JPH11229150A

JPH11229150A - 情報記録ディスク用成膜装置

Info

Publication number: JPH11229150A
Application number: JP5019198A
Authority: JP
Inventors: Naoki Watanabe; 直樹渡辺; Osamu Watabe; 修渡部; Hideki Hayashida; 英樹林田
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1998-02-16
Filing date: 1998-02-16
Publication date: 1999-08-24
Anticipated expiration: 2018-02-16
Also published as: JP4268234B2

Abstract

(57)【要約】【課題】保護膜作成チャンバー内のパーティクル発生
を効果的に防止した構成を有する情報記録ディスク用成
膜装置を提供する。【解決手段】記録用の磁性膜の上に保護膜を作成する
保護膜作成チャンバー６では、ＣＨ₄ 等の炭化水素化合
物ガスのプラズマ化学蒸着によってカーボンよりなる保
護膜が作成される。保護膜作成チャンバー６内には酸素
ガスが導入されるようになっており、内部の露出面に堆
積したカーボン膜は酸素プラズマによってアッシングさ
れ、排気系６１によって除去される。基板９を保持した
キャリア９０は、アッシングの際に退避チャンバー７に
退避する。このため、基板９の表面が酸素プラズマによ
って損傷を受けることがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願の発明は、情報記録ディ
スクの製作に関するものであり、特に、記録層としての
磁性膜の上に積層されるカーボンよりなる保護膜の作成
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】情報記録ディスクは、ハードディスクや
ＣＤ−ＲＯＭ等として従来から良く知られている。この
ような情報記録ディスクは、金属製又は誘電体製の基板
の表面に記録層を形成した構造であり、基板に対する表
面処理を経て製作される。このような表面処理を、ハー
ドディスクの製作を例にして説明する。ハードディスク
を製作する場合、一般的には、ＮｉＰコーティングされ
たアルミニウム製の基板を用いる。この基板の上に、ま
ず、Ｃｒ等の金属の下地膜を作成し、その上に、ＣｏＣ
ｒＴａ等の磁性膜を記録層として作成する。そして、記
録層の上に保護膜を設けることでハードディスクが製作
される。

【０００３】保護膜は、記録再生ヘッドによる衝撃や摩
耗から記録層を守るため及び耐候性を確保するために設
けられるものであり、潤滑性のある強固な膜が必要とさ
れている。この保護膜には、通常、カーボン膜が使用さ
れる。尚、以下の説明では、カーボンよりなる保護膜を
カーボン保護膜と称する。

【０００４】カーボン保護膜は、記録密度の増加に伴
い、より薄い厚さで必要な耐久性を備えることが要求さ
れている。記録密度の増加は、セクタ間距離の減少を意
味する。セクタ間距離が減少すると、磁気記録層に対す
る磁気ヘッドの距離も短くしなければならない。カーボ
ン保護膜は、磁気記録層の上に形成されるから、磁気ヘ
ッドまでの距離を短くするには、保護膜の厚さを薄くし
なければならない。現在市販されている例えば１．６ギ
ガビット／平方インチ程度の記録密度のハードディスク
では、保護膜の厚さは１００〜１５０オングストローム
程度であるが、記録密度が向上して３ギガビット／平方
インチ程度になると、保護膜の厚さは５０〜１００オン
グストローム程度になると予想されている。

【０００５】その一方で、カーボン保護膜は、衝撃や摩
耗、熱、湿度等から記録層を十分に保護できるものでな
ければならない。このためには、一般的には、緻密な構
造の硬度の高い膜でなければならない。つまり、情報記
録ディスクにおける保護膜は、より薄い厚さでかつ十分
な硬度で作成されることが要求されている。従来、この
ようなカーボン保護膜は、スパッタリングによって作成
されている。即ち、カーボンよりなるターゲットをスパ
ッタして基板の表面にカーボンよりなる膜を堆積させ、
保護膜としている。

【０００６】しかしながら、より薄くて高硬度の膜の作
成には、スパッタリングよりも化学蒸着（Chemical Vap
or Deposition, CVD）の方が適している。図１３は、従
来の情報記録ディスク用成膜装置の要部の構成を示す正
面概略図であり、プラズマＣＶＤによってカーボン保護
膜を作成する構成が示されている。図１３に示す装置
は、排気系６１を備えた保護膜作成チャンバー６と、保
護膜作成チャンバー６内に所定のプロセスガスを導入す
るプロセスガス導入系６２と、導入されたプロセスガス
にエネルギーを与えてプラズマを形成するプラズマ形成
手段６３と、保護膜作成チャンバー６内に基板９を搬入
する不図示の搬送系とから主に構成されている。

【０００７】プロセスガス導入系６２は、ＣＨ₄ 等の有
機化合物ガスを導入するようになっている。プラズマ形
成手段６３は、プロセスガスに高周波エネルギーを与え
てプラズマを形成するようになっており、保護膜作成チ
ャンバー６内に設けられた高周波電極６３１と、整合器
６３２を介して高周波電極６３１に高周波電力を供給す
る高周波電源６３３とから主に構成されている。高周波
によってＣＨ₄ 等のガスのプラズマが形成されると、プ
ラズマ中でガスが分解し、基板９の表面にカーボンの薄
膜が堆積する。

【０００８】尚、カーボン膜は、アモルファス状のカー
ボン膜と結晶化したカーボン膜に大きく分けられる。そ
して、結晶化したカーボン膜は通常グラファイトカーボ
ン膜であるが、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）
膜と呼ばれるものがある。ＤＬＣ膜は、一般的には、ダ
イヤモンドに類似した構造のカーボン膜を意味する。例
えば、ＣＨ₄ 等の炭化水素化合物ガスを用いたプラズマ
ＣＶＤによるカーボン膜の作成において、負イオン衝撃
によってエネルギーを与えると、Ｃ−Ｈ結合及びＣの二
重結合が減少してＣ単結合が多くなり、ダイヤモンド構
造の割合が高くなる。即ち、ＤＬＣ膜の構造が得られ
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したカーボン保護
膜を作成する情報記録ディスク用成膜装置において、カ
ーボンは、基板の表面のみならず保護膜作成チャンバー
内の露出面にも堆積する。この膜の堆積量が多くなる
と、膜は内部応力や自重などによって剥離する。この剥
離によって、保護膜作成チャンバー内にカーボンの微粒
子（パーティクル）が生じてしまう。このパーティクル
が基板の表面に付着すると、カーボン保護膜の表面に突
起が形成されて局所的な膜厚異常となり、製品不良の原
因になる。この点を、図１４を使用して説明する。図１
４は、パーティクルの付着の問題を説明した断面概略図
である。

【００１０】カーボン保護膜９０１の表面にパーティク
ルが付着したり、パーティクルが付着した状態でカーボ
ン保護膜９０１を堆積させたりすると、図１４に示すよ
うに、突起９０２が形成されてしまう。突起９０２が形
成されると、ヘッドクラッシュとか信号エラー等の問題
が生じやすい。そこで、カーボン保護膜９０１の作成
後、基板９を軽く表面研磨処理するテープバニッシ工程
を行い、その後、グライハイトドテスト（Glide Height
Test）と呼ばれる試験にかけている。

【００１１】グライハイトドテストは、図１４に示すよ
うに、検査治具９０３の先端を基板９０１の表面から所
定の短い距離を保って走査する試験である。パーティク
ルの付着によって突起９０２が形成されていると、検査
治具９０３の先端がカーボン保護膜９０１に接触してし
まう。検査治具９０３は、接触による短絡電流を検出す
る等の検出回路を有しており、突起９０２が形成されて
いないかどうかを検査できるようになっている。

【００１２】上述したパーティクルの大きさは、直径
０．１〜０．５μｍ程度であり、従って、突起９０２の
高さもこの程度である。一方、グライドハイトテストに
おける検査治具９０３の先端と基板９の表面との距離ｄ
は、現在、１μインチ（２５４オングストローム）に決
められている。従って、たった一個のパーティクルによ
る突起９２０が形成されているだけで、基板９はグライ
ハイトドテストをパスできず、不良品となってしまう。
そして、将来、この距離ｄは、１μインチから０．５μ
インチになると見込まれている。

【００１３】従来の装置では、保護膜作成チャンバー内
の露出面に堆積したカーボン膜が剥離して多量のパーテ
ィクルが発生する。このため、基板９の表面にも多くパ
ーティクルが付着し、基板９の表面に多数の突起９０２
が形成されてしまう。このことから、テープバニッシ工
程ですべての突起９０２を除去して平坦化することが困
難になる。また、パーティクルが重なったりして大きな
突起９０２が形成されていると、その突起９０２を除去
する際にそれを引きずって基板９の表面を傷付けたり凹
みを作ったりする問題がある。このような傷や凹みがあ
ると、グライドハイトテストをパスしても次のサーティ
ファイテスト（記録再生テスト）で不良となることが多
い。このようなことから、従来の装置では、不良品の発
生確率が低くできない問題があった。本願の発明は、こ
の課題を解決するためになされたものであり、保護膜作
成チャンバー内のパーティクル発生を効果的に防止した
構成を有する情報記録ディスク用成膜装置を提供するこ
とを目的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、基板の表面に記録用
の磁性膜を作成した後にこの磁性膜の上にカーボンより
なる保護膜を作成して情報記録ディスクを製作する情報
記録ディスク用成膜装置であって、前記保護膜を作成す
る保護膜作成チャンバーを備えており、この保護膜作成
チャンバーは、内部を排気する排気系と、内部に酸素ガ
スを導入する酸素ガス導入系と、導入された酸素ガスに
エネルギーを与えてプラズマを形成するプラズマ形成手
段とを有しており、保護膜作成チャンバー内の前記基板
以外の露出面に堆積したカーボンの膜をアッシングして
除去することが可能となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明
は、上記請求項１の構成において、複数のチャンバーが
気密に一列に接続されたインライン式の装置であって、
これら複数のチャンバーのうちの一つは前記磁性膜を作
成する磁性膜作成チャンバーであるとともに、別の一つ
は前記保護膜作成チャンバーであり、さらに、前記基板
を保持しながらこれら複数のチャンバーに順次搬送する
搬送系が設けられており、この搬送系は、前記アッシン
グを行う際には前記保護膜作成チャンバーから基板を退
避させることが可能となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明
は、上記請求項２の構成において、前記保護膜作成チャ
ンバーの直後又は直前の搬送路上には退避チャンバーが
設けられており、前記搬送系は保護膜作成チャンバーで
の保護膜の作成の後又は前の前記アッシングの際に基板
を退避チャンバーに搬入するものであるという構成を有
する。また、上記課題を解決するため、請求項４記載の
発明は、上記請求項２又は３の構成において、前記複数
のチャンバーは周状に接続されていてこれらチャンバー
を通過する無終端の搬送路が設定されており、前記搬送
系は、基板を保持するキャリアを当該無終端の搬送路に
沿って搬送するものであるとともに、複数のチャンバー
のうちの少なくとも一つはキャリアとの間で基板の着脱
を行う着脱チャンバーであり、さらに、この搬送系は、
全チャンバーの数よりも退避チャンバーの数の分だけ少
ない数のキャリアを備えており、前記アッシングの際に
は基板を保持したキャリアを前記退避チャンバーに移動
させるよう構成されている。また、上記課題を解決する
ため、請求項５記載の発明は、上記請求項４の構成にお
いて、前記保護膜作成チャンバーは、他のチャンバーで
の動作時間よりも少ない時間で保護膜の作成が完了する
よう構成されており、他のチャンバー内ではキャリアが
移動せずに基板がまだ滞留している間に退避チャンバー
と保護膜作成チャンバーとの間でキャリアが移動して前
記アッシングが行われるという構成を有する。また、上
記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、上記請
求項２の構成において、前記保護膜作成チャンバーの直
後又は直前の搬送路上には前記保護膜作成チャンバーと
同じ構成の別の保護膜作成チャンバーが設けられてい
て、前記保護膜作成チャンバーは全保護膜の厚さの半分
の成膜を、当該別の保護膜作成チャンバーは残りの半分
の厚さの成膜を行うものであり、かつ、前記保護膜作成
チャンバーで成膜が行われている際には当該別の保護膜
作成チャンバー内では基板は搬入されずに前記アッシン
グが行われ、当該別の保護膜作成チャンバーに基板が移
動して成膜が行われる際には前記保護膜作成チャンバー
内では基板が搬入されずに前記アッシングが行われるも
のであるという構成を有する。また、上記課題を解決す
るため、請求項７記載の発明は、上記請求項３の構成に
おいて、前記搬送系は、すべてのキャリアを同時に次の
チャンバーに移動させるものであり、前記着脱チャンバ
ーでは、前記アッシングの頻度に応じて基板の着脱作業
を欠落させるよう構成されている。また、上記課題を解
決するため、請求項８記載の発明は、上記請求項１乃至
７の構成において、前記保護膜作成チャンバーは、有機
化合物ガスを導入するプロセスガス導入系を備えてお
り、導入された有機化合物ガスの気相中での分解反応を
利用するプラズマ化学蒸着によって前記カーボンの保護
膜を作成するよう構成されている。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本願発明の第一の実施形態に係
る情報記録ディスク用成膜装置の概略構成を示す平面図
である。本実施形態の装置は、インライン式の成膜装置
になっている。インライン式とは、複数のチャンバーが
一列に縦設され、それらのチャンバーを経由して基板の
搬送路が設定されている装置の総称である。

【００１６】まず、図１を使用して、基板の搬送及びチ
ャンバーレイアウトの一例について概略的に説明する。
本実施形態の装置では、複数のチャンバーが方形の輪郭
に沿って縦設されており、これに沿って方形の搬送路が
設定されている。各チャンバーは、専用又は兼用の排気
系によって排気される真空容器である。各チャンバーの
境界部分には、ゲートバルブ１０が設けられている。基
板９は、キャリア９０に搭載されて搬送されるようにな
っている。

【００１７】複数のチャンバーのうち、方形の一辺に隣
接して配置された二つのチャンバーが、キャリア９０へ
の基板９の搭載を行うロードロックチャンバー１及びキ
ャリア９０からの基板９の回収を行うアンロードロック
チャンバー２になっている。また、方形の他の三辺に配
置されたチャンバーは、各種処理を行う処理チャンバー
になっている。方形の角の部分のチャンバーは、基板９
の搬送方向を９０度転換する方向転換機構を備えた方向
転換チャンバー３になっている。尚、この図１に示す例
では、基板９は時計回りに搬送されて順次処理されるよ
うになっている。

【００１８】次に、各処理チャンバーの構成について、
基板９の搬送の順に説明する。まず、方形の左側の辺の
うちの基板９が一番最初に搬送される処理チャンバー
は、成膜に先だって基板９を所定温度に加熱するプリヒ
ートチャンバー４として構成される。プリヒートチャン
バー４の次に基板９が搬送される処理チャンバーは、下
地膜を作成する第一下地膜作成チャンバー５１になって
いる。下地膜としては、本実施形態では、Ｃｒ膜が作成
されるようになっている。

【００１９】また、第一下地膜作成チャンバー５１の次
に基板９が搬送される処理チャンバーは、磁性膜を作成
する第一磁性膜作成チャンバー５２になっている。磁性
膜としては、本実施形態では、ＣｏＣｒＴａ膜が作成さ
れるようになっている。本実施形態の装置では、磁性膜
を二層にわたって形成できるようになっている。即ち、
方形の搬送路のうちの紙面上上側の辺に設けられた二つ
の処理チャンバーは、第二下地膜作成チャンバー５３及
び第二磁性膜作成チャンバー５４になっている。第二下
地膜作成チャンバー５３は、第一下地膜作成チャンバー
５１と同様にＣｒ膜を下地膜として作成するチャンバー
であり、第二磁性膜作成チャンバー５４は、同様にＣｏ
ＣｒＴａ膜を磁性膜として作成するチャンバーである。
基板９は、第一磁性膜作成チャンバー５２で磁性膜が作
成された後、第二下地膜作成チャンバー５３でさらに下
地膜が作成され、その上にさらに第二磁性膜作成チャン
バー５４で磁性膜が作成されるようになっている。

【００２０】そして、第二磁性膜作成チャンバー５４の
次に基板９が搬送される二つのチャンバーは、本実施形
態の装置の大きな特徴点を成している。即ち、方形の搬
送路の内の右側の辺の三つの処理チャンバーのうち、最
初に基板９が搬送される処理チャンバーは、カーボン保
護膜を作成する保護膜作成チャンバー６であり、この保
護膜作成チャンバー６の次に基板９が搬送されるチャン
バーは、退避チャンバー７となっている。尚、退避チャ
ンバー７の次のチャンバーは予備チャンバー８となって
いる。

【００２１】次に、基板９を搬送する搬送系の構成及び
各チャンバーの構成について、より詳しく説明する。ま
ず、搬送系の構成について説明する。最初に、図２を使
用して、キャリア９０及びこのキャリア９０を移動させ
る構成について説明する。図２は、基板９が搭載される
キャリア９０の構成を示す正面図である。

【００２２】図２に示すキャリア９０は、全体が板状の
部材であり、垂直に立てた姿勢で使用される。本実施形
態では、キャリア９０が二枚の基板９を同時に保持して
搬送できるようになっている。図２に示すように、キャ
リア９０は、二つのほぼ円形の開口を有する。二つの開
口は、同じ高さの位置であり、その直径は基板９よりも
少し大きい。そして、各開口の下側の縁と、左右両側の
縁には、細長い通路が形成されており、この通路内に支
持爪９１，９２が設けられている。

【００２３】開口の下縁に位置する支持爪（以下、下縁
支持爪）９１の先端は、搭載状態の基板９の中心を通る
鉛直な直線上に位置し、基板９の下縁の中央を支持する
ようになっている。また、開口の左右両側の支持爪（以
下、側縁支持爪）９２は、基板９の中心の高さよりも少
し高い位置で基板９の側縁に接触して基板９を押さえる
よう構成されている。図２から分かるように、側縁支持
爪９２は、全体が板バネになっており、開閉棒９３によ
って開閉されるようになっている。

【００２４】図２に示すように、基板９は円形であって
中央に円形の開口（以下、基板開口）を有する。基板９
をキャリア９０に搭載する際には、アーム１１１，２１
１の先端を基板開口に挿入して基板９を保持し、キャリ
ア９０の開口内に基板９を位置させる。そして、アーム
１１１，２１１を少し下方に移動させ、キャリア９０の
開口内で基板９を少し下降させて下縁支持爪９１の上に
載せる。この際、アーム１１１，２１１の移動に連動し
て開閉棒９３が駆動されるようになっており、外側に開
いた姿勢であった側縁支持爪９２が閉じて基板９の側縁
を押さえ付ける。キャリア９０から基板９を回収する際
には、これとは全く逆の動作になる。開閉棒９３によっ
て側縁支持爪９２を開きながら、基板９を保持したアー
ム１１１，２１１を開口内で少し上昇させる。そして、
アーム１１１，２１１を水平方向に移動させて基板９を
キャリア９０から引き抜く。

【００２５】本実施形態の装置では、上記キャリア９０
を磁気カップリングさせながら水平方向に移動させるこ
とで基板９が搬送されるようになっている。具体的に説
明すると、図２に示すように、キャリア９０の下端部に
は小さな磁石（以下、キャリア側磁石）９４が多数設け
られている。各キャリア側磁石９４は、上下の面に磁極
を有している。そしてこのキャリア側磁極９４は、図２
に示すように、配列方向に交互に逆の磁極になってい
る。

【００２６】そして、キャリア９０の下側には、隔壁９
６を挟んで磁気結合ローラ９７が設けられている。磁気
結合ローラ９７は丸棒状の部材であり、図２に示すよう
に、螺旋状に延びる細長い磁石（以下、ローラ側磁石）
９７１を有している。このローラ側磁石９７１は互いに
異なる磁極で二つ設けられており、二重螺旋状になって
いる。磁気結合ローラ９７は、ローラ側磁石９７１が隔
壁９６を挟んでキャリア側磁石９４に向かい合うよう配
置されている。隔壁９６は、透磁率の高い材料で形成さ
れており、キャリア側磁石９４とローラ側磁石９７１と
は、隔壁９６を通して磁気結合している。尚、隔壁９６
のキャリア側の空間は真空側（各チャンバーの内部側）
であり、磁気結合ローラ９７側の空間は大気側である。

【００２７】次に、図３及び図４を使用して、上記磁気
結合ローラ９７によってキャリア９０を移動させる構成
について説明する。図３は、キャリア９０を移動させる
構成を説明する側面概略図、図４はキャリア９０を移動
させる構成を説明する平面概略図である。図３に示すよ
うに、キャリア９０は、水平な回転軸の回りに回転する
主プーリ９５１の上に載せられている。主プーリ９５１
は、キャリア９０の移動方向に沿って多数設けられてい
る。また、キャリア９０の下端部分には、垂直な回転軸
の回りに回転する副プーリ９５２が当接している。この
副プーリ９５２は、キャリア９０の下端部分を両側から
押さえてキャリア９０の転倒を防止している。この副プ
ーリ９５２もキャリア９０の移動方向に多数設けられて
いる。

【００２８】図３及び図４から分かるように、磁気結合
ローラ９７とキャリア側磁石９４とを区画する隔壁９６
は、円筒状の部材になっている。そして、図４に示すよ
うに、二つの磁気結合ローラ９７が隔壁９６内で結合ロ
ッド９７２を介して連結されている。結合ロッド９７２
には傘歯ギヤが設けられており、この傘歯ギヤと噛み合
わさった傘歯ギヤを有する駆動ロッド９７３が配設され
ている。駆動ロッド９７３は、連結ロッドに対して垂直
に延びており、駆動モータ９８に連結されている。尚、
駆動ロッド９７３が配設された空間は大気側である。駆
動ロッド９７３にはベアリングが付設されるが、このベ
アリングの摺動等により発生したゴミに真空雰囲気に放
出されることはない。

【００２９】駆動モータ９８が駆動されると、駆動ロッ
ド９７３が回転し、この回転が傘歯ギヤを介して磁気結
合ローラ９７に伝えられ、磁気結合ローラ９７が回転す
る。磁気結合ローラ９７が回転すると、図２に示す二重
螺旋状のローラ側磁石９７１も回転する。この際、ロー
ラ側磁石９７１が回転する状態は、キャリア側磁石９４
から見ると、交互に異なる磁極の複数の小さな磁石が一
列に並んでその並びの方向に沿って一体に直線移動して
いるのと等価な状態となる。従って、ローラ側磁石９７
１に結合しているキャリア側磁石９４は、ローラ側磁石
９７１の回転とともに直線移動し、この結果、キャリア
９０が全体に直線移動することになる。

【００３０】次に、搬送系全体を制御する構成について
説明する。図５は、搬送系全体を制御する構成の説明図
である。上述した磁気結合ローラ９７、結合ロッド９７
２、駆動ロッド９７３、駆動モータ９８等の組は、各チ
ャンバー１，２，３，４，５１，５２，５３，５４，
６，７，８にそれぞれ設けられている。搬送系全体を制
御する制御部９９は、各チャンバー１，２，３，４，５
１，５２，５３，５４，６，７，８に対して設けられた
駆動モータ９８にそれぞれ信号を送り、各駆動モータ９
８を独立して制御できるようになっている。

【００３１】次に、ロードロックチャンバー１及びアン
ロードロックチャンバー２の構成について説明する。ロ
ードロックチャンバー１内には、搭載用ロボット１１が
設けられている。搭載用ロボット１１は、そのアーム１
１１によって搭載用補助チャンバー１１０から基板９を
一枚ずつ保持してキャリア９０に搭載するよう構成され
ている。また、アンロードロックチャンバー２には、搭
載用ロボット１１と同様の構成の回収用ロボット２１が
設けられている。回収用ロボット２１は、そのアーム２
１１によってキャリア９０から基板９を一枚ずつ保持し
て回収用補助チャンバー２１０内に搬入するよう構成さ
れている。尚、ロードロックチャンバー１及びアンロー
ドロックチャンバー２は、「基板着脱チャンバー」の一
例である。一つのチャンバー内で基板９の搭載と回収を
行うよう構成することもでき、この場合は、基板着脱チ
ャンバーは一つになる。

【００３２】方形の角の部分の四つの方向転換チャンバ
ー３は、前述した通り、基板９の搬送方向を９０度転換
する不図示の方向転換機構を備えている。方向転換機構
の構成については、特開平８−２７４１４２号公報の図
６及び明細書の段落番号００２３乃至００３１の記載を
参考にすることができる。

【００３３】次に、各処理チャンバーの具体的な構成に
ついて説明する。まず、基板９が最初に搬入されるプリ
ヒートチャンバー４の構成について説明する。前述した
プリヒートは、脱ガス即ち基板９の吸蔵ガスを放出させ
る目的で行われる。脱ガスを行わないで成膜を行うと、
成膜時の熱による吸蔵ガスの放出によって膜中に気泡が
形成されたり、発泡によって膜の表面が粗くなったりす
る問題がある。このため、プリヒートチャンバー４で、
基板９を１００〜３００℃程度まで予め加熱するように
なっている。プリヒートチャンバー４は、内部に窒素な
どの不活性ガスを導入する不図示のガス導入系と、搬入
された基板９を加熱する加熱手段が設けられている。加
熱手段としては、通常、赤外線ランプ等の輻射加熱手段
が採用される。

【００３４】次に、下地膜作成チャンバー５１，５３及
び磁性膜作成チャンバー５２，５４の構成について説明
する。下地膜作成チャンバー５１，５３及び磁性膜作成
チャンバー５２，５４は、ともにスパッタリングによっ
て下地膜や磁性膜を作成するようになっている。両チャ
ンバーの構成は、ターゲットの材質が異なるのみであ
り、他の構成は基本的に同じである。以下の説明では、
一例として、磁性膜作成チャンバーの構成を説明する。
図６は、磁性膜作成チャンバー５２，５４の構成を説明
する平面断面概略図である。

【００３５】磁性膜作成チャンバー５２，５４は、内部
を排気する排気系５５と、内部にプロセスガスを導入す
るガス導入系５６と、内部の空間に被スパッタ面を露出
させて設けたターゲット５７と、ターゲット５７にスパ
ッタ放電用の電圧を印加するスパッタ電源５８と、ター
ゲット５７の背後に設けられた磁石機構５９とから主に
構成されている。

【００３６】排気系５５は、クライオポンプ等の真空ポ
ンプを備えて磁性膜作成チャンバー５２，５４内を１０
^-8Ｔｏｒｒ程度まで排気可能に構成される。ガス導入系
５６は、プロセスガスとしてアルゴン等のガスを所定の
流量で導入できるよう構成される。

【００３７】スパッタ電源５８は、ターゲット５７に−
３００Ｖ〜−５００Ｖ程度の負の高電圧を印加できるよ
う構成される。磁石機構５９は、マグネトロン放電を達
成するためのものであり、中心磁石５９１と、この中心
磁石５９１を取り囲むリング状の周辺磁石５９２と、中
心磁石５９１と周辺磁石５９２とをつなぐ板状のヨーク
５９３とから構成される。尚、ターゲット５７や磁石機
構５９は、絶縁ブロック５７１を介して磁性膜作成チャ
ンバー５２，５４に固定されている。磁性膜作成チャン
バー５２，５４は電気的には接地されている。

【００３８】ガス導入系５６によってプロセスガスを導
入しながら排気系５５によって磁性膜作成チャンバー５
２，５４内を所定の圧力に保ち、この状態でスパッタ電
源５８を動作させる。この結果、スパッタ放電が生じて
ターゲット５７がスパッタされ、スパッタされたターゲ
ット５７の材料が基板９に達して基板９の表面に所定の
磁性膜が作成される。例えば、ターゲット５７はＣｏＣ
ｒＴａで形成され、基板９の表面にＣｏＣｒＴａ膜が作
成される。尚、図６から分かるように、ターゲット５
７、磁石機構５９及びスパッタ電源５８の組は、磁性膜
作成チャンバー５２，５４内の基板配置位置を挟んで両
側に設けられており、基板９の両面に同時に磁性膜が作
成されるようになっている。

【００３９】また、図６に示すように、各ターゲット５
７の大きさは、一枚の基板９よりも少し大きい程度とな
っている。キャリア９０は、磁性膜作成チャンバー５
２，５４内で移動し、二枚の基板９が順次ターゲット５
７の正面に位置するようになっている。即ち、最初は搬
送方向前方の基板９がターゲット５７の正面に位置する
状態となってこの基板９に成膜が行われる。そして、そ
の後、所定距離前進して搬送方向後方の基板９がターゲ
ット５７の正面に位置する状態となり、この基板９への
成膜が行われる。

【００４０】次に、本願実施形態の情報記録ディスク用
成膜装置の大きな特徴点を成す保護膜作成チャンバー６
について説明する。図７は、保護膜作成チャンバー６の
構成を説明する平面概略図である。保護膜作成チャンバ
ー６は、内部を排気する排気系６１と、内部にプロセス
ガスを導入するガス導入系６２と、導入されたプロセス
ガスにエネルギーを与えてプラズマを形成するプラズマ
形成手段６３とから主に構成されている。

【００４１】排気系６１は、ターボ分子ポンプ等の真空
ポンプを備えて保護膜作成チャンバー６内を１０^-7Ｔｏ
ｒｒ程度まで排気可能に構成される。ガス導入系６２
は、プロセスガスとしてＣＨ₄ と水素の混合ガスを所定
の流量で導入できるよう構成される。

【００４２】プラズマ形成手段６３は、導入されたプロ
セスガスに高周波放電を生じさせてプラズマを形成する
ようになっている。プラズマ形成手段６３は、具体的に
は、保護膜作成チャンバー６内に設けられた高周波電極
６３１と、高周波電極６３１に整合器６３２を介して高
周波電力を供給する高周波電源６３３とから主に構成さ
れている。

【００４３】高周波電極６３１は、内部が空洞になって
おり、前面にガス吹き出し孔が多数形成されている。ガ
ス導入系６２の配管は、高周波電極６３１に接続されて
おり、プロセスガスは高周波電極６３１の内部空間にい
ったん溜まった後、ガス吹き出し孔から均一に吹き出す
ようになっている。尚、高周波電極６３１は、絶縁ブロ
ック６３４を介して保護膜作成チャンバー６に固定され
ている。保護膜作成チャンバー６は電気的には接地され
ている。

【００４４】高周波電源６３３は、例えば１３．５６Ｍ
Ｈｚ５００Ｗ程度の高周波電力の高周波電極６３１に供
給するようになっている。供給された高周波電力によっ
て、高周波電源の前方の空間に高周波電界が設定され、
プロセスガスに高周波放電が生じる。この結果、プロセ
スガスのプラズマＰが形成される。プラズマＰ中では、
ＣＨ₄ ガスの分解反応が生じて、基板９の表面にカーボ
ンが析出し、カーボン保護膜が作成されるようになって
いる。

【００４５】また、本実施形態の装置では、成膜中に基
板９にバイアス電圧を与えることができるようになって
いる。バイアス電圧は、プラズマ中のイオンを引き出し
て基板９をイオン衝撃するために与えられる。具体的に
は、図７に示すように、保護膜作成チャンバー６の外に
は負の直流電源６４１及び高周波電源６４２が設けられ
ており、スイッチ６４３によって切り替えられるように
なっている。スイッチ６４３に接続された線路６４４
は、保護膜作成チャンバー６の壁を気密に貫通し、保護
膜作成チャンバー６内に達している。線路６４４の先端
には、板バネ又は開閉アーム等で構成された可動接点６
４５が設けられており、可動接点６４５がキャリア９０
に接触することにより、キャリア９０を介して基板９に
負の直流電圧又は高周波電圧が印加されるようになって
いる。

【００４６】尚、高周波電圧を印加する場合、高周波電
源６４２と基板９との間には適当なキャパシタンスが与
えられ、キャパシタンスを介して高周波が基板９に印加
される。印加された高周波とプラズマＰとの相互作用に
おり、基板９には負の自己バイアス電圧が生ずる。ま
た、図２に示すように、キャリア９０は、絶縁ブロック
９０５を挟んで金属製の上側ブロック９０６と下側ブロ
ック９０７とに区分される。上記可動接点６４５は、上
側ブロック９０６に接触することになっている。従っ
て、キャリア側９４等を備えた下側ブロック９０７には
電圧は印加されないようになっている。

【００４７】負の直流電圧又は負の自己バイアス電圧
は、プラズマＰ中から正イオンを引き出して基板９を衝
撃する作用を有する。基板９がイオン衝撃されると、そ
のエネルギーが成膜に利用され、膜の構造が緻密になっ
たり、成膜速度が向上したりすいる効果がある。負の直
流電源６４１及び高周波電源６４２の具体例について説
明すると、負の直流電源６４１としては−１５０Ｖ程度
の出力のもの、高周波電源６４２としては１３．５６Ｍ
Ｈｚ５０Ｗ程度の出力のものが使用される。

【００４８】次に、保護膜作成チャンバー６における具
体的な成膜条件を説明する。具体的な成膜条件として
は、以下の条件が挙げられる。ＣＨ₄ ガス：２０ｃｃ／分水素ガス：１００ｃｃ／分保護膜作成チャンバー６内の圧力：２Ｐａ高周波電力：１３．５６ＭＨｚ４００Ｗ（×２）成膜速度：１０〜１５オングストローム／秒成膜時間：３．５〜５秒

【００４９】尚、高周波電極６３１は、図２に示すキャ
リア９０に保持された二枚の基板９を覆う大きさとなっ
ている。従って、二枚の基板９を覆う大きさのプラズマ
が形成され、二枚の基板９に対して同時にカーボン保護
膜の作成が行えるようになっている。また、高周波電極
６３１、整合器６３２及び高周波電源６３３の組は、二
枚の基板９の両側に設けられており、二枚の基板９の両
面に同時にカーボン保護膜が作成できるようになってい
る。

【００５０】さて、本実施形態の装置の大きな特徴点
は、保護膜作成チャンバー６が酸素プラズマを形成でき
るようになっている点である。即ち、保護膜作成チャン
バー６のガス導入系６２は、プロセスガスととともに酸
素ガスを選択的に導入できるようになっている。導入さ
れた酸素ガスは、プロセスガスの場合と同様にプラズマ
形成手段によってエネルギーが与えられ、酸素プラズマ
が形成されるようになっている。酸素プラズマの形成
は、保護膜作成チャンバー６内でのパーティクル発生防
止の課題と密接に関連している。即ち、本実施形態で
は、保護膜作成チャンバー６内の露出面に堆積したカー
ボン膜を酸素プラズマによってアッシング除去するよう
になっている。

【００５１】具体的に説明すると、酸素ガスを導入して
酸素プラズマを形成すると、プラズマ中では酸素イオン
や励起酸素（酸素活性種）等が盛んに生成される。一
方、保護膜作成チャンバー６内の露出面に堆積するカー
ボン膜は、基板９の表面のカーボン保護膜と同様に、水
素を含んだ膜である。即ち、Ｃ−Ｃ結合の他に、Ｃ−Ｈ
結合を含んだ膜である。このようなカーボン膜に化学的
な活性な酸素イオンや励起酸素が触れると、Ｃ−Ｃ結合
やＣ−Ｈ結合は以下のような機構により分解される。Ｏ₂ →２Ｏ^* （又は２Ｏ^- ）（Ｃ−Ｃ）＋４Ｏ^* （又は４Ｏ^- ）→２ＣＯ₂ （又は２
ＣＯ＋Ｏ₂ ）（Ｃ−Ｈ）＋２Ｏ^* （又は２Ｏ^- ）→ＣＯ＋Ｈ₂ Ｏ

【００５２】分解によって生じたＣＯ₂ ，ＣＯ，Ｏ₂ ，
Ｈ₂ Ｏはいずれもガスであり、排気系６１によって保護
膜作成チャンバー６から排出される。従って、十分な量
の酸素プラズマを形成してカーボン膜を酸素プラズマに
晒すとともに、排気系６１の排気速度を十分確保するこ
とによって、カーボン膜を保護膜作成チャンバー６から
取り除くことができる。

【００５３】具体的なアッシングの条件を挙げると、以
下の通りとなる。酸素ガスの流量：１５０ｃｃ／分保護膜作成チャンバー６内の圧力：１５Ｐａ高周波電力：１３．５６ＭＨｚ５００Ｗ（×２）排気系６１の排気速度：６０００リットル／分上記条件でアッシングを行うと、６００オングストロー
ム毎分程度のエッチング速度、即ち、６００オングスト
ロームの厚さのカーボン膜を１分程度の時間で除去する
ことが可能である。

【００５４】さて、本実施形態の装置の別の大きな特徴
点は、上記アッシングの際、基板９は保護膜作成チャン
バー６から退避チャンバー７に退避させるようになって
いる点である。退避チャンバー７は、本実施形態では、
排気系６１が備えられた真空容器であり、特定の処理の
ための手段は設けられていない。退避チャンバー７は、
排気系６１によって常時５×１０^-7Ｔｏｒｒ程度に排気
される。

【００５５】アッシング時の退避チャンバー７への基板
９の退避は、前述した搬送系の制御部９９の構成によっ
て達成されている。即ち、前述したように、搬送系の制
御部９９は、各駆動モータ９８を独立して制御できるよ
うになっており、この制御を最適化することにより、ア
ッシングを行う際に基板９を保護膜作成チャンバー６か
ら基板９を退避させている。搬送系全体の動作を説明し
ながら、この点を図８を使用して更に詳しく説明する。
図８は、アッシングを行う際の基板９の退避動作の説明
図である。

【００５６】前述したように、基板９はロードロックチ
ャンバー１内でキャリア９０に搭載され、キャリア９０
が各チャンバーに順次搬送されることによって処理が行
われる。そして、キャリア９０がアンロードロックチャ
ンバー２に達すると処理済みの基板９がキャリア９０か
ら回収される。そして、このキャリア９０はロードロッ
クチャンバー１に移動して次の基板９の保持に使用され
る。また、図１に示すように、一つのキャリア９０が位
置しているチャンバーの後ろのチャンバーには別のキャ
リア９０が位置しており、各チャンバー毎に一つのキャ
リア９０が位置し、これが全体に回転するよう動作す
る。

【００５７】本実施形態のような装置では、アンロード
ロックチャンバー２において一つのキャリア９０から処
理済みの二枚の基板９が回収されてから次のキャリア９
０の二枚の基板９が回収されるまでの時間が、タクトタ
イムとされる。タクトタイムは、各チャンバーでの動作
のうち最も長く掛かるものの時間（以下、ＰＴ）によっ
て決まる。例えば、磁性膜作成チャンバー５２，５４で
の磁性膜作成処理動作に最も長い時間を要する場合、こ
の時間に次のチャンバーへの搬送時間（以下、ＴＴ）を
加えた時間がタクトタイムとなる。尚、次のチャンバー
への移動時間がチャンバーによって異なる場合、最も時
間のかかるものがＴＴとなり、ＰＴ＋ＴＴがタクトタイ
ムになる。そして、ＰＴやＴＴよりも短い時間で動作や
移動が完了するチャンバーでは、キャリア９０は待機状
態を取る。

【００５８】上述した動作において、各キャリア９０
は、タクトタイムの時間毎に同時に次のチャンバーへ移
動される。つまり、図５に示す搬送系の制御部９９は、
ＰＴの時間が経過した際に全ての駆動モータ９８を同時
に駆動信号を送って動作させ、ＴＴの時間で全てのキャ
リア９０を同時に次のチャンバーに送るよう制御する。
但し、上記搬送系の制御部９９の動作には、以下のよう
な例外がある。この点を図８を使用して説明する。ま
ず、図１から分かるように、本実施形態においては、チ
ャンバーの数よりも一つ少ない数のキャリア９０が使用
されている。そして、キャリア９０が位置しない“空”
の状態は、保護膜作成チャンバー６か退避チャンバー７
かのいずかに限定される。

【００５９】さらに詳しく説明すると、図８（１）に示
すように、特定のキャリア９０が保護膜作成チャンバー
６に到達し、保護膜作成チャンバー６内で前述した通り
プラズマＣＶＤによりカーボン保護膜が作成されている
際には、退避チャンバー７は空の状態であり、内部にキ
ャリア９０が存在しないようになっている。そして、カ
ーボン保護膜の作成が終了すると、制御部９９は、保護
膜作成チャンバー６の駆動モータ９８と退避チャンバー
７の駆動モータ９８とを動作させ、図８（２）に示すよ
うに、キャリア９０は保護膜作成チャンバー６から退避
チャンバー７に送られる。この際、制御部９９は、この
二つの駆動モータ９８以外の駆動モータ９８は動作せ
ず、このキャリア９０以外のキャリア９０は全く移動し
ない。

【００６０】そして、保護膜作成チャンバー６と退避チ
ャンバー７との間のゲートバルブ１０を閉じた後、保護
膜作成チャンバー６のガス導入系６２のバルブが切り替
えられ、保護膜作成チャンバー６内に酸素ガスが導入さ
れる。そして、前述したように、酸素プラズマによるカ
ーボン膜のアッシングが行われる。

【００６１】その後、搬送系の制御部９９は、すべての
駆動モータ９８に駆動信号を送ってキャリア９０を次の
チャンバーに送る。この結果、図８（３）に示すよう
に、保護膜作成チャンバー６には次のキャリア９０が搬
入され、退避チャンバー７にあったキャリア９０は予備
チャンバー８に移動する。そして、退避チャンバー７が
空の状態で、次のキャリア９０に保持された基板９に対
してカーボン保護膜の作成が行われる。

【００６２】上記説明から分かるように、保護膜作成チ
ャンバー６内での一回のカーボン保護膜作成動作のたび
毎にアッシング動作が行われる。つまり、アッシング処
理が最も高い頻度で行われ、保護膜作成チャンバー６内
の露出面へのカーボン膜の堆積量が多くならないうちに
アッシングがされることになる。このため、パーティク
ルの発生が最も効果的に防止される。

【００６３】そして、さらに重要なことは、アッシング
の際には基板９は保護膜作成チャンバー６内には位置し
ないので、基板９が酸素プラズマに晒されることはな
い。基板９が酸素プラズマに晒される構成の場合、カー
ボン保護膜作成後であればカーボン保護膜がアッシング
されてしまう結果となる。また、カーボン保護膜作成前
であれば、磁性膜の表面が酸素プラズマによって酸化さ
れたりエッチングされたりする問題が発生する。

【００６４】尚、一回のカーボン保護膜作成のたび毎に
アッシングを行う構成としては、キャリア９０の数をチ
ャンバーの数の半分とし、全ての駆動モータ９８をタク
トタイム毎に同時に動作させて全てのキャリア９０を同
時に移動させていく構成が考えられる。このような構成
の場合、各駆動モータ９８を独立して制御する必要性は
ない。しかしながら、キャリア９０の数を半分にする
と、装置に搭載できる基板９の数も半分になってしま
い、生産性も半分に落ちてしまう。

【００６５】一方、本実施形態では、一つの退避チャン
バー７を設けるとともに全チャンバー数に比べてキャリ
ア９０数を一つだけ少なくしているので、生産性の低下
は全くない。この点は、保護膜作成チャンバー６の処理
能力も関連している。即ち、前述したように、保護膜作
成チャンバー６では、二枚の基板９を覆うようにプラズ
マを形成することで二枚の基板９を同時に成膜してい
る。一方、磁性膜作成チャンバー５２，５４や下地膜作
成チャンバーでは成膜は一枚ずつであるので、これと比
べると、倍の処理能力になっている。

【００６６】そして、本実施形態では、保護膜作成チャ
ンバー６でのカーボン保護膜の作成処理の時間（ｃｖ
ｄ）と、保護膜作成チャンバー６から退避チャンバー７
へのキャリア９０の移動時間（ｔｒ’）と、アッシング
処理の時間（ａｓ）とを加えた、ｃｖｄ＋ｔｒ１＋ａｓ
とが、前述したＰＴ＋ＴＴになるようにしている。この
点を図９を使用しながら、より具体的な数値で説明す
る。図９は、第一の実施形態の装置におけるタクトタイ
ムの説明図である。このうち、図９（１）は、磁性膜作
成チャンバー５２，５４におけるタクトタイムの内訳
を、（２）は保護膜作成チャンバー６及び退避チャンバ
ー７におけるタクトタイムの内訳を示している。

【００６７】例えば一時間あたり４５０枚の処理能力を
有する装置では、タクトタイムは１６秒（（６０×６
０）／（４５０／２）＝１６）になる。磁性膜作成チャ
ンバー５２，５４における１６秒のタクトタイムの使用
の内訳は、図９（１）に示すように、キャリア９に保持
された一枚目の基板９の成膜の時間（ＳＰ１）が５．５
秒、二枚目の基板９への成膜のためのチャンバー５２，
５４内でのキャリア９０の移動のための時間（ｔｒ”）
が１秒、二枚目の基板９の成膜の時間（ＳＰ２）が５．
５秒、全てのキャリア９０が同時に移動する時間（前述
したＴＴ）が４秒で、合計１６秒である。また、保護膜
作成チャンバー６及び退避チャンバー７では、図９
（２）に示すように、ｃｖｄは５秒、ｔｒ’は４秒、ａ
ｓは３秒、ＴＴは前記と等しく４秒である。

【００６８】この説明から分かるように、本実施形態で
は、保護膜作成チャンバー６の処理能力を倍加させるこ
とで、保護膜作成チャンバー６での一連の処理と退避チ
ャンバー７への基板９の退避動作とを１タクトとしてい
る。このため、生産性を全く落とすことなく、アッシン
グの頻度を最も高くすることが可能になっている。

【００６９】図１０は、第一の実施形態の装置の効果を
確認した実験の結果を示す図である。この実験では、上
記第一の実施形態の装置を用い、直径３．５インチの基
板に対してカーボン保護膜の作成を行った後、その基板
の表面における直径１μｍ以上のパーティクルの存在数
を測定した。尚、図１０中の縦軸はパーティクルの個
数、横軸は装置の運転開始からの日数を示す。装置の運
転能力としては、ともに一日に一万枚程度の基板を処理
する能力があるものが使用された。

【００７０】図１０から分かるように、アッシングを行
わない従来の装置では、わずか一日の装置の運転の間に
パーティクル数は１００個近くまで達した。このように
多数のパーティクルが付着していると、図１３に示す突
起９０２が多数形成されたり大きな突起９０２が形成さ
れたりするため、グライドハイトテスト不良になる確率
が高い。これに対し、本実施形態の装置によれば、４日
程度の処理日数の間、パーティクルは数個程度に抑えら
れている。この程度の数のパーティクルによる突起９０
２であれば、グライドハイトテスト前のテープバニッシ
工程で完全に除去できるので、グライドハイトテスト不
良となることはない。

【００７１】尚、上述した第一の実施形態の構成におい
て、退避チャンバー７は保護膜作成チャンバー６の手前
の搬送路上に設けられていてもよい。この場合、あるタ
クトが終わって次のタクトに移った際、退避チャンバー
７内にキャリア９０が位置し、基板保護膜作成チャンバ
ー６は空の状態である。そして、最初に保護膜作成チャ
ンバー６内でアッシング処理が行われ、その後、退避チ
ャンバー７にあったキャリア９０が保護膜作成チャンバ
ー６に移動する。そして、後半の時間で、保護膜の作成
が行われる。これで１タクトが終了し、全てのゲートバ
ルブ１０が開いて全てのキャリア９０が次のチャンバー
に移動する。この結果、再び、退避チャンバー７にキャ
リア９０が位置し、保護膜作成チャンバー６が空とな
る。そして、上記動作を繰り返す。

【００７２】また、保護膜作成チャンバー６が複数設け
られる場合、それに応じて退避チャンバー７も増やすよ
うにする。即ち、各保護膜作成チャンバー６の手前側又
は後ろ側に退避チャンバー７を設けるようにする。

【００７３】尚、保護膜作成チャンバー６の隣りに退避
チャンバー７が設けられる構成は必須のものではない。
退避チャンバー７が保護膜作成チャンバー６から離れて
いる場合、その退避チャンバー７と保護膜作成チャンバ
ー６との間に設けられた各チャンバー内に位置するキャ
リア９０のみを同時に移動させることで、保護膜作成チ
ャンバー６内を空にすることができる。保護膜作成チャ
ンバー６の隣りに退避チャンバー７が設けられる場合、
保護膜作成チャンバー６を空にするために独立して駆動
させる駆動モータ９８の数が少なくなるので、制御系の
構成としては簡易になる。

【００７４】次に、本願発明の第二の実施形態について
説明する。図１１は、本願発明の第二の実施形態に係る
情報記録ディスク用成膜装置の概略構成を示す平面図で
ある。この第二の実施形態の装置は、退避チャンバー７
が保護膜作成チャンバー６に変更されている点で第一の
実施形態の装置と異なっている。即ち、第二の実施形態
では、保護膜作成チャンバー６が連続して二つ設けられ
ている。その他の構成は、第一の実施形態と同様であ
る。

【００７５】二つの保護膜作成チャンバー６は、図７に
示すものと全く同一の構成である。即ち、ＣＨ4 と水素
の混合ガスのプラズマＣＶＤによってカーボン保護膜が
作成できるようになっているとともに、チャンバー内の
露出面のカーボン膜を酸素プラズマによってアッシング
できるようになっている。

【００７６】本実施形態の装置は、以下のように動作す
る。即ち、搬送方向手前側の保護膜作成チャンバー（以
下、第一保護膜作成チャンバー）６にキャリア９０が搬
入される際、搬送方向後ろ側の保護膜作成チャンバー
（以下、第二保護膜作成チャンバー）６０にあったキャ
リア９０は補助チャンバー８に移動してしまっており、
第二保護膜作成チャンバー６０は空である。

【００７７】この状態で、１タクト分の処理が始まる。
即ち、第一保護膜作成チャンバー６内ではＣＨ₄ と水素
の混合ガスが導入され、基板９に対するカーボン保護膜
の作成処理が行われる。また同時に、空になっている第
二保護膜作成チャンバー６０では、酸素ガスが導入され
てアッシング処理が行われる。これらの保護膜作成処理
及びアッシング処理は、１タクト分の時間よりも少し短
い時間で終了するようになっている。これらの保護膜作
成処理及びアッシング処理が終了した後、保護膜作成チ
ャンバー６と第二保護膜作成チャンバー６０との間のゲ
ートバルブ１０のみが開き、第一保護膜作成チャンバー
６と第二保護膜作成チャンバー６０の駆動モータ９８の
みが駆動され、第一保護膜作成チャンバー６にあった基
板９が第二保護膜作成チャンバー６０に移動する。

【００７８】そして、次のタクトに移る前に、全てのゲ
ートバルブ１０が開き、全ての駆動モータ９８が動作し
て全てのキャリア９０が次のチャンバーに移動する。こ
の結果、再び、第一保護膜作成チャンバー６内に次のキ
ャリア９０が位置し、第二保護膜作成チャンバー６０が
空の状態となる。

【００７９】以上の動作を、説明の便宜上「動作Ａ」と
呼ぶ。動作Ａの次のタクトでは、多少異なった動作をす
る。この動作を「動作Ｂ」と呼ぶ。具体的には、第一保
護膜作成チャンバー６と第二保護膜作成チャンバー６０
との間のゲートバルブ１０が開き、第一保護膜作成チャ
ンバー６に搬入されたキャリア９０をそのまま第二保護
膜作成チャンバー６０に移動させる。そして、ゲートバ
ルブ１０を閉じた後、第一保護膜作成チャンバーではア
ッシング処理を行い、第二保護膜作成チャンバーでは保
護膜作成処理が行われる。

【００８０】所定時間処理を行った後、次のタクトに移
る前に、全てのゲートバルブ１０が開き、全てのキャリ
ア９０が次のチャンバーに移動する。この結果、再び、
第一保護膜作成チャンバー６に次のキャリア９０が搬入
され、第二保護膜作成チャンバー６０が空の状態とな
る。

【００８１】そして、今度は、上述した動作Ａが行われ
る。動作Ａのタクトが終わったら、次のタクトでは動作
Ｂを行う。このように、本実施形態の装置では、動作Ａ
と動作Ｂとをタクト毎に交互に繰り返して行うようにな
っている。つまり、第一第二の保護膜作成チャンバー
６，６０では二回のタクトのうちの一回を保護膜作成に
利用し、一回をアッシング処理に利用している。第一の
実施形態のように、退避チャンバー７での退避動作のよ
うな無駄な時間がない。１タクトの時間をフルに使っ
て、成膜とアッシングとを行っている。従って、第一の
実施形態のようにカーボン保護膜の作成能力を倍加させ
る必要がなく、作成能力の倍加が困難な場合に好適であ
る。また、アッシングに比較的長い時間を要する場合に
特に効果的な構成となる。

【００８２】尚、第二の実施形態の装置の動作として
は、第一保護膜作成チャンバー６では最終的に作成すべ
きカーボン保護膜の厚さの半分の厚さの成膜を行い、第
二保護膜作成チャンバー６０で残りの半分の厚さの成膜
を行うようにしてもよい。第一の保護膜作成チャンバー
６で半分の厚さの成膜を行っている時、第二保護膜作成
チャンバー６０は空にされ、アッシング処理が行われ
る。そして、１タクトの半分が経過する前にキャリア９
０が第二保護膜作成チャンバー６０に移動する。そし
て、１タクトの残りの半分の時間を使って第一保護膜作
成チャンバー６ではアッシング処理が行われ、第二保護
膜作成チャンバー６０で残りの半分の厚さの成膜が行わ
れる。

【００８３】次に、本願発明の第三の実施形態について
説明する。図１２は、本願発明の第三の実施形態に係る
情報記録ディスク用成膜装置の概略構成を示す平面図で
ある。この実施形態の装置では、チャンバーの数に比べ
てキャリア９０の数が二つ少なくなっている。図１２に
示すように、六つの連続したチャンバー内にキャリア９
０が位置し、七つ目のチャンバーにはキャリア９０が位
置しない状態となるようになっている。尚、各チャンバ
ーのレイアウトは、図１１に示す第二の実施形態と同様
となっている。

【００８４】この図１２に示す装置では、各駆動モータ
９８は独立して制御されず、全て同じタクトタイムで同
時に動作する。例えば、図１２に示すように、左下の方
向転換チャンバー３内と右上の方向転換チャンバー３内
にキャリア９０が位置せず、空の状態であるとする。

【００８５】この状態で１タクト分だけ時間が経過する
と、全キャリア９０が全体に前方のチャンバーに移動す
るから、プリヒートチャンバー４と第一保護膜作成チャ
ンバー６とが空の状態となる。空となった第一保護膜作
成チャンバー６では、前述した通り、酸素プラズマによ
るアッシングが行われる。第二保護膜作成チャンバー６
では、キャリア９０が搬入されており、カーボン保護膜
の作成処理が行われる。

【００８６】さらに１タクト分だけ時間が経過すると、
第一下地膜作成チャンバー５１と第二保護膜作成チャン
バー６が空の状態となる。従って、第二保護膜作成チャ
ンバー６ではアッシングが行われ、第一保護膜作成チャ
ンバー６ではカーボン保護膜の作成処理が行われる。
尚、第一第二の保護膜作成チャンバー６での成膜処理
は、第二実施形態と同様に、半分ずつの膜厚である。

【００８７】そして、さらに５タクト分経過すると、全
キャリア９０が半周分移動したことになり、再び第一保
護膜作成チャンバー６が空の状態になる。そして、上記
と同様の動作を繰り返す。つまり、第一第二の保護膜作
成チャンバー６では７タクトに１回だけアッシングの動
作が行われる。尚、当然であるが、ロードロックチャン
バー１が空になったタクトの時間帯では搭載用ロボット
１１は動作せず、アンロードロックチャンバー２が空に
なったタクトの時間帯では回収用ロボット２１は動作し
ない。

【００８８】上記構成及び動作に係る本実施形態の装置
では、駆動モータ９８を独立して制御する必要はなく全
キャリア９０を同時に移動させる制御で足りる。従っ
て、搬送系の制御部９９の構成が簡略化になる。キャリ
ア９０が二つ減っていることから、第一第二の実施形態
に比べるとこの分だけ生産性が落ちるが、特に問題が無
い範囲であれば、制御部９９の構成が簡略化されるメリ
ットが大きい本実施形態の構成は実用的である。

【００８９】この第三の実施形態の構成において、磁性
膜作成チャンバー５２，５４や下地膜作成チャンバー５
１，５３が空の状態になる場合、ガス導入系５６やスパ
ッタ電源５８は動作させず、スパッタは行わない。ま
た、プリプリヒートチャンバー４が空の状態になった
際、加熱手段を停止させることも考えられるが、次にキ
ャリア９０が搬入された際、チャンバー内の温度が低下
してしまっているので、加熱手段の動作を開始しても加
熱条件の再現性が得られない問題がある。また一方、加
熱手段を同一の条件で常時動作させることも考えられる
が、キャリア９０が無い状態ではプリヒートチャンバー
４内の熱容量が小さくなってしまっている。このため、
プリヒートチャンバー４が空になった時間帯に温度が上
昇し、次にキャリア９０が搬入された際の基板９の加熱
効率が高くなってしまい、この場合も加熱条件の再現性
の点で問題が生ずる。

【００９０】最も実用的なのは、プリヒートチャンバー
４が空になることによる熱容量の減少を補償しうるよう
加熱手段の動作を制御することである。つまり、プリヒ
ートチャンバー４が空になってもプリヒートチャンバー
４内の雰囲気温度が変化しない加熱条件を予め実験的に
求めておき、この条件で加熱手段を動作させるようにす
る。例えば、加熱手段が輻射加熱ランプである場合、通
常の８０％程度の電力で動作させると、プリヒートチャ
ンバー４内の雰囲気温度が一定にできる。そして、次に
キャリア９０が搬入された際、１００％の電力に戻すよ
うにする。

【００９１】尚、上記第三の実施形態において、キャリ
ア９０の数をチャンバーの数と同じにしていもよい。そ
して、搭載用ロボット１１と回収用ロボット２１の動作
を制御して、７つ目のキャリア９０が常に基板９を保持
しないよう構成しても良い。

【００９２】上記説明では、カーボン保護膜の作成方法
として、ＣＨ₄ と水素の混合ガスによるプラズマＣＶＤ
を挙げたが、ＣＨ₄ ガスのみを用いても実施可能であ
る。また、トルエン等の他の有機化合物ガスを用いる場
合もある。さらに、プラズマＣＶＤ以外の熱ＣＶＤ等に
よって実施可能であるし、カーボン製のターゲット５７
を使用したスパッタによってもカーボン保護膜の作成は
可能である。スパッタの場合、ターゲットが酸素プラズ
マによってエッチングされてしまう恐れがあるので、ア
ッシングを行う場合には放電シールドで覆ってターゲッ
トにプラズマを遮蔽するようにするとよい。

【００９３】また、チャンバーレイアウトの例として
は、前述した方形のレイアウトの他、複数のチャンバー
が一直線上に並んだレイアウトでもよい。この場合、搬
送路の終端に設けられたアンロードロックチャンバーか
ら前端のロードロックチャンバーまでキャリアを戻す構
成が採用される。尚、プラズマを形成する手段として
は、高周波放電を用いる構成の他、直流二極放電を用い
る方法もある。また、磁性膜の例としては、前述したＣ
ｏＣｒＴａの他、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ等が
ある。さらに、保護膜作成チャンバー６のガス導入系６
２は、ＣＨ₄ の他、Ｃ₂Ｈ₆やＣ₂Ｈ₈等のガスを導入する
よう構成される場合もある。

【００９４】

【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項１記載
の発明によれば、保護膜作成チャンバー６内の露出面に
堆積したカーボン膜が酸素プラズマによってアッシング
されて除去されるので、カーボン膜の剥離によるパーテ
ィクル発生が未然に防止される。このため、カーボン保
護膜の局所的な膜厚異常に起因する製品不良の発生が防
止される。また、請求項２記載の発明によれば、上記効
果に加え、アッシングの際に基板が保護膜作成チャンバ
ーから退避されるので、酸素プラズマによる基板の汚損
や損傷が防止される。また、請求項５記載の発明によれ
ば、上記効果に加え、生産性を低下させることなくアッ
シングを行うことができる。また、請求項６記載の発明
によれば、上記効果に加え、二つの保護膜作成チャンバ
ーで交互にカーボン保護膜の作成とアッシングが行える
ので、生産性を低下させることなく成膜とアッシングと
を十分に行うことができる。生産性を低下させることな
くアッシングを行うことができる。また、請求項７記載
の発明によれば、すべてのキャリアを同時に動かすの
で、搬送系の制御部の構成が簡略化される。また、請求
項８記載の発明によれば、有機化合物ガスを使用したＣ
ＶＤによりカーボン保護膜が作成されるので、より硬い
カーボン保護膜となり、次世代の情報記録ディスク用と
して最適なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の第一の実施形態に係る情報記録ディ
スク用成膜装置の概略構成を示す平面図である。

【図２】基板９が搭載されるキャリア９０の構成を示す
正面図である。

【図３】キャリア９０を移動させる構成を説明する側面
概略図である。

【図４】キャリア９０を移動させる構成を説明する平面
概略図である。

【図５】搬送系全体を制御する構成の説明図である。

【図６】磁性膜作成チャンバー５２，５４の構成を説明
する平面断面概略図である。

【図７】保護膜作成チャンバー６の構成を説明する平面
概略図である。

【図８】アッシングを行う際の基板９の退避動作の説明
図である。

【図９】第一の実施形態の装置におけるタクトタイムの
説明図である。

【図１０】第一の実施形態の装置の効果を確認した実験
の結果を示す図である。

【図１１】本願発明の第二の実施形態に係る情報記録デ
ィスク用成膜装置の概略構成を示す平面図である。

【図１２】本願発明の第三の実施形態に係る情報記録デ
ィスク用成膜装置の概略構成を示す平面図である。

【図１３】従来の情報記録ディスク用成膜装置の要部の
構成を示す正面概略図である。

【図１４】パーティクルの付着の問題を説明した断面概
略図である。

【符号の説明】１０ゲートバルブ１ロードロックチャンバー２アンロードロックチャンバー３方向転換チャンバー４プリヒートチャンバー５１第一下地膜作成チャンバー５２第一磁性膜作成チャンバー５３第二下地膜作成チャンバー５４第二磁性膜作成チャンバー６保護膜作成チャンバー６１排気系６２ガス導入系６３プラズマ形成手段６３１高周波電極６３３高周波電源７退避チャンバー９基板９０キャリア９４キャリア側磁石９７磁気結合ローラ９７１ローラ側磁石９８駆動モータ９９制御部

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年２月８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項５

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項６

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】尚、カーボン膜は、アモルファス状のカー
ボン膜と結晶化したカーボン膜に大きく分けられる。そ
して、結晶化したカーボン膜は通常グラファイトカーボ
ン膜であるが、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）
膜と呼ばれるものがある。ＤＬＣ膜は、一般的には、ダ
イヤモンドに類似した構造のカーボン膜を意味する。例
えば、ＣＨ_４等の炭化水素化合物ガスを用いたプラズ
マＣＶＤによるカーボン膜の作成において、負イオン衝
撃によってエネルギーを与えると、Ｃ−Ｈ結合及びＣの
二重結合が減少してＣ単結合が多くなり、ダイヤモンド
構造の割合が高くなる。即ち、ＤＬＣ膜の構造が得られ
る。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１０】カーボン保護膜９０１の表面にパーティク
ルが付着したり、パーティクルが付着した状態でカーボ
ン保護膜９０１を堆積させたりすると、図１４に示すよ
うに、突起９０２が形成されてしまう。突起９０２が形
成されると、ヘッドクラッシュとか信号エラー等の問題
が生じやすい。そこで、カーボン保護膜９０１の作成
後、基板９を軽く表面研磨処理するテープバニッシ工程
を行い、その後、グライドハイトテスト（Glide Height
Test）と呼ばれる試験にかけている。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】グライドハイトテストは、図１４に示すよ
うに、検査治具９０３の先端を基板９０１の表面から所
定の短い距離を保って走査する試験である。パーティク
ルの付着によって突起９０２が形成されていると、検査
治具９０３の先端がカーボン保護膜９０１に接触してし
まう。検査治具９０３は、接触による短絡電流を検出す
る等の検出回路を有しており、突起９０２が形成されて
いないかどうかを検査できるようになっている。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】上述したパーティクルの大きさは、直径
０．１〜０．５μｍ程度であり、従って、突起９０２の
高さもこの程度である。一方、グライドハイトテストに
おける検査治具９０３の先端と基板９の表面との距離ｄ
は、現在、１μインチ（２５４オングストローム）に決
められている。従って、たった一個のパーティクルによ
る突起９０２が形成されているだけで、基板９はグライ
ドハイトテストをパスできず、不良品となってしまう。
そして、将来、この距離ｄは、１μインチから０．５μ
インチになると見込まれている。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の発明は、基板の表面に記録用
の磁性膜を作成した後にこの磁性膜の上にカーボンより
なる保護膜を作成して情報記録ディスクを製作する情報
記録ディスク用成膜装置であって、前記保護膜を作成す
る保護膜作成チャンバーを備えており、この保護膜作成
チャンバーは、内部を排気する排気系と、内部に酸素ガ
スを導入する酸素ガス導入系と、導入された酸素ガスに
エネルギーを与えてプラズマを形成するプラズマ形成手
段とを有しており、保護膜作成チャンバー内の前記基板
以外の露出面に堆積したカーボンの膜をアッシングして
除去することが可能となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明
は、上記請求項１の構成において、複数のチャンバーが
気密に一列に接続されたインライン式の装置であって、
これら複数のチャンバーのうちの一つは前記磁性膜を作
成する磁性膜作成チャンバーであるとともに、別の一つ
は前記保護膜作成チャンバーであり、さらに、前記基板
を保持しながらこれら複数のチャンバーに順次搬送する
搬送系が設けられており、この搬送系は、前記アッシン
グを行う際には前記保護膜作成チャンバーから基板を退
避させることが可能となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明
は、上記請求項２の構成において、前記保護膜作成チャ
ンバーの直後又は直前の搬送路上には退避チャンバーが
設けられており、前記搬送系は保護膜作成チャンバーで
の保護膜の作成の後又は前の前記アッシングの際に基板
を退避チャンバーに搬入するものであるという構成を有
する。また、上記課題を解決するため、請求項４記載の
発明は、上記請求項２又は３の構成において、前記複数
のチャンバーは周状に接続されていてこれらチャンバー
を通過する無終端の搬送路が設定されており、前記搬送
系は、基板を保持するキャリアを当該無終端の搬送路に
沿って搬送するものであるとともに、複数のチャンバー
のうちの少なくとも一つはキャリアとの間で基板の着脱
を行う着脱チャンバーであり、さらに、この搬送系は、
全チャンバーの数よりも退避チャンバーの数の分だけ少
ない数のキャリアを備えており、前記アッシングの際に
は基板を保持したキャリアを前記退避チャンバーに移動
させるよう構成されている。また、上記課題を解決する
ため、請求項５記載の発明は、上記請求項４の構成にお
いて、前記保護膜作成チャンバーは、他のチャンバーで
の動作時間よりも少ない時間で保護膜の作成が完了する
よう構成されており、他のチャンバー内ではキャリアが
移動せずに基板がまだ滞留している間に退避チャンバー
と保護膜作成チャンバーとの間でキャリアが移動して前
記アッシングが行われるよう構成されている。また、上
記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、上記請
求項２の構成において、前記保護膜作成チャンバーの直
後又は直前の搬送路上には前記保護膜作成チャンバーと
同じ構成の別の保護膜作成チャンバーが設けられてい
て、前記保護膜作成チャンバーは全保護膜の厚さの半分
の成膜を、当該別の保護膜作成チャンバーは残りの半分
の厚さの成膜を行うものであり、かつ、前記保護膜作成
チャンバーで成膜が行われている際には当該別の保護膜
作成チャンバー内では基板は搬入されずに前記アッシン
グが行われ、当該別の保護膜作成チャンバーに基板が移
動して成膜が行われる際には前記保護膜作成チャンバー
内では基板が搬入されずに前記アッシングが行われるよ
う構成されている。また、上記課題を解決するため、請
求項７記載の発明は、上記請求項３の構成において、前
記搬送系は、すべてのキャリアを同時に次のチャンバー
に移動させるものであり、前記着脱チャンバーでは、前
記アッシングの頻度に応じて基板の着脱作業を欠落させ
るよう構成されている。また、上記課題を解決するた
め、請求項８記載の発明は、上記請求項１乃至７の構成
において、前記保護膜作成チャンバーは、有機化合物ガ
スを導入するプロセスガス導入系を備えており、導入さ
れた有機化合物ガスの気相中での分解反応を利用するプ
ラズマ化学蒸着によって前記カーボンの保護膜を作成す
るよう構成されている。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２３】開口の下縁に位置する支持爪（以下、下縁
支持爪）９１の先端は、保持された基板９の中心を通る
鉛直な直線上に位置し、基板９の下縁の中央を支持する
ようになっている。また、開口の左右両側の支持爪（以
下、側縁支持爪）９２は、基板９の中心の高さよりも少
し高い位置で基板９の側縁に接触して基板９を押さえる
よう構成されている。図２から分かるように、側縁支持
爪９２は、全体が板バネになっており、開閉棒９３によ
って開閉されるようになっている。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２４】図２に示すように、基板９は円形であって
中央に円形の開口（以下、基板開口）を有する。基板９
をキャリア９０に搭載する際には、アーム１１１，２１
１の先端を基板開口に挿入して基板９を保持させ、キャ
リア９０の開口内に基板９を位置させる。そして、アー
ム１１１，２１１を少し下方に移動させ、キャリア９０
の開口内で基板９を少し下降させて下縁支持爪９１の上
に載せる。この際、アーム１１１，２１１の移動に連動
して開閉棒９３が駆動されるようになっており、外側に
開いた姿勢であった側縁支持爪９２が閉じて基板９の側
縁を押さえ付ける。キャリア９０から基板９を回収する
際には、これとは全く逆の動作になる。開閉棒９３によ
って側縁支持爪９２を開きながら、基板９を保持したア
ーム１１１，２１１を開口内で少し上昇させる。そし
て、アーム１１１，２１１を水平方向に移動させて基板
９をキャリア９０から引き抜く。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２６】そして、キャリア９０の下側には、図２中
不図示の隔壁を挟んで磁気結合ローラ９７が設けられて
いる。磁気結合ローラ９７は丸棒状の部材であり、図２
に示すように、螺旋状に延びる細長い磁石（以下、ロー
ラ側磁石）９７１を有している。このローラ側磁石９７
１は互いに異なる磁極で二つ設けられており、二重螺旋
状になっている。磁気結合ローラ９７は、ローラ側磁石
９７１が図２中不図示の隔壁を挟んでキャリア側磁石９
４に向かい合うよう配置されている。図２中不図示の隔
壁は、透磁率の高い材料で形成されており、キャリア側
磁石９４とローラ側磁石９７１とは、図２中不図示の隔
壁を通して磁気結合している。尚、図２中不図示の隔壁
のキャリア側の空間は真空側（各チャンバーの内部側）
であり、磁気結合ローラ９７側の空間は大気側である。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】図３及び図４から分かるように、磁気結合
ローラ９７とキャリア側磁石９４とを区画する隔壁９６
は、円筒状の部材になっている。そして、図４に示すよ
うに、二つの磁気結合ローラ９７が隔壁９６内で結合ロ
ッド９７２を介して連結されている。結合ロッド９７２
には傘歯ギヤが設けられており、この傘歯ギヤと噛み合
わさった傘歯ギヤを有する駆動ロッド９７３が配設され
ている。駆動ロッド９７３は、連結ロッドに対して垂直
に延びており、駆動モータ９８に連結されている。尚、
駆動ロッド９７３が配設された空間は大気側である。駆
動ロッド９７３にはベアリングが付設されるが、このベ
アリングの摺動等により発生したゴミが真空雰囲気に放
出されることはない。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４６】尚、高周波電圧を印加する場合、高周波電
源６４２と基板９との間には適当なキャパシタンスが与
えられ、キャパシタンスを介して高周波電圧が基板９に
印加される。印加された高周波電圧とプラズマＰとの相
互作用により、基板９には負の自己バイアス電圧が生ず
る。また、図２に示すように、キャリア９０は、絶縁ブ
ロック９０５を挟んで金属製の上側ブロック９０６と下
側ブロック９０７とに区分される。上記可動接点６４５
は、上側ブロック９０６に接触することになっている。
従って、キャリア側９４等を備えた下側ブロック９０７
には電圧は印加されないようになっている。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５０】さて、本実施形態の装置の大きな特徴点
は、保護膜作成チャンバー６が酸素プラズマを形成でき
るようになっている点である。即ち、保護膜作成チャン
バー６のガス導入系６２は、プロセスガスとともに酸素
ガスを選択的に導入できるようになっている。導入され
た酸素ガスは、プロセスガスの場合と同様にプラズマ形
成手段によってエネルギーが与えられ、酸素プラズマが
形成されるようになっている。酸素プラズマの形成は、
保護膜作成チャンバー６内でのパーティクル発生防止の
課題と密接に関連している。即ち、本実施形態では、保
護膜作成チャンバー６内の露出面に堆積したカーボン膜
を酸素プラズマによってアッシング除去するようになっ
ている。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６６】そして、本実施形態では、保護膜作成チャ
ンバー６でのカーボン保護膜の作成処理の時間（ｃｖ
ｄ）と、保護膜作成チャンバー６から退避チャンバー７
へのキャリア９０の移動時間（ｔｒ’）と、アッシング
処理の時間（ａｓ）とを加えたｃｖｄ＋ｔｒ’＋ａｓ
が、前述したＰＴ＋ＴＴになるようにしている。この点
を図９を使用しながら、より具体的な数値で説明する。
図９は、第一の実施形態の装置におけるタクトタイムの
説明図である。このうち、図９（１）は、磁性膜作成チ
ャンバー５２，５４におけるタクトタイムの内訳を、
（２）は保護膜作成チャンバー６及び退避チャンバー７
におけるタクトタイムの内訳を示している。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６７】例えば一時間あたり４５０枚の処理能力を
有する装置では、タクトタイムは１６秒（（６０×６
０）／（４５０／２）＝１６）になる。磁性膜作成チャ
ンバー５２，５４における１６秒のタクトタイムの使用
の内訳は、図９（１）に示すように、キャリア９０に保
持された一枚目の基板９の成膜の時間（ＳＰ１）が５．
５秒、二枚目の基板９への成膜のためのチャンバー５
２，５４内でのキャリア９０の移動のための時間（ｔ
ｒ”）が１秒、二枚目の基板９の成膜の時間（ＳＰ２）
が５．５秒、全てのキャリア９０が同時に移動する時間
（前述したＴＴ）が４秒で、合計１６秒である。また、
保護膜作成チャンバー６及び退避チャンバー７では、図
９（２）に示すように、ｃｖｄは５秒、ｔｒ’は４秒、
ａｓは３秒、ＴＴは前記と等しく４秒である。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００７０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００７０】図１０から分かるように、アッシングを行
わない従来の装置では、わずか一日の装置の運転の間に
パーティクル数は１００個近くまで達した。このように
多数のパーティクルが付着していると、図１４に示す突
起９０２が多数形成されたり大きな突起９０２が形成さ
れたりするため、グライドハイトテスト不良になる確率
が高い。これに対し、本実施形態の装置によれば、４日
程度の処理日数の間、パーティクルは数個程度に抑えら
れている。この程度の数のパーティクルによる突起９０
２であれば、グライドハイトテスト前のテープバニッシ
工程で完全に除去できるので、グライドハイトテスト不
良となることはない。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８６】さらに１タクト分だけ時間が経過すると、
第一下地膜作成チャンバー５１と第二保護膜作成チャン
バー６０が空の状態となる。従って、第二保護膜作成チ
ャンバー６０ではアッシングが行われ、第一保護膜作成
チャンバー６ではカーボン保護膜の作成処理が行われ
る。尚、第一第二の保護膜作成チャンバー６，６０での
成膜処理は、第二実施形態と同様に、半分ずつの膜厚で
ある。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８７】そして、さらに５タクト分経過すると、全
キャリア９０が半周分移動したことになり、再び第一保
護膜作成チャンバー６が空の状態になる。そして、上記
と同様の動作を繰り返す。つまり、第一第二の保護膜作
成チャンバー６，６０では７タクトに１回だけアッシン
グの動作が行われる。尚、当然であるが、ロードロック
チャンバー１が空になったタクトの時間帯では搭載用ロ
ボット１１は動作せず、アンロードロックチャンバー２
が空になったタクトの時間帯では回収用ロボット２１は
動作しない。

【手続補正１９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９３】また、チャンバーレイアウトの例として
は、前述した方形のレイアウトの他、複数のチャンバー
が一直線上に並んだレイアウトでもよい。この場合、搬
送路の終端に設けられたアンロードロックチャンバーか
ら前端のロードロックチャンバーまでキャリアを戻す構
成が採用される。尚、プラズマを形成する手段として
は、高周波放電を用いる構成の他、直流二極放電を用い
る方法もある。また、磁性膜の例としては、前述したＣ
ｏＣｒＴａの他、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ等が
ある。さらに、保護膜作成チャンバー６のガス導入系６
２は、ＣＨ_４の他、Ｃ_２Ｈ_６等のガスを導入するよう
構成される場合もある。

【手続補正２０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９４】

【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項１記載
の発明によれば、保護膜作成チャンバー内の露出面に堆
積したカーボン膜が酸素プラズマによってアッシングさ
れて除去されるので、カーボン膜の剥離によるパーティ
クル発生が未然に防止される。このため、カーボン保護
膜の局所的な膜厚異常に起因する製品不良の発生が防止
される。また、請求項２記載の発明によれば、上記効果
に加え、アッシングの際に基板が保護膜作成チャンバー
から退避されるので、酸素プラズマによる基板の汚損や
損傷が防止される。また、請求項５記載の発明によれ
ば、上記効果に加え、生産性を低下させることなくアッ
シングを行うことができる。また、請求項６記載の発明
によれば、上記効果に加え、二つの保護膜作成チャンバ
ーで交互にカーボン保護膜の作成とアッシングが行える
ので、生産性を低下させることなく成膜とアッシングと
を十分に行うことができる。また、請求項７記載の発明
によれば、すべてのキャリアを同時に動かすので、搬送
系の制御部の構成が簡略化される。また、請求項８記載
の発明によれば、有機化合物ガスを使用したＣＶＤによ
りカーボン保護膜が作成されるので、より硬いカーボン
保護膜となり、次世代の情報記録ディスク用として最適
なものとなる。

【手続補正２１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

【手続補正２２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１２】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に記録用の磁性膜を作成した
後にこの磁性膜の上にカーボンよりなる保護膜を作成し
て情報記録ディスクを製作する情報記録ディスク用成膜
装置であって、前記保護膜を作成する保護膜作成チャンバーを備えてお
り、この保護膜作成チャンバーは、内部を排気する排気
系と、内部に酸素ガスを導入する酸素ガス導入系と、導
入された酸素ガスにエネルギーを与えてプラズマを形成
するプラズマ形成手段とを有しており、保護膜作成チャ
ンバー内の前記基板以外の露出面に堆積したカーボンの
膜をアッシングして除去することが可能となっているこ
とを特徴とする情報記録ディスク用成膜装置。
【請求項２】複数のチャンバーが気密に一列に接続さ
れたインライン式の装置であって、これら複数のチャン
バーのうちの一つは前記磁性膜を作成する磁性膜作成チ
ャンバーであるとともに、別の一つは前記保護膜作成チ
ャンバーであり、さらに、前記基板を保持しながらこれ
ら複数のチャンバーに順次搬送する搬送系が設けられて
おり、この搬送系は、前記アッシングを行う際には前記
保護膜作成チャンバーから基板を退避させることが可能
となっていることを特徴とする請求項１記載の情報記録
ディスク用成膜装置。
【請求項３】前記保護膜作成チャンバーの直後又は直
前の搬送路上には退避チャンバーが設けられており、前
記搬送系は保護膜作成チャンバーでの保護膜の作成の後
又は前の前記アッシングの際に基板を退避チャンバーに
搬入するものであることを特徴とする請求項２記載の情
報記録ディスク用成膜装置。
【請求項４】前記複数のチャンバーは周状に接続され
ていてこれらチャンバーを通過する無終端の搬送路が設
定されており、前記搬送系は、基板を保持するキャリア
を当該無終端の搬送路に沿って搬送するものであるとと
もに、複数のチャンバーのうちの少なくとも一つはキャ
リアとの間で基板の着脱を行う着脱チャンバーであり、
さらに、この搬送系は、全チャンバーの数よりも退避チ
ャンバーの数の分だけ少ない数のキャリアを備えてお
り、前記アッシングの際には基板を保持したキャリアを
前記退避チャンバーに移動させるよう構成されているこ
とを特徴とする請求項２又は３記載の情報記録ディスク
用成膜装置。
【請求項５】前記保護膜作成チャンバーは、他のチャ
ンバーでの動作時間よりも少ない時間で保護膜の作成が
完了するよう構成されており、他のチャンバー内ではキ
ャリアが移動せずに基板がまだ滞留している間に退避チ
ャンバーと保護膜作成チャンバーとの間でキャリアが移
動して前記アッシングが行われることを特徴とする請求
項４記載の情報記録ディスク用成膜装置。
【請求項６】前記保護膜作成チャンバーの直後又は直
前の搬送路上には前記保護膜作成チャンバーと同じ構成
の別の保護膜作成チャンバーが設けられており、前記保
護膜作成チャンバーで成膜が行われている際には当該別
の保護膜作成チャンバー内では基板は搬入されずに前記
アッシングが行われ、当該別の保護膜作成チャンバーに
基板が移動して成膜が行われる際には前記保護膜作成チ
ャンバー内では基板が搬入されずに前記アッシングが行
われるものであることを特徴とする請求項２記載の情報
記録ディスク用成膜装置。
【請求項７】前記搬送系は、すべてのキャリアを同時
に次のチャンバーに移動させるものであり、前記着脱チ
ャンバーでは、前記アッシングの頻度に応じて基板の着
脱作業を欠落させるよう構成されていることを特徴とす
る請求項３記載の情報記録ディスク用成膜装置。
【請求項８】前記保護膜作成チャンバーは、有機化合
物ガスを導入するプロセスガス導入系を備えており、導
入された有機化合物ガスの気相中での分解反応を利用す
るプラズマ化学蒸着によって前記カーボンの保護膜を作
成するよう構成されていることを特徴とする請求項１乃
至７記載の情報記録ディスク用成膜装置。