JPH08279135A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度記録に対応する為、低浮上量を容易に
する表面粗さが極めて小さなディスクであっても、耐久
性に優れ、かつ、環境安定性に優れた磁気記録媒体を提
供することにある。 【構成】 支持体と、磁性層と、潤滑剤層とを少なくと
も有する磁気記録媒体であって、前記潤滑剤層は気相反
応で形成されたものであり、前記支持体は、その表面
が、下記の式で表されるスキューネスＲｓｋの最大値及
び最小値が−１〜４の範囲内にあり、かつ、その平均値
が０〜３の範囲内にある磁気記録媒体。 【数１】 （Ｙｉは中心線から山頂または谷底までの距離（山頂側
が＋の値、谷底側が−の値）、Ｒｑは自乗平均平方根粗
さ、ｎはＹｉのデータ数）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に金属薄膜型の磁気
記録媒体に関する。

【０００２】

【発明の背景】一般に、磁気ディスク等の磁気記録媒体
では、支持体（基板）の上に磁性層がスパッタ等により
形成され、その上にカーボンや金属酸化物などの保護層
を設け、更にパーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤
が塗布されている。磁気記録媒体の耐久性は、潤滑剤層
の組成、厚さ、あるいは潤滑剤層の製法等に大きく左右
される。現在までに、それらに関する多くの技術が提案
されている。例えば、特開昭６０−１０１７１５号公報
のように無機シリコン化合物保護層上にアミノシアン化
合物を塗布、次いでカルボキシル基含有フッ素化カーボ
ン系潤滑剤を塗布し、酸塩基反応を利用して界面に化学
結合させた潤滑剤層を形成する方法、あるいは特開昭６
１−１１３１２６号公報、特開昭６１−２４８２１８号
公報、特開平５−１６６１７３号公報のように極性基を
持つ潤滑剤と極性基を持たない潤滑剤とを表面に塗布
し、潤滑剤層の下層を極性基を持つ潤滑剤で強く表面に
固定し、長期間の耐久性を確保しようとする技術が有
る。又、その他にも、特開昭６２−１１４１２２号公
報、特開平１−１７１１０１号公報、特開平２−７３５
１４号公報、特開平３−２５７２０号公報、特開平３−
２０７０２０号公報、特開平４−１０２２２４号公報、
特開平４−２８６７２０号公報、特開平４−３１１８１
２号公報、特開平６−２０２６２号公報などの技術も有
る。

【０００３】しかし、上記の潤滑剤層はディップコート
法やスピンコート法によって塗布される為、潤滑剤の濃
度変動や保護層の表面状態などが潤滑剤付着量に微妙に
影響し、その厚さの制御、引いては潤滑特性の安定化が
困難であった。更には、潤滑性能が経時的に劣化する問
題もあった。一方、パーフルオロポリエーテル系の潤滑
剤を塗布後にプラズマ処理して潤滑剤を保護層表面に固
定する技術（特開平５−１７４３５４号公報）や、フッ
素系ガスを保護層表面上で表面重合させることによっ
て、潤滑剤分子端を保護層表面に固定する技術（特開平
３−１０４０１５号公報、特開平４−３１１８１２号公
報、特開平６−２２０１８５号公報）が有る。前者の技
術には塗布方式の不安定性が依然として残っている。こ
れに対して、後者の技術は、パーフルオロポリエーテル
の商業的合成法の代表である光酸化重合法を応用し、潤
滑剤分子を保護層表面に固定したものである。すなわ
ち、ヘキサフルオロプロペン等のフッ素系ガスと酸素と
を導入し、かつ、ディスク表面に直接レーザ光を照射
し、ディスク表面上のみで光酸化重合（表面重合）させ
たものである。この表面重合を進行させる為には、ディ
スクを−７０〜−３０℃に冷却し、原料ガスを凝縮させ
る等の特別な操作が必要である。又、重合が表面で起こ
る為に下記の問題が有る。 （１） 保護層表面はミクロ的にはかなり不均一なの
で、表面エネルギの揺らぎ、微細突起・凹部の存在、化
学的活性部位の偏在等が原料ガス吸着・凝縮の揺らぎを
もたらし、重合反応がミクロ的に不均一に進行する。よ
って、ディスク全面にわたって均質・均一膜厚の潤滑剤
層の形成が難しく、安定した耐久性を発現できていな
い。 （２） 強力なレーザ光をディスク表面に照射する為、
照射部の磁性層や保護層の特性が変動や劣化の恐れがあ
る。 （３） 表面重合を行う為、又、レーザ光をディスク表
面に照射する為、枚葉処理となり、量産に適していな
い。 （４） 表面固定を促進する為、保護層表面の酸化、エ
ッチング、光・電磁波照射が必要で、工程が複雑にな
り、コスト高となる。 （５） ディスクを−３０℃以下の極低温に冷却する必
要があり、反応効率を考慮すると、量産性やコストの点
で実用的でない。 （６） 多量のディスクを素早く冷却する為に、大がか
りな設備が必要である。 （７） 極低温から室温に短時間で戻すと、表面の微細
凹凸部に毛管凝縮現象で結露が生じるから、長時間かけ
て戻す必要があるので、生産効率が悪い。

【０００４】加えて、高密度記録化に伴い、磁気ディス
ク回転の高速化や磁気ヘッドの浮上量の低下が図られて
おり、磁気ディスク表面に要求される耐磨耗性、耐久性
は年々高度なレベルが要求されている。又、磁気ヘッド
の浮上量、耐磨耗性や耐久性は磁気ディスクの表面特性
に大きく左右される。この為、表面に微細な凹凸を形成
する為のテクスチャ処理が支持体に施される。特に、記
録密度の向上に伴い、磁気ヘッドの低浮上量化や耐久性
の向上が大きな課題となっている今日では、このテクス
チャ処理技術に益々高度なレベルが要求されている。
尚、低浮上量化実現の為、基板の表面粗さを小さくする
ことが提案されているが、この場合、耐久性、特に静摩
擦係数（μｓ）に改善の余地が有った。

【０００５】このように、耐久性などの特性に支持体の
表面特性と潤滑剤とが密接に関与している。

【０００６】

【発明の開示】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、高密度記録に対応する為、低浮上
量を容易にする表面粗さが極めて小さなディスクであっ
ても、耐久性に優れ、かつ、環境安定性に優れた磁気記
録媒体を提供することにある。本発明者は、この目的達
成の為、鋭意研究を行った処、基板に特定の表面粗さを
持つようテクスチャ処理を行い、その後磁性層及び必要
に応じて保護層を設け、更に気相反応で潤滑層を形成し
た磁気記録媒体が低浮上量で、かつ、耐久性に優れたこ
とを見出した。

【０００７】この本発明の目的は、支持体と、磁性層
と、潤滑剤層とを少なくとも有する磁気記録媒体であっ
て、前記潤滑剤層は気相反応で形成されたものであり、
前記支持体は、その表面が、下記の式〔数３〕で表され
るスキューネスＲｓｋの最大値及び最小値が−１〜４の
範囲内にあり、かつ、その平均値が０〜３の範囲内にあ
ることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【０００８】又、支持体と、磁性層と、潤滑剤層とを少
なくとも有する磁気記録媒体であって、前記潤滑剤層は
気相反応で形成されたものであり、前記支持体は、その
表面のＲａ（Ｒａは中心線平均粗さ）が１〜１００Å、
Ｒｐ／Ｒａ（Ｒｐは中心線高さ）が１〜１５の範囲内に
あることを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。

【０００９】又、支持体と、磁性層と、潤滑剤層とを少
なくとも有する磁気記録媒体であって、前記潤滑剤層は
気相反応で形成されたものであり、前記支持体は、その
表面が、下記の式〔数３〕で表されるスキューネスＲｓ
ｋの最大値及び最小値が−１〜４の範囲内にあり、か
つ、その平均値が０〜３の範囲内にあり、更に表面のＲ
ａ（Ｒａは中心線平均粗さ）が１〜１００Å、Ｒｐ／Ｒ
ａ（Ｒｐは中心線高さ）が１〜１５の範囲内にあること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【００１０】

【数３】

【００１１】（Ｙｉは中心線から山頂または谷底までの
距離（山頂側が＋の値、谷底側が−の値）、Ｒｑは自乗
平均平方根粗さ、ｎはＹｉのデータ数） 尚、本発明の気相反応で形成される潤滑剤は、例えばプ
ラズマ重合で形成される潤滑剤、ＣＶＤを用いた表面重
合で形成される潤滑剤、ＣＶＤを用いた気相重合で形成
される潤滑剤などが挙げられる。中でも好ましい潤滑剤
は気相重合で形成されたものである。例えば、潤滑剤分
子が当該媒体の最表面に固定された固定潤滑剤分子と潤
滑剤分子が当該媒体の最表面には固定されていないフリ
ー潤滑剤分子との混成でなり、この混成潤滑剤層が気相
重合で形成されたものが好ましい。特に、潤滑剤層の厚
さは２〜２００Åが好ましい。又、混成潤滑剤層おける
フリー潤滑剤分子／固定潤滑剤分子が重量比で１／１０
〜１０／１（より好ましくは、２／５〜５／１）の割合
のものが好ましい。

【００１２】本発明の磁気記録媒体は、上記表面特性の
支持体の上に磁性層が設けられた磁気記録媒体の原体を
ＣＶＤ装置に装着し、気相反応（特に、気相重合）を行
わせて表面に潤滑剤層を設けることで得られる。特に、
上記表面特性の支持体上に磁性層が、磁性層の上に保護
層が設けられた磁気記録媒体の原体をＣＶＤ装置に装着
し、フッ化炭素系の重合性化合物と酸素との混合ガスに
紫外レーザを照射する気相重合法（特に、気相重合に際
して前記紫外レーザを前記保護層に直接には照射しない
気相重合法）により潤滑剤を表面に付けることで得られ
る。

【００１３】すなわち、本発明では、気相重合によって
潤滑剤を合成し、これを垂直方向に立てた、あるいは水
平方向に寝かせた磁気記録媒体の表面に析出することに
よって潤滑剤層が形成される。つまり、気相で重合した
フッ素系化合物（潤滑剤組成物）は拡散により表面に到
達して付着し、固定される。これによって潤滑剤層が形
成される。そして、この重合反応は気相中で進行するの
で、ディスク表面の不均一性に左右されず、又、表面凝
縮を促進させる為にディスクを冷却する必要がなく、生
産性にも優れている。

【００１４】尚、この磁気記録媒体の製造方法におい
て、第１の気相重合工程で潤滑剤層を形成した後、その
上に第２の気相重合工程で潤滑剤層を形成する方法、す
なわち第１の気相重合工程で潤滑剤層を形成した後、一
度、チャンバ内に１００Ｔｏｒｒ程度にまで大気を導入
し（あるいは、大気雰囲気に戻し）、その後第２の気相
重合工程で潤滑剤層を形成し、固定潤滑剤分子とフリー
潤滑剤分子との混成からなる混成潤滑剤層を形成するこ
とが好ましい。すなわち、このような複数ステップの気
相重合工程を経ることにより、固定（特に、化学結合に
よって潤滑剤分子が保護層表面に固定）潤滑剤分子とフ
リー潤滑剤分子との混成からなる混成潤滑剤層を効果的
に形成できる。気相重合に際しては、潤滑剤形成要素と
してフッ化炭素系の化合物、特にフッ化炭素系の重合性
化合物と酸素とが用いられる。重合性化合物と酸素との
割合（モル比）は１／０．５〜１／１００が好ましい。
気相重合にはＣＶＤ（特に、光ＣＶＤ）の技術が用いら
れる。このＣＶＤに際して、温度は１０〜９０℃が好ま
しい。尚、第１の気相重合工程で潤滑剤層を形成した後
の気体（例えば、大気）を導入する工程において、導入
する気体の湿度は３０〜９０％のものであることが好ま
しい。

【００１５】尚、潤滑剤層の厚さ、特にフリー潤滑剤分
子からなる潤滑剤層の厚さは、気相重合工程の条件（原
料ガス圧、光照射条件や時間）や気相重合工程の繰り返
し回数によって制御できる。以下、本発明について更に
説明する。本発明のように潤滑剤層を気相反応、特に気
相重合で形成した磁気ディスクは、極性基を持つ潤滑剤
と極性基を持たない潤滑剤とからなる混成潤滑剤層を塗
布により設けた従来の磁気ディスクに比べて、ＣＳＳテ
ストが高いレベルで安定したものであり、格段に優れた
特性を示すことが判明した。本発明による潤滑剤層の分
子構造については完全には判っていない。又、従来の潤
滑剤層との構造差も現時点では解明していないが、潤滑
剤層を気相反応、特に気相重合で形成することが耐久性
の向上には重要であることが判った。

【００１６】本発明のポイントの一つは、気相重合で潤
滑剤層を形成し、保護層に固定されていないフリーな潤
滑剤分子が存在している点にある。例えば、フリーな潤
滑剤分子が存在しなかった場合には、ファインな表面粗
度を与えるテクスチャ表面を持つものでは、ＣＳＳテス
トにおいて摩擦係数が大きくなり、昨今のニーズを満た
さない。すなわち、末端が保護層に固定された固定潤滑
剤分子のみで潤滑剤層を形成した場合には、ＣＳＳテス
トに極めて優秀な成績は得られなかった。実験を繰り返
した結果、フリー潤滑剤分子層を気相重合で形成させる
ことが好ましく、この割合（フリー潤滑剤分子／固定潤
滑剤分子）は重量比で１／１０〜１０／１、望ましくは
２／５〜５／１であった。

【００１７】潤滑剤層は厚すぎるとスペーシングロスが
大きくなり、逆に、薄すぎると潤滑効果が乏しいことか
ら、潤滑剤層の厚さは２〜２００Åが好ましい。潤滑剤
層の厚さの上限値のより好ましい値は１００Å、もっと
好ましい値は約８０Å、更に好ましい値は約５０Åであ
る。潤滑剤層の厚さの下限値のより好ましい値は１０
Å、もっと好ましい値は約２０Åである。

【００１８】潤滑剤層は気相重合で形成される。本発明
において、気相重合とは、反応物質が気相に保たれてい
て、重合反応（特に、高分子量化）が気相のみで起こる
反応を意味する。例えば、プラズマ重合やＣＶＤ（特
に、光ＣＶＤ）によって行われる。光ＣＶＤで行う場
合、レーザ光を被析出物体表面には直接照射せず、原料
ガス中にのみ照射して行う。

【００１９】光ＣＶＤを行う場合、光源には、例えば紫
外線か赤外線が用いられる。これらは、各々の持ってい
る光子エネルギが異なることから、次の相違点がある。
先ず、引き起こされる化学反応が異なる。例えば、炭酸
ガス等の赤外レーザを用いる場合、反応は振動励起で起
きる。この場合、光励起エネルギは炭酸ガスレーザ（波
長１０．６μｍ）で約３ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、化学
結合（炭素−炭素の一重結合、二重結合や三重結合、炭
素−酸素結合）を切るには不充分である。又、基本的に
振動励起による反応であるから、本質的に熱反応と同じ
であり、サイドリアクションが起きる。この為、目的外
のものが出来る恐れが有る。一方、紫外レーザを用いた
場合、電子励起により反応が起きるから、化学結合を一
光子の吸収で切ることが出来、光化学反応が容易に起き
る。かつ、熱反応の関与は極めて低く、サイドリアクシ
ョンの恐れが低い。この為、潤滑剤を得るのに、フッ素
化合物を光分解し、重合させるには、紫外レーザを用い
ることが好ましい。

【００２０】気相重合にはフッ化炭素系の化合物を用い
る。フッ化炭素系化合物としては、Ｃ＝Ｃ（Ｃ−Ｃ二重
結合）を有するものが好ましい。特に、下記一般式
（Ｉ），（ＩＩ），（ＩＩＩ）で表される化合物群の中
から選択されるものが好ましい。 ＣＦ₂ ＝ＣＦＲ_f ¹ （Ｉ） 〔式（Ｉ）中、Ｒ_f ¹ はフッ素原子、パーフルオロアル
キル基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化アル
キル基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロアリ
ール基、又は部分フッ素化アリール基を表す。〕 ＣＦ₂ ＝Ｃ（Ｒ_f ² ）（Ｒ_f ³ ） （ＩＩ） 〔式（ＩＩ）中、Ｒ_f ² ，Ｒ_f ³ は水素原子、フッ素原
子、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルケニル
基、部分フッ素化アルキル基、部分フッ素化アルケニル
基、パーフルオロアリール基、又は部分フッ素化アリー
ル基を表す。

【００２１】Ｒ_f ² とＲ_f ³ とは同一でも、異なってい
ても良い。〕 ＣＦ₂ ＝ＣＦＯ（Ｒ_f ⁴ ） （ＩＩＩ） 〔式（ＩＩＩ）中、Ｒ_f ⁴ はフッ素原子、パーフルオロ
アルキル基、パーフルオロアルケニル基、部分フッ素化
アルキル基、部分フッ素化アルケニル基、パーフルオロ
アリール基、部分フッ素化アリール基、又はパーフルオ
ロアルコキシアルキル基を表す。〕 上記フッ化炭素系化合物は、各々単独で用いても、二種
以上を混合して用いても良い。二種以上用いる場合に
は、上記一般式（Ｉ），（ＩＩ），（ＩＩＩ）のいずれ
か一つの範疇から二種以上を選択しても良く、又、二つ
の範疇から各々一種あるいは二種以上を選択しても良
い。

【００２２】上記一般式（Ｉ）において、好ましいパー
フルオロアルキル基としては、パーフルオロメチル基
（−ＣＦ₃ ）、パーフルオロヘプチル基（−Ｃ
₅ Ｆ₁₁）、パーフルオロヘキシル基（−Ｃ₆ Ｆ₁₃）が挙
げられる。好ましいパーフルオロアルケニル基として
は、パーフルオロエチニル基（−ＣＦ＝ＣＦ₂ ）が挙げ
られる。好ましい部分フッ素化アルキル基としては、１
Ｈ−パーフルオロブチル基（−Ｃ₄Ｆ₈ Ｈ）が挙げられ
る。好ましい部分フッ素化アルケニル基としては、−Ｃ
Ｆ₂−ＣＦ＝ＣＨ₂ が挙げられる。好ましいパーフルオ
ロアリール基としては、パーフルオロベンジル基（−Ｃ
Ｆ₂ −Ｃ₆ Ｆ₅ ）が挙げられる。好ましい部分フッ素化
アリール基としては、−ＣＦＨ−Ｃ₆ Ｆ₅ ，−ＣＦ₂ −
Ｃ₆ Ｈ₅ が挙げられる。

【００２３】従って、一般式（Ｉ）で表される化合物の
中の好ましいものとして、テトラフルオロエチレン（Ｃ
Ｆ₂ ＝ＣＦ₂ ）、ヘキサフルオロプロペン（ＣＦ₂ ＝Ｃ
ＦＣＦ₃ ）、パーフルオロヘプテン−１（ＣＦ₂ ＝ＣＦ
Ｃ₅ Ｆ₁₁）、６Ｈ−パーフルオロヘキセン−１（ＣＦ₂
＝ＣＦＣ₄ Ｆ₅ Ｈ）、パーフルオロオクテン−１（ＣＦ
₂ ＝ＣＦＣ₆ Ｆ₁₃）、ヘキサフルオロ−１，３−ブタジ
エン（ＣＦ₂ ＝ＣＦＣＦ＝ＣＦ₂ ）、３−（ペンタフル
オロフェニル）ペンタフルオロプロペン−１（ＣＦ₂ ＝
ＣＦＣＦ₂ Ｃ₆ Ｆ₅ ）、ＣＦ₂ ＝ＣＦＣＨＦ−Ｃ
₆ Ｆ₅ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＣＦ₂ −Ｃ₆ Ｈ₅ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦ
ＣＦ₂ ＣＦ＝ＣＨ₂ 等が挙げられる。

【００２４】上記一般式（ＩＩ）において、好ましいパ
ーフルオロアルキル基としては、上記一般式（Ｉ）にお
けるものの他に、−ＣＦ₂ ＣＦ₃ が挙げられる。好まし
いパーフルオロアルケニル基としては、上記一般式
（Ｉ）におけるものの他に、−ＣＦ₂ ＣＦ＝ＣＦ₂ が挙
げられる。好ましい部分フッ素化アルキル基としては、
−ＣＦ₂ Ｈ，−ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｈが挙げられる。好ましい
部分フッ素化アルケニル基としては、上記一般式（Ｉ）
におけるものの他に、−ＣＦ＝ＣＨ₂ が挙げられる。好
ましいパーフルオロアリール基、及び部分フッ素化アリ
ール基としては、上記一般式（Ｉ）におけるものと同じ
ものが挙げられる。

【００２５】従って、一般式（ＩＩ）で表される化合物
の中の好ましいものとして、ＣＦ₂＝Ｃ（ＣＦ₃ ）₂ ，
ＣＦ₂ ＝ＣＨ₂ ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＦ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣ
Ｆ₃ ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣＦ₂ ＣＦ₃ ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣＦ＝
ＣＦ₂ ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣＦ₂ ＣＦ＝ＣＦ₂ ，ＣＦ₂ ＝Ｃ
ＨＣＦ₂ Ｈ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｈ，ＣＦ₂ ＝Ｃ
ＨＣＦ₂ ＣＦ＝ＣＨ₂ ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣＦ＝ＣＨ₂ ，Ｃ
Ｆ₂ ＝ＣＨＣＦＨ−Ｃ₆ Ｆ ₅ ，ＣＦ₂ ＝ＣＨＣＦ₂ −Ｃ
₆ Ｈ₅ 等が挙げられる。

【００２６】上記一般式（ＩＩＩ）において、好ましい
パーフルオロアルキル基及びパーフルオロアルケニル基
としては、上記一般式（ＩＩ）におけるものと同じもの
が挙げられる。好ましい部分フッ素化アルキル基として
は、−ＣＦ₂ Ｈ，−ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｈ，−Ｃ₄ Ｆ₉ Ｈが挙
げられる。好ましい部分フッ素化アルケニル基、パーフ
ルオロアリール基、及び部分フッ素化アリール基として
は、上記一般式（ＩＩ）におけるものと同じものが挙げ
られる。好ましいパーフルオロアルコキシアルキル基と
しては、−ＣＦ₂ ＣＦ（ＣＦ₃ ）ＯＣ₃ Ｈ₇ が挙げられ
る。

【００２７】従って、一般式（ＩＩＩ）で表される化合
物の中の好ましいものとして、ＣＦ ₂ ＝ＣＦＯＣＦ₃ ，
ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣ₅ Ｆ₁₁，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣ₆ Ｆ₁₃，Ｃ
Ｆ₂＝ＣＦＯＣＦ₂ ＣＦ₃ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ＝ＣＦ
₂ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ₂ ＣＦ＝ＣＦ₂ ，ＣＦ₂ ＝Ｃ₄
Ｆ₈ Ｈ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ₂ Ｈ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ
₂ ＣＦ₂ Ｈ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ₂ −ＣＦ＝ＣＨ₂ ，Ｃ
Ｆ₂ ＝ＣＦＯＣＦ＝ＣＨ₂ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ₂ −Ｃ
₆ Ｆ₅ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦＨ−Ｃ₆ Ｈ₅ ，ＣＦ₂ ＝Ｃ
ＦＯＣＦ₂ −Ｃ₆ Ｈ₅ ，ＣＦ₂ ＝ＣＦＯＣＦ₂ ＣＦ（Ｃ
Ｆ₃ ）ＯＣ₃ Ｈ ₇ 等が挙げられる。

【００２８】又、フッ化炭素系の化合物のみでなく、酸
素を併用することが好ましい。例えば、モル比（フッ化
炭素／酸素）で１／０．５〜１／１００（より好ましく
は１／１〜１／１０、更に好ましくは１／２〜１／５）
の割合にした重合性化合物と酸素とを用いることが出来
る。これにより、効率良く潤滑剤成分（パーフルオロポ
リエーテル）を生成できる。例えば、上記割合が１／１
００より低いと、レーザー光の吸収効率が低下して好ま
しくない。

【００２９】重合反応のスムーズな進行を考慮すると、
気相重合の雰囲気ガス圧は１〜１０００Ｔｏｒｒ、より
好ましくは１０〜２００Ｔｏｒｒ、更に好ましくは５０
〜１５０Ｔｏｒｒである。上記原料ガスはＡｒ，Ｈｅ，
Ｎ₂ ，Ｈ₂ 等のキャリアガスで搬送できる。このキャリ
アガスは原料ガスに対してモル比で等量〜数百倍量まで
変化させることが出来る。キャリアーガスの導入量は１
〜２０００Ｔｏｒｒで良い。

【００３０】ディスク基板温度は１０〜９０℃に設定さ
れていることが好ましい。１０℃未満、あるいは９０℃
を越えた温度では本発明の潤滑剤層が得られ難い場合も
有る。より好ましい温度は約１５〜５０℃である。光酸
化による気相重合によって潤滑剤層を形成する方法は、
例えばレーザ透過窓をもったチャンバ内の下部に複数の
ディスク基板を一定間隔にセット（立設）する。そし
て、一度、チャンバ内を真空ポンプで排気し、この後パ
ーフルオロオレフィン等の重合性フッ化炭素と酸素とを
原料ガスとして導入する。次に、レーザ光、例えばエキ
シマレーザ光をディスク基板上部とチャンバ天井との間
の空間を透過する（ディスク基板には当たらない）よう
に照射する。尚、レーザ光とディスク基板との間の距離
は大きい方が好ましい。このようにして第１の気相重合
により潤滑剤層を形成する。この後、チャンバ内に大
気、特に雰囲気湿度が３０〜９０％、より好ましくは４
０〜９０％の大気を導入（チャンバ内に、少なくとも１
００Ｔｏｒｒ程度以上に大気を導入）し、そして、再
度、チャンバ内を真空ポンプで排気し、次いでパーフル
オロオレフィン等の重合性フッ化炭素と酸素とを原料ガ
スとして導入し、例えばエキシマレーザ光を前記のよう
に照射する。これを必要に応じて繰り返して潤滑剤層を
形成する。尚、２度目のＣＶＤ工程と３度目のＣＶＤ工
程との間では、チャンバ内に湿度が３０〜９０％大気を
導入しても、しなくても良い。

【００３１】上記フッ化炭素系化合物と酸素との気相重
合により得られた重合体は、主として−（ＣＦ₂ Ｏ）−
の構造単位を有する重合体であり、その分子量は、好ま
しくは１５００〜３００００である。上記重合体の構造
は必ずしも明確でないが、下記構造式が推定される。 Ｘ-(ＣＦ₂ Ｏ) _l -(ＣＦ₂ ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｏ) _m -(ＣＦ
（ＣＦ₃)ＣＦＯ) _n Ｘ’ 〔ここで、ｌ，ｍ，ｎは、ｌ≫ｍ，ｌ≫ｎを満たす正の
整数。Ｘ，Ｘ’はアルコール、エーテル結合、エステル
結合、又はウレタン結合などを含む末端基であり、Ｘと
Ｘ’とは同じでも異なっていても良い。〕 上記重合体における−（ＣＦ₂ Ｏ）−の構造単位の含有
率は、全構造単位中７０％以上であることが好ましく、
上記構造式で表される重合体においては、〔ｌ／（ｌ＋
ｍ＋ｎ）〕×１００が７０以上であることが好ましい。

【００３２】潤滑剤層は磁性層上に直接設けられても良
いが、保護層上に設けた方が好ましい。金属薄膜型の磁
性層を有する記録媒体では、磁性層を保護する観点から
保護層を設けることが一般的に行われている。この保護
層は、耐磨耗性の観点から硬度の高いものが選ばれる。
例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化物、あるいは
カーボンやボロンナイトライド等が挙げられる。この他
にも、例えば特開平５−２１７１５４号公報、特開平５
−２１７１５６号公報、特開平５−２２５５５５号公
報、特開平５−２２５５５７号公報、特開平５−２８２
６６１号公報、特開平６−２５８４０号公報、特願平４
−２６８９５２号明細書、特願平５−１７２０号明細
書、特願平５−２１７１５６号明細書、特願平５−４０
１４２号明細書に開示されているものを用いることが出
来る。中でも好ましいものは炭素、炭化ケイ素、炭化ホ
ウ素、炭化タングステン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウ
ム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、あるいはこれらの材料の
複合されたものである。特に好ましいものはカーボン、
特にダイヤモンドライクカーボンである。この保護層
は、厚さが５〜２５ｎｍが好ましい。保護層は、スパッ
タ等のＰＶＤ手段により形成できる。

【００３３】保護層の下には金属薄膜型の磁性層がスパ
ッタ等のＰＶＤ手段により２０〜５０ｎｍ厚さ設けられ
る。磁性層を形成する材料は、例えばＣｏＣｒ，ＣｏＮ
ｉ，ＣｏＣｒＸ，ＣｏＮｉＸ，ＣｏＷＸ，ＣｏＣｒＰｔ
Ｘ，ＣｏＳｍ，ＣｏＳｍＸ（Ｘとしては、Ｔａ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃａ，Ａ
ｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，
Ｈｆ等から選ばれる一種あるいは二種以上）等で表され
るＣｏを主成分とするＣｏ系の磁性合金が挙げられる。

【００３４】尚、磁性層の下には、必要に応じてスパッ
タ等のＰＶＤ手段によりＣｒ膜などの下地層５が設けら
れる。磁性層は支持体上に設けられる。支持体は、磁性
を有するものでも非磁性のものでも良いが、一般的には
非磁性のものが用いられる。例えば、カーボン、強化ガ
ラス、結晶化ガラス、アルミニウム及びアルミニウム合
金、チタン及びチタン合金、セラミックス、樹脂、ある
いは前記材料の複合材料が用いられる。中でも、カーボ
ン、更にガラス状カーボン、特に曲げ強度が２４ｋｇｆ
／ｍｍ² 以上、弾性率が２５００ｋｇｆ／ｍｍ² 以上、
密度が１．４〜１．８ｇ／ｃｍ³ のガーラス状カーボン
が好ましい。

【００３５】このような支持体、例えばカーボン製の支
持体の表面特性は上記の通りである。すなわち、上記の
式で表されるスキューネスＲｓｋの最大値及び最小値が
−１〜４の範囲内にあり、かつ、その平均値が０〜３の
範囲内にあるよう形成されている。尚、スキューネスＲ
ｓｋの最大値及び最小値は−０．５〜４の範囲内にあ
り、かつ、その平均値が０〜２の範囲内にあることが好
ましい。特に、スキューネスＲｓｋの最大値及び最小値
は０〜４の範囲内にあり、かつ、その平均値が０〜２の
範囲内にあることが好ましい。あるいは、表面のＲａが
１〜１００Å、Ｒｐ／Ｒａが１〜１５の範囲内にあるよ
う形成されている。尚、Ｒａが４０〜１００Åである場
合には、Ｒｐ／Ｒａが１〜６が好ましい。Ｒａが１０〜
４０Åである場合には、Ｒｐ／Ｒａが４〜１５が好まし
い。例えば、Ｒｓｋの最大値及び最小値が０〜４の範囲
内にあり、かつ、その平均値が０〜２の範囲内にあり、
更にはＲａが約１〜１００Å、Ｒｐ／Ｒａが約１〜１５
の表面特性のものを得ようとするには、テープ種日本ミ
クロコーティング社製の♯４０００フラットタイプ、テ
ープ送り速度４００ｍｍ／分、加工圧力２．２ｋｇ／ｃ
ｍ² 、テープ揺動４６０往復／分、ローラゴム硬度６０
度、ワーク回転数５０ｒｐｍ、加工時間１０〜４０秒、
ジョンソン社製ＪＳ６０２の３ｗｔ％研磨液と言った条
件下でカーボン製支持体にテクスチャ加工を施せば良
い。又、研磨テープの種類や遊離砥粒の種類、研磨時
間、研磨時の圧力などの条件を適宜変更することが可能
である。尚、テクスチャ加工により支持体表面を所望の
スキューネスＲｓｋにする工程の前に、支持体表面のＲ
ａを１〜１０Å（より好ましくは、１〜５Å）に鏡面加
工しておくことが好ましい。例えば、研磨クロスを貼り
付けた両面ラッピング装置により鏡面仕上げすることで
得られる。

【００３６】更に、最大突起高さＲｐから５０Åの深さ
で切った時の山の数ＰＣ50が３０〜２００本／ｍｍであ
ることが好ましい。尚、ＰＣ50は３０〜８０本／ｍｍが
好ましく、特に４０〜７０本／ｍｍが一層好ましい。
又、本発明の磁気記録媒体におけるＲｐは５０〜３００
Åであることが好ましい。より好ましくは５０〜１００
Åである。又、径方向および周方向の凹凸が等方的であ
って、径方向と周方向の中心線平均粗さＲａ₁ ，Ｒａ₂
の比（Ｒａ₁ ／Ｒａ₂ ）が０．８〜２．０であることが
好ましい。より好ましくは０．８〜１．４である。

【００３７】このような条件を満たしたテクスチャ表面
に本発明の気相重合による潤滑層を形成すれば、その相
乗効果により特に優れたＣＳＳ特性が得られる。そし
て、上記のような表面特性の支持体上に磁性層が設けら
れ、その最表面に気相反応で形成された潤滑剤層が設け
られた磁気記録媒体は、再生エラーや消去エラーが少な
く、記録・再生特性が優れたものである。かつ、ヘッド
浮上量が低く、更にはＣＳＳ耐久性に優れた特長を奏す
る。

【００３８】以下、実施例により本発明を更に具体的に
説明する。

【００３９】

【実施例】

〔実施例１〜４〕密度１．５ｇ／ｃｍ³ 、曲げ強度２
９．８ｋｇ／ｍｍ² 、弾性率２５００ｋｇｆ／ｍｍ² の
ガラス状カーボン製の基板（サイズ１．８インチ、厚さ
２５ミル）１を表−１に示す条件で鏡面研磨し、中心線
平均粗さＲａを１．０ｎｍにした。

【００４０】表−１ 研磨装置；スピードファム製両面ラッピング装置ＤＳＬ
−９Ｂ 研磨クロス；サーフィン０１８−３ 加工圧；１５０ｇ／ｃｍ² 加工時間；１０分，３０分 研磨剤；スノーテックスＺＬ：水＝１：９ ｐＨ２〜１０ この後、表−２に示す条件でテクスチャ処理を施した。

【００４１】表−２ テープ；日本ミクロコーティング社製♯３０００〜♯８
０００フラットタイプ テープ送り速度；１００〜６００ｍｍ／分 加工圧力；１〜４ｋｇ／ｃｍ² テープ揺動；０〜５００往復／分 ローラゴム硬度；６０度 ワーク回転数；５０〜数百ｒｐｍ 加工時間；５〜６０秒 研磨液；ジョンソン製のＪＳ６０２ ３ｗｔ％研磨液 このテクスチャ処理されたガラス状カーボン製の基板１
のＲｓｋを測定したので、その結果を表−３に示す。
又、Ｒａ及びＲｐについても測定したので、これらの結
果も併せて表−３に示す。

【００４２】 表−３ Ｎｏ テープ 加工 Ｒｓｋ Ｒａ（Å） Ｒｐ／Ｒａ 時間 ＭＡＸ．ＭＩＮ．ＡＶＥ． １ ♯6000 ５秒 3.170 0.774 1.714 ２４ ８．８ ２ ♯6000 10秒 1.813 0.112 0.988 ２７ ７．１ ３ ♯4000 ５秒 1.537 1.395 1.487 ２２ ７．１ ４ ♯4000 10秒 1.627 -0.495 1.013 ２６ ７．２ この後、ＤＣマグネトロンスパッタによりＡｒガス雰囲
気中で５０ｎｍ厚さのＣｒ下地層２を基板表面に設け、
次いで４０ｎｍ厚さのＣｏＣｒＴａ系の磁性層３を設け
た。続いて、ガラス状カーボン製ターゲットを装着した
対向ターゲット型のスパッタ装置を用い、室内を排気
し、そして２ｍＴｏｒｒのガス圧となるようＡｒガスを
導入し、磁性層上に２００Å厚のガラス状カーボンから
なる保護層４を設け、磁気ディスク原体Ｄを得た。

【００４３】この磁気ディスク原体ＤをＣＶＤ装置のチ
ャンバ６内に所定の間隔を設けて図２に示すように立設
し、チャンバ６内を５×１０^-2Ｔｏｒｒに排気した後、
分圧が１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペンと６０Ｔ
ｏｒｒの酸素とを導入し、ＡｒＦエキシマレーザ（波長
１９３ｎｍ）からのレーザ光（パワー１５０ｍＪ、繰り
返し速度２Ｈｚ）を１２分間かけて１５００パルス照射
した。尚、この間、磁気ディスク原体Ｄを回転してい
た。

【００４４】この後、チャンバ６内に１００Ｔｏｒｒの
大気（湿度６０％）を導入した。大気導入後、再び、チ
ャンバ６内を１×１０^-2Ｔｏｒｒに排気した後、分圧が
１０Ｔｏｒｒのヘキサフルオロプロペンと６０Ｔｏｒｒ
の酸素とを導入し、上記と同じレーザ光を１２分間かけ
て１５００パルス照射した。尚、レーザ光は磁気ディス
ク原体Ｄに直接照射されないよう、図２中、矢印方向に
照射した。又、上記光ＣＶＤ処理に際して、磁気ディス
ク原体Ｄの温度は室温（２２℃）であった。

【００４５】以上の工程により、磁気ディスク原体Ｄの
表面には、磁気ディスク原体Ｄの保護層表面に化学結合
により分子の一部が固定された固定潤滑剤分子と、潤滑
剤分子が表面には固定されていないフリー潤滑剤分子と
の混成からなる厚さ２９Åの混成潤滑剤層５が形成され
た。尚、混成潤滑剤層５が固定潤滑剤分子とフリー潤滑
剤分子との混成からなることは、フッ素系溶剤で１０分
間超音波洗浄することによる重量減少により確認され
た。かつ、潤滑剤分子が残存していることはＥＳＣＡ
（ＶＧサイエンス社製のＥＳＣＡＬＡＢ ２００Ｃ、Ａ
ｌＫα線使用）分析により確認された。フリー潤滑剤分
子／固定潤滑剤分子の割合は重量比で９／２０であっ
た。又、混成潤滑剤層５についてのＥＳＣＡ分析によれ
ばＣ1sについて２９４．８〜２５０ｅＶにピークが認め
られ、これは市販の潤滑剤の−（CF₂O）_n −（CF₂CF₂O)
_m −の（CF₂O）_n ユニットのＣ1sスペクトルと一致した
ので、潤滑剤分子は−（CF₂O）_n −の構造単位を有する
ものであると考えられる。但し、−CF₂O−由来と考えら
れるＣ1s，Ｆ1s，Ｏ1sのスペクトル強度比は、Ｃ：Ｆ：
Ｏ＝１．０：５．２１：２．８６なので、−（CF₂O）_n
−の構造単位以外のものが存在する可能性もある。

【００４６】〔実施例５〜８〕実施例１の光ＣＶＤ処理
を表−４の条件に変更した以外は実施例１に準じて行
い、磁気ディスクを得た。尚、ＣＶＤ工程の繰り返しの
度にチャンバ６内に１００Ｔｏｒｒの大気（湿度６０
％）を導入し、そして排気し、反応ガスを導入した。

【００４７】 表−４ 原料ガス Ｘ／O₂ ガス圧 温度 大気 CVD繰 レーザ光 モル比 Torr ℃ 湿度% 返回数 照射回数 実施例５ X₂＋O₂ 10/60 70 22 60 ４ ６０００ 実施例６ X₃＋O₂ 10/60 70 22 60 ４ ６０００ 実施例７ X₄＋O₂ 10/60 70 22 60 ４ ６０００ 実施例８ X₅＋O₂ 10/60 70 22 60 ４ ６０００ X₂；１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロペン X₃；テトラフルオロエチレン X₄；ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエン X₅；ヘキサフルオロプロピレン＋テトラフルオロエチレン（１：１） 上記のようにして得られた潤滑剤層の厚さ及びフリー潤
滑剤分子／固定潤滑剤分子の割合は表−５に示す通りで
あった。

【００４８】 表−５ 潤滑剤層の厚さ フリー潤滑剤分子／固定潤滑剤分子 実施例５ ５８Å ３８／２０ 実施例６ ４５Å ２７／１８ 実施例７ ４８Å ２９／１９ 実施例８ ５３Å ３３／２０ 〔比較例１〜４〕実施例１〜４における潤滑剤層形成を
光ＣＶＤ処理からパーフルオロポリエーテル系潤滑剤
（モンテカチーニ社製のＦｏｍｂｌｉｎＡＭ２００１）
溶液への浸漬処理に変更した以外は実施例１〜４に準じ
て行い、磁気ディスクを得た。

【００４９】〔比較例５〜９〕実施例１におけるテクス
チャ処理条件を変更し、表−６の表面特性を有するガラ
ス状カーボン製の基板を得た。 表−６ Ｎｏ テープ 加工 Ｒｓｋ Ｒａ（Å） Ｒｐ／Ｒａ 時間 ＭＡＸ．ＭＩＮ．ＡＶＥ． ５ ♯6000 20秒 1.383 -1.446 -0.271 ４７ ４．７ ６ ♯6000 40秒 -1.104 -1.415 -1.257 ８８ ２．７ ７ ♯6000 60秒 -0.239 -0.863 -0.547 １３０ ５．７ ８ ♯4000 20秒 1.128 -2.675 -0.494 ３２ ６．３ ９ ♯4000 40秒 -1.239 -2.526 -1.830 ８０ ２．６ この基板を用いて比較例１に準じて行い、磁気ディスク
を得た。

【００５０】〔特性〕上記各例で得た磁気ディスクにつ
いて、エラー（ミッシングビット（ＵＭＳ）、ロングミ
ッシングビット（ＬＭＳ）、エキストラビット（Ｅ
Ｘ））を調べたので、その結果を表−７に示す。又、Ｃ
ＳＳテスト及び１．５μ”グライドハイトテストＧＨＴ
についても調べたので、その結果も表−７に示す。

【００５１】 表−７ エラー ＣＳＳテスト ＧＨＴ ＵＭＳ ＬＭＳ ＥＸ 実施例１ ５．１ ０．１ ２．６ ５万回以上 Ａ 実施例２ ８．３ ０．３ ２．１ ５万回以上 Ｓ 実施例３ ５．８ ０．８ ３．３ ５万回以上 Ｓ 実施例４ ２０．３ ０．７ ３．１ ５万回以上 Ｓ 実施例５ ５．２ ０．１ ２．５ ５万回以上 Ｓ 実施例６ ４．９ ０．２ ２．３ ５万回以上 Ｓ 実施例７ ４．８ ０．１ ２．１ ５万回以上 Ｓ 実施例８ ５．３ ０．３ ２．８ ５万回以上 Ｓ 比較例１ ５．２ ０．１ ２．７ 〜３万回 Ｓ 比較例２ ８．７ ０．１ ２．３ 〜３万回 Ｓ 比較例３ ５．７ ０．５ ２．７ 〜３万回 Ｓ 比較例４ １８．７ ０．５ ３．２ 〜３万回 Ｓ 比較例５ １２４．５ ３．０ １０．５ 〜３万回 Ｂ 比較例６ ７４．５ １．５ ０．５ 〜３万回 Ｃ 比較例７ ２３４．０ ４．５ ２３．０ ＮＧ Ｃ 比較例８ ５８．５ １．０ ４．０ 〜３万回 Ｂ 比較例９ １７９．３ １．５ １８．０ 〜３万回 Ｃ ＊ＣＳＳテスト；ヤマハ社製の薄膜ヘッドを用い、ヘッ
ド荷重３．５ｇ、ヘッド浮上量２．８μインチ、４５０
０ｒｐｍで５秒間稼働、５秒間停止のサイクルを２万回
繰り返して行い、その際の静摩擦係数の増加を調べた。

【００５２】＊ＧＨＴ ；ＰＲＯＱＵＩＰ社製ＭＧ
１５０Ｔを用い、５０％スライダヘッドを用いて行っ
た。１．５μインチの浮上高さの通過率が９０％以上の
ものをＳ、通過率が５０〜９０％のものをＡ、通過率が
３０〜５０％のものをＢ、通過率が３０％以下のものを
Ｃで表示した。この表−７から、本発明になるものは、
１．５μインチの極めて厳しいＧＨＴ特性を満たし、か
つ、ＣＳＳテストに優れた結果を示していることが判
る。すなわち、ヘッドと磁性層との間のスペーシングロ
スを少なく出来、電磁変換特性に優れたのみならず、耐
久性にも優れたものである。又、再生エラーや消去エラ
ーが少なく、記録・再生特性が優れたものである。

【００５３】

【効果】特定の表面特性の支持体上に磁性層が設けら
れ、かつ、気相反応で形成された潤滑剤層が表面に設け
られた磁気記録媒体は、再生エラーや消去エラーが少な
く、記録・再生特性が優れたものである。かつ、ヘッド
浮上量が低く、更には極めて安定した高レベルのＣＳＳ
耐久性を示し、又、超低グライドハイト特性を達成でき
る。特に、表面粗さが小さいテクスチャを持つもので
も、充分に満足できるＣＳＳ特性を示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明になる磁気記録媒体の概略図

【図２】本発明になる磁気記録媒体の製造の概略図

【符号の説明】

１ カーボン製基板 ２ 下地層 ３ 磁性層 ４ 保護層 ５ 潤滑剤層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体と、磁性層と、潤滑剤層とを少な
   くとも有する磁気記録媒体であって、 前記潤滑剤層は気相反応で形成されたものであり、 前記支持体は、その表面が、下記の式で表されるスキュ
   ーネスＲｓｋの最大値及び最小値が−１〜４の範囲内に
   あり、かつ、その平均値が０〜３の範囲内にあることを
   特徴とする磁気記録媒体。 【数１】 （Ｙｉは中心線から山頂または谷底までの距離（山頂側
   が＋の値、谷底側が−の値）、Ｒｑは自乗平均平方根粗
   さ、ｎはＹｉのデータ数）
2. 【請求項２】 支持体と、磁性層と、潤滑剤層とを少な
   くとも有する磁気記録媒体であって、 前記潤滑剤層は気相反応で形成されたものであり、 前記支持体は、その表面のＲａ（Ｒａは中心線平均粗
   さ）が１〜１００Å、Ｒｐ／Ｒａ（Ｒｐは中心線高さ）
   が１〜１５の範囲内にあることを特徴とする磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 支持体と、磁性層と、潤滑剤層とを少な
   くとも有する磁気記録媒体であって、 前記潤滑剤層は気相反応で形成されたものであり、 前記支持体は、その表面が、下記の式で表されるスキュ
   ーネスＲｓｋの最大値及び最小値が−１〜４の範囲内に
   あり、かつ、その平均値が０〜３の範囲内にあり、更に
   表面のＲａ（Ｒａは中心線平均粗さ）が１〜１００Å、
   Ｒｐ／Ｒａ（Ｒｐは中心線高さ）が１〜１５の範囲内に
   あることを特徴とする磁気記録媒体。 【数２】 （Ｙｉは中心線から山頂または谷底までの距離（山頂側
   が＋の値、谷底側が−の値）、Ｒｑは自乗平均平方根粗
   さ、ｎはＹｉのデータ数）
4. 【請求項４】 潤滑剤層は潤滑剤分子が当該媒体の最表
   面に固定された固定潤滑剤分子と潤滑剤分子が当該媒体
   の最表面には固定されていないフリー潤滑剤分子との混
   成でなり、気相重合で形成されたものであることを特徴
   とする請求項１〜請求項３いずれかに記載の磁気記録媒
   体。
5. 【請求項５】 潤滑剤層の厚さが２〜２００Åであり、
   この潤滑剤層おけるフリー潤滑剤分子／固定潤滑剤分子
   が重量比で１／１０〜１０／１の割合であることを特徴
   とする請求項１〜請求項４いずれかに記載の磁気記録媒
   体。
6. 【請求項６】 支持体の上に磁性層が、磁性層の上に保
   護層が、保護層の上に潤滑剤層が設けられてなる磁気記
   録媒体であることを特徴とする請求項１〜請求項５いず
   れかに記載の磁気記録媒体。