JPH06111272A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH06111272A JPH06111272A JP4331511A JP33151192A JPH06111272A JP H06111272 A JPH06111272 A JP H06111272A JP 4331511 A JP4331511 A JP 4331511A JP 33151192 A JP33151192 A JP 33151192A JP H06111272 A JPH06111272 A JP H06111272A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜型磁気記録媒体に関するもの
で、高いＳ／Ｎを有する磁気テープとその製造方法を提
供する。 【構成】 基板上に磁化容易軸が膜面の法線に対して傾
斜している薄膜磁性層が形成されており、磁化容易軸と
法線とを含む平面内において印加磁界を印加する方向を
変化させて測定した保磁力の角度依存性が２つの極大値
Ａ、Ｂと２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、膜面内に近い方の
極大値Ａと膜面内に近い方の極小値Ｄとの比Ａ／Ｄが
１．６〜２．４の間にあり、膜面内に近い方の極大値Ａ
が膜面の法線に近い方の極大値Ｂよりも大なる磁気記録
媒体。
で、高いＳ／Ｎを有する磁気テープとその製造方法を提
供する。 【構成】 基板上に磁化容易軸が膜面の法線に対して傾
斜している薄膜磁性層が形成されており、磁化容易軸と
法線とを含む平面内において印加磁界を印加する方向を
変化させて測定した保磁力の角度依存性が２つの極大値
Ａ、Ｂと２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、膜面内に近い方の
極大値Ａと膜面内に近い方の極小値Ｄとの比Ａ／Ｄが
１．６〜２．４の間にあり、膜面内に近い方の極大値Ａ
が膜面の法線に近い方の極大値Ｂよりも大なる磁気記録
媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高いＳ／Ｎの得られる磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づいてい
る。
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づいてい
る。
【０００３】この限界を越えるものとして、薄膜磁性層
から成る薄膜型磁気記録媒体が開発されている。薄膜型
磁気記録媒体は真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ
法等により作製され、優れた短波長記録再生特性を有す
る。薄膜型磁気記録媒体における磁性層としては、Ｃ
ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されて
いる。磁気テープとして実用化する際には、製造法とし
て真空蒸着法が最も適しており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性
層とした蒸着テープが既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープと
して実用化されている。
から成る薄膜型磁気記録媒体が開発されている。薄膜型
磁気記録媒体は真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ
法等により作製され、優れた短波長記録再生特性を有す
る。薄膜型磁気記録媒体における磁性層としては、Ｃ
ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されて
いる。磁気テープとして実用化する際には、製造法とし
て真空蒸着法が最も適しており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性
層とした蒸着テープが既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープと
して実用化されている。
【０００４】蒸着テープ製造方法の一例を、（図２）を
用いて以下に説明する。（図２）は蒸着テープを作製す
るための真空蒸着装置内部の構成の一例である。高分子
基板１は円筒状キャン２に沿って矢印６の向きに走行す
る。蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、高分子基板１
に付着することにより磁性層が形成される。蒸発源８と
しては電子ビーム蒸発源が適しており、この中に蒸発物
質７としてのＣｏ基の合金を充填する。なお、蒸発源と
して電子ビーム蒸発源を用いるのは、Ｃｏ等の高融点金
属を高い蒸発速度で蒸発させるためである。
用いて以下に説明する。（図２）は蒸着テープを作製す
るための真空蒸着装置内部の構成の一例である。高分子
基板１は円筒状キャン２に沿って矢印６の向きに走行す
る。蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、高分子基板１
に付着することにより磁性層が形成される。蒸発源８と
しては電子ビーム蒸発源が適しており、この中に蒸発物
質７としてのＣｏ基の合金を充填する。なお、蒸発源と
して電子ビーム蒸発源を用いるのは、Ｃｏ等の高融点金
属を高い蒸発速度で蒸発させるためである。
【０００５】３Ａ、３Ｂは不要な蒸発原子が基板に付着
するのを防ぐために設けてある遮蔽板である。従来の蒸
着テープ製造の際には、膜形成開始部における蒸発原子
の基板への入射角は膜面の法線に対して90゜が望ましい
と考えられているので、遮蔽板３Ａは用いられていな
い。１０は蒸着時に真空槽内に酸素を導入するための酸
素導入口である。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ
用蒸着テープは、以上の様な方法で製造されている。
４、５はそれぞれ基板１の供給ロールと巻き取りロール
である。
するのを防ぐために設けてある遮蔽板である。従来の蒸
着テープ製造の際には、膜形成開始部における蒸発原子
の基板への入射角は膜面の法線に対して90゜が望ましい
と考えられているので、遮蔽板３Ａは用いられていな
い。１０は蒸着時に真空槽内に酸素を導入するための酸
素導入口である。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ
用蒸着テープは、以上の様な方法で製造されている。
４、５はそれぞれ基板１の供給ロールと巻き取りロール
である。
【０００６】このようにして作製されたＣｏ−Ｏあるい
はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ磁性層は、柱状構造をしており磁化容
易軸が膜面の法線に対して傾斜している。すなわち、磁
化容易軸が膜面内あるいは膜面の法線方向にあるのでは
なく、蒸発原子の基板への入射方向を含む法面内におい
て、法線に対して斜めに傾斜した方向にある。市販のＨ
ｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープは、磁化容易軸がテープの
長手方向を含む法面内において、膜法線から約70゜傾斜
している。ここでテープの長手方向とは、テープの長さ
方向のことであり、（図２）のようにして製造する際に
は、高分子基板の走行方向のことである。
はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ磁性層は、柱状構造をしており磁化容
易軸が膜面の法線に対して傾斜している。すなわち、磁
化容易軸が膜面内あるいは膜面の法線方向にあるのでは
なく、蒸発原子の基板への入射方向を含む法面内におい
て、法線に対して斜めに傾斜した方向にある。市販のＨ
ｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープは、磁化容易軸がテープの
長手方向を含む法面内において、膜法線から約70゜傾斜
している。ここでテープの長手方向とは、テープの長さ
方向のことであり、（図２）のようにして製造する際に
は、高分子基板の走行方向のことである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録再生装
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
Ｓ／Ｎ化、特に短波長領域における高Ｓ／Ｎ化を達成し
なければならない。
置はますます小型大容量化の方向にある。これを実現す
るためには、線記録密度及びトラック密度の向上がなさ
れなければならない。従って、磁気テープにおいては高
Ｓ／Ｎ化、特に短波長領域における高Ｓ／Ｎ化を達成し
なければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記要望を実現
したものであって、基板上に磁化容易軸が膜面の法線に
対して傾斜している薄膜磁性層が形成されており、磁化
容易軸を含む法面内において角度を変化させて測定した
保磁力の角度依存性が２つの極大値及び２つの極小値を
有し、かつ膜面内に近い方の極大値と膜面内に近い方の
極小値との比が1.6から2.4の間にあり、かつ膜面内に近
い方の極大値が膜面の法線に近い方の極大値よりも大な
ることを特徴とする。
したものであって、基板上に磁化容易軸が膜面の法線に
対して傾斜している薄膜磁性層が形成されており、磁化
容易軸を含む法面内において角度を変化させて測定した
保磁力の角度依存性が２つの極大値及び２つの極小値を
有し、かつ膜面内に近い方の極大値と膜面内に近い方の
極小値との比が1.6から2.4の間にあり、かつ膜面内に近
い方の極大値が膜面の法線に近い方の極大値よりも大な
ることを特徴とする。
【０００９】
【作用】磁気記録媒体を本発明の構成にすることによ
り、再生出力の向上及びノイズの低減を達成でき、高い
Ｓ／Ｎが得られる。
り、再生出力の向上及びノイズの低減を達成でき、高い
Ｓ／Ｎが得られる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の磁気記録媒体について説明す
る。まず本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を（図
２）に基づいて説明する。
る。まず本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を（図
２）に基づいて説明する。
【００１１】磁性層を成膜する際には、高分子基板１を
円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向きに走行させ
る。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮蔽板３Ａ、
３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部を通って蒸
発原子９は高分子基板１に付着する。蒸発物質７として
Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ基合金を蒸発源８に充填す
る。成膜中には酸素導入口１０から真空槽内に酸素を導
入する。θi、θfは、それぞれ磁性層の膜形成開始部及
び膜形成終了部における蒸発原子の高分子基板１への入
射角である。本発明の媒体を得るためには、θiは85゜以
下、θfは55゜以上に設定しておくことが望ましい。蒸着
テープを作製する際には、従来はθiを90゜に設定するこ
とが必須であると考えられていたが、本発明の媒体を作
製する際には、θiを90゜にせずに、85゜以下にすること
が重要である。
円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向きに走行させ
る。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮蔽板３Ａ、
３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部を通って蒸
発原子９は高分子基板１に付着する。蒸発物質７として
Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ基合金を蒸発源８に充填す
る。成膜中には酸素導入口１０から真空槽内に酸素を導
入する。θi、θfは、それぞれ磁性層の膜形成開始部及
び膜形成終了部における蒸発原子の高分子基板１への入
射角である。本発明の媒体を得るためには、θiは85゜以
下、θfは55゜以上に設定しておくことが望ましい。蒸着
テープを作製する際には、従来はθiを90゜に設定するこ
とが必須であると考えられていたが、本発明の媒体を作
製する際には、θiを90゜にせずに、85゜以下にすること
が重要である。
【００１２】基本的には以上のような配置にして、酸素
導入量、酸素導入口１０の位置、酸素を供給する位置や
方向、遮蔽板３Ａ、３Ｂと円筒状キャン２との間隔、残
留ガス圧、蒸発源８の位置、蒸発速度等を調整すること
により、膜中の酸素濃度が13原子％以上28原子％以下
で、柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾斜角が、高分子
基板１との界面から磁性層表面までの全領域にわたって
50゜から70゜の範囲内にあり、磁化容易軸が膜面の法線に
対して傾斜している磁性層を形成することができる。こ
こで、高いＳ／Ｎを得るためには、酸素は図２に示すよ
うに、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって供給す
るように構成する必要がある。
導入量、酸素導入口１０の位置、酸素を供給する位置や
方向、遮蔽板３Ａ、３Ｂと円筒状キャン２との間隔、残
留ガス圧、蒸発源８の位置、蒸発速度等を調整すること
により、膜中の酸素濃度が13原子％以上28原子％以下
で、柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾斜角が、高分子
基板１との界面から磁性層表面までの全領域にわたって
50゜から70゜の範囲内にあり、磁化容易軸が膜面の法線に
対して傾斜している磁性層を形成することができる。こ
こで、高いＳ／Ｎを得るためには、酸素は図２に示すよ
うに、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって供給す
るように構成する必要がある。
【００１３】このように、膜中の酸素濃度を13原子％以
上28原子％以下にし、柱状結晶粒の膜面の法線に対する
傾斜角を、高分子基板１との界面から磁性層表面までの
全領域にわたって50゜から70゜の範囲内になるようにしな
いと、磁化容易軸と法線を含む面内において、印加磁界
の角度を変化させて測定した保磁力の角度依存性が２つ
の極大値及び２つの極小値を有し、かつ膜面内に近い方
の極大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6から2.4
の間にあり、かつ膜面内に近い方の極大値が膜面の法線
に近い方の極大値よりも大なる磁性層は得られない。
上28原子％以下にし、柱状結晶粒の膜面の法線に対する
傾斜角を、高分子基板１との界面から磁性層表面までの
全領域にわたって50゜から70゜の範囲内になるようにしな
いと、磁化容易軸と法線を含む面内において、印加磁界
の角度を変化させて測定した保磁力の角度依存性が２つ
の極大値及び２つの極小値を有し、かつ膜面内に近い方
の極大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6から2.4
の間にあり、かつ膜面内に近い方の極大値が膜面の法線
に近い方の極大値よりも大なる磁性層は得られない。
【００１４】なお、本発明の保磁力の角度依存性を有す
る磁性層を得るためには、蒸発物質としてＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、あるいはこれらに添加元素を加えたものでよい
が、酸素を除く元素中のＣｏの割合を85原子％以上に
し、形成された磁性層の飽和磁化を450kA/m以上660kA/m
以下にする必要がある。なお、磁性層中の酸素濃度はラ
ザフォードバックスキャッタリング分析あるいはオージ
ェ電子分光分析により測定できる。また、柱状結晶粒の
傾斜角は、磁性層の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは
透過型電子顕微鏡により観察することで測定できる。
る磁性層を得るためには、蒸発物質としてＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、あるいはこれらに添加元素を加えたものでよい
が、酸素を除く元素中のＣｏの割合を85原子％以上に
し、形成された磁性層の飽和磁化を450kA/m以上660kA/m
以下にする必要がある。なお、磁性層中の酸素濃度はラ
ザフォードバックスキャッタリング分析あるいはオージ
ェ電子分光分析により測定できる。また、柱状結晶粒の
傾斜角は、磁性層の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは
透過型電子顕微鏡により観察することで測定できる。
【００１５】次に、このようにして作製した磁気記録媒
体の保磁力の測定について（図３）を用いて説明する。
体の保磁力の測定について（図３）を用いて説明する。
【００１６】基板１１上に磁性層１２の蒸着された媒体
試料のヒステリシス曲線をＶＳＭ（振動試料型磁力計）
により測定する。ヒステリシス曲線を測定する試料に対
し、（図３）に示すように、膜面に対してθ方向に印加
磁界をかけて、その方向のヒステリシス曲線を測定し、
保磁力を求める。１３は印加磁界方向である。θは-90
゜〜90゜の範囲で変化させて、それぞれのθ方向に対し
て保磁力を求める。なお、ｘ軸は蒸着時の基板走行方向
にとってあり、ｚ軸は膜面の法線方向にとってある。
（図２）のような構成で成膜した場合には、磁化容易軸
は、ｘ軸、ｚ軸を含む面内に存在するので、印加磁界は
この面内で変化させて測定する。すなわち、磁化容易軸
１４と法線を含む平面内で測定する。
試料のヒステリシス曲線をＶＳＭ（振動試料型磁力計）
により測定する。ヒステリシス曲線を測定する試料に対
し、（図３）に示すように、膜面に対してθ方向に印加
磁界をかけて、その方向のヒステリシス曲線を測定し、
保磁力を求める。１３は印加磁界方向である。θは-90
゜〜90゜の範囲で変化させて、それぞれのθ方向に対し
て保磁力を求める。なお、ｘ軸は蒸着時の基板走行方向
にとってあり、ｚ軸は膜面の法線方向にとってある。
（図２）のような構成で成膜した場合には、磁化容易軸
は、ｘ軸、ｚ軸を含む面内に存在するので、印加磁界は
この面内で変化させて測定する。すなわち、磁化容易軸
１４と法線を含む平面内で測定する。
【００１７】このようにして測定した保磁力と印加磁界
方向との関係の一例を（図１）に示す。横軸には膜面か
ら測った印加磁界の方向、この場合印加磁界とｘ軸との
なす角、縦軸はその方向の保磁力である。磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している媒体の保磁力の角度依
存性曲線は、一般に２つの極大値及び２つの極小値を有
する。（図１）において、２つの極大値はＡ、Ｂ、２つ
の極小値はＣ、Ｄで示してある。横軸の0゜が膜面内、
±90゜が膜面の法線方向であるから、Ａが膜面内に近い
方の極大値、Ｂが膜面の法線に近い方の極大値、Ｃが膜
面の法線に近い方の極小値、Ｄが膜面内に近い方の極小
値である。
方向との関係の一例を（図１）に示す。横軸には膜面か
ら測った印加磁界の方向、この場合印加磁界とｘ軸との
なす角、縦軸はその方向の保磁力である。磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している媒体の保磁力の角度依
存性曲線は、一般に２つの極大値及び２つの極小値を有
する。（図１）において、２つの極大値はＡ、Ｂ、２つ
の極小値はＣ、Ｄで示してある。横軸の0゜が膜面内、
±90゜が膜面の法線方向であるから、Ａが膜面内に近い
方の極大値、Ｂが膜面の法線に近い方の極大値、Ｃが膜
面の法線に近い方の極小値、Ｄが膜面内に近い方の極小
値である。
【００１８】本発明者らは遮蔽板の位置、蒸発速度、蒸
発源の位置、基板温度、残留ガス圧、酸素導入方法、酸
素導入量等種々の条件を変えて作製した、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している磁性層の膜構造、保磁
力の角度依存性及び記録再生特性を測定し、これらの関
連を明確にした。その結果、磁性層中の平均の酸素濃度
が13原子％以上28原子％以下で、柱状結晶粒の膜面の法
線に対する傾斜角が、高分子基板１との界面から磁性層
表面までの全領域にわたって50゜から70゜の範囲内にある
場合に、（図１）に示すような保磁力の角度依存性を示
し、このような磁性層が最も高いＳ／Ｎを有することが
明らかになった。すなわち、２つの極大値Ａ、Ｂ、及び
２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、かつこの角度依存性におけ
る膜面内に近い方の極大値Ａと、膜面内に近い方の極小
値Ｄとの比Ａ／Ｄが1.6から2.4の間にあり、かつ膜面内
に近い方の極大値Ａが、膜面の法線に近い方の極大値Ｂ
よりも大なる場合に、最も高いＳ／Ｎが得られた。これ
に対し、上記の条件を満足しない場合にはＳ／Ｎが低下
した。
発源の位置、基板温度、残留ガス圧、酸素導入方法、酸
素導入量等種々の条件を変えて作製した、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している磁性層の膜構造、保磁
力の角度依存性及び記録再生特性を測定し、これらの関
連を明確にした。その結果、磁性層中の平均の酸素濃度
が13原子％以上28原子％以下で、柱状結晶粒の膜面の法
線に対する傾斜角が、高分子基板１との界面から磁性層
表面までの全領域にわたって50゜から70゜の範囲内にある
場合に、（図１）に示すような保磁力の角度依存性を示
し、このような磁性層が最も高いＳ／Ｎを有することが
明らかになった。すなわち、２つの極大値Ａ、Ｂ、及び
２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、かつこの角度依存性におけ
る膜面内に近い方の極大値Ａと、膜面内に近い方の極小
値Ｄとの比Ａ／Ｄが1.6から2.4の間にあり、かつ膜面内
に近い方の極大値Ａが、膜面の法線に近い方の極大値Ｂ
よりも大なる場合に、最も高いＳ／Ｎが得られた。これ
に対し、上記の条件を満足しない場合にはＳ／Ｎが低下
した。
【００１９】例えば、保磁力の極大値Ａと極小値Ｄとの
比Ａ／Ｄが1.6未満の場合には、全帯域にわたって再生
出力が低下してしまう。これは、磁気異方性の分散が大
きいためだと考えられる。また、Ａ／Ｄが2.4を越える
場合には、短波長領域における再生出力が低下し、ノイ
ズが全帯域にわたって上昇する。この原因は、磁化容易
軸方向が膜面内に近づきすぎるために、自己減磁により
短波長領域において、記録磁化量が低下すること、及び
鋸歯状の磁化遷移領域が発生することが考えられる。
比Ａ／Ｄが1.6未満の場合には、全帯域にわたって再生
出力が低下してしまう。これは、磁気異方性の分散が大
きいためだと考えられる。また、Ａ／Ｄが2.4を越える
場合には、短波長領域における再生出力が低下し、ノイ
ズが全帯域にわたって上昇する。この原因は、磁化容易
軸方向が膜面内に近づきすぎるために、自己減磁により
短波長領域において、記録磁化量が低下すること、及び
鋸歯状の磁化遷移領域が発生することが考えられる。
【００２０】膜面内に近い方の極大値Ａが、膜面の法線
に近い方の極大値Ｂよりも小さくなった場合にも出力の
低下がみられる。この原因は明かではないが、磁気異方
性の分散が考えられる。すなわちＢ＞Ａになると、異方
性分散が大きくなってしまうために、再生出力の低下を
まねくものと考えられる。
に近い方の極大値Ｂよりも小さくなった場合にも出力の
低下がみられる。この原因は明かではないが、磁気異方
性の分散が考えられる。すなわちＢ＞Ａになると、異方
性分散が大きくなってしまうために、再生出力の低下を
まねくものと考えられる。
【００２１】本発明の特徴を有する保磁力の角度依存性
を有する磁性層を得るには、上記実施例で説明したよう
な製造方法を採用すればよいが、真空蒸着装置ごとに遮
蔽板の位置、蒸発速度、蒸発源の位置、残留ガス圧、酸
素導入方法、酸素導入量等を変えて実験を行い、これら
を、本発明の保磁力の角度依存性が得られる条件に最適
化する必要がある。なぜならば、よく知られているよう
に、個々の真空蒸着装置ごとに、蒸発原子の密度分布、
真空槽内の残留ガス圧分布、真空ポンプによる排気速度
等が異なっているためである。従って、真空蒸着装置ご
とに、本発明の保磁力の角度依存性が得られるように各
条件を設定する必要がある。ただし、いずれの真空蒸着
装置において作製した磁性層であっても、本発明の磁性
層の角度依存性を有していれば、高いＳ／Ｎが得られ
る。
を有する磁性層を得るには、上記実施例で説明したよう
な製造方法を採用すればよいが、真空蒸着装置ごとに遮
蔽板の位置、蒸発速度、蒸発源の位置、残留ガス圧、酸
素導入方法、酸素導入量等を変えて実験を行い、これら
を、本発明の保磁力の角度依存性が得られる条件に最適
化する必要がある。なぜならば、よく知られているよう
に、個々の真空蒸着装置ごとに、蒸発原子の密度分布、
真空槽内の残留ガス圧分布、真空ポンプによる排気速度
等が異なっているためである。従って、真空蒸着装置ご
とに、本発明の保磁力の角度依存性が得られるように各
条件を設定する必要がある。ただし、いずれの真空蒸着
装置において作製した磁性層であっても、本発明の磁性
層の角度依存性を有していれば、高いＳ／Ｎが得られ
る。
【００２２】また、高分子基板上に直接磁性層を形成せ
ずに、ＣｏＯ等の非磁性層を形成した上に磁性層を形成
すると、本発明の保磁力の角度依存性を有する磁性層が
得られ易い。
ずに、ＣｏＯ等の非磁性層を形成した上に磁性層を形成
すると、本発明の保磁力の角度依存性を有する磁性層が
得られ易い。
【００２３】次に、具体的な実施例について述べる。
（図２）に示す構成で高分子基板１上に膜厚0.1〜0.15
μmのＣｏ−Ｏ膜を形成した。蒸発源８に蒸発物質７と
してのＣｏを充填して、蒸着を行なった。円筒状キャン
２の直径は１mである。高分子基板１としては膜厚7μm
のポリエチレンナフタレートフィルムを用いた。遮蔽板
の位置、蒸発源の位置、基板温度、酸素導入口の位置、
酸素導入口からの酸素の導入量、平均の膜堆積速度等の
条件を変えて種々の磁性層を形成した。
（図２）に示す構成で高分子基板１上に膜厚0.1〜0.15
μmのＣｏ−Ｏ膜を形成した。蒸発源８に蒸発物質７と
してのＣｏを充填して、蒸着を行なった。円筒状キャン
２の直径は１mである。高分子基板１としては膜厚7μm
のポリエチレンナフタレートフィルムを用いた。遮蔽板
の位置、蒸発源の位置、基板温度、酸素導入口の位置、
酸素導入口からの酸素の導入量、平均の膜堆積速度等の
条件を変えて種々の磁性層を形成した。
【００２４】このようにして作製した媒体の保磁力の角
度依存性を測定し、Ａ／Ｄ及びＡ／Ｂを求めた結果を
（表１）に示す。
度依存性を測定し、Ａ／Ｄ及びＡ／Ｂを求めた結果を
（表１）に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】媒体ａ1〜ａ4はＡ／Ｄが１．６から２．４
の範囲内でかつＡ＞Ｂであり、本発明の条件を満足して
いる。媒体ａ1〜ａ4の磁性層中の平均酸素濃度をラザフ
ォードバックスキャッタリング分析により測定すると17
〜22原子％であり、柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾
斜角は、基板との界面から磁性層表面までの全領域にわ
たって、56゜から62゜の範囲内にあることが透過型電子
顕微鏡により確認できた。媒体ｂ、ｃ、ｄ、ｅは比較例
であり、本発明の条件を満たしていない。媒体ｆは市販
のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープであり、Ａ／Ｄ＝1.
4、Ａ＜Ｂとなっており、本発明の条件を満足していな
い。また、媒体ｂ〜ｆの柱状結晶粒の膜面の法線に対す
る傾斜角は、いずれも磁性層表面近傍において50゜未満
になっていた。
の範囲内でかつＡ＞Ｂであり、本発明の条件を満足して
いる。媒体ａ1〜ａ4の磁性層中の平均酸素濃度をラザフ
ォードバックスキャッタリング分析により測定すると17
〜22原子％であり、柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾
斜角は、基板との界面から磁性層表面までの全領域にわ
たって、56゜から62゜の範囲内にあることが透過型電子
顕微鏡により確認できた。媒体ｂ、ｃ、ｄ、ｅは比較例
であり、本発明の条件を満たしていない。媒体ｆは市販
のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープであり、Ａ／Ｄ＝1.
4、Ａ＜Ｂとなっており、本発明の条件を満足していな
い。また、媒体ｂ〜ｆの柱状結晶粒の膜面の法線に対す
る傾斜角は、いずれも磁性層表面近傍において50゜未満
になっていた。
【００２７】なお、本発明の条件を満たす媒体ａ1〜ａ4
は、入射角θiを80°、θfを 60〜70°、基板温度を20
〜100℃、酸素導入口を（図２）に示される位置、酸素
導入量を0.7〜0.9 l/min、平均の膜堆積速度を0.3μm/s
として成膜した。
は、入射角θiを80°、θfを 60〜70°、基板温度を20
〜100℃、酸素導入口を（図２）に示される位置、酸素
導入量を0.7〜0.9 l/min、平均の膜堆積速度を0.3μm/s
として成膜した。
【００２８】また（表１）には、媒体ａ〜ｅをテープ状
にスリットし、センダストから成るギャップ長0.15μm
のリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を行
なった結果、及び媒体ｆを同条件で評価した結果も示し
てある。なお、再生出力は記録波長0.4μmでの値、ノイ
ズは記録波長0.4μmの信号を記録した際の、記録信号の
周波数より1MHz低い周波数における変調ノイズである。
また、再生出力及びノイズは媒体ｆを0ｄＢとして、こ
れに対する相対値で表してある。（表１）から明らかな
ように、本発明の媒体ａ1〜ａ4は、市販のＨｉ８方式Ｖ
ＴＲ用蒸着テープｆに対して、3〜4ｄＢ高い再生出力が
得られている。また、ノイズは約1ｄＢ低いかあるいは
同等であった。また、保磁力の角度依存性が本発明の条
件を満足していない媒体ｂ、c、d、ｅは、本発明の媒体
に比べ再生出力が低く、ノイズは同等あるいは高かっ
た。従って本発明の磁気記録媒体は、従来の蒸着テー
プ、及び保磁力の角度依存性が本発明の条件を満足しな
い媒体に比べて大幅に高いＳ／Ｎを有している。
にスリットし、センダストから成るギャップ長0.15μm
のリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を行
なった結果、及び媒体ｆを同条件で評価した結果も示し
てある。なお、再生出力は記録波長0.4μmでの値、ノイ
ズは記録波長0.4μmの信号を記録した際の、記録信号の
周波数より1MHz低い周波数における変調ノイズである。
また、再生出力及びノイズは媒体ｆを0ｄＢとして、こ
れに対する相対値で表してある。（表１）から明らかな
ように、本発明の媒体ａ1〜ａ4は、市販のＨｉ８方式Ｖ
ＴＲ用蒸着テープｆに対して、3〜4ｄＢ高い再生出力が
得られている。また、ノイズは約1ｄＢ低いかあるいは
同等であった。また、保磁力の角度依存性が本発明の条
件を満足していない媒体ｂ、c、d、ｅは、本発明の媒体
に比べ再生出力が低く、ノイズは同等あるいは高かっ
た。従って本発明の磁気記録媒体は、従来の蒸着テー
プ、及び保磁力の角度依存性が本発明の条件を満足しな
い媒体に比べて大幅に高いＳ／Ｎを有している。
【００２９】なお、Ａ／Ｄ＞2.4かつＡ／Ｂ＜1の媒体
は、本発明者らの実験範囲内では、作製することはでき
なかった。
は、本発明者らの実験範囲内では、作製することはでき
なかった。
【００３０】以上では磁性層の組成として、Ｃｏ−Ｏの
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏや、あるいはこれらに微量の添加元素を加
えた組成であっても、本発明の構成にすることにより、
高いＳ／Ｎが得られる。ただし、本発明の保磁力の角度
依存性を満足するためには、酸素を除く元素中のＣｏの
割合は85原子％以上にすることが必要である。また、基
板については、ポリエチレンナフタレートフィルムにつ
いて説明したが、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエ
ーテルイミドフィルム等の高分子フィルムでも、全く同
様であることは言うまでもない。さらに、入射角θi及
びθf、基板温度、酸素導入量、膜堆積速度等も上記具
体例に限られたものではない。
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏや、あるいはこれらに微量の添加元素を加
えた組成であっても、本発明の構成にすることにより、
高いＳ／Ｎが得られる。ただし、本発明の保磁力の角度
依存性を満足するためには、酸素を除く元素中のＣｏの
割合は85原子％以上にすることが必要である。また、基
板については、ポリエチレンナフタレートフィルムにつ
いて説明したが、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエ
ーテルイミドフィルム等の高分子フィルムでも、全く同
様であることは言うまでもない。さらに、入射角θi及
びθf、基板温度、酸素導入量、膜堆積速度等も上記具
体例に限られたものではない。
【００３１】また、以上では磁性層は１層構造の例を説
明したが、多層構造の磁性層であっても、本発明の構成
にすることにより高いＳ／Ｎが得られる。また以上の実
施例では、高分子基板の上に直接磁性層を形成する例に
ついて説明したが、高分子基板の上に、ＣｏＯ、ＣｏＮ
ｉＯ、Ｔｉ、Ｃｒその他の非磁性下地層を形成し、その
上に磁性層を形成する場合でも、上記と全く同様の結果
が得られ、本発明が有効である。
明したが、多層構造の磁性層であっても、本発明の構成
にすることにより高いＳ／Ｎが得られる。また以上の実
施例では、高分子基板の上に直接磁性層を形成する例に
ついて説明したが、高分子基板の上に、ＣｏＯ、ＣｏＮ
ｉＯ、Ｔｉ、Ｃｒその他の非磁性下地層を形成し、その
上に磁性層を形成する場合でも、上記と全く同様の結果
が得られ、本発明が有効である。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、高いＳ／Ｎを有する磁
気記録媒体を提供できる。
気記録媒体を提供できる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の保磁力の角度依存性の
一例を示す図
一例を示す図
【図２】薄膜テープを製造するための真空蒸着装置内部
の概略を示す図
の概略を示す図
【図３】保磁力の角度依存性について説明するための図
１ 高分子基板 ２ 円筒状キャン ３Ａ、３Ｂ 遮蔽板 ４ 供給ロール ５ 巻き取りロール ６ 基板走行方向 ７ 蒸発物質 ８ 蒸発源 ９ 蒸発原子 １０ 酸素導入口 １１ 基板 １２ 磁性層 １３ 印加磁界方向 １４ 磁化容易軸方向
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】基本的には以上のような配置にして、酸素
導入量、酸素導入口１０の位置、酸素を供給する位置や
方向、遮蔽板３Ａ、３Ｂと円筒状キャン２との間隔、残
留ガス圧、蒸発源８の位置、蒸発速度等を調整すること
により、膜中の酸素濃度が１３原子％以上３５原子％以
下で、柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾斜角が、高分
子基板１との界面から磁性層表面までの全領域にわたっ
て50゜から70゜の範囲内にあり、磁化容易軸が膜面の法線
に対して傾斜している磁性層を形成することができる。
ここで、高いＳ／Ｎを得るためには、酸素は図２に示す
ように、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって供給
するように構成する必要がある。
導入量、酸素導入口１０の位置、酸素を供給する位置や
方向、遮蔽板３Ａ、３Ｂと円筒状キャン２との間隔、残
留ガス圧、蒸発源８の位置、蒸発速度等を調整すること
により、膜中の酸素濃度が１３原子％以上３５原子％以
下で、柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾斜角が、高分
子基板１との界面から磁性層表面までの全領域にわたっ
て50゜から70゜の範囲内にあり、磁化容易軸が膜面の法線
に対して傾斜している磁性層を形成することができる。
ここで、高いＳ／Ｎを得るためには、酸素は図２に示す
ように、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって供給
するように構成する必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】このように、膜中の酸素濃度を１３原子％
以上３５原子％以下にし、柱状結晶粒の膜面の法線に対
する傾斜角を、高分子基板１との界面から磁性層表面ま
での全領域にわたって50゜から70゜の範囲内になるように
しないと、磁化容易軸と法線を含む面内において、印加
磁界の角度を変化させて測定した保磁力の角度依存性が
２つの極大値及び２つの極小値を有し、かつ膜面内に近
い方の極大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6か
ら2.4の間にあり、かつ膜面内に近い方の極大値が膜面
の法線に近い方の極大値よりも大なる磁性層は得られな
い。
以上３５原子％以下にし、柱状結晶粒の膜面の法線に対
する傾斜角を、高分子基板１との界面から磁性層表面ま
での全領域にわたって50゜から70゜の範囲内になるように
しないと、磁化容易軸と法線を含む面内において、印加
磁界の角度を変化させて測定した保磁力の角度依存性が
２つの極大値及び２つの極小値を有し、かつ膜面内に近
い方の極大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6か
ら2.4の間にあり、かつ膜面内に近い方の極大値が膜面
の法線に近い方の極大値よりも大なる磁性層は得られな
い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】なお、本発明の保磁力の角度依存性を有す
る磁性層を得るためには、蒸発物質としてＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、あるいはこれらに添加元素を加えたものでよい
が、酸素を除く元素中のＣｏの割合を85原子％以上に
し、形成された磁性層の飽和磁化を４５０kA/m以上７５
０kA/m以下にする必要がある。なお、磁性層中の酸素濃
度はラザフォードバックスキャッタリング分析あるいは
オージェ電子分光分析により測定できる。また、柱状結
晶粒の傾斜角は、磁性層の破断面を走査型電子顕微鏡あ
るいは透過型電子顕微鏡により観察することで測定でき
る。
る磁性層を得るためには、蒸発物質としてＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、あるいはこれらに添加元素を加えたものでよい
が、酸素を除く元素中のＣｏの割合を85原子％以上に
し、形成された磁性層の飽和磁化を４５０kA/m以上７５
０kA/m以下にする必要がある。なお、磁性層中の酸素濃
度はラザフォードバックスキャッタリング分析あるいは
オージェ電子分光分析により測定できる。また、柱状結
晶粒の傾斜角は、磁性層の破断面を走査型電子顕微鏡あ
るいは透過型電子顕微鏡により観察することで測定でき
る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】本発明者らは遮蔽板の位置、蒸発速度、蒸
発源の位置、基板温度、残留ガス圧、酸素導入方法、酸
素導入量等種々の条件を変えて作製した、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している磁性層の膜構造、保磁
力の角度依存性及び記録再生特性を測定し、これらの関
連を明確にした。その結果、磁性層中の平均の酸素濃度
が１３原子％以上３５原子％以下で、柱状結晶粒の膜面
の法線に対する傾斜角が、高分子基板１との界面から磁
性層表面までの全領域にわたって50゜から70゜の範囲内に
ある場合に、（図１）に示すような保磁力の角度依存性
を示し、このような磁性層が最も高いＳ／Ｎを有するこ
とが明らかになった。すなわち、２つの極大値Ａ、Ｂ、
及び２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、かつこの角度依存性に
おける膜面内に近い方の極大値Ａと、膜面内に近い方の
極小値Ｄとの比Ａ／Ｄが1.6から2.4の間にあり、かつ膜
面内に近い方の極大値Ａが、膜面の法線に近い方の極大
値Ｂよりも大なる場合に、最も高いＳ／Ｎが得られた。
これに対し、上記の条件を満足しない場合にはＳ／Ｎが
低下した。
発源の位置、基板温度、残留ガス圧、酸素導入方法、酸
素導入量等種々の条件を変えて作製した、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している磁性層の膜構造、保磁
力の角度依存性及び記録再生特性を測定し、これらの関
連を明確にした。その結果、磁性層中の平均の酸素濃度
が１３原子％以上３５原子％以下で、柱状結晶粒の膜面
の法線に対する傾斜角が、高分子基板１との界面から磁
性層表面までの全領域にわたって50゜から70゜の範囲内に
ある場合に、（図１）に示すような保磁力の角度依存性
を示し、このような磁性層が最も高いＳ／Ｎを有するこ
とが明らかになった。すなわち、２つの極大値Ａ、Ｂ、
及び２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、かつこの角度依存性に
おける膜面内に近い方の極大値Ａと、膜面内に近い方の
極小値Ｄとの比Ａ／Ｄが1.6から2.4の間にあり、かつ膜
面内に近い方の極大値Ａが、膜面の法線に近い方の極大
値Ｂよりも大なる場合に、最も高いＳ／Ｎが得られた。
これに対し、上記の条件を満足しない場合にはＳ／Ｎが
低下した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】媒体ａ1〜ａ4はＡ／Ｄが１．６から２．４
の範囲内でかつＡ＞Ｂであり、本発明の条件を満足して
いる。媒体ａ1〜ａ4の磁性層中の平均酸素濃度をラザフ
ォードバックスキャッタリング分析により測定すると１
５〜２５原子％であり、柱状結晶粒の膜面の法線に対す
る傾斜角は、基板との界面から磁性層表面までの全領域
にわたって、56゜から62゜の範囲内にあることが透過型
電子顕微鏡により確認できた。媒体ｂ、ｃ、ｄ、ｅは比
較例であり、本発明の条件を満たしていない。媒体ｆは
市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープであり、Ａ／Ｄ＝
1.4、Ａ＜Ｂとなっており、本発明の条件を満足してい
ない。また、媒体ｂ〜ｆの柱状結晶粒の膜面の法線に対
する傾斜角は、いずれも磁性層表面近傍において50゜未
満になっていた。
の範囲内でかつＡ＞Ｂであり、本発明の条件を満足して
いる。媒体ａ1〜ａ4の磁性層中の平均酸素濃度をラザフ
ォードバックスキャッタリング分析により測定すると１
５〜２５原子％であり、柱状結晶粒の膜面の法線に対す
る傾斜角は、基板との界面から磁性層表面までの全領域
にわたって、56゜から62゜の範囲内にあることが透過型
電子顕微鏡により確認できた。媒体ｂ、ｃ、ｄ、ｅは比
較例であり、本発明の条件を満たしていない。媒体ｆは
市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープであり、Ａ／Ｄ＝
1.4、Ａ＜Ｂとなっており、本発明の条件を満足してい
ない。また、媒体ｂ〜ｆの柱状結晶粒の膜面の法線に対
する傾斜角は、いずれも磁性層表面近傍において50゜未
満になっていた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】なお、本発明の条件を満たす媒体ａ1〜ａ4
は、入射角θiを80°、θfを 60〜70°、基板温度を０
〜１００℃、酸素導入口を（図２）に示される位置、酸
素導入量を0.7〜0.9 l/min、平均の膜堆積速度を0.3μm
/sとして成膜した。
は、入射角θiを80°、θfを 60〜70°、基板温度を０
〜１００℃、酸素導入口を（図２）に示される位置、酸
素導入量を0.7〜0.9 l/min、平均の膜堆積速度を0.3μm
/sとして成膜した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】また（表１）には、媒体ａ1 〜ｅをテープ
状にスリットし、センダストから成るギャップ長0.15μ
mのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を
行なった結果、及び媒体ｆを同条件で評価した結果も示
してある。なお、再生出力は記録波長0.4μmでの値、ノ
イズは記録波長0.4μmの信号を記録した際の、記録信号
の周波数より1MHz低い周波数における変調ノイズであ
る。また、再生出力及びノイズは媒体ｆを0ｄＢとし
て、これに対する相対値で表してある。（表１）から明
らかなように、本発明の媒体ａ1〜ａ4は、市販のＨｉ８
方式ＶＴＲ用蒸着テープｆに対して、3〜4ｄＢ高い再生
出力が得られている。また、ノイズは約1ｄＢ低いかあ
るいは同等であった。また、保磁力の角度依存性が本発
明の条件を満足していない媒体ｂ、c、d、ｅは、本発明
の媒体に比べ再生出力が低く、ノイズは同等あるいは高
かった。従って本発明の磁気記録媒体は、従来の蒸着テ
ープ、及び保磁力の角度依存性が本発明の条件を満足し
ない媒体に比べて大幅に高いＳ／Ｎを有している。 ─────────────────────────────────────────────────────
状にスリットし、センダストから成るギャップ長0.15μ
mのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を
行なった結果、及び媒体ｆを同条件で評価した結果も示
してある。なお、再生出力は記録波長0.4μmでの値、ノ
イズは記録波長0.4μmの信号を記録した際の、記録信号
の周波数より1MHz低い周波数における変調ノイズであ
る。また、再生出力及びノイズは媒体ｆを0ｄＢとし
て、これに対する相対値で表してある。（表１）から明
らかなように、本発明の媒体ａ1〜ａ4は、市販のＨｉ８
方式ＶＴＲ用蒸着テープｆに対して、3〜4ｄＢ高い再生
出力が得られている。また、ノイズは約1ｄＢ低いかあ
るいは同等であった。また、保磁力の角度依存性が本発
明の条件を満足していない媒体ｂ、c、d、ｅは、本発明
の媒体に比べ再生出力が低く、ノイズは同等あるいは高
かった。従って本発明の磁気記録媒体は、従来の蒸着テ
ープ、及び保磁力の角度依存性が本発明の条件を満足し
ない媒体に比べて大幅に高いＳ／Ｎを有している。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年５月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】３Ａ、３Ｂは不要な蒸発原子が基板に付着
するのを防ぐために設けてある遮蔽板である。１０は蒸
着時に真空槽内に酸素を導入するための酸素導入口であ
る。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープ
は、以上の様な方法で製造されている。４、５はそれぞ
れ基板１の供給ロールと巻き取りロールである。
するのを防ぐために設けてある遮蔽板である。１０は蒸
着時に真空槽内に酸素を導入するための酸素導入口であ
る。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープ
は、以上の様な方法で製造されている。４、５はそれぞ
れ基板１の供給ロールと巻き取りロールである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】磁性層を成膜する際には、高分子基板１を
円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向きに走行させ
る。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮蔽板３Ａ、
３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部を通って蒸
発原子９は高分子基板１に付着する。蒸発物質７として
Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ基合金を蒸発源８に充填す
る。成膜中には酸素導入口１０から真空槽内に酸素を導
入する。θi、θfは、それぞれ磁性層の膜形成開始部及
び膜形成終了部における蒸発原子の高分子基板１への入
射角である。本発明の媒体を得るためには、θiは85゜以
下、θfは55゜以上に設定しておくことが望ましい。
円筒状キャン２の表面に沿って矢印６の向きに走行させ
る。蒸発源８と円筒状キャン２との間には遮蔽板３Ａ、
３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開口部を通って蒸
発原子９は高分子基板１に付着する。蒸発物質７として
Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ等のＣｏ基合金を蒸発源８に充填す
る。成膜中には酸素導入口１０から真空槽内に酸素を導
入する。θi、θfは、それぞれ磁性層の膜形成開始部及
び膜形成終了部における蒸発原子の高分子基板１への入
射角である。本発明の媒体を得るためには、θiは85゜以
下、θfは55゜以上に設定しておくことが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】基本的には以上のような配置にして、酸素
導入量、酸素導入口１０の位置、酸素を供給する方向、
遮蔽板３Ａ、３Ｂと円筒状キャン２との間隔、残留ガス
圧、蒸発源８の位置、蒸発速度等を調整することによ
り、膜中の酸素濃度が６原子％以上３５原子％以下で、
柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾斜角が、高分子基板
１との界面から磁性層表面までの全領域にわたって50゜
から70゜の範囲内にあり、磁化容易軸が膜面の法線に対
して傾斜している磁性層を形成することができる。ここ
で、高いＳ／Ｎを得るためには、酸素は図２に示すよう
に、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって供給する
ように構成する必要がある。
導入量、酸素導入口１０の位置、酸素を供給する方向、
遮蔽板３Ａ、３Ｂと円筒状キャン２との間隔、残留ガス
圧、蒸発源８の位置、蒸発速度等を調整することによ
り、膜中の酸素濃度が６原子％以上３５原子％以下で、
柱状結晶粒の膜面の法線に対する傾斜角が、高分子基板
１との界面から磁性層表面までの全領域にわたって50゜
から70゜の範囲内にあり、磁化容易軸が膜面の法線に対
して傾斜している磁性層を形成することができる。ここ
で、高いＳ／Ｎを得るためには、酸素は図２に示すよう
に、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって供給する
ように構成する必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】このように、膜中の酸素濃度を６原子％以
上３５原子％以下にし、柱状結晶粒の膜面の法線に対す
る傾斜角を、高分子基板１との界面から磁性層表面まで
の全領域にわたって50゜から70゜の範囲内になるようにし
ないと、磁化容易軸と法線を含む面内において、印加磁
界の角度を変化させて測定した保磁力の角度依存性が２
つの極大値及び２つの極小値を有し、かつ膜面内に近い
方の極大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6から
2.4の間にあり、かつ膜面内に近い方の極大値が膜面の
法線に近い方の極大値よりも大なる磁性層は得られな
い。
上３５原子％以下にし、柱状結晶粒の膜面の法線に対す
る傾斜角を、高分子基板１との界面から磁性層表面まで
の全領域にわたって50゜から70゜の範囲内になるようにし
ないと、磁化容易軸と法線を含む面内において、印加磁
界の角度を変化させて測定した保磁力の角度依存性が２
つの極大値及び２つの極小値を有し、かつ膜面内に近い
方の極大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6から
2.4の間にあり、かつ膜面内に近い方の極大値が膜面の
法線に近い方の極大値よりも大なる磁性層は得られな
い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】なお、本発明の保磁力の角度依存性を有す
る磁性層を得るためには、蒸発物質としてＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、あるいはこれらに添加元素を加えたものでよい
が、酸素を除く元素中のＣｏの割合を85原子％以上に
し、形成された磁性層の飽和磁化を450kA/m以上850kA/m
以下にする必要がある。なお、磁性層中の酸素濃度はラ
ザフォードバックスキャッタリング分析あるいはオージ
ェ電子分光分析により測定できる。また、柱状結晶粒の
傾斜角は、磁性層の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは
透過型電子顕微鏡により観察することで測定できる。
る磁性層を得るためには、蒸発物質としてＣｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、あるいはこれらに添加元素を加えたものでよい
が、酸素を除く元素中のＣｏの割合を85原子％以上に
し、形成された磁性層の飽和磁化を450kA/m以上850kA/m
以下にする必要がある。なお、磁性層中の酸素濃度はラ
ザフォードバックスキャッタリング分析あるいはオージ
ェ電子分光分析により測定できる。また、柱状結晶粒の
傾斜角は、磁性層の破断面を走査型電子顕微鏡あるいは
透過型電子顕微鏡により観察することで測定できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】このようにして測定した保磁力と印加磁界
方向との関係の一例を（図１）に示す。横軸には膜面か
ら測った印加磁界の方向、この場合印加磁界とｘ軸との
なす角、縦軸はその方向の保磁力である。磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している媒体の保磁力の角度依
存性曲線は、一般に２つの極大値及び２つの極小値を有
する。（図１）において、２つの極大値はＡ、Ｂ、２つ
の極小値はＣ、Ｄで示してある。横軸の0゜が膜面内、
±90゜が膜面の法線であるから、Ａが膜面内に近い方の
極大値、Ｂが膜面の法線に近い方の極大値、Ｃが膜面の
法線に近い方の極小値、Ｄが膜面内に近い方の極小値で
ある。
方向との関係の一例を（図１）に示す。横軸には膜面か
ら測った印加磁界の方向、この場合印加磁界とｘ軸との
なす角、縦軸はその方向の保磁力である。磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している媒体の保磁力の角度依
存性曲線は、一般に２つの極大値及び２つの極小値を有
する。（図１）において、２つの極大値はＡ、Ｂ、２つ
の極小値はＣ、Ｄで示してある。横軸の0゜が膜面内、
±90゜が膜面の法線であるから、Ａが膜面内に近い方の
極大値、Ｂが膜面の法線に近い方の極大値、Ｃが膜面の
法線に近い方の極小値、Ｄが膜面内に近い方の極小値で
ある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】本発明者らは遮蔽板の位置、蒸発速度、蒸
発源の位置、基板温度、残留ガス圧、酸素導入方法、酸
素導入量等種々の条件を変えて作製した、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している磁性層の膜構造、保磁
力の角度依存性及び記録再生特性を測定し、これらの関
連を明確にした。その結果、磁性層中の平均の酸素濃度
が６原子％以上３５原子％以下で、柱状結晶粒の膜面の
法線に対する傾斜角が、高分子基板１との界面から磁性
層表面までの全領域にわたって50゜から70゜の範囲内にあ
る場合に、（図１）に示すような保磁力の角度依存性を
示し、このような磁性層が最も高いＳ／Ｎを有すること
が明らかになった。すなわち、２つの極大値Ａ、Ｂ、及
び２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、かつこの角度依存性にお
ける膜面内に近い方の極大値Ａと、膜面内に近い方の極
小値Ｄとの比Ａ／Ｄが1.6から2.4の間にあり、かつ膜面
内に近い方の極大値Ａが、膜面の法線に近い方の極大値
Ｂよりも大なる場合に、最も高いＳ／Ｎが得られた。こ
れに対し、上記の条件を満足しない場合にはＳ／Ｎが低
下した。
発源の位置、基板温度、残留ガス圧、酸素導入方法、酸
素導入量等種々の条件を変えて作製した、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している磁性層の膜構造、保磁
力の角度依存性及び記録再生特性を測定し、これらの関
連を明確にした。その結果、磁性層中の平均の酸素濃度
が６原子％以上３５原子％以下で、柱状結晶粒の膜面の
法線に対する傾斜角が、高分子基板１との界面から磁性
層表面までの全領域にわたって50゜から70゜の範囲内にあ
る場合に、（図１）に示すような保磁力の角度依存性を
示し、このような磁性層が最も高いＳ／Ｎを有すること
が明らかになった。すなわち、２つの極大値Ａ、Ｂ、及
び２つの極小値Ｃ、Ｄを有し、かつこの角度依存性にお
ける膜面内に近い方の極大値Ａと、膜面内に近い方の極
小値Ｄとの比Ａ／Ｄが1.6から2.4の間にあり、かつ膜面
内に近い方の極大値Ａが、膜面の法線に近い方の極大値
Ｂよりも大なる場合に、最も高いＳ／Ｎが得られた。こ
れに対し、上記の条件を満足しない場合にはＳ／Ｎが低
下した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】以上では磁性層の組成として、Ｃｏ−Ｏの
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏや、あるいはこれらに微量の添加元素を加
えた組成であっても、本発明の構成にすることにより、
高いＳ／Ｎが得られる。ただし、本発明の保磁力の角度
依存性を満足するためには、酸素を除く元素中のＣｏの
割合は85原子％以上にすることが必要である。また、基
板については、ポリエチレンナフタレートフィルムにつ
いて説明したが、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエ
ーテルイミドフィルム等の高分子フィルムでも、全く同
様であることは言うまでもない。さらに、入射角θi及
びθf、基板温度、酸素導入量、膜堆積速度、磁性層膜
厚、基板膜厚等も上記具体例に限られたものではない。
例について説明したが、これに限ったものではなく、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｏや、あるいはこれらに微量の添加元素を加
えた組成であっても、本発明の構成にすることにより、
高いＳ／Ｎが得られる。ただし、本発明の保磁力の角度
依存性を満足するためには、酸素を除く元素中のＣｏの
割合は85原子％以上にすることが必要である。また、基
板については、ポリエチレンナフタレートフィルムにつ
いて説明したが、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエ
ーテルイミドフィルム等の高分子フィルムでも、全く同
様であることは言うまでもない。さらに、入射角θi及
びθf、基板温度、酸素導入量、膜堆積速度、磁性層膜
厚、基板膜厚等も上記具体例に限られたものではない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴 泰明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に磁化容易軸が膜面の法線に対して
傾斜している薄膜磁性層が形成されており、磁化容易軸
と法線とを含む面内において、印加磁界の方向を膜面か
ら±９０度変化させて測定した保磁力の角度依存性が２
つの極大値と２つの極小値を有し、膜面内に近い方の極
大値と膜面内に近い方の極小値との比が1.6から2.4の範
囲にあり、膜面内に近い方の極大値が法線に近い方の極
大値よりも大なることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】基板上に磁化容易軸が膜面の法線に対して
傾斜しているＣｏ基の薄膜磁性層が形成されており、前
記磁性層は柱状構造を有し、平均の酸素濃度が１３〜２
８原子％の範囲にあり、前記柱状構造を構成する柱状結
晶粒の法線に対する傾斜角が、前記基板との界面から磁
性層表面までの全領域にわたって、５０゜〜７０゜の範
囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】真空蒸着法により円筒状キャンに沿って走
行しつつある基板上に、膜形成開始部における蒸発原子
の基板への入射角を基板法線に対して85゜以下とし、膜
形成終了部における蒸発原子の基板への入射角を55゜以
上とし、膜形成終了部近傍から蒸発原子に向かって酸素
を供給し、膜中の平均の酸素濃度が１３〜２８原子％の
範囲にあるＣｏ基の磁性層を形成することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331511A JPH06111272A (ja) | 1992-08-14 | 1992-12-11 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US08/103,759 US5427869A (en) | 1992-08-14 | 1993-08-10 | Magnetic recording medium and method for producing the same |
| EP93112837A EP0583722B1 (en) | 1992-08-14 | 1993-08-11 | Magnetic recording medium |
| DE69325214T DE69325214T2 (de) | 1992-08-14 | 1993-08-11 | Magnetischer Aufzeichnungsträger |
| KR1019930015652A KR0162915B1 (ko) | 1992-08-14 | 1993-08-13 | 자기기록매체 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21675792 | 1992-08-14 | ||
| JP4-216757 | 1992-08-14 | ||
| JP4331511A JPH06111272A (ja) | 1992-08-14 | 1992-12-11 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111272A true JPH06111272A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=26521610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4331511A Pending JPH06111272A (ja) | 1992-08-14 | 1992-12-11 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5427869A (ja) |
| EP (1) | EP0583722B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06111272A (ja) |
| KR (1) | KR0162915B1 (ja) |
| DE (1) | DE69325214T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798176A (en) * | 1993-09-13 | 1998-08-25 | Kao Corporation | Magnetic recording medium |
| US6428848B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-08-06 | Toray Industries, Inc. | Method for producing a metal evaporated article |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58133625A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS60201521A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-12 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| US4769282A (en) * | 1985-06-21 | 1988-09-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPH03242818A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2623160B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1997-06-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH04147418A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4331511A patent/JPH06111272A/ja active Pending
-
1993
- 1993-08-10 US US08/103,759 patent/US5427869A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-11 EP EP93112837A patent/EP0583722B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-11 DE DE69325214T patent/DE69325214T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-13 KR KR1019930015652A patent/KR0162915B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0162915B1 (ko) | 1999-01-15 |
| US5427869A (en) | 1995-06-27 |
| DE69325214T2 (de) | 2000-02-24 |
| DE69325214D1 (de) | 1999-07-15 |
| EP0583722A1 (en) | 1994-02-23 |
| EP0583722B1 (en) | 1999-06-09 |
| KR940004543A (ko) | 1994-03-15 |
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