JPH08129736A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH08129736A JPH08129736A JP6268703A JP26870394A JPH08129736A JP H08129736 A JPH08129736 A JP H08129736A JP 6268703 A JP6268703 A JP 6268703A JP 26870394 A JP26870394 A JP 26870394A JP H08129736 A JPH08129736 A JP H08129736A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜型磁気記録媒体に関するもの
で、高いＳ／Ｎを有する磁気テープを提供することを目
的とする。 【構成】 基板１上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の
略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁
性層１１が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜面
の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易
軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣｏ
基の部分酸化膜からなる第２の磁性層１２が形成されて
いる磁気記録媒体。
で、高いＳ／Ｎを有する磁気テープを提供することを目
的とする。 【構成】 基板１上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の
略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁
性層１１が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜面
の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易
軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣｏ
基の部分酸化膜からなる第２の磁性層１２が形成されて
いる磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高いＳ／Ｎの得られる磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。この要望に応えるべく薄膜型磁気記録媒体が
開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸着法、ス
パッタリング法、メッキ法等により作製され、優れた短
波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒体におけ
る磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等が検
討されている。
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。この要望に応えるべく薄膜型磁気記録媒体が
開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸着法、ス
パッタリング法、メッキ法等により作製され、優れた短
波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒体におけ
る磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等が検
討されている。
【０００３】薄膜型磁気記録媒体を磁気テープとして実
用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適して
おり、高分子基板上にＣｏ−Ｎｉ−Ｏ磁性層が形成され
た蒸着テープが、既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープとして
実用化されている。
用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適して
おり、高分子基板上にＣｏ−Ｎｉ−Ｏ磁性層が形成され
た蒸着テープが、既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープとして
実用化されている。
【０００４】蒸着テープにおける磁性層は、膜面の法線
に対して斜めに傾斜して成長した結晶粒からなり、磁化
容易軸は膜面の法線に対して傾斜している。すなわち、
磁化容易軸が膜面内あるいは膜面の法線方向にあるので
はなく、蒸発原子の基板への入射方向を含む法面内にお
いて、法線に対して斜めに傾斜した方向にある。市販の
Ｈｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープは、磁化容易軸がテープ
の長手方向を含む法面内において、膜法線から約70゜傾
斜している。ここでテープの長手方向とは、テープの長
さ方向のことである。
に対して斜めに傾斜して成長した結晶粒からなり、磁化
容易軸は膜面の法線に対して傾斜している。すなわち、
磁化容易軸が膜面内あるいは膜面の法線方向にあるので
はなく、蒸発原子の基板への入射方向を含む法面内にお
いて、法線に対して斜めに傾斜した方向にある。市販の
Ｈｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープは、磁化容易軸がテープ
の長手方向を含む法面内において、膜法線から約70゜傾
斜している。ここでテープの長手方向とは、テープの長
さ方向のことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録再生装
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
Ｓ／Ｎ化、特に短波長領域における高Ｓ／Ｎ化が要求さ
れる。
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
Ｓ／Ｎ化、特に短波長領域における高Ｓ／Ｎ化が要求さ
れる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記要望を実現
したものであって、基板上に結晶粒の成長方向が膜面の
略垂直方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは
膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第
１の磁性層が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容
易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣ
ｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層が形成されてい
ることを特徴とする。
したものであって、基板上に結晶粒の成長方向が膜面の
略垂直方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは
膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第
１の磁性層が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容
易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣ
ｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層が形成されてい
ることを特徴とする。
【０００７】
【作用】磁気記録媒体を本発明の構成にすることによ
り、記録再生特性に大きな影響を及ぼす第２の磁性層あ
るいは第２の磁性層と第３の磁性層の磁気異方性を高く
することができ、短波長領域で高いＳ／Ｎを得ることが
できる。
り、記録再生特性に大きな影響を及ぼす第２の磁性層あ
るいは第２の磁性層と第３の磁性層の磁気異方性を高く
することができ、短波長領域で高いＳ／Ｎを得ることが
できる。
【０００８】
【実施例】本発明の磁気記録媒体について図１〜３を用
いて説明する。図１は本発明の磁気記録媒体の第１の例
の基本構成を示し、１は高分子基板、１１は結晶粒の成
長方向が膜面に略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜
面内方向あるいは膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分
酸化膜からなる第１の磁性層、１２は結晶粒の成長方向
が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ
磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向に
あるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層である。
このような構成にすることにより、高分子基板上に単純
に１層の磁性層、あるいは同特性の複数の磁性層が形成
された従来の蒸着テープに比べて、高いＳ／Ｎを得るこ
とができる。
いて説明する。図１は本発明の磁気記録媒体の第１の例
の基本構成を示し、１は高分子基板、１１は結晶粒の成
長方向が膜面に略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜
面内方向あるいは膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分
酸化膜からなる第１の磁性層、１２は結晶粒の成長方向
が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ
磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向に
あるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層である。
このような構成にすることにより、高分子基板上に単純
に１層の磁性層、あるいは同特性の複数の磁性層が形成
された従来の蒸着テープに比べて、高いＳ／Ｎを得るこ
とができる。
【０００９】図１に示すような本発明の構成により、従
来の蒸着テープに比べて高いＳ／Ｎが得られる主な理由
は、結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜
した方向であり、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる
第２の磁性層を、結晶粒の成長方向が膜面の略垂直方向
であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の略
垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁性
層の上に形成すると、高分子基板の上に直接形成した場
合よりも保磁力及び角型比が高くなることにある。この
ように保磁力及び角型比が高くなるのは、結晶配向性が
改善されるためである。例えば、高分子基板の上に直接
形成した第２の磁性層の保磁力が100kA/m、角型比が0.8
5の場合に、これと全く同じ作製条件で、第１の磁性層
を介して第２の磁性層を形成すると、保磁力は130kA/
m、角型比は0.92になった。その結果、記録波長0.5μm
における再生出力は、第１の磁性層がない場合よりも約
3dB高くなった。
来の蒸着テープに比べて高いＳ／Ｎが得られる主な理由
は、結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜
した方向であり、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる
第２の磁性層を、結晶粒の成長方向が膜面の略垂直方向
であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の略
垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁性
層の上に形成すると、高分子基板の上に直接形成した場
合よりも保磁力及び角型比が高くなることにある。この
ように保磁力及び角型比が高くなるのは、結晶配向性が
改善されるためである。例えば、高分子基板の上に直接
形成した第２の磁性層の保磁力が100kA/m、角型比が0.8
5の場合に、これと全く同じ作製条件で、第１の磁性層
を介して第２の磁性層を形成すると、保磁力は130kA/
m、角型比は0.92になった。その結果、記録波長0.5μm
における再生出力は、第１の磁性層がない場合よりも約
3dB高くなった。
【００１０】なお、上記のような効果を得るためには、
第１の磁性層を構成する元素は第２の磁性層とほぼ同じ
にする必要がある。これは、第１の磁性層は第２の磁性
層の結晶配向性を改善するものでなければならないため
であると考えられる。従って、第２の磁性層がＣｏの部
分酸化膜である場合に、第１の磁性層が異なる元素から
成っていたり、金属Ｃｏのままであると本発明の効果は
得られない。さらに、Ｃｏの完全な酸化物であっても本
発明の効果は得られない。すなわち、第２の磁性層がＣ
ｏの部分酸化膜からなる場合には、第１の磁性層もＣｏ
の部分酸化膜であることが必要である。
第１の磁性層を構成する元素は第２の磁性層とほぼ同じ
にする必要がある。これは、第１の磁性層は第２の磁性
層の結晶配向性を改善するものでなければならないため
であると考えられる。従って、第２の磁性層がＣｏの部
分酸化膜である場合に、第１の磁性層が異なる元素から
成っていたり、金属Ｃｏのままであると本発明の効果は
得られない。さらに、Ｃｏの完全な酸化物であっても本
発明の効果は得られない。すなわち、第２の磁性層がＣ
ｏの部分酸化膜からなる場合には、第１の磁性層もＣｏ
の部分酸化膜であることが必要である。
【００１１】また、本発明者らの実験の結果、本発明の
効果を得るためには、第１の磁性層は結晶粒の成長方向
が膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸は膜面内方
向あるいは膜面の略垂直方向になければならないことが
明らかになった。この理由は、第１の磁性層がこのよう
に成長した場合に第２の磁性層の結晶配向性が最もよく
なるためである。第１の磁性層の結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜していると、その結晶配向
性が悪いために、第２の磁性層の結晶配向性も改善され
ない。
効果を得るためには、第１の磁性層は結晶粒の成長方向
が膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸は膜面内方
向あるいは膜面の略垂直方向になければならないことが
明らかになった。この理由は、第１の磁性層がこのよう
に成長した場合に第２の磁性層の結晶配向性が最もよく
なるためである。第１の磁性層の結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜していると、その結晶配向
性が悪いために、第２の磁性層の結晶配向性も改善され
ない。
【００１２】以上説明したように、本発明における第１
の磁性層の主な効果は、第２の磁性層の磁気特性を改善
することにある。この効果を得るためには、第１の磁性
層の膜厚は2nm以上であることが望ましい。2nm未満であ
ると、第１の磁性層がない場合の特性に近づく。
の磁性層の主な効果は、第２の磁性層の磁気特性を改善
することにある。この効果を得るためには、第１の磁性
層の膜厚は2nm以上であることが望ましい。2nm未満であ
ると、第１の磁性層がない場合の特性に近づく。
【００１３】また、第１の磁性層の膜厚と飽和磁化との
積が、第２の磁性層の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越
えると、第１の磁性層の持つ磁性が記録再生特性に悪影
響を及ぼし、Ｓ／Ｎが低下する。この理由は次のように
考えられる。第１の磁性層に記録される磁化と、第２の
磁性層に記録される磁化とは、磁気ヘッドからの距離及
び磁化容易軸方向が異なるために、位相が異なってい
る。それゆえ、特に短波長領域において、それぞれの磁
性層から発生する磁束が、干渉しあって再生出力が低下
する。
積が、第２の磁性層の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越
えると、第１の磁性層の持つ磁性が記録再生特性に悪影
響を及ぼし、Ｓ／Ｎが低下する。この理由は次のように
考えられる。第１の磁性層に記録される磁化と、第２の
磁性層に記録される磁化とは、磁気ヘッドからの距離及
び磁化容易軸方向が異なるために、位相が異なってい
る。それゆえ、特に短波長領域において、それぞれの磁
性層から発生する磁束が、干渉しあって再生出力が低下
する。
【００１４】高い再生出力を得るためには、第１の磁性
層、第２の磁性層ともに、Ｃｏ基の部分酸化膜にする必
要があるが、第１の磁性層の酸素濃度を第２の磁性層の
酸素濃度よりも高くすることが望ましい。こうすること
により高い再生出力が得られる。なぜならば、第２の磁
性層は満足な磁気特性を達成できる範囲内で、できる限
り酸素濃度が少ないことが好ましく、第１の磁性層は部
分酸化膜である状態で、できるだけ酸素が多い方が、第
２の磁性層の結晶配向性を改善でき、しかも、磁化量が
Ｓ／Ｎに悪影響を及ぼさないからである。
層、第２の磁性層ともに、Ｃｏ基の部分酸化膜にする必
要があるが、第１の磁性層の酸素濃度を第２の磁性層の
酸素濃度よりも高くすることが望ましい。こうすること
により高い再生出力が得られる。なぜならば、第２の磁
性層は満足な磁気特性を達成できる範囲内で、できる限
り酸素濃度が少ないことが好ましく、第１の磁性層は部
分酸化膜である状態で、できるだけ酸素が多い方が、第
２の磁性層の結晶配向性を改善でき、しかも、磁化量が
Ｓ／Ｎに悪影響を及ぼさないからである。
【００１５】図２は本発明の磁気記録媒体の第２の例の
基本構成を示す。高分子基板１上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜か
らなる第１の磁性層１１が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層
１２が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化
容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある
Ｃｏ基の部分酸化膜からなる第３の磁性層１３が形成さ
れている。このような構成にすることにより、図１に示
すような、本発明の磁気記録媒体の第１の例よりもノイ
ズを低減させることができる。
基本構成を示す。高分子基板１上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜か
らなる第１の磁性層１１が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層
１２が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の法線に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化
容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある
Ｃｏ基の部分酸化膜からなる第３の磁性層１３が形成さ
れている。このような構成にすることにより、図１に示
すような、本発明の磁気記録媒体の第１の例よりもノイ
ズを低減させることができる。
【００１６】この理由は、図２のような構成にすること
により、第２及び第３の磁性層の総厚が図１の構成の場
合の第２の磁性層の膜厚と同程度である場合に、図２の
ような構成の方が結晶粒の大きさが小さいからである。
結晶粒の大きさが小さい方が、信号を記録した際の磁化
遷移幅が狭く、ノイズが低い。
により、第２及び第３の磁性層の総厚が図１の構成の場
合の第２の磁性層の膜厚と同程度である場合に、図２の
ような構成の方が結晶粒の大きさが小さいからである。
結晶粒の大きさが小さい方が、信号を記録した際の磁化
遷移幅が狭く、ノイズが低い。
【００１７】図２のような構成の場合においても、図１
の構成の場合と同様に、第１の磁性層の膜厚が2nm以上
が望ましく、かつ第１の磁性層の膜厚と飽和磁化との積
が第２及び第３の磁性層の総膜厚と飽和磁化との積の1/
3以下であることが望ましい。その理由は図１の構成の
場合と同様である。
の構成の場合と同様に、第１の磁性層の膜厚が2nm以上
が望ましく、かつ第１の磁性層の膜厚と飽和磁化との積
が第２及び第３の磁性層の総膜厚と飽和磁化との積の1/
3以下であることが望ましい。その理由は図１の構成の
場合と同様である。
【００１８】また、磁性層の酸素濃度も、図１の構成の
際に説明したのと同じ理由により、第１の磁性層の酸素
濃度が第２及び第３の磁性層の酸素濃度よりも大なるこ
とが望ましい。
際に説明したのと同じ理由により、第１の磁性層の酸素
濃度が第２及び第３の磁性層の酸素濃度よりも大なるこ
とが望ましい。
【００１９】図３は本発明の磁気記録媒体の第３の例の
基本構成を示す。高分子基板１上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜か
らなる第１の磁性層１１が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層
１２が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向に
あるＣｏ基の部分酸化膜からなる第４の磁性層１４が形
成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の
部分酸化膜からなる第３の磁性層１３が形成されてい
る。このような構成にすることにより、本発明の磁気記
録媒体の第２の例よりも再生出力を増加させ、さらにノ
イズを低減させることができる。
基本構成を示す。高分子基板１上に結晶粒の成長方向が
膜面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向
あるいは膜面の略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜か
らなる第１の磁性層１１が形成され、その上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
り、かつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の磁性層
１２が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向に
あるＣｏ基の部分酸化膜からなる第４の磁性層１４が形
成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の
部分酸化膜からなる第３の磁性層１３が形成されてい
る。このような構成にすることにより、本発明の磁気記
録媒体の第２の例よりも再生出力を増加させ、さらにノ
イズを低減させることができる。
【００２０】この理由は、図３のような構成にすること
により、第３の磁性層の結晶配向性が図２の構成の場合
よりも改善され、さらに、第３の磁性層が第２の磁性層
からほぼ完全に分断されて成長するからである。第３の
磁性層の結晶配向性が改善されることにより、再生出力
は図２の構成よりも増加し、また、第３の磁性層が第２
の磁性層からほぼ完全に分断されて成長することによ
り、ノイズがさらに低下する。
により、第３の磁性層の結晶配向性が図２の構成の場合
よりも改善され、さらに、第３の磁性層が第２の磁性層
からほぼ完全に分断されて成長するからである。第３の
磁性層の結晶配向性が改善されることにより、再生出力
は図２の構成よりも増加し、また、第３の磁性層が第２
の磁性層からほぼ完全に分断されて成長することによ
り、ノイズがさらに低下する。
【００２１】図３のような構成においても、図１の構成
の場合と同様に、第１の磁性層及び第４の磁性層の膜厚
がそれぞれ2nm以上であり、かつ第１及び第４の磁性層
の総膜厚と飽和磁化との積が第２及び第３の磁性層の総
膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であることが望まし
い。その理由は図１の構成の場合と同様である。
の場合と同様に、第１の磁性層及び第４の磁性層の膜厚
がそれぞれ2nm以上であり、かつ第１及び第４の磁性層
の総膜厚と飽和磁化との積が第２及び第３の磁性層の総
膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であることが望まし
い。その理由は図１の構成の場合と同様である。
【００２２】また、磁性層の酸素濃度も、図１の構成の
際に説明したのと同じ理由により、第１及び第４の磁性
層の酸素濃度が第２及び第３の磁性層の酸素濃度よりも
大なることが望ましい。
際に説明したのと同じ理由により、第１及び第４の磁性
層の酸素濃度が第２及び第３の磁性層の酸素濃度よりも
大なることが望ましい。
【００２３】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の
一例を図４に基づいて説明する。図４は本発明の磁気記
録媒体を作製するための真空蒸着装置内部の構成の一例
である。第１の磁性層１１を成膜する際には、高分子基
板１を円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向きに走
行させる。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮蔽板
３Ａ、３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部を通
って蒸発原子９は高分子基板１に付着する。蒸発物質７
としてＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ合金を蒸発源８に充填
する。また、酸素導入口１０から真空槽内に酸素を導入
する。なお、第１の磁性層１１、あるいは第４の磁性層
１４を形成する際の酸素導入口は、図４のような位置に
限定されるものではない。例えば、遮蔽板３Ａと円筒状
キャン２との間や遮蔽板と蒸発源との間に配置してもよ
いし、あるいは複数の酸素導入口を設けてもよい。
一例を図４に基づいて説明する。図４は本発明の磁気記
録媒体を作製するための真空蒸着装置内部の構成の一例
である。第１の磁性層１１を成膜する際には、高分子基
板１を円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向きに走
行させる。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮蔽板
３Ａ、３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部を通
って蒸発原子９は高分子基板１に付着する。蒸発物質７
としてＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ合金を蒸発源８に充填
する。また、酸素導入口１０から真空槽内に酸素を導入
する。なお、第１の磁性層１１、あるいは第４の磁性層
１４を形成する際の酸素導入口は、図４のような位置に
限定されるものではない。例えば、遮蔽板３Ａと円筒状
キャン２との間や遮蔽板と蒸発源との間に配置してもよ
いし、あるいは複数の酸素導入口を設けてもよい。
【００２４】θi、θfは、高分子基板１が矢印６の方向
に走行する際に、それぞれ磁性層の蒸着開始部及び蒸着
終了部における蒸発原子の高分子基板１への入射角であ
る。高分子基板１を矢印６の逆方向に走行させて磁性層
を形成する際には、θfが蒸着開始部、θiが蒸着終了部
の入射角となる。第１の磁性層形成時には、θiを約40
゜以下にしθfを約−40゜以上に設定しておくことが望
ましい。ここでθfのマイナスは、図４において、遮蔽
板３Ｂと蒸発源の蒸発部を結ぶ直線が、円筒状キャン２
の中心と蒸発源の蒸発部を結ぶ直線よりも右側にあるこ
とを意味する。θ i、θfをこのように設定して、酸素を
導入しつつ磁性層を形成すると、結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あ
るいは膜面の略垂直方向にある第１の磁性層１１が形成
される。なお、酸素を導入しただけでは、このようにな
らない場合には、酸素にアルゴンや窒素などのガスを混
入して導入すればよい。このようにして作製した磁性層
は、一般に、膜厚が約30〜40nm以下の場合には、磁化容
易軸は膜面内方向にあり、それ以上の膜厚の場合には、
膜面の略垂直方向にある。ただし、磁化容易軸が膜面内
方向から膜面の略垂直方向に変わる膜厚は、入射角、雰
囲気、酸素濃度、基板温度等によって変化する。４、５
は高分子基板１が巻かれているロールである。
に走行する際に、それぞれ磁性層の蒸着開始部及び蒸着
終了部における蒸発原子の高分子基板１への入射角であ
る。高分子基板１を矢印６の逆方向に走行させて磁性層
を形成する際には、θfが蒸着開始部、θiが蒸着終了部
の入射角となる。第１の磁性層形成時には、θiを約40
゜以下にしθfを約−40゜以上に設定しておくことが望
ましい。ここでθfのマイナスは、図４において、遮蔽
板３Ｂと蒸発源の蒸発部を結ぶ直線が、円筒状キャン２
の中心と蒸発源の蒸発部を結ぶ直線よりも右側にあるこ
とを意味する。θ i、θfをこのように設定して、酸素を
導入しつつ磁性層を形成すると、結晶粒の成長方向が膜
面の略垂直方向であり、かつ磁化容易軸が膜面内方向あ
るいは膜面の略垂直方向にある第１の磁性層１１が形成
される。なお、酸素を導入しただけでは、このようにな
らない場合には、酸素にアルゴンや窒素などのガスを混
入して導入すればよい。このようにして作製した磁性層
は、一般に、膜厚が約30〜40nm以下の場合には、磁化容
易軸は膜面内方向にあり、それ以上の膜厚の場合には、
膜面の略垂直方向にある。ただし、磁化容易軸が膜面内
方向から膜面の略垂直方向に変わる膜厚は、入射角、雰
囲気、酸素濃度、基板温度等によって変化する。４、５
は高分子基板１が巻かれているロールである。
【００２５】次に、第２の磁性層１２の成膜方法を説明
する。第１の磁性層１１が形成されてロール５に巻き取
られた高分子基板１を円筒状キャン２の周面に沿って矢
印６の逆向きに走行させ、ロール４に巻き戻す。この際
に、蒸発源８の電源は切っておき、蒸発を停止させてお
く。あるいは、遮蔽板３Ａ、３Ｂの間の開口部をシャッ
ター（図示されていない）により閉じて、蒸発原子９が
高分子基板１に付着するのを防止する。次に、この高分
子基板１を矢印６の向きに走行させて、第２の磁性層１
２を形成する。この際にθiを60゜以上の角度とし、θf
を30゜以上の角度にしておく。なお、蒸発物質７として
はＣｏ合金を蒸発源８に充填しておく。また、酸素導入
口１０から、真空槽内に酸素を導入する。第２の磁性層
１２あるいは第３の磁性層１３を形成する際には、図４
に示すように、蒸着終了部近傍から蒸着部に向かって酸
素を導入すると、特性の優れた磁性層が得られる。この
ようにすることにより、結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある第２の磁
性層１２が形成される。
する。第１の磁性層１１が形成されてロール５に巻き取
られた高分子基板１を円筒状キャン２の周面に沿って矢
印６の逆向きに走行させ、ロール４に巻き戻す。この際
に、蒸発源８の電源は切っておき、蒸発を停止させてお
く。あるいは、遮蔽板３Ａ、３Ｂの間の開口部をシャッ
ター（図示されていない）により閉じて、蒸発原子９が
高分子基板１に付着するのを防止する。次に、この高分
子基板１を矢印６の向きに走行させて、第２の磁性層１
２を形成する。この際にθiを60゜以上の角度とし、θf
を30゜以上の角度にしておく。なお、蒸発物質７として
はＣｏ合金を蒸発源８に充填しておく。また、酸素導入
口１０から、真空槽内に酸素を導入する。第２の磁性層
１２あるいは第３の磁性層１３を形成する際には、図４
に示すように、蒸着終了部近傍から蒸着部に向かって酸
素を導入すると、特性の優れた磁性層が得られる。この
ようにすることにより、結晶粒の成長方向が膜面の法線
に対して斜めに傾斜した方向であり、かつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある第２の磁
性層１２が形成される。
【００２６】以上の方法により、図１に示す構成を有す
る磁気記録媒体を製造することができる。
る磁気記録媒体を製造することができる。
【００２７】以上の例では、図４において矢印６の方向
に高分子基板１を走行させながら第１の磁性層１１を形
成した後、矢印６の逆方向に高分子基板１を走行させて
巻き戻し、次に、矢印６の方向に高分子基板１を走行さ
せて第２の磁性層１２を形成する例について説明した
が、製造方法はこれに限定されるものではない。例えば
図４において、矢印６の逆方向に高分子基板１を走行さ
せながら第１の磁性層１１を形成した後、矢印６の方向
に高分子基板１を走行させて第２の磁性層１２を形成し
てもよい。あるいは、蒸着装置を工夫することにより、
１回の基板走行で第１の磁性層１１と第２の磁性層１２
を同時に形成してもよい。
に高分子基板１を走行させながら第１の磁性層１１を形
成した後、矢印６の逆方向に高分子基板１を走行させて
巻き戻し、次に、矢印６の方向に高分子基板１を走行さ
せて第２の磁性層１２を形成する例について説明した
が、製造方法はこれに限定されるものではない。例えば
図４において、矢印６の逆方向に高分子基板１を走行さ
せながら第１の磁性層１１を形成した後、矢印６の方向
に高分子基板１を走行させて第２の磁性層１２を形成し
てもよい。あるいは、蒸着装置を工夫することにより、
１回の基板走行で第１の磁性層１１と第２の磁性層１２
を同時に形成してもよい。
【００２８】第３の磁性層１３及び第４の磁性層１４を
形成する際も、以上で説明した方法と同様にすればよ
い。
形成する際も、以上で説明した方法と同様にすればよ
い。
【００２９】次に、具体的な実施例及び比較例について
述べる。まず、第１の実施例について説明する。これ
は、図１に示すような、本発明の第１の例である。図４
に示す構成で、高分子基板１を矢印６の逆方向に走行さ
せて、第１の磁性層１１を形成した。蒸発源８に蒸発物
質７としてのＣｏを充填して蒸着を行なった。円筒状キ
ャン２の直径は１mであり、その表面温度を室温とし
た。高分子基板１としては膜厚6μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた。θiは20゜、θfは−20゜
に設定した。酸素導入口１０からは、2l/minの量の酸素
を真空槽内に導入した。このようにして、平均の膜堆積
速度を0.1μm/sとして、膜厚0.01μmの第１の磁性層１
１を形成した。この磁性層の破断面を透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）により観察すると、結晶粒の成長方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。またこの磁性層の磁気異方性
をトルク計により測定すると、磁化容易軸方向は膜面内
にあった。膜厚と飽和磁化との積は3μm・kA/mであっ
た。
述べる。まず、第１の実施例について説明する。これ
は、図１に示すような、本発明の第１の例である。図４
に示す構成で、高分子基板１を矢印６の逆方向に走行さ
せて、第１の磁性層１１を形成した。蒸発源８に蒸発物
質７としてのＣｏを充填して蒸着を行なった。円筒状キ
ャン２の直径は１mであり、その表面温度を室温とし
た。高分子基板１としては膜厚6μmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムを用いた。θiは20゜、θfは−20゜
に設定した。酸素導入口１０からは、2l/minの量の酸素
を真空槽内に導入した。このようにして、平均の膜堆積
速度を0.1μm/sとして、膜厚0.01μmの第１の磁性層１
１を形成した。この磁性層の破断面を透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）により観察すると、結晶粒の成長方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。またこの磁性層の磁気異方性
をトルク計により測定すると、磁化容易軸方向は膜面内
にあった。膜厚と飽和磁化との積は3μm・kA/mであっ
た。
【００３０】次に、第１の磁性層１１の形成された高分
子基板１を矢印６の方向に走行させて、第２の磁性層１
２を形成した。蒸発物質７としては第１の磁性層形成時
に充填したＣｏをそのまま使用した。円筒状キャンの表
面温度は室温とした。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口１０からの酸素導入量は0.8l/minとし
た。この様にして、平均の膜堆積速度を0.1μm/sとし
て、膜厚0.1μmの第２の磁性層１２を形成した。この磁
性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜めに傾
斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜めに傾
斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積は60μm・k
A/mであった。
子基板１を矢印６の方向に走行させて、第２の磁性層１
２を形成した。蒸発物質７としては第１の磁性層形成時
に充填したＣｏをそのまま使用した。円筒状キャンの表
面温度は室温とした。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口１０からの酸素導入量は0.8l/minとし
た。この様にして、平均の膜堆積速度を0.1μm/sとし
て、膜厚0.1μmの第２の磁性層１２を形成した。この磁
性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜めに傾
斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜めに傾
斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積は60μm・k
A/mであった。
【００３１】この第１の実施例の磁性層の酸素濃度をオ
ージェ電子分光分析により調べると、第１の磁性層１１
の酸素濃度は約40原子%であり、第２の磁性層１２の酸
素濃度は約20原子%であった。
ージェ電子分光分析により調べると、第１の磁性層１１
の酸素濃度は約40原子%であり、第２の磁性層１２の酸
素濃度は約20原子%であった。
【００３２】第１の磁性層１１の膜厚のみを変えて、そ
れ以外は第１の実施例の場合と全く同様にして、第２の
実施例のサンプルを作製した。すなわち、第１の磁性層
１１の膜厚を0.05μmとした。この第１の磁性層の結晶
粒の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸
方向はほぼ膜面の垂直方向であった。膜厚と飽和磁化と
の積は15μm・kA/mであった。
れ以外は第１の実施例の場合と全く同様にして、第２の
実施例のサンプルを作製した。すなわち、第１の磁性層
１１の膜厚を0.05μmとした。この第１の磁性層の結晶
粒の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸
方向はほぼ膜面の垂直方向であった。膜厚と飽和磁化と
の積は15μm・kA/mであった。
【００３３】次に、第３の実施例について説明する。第
３の実施例のサンプルは、第１の磁性層１１の膜厚を1.
5nmとした以外は、第１の実施例と全く同様にして作製
した。このサンプルの第１の磁性層の結晶粒の成長方向
はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ膜
面内にあった。
３の実施例のサンプルは、第１の磁性層１１の膜厚を1.
5nmとした以外は、第１の実施例と全く同様にして作製
した。このサンプルの第１の磁性層の結晶粒の成長方向
はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ膜
面内にあった。
【００３４】次に、第４の実施例について説明する。第
４の実施例のサンプルは、第１の磁性層１１形成時にお
ける酸素導入口１０からの酸素導入量を0.8l/minとし、
膜厚を0.03μmとした以外は、第１の実施例と全く同様
にして作製した。このサンプルの第１の磁性層の結晶粒
の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方
向はほぼ膜面内にあった。また第１の磁性層の膜厚と飽
和磁化との積は24μm・kA/mであった。
４の実施例のサンプルは、第１の磁性層１１形成時にお
ける酸素導入口１０からの酸素導入量を0.8l/minとし、
膜厚を0.03μmとした以外は、第１の実施例と全く同様
にして作製した。このサンプルの第１の磁性層の結晶粒
の成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方
向はほぼ膜面内にあった。また第１の磁性層の膜厚と飽
和磁化との積は24μm・kA/mであった。
【００３５】次に、第５の実施例について説明する。第
５の実施例のサンプルは、第１の磁性層１１の膜厚を0.
08μmとした以外は、第１の実施例と全く同様にして作
製した。このサンプルの第１の磁性層の結晶粒の成長方
向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。また、第１の磁性層の膜厚と
飽和磁化との積は24μm・kA/mであった。
５の実施例のサンプルは、第１の磁性層１１の膜厚を0.
08μmとした以外は、第１の実施例と全く同様にして作
製した。このサンプルの第１の磁性層の結晶粒の成長方
向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向はほぼ
膜面の垂直方向であった。また、第１の磁性層の膜厚と
飽和磁化との積は24μm・kA/mであった。
【００３６】第１の磁性層１１の酸素濃度のみを変え
て、それ以外は第１の実施例の場合と全く同等にして、
第６の実施例のサンプルを作製した。すなわち、第１の
磁性層１１を蒸着する際の酸素導入口１０からの酸素導
入量を0.6l/minとして、それ以外は、第１の実施例の場
合と全く同様にした。この第１の磁性層１１の結晶粒の
成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向
は膜面内にあった。膜厚と飽和磁化との積は9μm・kA/m
であった。第１の磁性層１１の酸素濃度は約15原子%で
あった。
て、それ以外は第１の実施例の場合と全く同等にして、
第６の実施例のサンプルを作製した。すなわち、第１の
磁性層１１を蒸着する際の酸素導入口１０からの酸素導
入量を0.6l/minとして、それ以外は、第１の実施例の場
合と全く同様にした。この第１の磁性層１１の結晶粒の
成長方向はほぼ膜面の垂直方向であり、磁化容易軸方向
は膜面内にあった。膜厚と飽和磁化との積は9μm・kA/m
であった。第１の磁性層１１の酸素濃度は約15原子%で
あった。
【００３７】次に、第１の比較例について説明する。高
分子基板１上に、直接、第１の実施例における第２の磁
性層を形成し、単層構造の磁気記録媒体を作製した。こ
の磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜め
に傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜め
に傾斜した方向にあった。
分子基板１上に、直接、第１の実施例における第２の磁
性層を形成し、単層構造の磁気記録媒体を作製した。こ
の磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対して斜め
に傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線から斜め
に傾斜した方向にあった。
【００３８】次に、第２の比較例について説明する。第
２の比較例のサンプルは、第１の磁性層形成時に、酸素
導入口１０からの酸素導入量を０とした以外は、第１の
実施例と全く同様にして作製した。
２の比較例のサンプルは、第１の磁性層形成時に、酸素
導入口１０からの酸素導入量を０とした以外は、第１の
実施例と全く同様にして作製した。
【００３９】次に、第３の比較例について説明する。第
３の比較例のサンプルは、第１の実施例における第１の
磁性層１１の代わりに、非磁性のＣｏＯ膜としたもので
ある。このサンプルは、第１の実施例における第１の磁
性層１１形成時に、酸素導入口１０から5l/minの量の酸
素を真空槽内に導入した以外は、第１の実施例と全く同
様にして作製した。
３の比較例のサンプルは、第１の実施例における第１の
磁性層１１の代わりに、非磁性のＣｏＯ膜としたもので
ある。このサンプルは、第１の実施例における第１の磁
性層１１形成時に、酸素導入口１０から5l/minの量の酸
素を真空槽内に導入した以外は、第１の実施例と全く同
様にして作製した。
【００４０】次に、第４の比較例について説明する。図
４に示す構成で、高分子基板１を矢印６の方向に走行さ
せて、第１の磁性層を形成した。蒸発源８に蒸発物質７
としてのＣｏを充填して蒸着を行なった。円筒状キャン
２の直径は１mであり、その表面温度を室温とした。高
分子基板１としては膜厚6μmのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを用いた。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口１０からは、2l/minの量の酸素を真空槽
内に導入した。このようにして、平均の膜堆積速度を0.
1μm/sとして、膜厚0.05μmの第１の磁性層を形成し
た。この磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対し
て斜めに傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線か
ら斜めに傾斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積
は15μm・kA/mであった。
４に示す構成で、高分子基板１を矢印６の方向に走行さ
せて、第１の磁性層を形成した。蒸発源８に蒸発物質７
としてのＣｏを充填して蒸着を行なった。円筒状キャン
２の直径は１mであり、その表面温度を室温とした。高
分子基板１としては膜厚6μmのポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを用いた。θiは90゜、θfは55゜に設定し
た。酸素導入口１０からは、2l/minの量の酸素を真空槽
内に導入した。このようにして、平均の膜堆積速度を0.
1μm/sとして、膜厚0.05μmの第１の磁性層を形成し
た。この磁性層の結晶粒の成長方向は膜面の法線に対し
て斜めに傾斜しており、磁化容易軸方向は膜面の法線か
ら斜めに傾斜した方向にあった。膜厚と飽和磁化との積
は15μm・kA/mであった。
【００４１】次に、ロール５に巻き取られた第１の磁性
層の形成された高分子基板１を、矢印６の逆方向に走行
させてロール４に巻き戻した。この際に遮蔽板の開口部
をシャッター（図示されていない）により閉じておい
た。次に、第１の磁性層の形成された高分子基板１を矢
印６の方向に走行させ、第１の実施例の場合と全く同様
にして第２の磁性層１２を形成した。
層の形成された高分子基板１を、矢印６の逆方向に走行
させてロール４に巻き戻した。この際に遮蔽板の開口部
をシャッター（図示されていない）により閉じておい
た。次に、第１の磁性層の形成された高分子基板１を矢
印６の方向に走行させ、第１の実施例の場合と全く同様
にして第２の磁性層１２を形成した。
【００４２】次に、第７の実施例について説明する。こ
れは、図２に示すような、本発明の磁気記録媒体の第２
の例である。第１の磁性層１１は、第１の実施例におけ
る第１の磁性層と全く同様にして形成した。第２の磁性
層１２及び第３の磁性層１３は、いずれの磁性層も、膜
厚を0.05μmとした以外は、第１の実施例における第２
の磁性層と全く同様にして形成した。
れは、図２に示すような、本発明の磁気記録媒体の第２
の例である。第１の磁性層１１は、第１の実施例におけ
る第１の磁性層と全く同様にして形成した。第２の磁性
層１２及び第３の磁性層１３は、いずれの磁性層も、膜
厚を0.05μmとした以外は、第１の実施例における第２
の磁性層と全く同様にして形成した。
【００４３】次に、第８の実施例について説明する。こ
れは、図３に示すような、本発明の磁気記録媒体の第３
の例である。第８の実施例のサンプルは、第４の磁性層
以外は、第７の実施例と全く同様にして形成した。第４
の磁性層１４は、第１及び第２の磁性層の形成された高
分子基板１上に、第１の磁性層１１と全く同様にして形
成した。
れは、図３に示すような、本発明の磁気記録媒体の第３
の例である。第８の実施例のサンプルは、第４の磁性層
以外は、第７の実施例と全く同様にして形成した。第４
の磁性層１４は、第１及び第２の磁性層の形成された高
分子基板１上に、第１の磁性層１１と全く同様にして形
成した。
【００４４】以上のようにして作製した磁気記録媒体を
テープ状にスリットし、センダストから成るギャップ長
0.15μmのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の
評価を行なった。その結果を表１に示す。再生出力は、
記録波長0.5μmの信号を記録した際の値であり、ノイズ
は、その時の0.6μmの波長に相当する周波数における値
である。すなわち、測定はテープとヘッドとの相対速度
を4.5m/sとして行ったので、記録周波数は9MHzであり、
ノイズは7.5MHzにおける値である。再生出力、ノイズと
もに、第１の実施例のサンプルを0dBとして、これに対
する相対値で表している。
テープ状にスリットし、センダストから成るギャップ長
0.15μmのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の
評価を行なった。その結果を表１に示す。再生出力は、
記録波長0.5μmの信号を記録した際の値であり、ノイズ
は、その時の0.6μmの波長に相当する周波数における値
である。すなわち、測定はテープとヘッドとの相対速度
を4.5m/sとして行ったので、記録周波数は9MHzであり、
ノイズは7.5MHzにおける値である。再生出力、ノイズと
もに、第１の実施例のサンプルを0dBとして、これに対
する相対値で表している。
【００４５】（表１）から、本発明の第１〜第８の実施
例は、第１〜第４の比較例に比べて再生出力が高くノイ
ズは同等以下であり、高いＳ／Ｎが得られていることが
わかる。
例は、第１〜第４の比較例に比べて再生出力が高くノイ
ズは同等以下であり、高いＳ／Ｎが得られていることが
わかる。
【００４６】
【表１】
【００４７】第１〜第６の実施例は、第１の磁性層１１
と第２の磁性層１２から成る２層構造のサンプルであ
り、いずれも、比較例のサンプルよりも高い再生出力及
び同等以下のノイズとなっている。特に、第１の磁性層
１１の膜厚が2nm以上で、第１の磁性層１１の膜厚と飽
和磁化との積が第２の磁性層１２の膜厚と飽和磁化との
積の1/3以下であり、かつ第１の磁性層１１の酸素濃度
が第２の磁性層１２の酸素濃度よりも高い、第１及び第
２の実施例において、最も優れた特性が得られているこ
とがわかる。
と第２の磁性層１２から成る２層構造のサンプルであ
り、いずれも、比較例のサンプルよりも高い再生出力及
び同等以下のノイズとなっている。特に、第１の磁性層
１１の膜厚が2nm以上で、第１の磁性層１１の膜厚と飽
和磁化との積が第２の磁性層１２の膜厚と飽和磁化との
積の1/3以下であり、かつ第１の磁性層１１の酸素濃度
が第２の磁性層１２の酸素濃度よりも高い、第１及び第
２の実施例において、最も優れた特性が得られているこ
とがわかる。
【００４８】第１の実施例と第２の実施例においては、
第１の磁性層１１の磁化容易軸方向が異なっている。す
なわち、前者は膜面内にあり、後者は膜面の略垂直方向
にある。しかし、いずれにおいても同等の記録再生特性
が得られている。従って、第１の磁性層の磁化容易軸方
向は、膜面内であっても膜面の略垂直方向であってもよ
い。ただし、第４の比較例のように、第１の磁性層の結
晶粒の成長方向及び磁化容易軸方向を斜め方向にする
と、高いＳ／Ｎは得られなくなる。
第１の磁性層１１の磁化容易軸方向が異なっている。す
なわち、前者は膜面内にあり、後者は膜面の略垂直方向
にある。しかし、いずれにおいても同等の記録再生特性
が得られている。従って、第１の磁性層の磁化容易軸方
向は、膜面内であっても膜面の略垂直方向であってもよ
い。ただし、第４の比較例のように、第１の磁性層の結
晶粒の成長方向及び磁化容易軸方向を斜め方向にする
と、高いＳ／Ｎは得られなくなる。
【００４９】第３の実施例は、第１の磁性層の膜厚が2n
m未満であるので、第１の実施例に比べ再生出力が1dB低
く、ノイズが1dB高くなっている。第４及び第５の実施
例では、第１の磁性層１１の膜厚と飽和磁化との積が第
２の磁性層１２の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越えて
いるので、再生出力が1〜2dB低く、ノイズが1dB高くな
っている。第６の実施例では第１の実施例に比べ、第１
の磁性層１１の酸素濃度を第２の磁性層１２の酸素濃度
よりも低くしているので、再生出力が2dB低く、ノイズ
が1dB高くなっている。
m未満であるので、第１の実施例に比べ再生出力が1dB低
く、ノイズが1dB高くなっている。第４及び第５の実施
例では、第１の磁性層１１の膜厚と飽和磁化との積が第
２の磁性層１２の膜厚と飽和磁化との積の1/3を越えて
いるので、再生出力が1〜2dB低く、ノイズが1dB高くな
っている。第６の実施例では第１の実施例に比べ、第１
の磁性層１１の酸素濃度を第２の磁性層１２の酸素濃度
よりも低くしているので、再生出力が2dB低く、ノイズ
が1dB高くなっている。
【００５０】本発明の第２の例である第７の実施例で
は、第１の実施例に比べて、斜め方向に磁化容易軸を有
する磁性層を２層にしているので、第１の実施例よりも
さらなる低ノイズが達成されている。
は、第１の実施例に比べて、斜め方向に磁化容易軸を有
する磁性層を２層にしているので、第１の実施例よりも
さらなる低ノイズが達成されている。
【００５１】本発明の第３の例である第８の実施例で
は、第４の磁性層１４を形成することにより、第１の実
施例よりも、さらに高出力、低ノイズが達成されてい
る。
は、第４の磁性層１４を形成することにより、第１の実
施例よりも、さらに高出力、低ノイズが達成されてい
る。
【００５２】以上のように、本発明の構成にすることに
より、比較例よりも優れた記録再生特性が得られる。な
お、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、第
１の実施例のサンプルは、再生出力が6dB高く、ノイズ
は1dB低い。
より、比較例よりも優れた記録再生特性が得られる。な
お、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、第
１の実施例のサンプルは、再生出力が6dB高く、ノイズ
は1dB低い。
【００５３】以上では、θiを20゜、θfを-20゜に設定
してＣｏ−Ｏから成る第１あるいは第４の磁性層を形成
し、θiを90゜、θfを55゜に設定してＣｏ−Ｏから成る
第２あるいは第３の磁性層を形成すると、優れた記録再
生特性を有する磁気記録媒体が得られることを説明し
た。しかし、これ以外の製造条件、製造方法、組成ある
いは膜厚であっても、第１の磁性層の結晶粒の成長方向
を膜面の略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向ある
いは膜面の略垂直方向とし、第２及び第３の磁性層の結
晶粒の成長方向を膜面の法線に対して斜めに傾斜した方
向、かつ磁化容易軸を膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向とし、第４の磁性層の結晶粒の成長方向を膜面の
略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向とすることに
より、優れた記録再生特性を実現できる。
してＣｏ−Ｏから成る第１あるいは第４の磁性層を形成
し、θiを90゜、θfを55゜に設定してＣｏ−Ｏから成る
第２あるいは第３の磁性層を形成すると、優れた記録再
生特性を有する磁気記録媒体が得られることを説明し
た。しかし、これ以外の製造条件、製造方法、組成ある
いは膜厚であっても、第１の磁性層の結晶粒の成長方向
を膜面の略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向ある
いは膜面の略垂直方向とし、第２及び第３の磁性層の結
晶粒の成長方向を膜面の法線に対して斜めに傾斜した方
向、かつ磁化容易軸を膜面の法線に対して斜めに傾斜し
た方向とし、第４の磁性層の結晶粒の成長方向を膜面の
略垂直方向、かつ磁化容易軸を膜面内方向とすることに
より、優れた記録再生特性を実現できる。
【００５４】以上では磁性層の組成として、Ｃｏ−Ｏの
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｏ
などの組成でも、本発明の構成にすることにより、高い
再生出力が得られる。また、基板については、ポリエチ
レンテレフタレートフィルムについて説明したが、ポリ
エチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の
高分子フィルムでも全く同様であり、膜厚に限定がない
ことも言うまでもない。
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｏ
などの組成でも、本発明の構成にすることにより、高い
再生出力が得られる。また、基板については、ポリエチ
レンテレフタレートフィルムについて説明したが、ポリ
エチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、
ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の
高分子フィルムでも全く同様であり、膜厚に限定がない
ことも言うまでもない。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、高いＳ／Ｎを有する磁
気記録媒体を提供できる。
気記録媒体を提供できる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の例の基本構成を
示す概略図
示す概略図
【図２】本発明の磁気記録媒体の第２の例の基本構成を
示す概略図
示す概略図
【図３】本発明の磁気記録媒体の第３の例の基本構成を
示す概略図
示す概略図
【図４】本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するた
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図
【符号の説明】 １ 高分子基板 ２ 円筒状キャン ３Ａ、３Ｂ 遮蔽板 ４、５ ロール ６ 基板走行方向 ７ 蒸発物質 ８ 蒸発源 ９ 蒸発原子 １０ 酸素導入口 １１ 第１の磁性層 １２ 第２の磁性層 １３ 第３の磁性層 １４ 第４の磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉本 和也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向にあるＣｏ基の
部分酸化膜からなる第１の磁性層が形成され、その上に
結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに
傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の
磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の略垂直方向にあるＣ
ｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁性層が形成され、そ
の上に結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾
斜した方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる
第２の磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項３】第１の磁性層の膜厚が2nm以上であり、か
つ第１の磁性層の膜厚と飽和磁化との積が第２の磁性層
の膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であることを特徴と
する請求項１または２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】第１の磁性層の酸素濃度が第２の磁性層の
酸素濃度よりも大なることを特徴とする請求項１〜３の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向にあるＣｏ基の
部分酸化膜からなる第１の磁性層が形成され、その上に
結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに
傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第２の
磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化
容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にある
Ｃｏ基の部分酸化膜からなる第３の磁性層が形成されて
いることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面の略垂直方向にあるＣ
ｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁性層が形成され、そ
の上に結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾
斜した方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して
斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる
第２の磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の成長
方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向でありか
つ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向
にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第３の磁性層が形成
されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項７】第１の磁性層の膜厚が2nm以上であり、か
つ第１の磁性層の膜厚と飽和磁化との積が第２及び第３
の磁性層の総膜厚と飽和磁化との積の1/3以下であるこ
とを特徴とする請求項５または６記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】第１の磁性層の酸素濃度が第２及び第３の
磁性層の酸素濃度よりも大なることを特徴とする請求項
５〜７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直
方向でありかつ磁化容易軸が膜面内方向あるいは膜面の
略垂直方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁
性層が形成され、その上に結晶粒の成長方向が膜面の法
線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易軸が
膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の
部分酸化膜からなる第２の磁性層が形成され、さらにそ
の上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂直方向でありかつ
磁化容易軸が膜面内方向にあるＣｏ基の部分酸化膜から
なる第４の磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の
成長方向が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向であ
りかつ磁化容易軸が膜面の法線に対して斜めに傾斜した
方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第３の磁性層が
形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１０】基板上に結晶粒の成長方向が膜面の略垂
直方向でありかつ磁化容易軸が膜面の略垂直方向にある
Ｃｏ基の部分酸化膜からなる第１の磁性層が形成され、
その上に結晶粒の成長方向が膜面の法線に対して斜めに
傾斜した方向でありかつ磁化容易軸が膜面の法線に対し
て斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からな
る第２の磁性層が形成され、さらにその上に結晶粒の成
長方向が膜面の略垂直方向でありかつ磁化容易軸が膜面
内方向にあるＣｏ基の部分酸化膜からなる第４の磁性層
が形成され、さらにその上に結晶粒の成長方向が膜面の
法線に対して斜めに傾斜した方向でありかつ磁化容易軸
が膜面の法線に対して斜めに傾斜した方向にあるＣｏ基
の部分酸化膜からなる第３の磁性層が形成されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１１】第１の磁性層及び第４の磁性層の膜厚が
それぞれ2nm以上であり、かつ第１及び第４の磁性層の
総膜厚と飽和磁化との積が第２及び第３の磁性層の総膜
厚と飽和磁化との積の1/3以下であることを特徴とする
請求項９または１０記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１２】第１及び第４の磁性層の酸素濃度が第２
及び第３の磁性層の酸素濃度よりも大なることを特徴と
する請求項９〜１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒
体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6268703A JPH08129736A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体 |
| EP95116773A EP0710950A1 (en) | 1994-11-01 | 1995-10-25 | Magnetic recording medium |
| US08/548,422 US5665460A (en) | 1994-11-01 | 1995-10-26 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6268703A JPH08129736A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08129736A true JPH08129736A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17462206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6268703A Pending JPH08129736A (ja) | 1994-11-01 | 1994-11-01 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5665460A (ja) |
| EP (1) | EP0710950A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08129736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8116035B2 (en) | 2005-06-13 | 2012-02-14 | Tohoku University | Magnetic recording medium having a secondary recording layer made of a material having a negative crystal magnetic anisotropy and magnetic recording and reproducing apparatus |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG93828A1 (en) * | 1998-03-26 | 2003-01-21 | Showa Denko Kk | Magnetic recording medium |
| US6274233B1 (en) * | 1998-03-26 | 2001-08-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| JP4491934B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2010-06-30 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 薄膜磁気記録媒体の製造方法 |
| US6936353B1 (en) | 2003-07-02 | 2005-08-30 | Seagate Technology Llc | Tilted recording medium design with (101-2) orientation |
| JP2005063508A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6310314A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0760482B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1995-06-28 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録方法 |
| JPS63102020A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS63197026A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
| EP0443478A3 (en) * | 1990-02-19 | 1992-03-11 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and method for preparing the same |
| JPH03242818A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH05342553A (ja) * | 1992-06-05 | 1993-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH06150289A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-01 JP JP6268703A patent/JPH08129736A/ja active Pending
-
1995
- 1995-10-25 EP EP95116773A patent/EP0710950A1/en not_active Withdrawn
- 1995-10-26 US US08/548,422 patent/US5665460A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8116035B2 (en) | 2005-06-13 | 2012-02-14 | Tohoku University | Magnetic recording medium having a secondary recording layer made of a material having a negative crystal magnetic anisotropy and magnetic recording and reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5665460A (en) | 1997-09-09 |
| EP0710950A1 (en) | 1996-05-08 |
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