JP2008130100A - 垂直磁気記録媒体の製造方法及び製膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができ、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室14と基板ロード室2の間にパーティクル捕捉電極16を設置する。さらに、基板ロード室2以降でCo合金キャップ層形成室11までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極16を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極16のクーロン力によりに捕捉する。
【選択図】図4
【解決手段】製膜装置の基板搬送ホルダー除膜室14と基板ロード室2の間にパーティクル捕捉電極16を設置する。さらに、基板ロード室2以降でCo合金キャップ層形成室11までの任意の層形成室間に、パーティクル捕捉電極16を設置する。製膜装置内の電荷を帯びたパーティクルを、正または負に電圧印加されたパーティクル捕捉電極16のクーロン力によりに捕捉する。
【選択図】図4
Description
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法および製膜装置に関する。
大型コンピュータ、ワークステーション、パーソナルコンピュータ等の記憶装置に用いられる磁気ディスク装置は年々その重要性が高まり、大容量小型化へと発展を遂げている。磁気ディスク装置の大容量小型化には高密度化が不可欠である。そのため近年、従来の面内磁気記録方式に比べて高密度化が可能な垂直磁気記録方式による製品実用化が進んでいる。垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体として、ガラス基板やアルミニウムにニッケルリンメッキを施した剛性の非磁性基板上に密着層、軟磁性層、中間層、グラニュラー磁性層、キャップ層、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)保護膜を設け、保護膜の上にパーフルオロポリエーテル液体潤滑材による潤滑膜を設ける層構成が用いられることがある。
ドライプロセスによる成膜技術を用いて作製される垂直磁気記録媒体は、基板を大気から真空状態の基板ロード室に導入し、真空中内を順次、各プロセス室に搬送することで、作製される。基板は真空中内を、搬送機構を有するスライダーに基板搬送ホルダーを搭載したキャリアが永久磁石のレール上を移動することで搬送される。磁気記録媒体の製造工程において、真空装置内に存在するパーティクルは、磁気記録媒体の特性や歩留まりに影響を与える為、パーティクルの低減は重要な課題である。以下に真空装置内でのパーティクルの発生過程について詳細に説明する。基板搬送ホルダーは、DLC保護膜成膜の際にプラズマの反応場に曝され、かつ基板と同電位である為、DLC膜が堆積する。これを除去せずに製造を続けると、図9に示すように基板搬送ホルダーにはメタル膜とDLC膜が交互に堆積する。DLC膜は内部応力が大きく、メタル膜と交互に堆積すると、付着膜の剥離脱落により発塵が生じる。これを軽減する為に、基板搬送ホルダーに堆積したDLC膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室を備えている。ここでは、基板搬送ホルダーに直接、高周波電力を印加し、酸素プラズマによりDLC膜の除去を行っている。基板搬送ホルダー除膜室は、基板ロード室の直前に配置されている。
特許文献1には、半導体集積回路や液晶パネルなどの電子デバイスの製造工程で用いられる真空容器部を有する基板処理装置において、集塵用基板を真空容器部内に搬入する前に、非接触で集塵用基板を帯電させ、帯電させた集塵用基板を真空容器部内に搬入し、真空容器部内に浮遊する微細なパーティクルを集塵用基板に吸着させ、真空容器部の外に取り出すことにより、真空容器部内に存在するパーティクルを除去する基板処理装置が開示されている。
上記、基板搬送ホルダー除膜室では、基板搬送ホルダーに堆積した膜を完全に除去することは困難である。その為、除去しきれないDLC膜やDLC膜に積層したメタル膜が、基板搬送ホルダーから脱落したパーティクルが搬送中に拡散し、基板に付着する。このパーティクルにより磁気記録層にピンホールが生じ、ピンホール起因の磁気再生出力低下による不良が増加するという問題がある。プラズマ中のパーティクルは、プラズマ電位(プラズマ電位は正電位)とほぼ同等の負電荷を帯びている性質がある。
このパーティクルを除去するために、特許文献1に記載された方法を適用することが考えられるが、この場合には、製膜前に、帯電させた集塵用基板を、各プロセス室を通過させてパーティクルを捕捉する必要があり、生産効率が低下するという問題がある。また、基板搬送ホルダーに付着したメタル膜とDLC膜は、製膜時と搬送時に剥離脱落する可能性があり、この場合には、発生したパーティクルを捕捉することができないという問題がある。
本発明の目的は、垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することである。
本発明の目的は、垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することである。
前記目的を達成するために、本発明の代表的な垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板搬送ホルダーに基板を搭載し、基板搬送ホルダーを搬送しながら、基板に少なくとも、軟磁性層、中間層、磁気記録層、ダイヤモンドライクカーボン保護層を形成し、各層を形成した基板を基板搬送ホルダーから取り外した後、基板搬送ホルダーに堆積した膜をプラズマで除膜し、基板搬送ホルダーに別の基板を搭載する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜を除膜した後、クーロン力により基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉するものである。
また、本発明の代表的な製膜装置は、基板搬送ホルダーに基板を搭載する基板ロード室と、基板に軟磁性層を形成する軟磁性層形成室と、軟磁性層の上に中間層を形成する中間層形成室と、中間層の上に磁気記録層を形成する磁気記録層形成室と、磁気記録層の上にダイヤモンドライクカーボン保護層を形成するダイヤモンドライクカーボン保護層形成室と、各層を形成した基板を基板搬送ホルダーから取り外すアンロード室と、基板搬送ホルダーに堆積した膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室とを有し、さらに前記基板搬送ホルダー除膜室と基板ロード室との間にパーティクル捕捉電極が設けられ、このパーティクル捕捉電極に電圧を印加することにより、基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルをパーティクル捕捉電極に捕捉するものである。
また、本発明の代表的な製膜装置は、基板搬送ホルダーに基板を搭載する基板ロード室と、基板に軟磁性層を形成する軟磁性層形成室と、軟磁性層の上に中間層を形成する中間層形成室と、中間層の上に磁気記録層を形成する磁気記録層形成室と、磁気記録層の上にダイヤモンドライクカーボン保護層を形成するダイヤモンドライクカーボン保護層形成室と、各層を形成した基板を基板搬送ホルダーから取り外すアンロード室と、基板搬送ホルダーに堆積した膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室とを有し、さらに前記基板搬送ホルダー除膜室と基板ロード室との間にパーティクル捕捉電極が設けられ、このパーティクル捕捉電極に電圧を印加することにより、基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルをパーティクル捕捉電極に捕捉するものである。
本発明によれば、垂直磁気記録媒体の製造において、生産効率を低下させることなく、磁気記録層のピンホールの原因となるパーティクルを捕捉することができる。これにより、磁気記録層のピンホールが起因の磁気再生出力低下による不良を低減することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図1は、実施例による垂直磁気記録媒体(垂直磁気記録ディスク)の製造方法における製膜プロセスのフローチャートである。図2は垂直磁気記録ディスクの断面を模式的に示したものである。まず、図2を参照して垂直磁気記録ディスク20の層構成を説明する。垂直磁気記録ディスク20は、非磁性基板21の両面に、密着層22、軟磁性層23、シード層24、Ru中間層25、グラニュラー磁気記録層26、Co合金キャップ層27、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)保護層28が形成されてなり、保護層28の上に、潤滑層29が形成されているのが望ましい。非磁性基板21の上下で、層構成が対称であるので、図2では、上側の層のみを示している。また、軟磁性層23は、下部軟磁性層23a、反強磁性結合誘発層23b、上部軟磁性層23cが積層されて構成されている。
図3は非磁性基板21に上記各層を製膜する製膜装置の構成を製膜工程順に示す上面図である。製膜装置1は、基板ロード室2と、密着層形成室3と、下部軟磁性層形成室4と、反強磁性結合誘発層形成室5と、上部軟磁性層形成室6と、基板冷却室7と、中間層形成室8と、Ru中間層形成室9と、グラニュラー磁気記録層形成室10と、Co合金キャップ層形成室11と、DLC保護層形成室12と、アンロード室13と、基板搬送ホルダー除膜室(ホルダーアッシング室)14とで構成されている。なお、下部軟磁性層形成室4と、反強磁性結合誘発層形成室5と、上部軟磁性層形成室6をまとめて、軟磁性層形成室と呼ぶことにする。また、中間層形成室8とRu中間層形成室9をまとめて、中間層形成室と呼ぶことにする。さらに、グラニュラー磁気記録層形成室10と、Co合金キャップ層形成室11をまとめて、磁気記録層形成室と呼ぶことにする。
図4は、図3に示した製膜装置1に、パーティクル捕捉電極16を設置した様子を示す模式図である。なお、図4では、密着層形成室3からRu中間層形成室9までを省略して示してある。パーティクル捕捉電極16は基板搬送ホルダー除膜室14の出口と基板ロード室2の入口に設けられている。基板ロード室2以降は、任意の層形成室(チャンバー)の出口及び入口に設けることができる。図4は、あくまでも、パーティクル捕捉電極16を設置する位置を例示しているに過ぎない。基板ロード室2の入口(基板搬送ホルダー除膜室14側)に設置したパーティクル捕捉電極16は、電圧(+100V)を常時印加することとし、他の処理室に設置したパーティクル捕捉電極16については、基板搬送ホルダー15の搬送時に電圧を印加するON/OFF制御とした。これにより、製膜装置内に存在する電荷を帯びたパーティクルをクーロン力によりパーティクル捕捉電極16に吸着させることができ、パーティクルの基板21への付着を低減することができる。
図5に、基板搬送ホルダー除膜室14の概略構成を示す。この基板搬送ホルダー除膜室14は、13.56MHzの高周波(Radio Frequency)電源からマッチングボックスを介して基板搬送ホルダー15に、直接RF電力を印加し、ターボモレキュラーポンプで排気しながら、酸素ガスをマスフローコントローラを介して、500sccm (Standard Cubic Centimeter Minutes)導入するものである。酸素ガスを導入してから、0.5sec後に基板搬送ホルダー15にRF電力を印加し、プラズマを誘引する。RF電力は、700Wとした。このとき、基板搬送ホルダー除膜室14の圧力は、バラトロンゲージの読み値で5.0Paであった。
次に、図1〜図5を参照して、実施例による製膜プロセスを説明する。まず、ガラス基板(外径48mm、内径12mm、厚さ0.5mm)21の洗浄を十分に行い、これを約1.3×10−5Pa以下まで排気された基板ロード室2に導入する(ステップ100)。
最初に密着層形成室3に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Al−50.0at%Ti密着層22を5nm形成した(ステップ102)。次に下部軟磁性形成室4に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Fe−30〜40at%Co−5〜15at%Ta−3〜13at%Zrの下部軟磁性層23aを35nm形成した(ステップ104)。次に、パーティクル捕捉電極16の間を搬送して、パーティクル捕捉電極16にクーロン力によりパーティクルを捕捉した(ステップ106)。次に反強磁性結合誘発層形成室5に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Ru層23bを0.5nm形成した(ステップ108)。次に上部軟磁性層形成室6に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Fe−30〜40at%Co−5〜15at%Ta−3〜13at%Zrの上部軟磁性層23cを35nm形成した(ステップ110)。次に、パーティクル捕捉電極16の間を搬送して、パーティクル捕捉電極16にパーティクルを捕捉した(ステップ112)。
最初に密着層形成室3に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Al−50.0at%Ti密着層22を5nm形成した(ステップ102)。次に下部軟磁性形成室4に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Fe−30〜40at%Co−5〜15at%Ta−3〜13at%Zrの下部軟磁性層23aを35nm形成した(ステップ104)。次に、パーティクル捕捉電極16の間を搬送して、パーティクル捕捉電極16にクーロン力によりパーティクルを捕捉した(ステップ106)。次に反強磁性結合誘発層形成室5に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Ru層23bを0.5nm形成した(ステップ108)。次に上部軟磁性層形成室6に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Fe−30〜40at%Co−5〜15at%Ta−3〜13at%Zrの上部軟磁性層23cを35nm形成した(ステップ110)。次に、パーティクル捕捉電極16の間を搬送して、パーティクル捕捉電極16にパーティクルを捕捉した(ステップ112)。
続いて基板21を基板冷却室7に搬送し、スパッタリングによる熱の影響で上昇した基板温度を60゜Cまで低下した後、中間層形成室8に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Cr−40〜60at%Ti層を2.5nm形成し、この上にNi−5〜10at%W層を9nm積層して、中間層24を形成した(ステップ114)。次にRu中間層形成室9に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、Ru中間層25を20nm形成した(ステップ116)。次に、パーティクル捕捉電極16の間を搬送して、パーティクル捕捉電極16にパーティクルを捕捉した(ステップ118)。次に磁気記録層形成室10に搬送し、Ar雰囲気約0.9Paの条件下で、DCマグネトロンスパッタリング法により、90mol%(Co−10〜20at%Cr−10〜20at%Pt)10mol%SiO2グラニュラー磁気記録層26を20nm形成した(ステップ120)。次にCo合金キャップ層形成室11に搬送し、Ar雰囲気約0.8Paの条件下で、Co−20〜30at%Cr−5〜15at%PtのCo合金キャップ層27を10nm形成した(ステップ122)。次にDLC保護層形成室12に搬送し、エチレンガス(C2H4)等の炭化水素ガスを導入し、13.56MHzの高周波によるケミカルベーパーデポジション法(RF−CVD)により、DLC保護層28を4.0nm形成した(ステップ124)。次に基板アンロード室13に搬送し、垂直磁気記録ディスク20を大気中へ取り出した(ステップ126)。次に垂直磁気記録ディスク20がアンロードされた基板搬送ホルダー15を、基板搬送除膜室14へ搬送し、酸素プラズマによるアッシングを行い、基板搬送ホルダー15に堆積したDLC膜及びメタル膜を除去した(ステップ128)。次に、パーティクル捕捉電極16の間を搬送して、パーティクル捕捉電極16にパーティクルを捕捉した(ステップ130)。
以上の工程により、垂直磁気記録ディスク20を作製することが出来るが、図2に示すようにDLC保護層28の上には潤滑層29を形成することが望ましい。本実施例では、フルオロカーボン系の潤滑材を浸漬法により厚さ1.2nm塗布して形成した。
上記実施例による製膜プロセスでは、パーティクルの捕捉を、基板搬送ホルダー15に堆積したDLC膜及びメタル膜を除去した後と、下部軟磁性層形成後と、上部軟磁性層形成後と、Ru中間層形成後に実施したが、基板搬送ホルダー除膜工程後は必須であるが、それ以降は、任意の製膜工程の間で実施することができる。また、全ての製膜工程の前後で実施しても良い。
また、基板21としては、ソーダライムガラスの他に、化学強化したアルミのシリケート、Ni−Pを無電解めっきしたAl−Mg合金基板、シリコン,硼珪酸ガラス等からなるセラミクス、または、ガラスグレージングを施したセラミックス等からなる非磁性の剛体基板を用いることができる。
密着層22は、ソーダライムガラスからのアルカリ金属の電気化学溶出を防ぐ為、またガラスと軟磁性層との密着性を向上するために設けてあるもので、厚さは任意である。また、特に用いる必要がなければ省略することもできる。
基板冷却工程は、上部軟磁性層23cの形成後ではなく、上部軟磁性層23cの形成前、あるいはグラニュラー磁気記録層26の形成前に設けることもでき、さらにこれらを複数組み合わせることも可能である。
前記パーティクル捕捉電極によるパーティクル捕捉の効果を検証する為に、基板ロード室2内のパーティクル数を計測した。計測には、米国High Yield Technology 社製Model 9000を用い、基板ロード室2のターボモレキュラーポンプの上部に設置した。図6に基板ロード室2のパーティクル数の計測結果を示す。一度に計測されるパーティクル数は、基板搬送ホルダー15が隣室まで搬送される間(約2.0sec)の積算値である。パーティクル捕捉工程を導入することにより、基板ロード室2のパーティクルが、従来の35個から14個に減少する結果が得られた。
次に、前述のように製膜装置内を浮遊するパーティクルが減少した状態で、垂直磁気記録ディスク20を製造し、R/Wヘッドを用いて磁気エラー試験を行った。測定条件は、10μmピッチ、信号周波数145kFCI(FCI:Flux Change per Inch)、磁気再生出力スライスレベル77%とした。図7にパーティクル捕捉工程導入による磁気エラー試験の不良率の変化を、図8に磁気エラー試験の処理枚数による不良率の推移の結果を示す。パーティクル捕捉システムを導入することにより、図7に示すように磁気エラー試験の不良率が7.5%から4.3%に減少する結果が得られた。また、図8に示すように処理枚数の増加に依存して増加している不良率の増加を、100000枚程度の連続処理において、抑制していることがわかる。
以上説明したように上記実施例によれば、製膜装置内に存在する電荷を帯びたパーティクルをクーロン力により電極板に吸着させることができ、パーティクルの基板への付着を低減することができる。その結果、磁気記録層のピンホール起因の磁気再生出力の低下による不良を低減することができ、垂直磁気記録ディスクの製造歩留まりを改善することができる。
1…製膜装置、
2…基板ロード室、
3…密着層形成室、
4…下部軟磁性層形成室、
5…反強磁性結合誘発層形成室、
6…上部軟磁性層形成室、
7…基板冷却室、
8…中間層形成室、
9…Ru中間層形成室、
10…グラニュラー磁気記録層形成室、
11…Co合金キャップ層形成室、
12…DLC保護層形成室、
13…アンロード室、
14…基板搬送ホルダー除膜室、
15…基板搬送ホルダー、
16…パーティクル捕捉電極、
20…垂直磁気記録ディスク、
21…基板、
22…密着層、
23…軟磁性層、
23a…下部軟磁性層、
23b…反強磁性結合誘発層、
23c…上部軟磁性層、
24…中間層、
25…Ru中間層、
26…グラニュラー磁気記録層、
27…Co合金キャップ層、
28…DLC保護層、
29…潤滑層。
2…基板ロード室、
3…密着層形成室、
4…下部軟磁性層形成室、
5…反強磁性結合誘発層形成室、
6…上部軟磁性層形成室、
7…基板冷却室、
8…中間層形成室、
9…Ru中間層形成室、
10…グラニュラー磁気記録層形成室、
11…Co合金キャップ層形成室、
12…DLC保護層形成室、
13…アンロード室、
14…基板搬送ホルダー除膜室、
15…基板搬送ホルダー、
16…パーティクル捕捉電極、
20…垂直磁気記録ディスク、
21…基板、
22…密着層、
23…軟磁性層、
23a…下部軟磁性層、
23b…反強磁性結合誘発層、
23c…上部軟磁性層、
24…中間層、
25…Ru中間層、
26…グラニュラー磁気記録層、
27…Co合金キャップ層、
28…DLC保護層、
29…潤滑層。
Claims (14)
- 基板搬送ホルダーに基板を搭載し、該基板搬送ホルダーを搬送しながら、前記基板に少なくとも、軟磁性層、中間層、磁気記録層、ダイヤモンドライクカーボン保護層を形成し、該各層を形成した基板を前記基板搬送ホルダーから取り外した後、該基板搬送ホルダーに堆積した膜をプラズマで除膜し、当該基板搬送ホルダーに別の基板を搭載する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜を除膜した後、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
- さらに前記磁気記録層の形成前に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- さらに前記中間層の形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記軟磁性層を、下部軟磁性層と、反強磁性結合誘発層と、上部軟磁性層を積層することにより形成し、前記下部軟磁性層形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記軟磁性層を、下部軟磁性層と、反強磁性結合誘発層と、上部軟磁性層を積層することにより形成し、前記上部軟磁性層形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記軟磁性層を、下部軟磁性層と、反強磁性結合誘発層と、上部軟磁性層を積層することにより形成し、前記下部軟磁性層形成後と、前記上部軟磁性層形成後と、前記中間層形成後に、クーロン力により前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを捕捉することを特徴とする請求項1記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 基板搬送ホルダーに基板を搭載する基板ロード室と、前記基板に軟磁性層を形成する軟磁性層形成室と、前記軟磁性層の上に中間層を形成する中間層形成室と、前記中間層の上に磁気記録層を形成する磁気記録層形成室と、前記磁気記録層の上にダイヤモンドライクカーボン保護層を形成するダイヤモンドライクカーボン保護層形成室と、前記各層を形成した基板を前記基板搬送ホルダーから取り外すアンロード室と、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜を除去する基板搬送ホルダー除膜室とを有し、さらに前記基板搬送ホルダー除膜室と前記基板ロード室との間にパーティクル捕捉電極が設けられ、該パーティクル捕捉電極に電圧を印加することにより、前記基板搬送ホルダーに堆積した膜が原因で発生したパーティクルを前記パーティクル捕捉電極に捕捉することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- 前記パーティクル捕捉電極は、導電性物質でできていることを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- 前記パーティクル捕捉電極は、Cuでできていることを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- さらに前記軟磁性層形成室と前記中間層形成室との間に、パーティクル捕捉電極が設けられることを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- さらに前記中間層形成室と前記磁気記録層形成室との間に、パーティクル捕捉電極が設けられることを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- 前記軟磁性層形成室は、下部軟磁性層形成室と、反強磁性結合誘発層形成室と、上部軟磁性層形成室とを有し、前記下部軟磁性層形成室と反強磁性結合誘発層形成室の間にパーティクル捕捉電極を有することを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- 前記軟磁性層形成室は、下部軟磁性層形成室と、反強磁性結合誘発層形成室と、上部軟磁性層形成室とを有し、前記上部軟磁性層形成室と前記中間層形勢室の間にパーティクル捕捉電極を有することを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
- 前記軟磁性層形成室は、下部軟磁性層形成室と、反強磁性結合誘発層形成室と、上部軟磁性層形成室とを有し、前記下部軟磁性層形成室と反強磁性結合誘発層形成室との間、及び前記上部軟磁性層形成室と中間層形成室との間に、パーティクル捕捉電極を有することを特徴とする請求項7記載の垂直磁気記録媒体の製膜装置。
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WO2009008324A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
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2006
- 2006-11-16 JP JP2006309985A patent/JP2008130100A/ja active Pending
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