JP4550959B2 - 薄膜作成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、基板の表面に所定の薄膜を作成する薄膜作成装置に関するものであり、特に、そのような装置において基板を保持する基板保持具の表面に堆積した膜の除去に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
基板の表面に所定の薄膜を作成する薄膜作成装置は、LSI等の半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の表示装置、ハードディスク等の情報記録ディスクの製造において盛んに使用されている。このような薄膜作成装置は、成膜を行う成膜チャンバー内の所定位置に基板を保持するため、特定の構成の基板保持具を備えている。薄膜は、本来は基板のみに堆積させるべきであるが、薄膜を堆積させる粒子は基板の表面のみならず基板保持具の表面にも付着してしまう。このため、基板保持具の表面にも薄膜が堆積してしまう。このような基板保持面への膜堆積が原因で、処理の品質を損ねる等の問題が生じている。以下、この点について、情報記録ディスク製造用の薄膜作成装置を例にして説明する。
【0003】
図9は、従来の情報記録ディスク製造用の薄膜作成装置の概略構成を示す平面図である。図9に示す装置は、移動路80に沿って気密に縦設された複数の真空チャンバー1,2,501から成る構成である。また、基板9を保持する基板保持具90と、基板保持具90を移動路80に沿って移動させる不図示の移動機構が設けられている。
【0004】
図10は、図9に示す基板保持具90の構成を示す正面概略図である。基板保持具90は、板状の保持具本体92と、保持具本体92に取り付けられた保持爪91とから主に構成されている。保持爪91は、三つが一組となって一枚の基板9を保持するようになっている。各保持爪91はL字状に折り曲げられた金属製の板バネである。保持具本体92は、図10に示すように、基板9より少し大きな円形の開口を二つ有している。保持具本体92は、円形の開口から延びるようにしてほぼL字状の開口を有しており、この開口内に各保持爪91が位置している。
保持爪91は、ネジ止めによって保持具本体92に固定されており、その先端に基板9の縁が係止されるようになっている。保持爪91の先端は、V字状になっている。そして、基板9の縁がこのV字状の先端に落とし込まれるようになっている。
【0005】
このような三つの保持爪91のうち、下側に位置する保持爪91は可動保持爪となっている。即ち、この保持爪91をその弾性に逆らって押し下げるレバー93が設けられている。基板9を基板保持具90に搭載する際には、レバー93によって下側の保持爪91を押し下げ、基板9を保持具本体92の中央の円形の開口内に位置させる。そして、レバー93を戻して下側の保持爪91をその弾性によって元の姿勢に復帰させる。この結果、基板9が三つの保持爪91によって係止され、基板保持具90によって二枚の基板9が保持された状態となる。基板保持具90から基板9を回収する場合には、これと全く逆の動作となる。
尚、図10から分かるように、基板9は垂直に立った姿勢で基板保持具90に保持される。そして、基板保持具90に保持された基板9の板面は移動路80の側方に向くようになっている。
【0006】
一方、図9に示す複数の真空チャンバーのうちの一つは、基板保持具90に基板9を搭載するロードロックチャンバー1になっており、別の一つは、基板保持具90から基板9を回収するアンロードロックチャンバー2になっている。また、さらに別の真空チャンバー501の一つは、基板9の表面に所定の薄膜を作成する成膜チャンバーになっている。尚、残りの真空チャンバー501は、成膜に先だって基板9を加熱する加熱チャンバーとして構成されたり、多層膜を形成する場合には第二の成膜チャンバーとして構成されたりする。
【0007】
尚、図9に示す装置では、アンロードロックチャンバー2で基板9が回収された機構をロードロックチャンバー1に戻す不図示のリターン機構が大気側に設けられている。従って、基板保持具90は、複数の真空チャンバー1,2,501とリターン機構とを通って循環し、何回も基板9の保持に使用されるようになっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の薄膜作成装置において、基板9は基板保持具90に保持された状態で成膜チャンバー501に移動し、基板9の表面が成膜される。このため、薄膜は、基板9の表面のみならず、基板保持具90の表面にも堆積する。このため、次のような問題があった。この点を図11を使用して説明する。図11は、従来の技術の問題点を説明した図である。
【0009】
図11には、図10に示す保持爪91の先端と、その先端に係止された基板9の周縁が示されている。まず、図11(1)に示すように、薄膜94は、基板9の表面のみならず、保持爪91の表面にも堆積する。より具体的には、薄膜94は、保持爪91から基板9の周縁にまたがって堆積する。従って、成膜後に基板9が基板保持具90から回収されると、図11(2)に示すように、保持爪91の先端のV字状の表面のうち、基板9が位置していた部分を除いて薄膜94が残った状態となる。基板保持具90は、前述したように何回も基板9の保持に使用されるが、次に基板9が搭載される際には、前回の位置と全く同じ位置に保持されることは殆ど無い。即ち、図3(3)に示すように、基板9の周縁が、堆積している薄膜94の上に載ってしまう。
【0010】
この際、基板9が載る衝撃で薄膜94は剥離し、剥離した薄膜94は、ある程度の大きさの粒子(以下、パーティクル)95となって飛散する。このパーティクル95が基板9の表面に付着すると、局所的な膜厚異常を生じる。局所的な膜厚異常は、ハードディスクのような情報記録ディスクの場合には、セクタ不良などの欠陥を生じ易い。
【0011】
特に、最近の情報記録ディスクは、記録容量の向上のため、基板9の表面のうち、周縁付近のぎりぎりの領域まで使用するようになってきている。上述したパーティクルは、周縁から限られた距離の隅の部分に付着することが多く、中央よりの部分に付着することは少ない。このため、周縁付近の部分を使用しなかった以前ではあまり問題とならなかったが、周縁付近のぎりぎりまで使用する最近では、深刻な問題となってきている。
【0012】
さらに、最近の情報記録ディスクは、記録密度の向上のため、セクタ間距離が狭くなってきている。このため、僅かな膜厚異常(例えば突起の形成)でも、記録エラーとなり易い。例えば、20ギガビット/平方インチ程度の高密度記録のハードディスクの場合、直径がわずか0.2μm程度の小さなパーティクルが付着しただけでも、記録エラーとなってしまう。
【0013】
このような問題を解決する手段としては、基板保持具90の表面に堆積した薄膜94が剥離しにくくなるようにすることが考えられる。例えば、保持爪91の表面をブラスト処理(砂等の微粒子を吹き付ける処理)を行って表面に細かな凹凸を形成するようにする。堆積する薄膜が凹凸に食い込んだ状態となるので、薄膜が剥がれにくくなる。別の方法としては、融解金属等を熔射して表面に凹凸を形成する方法もある。
【0014】
しかしながら、ブラスト処理や熔射処理等を行うと、保持爪91が傷み易い。
保持爪91は、成膜の際に基板9の表面に対する成膜材料の到達を遮蔽しないよう、できるだけ薄いものが採用される。従って、ブラスト処理や熔射処理のような処理を行うと、保持爪91が変形したり、弾性が無くなってしまったりする問題がある。
【0015】
本願の発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、基板保持具に堆積した薄膜の剥離に起因した問題を効果的に解決する技術的意義を有する。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項1記載の発明は、ロードロックチャンバーと、
前記ロードロックチャンバーと気密に接続された成膜チャンバーと、
前記成膜チャンバーと気密に接続されたアンロードロックチャンバーと、
前記アンロードロックチャンバーと前記ロードロックチャンバーの間に真空が連通するようにして気密に接続して設けられ、かつ膜除去機構を備えたエッチングチャンバーと、
基板保持具を、前記ロードロックチャンバー、前記成膜チャンバー、前記アンロードロックチャンバー、及び前記エッチングチャンバーの順に移動させる移動機構とを備えており、
前記移動機構は、前記ロードロックチャンバー内にある前記基板保持具を前記成膜チャンバーに移動させ、前記成膜チャンバー内にある前記基板保持具を前記アンロードロックチャンバーに移動させ、前記アンロードロックチャンバーにある前記基板保持具を前記エッチングチャンバーに移動させ、前記エッチングチャンバーにある前記基板保持具を前記ロードロックチャンバーに移動させる動作を、タクトタイムごとに行う機構であり、
前記エッチングチャンバーは前記アンロードロックチャンバーに隣接して設けられているとともに、前記ロードロックチャンバーは前記エッチングチャンバーに隣接して設けられており、前記移動機構は、あるタクトタイムにおいて前記アンロードロックチャンバーから前記エッチングチャンバーに前記基板保持具を移動させるとともに、次のタクトタイムにおいて当該基板保持具を前記ロードロックチャンバーに移動させるものであり、
前記膜除去機構は、前記基板保持具に堆積した堆積膜にイオンを入射させ、イオン衝撃により前記堆積膜をスパッタエッチングして除去するものであり、
前記基板保持具は、前記エッチングチャンバー内において接地電位から絶縁されて絶縁電位となっており、
前記膜除去機構は、前記エッチングチャンバー内において前記基板保持具に接触可能な可動電極と、高周波電源と、キャパシタンスを介して高周波電源と可動電極とをつなぐ伝送線とから成っており、高周波電源が印加する高周波電界によって形成されたプラズマ中の電子とイオンの移動度の違いから前記基板保持具に自己バイアス電圧を生じさせることでプラズマ中のイオンを入射させるものであるという構成を有する。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、薄膜作成装置の一例として、同様に情報記録ディスク製造用の薄膜作成装置を採り上げて説明する。
図1は、本願発明の実施形態に係る薄膜作成装置の概略構成を示す平面図である。本実施形態の装置では、複数の真空チャンバーが方形の輪郭に沿って縦設されている。各真空チャンバーは、専用又は兼用の排気系によって排気される真空容器である。各真空チャンバーの境界部分には、ゲートバルブ10が設けられている。基板9は、基板保持具90に保持されて搬送されるようになっている。複数の縦設された真空チャンバーに沿って方形の移動路80が設定されており、この移動路80に沿って基板保持具90を移動させる移動機構が設けられている。
基板保持具90は、移動機構による移動の途中で基板9を保持して搬送するようになっている。
【0018】
複数の真空チャンバーのうち、方形の一辺に配置された二つの真空チャンバーが、基板保持具90への基板9の搭載を行うロードロックチャンバー1及び基板保持具90からの基板9の回収を行うアンロードロックチャンバー2になっている。尚、方形の移動路80のうち、ロードロックチャンバー1とアンロードロックチャンバー2との間の部分は、アンロードロックチャンバー2からロードロックチャンバー1に基板保持具90を戻すリターン移動路になっている。
【0019】
また、方形の他の三辺に配置された真空チャンバーは、各種処理を行う真空チャンバーになっている。方形の角の部分の真空チャンバーは、基板9の搬送方向を90度転換する方向転換機構を備えた方向転換チャンバー31,32,33,34になっている。
【0020】
基板保持具90に保持された基板9が一番最初に搬送される処理用の真空チャンバーは、成膜に先だって基板9を所定温度に予備加熱するプリヒートチャンバー4となっている。プリヒートチャンバー4での予備加熱の後に基板9が順次搬送される真空チャンバーが、基板9の表面に所定の薄膜を作成する成膜チャンバー51,52,53,54,50となっている。
【0021】
本実施形態の装置では、移動機構は、基板9を保持した基板保持具90を移動路80に沿って時計回りに移動させて基板9が順次処理されるようにしている。
移動機構は、基板保持具90を直線移動させる直線移動機構と、前述した方向転換機構によって主に構成されている。
基板保持具90を直線移動させる直線移動機構等について、図2及び図3を使用して説明する。図2及び図3は、図1に示す装置における基板保持具90及び移動機構の構成を説明する図であり、図2はその正面概略図、図3は側断面概略図である。
【0022】
基板保持具90の構成は、図10に示すものとほぼ同様であり、保持具本体92と保持具本体92に設けられた保持爪91とからなる構成である。保持爪91は合計で六つ設けられており、三つが一組となって一枚の基板9を保持する。従って、基板保持具90は同時に二枚の基板9を保持するようになっている。
本実施形態における基板保持具90は、図2に示すように、その下端部には小さな磁石(以下、保持具側磁石)96を多数備えている。各保持具側磁石96は、上下の面に磁極を有している。そしてこの保持具側磁石96は、図2に示すように、配列方向に交互に逆の磁極になっている。
【0023】
また、基板保持具90の下側には、隔壁83を挟んで磁気結合ローラ81が設けられている。磁気結合ローラ81は丸棒状の部材であり、図2に示すように、螺旋状に延びる細長い磁石(以下、ローラ側磁石)82を有している。このローラ側磁石82は互いに異なる磁極で二つ設けられており、二重螺旋状になっている。
磁気結合ローラ81は、ローラ側磁石82が隔壁83を挟んで保持具側磁石96に向かい合うよう配置されている。隔壁83は、透磁率の高い材料で形成されており、保持具側磁石96とローラ側磁石82とは、隔壁83を通して磁気結合している。尚、隔壁83の基板保持具90側の空間は真空側(各真空チャンバーの内部側)であり、磁気結合ローラ81側の空間は大気側である。このような磁気結合ローラ81は、図1に示す方形の移動路80に沿って設けられている。
【0024】
また、図3に示すように、基板保持具90は、水平な回転軸の回りに回転する主プーリ84の上に載せられている。主プーリ84は、基板保持具90の移動方向に沿って多数設けられている。また、基板保持具90の下端部分には、垂直な回転軸の回りに回転する一対の副プーリ85,85が当接している。この副プーリ85,85は、基板保持具90の下端部分を両側から挟むように押さえて基板保持具90の転倒を防止している。この副プーリ85,85も基板保持具90の移動方向に多数設けられている。
図3に示すように、磁気結合ローラ81には傘歯車を介して駆動棒86が連結されている。そして、駆動棒86には移動用モータ87が接続されており、駆動棒86を介して磁気結合ローラ81をその中心軸の周りに回転させるようになっている。
【0025】
磁気結合ローラ81が回転すると、図2に示す二重螺旋状のローラ側磁石82も回転する。この際、ローラ側磁石82が回転する状態は、保持具側磁石96から見ると、交互に異なる磁極の複数の小さな磁石が一列に並んでその並びの方向に沿って一体に直線移動しているのと等価な状態となる。従って、ローラ側磁石82に結合している保持具側磁石96は、ローラ側磁石82の回転とともに直線移動し、この結果、基板保持具90が全体に直線移動することになる。この際、図3に示す主プーリ84及び副プーリ85,85は従動する。
【0026】
さて、本実施形態の薄膜作成装置の大きな特徴点は、基板保持具90の表面の堆積膜の除去を真空中で行う膜除去機構が設けられており、この膜除去機構を備えた膜除去チャンバー70が設けられている点である。図1に示すように、膜除去チャンバー70は、ロードロックチャンバー1とアンロードロックチャンバー2との間に設けられている。
膜除去チャンバー70は、排気系(図1中不図示)を備えた真空チャンバーである。この膜除去チャンバー70は、ロードロックチャンバー1及びアンロードロックチャンバー2に対して真空が連通するようにして気密に接続されている。
ロードロックチャンバー1と膜除去チャンバーの間、及び、膜除去チャンバーとアンロードロックチャンバー2の間には、それぞれゲートバルブ10が設けられている。
【0027】
膜除去チャンバー70及び膜除去機構の構成について、図4を使用してさらに詳しく説明する。図4は、図1に示す装置に設けられた膜除去チャンバー70の構成について説明する側断面概略図である。
膜除去チャンバー70も、上述した処理チャンバー等と同様に気密な真空チャンバーである。膜除去チャンバー70は、排気系71を有している。排気系71は、クライオポンプ又はターボ分子ポンプ等の真空ポンプから構成されており、膜除去チャンバー70内を10- 6Pa程度まで排気できるようになっている。
【0028】
膜除去機構は、膜除去チャンバー70内に高周波放電を生じさせ、スパッタエッチングにより基板保持具90の表面の堆積膜を除去するようになっている。具体的には、膜除去機構は、膜除去チャンバー70内に所定のガスを導入するガス導入系72と、導入されたガスに高周波放電を生じさせる高周波電源73等から構成されている。
【0029】
ガス導入系72は、アルゴンのように化学的に不活性で放電を生じさせ易くかつスパッタ率の高いガスを導入するようになっている。ガス導入系72は、不図示の流量調整器を備えており、所定の流量でガス導入できるようになっている。
高周波電源73としては、周波数13.56MHz、出力100W〜300W程度のものが使用できる。一方、膜除去チャンバー70内には、可動電極74が設けられており、整合器731を介して高周波電源73と可動電極74とをつなぐようにして伝送線732が設けられている。伝送線732としては、例えば同軸ケーブルが使用される。
【0030】
可動電極74は、先端が基板保持具90の保持具本体92に接触する電極ロッド741と、電極ロッド741を保持した電極ホルダー742と、絶縁材を介して電極ホルダー742を先端に取り付けた電極駆動棒743と、電極駆動棒743に連結された電極駆動源744とから主に構成されている。電極ロッド741はほぼ円柱状であり、電極ホルダー742は内部に電極ロッド741を収容した円筒状である。電極ロッド741の先端は電極ホルダー742の先端から少し突出している。また、電極ホルダー742内には電極ロッド741の後端と電極ホルダー742の内面との間には挟まれるようにしてコイルスプリング745が設けられている。
【0031】
また、電極駆動棒743は、膜除去チャンバー70に設けられた貫通孔を貫通している。電極駆動棒743は、膜除去チャンバー70の外側(大気側)に位置する部分にフランジ部746を有する。そして、このフランジ部746と膜除去チャンバー70の外壁面との間にはベローズ748が設けられている。ベローズ748は、電極駆動棒743の貫通部分等からの真空リークを防止している。
また、電極駆動棒743は中空となっており、内部に絶縁性の緩衝材を介して高周波導入棒747が設けられている。高周波導入棒747の先端は、電極ロッド741に固定されている。そして、電極駆動棒743のベローズ748内に位置する部分には、開口が設けられている。高周波電源73につながる伝送線732は、フランジ部746を気密に貫通するとともにこの開口を通して高周波導入棒747に接続されている。尚、電極駆動源744には、例えばエアシリングが使用されており、電極駆動棒743を所定のストロークで前後運動させるようになっている。
【0032】
次に、上記構成に係る膜除去チャンバー70及び膜除去機構の動作について説明する。
基板9を保持しながら成膜チャンバー51,52,53,54,50内に移動し、成膜に利用された基板保持具90は、前述したように保持爪91の表面に薄膜が堆積している。この基板保持具90から、アンロードロックチャンバー2で成膜済みの基板9が回収され、この基板保持具90は基板9を保持しない状態で、移動機構により膜除去チャンバー70内に移動させられる。基板保持具90が膜除去チャンバー70に移動した後、ゲートバルブ10は閉じられる。
【0033】
膜除去チャンバー70内は、排気系71によって予め所定の真空圧力まで排気され、その圧力が維持される。そして、電極駆動源744が駆動され、電極駆動棒743が所定のストロークだけ前進する。この結果、電極ホルダー742を介して電極ロッド741も前進し、図4に示すように保持具本体92の側面に接触する。この際、コイルスプリング745は、電極ロッド741が保持具本体92に接触することによる衝撃を吸収する。このため、電極ロッド741の摩耗等が抑制される。また、コイルスプリング745による弾性のため、保持具本体92への電極ロッド741の接触が確実に維持される。この状態で、高周波電源73が動作し、電極ロッド741、高周波導入棒747及び伝送線732を介して高周波電圧が保持具本体92に印加される。尚、保持具本体92と同様に保持爪91も金属製であり、保持具本体92を介して保持爪91にも高周波電圧が印加される。
【0034】
保持具本体92や保持爪91に高周波電圧が印加されると、接地電位に維持されている膜除去チャンバー70の器壁等との間に電界が設定され、導入されているガスに高周波放電が生じ、高周波放電プラズマが形成される。この際、プラズマと高周波電源73との間には、整合器731に含まれるコンデンサ又は別途設けられる不図示のコンデンサ等によるキャパシタンスが存在する。プラズマが形成されている空間にキャパシタンスを介して高周波電界を設定すると、キャパシタンスの充放電にプラズマ中の電子とイオンが作用する。この結果、電子とイオンとの移動度の違いから保持爪91の表面に自己バイアス電圧と呼ばれる負の直流分の電圧が重畳される。尚、主プーリ84や副プーリ85,85の表面は絶縁物となっており、従って、基板保持具90は接地電位から絶縁されて絶縁電位となっている。
【0035】
プラズマ中のイオンは、この自己バイアス電圧によって加速されて保持爪91の表面の堆積膜に入射して堆積膜を衝撃する。これにより、堆積膜がスパッタエッチングされ、保持爪91から除去される。スパッタエッチングを所定時間行った後、高周波電源73の動作を停止する。その後、電極駆動源744を駆動して電極ロッド741を保持具本体92から引き離す。そして、膜除去チャンバー70内を再度排気した後、基板保持具90を膜除去チャンバー70から搬出する。
尚、膜除去チャンバー70内には、エッチングにより弾き出された堆積膜の粒子を付着させて集める不図示の集着板が設けられている。集着板に集められた量がある程度の量に達すると、膜除去チャンバー70を大気圧に戻して開放し、集着板を交換する。
【0036】
より具体的な条件について説明する。情報記録ディスク用基板の成膜では、基板9の表面に磁性膜や保護膜を作成する。従って、保持爪91の表面にはこれらの薄膜が堆積しており、これらの薄膜を除去することを想定して説明する。尚、保持爪91の材料はインコネル等である。
ガス導入系72からはアルゴンガスが導入され、その流量は50〜100cm3/分に設定される。排気系71の排気速度調整器を制御して、膜除去チャンバー70内の圧力は5〜10Pa程度に維持される。高周波電源73は、周波数13.56MHz出力200W程度に設定される。このような条件で高周波放電プラズマを形成し、スパッタエッチングを行う。この条件で堆積膜の除去を行うと、4nm/分程度のエッチング速度で除去が可能であり、一日に一回程度の頻度でこの作業を行うことで、問題となる基板9の表面へのパーティクルの付着を充分に抑制することができる。
【0037】
次に、膜除去機構の別の構成について説明する。図5は、膜除去機構の別の構成について説明する側断面概略図である。
この例の膜除去機構は、保持爪91の表面の堆積膜に光照射して堆積膜を除去するようになっている。具体的に説明すると、膜除去チャンバー70の器壁には光導入窓751が気密に設けられている。膜除去機構は、所定の波長の光を放つ光源752と、光源752からの光を膜除去チャンバー70内の各保持爪91に所定のパターンで照射するように導く光学系753とから構成されている。光学系753は、レーザー等の光源752からの光を分割し、各保持爪91の先端部分よりも少し大きなパターンになるよう光をレンズで集光する構成となっている。
【0038】
この例では、光照射を熱エネルギーを与える手段として用いている。保持爪91の表面の堆積膜は、大きな内部応力を持って堆積する場合が多い。これは、保持爪91が前述したように複雑な形状であるという理由によるとも考えられる。
このように内部応力が高い薄膜は、急激な加熱によって熱歪みを生じて剥離する。従って、光源752に赤外線レーザーや赤外線ランプを採用し、光学系によって集光して保持爪91に照射するようにすれば、急激な加熱により表面の堆積膜が剥離する。
【0039】
尚、光エネルギーそのものを利用する例も考えられる。例えば、光アッシング等のように、紫外線の照射により堆積膜を分解することで保持爪91から堆積膜を剥離するようにする場合もあり得る。いずれにしても、剥離した堆積膜は、同様に不図示の集着板を介して膜除去チャンバー70から排出される。もしくは、排気系71により排出される。
【0040】
膜除去機構のさらに別の例について、図6を使用して説明する。図6は、膜除去機構のさらに別の例について説明する平面断面概略図である。この例では、保持爪91の表面の堆積膜は、反応性ガスの作用によって除去されるようになっている。即ち、膜除去機構は、反応性ガスを導入するガス導入系761によって構成されている。
反応性ガスとしては、例えば酸素ガスが使用される。磁性薄膜等の金属系の薄膜は、酸素ガス、フッ素ガス又は塩素ガス等の活性の高い反応性ガスに触れると急激に反応し(腐食し)、ぼろぼろになって保持爪91から剥離する。尚、保持爪91や保持具本体92には、そのような反応性ガスによって化学的に損傷を受けないよう、保護膜で覆われている。
【0041】
尚、反応性ガスの導入だけて薄膜を除去する場合もあるが、除去を短時間に行うため、薄膜にエネルギーを与える構成が採用されている。具体的には、膜除去チャンバー70内に放電を形成し、放電による衝撃を利用して膜を除去する構成となっている。膜除去チャンバー70内には、高周波電極762が設けられている。高周波電極762は、膜除去チャンバー7に気密に填め込まれた絶縁ブロック763に取り付けられている。高周波電極762は内部が中空であり、前面にガス吹き出し孔を有する。ガス導入系761は、この高周波電極762の内部空間を経由して膜除去チャンバー4内に反応性ガスを導入する。
【0042】
そして、高周波電極762に高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせる高周波電源764が設けられている。反応性ガスと反応した薄膜は、高周波放電の衝撃によって容易に剥離する。尚、図6に示す構成は、図1に示す保護膜作成チャンバー50の構成としても応用が可能である。ガス導入系761がCH4 等の有機化合物ガスと水素ガスとの混合ガスを導入するよう構成すれば、有機化合物ガスの分解により基板9の表面にカーボン保護膜が作成される。
【0043】
膜除去機構の構成としては、電気エネルギーを利用するものも考えられる。例えば、保持爪91の表面の薄膜が導電性である場合、瞬間的に大きな電流を薄膜に流し、通電による衝撃により薄膜を剥離させる構成が考えられる。薄膜は前述した通り内部応力が高いので、瞬間的な大電流の通電により容易に剥離する。この構成では、膜除去チャンバー70内に自動的に移動する一対のプローブを設ける。一対のプローブの先端を保持爪91に接触させ、両者に電圧を印加して保持爪91を通電するように構成する。
【0044】
この他、超音波によって薄膜を除去する構成も考えられる。例えば、保持爪91の両側を一対の超音波振動子で挟み、超音波を印加して薄膜を振動させて剥離させるようにする。
上記いずれの構成によっても、保持爪91の表面の堆積膜を膜除去チャンバー70内という真空中で除去することができる。このように堆積膜を真空中で除去することは、次のような技術的意義を有する。
【0045】
即ち、基板保持具90の表面の堆積膜を除去するには、基板保持具90を大気側に取り出し、手作業にて堆積膜を削り取る方法が考えられる。しかしながら、基板保持具90を大気側に取り出すと、大気中の酸素、水分、ゴミ等が基板保持具90に付着し、そのまま基板保持具90を装置内に搬入すると、基板保持具90を介してこれらの物質が装置内に持ち込まれてしまう。この結果、基板9の表面が酸化等によって汚染されたり、作成される薄膜が酸化されてしまったり、薄膜が水分やゴミ等を異物を含んだものとなってしまったりする問題が生ずる。
【0046】
このような問題を防止するため、大気側に基板保持具90を取り出して堆積膜を削除した後、表面のクリーニング等の処理を行った後に装置に搬入しなければならない。このため、非常に手間がかかり、生産性が著しく低下してしまう。その上、基板保持具90を搬入した後、真空チャンバーを再度排気し、真空チャンバーが所定の圧力に維持されていることを確認した後に処理を再開する必要があり、処理の再開まで非常に長い時間を要してしまう。この点も、生産性を著しく低下させる原因となる。
一方、本実施形態の方法のように、堆積膜を真空中で除去するようにすれば、除去後の基板保持具90のクリーニングや大気圧からの再度排気等の手順が不要になる。このため、生産性を著しく低下させることがない。
【0047】
次に、薄膜作成装置の実施形態の各部の構成について、再び図1を使用して説明する。
まず、ロードロックチャンバー1内には、搭載用ロボット11が設けられている。搭載用ロボット11は、そのアームによって搭載用補助チャンバー12から基板9を一枚ずつ保持して基板保持具90に搭載するよう構成されている。また、アンロードロックチャンバー2には、搭載用ロボット11と同様の構成の回収用ロボット21が設けられている。回収用ロボット21は、そのアームによって基板保持具90から基板9を一枚ずつ保持して回収用補助チャンバー22内に搬入するよう構成されている。
【0048】
方形の角の部分の四つの方向転換チャンバー3は、基板9の搬送方向を90度転換する不図示の方向転換機構を備えている。図7を使用して、この方向転換機構について説明する。図7は、図1に示す方向転換チャンバー31,32,33,34に設けられた方向転換機構の構成を説明する側面概略図である。図7に示す方向転換機構は、上述した構成と同様の磁気結合ローラ(図7中不図示)等を含む直線移動機構を全体に保持した保持体61と、この保持体61を回転させて保持体61全体を回転させる回転用モータ62とから主に構成されている。
【0049】
まず、図7中不図示の磁気結合ローラの軸には、駆動棒86が傘歯車等の運動転換機構を介して連結されている。この駆動棒86の後端には、図7に示すように別の傘歯車861が設けられている。この別の傘歯車861には、鉛直な姿勢の動力伝達棒88が連結されている。即ち、動力伝達棒88の先端には傘歯車881が設けられて駆動棒86の後端の傘歯車861に螺合している。動力伝達棒88の後端は、移動用モータ87の出力軸が連結されている。
【0050】
一方、方向転換機構を構成する保持体61は、円柱状又は円筒状の部材であり、その軸方向を鉛直にして配置されている。保持体61は、図7に示すように、鉛直方向に長い貫通孔を有し、この貫通孔に挿通された状態で上記動力伝達棒88が配置されている。貫通孔の内面と動力伝達棒88との間の間隙部分には、ベアリング882が配置され、動力伝達棒88の回転を許容しつつ貫通孔の部分に動力伝達棒88を保持している。
上記保持体61は、より大きな径のほぼ円筒状の保持具カバー62の内側に配置されている。この保持具カバー62は、内側に保持体61を収納して保持するとともに方向転換機構が配置された方向転換チャンバー31,32,33,34の底板部分300に取り付けられている。即ち、方向転換チャンバー31,32,33,34の底板部分300には、保持具カバー62の外径に適合する大きさの円形の開口を有し、この開口に保持具カバー62をはめ込んで固定している。
保持具カバー62と底板部分300との接触面にはOリング等のシール材が設けられている。
【0051】
また、保持具カバー62とその内側の保持体61との間の間隙には、上下に並べて設けた四つのベアリング63と、上側の二つのベアリング63の間に挟み込むようにして設けたメカニカルシール64とが設けられている。メカニカルシール64は、保持体61の回転を許容しつつ保持体61と保持具カバー62との間の間隙を真空シールするためのものであり、磁性流体を使用したシール機構等が好適に使用できる。
【0052】
また一方、保持体61の下面にはプーリ取付具651が設けられており、このプーリ取付具651の下端に保持具側プーリ65が固定されている。保持具側プーリ65は、保持体61の中心軸と同心状に配置されたものである。さらに、保持具側プーリ65と同じ高さの位置には、モータ側プーリ66が配置されている。このモータ側プーリ66には、上方に突出させた回転用モータ62の出力軸が連結されている。また、モータ側プーリ66と保持具側プーリ65とを連結するようにして、ベルト67が張架されている。具体的には、保持具側プーリ65及びモータ側プーリ66はタイミングプーリから構成され、ベルトはタイミングベルトから構成されている。
【0053】
また、保持体61の上面には、図7に示すような保持枠68が固定されている。保持枠68は、図2に示す基板保持具90や磁気結合ローラ81等を全体に保持するためのものである。保持枠68の下側部分の先端には、図7に示すように支柱681が数本配置されており、この支柱681によって前述した主プーリ84や一対の副プーリ85,85が保持されている。そして、保持枠68と保持体61との間は真空シールされており、保持枠68の内部からの方向転換チャンバー31,32,33,34内のリークを防止している。
【0054】
このような方向転換チャンバーの方向転換機構の動作について説明する。
まず、移動用モータ87が駆動されると、動力伝達棒88及び駆動棒86を介して図7中不図示の磁気結合ローラに回転駆動が伝達され、磁気結合ローラが回転する。これによって、上方の基板保持具90が直線移動する。
基板保持具90が移動して方向転換チャンバー31,32,33,34内の所定位置に達すると、回転用モータ62が駆動される。回転用モータ62の動力は、モータ側プーリ66からベルト67によって保持具側プーリ65に伝えられ、保持具側プーリ65を回転させる。これによって、上方の保持体61が回転し、保持体61上に保持されていた直線移動機構が全体に回転する。この結果、基板保持具90も回転する。回転角度が90度に達すると回転用モータ62は駆動を停止し、基板保持具90の回転も停止する。これによって、基板保持具90の搬送の向きが90度曲げられる。
【0055】
次に、所定の制御信号を受けた後さらに直線移動機構が駆動され、90度曲げられた移動路80に沿って基板保持具90を移動させ、次の真空室チャンバーまで基板保持具90を搬送させる。従って、曲げられた後の移動路80においても、基板9の板面は搬送方向の側方に向くようになっている。
上記構成に係る方向転換機構の構成において、90度等の所定角度の回転の制御は、回転用モータ62の制御によって行っても良いし、保持体61が所定角度回転したのを検出する不図示のセンサ機構等によって行ってもよい。
尚、本実施形態の装置は、装置全体を制御する不図示の制御部を備えている。
制御部は、前述した移動機構、搭載用ロボット11、回収用ロボット21等を制御するようになっている。
【0056】
次に、プリヒートチャンバー4の構成について説明する。プリヒートチャンバー4におけるプリヒートは、脱ガス即ち基板9の吸蔵ガスを放出させる目的で行われる。脱ガスを行わないで成膜を行うと、成膜時の熱による吸蔵ガスの放出によって膜中に気泡が形成されたり、発泡によって膜の表面が粗くなったりする問題がある。このため、プリヒートチャンバー4で、基板9を100〜300℃程度まで予め加熱するようになっている。
プリヒートチャンバー4は、内部に窒素などの不活性ガスを導入する不図示のガス導入系と、搬入された基板9を加熱する加熱手段が設けられている。加熱手段としては、通常、赤外線ランプ等の輻射加熱手段が採用される。
【0057】
各成膜チャンバー51,52,53,54,50は、スパッタリング又はCVD(化学蒸着)により所定の薄膜を作成するようになっている。一例として、最初に基板9が搬送される成膜チャンバーである第一下地膜作成チャンバー51を例にして説明する。図8は、第一下地膜作成チャンバー51の構成を示す平面断面概略図である。
第一下地膜作成チャンバー51は、スパッタリングにより下地膜を作成するようになっている。第一下地膜作成チャンバー51は、内部を排気する排気系55と、内部にプロセスガスを導入するガス導入系56と、内部の空間に被スパッタ面を露出させて設けたターゲット57と、ターゲット57にスパッタ放電用の電圧を印加するスパッタ電源58と、ターゲット57の背後に設けられた磁石機構59とから主に構成されている。
【0058】
排気系55は、クライオポンプ等の真空ポンプを備えて第一下地膜作成チャンバー内を10−6Pa程度まで排気可能に構成される。ガス導入系56は、プロセスガスとしてアルゴン等のガスを所定の流量で導入できるよう構成される。
スパッタ電源58は、ターゲット57に−300V〜−500V程度の負の高電圧を印加できるよう構成される。磁石機構59は、マグネトロン放電を達成するためのものであり、中心磁石591と、この中心磁石591を取り囲むリング状の周辺磁石592と、中心磁石591と周辺磁石592とをつなぐ板状のヨーク593とから構成される。尚、ターゲット57や磁石機構59は、絶縁ブロック571を介して第一下地膜作成チャンバー51に固定されている。第一下地膜作成チャンバー51は、電気的には接地されている。
【0059】
ガス導入系56によってプロセスガスを導入しながら排気系55によって第一下地膜作成チャンバー51内を所定の圧力に保ち、この状態でスパッタ電源58を動作させる。この結果、スパッタ放電が生じてターゲット57がスパッタされ、スパッタされたターゲット57の材料が基板9に達して基板9の表面に所定の下地膜が作成される。尚、図8から分かるように、ターゲット57、磁石機構59及びスパッタ電源58の組は、第一下地膜作成チャンバー51内の基板9の配置位置を挟んで両側に設けられており、基板9の両面に同時に下地膜が作成されるようになっている。
【0060】
また、図8に示すように、各ターゲット57の大きさは、一枚の基板9よりも少し大きい程度となっている。二枚の基板9を保持した基板保持具90は、第一下地膜作成チャンバー51内で移動し、二枚の基板9が順次ターゲット57の正面に位置するようになっている。即ち、最初は搬送方向前方の基板9がターゲット57の正面に位置する状態となってこの基板9に成膜が行われる。そして、その後、所定距離前進して搬送方向後方の基板9がターゲット57の正面に位置する状態となり、この基板9への成膜が行われる。
【0061】
各成膜チャンバー51,52,53,54,50のより具体的な構成例について、基板9の搬送順に説明する。前述した第一下地膜作成チャンバー51は、下地膜としてCr膜が作成されるようになっている。また、第一下地膜作成チャンバー51の次に基板9が搬送される成膜チャンバーは、スパッタリングにより磁性膜を作成する第一磁性膜作成チャンバー52になっている。磁性膜としては、本実施形態では、CoCrTa膜が作成されるようになっている。
【0062】
本実施形態の装置では、下地膜と磁性膜とを二層にわたって形成できるようになっている。即ち、第一磁性膜作成チャンバー52の次に基板9が搬送される成膜チャンバーは第二下地膜作成チャンバー53になっており、その次に基板9が搬送される成膜チャンバーは第二磁性膜作成チャンバー54になっている。第二下地膜作成チャンバー53は、第一下地膜作成チャンバー51と同様にCr膜を下地膜として作成するチャンバーであり、第二磁性膜作成チャンバー54は、同様にCoCrTa膜を磁性膜として作成するチャンバーである。
【0063】
そして、第二磁性膜作成チャンバー54の次に基板9が搬送される成膜チャンバーは、CVDによりカーボン保護膜を作成する保護膜作成チャンバー50である。保護膜作成チャンバー50は二つ設けられている。最初に基板9が搬送される保護膜作成チャンバー50で必要な厚さの半分の厚さの保護膜が作成され、次の保護膜作成チャンバー50で残りの半分の厚さの保護膜が作成されるようになっている。
【0064】
保護膜作成チャンバー50は、CH4等の有機化合物ガスを内部に導入する不図示のプロセスガス導入系と、プロセスガスに高周波エネルギーを与えてプラズマを形成する不図示のプラズマ形成手段等を備えている。有機化合物ガスがプラズマ中で分解し、基板9の表面にカーボンの薄膜が堆積するようになっている。
【0065】
また、保護膜作成チャンバー50の次に基板9が搬送される真空チャンバーは、予備チャンバー500となっている。この予備チャンバー500は、必要に応じて基板9を冷却したりするチャンバーとして構成される。この予備チャンバー500を経た後、最後の方向転換チャンバー34を経て基板9がアンロードロックチャンバー2に達するようになっている。
【0066】
次に、上記構成に係る本実施形態の装置の全体の動作について説明する。
本実施形態の装置では、すべての真空チャンバーに基板保持具90が常に位置している。そして、最も時間のかかる作業を行う真空チャンバー(律速チャンバー)での作業時間で決まるタクトタイムごとに、各真空チャンバー内の基板保持具90は次の真空チャンバーに同時に移動する。
特定の基板9の動きに注目すると、一つの基板9は、ロードロックチャンバー1で基板保持具90に搭載された後、プリヒートチャンバー4で予備加熱される。その後、第一下地膜作成チャンバー51、第一磁性膜作成チャンバー52、第二下地膜作成チャンバー53、第二磁性膜作成チャンバー54を経て、下地膜と磁性膜との積層膜が二層にわたって作成される。その後、基板9は保護膜作成チャンバー50で保護膜が作成され、補助チャンバー500を経てアンロードロックチャンバー2に達する。そして、アンロードロックチャンバー2で基板保持具90から回収される。
【0067】
基板保持具90は、アンロードロックチャンバー2で空(基板9を保持しない状態)となった後、リターン移動路を通ってロードロックチャンバー1に戻る。より具体的には、空になった基板保持具90は、次のタクトタイムで膜除去チャンバー70に移動する。そして、その次のタクトタイムで、ロードロックチャンバー1に移動して、未成膜の基板9の搭載動作が行われる。このようにして、基板保持具90は、図1に示す方形の移動路80を周回して、成膜処理に何回も使用される。尚、図1に示すように、アンロードロックチャンバー2からロードロックチャンバー1へのリターン移動路は、折れ曲がらずに直線状に延びており、膜除去チャンバー70及びロードロックチャンバー1はこの折れ曲がらずに直線状に延びるリターン移動路上に設けられている。
【0068】
このようにして移動路80を所定回数周回して所定回数の成膜処理に利用された基板保持具90が膜除去チャンバー70に移動すると、前述したように膜除去機構が動作し、保持爪91の表面の堆積膜の除去が行われる。どの程度の周回を繰り返した後に膜除去が行われるべきかは、基板9に作成する薄膜の厚さ等によるので一概に決められないが、例えば2〜4回程度周回した後に膜除去が行われるようにする。勿論、毎回の周回毎に膜除去を行うようにしてもよい。
【0069】
上述した構成及び動作に係る本実施形態の装置では、アンロードロックチャンバー2からロードロックチャンバー1に戻すリターン移動路上に膜除去機構が設けられているので、装置の構成が簡略化されるメリットがある。即ち、前述した通り、膜除去の動作を行う際、基板9の損傷等を防止する観点から、基板保持具90が基板9を保持しない状態(空の状態)とすることが好ましい。この場合、膜除去機構がリターン移動路上に配置されていない場合、例えばロードロックチャンバー1とプリヒートチャンバー4との間の移動路上にある場合、膜除去を行う基板保持具90については、ロードロックチャンバー1で基板9の搭載動作を行わないよう構成することになる。この場合、ロードロックチャンバー1内の搭載用ロボット11の駆動プログラムを修正することが必要になる。
【0070】
また、基板9を保持しない基板保持具90が成膜チャンバー51,52,53,54,50内に位置する際に成膜が行われると、保持爪91の表面領域のうち基板9が陰になって本来は堆積しない領域にまで膜が堆積してしまう。このため、基板9を保持しない基板保持具90が成膜チャンバー51,52,53,54,50に達した場合には、成膜動作が行われないよう成膜チャンバー51,52,53,54,50内の各部の動作を制御することが好ましい。しかし、これについても制御プログラムの修正が必要であり、また装置全体の動作が複雑になる欠点がある。さらに、リターン移動路以外の移動路上に膜除去機構を配置する構成では、膜除去が行われた後に基板保持具90が空の状態でロードロックチャンバー1まで移動してから基板9の搭載動作が行われる。この部分の移動は、無駄な動きである。
【0071】
一方、本実施形態のように、アンロードロックチャンバー2からロードロックチャンバー1へのリターン移動路上に膜除去機構があると、成膜済みの基板9を回収した後に直ちに膜除去を行うことが可能で、膜除去後直ちに未成膜の基板9の搭載を行うことが可能である。このため、基板保持具90の移動に無駄がなく、制御のためのプログラムの修正も非常に少ない。さらに、基板保持具90が空の状態で処理チャンバーを移動することがないため、処理用の真空チャンバー4,50〜54の制御プログラムの修正も不要である。このようなことから、本実施形態では、装置の構成が簡略となっており、既存の装置への適用が容易である。尚、「リターン移動路」とは、成膜済みの基板が回収された基板保持具が、次の未成膜の基板の保持のために移動する際の経路の意味であって、その移動のための特別な機構の有無を問わない。
【0072】
また、膜除去機構が膜除去チャンバー70に設けられていて膜除去チャンバー70がロードロックチャンバー1及びアンロードロックチャンバー2に対して真空が連通するようにして気密に接続されている点は、基板保持具90の大気による汚損を防止するという技術的意義を有する。即ち、基板保持具90が大気に晒されると、前述したように、基板保持具90の表面に大気中の塵埃や酸素,水分等が付着することがある。このような汚損物質が基板保持具90を介して装置内に持ち込まれると、基板9を汚損したり、作成される薄膜の品質を損なう恐れがある。しかしながら、本実施形態では、膜除去が真空中で行われる上、アンロードロックチャンバー2からロードロックチャンバー1に戻るまでの過程で基板保持具90が大気に晒されることがないので、このような汚損の恐れはない。
【0073】
尚、このような大気中の汚損物質が基板保持具90の表面に付着した場合でも、膜除去機構による膜除去の際、汚損物質も一緒に除去できる場合がある。従って、アンロードロックチャンバー2から膜除去チャンバー70までの間では基板保持具90が大気に晒されても良い場合がある。
【0074】
また、本実施形態の装置は、リターン移動路の部分以外の移動路の部分でも、基板保持具90は大気に晒されず、常に真空中で移動して成膜が行われるため、大気中の汚損物質が基板保持具90を介して装置内に持ち込まれることがない。
この点でも、基板9の汚損や薄膜の品質低下が低減されている。
【0075】
さらに、表面に薄膜が堆積した基板保持具90が大気側に取り出されると、薄膜の表面が酸化したり異物が付着したりする。そして、次の基板9が保持されて表面に薄膜が作成されると、そのような表面が酸化したり異物が付着したりした薄膜の上にさらに薄膜が堆積することになる。このような性質の異なる薄膜が積層されると、応力が高く、剥離し易い。従って、上記パーティクルの発生の恐れが高くなる。しかしながら、本実施形態の薄膜作成装置は、基板保持具90が大気側には取り出されないので、このような問題はない。
【0076】
上述した各実施形態では、保持爪91の表面の堆積膜の除去について主に説明したが、保持具本体92の表面の堆積膜も同様に除去されており、保持具本体92の表面から放出されるパーティクルも低減されている。
【0077】
また、上記各実施形態では、膜除去機構を備えた専用の膜除去チャンバー70が設けられたが、これは必須の条件ではない。例えば、アンロードロックチャンバー2又はロードロックチャンバー1内に膜除去機構を設けるようにしてもよい。プラズマを形成して除去する構成の場合、搭載用ロボット11又は回収用ロボット21がプラズマに晒される恐れがあるので難しいが、光又は超音波等により除去する構成の場合、充分に実現性がある。但し、専用の膜除去チャンバー70を用意すると、プラズマを形成したり、反応性ガスを使用したりというような構成を自由に選択できるメリットがある。
尚、膜除去チャンバー70は、ロードロックチャンバー1及びアンロードロックチャンバー2に直接隣接して設けられている必要はなく、間に別の真空チャンバーが介在していてもよい。要は、真空が連通するようになっていればよい。
【0078】
以上の説明では、基板保持具90は、保持爪91によって基板9の周縁を係止するものであったが、情報記録ディスク用基板のように中央に円形の開口がある基板については、その中央の開口の縁を係止するようにしてもよい。但し、保持爪が中央の開口の縁を係止する構成では、保持爪を設ける構造上、基板の両面を同時に成膜することはできない。また、最近では、ノートパソコン用ハードディスクのように非常に小型の情報記録ディスクも多くなっているが、小型の基板については、中央の開口の縁で係止するのは困難である。従って、基板9の周縁で係止する構成は、基板9の両面同時成膜を可能にし、小型の基板にも対応できるというメリットがある。
【0079】
尚、膜除去チャンバー70において、複数の基板保持具90が滞留する構成を採用することも可能である。即ち、膜除去を行う必要がある基板保持具90を複数収容した後、膜除去機構を動作させ、複数の基板保持具90に対して一括して膜除去を行うようにしてもよい。
【0080】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願発明によれば、基板保持具の表面の堆積膜が除去されるので、堆積膜の剥離に起因したパーティクルの発生などの問題が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の実施形態に係る薄膜作成装置の概略構成を示す平面図である。
【図2】図1に示す装置における基板保持具90及び移動機構の構成を説明する正面概略図である。
【図3】図1に示す装置における基板保持具90及び移動機構の構成を説明する側断面概略図である。
【図4】図1に示す装置に設けられた膜除去チャンバー70の構成について説明する側断面概略図である。
【図5】膜除去機構の別の構成について説明する側断面概略図である。
【図6】膜除去機構のさらに別の例について説明する平面断面概略図である。
【図7】図1に示す方向転換チャンバー31,32,33,34に設けられた方向転換機構の構成を説明する側面概略図である。
【図8】第一下地膜作成チャンバー51の構成を示す平面断面概略図である。
【図9】従来の情報記録ディスク製造用の薄膜作成装置の概略構成を示す平面図である。
【図10】図9に示す基板保持具90の構成を示す正面概略図である。
【図11】従来の技術の問題点を説明した図である。
【符号の説明】
10 ゲートバルブ
1 ロードロックチャンバー
2 アンロードロックチャンバー
31 方向転換チャンバー
32 方向転換チャンバー
33 方向転換チャンバー
34 方向転換チャンバー
4 プリヒートチャンバー
51 第一下地膜作成チャンバー
52 第一磁性膜作成チャンバー
53 第二下地膜作成チャンバー
54 第二磁性膜作成チャンバー
50 保護膜作成チャンバー
70 膜除去チャンバー
71 排気系
72 ガス導入系
73 高周波電源
74 可動電極
9 基板
90 基板保持具
91 保持爪
92 保持具本体
Claims (1)
- ロードロックチャンバーと、
前記ロードロックチャンバーと気密に接続された成膜チャンバーと、
前記成膜チャンバーと気密に接続されたアンロードロックチャンバーと、
前記アンロードロックチャンバーと前記ロードロックチャンバーの間に真空が連通するようにして気密に接続して設けられ、かつ膜除去機構を備えたエッチングチャンバーと、
基板保持具を、前記ロードロックチャンバー、前記成膜チャンバー、前記アンロードロックチャンバー、及び前記エッチングチャンバーの順に移動させる移動機構とを備えており、
前記移動機構は、前記ロードロックチャンバー内にある前記基板保持具を前記成膜チャンバーに移動させ、前記成膜チャンバー内にある前記基板保持具を前記アンロードロックチャンバーに移動させ、前記アンロードロックチャンバーにある前記基板保持具を前記エッチングチャンバーに移動させ、前記エッチングチャンバーにある前記基板保持具を前記ロードロックチャンバーに移動させる動作を、タクトタイムごとに行う機構であり、
前記エッチングチャンバーは前記アンロードロックチャンバーに隣接して設けられているとともに、前記ロードロックチャンバーは前記エッチングチャンバーに隣接して設けられており、前記移動機構は、あるタクトタイムにおいて前記アンロードロックチャンバーから前記エッチングチャンバーに前記基板保持具を移動させるとともに、次のタクトタイムにおいて当該基板保持具を前記ロードロックチャンバーに移動させるものであり、
前記膜除去機構は、前記基板保持具に堆積した堆積膜にイオンを入射させ、イオン衝撃により前記堆積膜をスパッタエッチングして除去するものであり、
前記基板保持具は、前記エッチングチャンバー内において接地電位から絶縁されて絶縁電位となっており、
前記膜除去機構は、前記エッチングチャンバー内において前記基板保持具に接触可能な可動電極と、高周波電源と、キャパシタンスを介して高周波電源と可動電極とをつなぐ伝送線とから成っており、高周波電源が印加する高周波電界によって形成されたプラズマ中の電子とイオンの移動度の違いから前記基板保持具に自己バイアス電圧を生じさせることでプラズマ中のイオンを入射させるものであることを特徴とする薄膜作成装置。
Priority Applications (4)
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