JPH0328733B2 - - Google Patents
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- JPH0328733B2 JPH0328733B2 JP1681182A JP1681182A JPH0328733B2 JP H0328733 B2 JPH0328733 B2 JP H0328733B2 JP 1681182 A JP1681182 A JP 1681182A JP 1681182 A JP1681182 A JP 1681182A JP H0328733 B2 JPH0328733 B2 JP H0328733B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性金属薄膜を磁性層とし短波長記
録に適する磁気記録媒体に関し、簡単な構造にし
てより効率の良い記録・再生が行えるようにする
ことを目的とする。
録に適する磁気記録媒体に関し、簡単な構造にし
てより効率の良い記録・再生が行えるようにする
ことを目的とする。
従来、広帯域の信号処理を必要とするビデオ用
のテープは、短波長化と狭トラツク化による記録
密度の向上が目ざましく、表面の平滑化と、飽和
磁束密度の大きい磁性材料を用いて、磁性層を薄
くする方向で改良が進められてきた。
のテープは、短波長化と狭トラツク化による記録
密度の向上が目ざましく、表面の平滑化と、飽和
磁束密度の大きい磁性材料を用いて、磁性層を薄
くする方向で改良が進められてきた。
近年、蒸着によりバインダを持たない、金属薄
膜形の磁気テープが開発され、より高密度記録が
可能になつた。
膜形の磁気テープが開発され、より高密度記録が
可能になつた。
しかし、短波長記録を更に進めていくと、反磁
界が大きくなり、例え金属薄膜形であつても波長
0.5μｍの記録・再生は困難になるといわれ、それ
以上の高密度記録には、CoCr等の垂直磁化膜が
適しているとの意見が一般的である。
界が大きくなり、例え金属薄膜形であつても波長
0.5μｍの記録・再生は困難になるといわれ、それ
以上の高密度記録には、CoCr等の垂直磁化膜が
適しているとの意見が一般的である。
本発明は、室内記録方式にあつても波長0.5μｍ
以下の記録を可能にする媒体を提供するものであ
る。以下に図面を用い本発明の説明を行う。
以下の記録を可能にする媒体を提供するものであ
る。以下に図面を用い本発明の説明を行う。
本発明による磁気記録媒体を第１図に示す。図
に示すようにポリエテレンテレフタレート，ポリ
アミド，ポリイミド，ポリプロピレン等の高分子
成形物，アルミ，ステンレス等の金属から選ばれ
た基板１の上に、Co，Co−Ni，Co−Ｗ，Co−
Cr，Co−Ni−Cr，Co−Ｖ，Co−Re，Co−Fe，
等の強磁性金属（部分酸化したものも含まれる。）
薄膜から成る磁性層２を配して構成される。
に示すようにポリエテレンテレフタレート，ポリ
アミド，ポリイミド，ポリプロピレン等の高分子
成形物，アルミ，ステンレス等の金属から選ばれ
た基板１の上に、Co，Co−Ni，Co−Ｗ，Co−
Cr，Co−Ni−Cr，Co−Ｖ，Co−Re，Co−Fe，
等の強磁性金属（部分酸化したものも含まれる。）
薄膜から成る磁性層２を配して構成される。
なお基板１と磁性層２の間に、非磁性下地層を
設けている場合もあるが、ここでは最も簡単な構
成について述べる。
設けている場合もあるが、ここでは最も簡単な構
成について述べる。
第２図には、磁性層の表面から基板側までの深
さ方向に対して、飽和磁束密度Bsが一定の場合
（タイプＣ）と傾斜を有する場合（タイプＡ，Ｂ）
を示した。製法との関係にもよるが、内部のBs
が大きい場合と小さい場合でタイプ分けしてあ
る。
さ方向に対して、飽和磁束密度Bsが一定の場合
（タイプＣ）と傾斜を有する場合（タイプＡ，Ｂ）
を示した。製法との関係にもよるが、内部のBs
が大きい場合と小さい場合でタイプ分けしてあ
る。
第２図はモデル化して示してあり、実際の媒体
は表面から10Å〜100Åぐらいの深さまでの部分
で、Bsが極めて小さいため（例えば酸化膜の存
在によつて。）、第３図に示すような場合もある。
は表面から10Å〜100Åぐらいの深さまでの部分
で、Bsが極めて小さいため（例えば酸化膜の存
在によつて。）、第３図に示すような場合もある。
第３図のような場合もここではタイプＡに属す
るものとし、規格化に用いるBsの表面近傍の値
は、このような場合も広義に含めて考えていく。
るものとし、規格化に用いるBsの表面近傍の値
は、このような場合も広義に含めて考えていく。
タイプＣは、従来の塗布形が、これに属してい
るし、金属薄膜形も、ほとんどこれに近い深さ分
布を有している。
るし、金属薄膜形も、ほとんどこれに近い深さ分
布を有している。
いわゆる斜め蒸着膜、あるいはCo−Ｐ，Co−
Ni−Ｐ等の無電解めつき膜はこれに属する。
Ni−Ｐ等の無電解めつき膜はこれに属する。
これらと全フラツクス量を合致させて、同一の
抗磁力のタイプＡの膜を得るよう実験をくり返し
た。
抗磁力のタイプＡの膜を得るよう実験をくり返し
た。
磁気記録媒体の製造に用いた装置を第６図に示
す。なお第６図は一例を示したものであり、これ
にこだわらず例えば、スパツタ法によりBsの異
なる（合金系で、稀釈側の材料の合有量を変え
た）ターゲツトで連続して成膜することでも同じ
目的のものを得られることはいうまでもない。
す。なお第６図は一例を示したものであり、これ
にこだわらず例えば、スパツタ法によりBsの異
なる（合金系で、稀釈側の材料の合有量を変え
た）ターゲツトで連続して成膜することでも同じ
目的のものを得られることはいうまでもない。
第６図に示すように高分子基板３を回転ローラ
４の周側面に沿つて移動させ、送り出し軸５より
巻取り軸６へ至る間に、ローラ４に沿つた状態
で、第１，第２の蒸発源７，８からの蒸気流で蒸
着を行う。９はマスクで、特性、特に抗磁力の制
御に用いられる。１０は酸素導入ノズルを模式的
に示してある。第１蒸発源７はCoを用い、第２
蒸発源８にBsを下げる材料を用いる。第１蒸発
源７の真上近くにおいてCoが一番早い速度で蒸
着され、第２蒸発源８も真上近くが、一番早い速
度になるような蒸着速度分布を有している。
４の周側面に沿つて移動させ、送り出し軸５より
巻取り軸６へ至る間に、ローラ４に沿つた状態
で、第１，第２の蒸発源７，８からの蒸気流で蒸
着を行う。９はマスクで、特性、特に抗磁力の制
御に用いられる。１０は酸素導入ノズルを模式的
に示してある。第１蒸発源７はCoを用い、第２
蒸発源８にBsを下げる材料を用いる。第１蒸発
源７の真上近くにおいてCoが一番早い速度で蒸
着され、第２蒸発源８も真上近くが、一番早い速
度になるような蒸着速度分布を有している。
この両者を位置関係を相互に制御して、タイプ
Ａを製造するのは困難ではない。
Ａを製造するのは困難ではない。
しかし、抗磁力を合致させて比較するための試
料を作るには多少の条件検討を必要とする。
料を作るには多少の条件検討を必要とする。
先ず回転ローラ４の径を70cmとし、回転ローラ
４の回転軸の中心をＯとし、極座標（θ，γ）表
示して蒸発源、ノズルの位置関係を下に示す。
４の回転軸の中心をＯとし、極座標（θ，γ）表
示して蒸発源、ノズルの位置関係を下に示す。
マスクの先端：（9゜，20cm）
第１蒸発源７：（7゜，70cm）
第２蒸発源８：（19゜，73cm）
酸素ノズル先端：（69゜，68cm）
この系において、第１蒸発源７にCo，第２蒸
発源８にMnをそれぞれ用い、電子ビーム加熱に
てそれぞれ蒸発させ、 Bs×δ（δは膜厚である）1000G.μｍに統一し
て、抗磁力、700，800，900，1000〔Oe〕の磁性
層をポリエチレンテレフタレートフイルム（厚さ
12μｍ）上に形成した。
発源８にMnをそれぞれ用い、電子ビーム加熱に
てそれぞれ蒸発させ、 Bs×δ（δは膜厚である）1000G.μｍに統一し
て、抗磁力、700，800，900，1000〔Oe〕の磁性
層をポリエチレンテレフタレートフイルム（厚さ
12μｍ）上に形成した。
第４図はCo−Mn膜で抗磁力1000〔Oe〕の分を
表面よりエツチングしていつて、Bsを規格化
（表面近くを1.0とした）して、深さ方向の分布を
測定した結果を示す。
表面よりエツチングしていつて、Bsを規格化
（表面近くを1.0とした）して、深さ方向の分布を
測定した結果を示す。
第３図は、酸素ノズルより0.38／min（１
Kg／cm2・Ｇ）の速度で酸素を導入しながら、第１
蒸発源７でCo，第２蒸発源８でNiをそれぞれ蒸
発させて得たBs×δ＝1000G・μｍ、抗磁力1000
〔Oe〕の磁性膜におけるBsの深さ方向の分布を示
す。この磁性膜もタイプＡに分類される。
Kg／cm2・Ｇ）の速度で酸素を導入しながら、第１
蒸発源７でCo，第２蒸発源８でNiをそれぞれ蒸
発させて得たBs×δ＝1000G・μｍ、抗磁力1000
〔Oe〕の磁性膜におけるBsの深さ方向の分布を示
す。この磁性膜もタイプＡに分類される。
第５図に示すように、表面近くの部分でのBs
をBoとし、深部（これは基板に近い位置になる
が、基板に接する部位とは限らない〔第３図参
照〕）のBsをB1とするとき、B0／B1の比が１で
ある場合（即ちタイプＣ）、１以下の場合（タイ
プＢ）、１以上の場合（タイプＡ）で、短波長出
力に開きがでてくるのである。
をBoとし、深部（これは基板に近い位置になる
が、基板に接する部位とは限らない〔第３図参
照〕）のBsをB1とするとき、B0／B1の比が１で
ある場合（即ちタイプＣ）、１以下の場合（タイ
プＢ）、１以上の場合（タイプＡ）で、短波長出
力に開きがでてくるのである。
これは、抗磁力とBs×δ（厳密にはBr×δ，
BrはBsに角形比を乗じたもの。）を同一にした者
同志の比較で、Bs×δ＝1000G・μｍ，抗磁力
1000〔Oe〕の磁性膜を用いて、記録波長0.9μｍ，
0.5μｍについて比較したものである。
BrはBsに角形比を乗じたもの。）を同一にした者
同志の比較で、Bs×δ＝1000G・μｍ，抗磁力
1000〔Oe〕の磁性膜を用いて、記録波長0.9μｍ，
0.5μｍについて比較したものである。
相対出力はB0／B1＝１の時の出力を1.0とした
相対値である。
相対値である。
稀釈剤（Bsを下げるためのもの）としては
Mn，Niの他にTi，Si，Cr，Re，Ｗ，Mo，につ
いて検討を加えた。この結果いずれの場合もタイ
プＡの優位性が確認された。タイプＡについて、
B0／B1の値が大きくなれば、良いかどうかは明
らかではないが、2.25の範囲までは相対出力は単
調増加していた。
Mn，Niの他にTi，Si，Cr，Re，Ｗ，Mo，につ
いて検討を加えた。この結果いずれの場合もタイ
プＡの優位性が確認された。タイプＡについて、
B0／B1の値が大きくなれば、良いかどうかは明
らかではないが、2.25の範囲までは相対出力は単
調増加していた。
製造のし易さにもよるが、実質的にB0／B1＞
５の範囲になると、Bs×δを同一にするための
δが大きくなることからくる損失が増すので、
B0／B1は高々３までぐらいの間で作り易さとバ
ランスをとれば良い。
５の範囲になると、Bs×δを同一にするための
δが大きくなることからくる損失が増すので、
B0／B1は高々３までぐらいの間で作り易さとバ
ランスをとれば良い。
以上に説明したことから明らかなように本発明
により、金属薄膜形磁気記録媒体における短波長
記録の特長をよりいつそう発揮させることがで
き、本発明の工業的価値は大である。
により、金属薄膜形磁気記録媒体における短波長
記録の特長をよりいつそう発揮させることがで
き、本発明の工業的価値は大である。
第１図は本発明による磁気記録媒体の断面図、
第２図は磁性薄膜の深さ方向における飽和磁束密
度Bsの各種タイプの分布を示す図、第３図，第
４図はそれぞれ本発明による磁気記録媒体の磁性
薄膜の深さ方向における飽和磁束密度Bsの分布
を示す図、第５図は磁性薄膜の表面部と深部との
飽和磁束密度の比と相対出力との関係を示す図、
第６図は本発明による磁気記録媒体を得るのに用
いた製造装置の要部を示す図である。 １，３……基板、２……磁性層、４……回転ロ
ーラ、７，８……蒸発源、９……マスク。
第２図は磁性薄膜の深さ方向における飽和磁束密
度Bsの各種タイプの分布を示す図、第３図，第
４図はそれぞれ本発明による磁気記録媒体の磁性
薄膜の深さ方向における飽和磁束密度Bsの分布
を示す図、第５図は磁性薄膜の表面部と深部との
飽和磁束密度の比と相対出力との関係を示す図、
第６図は本発明による磁気記録媒体を得るのに用
いた製造装置の要部を示す図である。 １，３……基板、２……磁性層、４……回転ロ
ーラ、７，８……蒸発源、９……マスク。
Claims (1)
- １ 基板上に金属強磁性薄膜を有し、上記薄膜が
厚み方向に連続し、かつ厚み方向において上記薄
膜の表面近傍に最大値が存在する如くに飽和磁束
密度が分布していることを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1681182A JPS58133625A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1681182A JPS58133625A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133625A JPS58133625A (ja) | 1983-08-09 |
| JPH0328733B2 true JPH0328733B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=11926536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1681182A Granted JPS58133625A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020116Y2 (ja) * | 1980-06-27 | 1985-06-17 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 自動現像装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06111272A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1681182A patent/JPS58133625A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020116Y2 (ja) * | 1980-06-27 | 1985-06-17 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 自動現像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58133625A (ja) | 1983-08-09 |
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