５０ｎｍのＣｒからなる第３の下地
層を設け、その上に、厚さ４０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ系の
磁性層を設けた。

【００７１】上記ディスク支持体をインライン型スパッ
タ装置のチャンバー内に配置し、該チャンバー内を真空
にした後に、Ａｒ（分圧１．９ｍＴｏｒｒ）及びメタン
（分圧０．１ｍＴｏｒｒ）を導入し、黒鉛をターゲット
としてスパッタリングを行い、上記磁性層上に厚さ１５
ｎｍの水素化カーボン材から成る保護層を設けた。な
お、スパッタリングの間、上記ディスク支持体を１８０
℃に維持した。

【００７２】上記保護層が形成されたディスク支持体
を、ＣＶＤ装置である図１に示す光反応用のチャンバー
１内に所定の間隔を設けて図１に示すように並列配置
し、チャンバー１内を５×１０^-2Ｔｏｒｒに排気した
後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペン（Ｃ
Ｆ₃ＣＦ＝ＣＦ₂)と分圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを導入
し、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）からのレ
ーザ光（パワー１５０ｍＪ、繰り返し速度２Ｈｚ）を１
２．５分間かけて１５００パルス照射し、第１の重合工
程を１度行った。

【００７３】次いで、チャンバー１をリークして湿度６
０％の大気を導入し、大気圧条件にした。この後、再
び、チャンバー１内を５×１０^-2Ｔｏｒｒに排気した
後、分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペンと分
圧が６０Ｔｏｒｒの酸素とを導入し、上記レーザを１
２．５分間かけて１５００パルス照射し、第２の重合工
程を１度行った。その結果、上記保護層上に厚さ２ｎｍ
の潤滑剤層を設けた。なお、上記レーザはディスク支持
体に直接照射されないよう、図１に示す矢印方向に向け
て照射した。また、上記光ＣＶＤに際して、ディスク支
持体の温度は室温（２２℃）とした。その結果、上記保
護層の表面に化学結合により重合体分子が固着されてな
る固定層（厚さ１．７ｎｍ）と、該固定層上に形成され
たフリー層（厚さ５．５ｎｍ）とからなる潤滑剤層（厚
さ７．２ｎｍ）が形成された。

【００７４】次いで、この磁気ディスクを温度及び湿度
が調節可能なチャンバー内に設置し、該チャンバー内を
２５℃から６０℃まで１時間かけて上昇させ且つ５０％
ＲＨから８０％ＲＨまで２時間かけて上昇させた。そし
て、上記チャンバー内をこの条件下（６０℃、８０％Ｒ
Ｈ）に保ち、この状態で上記磁気ディスクを６時間放置
しエージングした。６時間経過後、上記チャンバー内を
周囲温度及び湿度まで徐々に降下させた。このようにし
て、本発明の方法による磁気記録媒体が製造された。

【００７５】上記磁気記録媒体の特性を調べるために、
上記チャンバー内を８０℃、５％ＲＨの高温低湿条件下
に保ち、この状態で上記磁気ディスクを７日間放置し
た。７日間経過後、上記チャンバー内を周囲温度及び湿
度まで徐々に戻し、上記磁気ディスクを取り出し、上記
磁気ディスクにおける潤滑剤層の厚さを測定すると共
に、上記磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性を
以下の手順により測定した。その結果を表１に示す。

【００７６】＜ＧＨＴ特性＞ＰＲＯＱＵＩＰ社製ＭＧ１
５０Ｔを用い、５０％スライダヘッドを用いて行った。
１．２マイクロインチの浮上高さの通過率が９０％以上
のものをＳ、通過率が５０〜９０％のものをＡ、通過率
が３０〜５０％のものをＢ、通過率が３０％以下のもの
をＣで表示した。

【００７７】＜ＣＳＳ耐久性＞Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣスラ
イダヘッド（重量３．５ｇ）を用い、浮上量２．８マイ
クロインチ、磁気ディスクの回転数４５００ｒｐｍで５
秒間駆動、５秒間停止のサイクルを２万回繰り返して行
った後の静摩擦係数を測定した。

【００７８】〔実施例２〕厚さ６．１ｎｍの潤滑剤層
（固定層：１，７ｎｍ、フリー層：４．４ｎｍ）を形成
した以外は、実施例１と同様の操作にて磁気ディスクを
作製した。次いで、かかる磁気ディスクについて実施例
１と同様のエージングを行った。その後、上記磁気ディ
スクを、実施例１と同様の高温低湿条件下に７日間放置
後、実施例１と同様の操作にて、上記磁気ディスクの潤
滑剤層の厚さ並びに上記磁気ディスクのＧＨＴ特性及び
ＣＳＳ耐久性を測定した。その結果を表１に示す。

【００７９】〔実施例３〕厚さ６．５ｎｍの潤滑剤層
（固定層：１．６ｎｍ、フリー層：４．９ｎｍ）を形成
した以外は、実施例１と同様の操作にて磁気ディスクを
作製した。次いで、かかる磁気ディスクについて実施例
１と同様のエージングを行った。その後、上記磁気ディ
スクを、実施例１と同様の高温低湿条件下に７日間放置
後、実施例１と同様の操作にて、上記磁気ディスクの潤
滑剤層の厚さ並びに上記磁気ディスクのＧＨＴ特性及び
ＣＳＳ耐久性を測定した。その結果を表１に示す。

【００８０】〔実施例４〕ガラス状カーボン製のディス
ク支持体に代えて強化ガラス製のディスク支持体を用
い、厚さ７．０ｎｍの潤滑剤層（固定層：１．７ｎｍ、
フリー層：５．３ｎｍ）を形成した以外は、実施例１と
同様の操作にて磁気ディスクを作製した。次いで、かか
る磁気ディスクについて実施例１と同様のエージングを
行った。その後、上記磁気ディスクを、実施例１と同様
の高温低湿条件下に７日間放置後、実施例１と同様の操
作にて、上記磁気ディスクの潤滑剤層の厚さ並びに上記
磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性を測定し
た。その結果を表１に示す。

【００８１】〔実施例５〕ガラス状カーボン製のディス
ク支持体に代えてＮｉＰ−Ａｌ製のディスク支持体を用
い、厚さ６．２ｎｍの潤滑剤層（固定層：１．８ｎｍ、
フリー層：４．４ｎｍ）を形成した以外は、実施例１と
同様の操作にて磁気ディスクを作製した。次いで、かか
る磁気ディスクについて実施例１と同様のエージングを
行った。その後、上記磁気ディスクを、実施例１と同様
の高温低湿条件下に７日間放置後、実施例１と同様の操
作にて、上記磁気ディスクの潤滑剤層の厚さ並びに上記
磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性を測定し
た。その結果を表１に示す。

【００８２】〔比較例１〕実施例１と同様の操作にて磁
気ディスクを作製した。次いで、該磁気ディスクを、実
施例１と同様の高温低湿条件下に７日間放置後、実施例
１と同様の操作にて、該磁気ディスクの潤滑剤層の厚さ
並びに該磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性を
測定した。その結果を表１に示す。なお、本比較例の磁
気ディスクはエージングされていない。

【００８３】〔比較例２〕実施例２と同様の操作にて磁
気ディスクを作製した。次いで、該磁気ディスクを、実
施例２と同様の高温低湿条件下にて７日間放置後、実施
例２と同様の操作にて、該磁気ディスクの潤滑剤層の厚
さ並びに該磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性
を測定した。その結果を表１に示す。なお、本比較例の
磁気ディスクはエージングされていない。

【００８４】〔比較例３〕実施例４と同様の操作にて磁
気ディスクを作製した。次いで、該磁気ディスクを、実
施例４と同様の高温低湿条件下に７日間放置後、実施例
４と同様の操作にて、該磁気ディスクの潤滑剤層の厚さ
並びに該磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性を
測定した。その結果を表１に示す。なお、本比較例の磁
気ディスクはエージングされていない。

【００８５】〔比較例４〕実施例５と同様の操作にて磁
気ディスクを作製した。次いで、該磁気ディスクを、実
施例５と同様の高温低湿条件下に７日間放置後、実施例
５と同様の操作にて、該磁気ディスクの潤滑剤層の厚さ
並びに該磁気ディスクのＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性を
測定した。その結果を表１に示す。なお、本比較例の磁
気ディスクはエージングされていない。

【００８６】

【表１】

【００８７】表１の結果から明らかな通り、本発明の方
法に従うエージングを行った磁気ディスク（実施例１〜
５）においては、磁気記録媒体にとって過酷な環境下で
ある高温低湿条件下（８０℃、５％ＲＨ）に７日間放置
後でも潤滑剤層の厚さは最大でも７％以しか減少せず、
しかもＧＨＴ特性及びＣＳＳ耐久性に優れたものであっ
た。これに対して、上記エージングを行わなかった磁気
ディスク（比較例１〜４）においては、潤滑剤層の厚さ
は最大で３５％も減少し、その結果ＣＳＳ耐久性が極め
て低下した。このように、本発明の製造方法によれば、
潤滑剤層の厚さの減少が抑制され、耐久性に優れた磁気
記録媒体が得られることが分かった。

【００８８】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、磁気記録媒体にとって過酷な環境下である高温低湿
下に放置しても潤滑剤層の厚さの減少及びＣＳＳ耐久性
の低下が抑えられた磁気記録媒体が得られる。更に、上
記潤滑剤層を光ＣＶＤにて形成することによって、潤滑
剤層の厚さの減少及びＣＳＳ耐久性の低下が一層抑えら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法における潤滑
剤層の形成に用いられる反応容器の一例としての光反応
用チャンバーを示す模式図である。

【符号の説明】

１チャンバー２レーザー透過窓３磁気ディスク４媒体設置部材５バルブ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 5/71 Ｇ１１Ｂ 5/71

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】気相重合により潤滑剤層を磁性層上に形
成した磁気記録媒体を、３０〜１００℃、５０〜９８％
ＲＨ下に１時間以上放置することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項２】上記気相重合が、フッ化炭素系化合物と
酸素とを重合させて潤滑剤層を形成する第１の重合工程
と、水蒸気を導入した後、真空条件下で気相重合を行
い、フッ化炭素系化合物と酸素とを重合させて潤滑剤層
を形成する第２の重合工程とを、順次行うことから成
る、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】上記の水蒸気の導入を、上記の第１の重
合工程の終了後、該第１の重合工程における真空条件を
大気圧条件下に戻すことにより行う、請求項２記載の製
造方法。
【請求項４】上記フッ化炭素系化合物が、下記一般式
（Ｉ）〜（III)で表される化合物から成る群から選択さ
れる、請求項２記載の磁気記録媒体。ＣＦ₂＝ＣＦＲ_f ¹・・・・（Ｉ）（式中、Ｒ_f ¹は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基又は部分フッ素化アリール基を示す）ＣＦ₂＝Ｃ（Ｒ_f ²)（Ｒ_f ³)・・・・（II）（式中、Ｒ_f ²及びＲ_f ³は、同一の又は異なる水素原
子、フッ素原子、パーフルオロアルキル基、パーフルオ
ロアルケニル基、部分フッ素化アルキル基、部分フッ素
化アルケニル基、パーフルオロアリール基又は部分フッ
素化アリール基を示す）ＣＦ₂＝ＣＦＯ（Ｒ_f ⁴)・・・・（III) （式中、Ｒ_f ⁴は、フッ素原子、パーフルオロアルキル
基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アルキル
基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリール
基、部分フッ素化アリール基又はパーフルオロアルコキ
シアルキル基を示す）
【請求項５】上記潤滑剤層を４０〜７０℃、６０〜８
０％ＲＨ下に３〜１２時間放置する、請求項１記載の製
造方法。