JPH0689430A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 生産コストの上昇をできる限り低く抑えて、
２層構造の磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法を
提供すること。 【構成】 円筒状キャン４に対向して基板走行方向Ａに
沿って２個の蒸発源５ａ、５ｂを配置し、円筒状キャン
４と蒸発源５ａ、５ｂとの間に、それぞれの蒸発源５
ａ、５ｂに対応した２つの開口部１０ａ、１０ｂを配置
し、円筒状キャンの中心を通る鉛直線１２と蒸発源５ａ
の蒸発部の中心１３ａとの距離が、円筒状キャン４の半
径よりも長く、円筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２
と蒸発源５ｂの蒸発部の中心１３ｂとの距離が、円筒状
キャン４の半径よりも短い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層が２層構造に形
成された高密度記録特性の優れた磁気記録媒体の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づいてい
る。

【０００３】この限界を越えるものとして薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒
体における磁性層としては、例えば、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ等が検討されている。

【０００４】磁気テープへの応用の点からは、これらの
中でＣｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏが最も適していると考え
られており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層とした蒸着テープ
が既にＨｉ８方式ＶＴＲ用テープとして実用化されてい
る。酸素を含有する磁性層は、蒸着時の酸素導入量によ
って磁気特性が大きく変化する。Ｈｉ８方式ＶＴＲ用蒸
着テープの製造方法の一例を、図２を用いて以下に説明
する。

【０００５】図２は上記の蒸着テープを作製するため
の、従来の真空蒸着装置内部の構成の一例である。高分
子材料よりなる基板１は円筒状キャン４に沿って矢印Ａ
の向きに走行する。蒸発物質６を入れた蒸発源５から蒸
発した蒸発原子７が、基板１に付着することにより磁性
層が形成される。蒸発源５としては電子ビーム蒸発源が
適しており、この中に蒸発物質６として、例えばＣｏ、
Ｃｏ−Ｎｉ等の合金を充填する。なお、蒸発源５として
電子ビーム蒸発源を用いるのは、Ｃｏ等の高融点金属を
高い蒸発速度で蒸発させるためである。また、円筒状キ
ャン４周囲の一部には不要な蒸発原子７が基板に付着す
るのを防ぐために遮蔽板８が設けられ、その遮蔽板８の
端部には蒸着時に真空槽内に酸素を導入するための酸素
導入口９が設けられ、その酸素導入口９の位置及び酸素
導入量を最適にすることにより、記録再生特性及び実用
特性の優れた蒸着テープが得られる。また、基板１は供
給ロール２に巻き付けられており、磁性層が形成された
後、巻き取りロール３に巻き取られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】今後、磁気テープには
短波長領域における高出力かつ低ノイズの要求がますま
す強くなる。この要求に応えるための一つの手段として
薄膜磁性層の２層化が考えられる。

【０００７】しかしながら、２層構造の磁性層を形成す
るために、図２に示す真空蒸着装置を使用した従来の方
法を用いたのでは、基板１を走行させながら蒸着を行な
うという工程を、２回繰り返さなければならない。ある
いは、従来方法によって１回の基板走行で２層構造の磁
性層を形成するためには、２個の円筒状キャンを備えた
真空蒸着装置を用いなければならない。これらの方法で
磁性層を形成すると記録再生特性は改善されるが、いず
れの方法を用いても、生産コストの上昇を伴ってしまう
という課題がある。

【０００８】本発明は、従来のこのような課題を考慮
し、生産コストの上昇をできる限り低く抑えて、２層構
造の磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、円筒状キャン
に沿って走行しつつある基板上に真空蒸着法によって磁
性層を形成する際に、１個の円筒状キャンに対向して基
板走行方向に沿って第１及び第２蒸発源を円筒状キャン
の中心を通る鉛直線に対して同じ側に配置し、円筒状キ
ャンと第１及び第２蒸発源との間に、それぞれの蒸発源
に対応した第１及び第２開口部を有する遮蔽板を配置
し、円筒状キャンの中心を通る鉛直線と第１蒸発源の蒸
発部の中心との距離が、円筒状キャンの半径よりも長
く、円筒状キャンの中心を通る鉛直線と第２蒸発源の蒸
発部の中心との距離が、円筒状キャンの半径よりも短い
磁気記録媒体の製造方法である。

【００１０】

【作用】本発明は、第１蒸発源を円筒状キャンの中心を
通る鉛直線と蒸発部の中心との距離が、円筒状キャンの
半径よりも長い位置に配置し、第２蒸発源を円筒状キャ
ンの中心を通る鉛直線と蒸発部の中心との距離が、円筒
状キャンの半径よりも短い位置に配置し、それぞれの蒸
発源に対応した第１及び第２開口部を有する遮蔽板を配
置しているので、２層構造を有する磁性層を蒸着する際
の円筒状キャンは１個でよく、しかも１回の基板走行で
成膜できるので、生産コストの大幅な上昇を伴わずに、
記録再生特性の改善された磁気記録媒体を提供できる。

【００１１】

【実施例】以下に、本発明をその実施例を示す図面に基
づいて説明する。

【００１２】図１は、本発明にかかる一実施例の磁気記
録媒体の製造方法を実施するための真空蒸着装置内部の
一例を示す。すなわち、高分子材料よりなる基板１は、
供給ロール２に巻き付けられており、円筒状キャン４に
沿って矢印Ａの向きに走行し、巻き取りロール３に巻き
取られる。蒸発源としては、２台の蒸発源５ａ、５ｂが
配置されている。これらの蒸発源５ａ、５ｂと円筒状キ
ャン４との間には、不用な蒸発原子７ａ、７ｂが基板に
付着するのを防止するために、遮蔽板８ａ、８ｂ、８ｃ
が配置されている。遮蔽板８ａと８ｂの間、及び遮蔽板
８ｂと８ｃの間は、それぞれの蒸発源５ａ、５ｂから所
望の蒸発原子７ａ、７ｂが通過し、基板１に付着するよ
うに開口部１０ａ及び１０ｂが設けられている。すなわ
ち、蒸発源５ａから蒸発した蒸発原子７ａは、遮蔽板８
ａと８ｂの間の開口部１０ａを通過して基板１に付着
し、蒸発源５ｂから蒸発した蒸発原子７ｂは、遮蔽板８
ｂと８ｃの間の開口部１０ｂを通過して基板１に付着す
る。開口部１０ａと開口部１０ｂとの間には、蒸発原子
７ａと７ｂが混合するのを防止するための遮蔽板１１が
設けられている。また、蒸発源５ａ及び５ｂには、蒸発
物質６ａ、６ｂがそれぞれ充填されている。上述の蒸発
源５ａが第１蒸発源を構成し、蒸発源５ｂが第２蒸発源
を構成し、開口部１０ａが第１開口部を構成し、開口部
１０ｂが第２開口部を構成し、遮蔽板８ａ、８ｂ、８ｃ
が第１及び第２開口部を有する遮蔽板を構成している。

【００１３】ここで蒸発源５ａ及び５ｂは、円筒状キャ
ン４の中心を通る鉛直線１２に対して同じ側に配置し、
しかも円筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２と磁性層
形成開始部側に配置されている第１蒸発源５ａの蒸発部
の中心１３ａとの距離Ｂが、円筒状キャン４の半径より
も長く、円筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２と磁性
層形成終了部側に配置されている第２蒸発源５ｂの蒸発
部の中心１３ｂとの距離Ｃが、円筒状キャン４の半径よ
りも短くなるように配置する。この条件は、（１）高Ｓ
／Ｎを得るには、円筒状キャン４表面にできるだけ平行
に蒸発原子を入射させなければならない、（２）高い膜
形成速度を得るには、開口部ができるだけ蒸発部の真上
にある方がよい、（３）蒸発源同士の距離には、装置上
一定の制約がある、等々各種条件を考慮して導かれたも
のである。

【００１４】以上のような構成で基板１を走行させ、蒸
発源５ａ及び５ｂのいずれからも蒸発原子７ａ、７ｂを
蒸発させつつ磁性層を形成することにより、１回の基板
走行で２層構造の磁性層を高い基板走行速度で作製する
ことができる。

【００１５】蒸発源５ａ、５ｂの配置を上記のようにせ
ずに、例えば、円筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２
と第１蒸発源５ａの蒸発部の中心１３ａとの距離Ｂ、及
び円筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２と第２蒸発源
５ｂの蒸発部の中心１３ｂとの距離Ｃともに、円筒状キ
ャン４の半径よりも短くなるように配置すると（この時
蒸発源５ａと５ｂとの間隔を保つために、距離Ｃを上記
より短くする必要がある）、高いＳ／Ｎ及び速い基板走
行速度を同時に達成することはできない。すなわち、高
いＳ／Ｎを有する磁気記録媒体を得ようとすると、開口
部１０ｂの位置が同じ場合、開口部１０ｂは蒸発部１３
ｂの中心を通る鉛直線上から大きく離れて開口部１０ｂ
での蒸発原子７ｂの密度が低下し、開口部１０ｂを通過
した蒸発原子７ｂにより成膜される磁性層の成膜速度が
低下してしまうために、基板走行速度を速くすることが
できない。また逆に、基板走行速度を速くするために開
口部１０ａ及び１０ｂの位置を変えると、蒸発原子の基
板への入射方向が基板の法線方向に対して小さくなり、
高いＳ／Ｎを有する磁気記録媒体が得られない。これに
対して、本発明の構成にすることにより、高いＳ／Ｎを
確保できる条件に開口部１０ａ及び１０ｂを設定した状
態で、開口部１０ａ、及び開口部１０ｂを通過した蒸発
原子７ａ及び７ｂにより成膜される磁性層の成膜速度を
ほぼ同等とし、両者の成膜速度を高めることができるの
で、速い基板走行速度を実現できる。

【００１６】ここで、蒸発源５ａと５ｂは、円筒状キャ
ン４の中心を通る鉛直線１２に対して同じ側に配置した
場合に、高いＳ／Ｎを達成することが可能である。蒸発
源５ａと５ｂを鉛直線１２に対して反対側（図１で、蒸
発源５ａは鉛直線１２に対して右側、蒸発源５ｂは鉛直
線１２に対して左側）にしたのでは、高いＳ／Ｎを達成
することはできない。また高いＳ／Ｎを得るためには、
開口部１０ａ及び１０ｂの位置及び蒸発源５ａ及び５ｂ
の位置は、蒸発原子の基板への入射方向が基板の法線に
対して４０゜以上になるように設定する必要がある。

【００１７】なお高いＳ／Ｎを得るためには、第１蒸発
源５ａの蒸発部の中心１３ａを通る蒸発物質６ａの液面
の法線１４と、第１蒸発源５ａの蒸発部の中心１３ａと
第１蒸発源５ａにより磁性層が形成されつつある領域１
５内の基板１上の点を結ぶ直線１６とのなす角θが、磁
性層形成開始部１７において最小になるようにする必要
がある。なぜならば、斜め蒸着によって形成される磁性
層において高Ｓ／Ｎを得るには、磁性層形成開始部すな
わち基板１近傍の磁性層の磁気特性を向上させることが
必須であり、そのためには、磁性層形成開始部の蒸気密
度を高くすることが必要だからである。蒸発源から蒸発
する蒸発原子の密度は、蒸発物質の液面の法線方向が最
も高く、法線方向から傾斜した方向では、傾斜角が大き
くなればなるほど低くなる。すなわち、磁性層形成開始
部１７においてθが最小になるようにすることにより、
磁性層形成開始部における蒸発原子の密度を高くするこ
とができ、高いＳ／Ｎを達成できる。

【００１８】以上のような方法で、蒸発物質としてＣ
ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ等を使用して、２層構造の磁
性層を形成することにより、記録再生特性の優れた磁気
テープを得ることができる。

【００１９】Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ等を蒸発物質として使用する場合には、酸素雰
囲気中で蒸着を行なうと、磁性層は部分酸化物となり、
記録再生特性及び実用特性が改善される。この際に、真
空槽内への酸素の導入方法は記録再生特性に大きな影響
を及ぼす。

【００２０】本発明において、優れた記録再生特性の得
られる酸素導入方法を以下に説明する。図１の９ａ、９
ｂは酸素導入口である。酸素導入口９ａは遮蔽板８ｂの
開口部１０ａ側端部に配置されている。酸素導入口９ｂ
は遮蔽板８ｃの開口部１０ｂ側端部に配置されている。
また、いずれの酸素導入口９ａ、９ｂから吹き出される
酸素も、基板走行方向に対向する向きに出ている。すな
わち酸素導入口９ａからは、蒸発原子７ａに向かって、
基板走行方向に対向する向きに酸素が吹き出される。酸
素導入口９ｂからは、蒸発原子７ｂに向かって、基板走
行方向に対向する向きに酸素が吹き出される。このよう
な構成にすることによって優れた記録再生特性が得られ
る最大の理由は、このような構成の場合に磁性層の保磁
力が最も高くなるためだと考えられる。

【００２１】以下に、上記実施例を具体例を用いて説明
し、本発明の方法で作製した蒸着テープと、従来の方法
で作製した蒸着テープの記録再生特性の比較を行なう。

【００２２】図１のような基本構成を有する真空蒸着装
置を用いて、蒸着テープを作製した。円筒状キャン４の
直径は１．５ｍとし、テープ厚７μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムを基板１として使用した。蒸発物
質６ａ、６ｂとしてはＣｏを用いた。円筒状キャン４の
中心を通る鉛直線１２と第１蒸発源５ａの蒸発部の中心
１３ａとの距離Ｂを８５ｃｍ、円筒状キャン４の中心を
通る鉛直線１２と第２蒸発源５ｂの蒸発部の中心１３ｂ
との距離Ｃを６０ｃｍとした。開口部１０ａを通過した
蒸発原子７ａの基板１への入射角は基板法線に対して８
０゜〜６０゜とし、開口部１０ｂを通過した蒸発原子７
ｂの基板１への入射角も基板法線に対して８０゜〜６０
゜となるように遮蔽板８ａ、８ｂ及び８ｃを配置した。
以上のような構成で、平均の膜堆積速度を０．３μｍ／
ｓとして、総膜厚０．１５μｍの磁性層を形成した。な
お、蒸発原子７ａ、７ｂによって形成されるそれぞれの
層の膜厚は、０．０８μｍ及び０．０７μｍとした。ま
た、酸素導入口９ａ、９ｂのいずれからも、０．５ｌ／
ｍｉｎの割合で酸素を導入した。

【００２３】以上のようにして作製した媒体をテープ状
にスリットし、センダストから成るギャップ長０．１５
μｍのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価
を行なった。その結果、従来の方法で作製された、市販
のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、記録波長
３．８μｍで３ｄＢ、０．５４μｍで６ｄＢ、０．３８
μｍで８ｄＢ高い再生出力が得られた。またノイズは、
市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、約２ｄ
Ｂ低かった。

【００２４】上記の如く、本発明の方法で作製した磁気
テープは、従来の蒸着テープに対して、再生出力が高く
ノイズは低い。すなわち高いＳ／Ｎが得られる。さら
に、１回の基板走行で作製できるので生産性が高い。ま
た、蒸着のための円筒状キャンは１個でよいので、真空
蒸着装置の走行系が複雑にならない。なお、蒸発源は２
台設置しなければならないが、蒸発源が増えたことによ
って蒸着時の基板走行速度を速くすることが出来るの
で、生産コストは殆ど増加しない。また上記の具体例の
場合の基板走行速度は１２０ｍ／ｍｉｎであった。

【００２５】一方、円筒状キャン４の中心を通る鉛直線
１２と第１蒸発源５ａの蒸発部の中心１３ａとの距離
Ｂ、及び円筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２と第２
蒸発源５ｂの蒸発部の中心１３ｂとの距離Ｃを、いずれ
も円筒状キャン４の半径よりも短くした場合には、上記
具体的実施例で作製した磁気テープと同等の特性を有す
る磁気テープを、１２０ｍ／ｍｉｎの基板走行速度で作
製することはできなかった。例えば、直径１．５ｍの円
筒状キャン４の中心を通る鉛直線１２と第１蒸発源５ａ
の蒸発部の中心１３ａとの距離Ｂを７０ｃｍ、円筒状キ
ャン４の中心を通る鉛直線１２と第２蒸発源５ｂの蒸発
部の中心１３ｂとの距離Ｃを４５ｃｍとした場合に、上
記具体的実施例と同等の記録再生特性を有する磁気テー
プを得るためには、基板走行速度を７０ｍ／ｍｉｎまで
低下させなくてはならなかった。

【００２６】また、２層構造の磁性層を作製する方法と
して、図１において、蒸発源は１個のみを使用し遮蔽板
の開口部を２個所にすることも可能である。しかしこの
場合には、それぞれの層の膜厚や入射角を最適にするこ
とが困難であり、本発明の方法で得られるような優れた
特性の磁気記録媒体を得ることは不可能である。その
上、基板走行速度を高めることも困難である。

【００２７】なお、上記実施例では、蒸発物質としてＣ
ｏを用いる場合について説明したが、これに限ったもの
ではなく、蒸発物質としてＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金等
を用いる場合についても全く同様の本発明の効果が得ら
れる。なお、蒸発物質として、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ合金を用いる場合には、真空槽内に酸素を導入し
ない方が高い再生出力が得られる。

【００２８】また、上記実施例では、基板としてポリエ
チレンテレフタレートフィルムを用いて説明したが、こ
れに限らず、例えばポリイミドフィルム、ポリアミドフ
ィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエチレンナ
フタレートフィルム等の高分子フィルム、あるいは下地
層の形成されている高分子フィルムでも、全く同様であ
ることは言うまでもない。

【００２９】また、上記実施例では、具体例において蒸
発原子の基板への入射角を８０゜〜６０゜としたが、こ
の値に限定されるものではない。

【００３０】また、上記実施例では、具体例において第
１蒸発源５ａの蒸発部の中心１３ａと円筒状キャン４の
中心を通る鉛直線１２との距離Ｂを８５ｃｍ、第２蒸発
源５ｂの蒸発部の中心１３ｂと円筒状キャン４の中心を
通る鉛直線１２との距離Ｃを６０ｃｍとしたが、距離Ｂ
が円筒状キャン４の半径より長く、距離Ｃが円筒状キャ
ン４の半径より短ければ、この値に限定されるものでは
ない。

【００３１】また、上記実施例では、各蒸発源に充填す
る蒸発物質を同一にしたが、異なる蒸発物質でもよい。
その場合には、それぞれの蒸発物質によって入射角や酸
素導入量などを最適化することにより、さらなる記録再
生特性の改善が期待できる。

【００３２】

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、１個の円筒状キャンに対向して基板走行方向に
沿って第１及び第２蒸発源を配置し、円筒状キャンと第
１及び第２蒸発源との間に、それぞれの蒸発源に対応し
た第１及び第２開口部を有する遮蔽板を配置しているの
で、生産コストの上昇をできる限り低く抑えて、２層構
造の磁気記録媒体を製造することができるという長所を
有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる一実施例の磁気記録媒体の製造
方法を実施するための真空蒸着装置内部の概略を示す図

【図２】従来の真空蒸着装置内部の概略を示す図

【符号の説明】

１ 基板 ２ 供給ロール ３ 巻き取りロール ４ 円筒状キャン ５ａ 第１蒸発源 ５ｂ 第２蒸発源 ６ａ、６ｂ 蒸発物質 ７ａ、７ｂ 蒸発原子 ８ａ、８ｂ，８ｃ 遮蔽板 ９ａ、９ｂ 酸素導入口 １０ａ 第１開口部 １０ｂ 第２開口部 １１ 遮蔽板 １２ 円筒状キャンの中心を通る鉛直線 １３ａ 第１蒸発源５ａの蒸発部の中心 １３ｂ 第２蒸発源５ｂの蒸発部の中心 １４ 蒸発物質６ａの液面の法線 １５ 第１蒸発源５ａにより磁性層が形成されつつある
領域 １６ 第１蒸発源５ａの蒸発部の中心１３ａと第１蒸発
源５ａにより磁性層が形成されつつある領域内の基板上
の点を結ぶ直線 １７ 磁性層形成開始部 Ａ 基板走行方向 Ｂ 円筒状キャンの中心を通る鉛直線と蒸発源５ａの蒸
発部の中心との距離 Ｃ 円筒状キャンの中心を通る鉛直線と蒸発源５ｂの蒸
発部の中心との距離

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】円筒状キャンに沿って走行しつつある基板
   上に真空蒸着法によって磁性層を形成する際に、１個の
   円筒状キャンに対向して基板走行方向に沿って第１及び
   第２蒸発源を前記円筒状キャンの中心を通る鉛直線に対
   して同じ側に配置し、前記円筒状キャンと前記第１及び
   第２蒸発源との間に、それぞれの蒸発源に対応した第１
   及び第２開口部を有する遮蔽板を配置し、前記円筒状キ
   ャンの中心を通る鉛直線と前記第１蒸発源の蒸発部の中
   心との距離が、前記円筒状キャンの半径よりも長く、前
   記円筒状キャンの中心を通る鉛直線と前記第２蒸発源の
   蒸発部の中心との距離が、前記円筒状キャンの半径より
   も短いことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】蒸発原子の前記基板への入射角が前記基板
   の法線に対して４０゜以上であることを特徴とする請求
   項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】前記第１蒸発源の蒸発部の中心を通る蒸発
   物質の液面の法線と、前記第１蒸発源の蒸発部の中心と
   前記第１蒸発源により磁性層が形成されつつある前記基
   板上の点を結ぶ直線とのなす角が、磁性層形成開始部に
   おいて最小であることを特徴とする請求項１または２記
   載の磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】真空槽内に酸素を導入しつつ蒸着を行なう
   際に、酸素導入口を前記第１開口部の終端部近傍及び前
   記第２開口部の終端部近傍に配置し、前記基板走行方向
   に対向する向きに酸素を吹き出して蒸発物質の部分酸化
   物磁性層を形成することを特徴とする請求項１〜３いず
   れかに記載の磁気記録媒体の製造方法。