JPS58133625A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS58133625A JPS58133625A JP1681182A JP1681182A JPS58133625A JP S58133625 A JPS58133625 A JP S58133625A JP 1681182 A JP1681182 A JP 1681182A JP 1681182 A JP1681182 A JP 1681182A JP S58133625 A JPS58133625 A JP S58133625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor
- source
- substrate
- magnetic
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性金属薄膜を磁性層とし短波長記録に適す
る磁気記録媒体に関し、簡単な構造にしてより効率の良
い記録・再生が行えるようにすることを目的とする。
る磁気記録媒体に関し、簡単な構造にしてより効率の良
い記録・再生が行えるようにすることを目的とする。
従来、広帯域の信号処理を必要とするビデオ用のテープ
は、短波長化と狭トラツク化による記録密度の向上が目
ざましく、表面の平滑化と、飽和磁束密度の大きい磁性
材料を用いて、磁性層を薄くする方向で改良が進められ
てきた。
は、短波長化と狭トラツク化による記録密度の向上が目
ざましく、表面の平滑化と、飽和磁束密度の大きい磁性
材料を用いて、磁性層を薄くする方向で改良が進められ
てきた。
近年、蒸着によりバインダを持たない、金属薄膜形の磁
気テープが開発され、よ゛り高密度記録が可能になった
。
気テープが開発され、よ゛り高密度記録が可能になった
。
しかし、短波長記録を更に進めていくと、反磁界が大き
くなり、例え金属薄膜形であっても波長０・６μ論の記
録・再生は困難になるといわれ、それ以上の高密度記録
には、 ０ｏＯｒ等の垂直磁化膜が適しているとの意見
が一般的である。
くなり、例え金属薄膜形であっても波長０・６μ論の記
録・再生は困難になるといわれ、それ以上の高密度記録
には、 ０ｏＯｒ等の垂直磁化膜が適しているとの意見
が一般的である。
本発明は、室内記録方式にあっても波長０．５μ論以下
の記録を可能にする媒体を提供するものである。以下に
図面を用い本発明の説明を行う。
の記録を可能にする媒体を提供するものである。以下に
図面を用い本発明の説明を行う。
゛本発明による磁気記録媒体を第１図に示す。図に示す
ようにポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリプロピレン等の高分子成形□物、ｙルミ＋
ステンレス等の金属から選ばれた基板１の上に、Ｃ
ｏ 、 Ｃｏ−Ｎｉ 、 Ｇｏ−Ｗ 、 Ｇｏ−Ｃｒ
ｔＣｏ−Ｎｉ−Ｏｒ 、 Ｇｏ−Ｖ ＊ （３ｏ−Ｒｅ
、 Ｇｏ−Ｆｅ 、等の強磁性金属（部分酸化したも
のも含まれる。）薄膜から成る磁性層２を配して構成さ
れる。
ようにポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリプロピレン等の高分子成形□物、ｙルミ＋
ステンレス等の金属から選ばれた基板１の上に、Ｃ
ｏ 、 Ｃｏ−Ｎｉ 、 Ｇｏ−Ｗ 、 Ｇｏ−Ｃｒ
ｔＣｏ−Ｎｉ−Ｏｒ 、 Ｇｏ−Ｖ ＊ （３ｏ−Ｒｅ
、 Ｇｏ−Ｆｅ 、等の強磁性金属（部分酸化したも
のも含まれる。）薄膜から成る磁性層２を配して構成さ
れる。
なお基板１と磁性層２の間に、非磁性下地層を設けてい
る場合もあるが、ここでは最も簡単な構成について述べ
る。
る場合もあるが、ここでは最も簡単な構成について述べ
る。
第２図には、磁性層の表面から基板側までの深さ方向に
対して、飽和磁束密度Ｂｓが一定の場合（タイ７”Ｃ）
と傾斜を有する場合（タイプム、 Ｂ）を示した。製
法との関係にもよるが、内部のＢｓｓが大きい場合と小
さい場合でタイプ分けしである。
対して、飽和磁束密度Ｂｓが一定の場合（タイ７”Ｃ）
と傾斜を有する場合（タイプム、 Ｂ）を示した。製
法との関係にもよるが、内部のＢｓｓが大きい場合と小
さい場合でタイプ分けしである。
第２図はモデル化して示してあり、実際の媒体は表面か
ら１０１〜１００′ｉぐらいの深さまでの部分で、Ｂｓ
が極めて小さいため（例えば酸化膜の存在によって。）
、第３図に示すような場合もある。
ら１０１〜１００′ｉぐらいの深さまでの部分で、Ｂｓ
が極めて小さいため（例えば酸化膜の存在によって。）
、第３図に示すような場合もある。
第３図のような場合もここではタイプムに属するものと
し、規格化に用いるＢＳの表面近傍の値は、このような
場合も広義に含めて考えていく。
し、規格化に用いるＢＳの表面近傍の値は、このような
場合も広義に含めて考えていく。
タイプＣは、従来の塗布形が、これに属しているし、金
属薄膜形も、はとんどこれに近い深゛さ分布を有してい
る。
属薄膜形も、はとんどこれに近い深゛さ分布を有してい
る。
いわゆる斜め蒸着膜、あるいはＣｏ −Ｐ 、 Ｇｏ−
Ｎｉ−Ｐ等の無電解めっき膜はこれに属する。
Ｎｉ−Ｐ等の無電解めっき膜はこれに属する。
これらと全フラックス量を合致させて、同一の抗磁力の
タイプムの膜を得るよう実験をくり返した０ 磁気記録媒体の製造に用いた装置を第６図に示す。なお
第６図は一例を示したものであり、これにこだわらず例
えば、スパッタ法によりＢｓの異なる（合金系で、稀釈
側の材料の含有量を変えた）ターゲットで連続して成膜
することでも同じ目的のものを得られることはいうまで
もない。
タイプムの膜を得るよう実験をくり返した０ 磁気記録媒体の製造に用いた装置を第６図に示す。なお
第６図は一例を示したものであり、これにこだわらず例
えば、スパッタ法によりＢｓの異なる（合金系で、稀釈
側の材料の含有量を変えた）ターゲットで連続して成膜
することでも同じ目的のものを得られることはいうまで
もない。
第６図に示すように高分子基板３を回転ローラ４の周側
面に沿って移動させ、送り出し軸６より巻取り軸６へ至
る間に、ローラ４に沿った状態で、第１．第２．の蒸発
源７，８からの蒸気流で蒸着を行う。９はマスクで、特
性、特に抗磁力の制御に用いらｎる。１０は酸素導入ノ
ズルを模式的に示しである。第１蒸発源７はＣｏを用い
、第２蒸発源８にＢＪＩ ｆ下げる材料を用いる。第１
蒸発源７の真上近くにおいてＣｏが一番早い速度で蒸着
され、第２蒸発源８も真上近くが、一番早い速度になる
ような蒸着速度分布を有している。
面に沿って移動させ、送り出し軸６より巻取り軸６へ至
る間に、ローラ４に沿った状態で、第１．第２．の蒸発
源７，８からの蒸気流で蒸着を行う。９はマスクで、特
性、特に抗磁力の制御に用いらｎる。１０は酸素導入ノ
ズルを模式的に示しである。第１蒸発源７はＣｏを用い
、第２蒸発源８にＢＪＩ ｆ下げる材料を用いる。第１
蒸発源７の真上近くにおいてＣｏが一番早い速度で蒸着
され、第２蒸発源８も真上近くが、一番早い速度になる
ような蒸着速度分布を有している。
この両者を位置関係を相互に制御して、タイプムを製造
するのは困難ではない。
するのは困難ではない。
しかし、抗磁力を合致させて比較するための試料を作る
には多少の条件検討を必要とする。
には多少の条件検討を必要とする。
先ず（ロ）転ローラ４の径ヲ７０ＣＩ１１とし、回転ロ
ーラ４の回転軸の中心を０とし、極座標（θ、γ）表示
して蒸発源、ノズルの位置関係を下に示す。
ーラ４の回転軸の中心を０とし、極座標（θ、γ）表示
して蒸発源、ノズルの位置関係を下に示す。
マスクの先端：（９°ｔ ２０” ）
第１ｆｆｉ発源７： （７’ 、 ｒｃｆｆｌｌ）ｍ
第２蒸発源８：（１９°、７３ ）
酸素ノズル先端：（６９°、６８°ｆｆ１）この系にお
いて、第１蒸発源７にＣｏ、第２蒸発源８にＭｎ ２そ
ｎぞれ用い、電子ビーム加熱にてそｎぞｎ蒸発させ、 Ｂｓ ｘδ （δは膜厚である）１０００Ｇ−μ論に統
一して、抗磁力、７００ ＝ ８００− ９００ｅ
１０００（０・〕の磁性層をポリエチレンテレフタレー
トフィルム（厚さ１２μｌ１１）上に形成した。
いて、第１蒸発源７にＣｏ、第２蒸発源８にＭｎ ２そ
ｎぞれ用い、電子ビーム加熱にてそｎぞｎ蒸発させ、 Ｂｓ ｘδ （δは膜厚である）１０００Ｇ−μ論に統
一して、抗磁力、７００ ＝ ８００− ９００ｅ
１０００（０・〕の磁性層をポリエチレンテレフタレー
トフィルム（厚さ１２μｌ１１）上に形成した。
第４図ｎｅｏ−Ｍｎ膜で抗磁力１０００（０６）（７）
分を表面よりエツチングしていって、Ｂｓｉ規格化（表
面近クヲト０とした）して、深さ方向の分布を測定した
結果を示す。
分を表面よりエツチングしていって、Ｂｓｉ規格化（表
面近クヲト０とした）して、深さ方向の分布を測定した
結果を示す。
第３図は、酸素ノズルより０３８７１／ｌ１ｉｎ （１
ｋｇ／ａｌＰ−Ｇ）の速度で酸素を導入しながら、第１
蒸発源７でＧｏ、第２蒸発源８でＮｉをそれぞれ蒸発さ
せて得たＢ８×δ＝１０００Ｇ−μ１１抗磁力１０００
（０・〕の磁性膜におけるＢｓの深さ方向の分布・を示
す。この磁性膜もタイプムに分類さｎるＯ 第６図に示すように、表面近くの部分でのＢｓをＢｏと
し、深部（これは基板に近い位置になるが、基板に接す
る部位とは限らない〔第３図参照〕）のＢｓ１Ｂ１とす
るとき、Ｂｏ／Ｂｔの比が１である場合（即ちタイプＣ
）、１以下の場合（タイプＢ）、１以上の場合（タイグ
ム）で、短波長出力に開きがでてくるのである。
ｋｇ／ａｌＰ−Ｇ）の速度で酸素を導入しながら、第１
蒸発源７でＧｏ、第２蒸発源８でＮｉをそれぞれ蒸発さ
せて得たＢ８×δ＝１０００Ｇ−μ１１抗磁力１０００
（０・〕の磁性膜におけるＢｓの深さ方向の分布・を示
す。この磁性膜もタイプムに分類さｎるＯ 第６図に示すように、表面近くの部分でのＢｓをＢｏと
し、深部（これは基板に近い位置になるが、基板に接す
る部位とは限らない〔第３図参照〕）のＢｓ１Ｂ１とす
るとき、Ｂｏ／Ｂｔの比が１である場合（即ちタイプＣ
）、１以下の場合（タイプＢ）、１以上の場合（タイグ
ム）で、短波長出力に開きがでてくるのである。
これは、抗磁力とＢｓ５ｘδ（厳密にはＢｒｘδ、 Ｂ
ｒＦｉＢｇに角形比を乗じたもの。）を同一にした者同
志の比較で、Ｂｓ×δ＝１０００Ｇ・μｌ、抗磁力１０
００（Ｏｓ ）の磁性膜を用いて、配録波長０．９μＩ
ＩＩ Ｉ Ｏ，５μｍについて比較したものである。
ｒＦｉＢｇに角形比を乗じたもの。）を同一にした者同
志の比較で、Ｂｓ×δ＝１０００Ｇ・μｌ、抗磁力１０
００（Ｏｓ ）の磁性膜を用いて、配録波長０．９μＩ
ＩＩ Ｉ Ｏ，５μｍについて比較したものである。
相対出力ＦｉＢ ｏ ／Ｂ １＝ １の時の出力Ｑ１．
０とした相対値である。
０とした相対値である。
稀釈剤（Ｂｓｉ下げるためのもの）としてはＭｎ 、
Ｎｉの他にＴｚ、 ８ｉ、 （４＊Ｒｅ 、 Ｗ ｔ
Ｍｏ、にライて検討を加えた。この結果いずれの場合も
タイプムの優位性が確認さｎた。タイプムについて、Ｂ
ｏ／Ｂ １の値が犬きくなｎば、良いかどうかは明ら
かではないが、２・２５の範囲までは相対出力は単調増
加していた。
Ｎｉの他にＴｚ、 ８ｉ、 （４＊Ｒｅ 、 Ｗ ｔ
Ｍｏ、にライて検討を加えた。この結果いずれの場合も
タイプムの優位性が確認さｎた。タイプムについて、Ｂ
ｏ／Ｂ １の値が犬きくなｎば、良いかどうかは明ら
かではないが、２・２５の範囲までは相対出力は単調増
加していた。
製造のし易さにもよるが、実質的にＢ Ｏ，／Ｂ １）
５の範囲になると、Ｂｓｘδを同一にするためのδが大
きくなることからくる損失が増すので、Ｂｏ／Ｂ＋は高
々３１でぐらいの間で作り易さとバランスをとれば良い
。
５の範囲になると、Ｂｓｘδを同一にするためのδが大
きくなることからくる損失が増すので、Ｂｏ／Ｂ＋は高
々３１でぐらいの間で作り易さとバランスをとれば良い
。
以上に説明したことから明らかなように本発明により、
金属薄膜形磁気記録媒体における短波長記録の特長をよ
りいっそう発揮させることができ、本発明の工業的価値
は犬である。
金属薄膜形磁気記録媒体における短波長記録の特長をよ
りいっそう発揮させることができ、本発明の工業的価値
は犬である。
第１図は本発明による磁気記録媒体の断面図、第２図は
磁性薄膜の深さ方向における飽和磁束密度Ｂｇの各種タ
イプの分布を示す図、第３図、第４図はそれぞれ本発明
による磁気記録媒体の磁性薄膜の深さ方向における飽和
磁束密度Ｂｓの分布を示す図、第６図は磁性薄膜の表面
部と深部との飽和磁束密度の比と相対出力との関係を示
す図、第６図は本発明による磁気記録媒体を得るのに用
いた製造装置の要部を示す図である。 １．３・・・・・・基板、２・・・・・・磁性層、４・
・・・・・回転ローラ、７，８・・・・・・蒸発源、９
・・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 ハ 、ｆ″０峡 １１
磁性薄膜の深さ方向における飽和磁束密度Ｂｇの各種タ
イプの分布を示す図、第３図、第４図はそれぞれ本発明
による磁気記録媒体の磁性薄膜の深さ方向における飽和
磁束密度Ｂｓの分布を示す図、第６図は磁性薄膜の表面
部と深部との飽和磁束密度の比と相対出力との関係を示
す図、第６図は本発明による磁気記録媒体を得るのに用
いた製造装置の要部を示す図である。 １．３・・・・・・基板、２・・・・・・磁性層、４・
・・・・・回転ローラ、７，８・・・・・・蒸発源、９
・・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第４図 ハ 、ｆ″０峡 １１
Claims (1)
- 基板上に金属強磁性薄膜を有し、かつ上記薄膜の厚み方
向において上記薄膜の表面近傍に最大値が存在する如く
に飽和磁束密度が分布していることを特徴とする磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1681182A JPS58133625A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1681182A JPS58133625A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133625A true JPS58133625A (ja) | 1983-08-09 |
| JPH0328733B2 JPH0328733B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=11926536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1681182A Granted JPS58133625A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427869A (en) * | 1992-08-14 | 1995-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020116Y2 (ja) * | 1980-06-27 | 1985-06-17 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 自動現像装置 |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1681182A patent/JPS58133625A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427869A (en) * | 1992-08-14 | 1995-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328733B2 (ja) | 1991-04-22 |
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