JPH09165683A - 枚葉式真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ［課題］ パーティクル発生の低減および装置の稼働率
を向上させることができる枚葉式真空処理装置を提供す
ること。 ［解決手段］ 第１、第２および第３の枚葉式真空処理
機械５６、５７、５８のそれぞれに基板ホルダ１２のク
リーニングまたは交換を行うための基板ホルダ再生室６
５、６８、７１を配設する。これら基板ホルダ再生室６
５、６８、７１のみで基板ホルダ１２のクリーニングま
たは交換を行うので装置の運転を停止する必要はなく、
よって装置の稼働率を向上させることができる。また定
期的に基板ホルダ１２のクリーニングを行うことによ
り、付着膜からのパーティクルの発生を低減することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、枚葉式真空処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】図６は従来の枚葉式真空
処理装置１の配置平面図を示し、ほぼ円柱形状の本体２
の外周縁部には４５度間隔で仕込室３、加熱室４、スパ
ッタ室５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、冷却室６および取出室
７が配設されている。この枚葉式真空処理装置１は成膜
されるべきハードディスク用基板を１枚ずつ仕込室３へ
仕込み、加熱室４、スパッタ室５ａ〜５ｄ及び冷却室６
の各真空処理室で真空処理し、取出室７から成膜済の基
板を外部に取り出す装置である。これら真空処理室およ
び本体２内は各々独立して真空排気可能となっている。

【０００３】本体２の内部における基板１１（ハードデ
ィスク）の搬送は公知のように図７に示す基板搬送機構
８によって行われる。円板状の回転テーブル９の底部に
は、本体２の一部に固定される支持板１８を貫通する軸
部９ａが真空シールに挿通しており、この下端部は回転
テーブル９を所定距離だけ昇降させる昇降駆動部１９に
固定されている。回転テーブル９の軸部９ａにはギヤ１
６が一体的かつ同心的に固定されており、このギヤ１６
と、支持板１８上に配設される回転駆動部１４の駆動軸
１５との間にタイミングベルト１７が巻装されている。
図示しない制御装置によりこの回転駆動部１４は駆動さ
れ、回転テーブル９が所定角度宛で所定のタイミングで
回転駆動（インデックシング−indexing）されるように
なっている。これにより基板搬送機構８は、枚葉式真空
処理装置１の真空処理工程に基づいて駆動されるように
なっている。なお、回転テーブル９は本体２内部の所定
の真空度に保たれた搬送空間Ｓ（図１０参照）内で上記
回転駆動部１４および昇降駆動部１９により回転駆動お
よび昇降駆動され、さらに回転テーブル９の軸部９ａは
本体２の底壁２ａに対してシール部材を介して支持され
ており、金属ベローズ４５を伸縮させて昇降駆動され
る。

【０００４】また図７に示すように、回転テーブル９の
外周縁部には４５度間隔で８個の基板ホルダ１２がこの
底板１２ａを介して配設されている。基板ホルダ１２の
底板１２ａには図８に示すようにシール部材２０が装着
されており、また底板１２ａと回転テーブル９との間は
複数のばね２１により弾性支持されている。図示せずと
も、ばね２１の下端部にはそれぞれ台座が固定されてお
り、この台座を介して回転テーブル９に固定されている
ものとする。なお、基板１１はその下端部を基板ホルダ
１２の上端部に形成された円弧状の溝１２ｂもしくは爪
に係合させることにより保持されるようになっている。

【０００５】図９および図１０はスパッタ室５ａ〜５ｄ
の詳細を示しており、このうち図９は真空槽２３のメン
テナンス扉２５を開けた状態を外側から見た斜視図、図
１０はそのメンテナンス扉２５を閉じた状態の部分破断
断面図である。図９および図１０において、真空槽２３
はターボ分子ポンプ２４に接続されており、シール部材
２２を介して本体２に固定されている。また真空槽２３
の壁面には開閉式のカソードとしてのメンテナンス扉２
４および脱着式のカソードとしての補助扉２８が取り付
けられている。これらメンテナンス扉２４および補助扉
２８には、ターゲット２６、２６が配設されており、ま
た図１０に示すように、アースシールドを兼ねた防着リ
ング２７が両扉２５、２８間で支持されている。なお、
防着リング２７は図９に明示されるように２つの円筒体
２７ａ、２７ｂから成り、これらを図示するように組み
合わせた場合には、これらの間に円弧状の切欠き２７ｃ
を形成する。これら円筒体２７ａ、２７ｂはメンテナン
ス扉２５および補助扉２８に設けられた円板状のターゲ
ット２６、２６に同心的に外方に配設され、両扉２５、
２８に一体的に取り付けるようにしてもよい。円弧状の
切欠き２７ｃに基板ホルダ１２の円弧状の溝１２ｂを形
成させている先端部もしくは爪部Ａが基板１１を係合さ
せてこの切欠き２７ｃに挿通した場合、この円形の基板
１１の全体が両側で円形のターゲット２６、２６に対向
するように配設される。この場合、基板ホルダ１２の溝
１２ｂを形成させている爪部Ａは防着リング２７の内側
に若干突出する。

【０００６】上述した基板搬送機構８により、図６を参
照して、外部から仕込室３を介して枚葉式真空処理装置
１に１枚ずつ仕込まれた基板１１は、それぞれ基板ホル
ダ１２に保持される。回転テーブル９は基板搬送機構８
の昇降駆動部１９の駆動により所定距離だけ下降し、次
いで回転駆動部１４の駆動により時計方向（図中矢印）
に所定角度（４５度）だけ回転し、そして昇降駆動部１
９の駆動により再び所定距離だけ上昇する。この一連の
駆動により、仕込室３に位置していた基板ホルダ１２は
次工程の真空処理室である加熱室４に位置するので、こ
れに保持される基板１１は共に、仕込室３から加熱室４
に供給される。なお、このとき仕込室３には次の基板ホ
ルダ１２が供給され、これに新たな基板１１が保持され
るようになっている。図中一点鎖線１０２は基板ホルダ
１２の描く軌跡を示している。なお、円筒状の本体２内
は減圧されているので、外部から仕込室３への導入は公
知のように真空ゲートを介して導入され、図示しない受
け渡し機構により外部の供給装置、例えばコンベヤ上の
カセットから１枚ずつ受け取って真空ゲートを介して本
体２内の基板ホルダ１２の爪部Ａ上に渡されるように構
成されている。

【０００７】加熱室４において所定時間加熱処理された
基板１１はその後、所定のタイミングで基板搬送機構８
の駆動によりスパッタ室５ａ〜５ｄに供給される。これ
は回転テーブル９が回転駆動部１４の駆動により所定角
度回転された後、昇降駆動部１９の駆動により上昇し、
また回転テーブル９上の基板１１および基板ホルダ１２
は図１０において一点鎖線で示す位置（搬送空間Ｓ内）
から、実線で示すようにスパッタ室５ａ〜５ｄの真空槽
２３内部、すなわち真空処理室２９へと供給される。こ
のとき、基板ホルダ１２の底板１２ａに装着されたシー
ル部材２０が本体２の壁面に密着し、ばね２１の弾性力
も加わって真空処理室２９を確実に真空絶縁する（な
お、この真空絶縁作用は他の図示しない真空処理室にお
いても同様である）。次いでターボ分子ポンプ２４の駆
動により真空処理室２９を所定の真空度まで排気・維持
する。そして図示しないガス導入口からＡｒ（アルゴ
ン）等を導入しながら、ターゲット２６、２６間にＲＦ
（高周波）電圧を印加し、基板１１の両面を成膜する。
スパッタ室５ａ〜５ｄにおいて成膜が終了すると、基板
搬送機構８により基板１１は順次、冷却室６において冷
却された後、取出室７から外部へと排出される。

【０００８】従来の枚葉式真空処理装置１は以上のよう
に構成され、また作用を行うのであるが、スパッタ室５
ａ〜５ｄにおける真空処理の過程で、基板ホルダ１２の
図８に示すＡの部分（爪部）にスパッタ膜が堆積した場
合、装置全体を停止し、仕込室３、加熱室４、スパッタ
室５ａ〜５ｄ、冷却室６および取出室７の各真空処理室
を大気にベントし、基板ホルダ１２を交換またはクリー
ニングしていた。これは、基板ホルダ１２に付着した膜
が厚膜化し、その内部応力が大となって、また熱サイク
ルを受けることによって成膜プロセスの途中で剥離脱落
してダストを発生させ、基板１１上の膜の品質を低下さ
せるのを防ぐためである。

【０００９】そこで、本従来例の枚葉式真空処理装置１
によれば、基板ホルダ１１の定期的な交換時またはクリ
ーニング時に装置全体の運転停止が必要であり、このた
め装置の停止から再始動まで、装置全体を所定の真空度
に再排気するのに長時間を要し、このことが稼働率の低
下の要因となっている。また、基板ホルダ１１の付着膜
が厚膜化していなくても、定期的に交換またはクリーニ
ングするまでにパーティクルの発生原因となって、真空
度の低下および成膜の品質を低下させるという問題があ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、パーティクル発生の低減および稼働率
を向上させることができる枚葉式真空処理装置を提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【問題点を解決するための手段】以上の目的は、回転テ
ーブルの外周縁部に等角度間隔で配設された複数の基板
ホルダと、該各基板ホルダの近傍又は直上方に配設され
た複数の真空処理室と、前記回転テーブルを回転駆動す
る第１駆動機構と、前記回転テーブルを昇降駆動する第
２駆動機構とから成り、前記複数の真空処理室のうち少
なくとも１つの真空処理室を仕込室とし、又他の少なく
とも１つの真空処理室を再生室とし、又更に他の少なく
とも１つの真空処理室を取出室とし、前記第１、第２駆
動機構により前記回転テーブルを所定角度ずつ回転さ
せ、かつ前記回転テーブルを所定距離上昇させて少なく
とも前記仕込室、前記再生室及び前記取出室以外の前記
各真空処理室を真空絶縁して所定の真空処理を行わせる
ようにし、前記仕込室、前記再生室及び前記取出室以外
の前記各真空処理室で所定の真空処理を行った基板を前
記取出室より外方に取り出すようにし、前記各真空処理
室の真空をベントすることなく、前記再生室で前記基板
ホルダをクリーニング又は交換するようにしたことを特
徴とする枚葉式真空処理装置、によって達成される。

【００１２】また以上の目的は、回転テーブルの外周縁
部に等角度間隔で配設された複数の基板ホルダと、該各
基板ホルダの近傍又は直上方に配設された複数の真空処
理室と、前記回転テーブルを回転駆動する第１駆動機構
と、前記回転テーブルを昇降駆動する第２駆動機構とか
ら成り、前記複数の真空処理室のうち少なくとも１つの
真空処理室を仕込・取出室とし、又他の少なくとも１つ
の真空処理室を再生室とし、前記第１、第２駆動機構に
より前記回転テーブルを所定角度ずつ回転させ、かつ前
記回転テーブルを所定距離上昇させて少なくとも前記仕
込・取出室及び前記再生室以外の前記各真空処理室を真
空絶縁して前記仕込・取出室及び前記再生室以外の前記
各真空処理室で所定の真空処理を行わせるようにし、前
記所定の真空処理を行った基板を前記仕込・取出室より
外方に取り出すようにし、前記各真空処理室の真空をベ
ントすることなく、前記再生室で前記基板ホルダをクリ
ーニング又は交換するようにしたことを特徴とする枚葉
式真空処理装置、によって達成される。

【００１３】また以上の目的は、回転テーブルの外周縁
部に等角度間隔に配設された複数の基板ホルダと、該各
基板ホルダの近傍又は直上方に配設された複数の真空処
理室と、前記回転テーブルを回転駆動する第１駆動機構
と、前記回転テーブルを昇降駆動する第２駆動機構とか
ら成る枚葉式真空処理機械を複数備え、真空処理工程の
順序で、第１の前記枚葉式真空処理機械は前記複数の真
空処理室のうち少なくとも１つの真空処理室を仕込室と
し、又他の少なくとも１つの真空処理室を再生室とし、
又更に他の少なくとも１つの真空処理室を搬送室とし、
第２の前記枚葉式真空処理機械は前記複数の真空処理室
のうち少なくとも１つの真空処理室を第１搬送室とし、
又他の少なくとも１つの真空処理室を再生室とし、又他
の少なくとも１つの真空処理室は第２搬送室とし、同様
に、第３の前記枚葉式真空処理機械は前記複数の真空処
理室のうち少なくとも１つの真空処理室を第１搬送室と
し、又他の少なくとも１つの真空処理室を再生室とし、
又更に他の少なくとも１つの真空処理室を第２搬送室と
し、以下、同様に第４、第５、・・・、第ｎ番目の前記
枚葉式真空処理機械を構成し、かつ該第ｎ番目の枚葉式
真空処理機械の前記第２搬送室は取出室とし、前記第
１、第２駆動機構により前記回転テーブルを所定角度ず
つ回転させ、かつ前記回転テーブルを所定距離上昇させ
て少なくとも前記仕込室、前記再生室及び前記第１、第
２搬送室以外の前記各真空処理室を真空絶縁して所定の
真空処理を行わせるようにし、前記第１の枚葉式真空処
理機械の前記仕込室、前記再生室及び前記搬送室以外の
前記各真空処理室で第１の真空処理を行った基板を前記
搬送室及び前記第２の枚葉式真空処理機械の前記第１搬
送室を介して前記第２の枚葉式真空処理機械の前記第１
搬送室、前記再生室及び第２搬送室以外の前記各真空処
理室に前記第１、第２駆動機構の駆動により順次前記基
板ホルダで支持し、かつ真空絶縁して第２の真空処理を
行わせ、該第２の真空処理を行った前記基板を前記第２
の搬送室及び前記第３の枚葉式真空処理機械の前記第１
搬送室を介して前記第３の枚葉式真空処理機械の前記第
１搬送室、前記再生室及び前記第２搬送室以外の前記各
真空処理室に前記第１、第２駆動機構の駆動により順次
前記基板ホルダで支持し、かつ真空絶縁して第３の真空
処理を行わせ、前記第２搬送室及び前記第４の枚葉式真
空処理機械の前記第１搬送室を介して、以下同様に、第
４、第５、・・・、第ｎ番目の真空処理を行わせた後、
前記取出室より外方に前記第１乃至第ｎ番目の真空処理
済の前記基板を取り出すようにし、前記各真空処理室の
真空をベントすることなく、前記再生室で前記基板ホル
ダをクリーニング又は交換するようにしたことを特徴と
する枚葉式真空処理装置、によって達成される。

【００１４】

【作用】請求項１の発明によれば、仕込室から１枚ずつ
仕込まれた未処理の基板は基板ホルダに保持され、第１
駆動機構および第２駆動機構の駆動により回転テーブル
が所定角度の回転および所定距離の昇降作用を行うこと
により各真空処理室を真空絶縁し、仕込室、再生室およ
び取出室以外の各真空処理室において所定の真空処理が
行われ、真空処理済の基板は１枚ずつ取出室から外部へ
と取り出されるのであるが、基板ホルダに付着した付着
物が堆積すると、再生室において基板ホルダのクリーニ
ングまたは交換を行う。この再生室のみにおいてすべて
の基板ホルダのクリーニングまたは交換を行うので、他
の真空処理室の真空を大気にベントする必要はない。よ
って、装置全体の運転を停止することはないので、装置
の再始動に要する時間も従来より大幅に短縮することが
できる。さらに、回転テーブルの数回転に一度、あるい
は所定時間毎に基板ホルダのクリーニングを行うように
すれば、基板ホルダの付着物から起因するパーティクル
の発生を低減することができる。

【００１５】請求項３の発明は、請求項１の発明の仕込
室および取出室を１つの真空処理室としたものであり、
また基板ホルダのクリーニングまたは交換作用は、同様
に行われる。仕込・取出室を通って各真空処理室に基板
が供給され、これらで真空処理された基板は同じ仕込・
取出室を通って外部へと取り出されるので、全体として
請求項１の発明よりコンパクトにすることができる。

【００１６】請求項４の発明によれば、真空処理工程の
順序で、第１の枚葉式真空処理機械の仕込室に１枚ずつ
仕込まれた未処理の基板は基板ホルダに保持され、第１
駆動機構および第２駆動機構の駆動により回転テーブル
が所定角度の回転および所定距離の昇降作用を行うこと
により各真空処理室を真空絶縁し、仕込室、再生室およ
び搬送室以外の各真空処理室において第１の真空処理が
行われる。この第１の真空処理が終了すると、回転テー
ブルの駆動により搬送室および第２の枚葉式真空処理機
械の第１搬送室を介して、基板を１枚ずつ第１の枚葉式
真空処理機械から第２の枚葉式真空処理機械へと供給す
る。第１搬送室を介して第２の枚葉式真空処理機械に供
給された基板は、上述の回転テーブルの駆動により各真
空処理室を真空絶縁し、第１搬送室、再生室および第２
搬送室以外の各真空処理室において第２の真空処理が行
われる。この第２の真空処理が終了すると、回転テーブ
ルの駆動により第２搬送室および第３の枚葉式真空処理
機械の第１搬送室を介して第３の枚葉式真空処理機械に
基板が供給され、以下同様に第３、第４、・・・、第ｎ
番目の真空処理が行われる。これら第１乃至第ｎ番目の
真空処理済の基板は第ｎ番目の枚葉式真空処理機械の取
出室より外方へと取り出される。

【００１７】以上のようにして基板が真空処理されるの
であるが、第１乃至第ｎ番目の各真空処理の過程で基板
ホルダに付着物が堆積すると、第１乃至第ｎの各枚葉式
真空処理機械の再生室において基板ホルダのクリーニン
グまたは交換を行う。このとき、再生室のみでその枚葉
式真空処理機械のすべての基板をクリーニングまたは交
換するので、他の真空処理室の真空を大気にベントする
必要はない。よって、枚葉式真空処理装置全体の運転を
停止することなく基板ホルダのクリーニングまたは交換
を行えるので、再び生産を開始するまでの時間が大幅に
短縮され、稼働効率を大幅に向上させることができる。
あるいは真空処理時間によっては、各真空処理室での基
板の真空処理中に、基板ホルダのクリーニングまたは交
換を行うことができる。さらに、クリーニング作用を各
枚葉式真空処理機械の運転サイクル毎に、あるいは数サ
イクルに一度行うようにすれば、付着物によるパーティ
クルの発生を大幅に低減することができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の各実施例による枚葉式真空処
理装置について、図面を参照して説明する。

【００１９】図１は本発明の第１実施例による枚葉式真
空処理装置の配置平面図を示し、その全体は３０で示さ
れる。枚葉式真空処理装置３０のほぼ円柱形状の本体３
１の外周縁部には６０度間隔で仕込室３２、加熱室３
３、第１スパッタ室３４ａ、第２スパッタ室３４ｂ、取
出室３５および本発明の構成要素の再生室である基板ホ
ルダ再生室３６の順で６つの真空処理室が配設されてい
る。本実施例の枚葉式真空処理装置３０は、ハードディ
スク用のスパッタリング装置であり、第１スパッタ室３
４ａは第１のスパッタ処理としてＣｏ−Ｃｒ（コバルト
−クロム）合金薄膜の成膜を、また第２スパッタ室３４
ｂは第２のスパッタ処理としてＣ（炭素）膜の成膜を行
うようになっている。これら真空処理室は各々独立して
真空排気可能となっている。

【００２０】本実施例の枚葉式真空処理装置３０の本体
３１内部には、従来例の枚葉式真空処理装置１と同様に
図７に示す基板搬送機構８と同様な基板搬送機構が配設
されている。つまり、円板状の回転テーブル９の中央底
部には、本体３１の一部に固定される支持板１８を貫通
する軸部９ａが真空シールに挿通しており、この下端部
は回転テーブル９を所定距離だけ昇降させるための本発
明の構成要素である第２駆動機構である昇降駆動部１９
に固定されている。回転テーブル９の軸部９ａにはギヤ
１６が一体的かつ同心的に固定されており、このギヤ１
６と、支持板１８上に配設される本発明の構成要素でも
ある第１駆動機構である回転駆動部１４の駆動軸１５と
の間にタイミングベルト１７が巻装されている。この回
転駆動部１４の駆動により、回転テーブル９が所定角度
宛で所定のタイミングで回転駆動（インデックシング−
indexing）されるようになっている。これにより基板搬
送機構８は枚葉式真空処理装置３０の真空処理工程に基
づいて駆動されるようになっている。なお従来技術でも
述べたように、第１駆動機構１４および第２駆動機構１
９は図示せずとも制御装置に接続されており、これに上
記の真空処理工程がプログラム化されて記憶されてお
り、この命令に応じて所定角度、所定距離、回転テーブ
ル９を駆動させるようにしているが、場合によっては位
置決めのために各部にセンサを設けてもよい。

【００２１】なお、図７に示す基板搬送機構８の回転テ
ーブル９上には８個の基板ホルダ１２が配設されている
が、本実施例における基板搬送機構の回転テーブル上に
は、図示せずとも６個の基板ホルダが６０度間隔で配設
されているものとする。また、基板ホルダ１２は図８に
示すように、その底板１２ａにはシール部材２０が装着
されており、また底板１２ａと回転テーブル９との間は
複数のばね２１により弾性支持されている。図示せずと
も、ばね２１の下端部にはそれぞれ台座が固定されてお
り、この台座を介して回転テーブル９に固定されている
ものとする。また、本実施例では基板ホルダ１２は底板
１２ａと分離可能となっており、例えば基板ホルダ１２
の下縁部にＬ字型の係合部を形成し、かつ底板１２ａの
上面にキー溝を形成することにより、両者の相対的な移
動により着脱できるようになっている。なお、基板１１
はその下端部を基板ホルダ１２の上端部に形成された円
弧状の溝１２ｂに係合させることにより保持されるよう
になっている。

【００２２】次に、基板ホルダ再生室３６について説明
すると、本実施例では、基板ホルダ再生室３６は仕込室
３２と取出室３５との間に１つだけ配設されている。図
２に基板ホルダ再生室３６の要部の部分破断断面図を示
すが、本体３１にシール部材４２を介して固定される真
空槽３７には排気口３７ａが形成されており、これにタ
ーボ分子ポンプ３８の吸気側が配設されている。また、
基板ホルダ１２が真空槽３７内部の真空処理室４１にセ
ットされたときに基板ホルダ１２に当接するように電極
３９、４０が真空槽３７の両壁面に配設されている。こ
れに例えばＡｒ（アルゴン）ガス等の雰囲気中でＲＦ
（高周波）電圧またはＤＣ（直流）電圧を印加すること
により基板１２両面のスパッタクリーニングが可能とな
っている。なお、ケース４３、４４は脱着式となってお
り、基板ホルダ１２を交換する際に取り外されるように
なっている。

【００２３】本発明の第１実施例による枚葉式真空処理
装置３０は以上のように構成されるが、次にこの作用に
ついて説明する。

【００２４】はじめ回転テーブル９は上昇した位置にあ
り、未処理の基板１１が１枚ずつ枚葉式真空処理装置３
０の仕込室３２に供給されるのであるが、仕込室３２に
おいてこの基板１１を保持した基板ホルダ１２は、昇降
駆動部１９の駆動による回転テーブル９の所定距離の下
降により、搬送空間Ｓ内に位置する。次いで、同じく回
転テーブル９に固定される回転駆動部１４の駆動により
基板ホルダ１２が搬送室Ｓ内で所定角度、すなわち６０
度だけ図１において時計方向に回転し、次いで昇降駆動
部１９の駆動により所定距離だけ上昇させる。このと
き、先に仕込室３２において仕込まれた基板１１および
これを保持する基板ホルダ１２は、基板ホルダ１２の底
板１２ａに装着されたシール部材２０により真空絶縁し
た状態で加熱室３３に収容される。仕込室３２には次の
基板ホルダ１２が収容され、未処理の基板１１を保持す
る。

【００２５】加熱室３３において所定の加熱処理が行わ
れた後、回転テーブル９は上述の下降、回転および上昇
駆動され、加熱処理済の基板１１を第１スパッタ室３４
ａに供給する。このとき加熱室３３には仕込室３２にお
いて仕込まれた未処理の基板１１が供給されている。そ
こで、第１スパッタ室３４ａにおいては第１のスパッタ
処理であるＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の成膜が行われ、加熱室
３３においては上述のように加熱処理が行われる。第１
のスパッタ処理および加熱処理が終了すると、上述のよ
うに回転テーブル９が駆動され、第１スパッタ室３４ａ
および加熱室３３において処理された基板はそれぞれ第
２スパッタ室３４ｂおよび第１スパッタ室３４ａに供給
され、また加熱室３３には仕込室３２からの未処理の基
板１１が供給される。そこで、第２スパッタ室３４ｂに
おいては第２のスパッタ処理であるＣ（カーボン）膜の
成膜を行い、第１スパッタ室３４ａおよび加熱室３３に
おいては、それぞれ上述したＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の成膜
および加熱処理が行われる。

【００２６】加熱処理、第１のスパッタ処理および第２
のスパッタ処理が終了すると、同様に、加熱室３３にあ
る基板１１は第１スパッタ室３４ａへ、第１スパッタ室
３４ａにある基板１１は第２スパッタ室３４ｂへ、第２
スパッタ室３４ｂにある基板１１は取出室３５へとそれ
ぞれ移送される。そこで、加熱室３３、第１スパッタ室
３４ａおよび第２スパッタ室３４ｂにおいては上述の加
熱処理、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜の成膜、およびＣ膜の成膜
が行われるが、取出室３５においては成膜済の基板１１
が外方へと排出される。

【００２７】本実施例の枚葉式真空処理装置３０は、以
上のような一連の真空処理工程を経て未処理の基板１１
が順次、１枚ずつ成膜されていくのであるが、スパッタ
室３４ａおよび３４ｂにおいて基板１１の成膜処理を行
うにつれて、次第に基板ホルダ１２の爪部であるＡ部
（図８参照）にスパッタ処理による付着物が堆積してく
る。そこで、次に基板ホルダ１２の再生、すなわち基板
ホルダ１２のクリーニングまたは交換作用について説明
する。

【００２８】基板ホルダ１２のクリーニング作用につい
て説明すると、取出室３５において成膜済の基板１１を
取り出された基板ホルダ１２はその後、基板ホルダ再生
室３６に移送される。このときの状態は、図２に示すよ
うに、基板ホルダ１２の底板１２ａに装着されたシール
部材２０により、他の真空処理室と同様に、基板ホルダ
再生室３６の真空処理室４１は密閉される。そこで、タ
ーボ分子ポンプ３８の真空排気作用により真空処理室を
所定の真空度に保ちながら、例えばＡｒガス雰囲気中で
電極３９、４０にＲＦ電圧を印加し、所定時間、基板ホ
ルダ１２のスパッタクリーニングを行う。このとき、除
去された付着物はターボ分子ポンプ３８により外部へと
排気される。クリーニング作用が終了し、再生された基
板ホルダ１２は仕込室３２に移送され、ここで上述した
ように未処理の基板１１を保持する。基板ホルダ再生室
３５には、取出室３５において成膜済の基板１１が取り
出された次の基板ホルダ１２が供給され、上述したクリ
ーニング作用が行われる。なお、上記クリーニングによ
って付着膜が除去できない基板ホルダ１２については交
換する必要があるが、これは基板ホルダ再生室３６のケ
ース４３、４４を取り外し、上述のようにして基板ホル
ダ１２をその底板１２ａから取り外すことにより行われ
る。なお本実施例では、第１スパッタ室３４ａではＣｏ
−Ｃｒ合金の成膜が行われ、第２スパッタ室３４ｂでは
Ｃ膜の成膜が行われる。したがって、基板ホルダ再生室
３６では上述したようにＡｒガス雰囲気中で電極３９、
４０にＲＦ電圧を印加し、基板ホルダ１２の爪部Ａ部の
スパッタクリーニングを行うようにしたが、導入ガスを
Ａｒガスから酸素に切換え、また場合によってはターボ
分子ポンプ３８の排気圧を変えることによりアッシング
を行うようにしてもよい。勿論、このアッシングと上述
のようなスパッタクリーニングの前後を変更させてもよ
い。

【００２９】以上のようにして、すべての基板ホルダ１
２のクリーニングが行われるのであるが、本実施例によ
れば装置の運転を停止することなく、基板ホルダ再生室
３６の１室のみですべての基板ホルダ１２のクリーニン
グが行うことができるので、従来のようにすべての真空
処理室を大気にベントして基板ホルダ１２のクリーニン
グまたは交換を行う場合と比べ、生産再開までに（スパ
ッタ処理が行われるまでに）必要な時間が大幅に短縮さ
れ、よって装置の稼働率を向上させることができる。ま
た、このクリーニング作用を定期的に、例えば所定時間
毎（上述の場合には回転テーブルの１回転毎）に行え
ば、基板ホルダ１２の付着物からのパーティクル発生を
従来より大幅に低減することができる。この場合でも、
条件によっては第１、第２スパッタ室３４ａ、３４ｂで
のスパッタ処理中でも、スパッタクリーニングが可能と
なる。

【００３０】図３は本発明の第２実施例による枚葉式真
空処理装置に配置平面図を示しており、その全体は５０
で示されるが、図において第１実施例と対応する部分に
ついては同一の符号を付すものとし、その詳細な説明は
省略する。

【００３１】本体５１には等角度（６０度）間隔で仕込
・取出室５３、基板ホルダ再生室５２ａ、５２ｂ、加熱
室３３、第１スパッタ室３４ａおよび第２スパッタ室３
４ｂが配設されている。本実施例は第１実施例における
仕込室３２および取出室３５をひとつの真空処理室にし
て仕込・取出室５３とし、かつ２つの基板ホルダ再生室
５２ａ、５２ｂを仕込・取出室５３と加熱室３３との間
に配設している。

【００３２】次に作用について説明すると、まず回転テ
ーブル９は上昇位置にあり、すべての真空処理室５２
ａ、５２ｂ、３３、３４ａ、３４ｂ、５３に対するすべ
ての基板ホルダ１２には基板１１は載置されていない。
この状態で仕込・取出室５３で未処理の基板１１が基板
ホルダ１２に載置され、回転テーブル９は下降し、次い
で時計方向に６０度回動され、そして上昇して第１の基
板ホルダ再生室５２ａに供給される。ここではなんらの
真空処理をされることなく、単に搬送空間Ｓと真空絶縁
された状態で待機の状態となるだけである。回転テーブ
ル９の上昇位置で次の基板１１が仕込・取出室５３内に
仕込まれ、基板ホルダ１２に載置される。次いで回転テ
ーブル９が下降し、６０度回動し、最初に基板１１を載
置された基板ホルダ１２は第２の基板ホルダ再生室５２
ｂである真空処理室に真空絶縁されて位置される。以
下、順次、仕込・取出室５３で上昇位置にある回転テー
ブル９上の基板ホルダ１２に未処理の基板１１が載置さ
れる。最初に仕込まれた基板１１が加熱室３３に持ち来
たらされると、はじめてここで加熱処理が行われ、所定
の加熱処理が行われると、６０度時計方向に回動して第
１スパッタ室３４ａに供給され、第１のスパッタ処理が
施される。このときには、第２の基板ホルダ再生室５２
ｂで待機していた基板１１は加熱室３３に持ち来たらさ
れ、ここで先のと同様に加熱処理が行われる。第１スパ
ッタ室３４ａで第１のスパッタ処理が行われた基板１１
は、回転テーブル９の所定距離の下降、６０度時計方向
の回動および所定距離の上昇後、第２スパッタ室３４ｂ
で所定の第２のスパッタ処理が行われるのであるが、こ
の第２のスパッタ処理が行われると仕込・取出室５３に
基板１１が持ち来たらされ、ここで基板１１が外方へ取
り出される。この前の段階では第１、第２の基板ホルダ
再生室５２ａ、５２ｂで待機していた基板１１、および
加熱室３３、第１、第２スパッタ室３４ａ、３４ｂで基
板１１が順次、加熱処理、スパッタ処理が行われる。次
には下流側の基板ホルダ再生室５２ａ内へ持ち来たらさ
れるのであるが、仕込・取出室５３で未処理の基板１１
を供給された基板ホルダ１２は、その位置で第２のスパ
ッタ処理が行われるまで待機する。基板１１が回転テー
ブル９の６０度の時計方向の回動により仕込・取出室５
３に第２スパッタ処理済の基板１１が持ち来たらされ、
この回動位置で上昇して未処理の基板１１を受け取り、
最初の工程と同様に順次、上述の加熱処理、第１、第２
のスパッタ処理の進行と共に時計方向に回動されて、第
１、第２の基板ホルダ再生室５２ａ、５２ｂに待機して
いた基板１１も順次、加熱室、第１、第２スパッタ室３
４ａ、３４ｂに持ち来たらされて上述と同様な加熱処
理、スパッタ処理が行われ、順次、仕込・取出室５３か
ら外方へ取り出される。

【００３３】通常の状態では、何らかの真空処理が行わ
れているのは加熱室３３、および第１、第２スパッタ室
３４ａ、３４ｂであり、仕込・取出室５３および第１、
第２の基板ホルダ再生室５２ａ、５２ｂでは未処理の基
板１１が基板ホルダ１２に載置されているだけで待機状
態にある。これらは順次、上述のようにして下流側の加
熱室３３および第１、第２のスパッタ室に供給されるの
であるが、次にこのクリーニング処理について説明す
る。

【００３４】本実施例ではクリーニング処理時には第１
実施例とは異なり、何らの真空処理すなわち加熱処理お
よび第１、第２のスパッタ処理が行われない。しかし、
搬送空間Ｓにおいても、各真空処理室においても、ベン
トされることなく真空状態を維持する。この状態で仕込
・取出室５３で上述のように順次、上流側で真空処理さ
れた基板１１は外方に取り出されるのであるが、このク
リーニング時には未処理の基板１１は取り込むことな
く、順次、基板ホルダ１２のみが第１および第２の基板
ホルダ再生室５２ａ、５２ｂに持ち来たらされ、真空処
理としては１ピッチ遅らされるが、基板ホルダ１２を２
つづつ基板ホルダ再生室５２ａ、５２ｂにおいて同時に
クリーニングされ、これらに後続する２枚の基板１１が
仕込・取出室５３で外方に取り出されて空になった２つ
の基板ホルダ１２が、この第１、第２の基板ホルダ再生
室５２ａ、５２ｂに供給されてクリーニングされる。こ
のとき先にクリーニングされた２つの基板ホルダ１２は
第１スパッタ室３４ａおよび加熱室３３に持ち来たらさ
れるが、このときには単に真空絶縁された状態で何ら真
空処理は行われず、ここに位置させるのみである。順
次、真空処理を施された基板１１を取り除かれた基板ホ
ルダ１２は第１、第２の基板ホルダ再生室５２ａ、５２
ｂでクリーニングされてすべての基板ホルダ１２がクリ
ーニングされると、最初に述べたように未処理の基板１
１を仕込・取出室５３で取り込んで、以下、同様な作用
を行う。

【００３５】本実施例においては第１実施例と異なり、
通常の真空処理時には第１、第２の基板ホルダ再生室５
２ａ、５２ｂでは、基板ホルダ１２を単に待機させてい
るのみであるが、やはり基板ホルダ１２をクリーニング
するときには真空処理室をベントすることなく、従来よ
り大幅にスループットを向上させるのは明らかである。
また、各真空処理室すなわち加熱室３３、スパッタ室３
４ａ、３４ｂの構造によっては、これらの真空処理室に
ガスの導入および排気系統を適宜、変更可能な構成にす
れば、回転テーブル９を所定距離、上昇させてすべての
真空処理室で一斉に基板ホルダ１２のクリーニングさせ
ることも可能である。

【００３６】図４は本発明の第３実施例による枚葉式真
空処理装置の配置平面図を示している。本実施例による
枚葉式真空処理装置５５は第１の枚葉式真空処理機械５
６、第２の枚葉式真空処理機械５７および第３の枚葉式
真空処理機械５８から成るが、第１の枚葉式真空処理機
械５６は加熱処理を、第２の枚葉式真空処理機械５７は
第１のスパッタ処理としてのＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の成膜
を、さらに第３の枚葉式真空処理機械５８は第２のスパ
ッタ処理としてＣ膜の成膜を行うようになっている。こ
れら第１、第２および第３の枚葉式真空処理機械５６、
５７、５８の内部にはそれぞれ図７に示す搬送機構８が
配設されており、回転テーブル９を４５度回転する毎に
所定距離だけ上昇駆動、そして下降駆動するようになっ
ている。

【００３７】第１の枚葉式真空処理機械５６の本体５９
には仕込室６２、加熱室６３ａ、６３ｂ、６３ｃ、６３
ｄ、６３ｅ、第１搬送室６４および基板ホルダ再生室６
５がそれぞれ４５度間隔で配設されている。また、第２
の枚葉式真空処理機械５７の本体６０には第１搬送室６
４、スパッタ室６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ、６６
ｅ、第２搬送室６７および基板ホルダ再生室６８が同様
に４５度間隔で配設されており、さらに第３の枚葉式真
空処理機械５８の本体６１には第２搬送室６７、スパッ
タ室６９ａ、６９ｂ、６９ｃ、６９ｄ、６９ｅ、取出室
７０および基板ホルダ再生室７１が同様に４５度間隔で
配設されている。これらの真空処理室は各々独立して真
空排気可能となっている。

【００３８】なお、第１搬送室６４、第２搬送室６７の
内部は明示せずとも真空ゲートを適宜配設しており、真
空ゲートの開閉により各枚葉式真空処理機械５６、５７
および５８の各本体５９、６０、６１内の減圧空間どう
しを遮断可能としており、各枚葉式真空処理機械５６、
５７、５８の回転テーブル９の回転および昇降のタイミ
ングはこれら各枚葉式真空処理機械５６、５７、５８で
連続的にそれぞれの真空処理を行うようにしているが、
これら第１搬送室６４、第２搬送室６７で真空ロックし
所定時間待機させるようにして、下流側の枚葉式真空処
理機械５７または５８がそれぞれの真空処理を終わるま
でその第１、第２搬送室６４、６７に待機させるように
してもよい。要するに、下流側の枚葉式真空処理機械が
真空処理を中断する時間がないようにプログラム化され
ている。

【００３９】本発明の第３実施例による枚葉式真空処理
装置５５は以上のように構成されるが、次にこの作用に
ついて説明する。

【００４０】仕込室６２内において未処理の基板１１を
保持した基板ホルダ１２は、回転テーブル９の下降、４
５度回転（図中矢印の向き）および上昇により加熱室６
３ａに移送される。このとき、仕込室６２において新た
な未処理の基板１１が次の基板ホルダ１２に保持され
る。そして再び回転テーブル９の下降、４５度回転およ
び上昇の一連の動作を繰り返すことにより、仕込室６２
から順次、未処理の基板１１が仕込まれる。先に未処理
の基板１１を保持した基板ホルダ１２が加熱室６３ｅに
供給されると、他の加熱室６３ａ〜６３ｄ内も未処理の
基板１１を保持した基板ホルダ１２が供給された状態と
なるが、このときすべての加熱室６３ａ〜６３ｅにおい
て基板１１の所定の真空加熱処理が一斉に行なわれる。
この真空加熱処理が終了すると、再び回転テーブル９の
上述した一連の駆動が再開され、仕込室６２においては
上述のように未処理の基板１１を順次保持していき、ま
た第１搬送室６４内に供給された加熱処理済の基板１１
は、ここで第２の枚葉式真空処理機械５７へと搬送され
る。この第１搬送室６４において基板１１を手放した基
板ホルダ１２は基板ホルダ再生室６５を介して、再び仕
込室６２へと供給される。以上のようにして、第１の枚
葉式真空処理機械５６では未処理の基板１１を５枚ずつ
一度に真空加熱処理し、処理された基板１１を第２の枚
葉式真空処理機械５７へと供給する。

【００４１】第２の枚葉式真空処理機械５７の回転テー
ブル９も上述の第１の枚葉式真空処理機械５６の回転テ
ーブル９と同様に駆動され、第１搬送室６４において第
２の枚葉式真空処理機械５７の基板ホルダ１２に保持さ
れた加熱処理済の基板１１は各スパッタ室６６ａ〜６６
ｅにおいて第１のスパッタ処理であるＣｏ−Ｃｒ合金薄
膜の成膜が一斉に行なわれる。この成膜処理が終了する
と再び回転テーブル９の一連の駆動により、第２搬送室
６７に供給された基板１１はここで第３の枚葉式真空処
理機械５８へと供給され、基板ホルダ１２のみが基板ホ
ルダ再生室６８を介して第１搬送室６４に供給される。
第３の枚葉式真空処理機械５８も同様に、第２搬送室６
７において第３の枚葉式真空処理機械５８の基板ホルダ
１２に保持されたＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の成膜が行なわれ
た基板１１は、各スパッタ室６９ａ〜６９ｅにおいて第
２のスパッタ処理であるＣ膜の成膜が一斉に行なわれ、
この成膜処理が終了すると取出室７０から外方へと取り
出される。そして基板ホルダ１２のみが基板ホルダ再生
室７１を介して再び第２搬送室６７へと供給され、次の
Ｃ膜が成膜されるべき基板１１を保持する。

【００４２】以上のようにして、未処理の基板１１は第
１、第２および第３の枚葉式真空処理機械５６、５７、
５８により所期の成膜が行なわれるのであるが、第１実
施例と同様に、第１、第２および第３の枚葉式真空処理
機械５６、５７、５８の各基板ホルダ１２の爪部Ａに付
着膜が堆積してくる。そこで、次に基板ホルダ１２のク
リーニングまたは交換作用について説明するが、この基
板ホルダ１２のクリーニング作用は第１、第２および第
３の枚葉式真空処理機械５６、５７、５８ともにそれぞ
れ同様であるので、代表的に第２の枚葉式真空処理機械
５７について説明する。

【００４３】第２の枚葉式真空処理機械５７の各スパッ
タ室６６ａ〜６６ｅにおいて基板１１に第１のスパッタ
処理であるＣ０−Ｃｒ合金薄膜の成膜を行なっている
間、他の３つの基板ホルダ１２はそれぞれ第２搬送室６
７、基板ホルダ再生室６８および第１搬送室６４に位置
するが、このうち基板ホルダ再生室６８においてここに
位置する基板ホルダ１２を第１実施例と同様なスパッタ
クリーニングを行なう。このクリーニング時間はスパッ
タ室６６ａ〜６６ｅでのスパッタ処理時間と同程度ある
いはこれより短くてもよい。したがって、この基板ホル
ダ１２のクリーニング作用は、基板１１の成膜中すなわ
ちスパッタ室６６ａ〜６６ｅでスパッタ処理を行なって
いる間、基板ホルダ再生室６８において行なわれるの
で、回転テーブル９の５回転後には８個すべての基板ホ
ルダ１２のクリーニング作用が終了する。なお、基板ホ
ルダ１２の付着膜が上述のクリーニング作用によっても
清浄化されない場合はこれを交換する必要があるが、こ
の基板ホルダ１２の交換作用は第１実施例と同様に行な
われるので、説明は省略する。上述したのと同様にして
第１、第３の枚葉式真空処理機械５６、５８の各基板ホ
ルダ１２のクリーニングが行なわれるのであるが、特に
第３の枚葉式真空処理機械５８ではＣ膜の成膜が行なわ
れるので、基板ホルダ再生室７１においてはスパッタク
リーニングの代わりに、アッシングによって基板ホルダ
１２のクリーニングを行なえば効果的である。

【００４４】図５は本発明の第４実施例による枚葉式真
空処理装置の斜視図を示し、その全体は７５で示され
る。本実施例の枚葉式真空処理装置７５は、第３実施例
の枚葉式真空処理装置５５と同様に、基板の加熱処理を
行う第１の枚葉式真空処理機械７６、第１のスパッタ処
理としてＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の成膜を行う第２の枚葉式
真空処理機械７７および第２のスパッタ処理としてＣ膜
の成膜を行う第３の枚葉式真空処理機械７８から成る。
これら第１、第２および第３の枚葉式真空処理機械７
６、７７、７８の内部には、それぞれ上述の各実施例と
同様に図７に示す搬送機構８が配設されている。

【００４５】第１の枚葉式真空処理機械７６の本体７９
には仕込室８２、加熱室８３ａ、８３ｂ、８３ｃ、８３
ｄ、第１搬送室８４および基板ホルダ再生室８５ａ、８
５ｂがそれぞれ４５度間隔で配設されている。また、第
２の枚葉式真空処理機械７７の本体８０には第１搬送室
８４、スパッタ室８６ａ、８６ｂ、８６ｃ、８６ｄ、第
２搬送室８７および基板ホルダ再生室８８ａ、８８ｂが
これまた４５度間隔で配設されており、さらに、第３の
枚葉式真空処理機械７８の本体８１には第２搬送室８
７、スパッタ室８９ａ、８９ｂ、８９ｃ、８９ｄ、取出
室９０および基板ホルダ再生室９１ａ、９１ｂが同様に
４５度間隔で配設されている。

【００４６】第１の枚葉式真空処理機械７６の仕込室８
２と第３の枚葉式真空処理機械７８の取出室９０とは一
直線上に並んで配設されており、これら仕込室８２およ
び取出室９０の下方には直線コンベヤ９４が搬送台９２
の上に敷設されている。直線コンベヤ９４には所定の間
隔をおいてカセット９３が載置されており、それぞれの
カセット９４内には１２枚の基板１１が収容可能となっ
ている。これらカセット９３内にある基板１１は１枚ず
つ基板仕込装置９５により仕込室８２へと仕込まれ、こ
の基板１１が第１、第２および第３の枚葉式真空処理機
械７６、７７、７８において加熱処理またはスパッタ処
理がなされている間に、カセット９３は直線コンベヤ９
４により一定速度で矢印ａの方向に移送される。そして
基板１１が成膜されて取出室９０に到達し、基板取出装
置９６により外部へと取り出されるときには、カセット
９３はこの基板取出装置９６の前方、つまり図５におい
て９３’で示す位置にくるようになっている。ここで順
次、１枚づつ成膜済の基板１１をカセット９３’に収容
し、下流側へと供給する。これにより、基板１１の仕込
みおよび取り出しを直線コンベヤ９４の上で行なうこと
ができるので、生産効率を向上させることができる。

【００４７】上述の第３実施例では基板１１を５枚一組
でそれぞれ真空処理を行なうようにしたが、本実施例で
は、２枚一組ずつ基板１１の真空処理を行なうようにし
ている。すなわち、仕込室８２から仕込まれた基板１１
は２枚一組の状態で加熱室８３ａ、８３ｂ、そして８３
ｃ、８３ｄと２回づつ真空加熱処理が行なわれるのであ
るが、１回当たりの処理時間は上述の第３実施例の半分
の時間で行なうようにすれば、全体として処理時間は第
３実施例と同程度となる。同様に第２および第３の枚葉
式真空処理機械７７、７８においても２回ずつ第１およ
び第２のスパッタ処理を行なう。また、本実施例におけ
る基板ホルダ１２のクリーニングまたは交換作用につい
ては、上述の第３実施例と同様に、基板１１の生産中に
各基板ホルダ再生室８５ａ、８５ｂ、８８ａ、８８ｂ、
９１ａ、９１ｂにおいて行なわれるのであるが、各基板
ホルダ１２は回転テーブル９の１回転に１度、必ずこれ
ら基板ホルダ再生室のひとつに供給されるので、所定時
間に一度あるいは回転テーブル９が数回転する毎にすべ
ての基板ホルダ１２をクリーニングまたは交換するよう
にしてもよい。

【００４８】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

【００４９】例えば以上の実施例では、ハードディスク
用基板１１のスパッタ装置として説明したが、これに限
らず種々の真空処理装置、例えばＣＶＤ装置、エッチン
グ装置等であってもよく、またこれらを組み合わせた装
置であっても、本発明は適用可能である。またこの場
合、処理室の種類に応じて基板ホルダ再生室を増設する
ことも可能である。

【００５０】また以上の第１実施例では、仕込室３２、
加熱室３３、第１のスパッタ処理を行うスパッタ室３４
ａ、第２のスパッタ処理を行うスパッタ室３４ｂ、取出
室３５および基板ホルダ再生室３６をそれぞれ１つずつ
設けたが、それぞれ連続して２つ以上設けてもよい。

【００５１】また以上の第３および第４実施例では、第
１〜第３の３台の枚葉式真空処理機械５６、５７、５
８、７６、７７、７８によって枚葉式真空処理装置５
５、７５を構成したが、第４、第５、・・・とさらに複
数の枚葉式真空処理機械を増設してもよく、これによっ
ても当然、上述の実施例と同様な効果が得られる。

【００５２】また以上の第３および第４実施例では、第
１の枚葉式真空処理機械５６、７６と第２の枚葉式真空
処理機械５７、７７とを、また第２の枚葉式真空処理機
械５７、７７と第３の枚葉式真空処理機械５８、７８と
を互いに近接させて配置したが、これらを遠ざけて配置
してもよい。この場合、第１および第２搬送室は複数の
部屋から成る真空処理室とし、この間を適宜、真空ゲー
トを介して搬送装置等によって基板を搬送するようにす
ればよい。

【００５３】また以上の実施例における枚葉式真空処理
機械３０、５０、５５、７５は、基板ホルダの直上方に
真空処理室を複数設け、回転テーブルの上昇駆動により
基板ホルダを所定の真空処理室に供給する機構とするよ
うにしたが、これに代えて、真空処理室のうち仕込室や
再生室は回転テーブルの径外方に設け、基板ホルダを径
方向に搬送する搬送装置を回転テーブルに配設して、こ
の搬送装置によって基板ホルダを所定の真空処理室に供
給する機構としても、本発明は適用可能である。

【００５４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の枚葉式真空
処理装置によれば、装置全体をベントすることなく基板
ホルダのクリーニングまたは交換を行うことができるの
で、付着膜に起因するパーティクルの発生を低減するこ
とができ、装置の稼働率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による枚葉式真空処理装置
の配置平面図である。

【図２】同クリーニング室または交換室の要部の部分破
断断面図である。

【図３】本発明の第２実施例による枚葉式真空処理装置
の配置平面図である。

【図４】本発明の第３実施例による枚葉式真空処理装置
の配置平面図である。

【図５】本発明の第４実施例による枚葉式真空処理装置
の配置平面図である。

【図６】従来の枚葉式真空処理装置の配置平面図であ
る。

【図７】従来および本発明の各実施例の枚葉式真空処理
装置に内蔵される基板ホルダの搬送機構の斜視図であ
る。

【図８】同基板ホルダの拡大斜視図である。

【図９】従来および本発明の各実施例の枚葉式真空処理
装置のスパッタ室の要部の拡大斜視図である。

【図１０】同拡大部分破断断面図である。

【符号の説明】

９ 回転テーブル １１ 基板 １２ 基板ホルダ １４ 回転駆動部 １９ 昇降駆動部 ３０ 枚葉式真空処理装置 ３２ 仕込室 ３３ 加熱室 ３４ａ 第１スパッタ室 ３４ｂ 第２スパッタ室 ３５ 取出室 ３６ 基板ホルダ再生室 ５０ 枚葉式真空処理装置 ５２ａ 第１の基板ホルダ再生室 ５２ｂ 第２の基板ホルダ再生室 ５３ 仕込・取出室 ５５ 枚葉式真空処理装置 ５６ 第１の枚葉式真空処理機械 ５７ 第２の枚葉式真空処理機械 ５８ 第３の枚葉式真空処理機械 ６２ 仕込室 ６３ａ 加熱室 ６３ｂ 加熱室 ６３ｃ 加熱室 ６３ｄ 加熱室 ６３ｅ 加熱室 ６４ 第１搬送室 ６５ 基板ホルダ再生室 ６６ａ スパッタ室 ６６ｂ スパッタ室 ６６ｃ スパッタ室 ６６ｄ スパッタ室 ６６ｅ スパッタ室 ６７ 第２搬送室 ６８ 基板ホルダ再生室 ６９ａ スパッタ室 ６９ｂ スパッタ室 ６９ｃ スパッタ室 ６９ｄ スパッタ室 ６９ｅ スパッタ室 ７０ 取出室 ７１ 基板ホルダ再生室 ７５ 枚葉式真空処理装置 ７６ 第１の枚葉式真空処理機械 ７７ 第２の枚葉式真空処理機械 ７８ 第３の枚葉式真空処理機械 ８２ 仕込室 ８３ａ 加熱室 ８３ｂ 加熱室 ８３ｃ 加熱室 ８３ｄ 加熱室 ８４ 第１搬送室 ８５ａ 基板ホルダ再生室 ８５ｂ 基板ホルダ再生室 ８６ａ スパッタ室 ８６ｂ スパッタ室 ８６ｃ スパッタ室 ８６ｄ スパッタ室 ８７ 第２搬送室 ８８ａ 基板ホルダ再生室 ８８ｂ 基板ホルダ再生室 ８９ａ スパッタ室 ８９ｂ スパッタ室 ８９ｃ スパッタ室 ８９ｄ スパッタ室 ９０ 取出室 ９１ａ 基板ホルダ再生室 ９１ｂ 基板ホルダ再生室 ９４ 直線コンベヤ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転テーブルの外周縁部に等角度間隔で
   配設された複数の基板ホルダと、該各基板ホルダの近傍
   又は直上方に配設された複数の真空処理室と、前記回転
   テーブルを回転駆動する第１駆動機構と、前記回転テー
   ブルを昇降駆動する第２駆動機構とから成り、前記複数
   の真空処理室のうち少なくとも１つの真空処理室を仕込
   室とし、又他の少なくとも１つの真空処理室を再生室と
   し、又更に他の少なくとも１つの真空処理室を取出室と
   し、前記第１、第２駆動機構により前記回転テーブルを
   所定角度ずつ回転させ、かつ前記回転テーブルを所定距
   離上昇させて少なくとも前記仕込室、前記再生室及び前
   記取出室以外の前記各真空処理室を真空絶縁して所定の
   真空処理を行わせるようにし、前記仕込室、前記再生室
   及び前記取出室以外の前記各真空処理室で所定の真空処
   理を行った基板を前記取出室より外方に取り出すように
   し、前記各真空処理室の真空をベントすることなく、前
   記再生室で前記基板ホルダをクリーニング又は交換する
   ようにしたことを特徴とする枚葉式真空処理装置。
2. 【請求項２】 前記再生室は、前記取出室と前記仕込室
   との間に配設される請求項１に記載の枚葉式真空処理装
   置。
3. 【請求項３】 回転テーブルの外周縁部に等角度間隔で
   配設された複数の基板ホルダと、該各基板ホルダの近傍
   又は直上方に配設された複数の真空処理室と、前記回転
   テーブルを回転駆動する第１駆動機構と、前記回転テー
   ブルを昇降駆動する第２駆動機構とから成り、前記複数
   の真空処理室のうち少なくとも１つの真空処理室を仕込
   ・取出室とし、又他の少なくとも１つの真空処理室を再
   生室とし、前記第１、第２駆動機構により前記回転テー
   ブルを所定角度ずつ回転させ、かつ前記回転テーブルを
   所定距離上昇させて少なくとも前記仕込・取出室及び前
   記再生室以外の前記各真空処理室を真空絶縁して前記仕
   込・取出室及び前記再生室以外の前記各真空処理室で所
   定の真空処理を行わせるようにし、前記所定の真空処理
   を行った基板を前記仕込・取出室より外方に取り出すよ
   うにし、前記各真空処理室の真空をベントすることな
   く、前記再生室で前記基板ホルダをクリーニング又は交
   換するようにしたことを特徴とする枚葉式真空処理装
   置。
4. 【請求項４】 回転テーブルの外周縁部に等角度間隔に
   配設された複数の基板ホルダと、該各基板ホルダの近傍
   又は直上方に配設された複数の真空処理室と、前記回転
   テーブルを回転駆動する第１駆動機構と、前記回転テー
   ブルを昇降駆動する第２駆動機構とから成る枚葉式真空
   処理機械を複数備え、真空処理工程の順序で、第１の前
   記枚葉式真空処理機械は前記複数の真空処理室のうち少
   なくとも１つの真空処理室を仕込室とし、又他の少なく
   とも１つの真空処理室を再生室とし、又更に他の少なく
   とも１つの真空処理室を搬送室とし、第２の前記枚葉式
   真空処理機械は前記複数の真空処理室のうち少なくとも
   １つの真空処理室を第１搬送室とし、又他の少なくとも
   １つの真空処理室を再生室とし、又他の少なくとも１つ
   の真空処理室は第２搬送室とし、同様に、第３の前記枚
   葉式真空処理機械は前記複数の真空処理室のうち少なく
   とも１つの真空処理室を第１搬送室とし、又他の少なく
   とも１つの真空処理室を再生室とし、又更に他の少なく
   とも１つの真空処理室を第２搬送室とし、以下、同様に
   第４、第５、・・・、第ｎ番目の前記枚葉式真空処理機
   械を構成し、かつ該第ｎ番目の枚葉式真空処理機械の前
   記第２搬送室は取出室とし、前記第１、第２駆動機構に
   より前記回転テーブルを所定角度ずつ回転させ、かつ前
   記回転テーブルを所定距離上昇させて少なくとも前記仕
   込室、前記再生室及び前記第１、第２搬送室以外の前記
   各真空処理室を真空絶縁して所定の真空処理を行わせる
   ようにし、前記第１の枚葉式真空処理機械の前記仕込
   室、前記再生室及び前記搬送室以外の前記各真空処理室
   で第１の真空処理を行った基板を前記搬送室及び前記第
   ２の枚葉式真空処理機械の前記第１搬送室を介して前記
   第２の枚葉式真空処理機械の前記第１搬送室、前記再生
   室及び第２搬送室以外の前記各真空処理室に前記第１、
   第２駆動機構の駆動により順次前記基板ホルダで支持
   し、かつ真空絶縁して第２の真空処理を行わせ、該第２
   の真空処理を行った前記基板を前記第２の搬送室及び前
   記第３の枚葉式真空処理機械の前記第１搬送室を介して
   前記第３の枚葉式真空処理機械の前記第１搬送室、前記
   再生室及び前記第２搬送室以外の前記各真空処理室に前
   記第１、第２駆動機構の駆動により順次前記基板ホルダ
   で支持し、かつ真空絶縁して第３の真空処理を行わせ、
   前記第２搬送室及び前記第４の枚葉式真空処理機械の前
   記第１搬送室を介して、以下同様に、第４、第５、・・
   ・、第ｎ番目の真空処理を行わせた後、前記取出室より
   外方に前記第１乃至第ｎ番目の真空処理済の前記基板を
   取り出すようにし、前記各真空処理室の真空をベントす
   ることなく、前記再生室で前記基板ホルダをクリーニン
   グ又は交換するようにしたことを特徴とする枚葉式真空
   処理装置。
5. 【請求項５】 前記ｎは３であり、前記第１の枚葉式真
   空処理機械では加熱処理、前記第２の枚葉式真空処理機
   械では第１のスパッタ処理、前記第３の枚葉式真空処理
   機械では第２のスパッタ処理を行わせるようにした請求
   項４に記載の枚葉式真空処理装置。
6. 【請求項６】 前記第１の枚葉式真空処理機械の仕込室
   と前記第３の枚葉式真空処理機械の取出室とは一直線上
   に並んでおり、直線コンベヤ上において前記基板の仕込
   み及び取り出しを行うようにした請求項５に記載の真空
   処理装置。
7. 【請求項７】 前記第１乃至第ｎ番目の枚葉式真空処理
   機械の前記再生室は、相連続して複数配設される請求項
   ４乃至請求項６のいずれかに記載の枚葉式真空処理装
   置。
8. 【請求項８】 前記第１の枚葉式真空処理機械の前記搬
   送室と前記第２の枚葉式真空処理機械の前記第１搬送室
   とは同一の真空室とされ、前記第２の枚葉式真空処理機
   械の前記第２搬送室と前記第３の枚葉式真空処理機械の
   前記第１搬送室とは同一の真空室とされ、以下、前記各
   枚葉式真空処理機械において前記第１搬送室と後続する
   前記枚葉式真空処理機械の第２搬送室とは共通の真空室
   とされる請求項４乃至請求項７のいずれかに記載の枚葉
   式真空処理装置。