JP4193320B2

JP4193320B2 - 磁気記録媒体の製造方法

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Publication number: JP4193320B2
Application number: JP2000090892A
Authority: JP
Inventors: 幹夫鈴木; 公惠高木; 英美島岡; 教行宮本
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Showa Denko KK
Priority date: 1999-03-30
Filing date: 2000-03-29
Publication date: 2008-12-10
Anticipated expiration: 2020-03-29
Also published as: JP2000348339A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置などに用いられる磁気記録媒体の製造方法に関するものである。本発明は、ハードディスク装置などに用いられる磁気記録媒体の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記録、とりわけハードディスク装置の分野においては記録密度の向上が著しい。記録密度の向上に対応するために求められている技術は多岐にわたるが、その一つとして、磁気ヘッドと磁気記録媒体の間の摺動特性の制御技術を挙げることができる。磁気記録媒体に関しては、磁性膜上に形成される保護膜、潤滑剤などの開発、改善が続けられている。
記録密度の向上を図るために、スペーシングロスの低減が求められている。そのためにヘッドの飛行高さが低減されており、表面の耐摩耗性、耐摺動性、耐コロージョン性が信頼性評価の大きな鍵である。一方、スペーシングロスの低減のために、保護膜の厚さを薄く、たとえば１００Å以下にすることが要求されてきており、平滑性は無論のこと、薄くかつ強靭な保護膜が強く求められてきている。
【０００３】
磁気記録媒体の保護膜としては、様々な材質が提案されているが、成膜性、耐摩耗性、耐摺動性等の総合的な観点から、カーボンを主成分とした保護膜が主に採用されている。カーボンを主成分とした保護膜は、通常、スパッタリング法により成膜されている。しかしながら、従来のスパッタリング法により成膜された保護膜では、その膜厚を薄く、たとえば１００Å以下とした場合、耐摩耗性、耐摺動性が不十分となることがあった。
【０００４】
このため、スパッタリング法に比べて強度の強い、カーボンを主成分とした保護膜を形成することができる方法として、プラズマＣＶＤ法の採用が検討されている。プラズマＣＶＤ法は、たとえば特開平７−７３４５４号公報、特公平７−２１８５８号公報等に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマＣＶＤ法により、カーボン保護膜を形成すると、チャンバ内壁にカーボン膜が付着する。付着したカーボン膜が、たとえば応力により剥離するとカーボン発塵が発生する。カーボン発塵は、カーボン膜に付着した場合は表面の平滑性の悪化の原因となり磁気記録媒体の品質の一つであるグライド特性が悪化したり、基板に付着した場合は下地膜あるいは磁性膜の剥離の原因となり磁気記録媒体の品質の一つであるエラー特性が悪化したり、カーボン発塵はプラズマ発生時の放電異常の原因となり形成した保護膜の品質のコロージョン特性が悪化したりするため、磁気記録媒体の品質が悪化した。さらに、これらの不良品を検査により除去するために量産時の収率を悪化させた。
また、カーボン発塵によるプラズマ放電の異常により、成膜装置の安定運転が妨げられた。
一方、従来のプラズマＣＶＤ法では、カーボン付着物を除去するためには、装置を停止して、チャンバを開放して掃除を実施するしかなかった。掃除のために装置の停止時間が必要であるばかりでなく、真空装置内を大気に晒すために、掃除終了後に、形成するカーボンの品質が悪化していないことの確認のための時間が必要となり装置稼働率が悪かった。
本発明は、これらの課題を解決する磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
発明者等は、垂直磁性膜とその下地膜の関係を鋭意研究開発した結果に基づいて本発明を完成するに至った。
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、チャンバ内壁のカーボン付着物を酸素プラズマにより分解すれば上記課題を解決しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【０００７】
１）上記課題を解決するための第１の発明は、非磁性基板と、非磁性下地膜と、磁性膜と、カーボンを主成分とする保護膜を有して、カーボンを含むガスを原料としてその保護膜をプラズマＣＶＤ法により形成する磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内壁のカーボン付着物またはチャンバ内のカーボンを酸素プラズマにより分解することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
上記課題を解決するための発明は、非磁性基板と、非磁性下地膜と、磁性膜と、カーボンを主成分とする保護膜を有して、カーボンを含むガスを原料としてその保護膜をプラズマＣＶＤ法により形成する磁気記録媒体の製造方法において、磁性層まで成膜された磁気記録媒体（ディスク）を保護膜形成用チャンバ（以下「ＣＶＤチャンバ」、「チャンバ」ともいう。）内に搬入し保護膜を形成した後ディスクを該チャンバ内から排出する工程と、
その後保護膜を形成する次のディスクを該チャンバ内に搬入する工程との間に、ディスクを該チャンバ内から排出後、該チャンバ内に酸素ガスを導入した後、高周波電源より該チャンバ内壁に設けられた電極を介して電力を与え酸素プラズマ放電させて酸素プラズマを形成し、該チャンバ内壁のカーボン付着物または該チャンバ内のカーボンを酸素プラズマにより分解する工程を含むことを特徴とする製造方法である。
酸素ガスの供給及び排気の制御と、電力の供給の制御とによって酸素プラズマ放電の開始／終了は制御される。電力の供給は高周波エネルギーとすることができる。
【０００８】
２）上記課題を解決するための第２の発明は、上記に記載の製造方法において、酸素プラズマ放電時のチャンバ内圧力が、３Ｐａ以上１５０Ｐａ未満であることを特徴とする製造方法である。
【０００９】
３）上記課題を解決するための第３の発明は、上記１）または２）に記載の製造方法において、酸素プラズマ放電終了後から、次の保護膜を形成するまでに、ＣＶＤチャンバ内の残留酸素を、２．５×１０^-3［Ｐａ］以下に低減することを特徴とする製造方法である。ここで酸素プラズマ放電の終了から次の保護膜を形成するまでの間のＣＶＤチャンバ内の酸素量を残留酸素という。
【００１０】
４）上記課題を解決するための第４の発明は、上記３）に記載の製造方法において、酸素プラズマ放電終了後、チャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換することを特徴とする製造方法である。例えば酸素プラズマ放電の終了から次の保護膜形成までの間において、次の保護膜形成に用いるプロセスガスをあらかじめ導入しチャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換する。その間酸素ガス供給を停止するのが好ましい。
【００１１】
５）上記課題を解決するための第５の発明は、上記４）に記載の製造方法において、チャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換する時間を１秒以上５秒未満とすることを特徴とする製造方法である。例えば酸素プラズマ放電の終了から次の保護膜形成までの間において、次の保護膜形成に用いるプロセスガスを１秒以上５秒未満の間導入しチャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換する。
【００１２】
６）上記課題を解決するための第６の発明は、上記１）〜５）のうちいずれか１項に記載の製造方法において酸素プラズマ放電終了前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持することを特徴とする製造方法である。ここで酸素ガスの供給の停止から酸素プラズマ放電用の電力供給の終了までの間のＣＶＤチャンバ内の酸素ガスのガス圧を酸素の余圧という。
【００１３】
７）上記課題を解決するための第７の発明は、上記６）に記載の製造方法において、酸素プラズマ放電終了０．５〜２秒前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持することを特徴とする製造方法である。
【００１４】
８）上記課題を解決するための第８の発明は、
保護膜を形成すべきディスクを収容するチャンバと、
チャンバの壁面内に設置された電極と、
これら電極に電力を供給する電源と、
保護膜の原料となるプロセスガス供給源と、
チャンバとプロセスガス供給源の間に設けられたプロセスガス流量調節バルブと、
チャンバに接続された排気管に設けられた排気量調整バルブと
からなる磁気記録媒体の保護膜形成用プラズマＣＶＤ装置において
酸素プラズマ放電用の酸素ガス供給源を酸素ガス流量調節バルブを介してチャンバに接続したことを特徴とした磁気記録媒体の保護膜形成用プラズマＣＶＤ装置である。
【００１５】
９）上記課題を解決するための第９の発明は、酸素プラズマ放電の開始および／または終了のタイミングと関連付けて、プロセスガス流量調節バルブ、酸素ガス流量調節バルブ、排気量調整バルブの各バルブの開閉度を調節する制御装置を設けたことを特徴とした請求項８に記載の磁気記録媒体の保護膜形成用プラズマＣＶＤ装置である。
【００１６】
１０）上記課題を解決するための第１０の発明は、電源が高周波電源であることを特徴とした上記８）または９）に記載の磁気記録媒体の保護膜形成用プラズマＣＶＤ装置である。
チャンバ内壁のカーボン付着物またはチャンバ内のカーボンを酸素プラズマにより分解する作用について説明する。酸素ガスを導入して形成された酸素プラズマ状態では、酸素分子が酸素イオンや酸素ラジカルに励起されている。一方、カーボンを主成分とする保護膜を形成した後のチャンバ内壁の電極板やシールドなどの露出面にカーボンが付着している。これらの付着したカーボンが剥離してカーボン発塵が発生している。酸素イオンや酸素ラジカルがこれらの付着および発塵したカーボンに衝突することにより、カーボンは酸素と結合して一酸化炭素、二酸化炭素その他ガスに分解され、排気される。これにより、チャンバ内壁のカーボン付着物またはチャンバ内のカーボンを除去することができる。これをクリーニング効果という。
その結果、上記課題を解決して、高品質な磁気記録媒体を高収率で製造することができ、また成膜装置を高い稼働率で運転することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態を説明する。図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられるプラズマＣＶＤ装置の構成図である。図１は保護膜形成用プラズマＣＶＤ装置の構成図である。カーボンを主成分とする保護膜を形成するべきディスクＤを収容するチャンバ１と、チャンバ１の両側の壁面内に相対向するように設置された電極２と、これら電極２に高周波電力を供給する高周波電源３と、カーボンを主成分とする保護膜をディスク上に形成する時にチャンバ内のディスクに接続可能なバイアス電源４と、ディスク上に形成するべきカーボンを主成分とする保護膜の原料となるプロセスガス供給源５と、酸素プラズマ放電用の酸素ガス供給源８を備えたものとされる。
【００１８】
ここで、酸素ガスの純度は本発明の作用の点からは特に規定はしないが、チャンバ内汚染の点から９９．９９％以上であれば良い。
【００１９】
チャンバ１には、供給源から供給されたプロセスガスおよび酸素ガスをチャンバ内に導入する導入管６と、チャンバ内のガスを系外に排出する排気管１１が接続されている。それぞれの導入管６には、プロセスガス流量調節バルブ７、酸素ガス流量調節バルブ９が設けられており、ガス流量を調節することによって、チャンバ内へ導入するガス流量を任意の値に設定することができるようになっている。排気管１１には排気量調節バルブ１０が設けられており、排気量を調節することによって、チャンバ内のガス圧力を任意の値に設定することができるようになっている。
【００２０】
これらの各調節バルブはその開閉を制御するために制御部と接続されている。制御部より、酸素プラズマ放電の開始および／または終了のタイミングと関連付けて各調節バルブの開閉のタイミング、開閉度を制御できる。制御の関係の一例のブロック図を図３に示す。
【００２１】
高周波電源３としては、カーボンを主成分とする保護膜の成膜時および酸素プラズマ放電時に、たとえば、５０〜１０００Ｗの電力を供給することができるものを用いるのが好ましい。高周波電源３の周波数は本発明の作用の点からは特に規定はしないが、たとえば１３．５６ＭＨｚであれば良い。カーボンを主成分とする保護膜の成膜時に電極に電力を供給する電源と、酸素プラズマ放電時に電極に電力を供給するものを独立に設置することもできる。
【００２２】
次に、上記装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一形態を説明する。
磁性層まで成膜されたディスクＤは、搬送装置（図示せず）によりチャンバ１内の所定位置に搬入される。保護膜が形成された後、ディスクはチャンバ１内から搬送装置により排出させられる。この時、チャンバ内壁その他には、成膜時に発生したカーボンの付着物が残っている。カーボンの付着物は、前述したような問題の原因となる場合がある。
【００２３】
ディスクＤをチャンバ１内から排出後、酸素ガス供給源８より導入管を経由してチャンバ１内に酸素ガスが導入される。酸素ガスが導入された後、高周波電源３より高周波エネルギーが与えられ酸素プラズマが形成される。前述の作用により、チャンバ内壁のカーボン付着物が除去されて、クリーニング効果を得ることができる。
この時、導入される酸素ガスの圧または高周波電源から印加されるパワーは、形成された酸素プラズマにより充分なクリーニング効果が得られるように設定される。
【００２４】
ここで、クリーニングの効果について、以下の手順で調査した。
まず、予めカーボン膜３５０Åを成膜した磁気記録媒体の一部にＳｉウェハー小片を貼ったものを、カソードに取り付ける。その後、酸素プラズマ放電を５秒間行う。放電終了後カソードに取り付けた媒体を回収し、媒体上のＳｉウェハー小片をはがすと、小片に覆われた部分はクリーニングされず、その他のクリーニングされた部分との間に段差ができる。段差の高さを原子間力顕微鏡にて測定し、酸素プラズマによるカーボン膜のエッチングレートを算出し、その値でクリーニングの効果を評価した。その結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】

【００２６】
たとえば、表１をみると、酸素プラズマ放電時にチャンバ内圧力は、３Ｐａ以上１５０Ｐａ未満とするのが好ましい。より安定した放電状態、より高いエッチングレートを得るためには２０Ｐａ以上１５０Ｐａ未満であることがより好ましい。
また、たとえば、表１をみると、高周波電源から印加されるパワーは３００Ｗ以上９００Ｗ以下とすることが好ましい。より安定した放電状態、より高いエッチングレートを得るためには５００Ｗ以上９００Ｗ以下であることがより好ましい。
【００２７】
つぎに、付着したカーボンが充分に分解された時点で、酸素プラズマ放電を停止する。その後、保護膜を形成する次のディスクＤをチャンバ１内に搬入する。
【００２８】
ここで、次のディスクが待機している前室（図示せず）とチャンバ１の間の扉（図示せず）が開き、次のディスクが所定の位置に搬入されるまでの間に、チャンバ内及びガスの導入管６内に酸素ガスが残留しているとディスクの磁性層が酸素に暴露され磁気特性が劣化する場合がある。そこで、クリーニング終了後、チャンバ１及びガス導入管６内に残留している酸素ガスが媒体の特性にどのような影響を与えるのか調査した。その結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】

【００３０】
残留している酸素の媒体特性への影響については、以下の手順で調査した。
ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面粗さＲａ６Åのテクスチヤ加工を施した後、成膜装置（アネルバ製「３０１０」）内にセットした。到達真空度２．０×１０^-6Ｐａまで排気した後、下地膜としてＣｒ合金、磁性膜としてＣｏ合金を成膜した。
【００３１】
さらに、磁性膜の上には保護膜として炭化水素及び水素の混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によりカーボンを５０Å成膜した。また、成膜時のディスク温度、成膜レートは、それぞれ１７０℃、４００Å／ｍｉｎとした。
また、磁性層が浴びるチャンバ内残留酸素の量は、プラズマＣＶＤチャンバの1 段前のプロセスチャンバに取り付けた差動排気計に接続された、四重極質量分析計にて測定した。
静磁気特性は、半径２１．５ｍｍ及び半径４５ｍｍの位置において、カー効果による静磁気特性測定装置（日立電子エンジニアリング社製「ＲＯ１７００」）を用いて測定した。
【００３２】
たとえば、表２をみると、酸素プラズマ放電終了後から次の保護膜を形成するまでに、チャンバ内の残留酸素が２．５×１０^-3［Ｐａ］を越えると、静磁気特性が悪化してしまうので、２．５×１０^-3［Ｐａ］以下に、より好ましくは、１．６５×１０^-3［Ｐａ］以下とすることができる。
【００３３】
高記録密度に対応した磁気記録媒体、例えば３１００［エルステッド］以上好ましくは３４００［エルステッド］以上の保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体を得るためには上記範囲とするのが望ましい。
【００３４】
チャンバ１内の残留酸素を低減するための一手段として、酸素プラズマ放電終了後、チャンバ１内の残留酸素を、プロセスガスで置換させることができる。たとえば、酸素放電終了と同時に、酸素ガス流量調節バルブ９を閉める。続いて、プロセスガス流量調節バルブ７を開け、プロセスガスを流すことで実施できる。この場合、ガス置換時間を短縮するために、酸素放電終了と同時にチャンバ内の残留酸素を強制排気することができる。たとえば、排気量調節バルブ１０の開放度を、酸素プラズマ放電時の開放度（例えば１５％）から開放度１００％まで、１秒以内で自動的に開くような機能を装置に設置することが好ましい。
【００３５】
ここで、残留酸素ガスによる磁性層の酸化を極力防ぐために、酸素放電終了間後にプロセスガスで置換した場合の、保磁力の変化を調査した。酸素プラズマ放電の終了から次の保護膜形成までの間において、次の保護膜形成に用いるプロセスガスをあらかじめ導入しチャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換する。その間酸素ガス供給を停止するのが好ましい。
【００３６】
調査した結果を表２に示す。
たとえば、表２より、チャンバ内の残留酸素をプロセスガスで置換する時間を１秒以上５秒未満とすることが好ましい。例えば酸素プラズマ放電の終了から次の保護膜形成までの間において、次の保護膜形成に用いるプロセスガスの導入時間を１秒間以上５秒間未満とするのが好ましい。ガス置換時間は、たとえば１秒以上とすることで、残留酸素を所定量以下にすることができる。また、置換時間を長くすると、たとえば５秒以上にするとプロセス時間が長くなり量産性が悪くなる。
【００３７】
チャンバ１内の残留酸素を低減するための別の手段として、酸素プラズマ放電終了前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ１内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持させることもできる。たとえば、酸素プラズマ放電終了前に、酸素ガス流量調節バルブ９を閉めることで実施できる。
【００３８】
ここで、酸素ガスによる磁性層の酸化を極力防ぐため、酸素放電終了間際に酸素ガスの供給を停止し、余圧だけで放電させた場合の保磁力の変化を調査した。調査結果を表３に示す。
【００３９】
【表３】

【００４０】
たとえば、表３より、酸素プラズマ放電終了０．５〜２秒前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持することが好ましい。ここで、酸素ガス供給停止時間を０．５秒未満とした場合、チャンバ内の残留酸素が所定量以下にならないため不適である。また、酸素ガス供給停止時間を２秒より長くした場合、チャンバ内の圧力が下がりすぎるため放電が不安定となり不適である。
【００４１】
酸素プラズマ放電終了後チャンバ内の残留酸素をプロセスガスで置換させる方法と、酸素プラズマ放電終了前に酸素ガスの供給を停止しチャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持させる方法をあわせて実施することもできる。
【００４２】
以上説明した、酸素プラズマにより分解するクリーニングは、チャンバ内壁へのカーボン付着またはカーボン発塵状況、あるいは収率状況を考慮して保護膜成膜の任意の枚数ごとに実施することができる。この時、ディスク搬送キャリアを単位として実施すると成膜装置のプロセス制御の点から制御し易い。
【００４３】
本発明の製造方法により製造された磁気記録媒体は、グライド特性（例えばグライド特性検査条件（グライドハイト）：０．０５μｍ、好ましくは０．０３７５μｍ、より好ましくは０．０２５μｍ）を満足するものとなり、該グライド特性検査を合格するものである。また、エラー特性、コロージョン特性が高記録密度に対応した特性を満足したものになる。高記録密度に対応した磁気記録媒体は、例えば３１００［エルステッド］以上好ましくは３４００［エルステッド］以上の保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体であるのが望ましい。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明の製造方法の実施例を具体的に説明するが本発明は、これに限定されるものではない。
【００４５】
ＮｉＰメッキＡｌ基板に表面粗さＲａ６Åのテクスチヤ加工を施した後、成膜装置（アネルバ製「３０１０」）内にセットした。到達真空度２．０×１０^-6Ｐａまで排気した後、下地膜としてＣｒ合金、磁性膜としてＣｏ合金を成膜した。さらに、磁性膜の上には保護膜として炭化水素及び水素の混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によりカーボンを５０Å成膜した。また、成膜時のディスク温度、成膜レートは、それぞれ１７０℃、４００Å／ｍｉｎとした。カーボン保護膜上に、フォンブリン系潤滑剤をディッピング法で厚さ１５Åに塗布した。
スティクション特性は、以下の方法で品質が良品であることを確認した。まず、ＣＳＳ試験を行った。試験にはＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で回転数７２００ｒｐｍ、５秒立ち上げ、１秒高速、５秒たち下げ、１秒パーキングのサイクルでＣＳＳを２００００回行った。その後、１時間ディスクを静置し、同様の立ち上げ秒数でダイナミックスティクション値をモニターした。静磁気特性は、半径２１．５ｍｍ及び半径４５ｍｍの位置において日立電子エンジニアリング社製ＲＯ１７００を用いて測定し、品質が良品であることを確認した。また、製造枚数は、８０００枚／日とした。
この時、酸素プラズマにより分解するクリーニングは保護膜成膜枚数２枚ごとに１回実施した。酸素プラズマ放電時のチャンバ内圧力は、２０Ｐａとした。
【００４６】
また、排気量調節バルブ開放度を、酸素プラズマ放電時の開放度（１５％）から開放度１００％まで、１秒で自動的に開くように設定した。酸素プラズマによるクリーニングは次の２つの条件で実施した。
条件１）酸素プラズマ放電終了後、チャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで４秒置換した。
条件２）酸素プラズマ放電終了の１秒前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持させた。
本発明の製造方法を条件１）および条件２）で実施した場合と、従来の製造方法を用いた場合の、成膜装置の運転した製造日数と収率の関係の比較を図２に示す。
ここで従来方法は、本発明において酸素プラズマ放電を実施しない製造方法である。
【００４７】
従来法において、収率の悪化した３日、６日にチャンバを開放してチャンバ内壁のカーボン付着物またはチャンバ内のカーボン発塵の掃除を実施している。その後に収率が改善されていることから、収率（グライド特性検査収率×エラー特性検査収率）の悪化の主要因は、カーボン付着物またはカーボン発塵であると考えられる。一方、本発明の製造方法を用いた場合は、条件１）、条件２）ともにチャンバを開放してチャンバ内の掃除を実施していない。条件１）、条件２）ともに製造期間中に収率の低下が認められず、カーボン付着物またはカーボン発塵が発生せず高い収率を維持できることがわかる。１０日間の製造終了後にチャンバ内を観察したところ、従来法ではカーボン付着物またはカーボン発塵が発生しているのが確認されたが、本発明の製造方法を用いた場合は、条件１）、条件２）ともにチャンバ内壁へのカーボン付着またはカーボン発塵状況は製造開始時と変わらなかった。ここに示した１０日間の連続製造では掃除が不要であることがわかり稼働率を上げることができる。
【００４８】
本発明の製造方法の実施は、ここに記載したものに限定されない。たとえば、非磁性基板には一般に用いられるＮｉＰメッキＡｌ基板に加え、ガラス基板、シリコン基板等を用いることができる。また、表面粗さが２０Å以下である平滑性の高い基板を用いることができる。磁性膜合金は、従来公知のＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＮｉＣｒ系合金またはこれらに添加元素を加えたものを用いることができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の製造方法を用いることにより、カーボン保護膜を形成した際に発生するチャンバ内壁のカーボン付着物または剥離したカーボン発塵を除去することができる。本発明の製造装置を用いることにより、カーボン保護膜を形成した際に発生するチャンバ内壁のカーボン付着物または剥離したカーボン発塵を除去することができる。その結果、磁気記録媒体の品質の一つであるグライド特性、エラー特性、コロージョン特性が悪化することを抑えることができる。
また、除去すべきこれらの不良品を低減させることができるので量産時の収率を向上させることができる。
【００５０】
これらの特性悪化を抑える効果は、高記録密度に対応した磁気記録媒体、例えば３１００［エルステッド］以上好ましくは３４００［エルステッド］以上の保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体で顕著な効果となる。これは高記録密度に対応した磁気記録媒体ではより高品位なグライド特性（例えばグライド特性検査条件（グライドハイト）：０．０５μｍ、好ましくは０．０３７５μｍ、より好ましくは０．０２５μｍ）、エラー特性、コロージョン特性が要求されるからである。
【００５１】
さらに、本発明の製造方法を用いることにより、カーボン発塵によるプラズマ放電の異常が低減するため、成膜装置の安定運転ができる。本発明の製造装置を用いることにより、カーボン発塵によるプラズマ放電の異常が低減するため、成膜装置の安定運転ができる。
また、カーボン付着物、カーボン発塵を除去するための、装置停止、チャンバ開放の必要が無いため、成膜装置の稼働率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す構成図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施した時、成膜装置の運転日数と収率の関係を、従来の製造方法を用いた場合と比較したグラフである。
【図３】本発明の保護膜形成用プラズマＣＶＤ装置の一実施形態の制御部からの電源と各調節バルブの制御の関係を示すブロック図である。
【符号の説明】
１・・・チャンバ、２・・・電極、３・・・高周波電源、４・・・バイアス電源、５・・・プロセスガス供給源、６・・・導入管、７・・・プロセスガス流量調節バルブ、８・・・酸素ガス供給源、９・・・酸素ガス流量調節バルブ、１０・・・排気量調節バルブ、１１・・・排気管、Ｄ・・・ディスク

Claims

非磁性基板上に、少なくとも、非磁性下地膜と、磁性膜と、プラズマＣＶＤ法により形成されたカーボンを主成分とする保護膜とを有する磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内壁のカーボン付着物またはチャンバ内のカーボンを酸素プラズマにより分解するに際して、酸素プラズマ放電終了前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
酸素プラズマ放電時のチャンバ内圧力が、３Ｐａ以上１５０Ｐａ未満であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
酸素プラズマ放電終了後から、次の保護膜を形成するまでに、ＣＶＤチャンバ内の残留酸素を、２．５×１０^-3［Ｐａ］以下に低減することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
酸素プラズマ放電終了後、チャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
チャンバ内の残留酸素を、プロセスガスで置換する時間を１秒以上５秒未満とすることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
酸素プラズマ放電終了０．５〜２秒前に酸素ガスの供給を停止し、チャンバ内の酸素の余圧で酸素プラズマ放電を維持することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の製造方法。