JP3241538B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP3241538B2 JP3241538B2 JP15690894A JP15690894A JP3241538B2 JP 3241538 B2 JP3241538 B2 JP 3241538B2 JP 15690894 A JP15690894 A JP 15690894A JP 15690894 A JP15690894 A JP 15690894A JP 3241538 B2 JP3241538 B2 JP 3241538B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高密度記録再生特性
に優れた磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
に優れた磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善が成されているが、ほぼ限界に近づいてい
る。
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善が成されているが、ほぼ限界に近づいてい
る。
【０００３】この限界を超えるものとして薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。この薄膜型磁気記
録媒体の磁性層としては、例えば、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ等が検討されている。磁気テープへの応用の点か
らは、これらの中でＣｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏが最も適
していると考えられており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層と
した蒸着テープが既にＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープと
して実用化されている。
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。この薄膜型磁気記
録媒体の磁性層としては、例えば、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ等が検討されている。磁気テープへの応用の点か
らは、これらの中でＣｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏが最も適
していると考えられており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層と
した蒸着テープが既にＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープと
して実用化されている。
【０００４】従来の磁気記録媒体の製造方法の一例とし
てＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープの製造方法を、図６を
用いて以下に説明する。図６は蒸着テープを作製するた
めの、従来の真空蒸着装置の内部の構成の一例を示す概
略断面図である。高分子材料よりなる基板１００は円筒
状キャン１１０に沿って矢印の向きに走行する。蒸発物
質１２０を入れた蒸発源１３０から蒸発した蒸発原子
が、基板１００に付着することにより磁性層が形成され
る。蒸発源１３０としては電子ビーム蒸発源が適してお
り、この中に蒸発物質１２０として、例えばＣｏ、Ｃｏ
−Ｎｉ等の合金を充填する。蒸発源１３０として電子ビ
ーム蒸発源を用いるのは、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸
発速度で蒸発させるためである。
てＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープの製造方法を、図６を
用いて以下に説明する。図６は蒸着テープを作製するた
めの、従来の真空蒸着装置の内部の構成の一例を示す概
略断面図である。高分子材料よりなる基板１００は円筒
状キャン１１０に沿って矢印の向きに走行する。蒸発物
質１２０を入れた蒸発源１３０から蒸発した蒸発原子
が、基板１００に付着することにより磁性層が形成され
る。蒸発源１３０としては電子ビーム蒸発源が適してお
り、この中に蒸発物質１２０として、例えばＣｏ、Ｃｏ
−Ｎｉ等の合金を充填する。蒸発源１３０として電子ビ
ーム蒸発源を用いるのは、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸
発速度で蒸発させるためである。
【０００５】円筒状キャン１１０の周囲の一部には不要
な蒸発原子が基板１００に付着するのを防ぐために遮蔽
板１４０および１４１が設けられている。遮蔽板１４１
は膜形成開始部における蒸発原子の高分子フィルム基板
１００への入射角を規定し、遮蔽板１４０は膜形成終了
部における蒸発原子の高分子フィルム基板１００への入
射角を規定する。φi は膜形成開始部の初期入射角であ
り、φf は膜形成終了部の終期入射角である。なお、Ｈ
ｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープを製造する際の初期入射角
φi は９０゜、終期入射角φf は約３０゜である。φi
が９０゜とは蒸発原子が基板１００と接する場合であ
り、この場合に遮蔽板１４１を省略することがある。
な蒸発原子が基板１００に付着するのを防ぐために遮蔽
板１４０および１４１が設けられている。遮蔽板１４１
は膜形成開始部における蒸発原子の高分子フィルム基板
１００への入射角を規定し、遮蔽板１４０は膜形成終了
部における蒸発原子の高分子フィルム基板１００への入
射角を規定する。φi は膜形成開始部の初期入射角であ
り、φf は膜形成終了部の終期入射角である。なお、Ｈ
ｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープを製造する際の初期入射角
φi は９０゜、終期入射角φf は約３０゜である。φi
が９０゜とは蒸発原子が基板１００と接する場合であ
り、この場合に遮蔽板１４１を省略することがある。
【０００６】遮蔽板１４０の端部には蒸着時に真空槽内
に酸素を導入するための酸素導入ノズル１５０が設けら
れ、酸素導入量を最適にすることにより、記録再生特性
および実用特性の優れた蒸着テープが得られる。また、
基板１００は供給ロール１６０に巻き付けられており、
磁性層が形成された後、巻き取りロール１７０に巻き取
られる。
に酸素を導入するための酸素導入ノズル１５０が設けら
れ、酸素導入量を最適にすることにより、記録再生特性
および実用特性の優れた蒸着テープが得られる。また、
基板１００は供給ロール１６０に巻き付けられており、
磁性層が形成された後、巻き取りロール１７０に巻き取
られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】今後、薄膜型磁気テー
プには短波長領域における高いＣ／Ｎとともに、高い生
産性が要求される。図６において、走行しつつある基板
１００上に真空蒸着法によって高いＣ／Ｎを有する磁性
層を形成するためには、初期入射角φi および終期入射
角φf を大きくすればよいことが一般に知られている。
しかしながら、φi およびφf を大きくすると高いＣ／
Ｎは得られるものの、φi およびφf を大きくするには
遮蔽板１４１と遮蔽板１４０との間隔を狭くする、すな
わち膜形成部の開口部（蒸発原子の基板１００への入射
範囲）を狭くしなければならないため、成膜時の基板１
００の走行速度を遅くせざるを得ず、生産性が低下す
る。
プには短波長領域における高いＣ／Ｎとともに、高い生
産性が要求される。図６において、走行しつつある基板
１００上に真空蒸着法によって高いＣ／Ｎを有する磁性
層を形成するためには、初期入射角φi および終期入射
角φf を大きくすればよいことが一般に知られている。
しかしながら、φi およびφf を大きくすると高いＣ／
Ｎは得られるものの、φi およびφf を大きくするには
遮蔽板１４１と遮蔽板１４０との間隔を狭くする、すな
わち膜形成部の開口部（蒸発原子の基板１００への入射
範囲）を狭くしなければならないため、成膜時の基板１
００の走行速度を遅くせざるを得ず、生産性が低下す
る。
【０００８】この発明は、従来のこのような課題を解決
し、優れた記録再生特性を得られるとともに、高い生産
性の得られる磁気記録媒体の製造方法を提供することを
目的とするものである。
し、優れた記録再生特性を得られるとともに、高い生産
性の得られる磁気記録媒体の製造方法を提供することを
目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の磁気記録媒体
の製造方法は、走行する基板上に真空蒸着法によってコ
バルトと酸素またはコバルトとニッケルと酸素を主成分
とする磁性層を形成する際、コバルトまたはコバルト・
ニッケル合金の蒸発源に基板の走行方向の上流側および
下流側に蒸発部を設け、上流側および下流側蒸発部から
の蒸発原子の基板への入射範囲を上流側および下流側遮
蔽板によって規定し、上流側蒸発部からの蒸発原子の入
射範囲の初期入射部への入射角より下流側蒸発部からの
蒸発原子の入射範囲の終期入射部への入射角の方を小さ
くし、入射範囲の初期入射部および終期入射部に酸素を
導入することを特徴とする。
の製造方法は、走行する基板上に真空蒸着法によってコ
バルトと酸素またはコバルトとニッケルと酸素を主成分
とする磁性層を形成する際、コバルトまたはコバルト・
ニッケル合金の蒸発源に基板の走行方向の上流側および
下流側に蒸発部を設け、上流側および下流側蒸発部から
の蒸発原子の基板への入射範囲を上流側および下流側遮
蔽板によって規定し、上流側蒸発部からの蒸発原子の入
射範囲の初期入射部への入射角より下流側蒸発部からの
蒸発原子の入射範囲の終期入射部への入射角の方を小さ
くし、入射範囲の初期入射部および終期入射部に酸素を
導入することを特徴とする。
【００１０】請求項２の磁気記録媒体の製造方法は、走
行する基板上に真空蒸着法によってコバルトと酸素また
はコバルトとニッケルと酸素を主成分とする磁性層を形
成する際、基板の走行方向の下流側にコバルトまたはコ
バルト・ニッケル合金の第１の蒸発源を配置するととも
に、基板の走行方向の上流側にコバルトまたはコバルト
・ニッケル合金の第２の蒸発源を配置し、第１の蒸発源
に基板の走行方向の上流側および下流側に蒸発部を設
け、上流側および下流側蒸発部からの蒸発原子の基板へ
の第１の入射範囲を第１の上流側および下流側遮蔽板に
よって規定し、上流側蒸発部からの蒸発原子の第１の入
射範囲の初期入射部への入射角より下流側蒸発部からの
蒸発原子の第１の入射範囲の終期入射部への入射角の方
を小さくし、第１の入射範囲の初期入射部および終期入
射部に酸素を導入し、第２の蒸発源からの蒸発原子の基
板への第２の入射範囲を第２の上流側および下流側遮蔽
板によって規定し、第２の蒸発源からの蒸発原子の第２
の入射範囲の初期入射部への入射角より第２の蒸発源か
らの蒸発原子の第２の入射範囲の終期入射部への入射角
の方を小さくし、第２の入射範囲の終期入射部に酸素を
導入することを特徴とする。
行する基板上に真空蒸着法によってコバルトと酸素また
はコバルトとニッケルと酸素を主成分とする磁性層を形
成する際、基板の走行方向の下流側にコバルトまたはコ
バルト・ニッケル合金の第１の蒸発源を配置するととも
に、基板の走行方向の上流側にコバルトまたはコバルト
・ニッケル合金の第２の蒸発源を配置し、第１の蒸発源
に基板の走行方向の上流側および下流側に蒸発部を設
け、上流側および下流側蒸発部からの蒸発原子の基板へ
の第１の入射範囲を第１の上流側および下流側遮蔽板に
よって規定し、上流側蒸発部からの蒸発原子の第１の入
射範囲の初期入射部への入射角より下流側蒸発部からの
蒸発原子の第１の入射範囲の終期入射部への入射角の方
を小さくし、第１の入射範囲の初期入射部および終期入
射部に酸素を導入し、第２の蒸発源からの蒸発原子の基
板への第２の入射範囲を第２の上流側および下流側遮蔽
板によって規定し、第２の蒸発源からの蒸発原子の第２
の入射範囲の初期入射部への入射角より第２の蒸発源か
らの蒸発原子の第２の入射範囲の終期入射部への入射角
の方を小さくし、第２の入射範囲の終期入射部に酸素を
導入することを特徴とする。
【００１１】請求項３の磁気記録媒体の製造方法は、請
求項２の磁気記録媒体の製造方法において、第２の蒸発
源に基板の走行方向の上流側および下流側に蒸発部を設
け、第２の蒸発源の上流側蒸発部からの蒸発原子を第２
の入射範囲の初期入射部へ入射させ、第２の蒸発源の下
流側蒸発部からの蒸発原子を第２の入射範囲の終期入射
部へ入射させ、第２の入射範囲の初期入射部に酸素を導
入することを特徴とする。
求項２の磁気記録媒体の製造方法において、第２の蒸発
源に基板の走行方向の上流側および下流側に蒸発部を設
け、第２の蒸発源の上流側蒸発部からの蒸発原子を第２
の入射範囲の初期入射部へ入射させ、第２の蒸発源の下
流側蒸発部からの蒸発原子を第２の入射範囲の終期入射
部へ入射させ、第２の入射範囲の初期入射部に酸素を導
入することを特徴とする。
【００１２】請求項４の磁気記録媒体の製造方法は、請
求項１，２または３の磁気記録媒体の製造方法におい
て、初期入射部に酸素を導入する際、上流側遮蔽板より
も上流位置から基板の走行方向の上流側に向けて酸素を
導入するようにしている。
求項１，２または３の磁気記録媒体の製造方法におい
て、初期入射部に酸素を導入する際、上流側遮蔽板より
も上流位置から基板の走行方向の上流側に向けて酸素を
導入するようにしている。
【００１３】
【作用】この発明によれば、走行している基板上に、真
空蒸着法によってコバルトと酸素またはコバルトとニッ
ケルと酸素を主成分とする磁性層を形成する際に、１個
の蒸発源に基板走行方向において蒸発部を２カ所とする
ことで、従来よりも開口部（蒸発原子の入射範囲）を基
板走行方向に拡大し、終期入射部に酸素を導入するとと
もに初期入射部へも酸素を導入することで、高い生産性
で優れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を製造する
ことができる。
空蒸着法によってコバルトと酸素またはコバルトとニッ
ケルと酸素を主成分とする磁性層を形成する際に、１個
の蒸発源に基板走行方向において蒸発部を２カ所とする
ことで、従来よりも開口部（蒸発原子の入射範囲）を基
板走行方向に拡大し、終期入射部に酸素を導入するとと
もに初期入射部へも酸素を導入することで、高い生産性
で優れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を製造する
ことができる。
【００１４】さらに、２つの蒸発源を設けることによ
り、２層構造の磁性層を１回の基板走行で形成すること
ができ、２層構造とすることでより特性の優れた磁気記
録媒体を生産性よく製造することができる。
り、２層構造の磁性層を１回の基板走行で形成すること
ができ、２層構造とすることでより特性の優れた磁気記
録媒体を生産性よく製造することができる。
【００１５】
【実施例】この発明の第１の実施例における磁気記録媒
体の製造方法に用いられる一例である真空蒸着装置内部
の概略断面図を図１に示す。図１において、１００は基
板、１１０は円筒状キャン、１３０は蒸発源、１６０は
基板１００の供給ロール、１７０は基板１００の巻き取
りロールである。１４０および１４１は蒸発原子の入射
を制限し蒸気の基板１００への入射角を規定する遮蔽板
である。ここで、入射角とは、蒸発原子の入射方向と基
板１００の法線とのなす角である。１５０は終期入射角
を規定する遮蔽板１４０と円筒状キャン１１０との間に
設けた酸素導入ノズルであり、この酸素導入ノズル１５
０は従来例と同様である。１５１は初期入射角を規定す
る遮蔽板１４１より基板１００の走行方向において上流
側に設けた酸素導入ノズルである。なお、この発明で用
いられる基板１００は高分子材料からなるフィルム状基
板であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエ
ーテルイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィ
ルム等が基板１００の候補として挙げられるが、これら
に限られるものではない。
体の製造方法に用いられる一例である真空蒸着装置内部
の概略断面図を図１に示す。図１において、１００は基
板、１１０は円筒状キャン、１３０は蒸発源、１６０は
基板１００の供給ロール、１７０は基板１００の巻き取
りロールである。１４０および１４１は蒸発原子の入射
を制限し蒸気の基板１００への入射角を規定する遮蔽板
である。ここで、入射角とは、蒸発原子の入射方向と基
板１００の法線とのなす角である。１５０は終期入射角
を規定する遮蔽板１４０と円筒状キャン１１０との間に
設けた酸素導入ノズルであり、この酸素導入ノズル１５
０は従来例と同様である。１５１は初期入射角を規定す
る遮蔽板１４１より基板１００の走行方向において上流
側に設けた酸素導入ノズルである。なお、この発明で用
いられる基板１００は高分子材料からなるフィルム状基
板であり、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエ
ーテルイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィ
ルム等が基板１００の候補として挙げられるが、これら
に限られるものではない。
【００１６】この実施例に用いられる蒸発源１３０につ
いて説明する。蒸発源１３０には、蒸着物質１２０とし
てＣｏあるいはＣｏ−Ｎｉ合金を仕込む。図１におい
て、１８０は第１蒸発部、１８１は第２蒸発部である。
各蒸発部１８０，１８１は電子ビームが照射されている
部分を意味する。すなわち、Ｃｏ等の高融点金属は、電
子ビームが照射されている部分から蒸発し、それ以外の
部分からはほとんど蒸発しない。したがって、この発明
における蒸発部とは、電子ビームが照射されている部分
のことである。なお、実際の製造装置においては、通
常、基板１００の幅は５０ｃｍ以上ある。この場合には
蒸発源１３０は、図１において、一般に紙面に垂直方向
に長い形状をしているので、蒸発部１８０および１８１
は紙面に垂直方向に長く伸ばせばよい。すなわち、蒸発
源１３０の斜視図である図２の破線のように、蒸発部１
８０および１８１を幅方向に伸ばせばよい。このような
蒸発部１８０，１８１の状態は、電子銃から照射される
電子ビームをスキャンすることにより容易に実現でき
る。使用する電子銃は１台でも２台でもよい。１台の電
子銃でこのようなスキャンをすると、電子ビームが、第
１蒸発部１８０から第２蒸発部１８１へ、あるいは第２
蒸発部１８１から第１蒸発部１８０へと移動する部分が
存在するが、この部分は図２には示していない。実際、
この部分は、蒸発部１８０，１８１よりも電子ビームの
滞在時間が短いために、無視できる。
いて説明する。蒸発源１３０には、蒸着物質１２０とし
てＣｏあるいはＣｏ−Ｎｉ合金を仕込む。図１におい
て、１８０は第１蒸発部、１８１は第２蒸発部である。
各蒸発部１８０，１８１は電子ビームが照射されている
部分を意味する。すなわち、Ｃｏ等の高融点金属は、電
子ビームが照射されている部分から蒸発し、それ以外の
部分からはほとんど蒸発しない。したがって、この発明
における蒸発部とは、電子ビームが照射されている部分
のことである。なお、実際の製造装置においては、通
常、基板１００の幅は５０ｃｍ以上ある。この場合には
蒸発源１３０は、図１において、一般に紙面に垂直方向
に長い形状をしているので、蒸発部１８０および１８１
は紙面に垂直方向に長く伸ばせばよい。すなわち、蒸発
源１３０の斜視図である図２の破線のように、蒸発部１
８０および１８１を幅方向に伸ばせばよい。このような
蒸発部１８０，１８１の状態は、電子銃から照射される
電子ビームをスキャンすることにより容易に実現でき
る。使用する電子銃は１台でも２台でもよい。１台の電
子銃でこのようなスキャンをすると、電子ビームが、第
１蒸発部１８０から第２蒸発部１８１へ、あるいは第２
蒸発部１８１から第１蒸発部１８０へと移動する部分が
存在するが、この部分は図２には示していない。実際、
この部分は、蒸発部１８０，１８１よりも電子ビームの
滞在時間が短いために、無視できる。
【００１７】このように１個の蒸発源１３０に２カ所の
蒸発部１８０，１８１があるために入射角の定義が問題
となるが、この発明においては、図１に示すように、第
１蒸発部１８０からの蒸発原子が遮蔽板１４１によって
規定される入射角を初期入射角φi とし、第２蒸発部１
８１からの蒸発原子が遮蔽板１４０によって規定される
入射角を終期入射角φf としている。厳密に言えば実際
の入射角はこの発明の定義とは異なる。例えば、初期入
射角φi は、第２蒸発部１８１からの蒸発原子も飛来す
るので、この発明の定義よりも高角となり、終期入射角
φf は、第１蒸発部１８０からの蒸発原子が飛来するの
で、低角となる。しかし、膜形成において中心的な役割
を果たすのは、膜形成初期においては第１蒸発部１８０
からの蒸発原子であり、膜形成終期においては第２蒸発
部１８１からの蒸発原子である。
蒸発部１８０，１８１があるために入射角の定義が問題
となるが、この発明においては、図１に示すように、第
１蒸発部１８０からの蒸発原子が遮蔽板１４１によって
規定される入射角を初期入射角φi とし、第２蒸発部１
８１からの蒸発原子が遮蔽板１４０によって規定される
入射角を終期入射角φf としている。厳密に言えば実際
の入射角はこの発明の定義とは異なる。例えば、初期入
射角φi は、第２蒸発部１８１からの蒸発原子も飛来す
るので、この発明の定義よりも高角となり、終期入射角
φf は、第１蒸発部１８０からの蒸発原子が飛来するの
で、低角となる。しかし、膜形成において中心的な役割
を果たすのは、膜形成初期においては第１蒸発部１８０
からの蒸発原子であり、膜形成終期においては第２蒸発
部１８１からの蒸発原子である。
【００１８】図１に示しているように、初期入射角を規
定する遮蔽板１４１の上方（基板走行方向の上流側）に
酸素導入ノズル１５１が設けられている。一般的には、
初期入射部に酸素等のガスを導入すると、膜形成初期に
おける結晶成長が阻害され、膜全体として結晶性の低い
膜が形成される。これは主に、初期入射部に導入された
ガスが膜形成部に侵入するガスの回り込みのために起こ
ると考えられる。一方、磁性層としてコバルトと酸素を
主成分とするＣｏ−Ｏ膜なる部分酸化膜あるいはコバル
トとニッケルと酸素を主成分とするＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜な
る部分酸化膜を形成する際に、ＣｏＯ膜なる酸化膜上あ
るいはＣｏＮｉＯ膜なる酸化膜上に上記部分酸化膜を形
成すると、保磁力が高くなるとか結晶配向性が改善され
るとかの効果がある。これを従来の方法で実施しようと
すると、例えば、ＣｏＯ膜を形成する工程と磁性層であ
るＣｏ−Ｏ膜を形成する工程とを２度に分ける必要があ
り、生産性が低下する。この発明は、これら２工程を１
工程で行い、生産性と膜質改善とをともに満足させよう
とするものである。すなわち、初期入射部に酸素を導入
することで、膜の形成初期層を局所的に酸化させ、この
酸化された初期層に上記酸化膜と同様な働きをさせるも
のである。
定する遮蔽板１４１の上方（基板走行方向の上流側）に
酸素導入ノズル１５１が設けられている。一般的には、
初期入射部に酸素等のガスを導入すると、膜形成初期に
おける結晶成長が阻害され、膜全体として結晶性の低い
膜が形成される。これは主に、初期入射部に導入された
ガスが膜形成部に侵入するガスの回り込みのために起こ
ると考えられる。一方、磁性層としてコバルトと酸素を
主成分とするＣｏ−Ｏ膜なる部分酸化膜あるいはコバル
トとニッケルと酸素を主成分とするＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜な
る部分酸化膜を形成する際に、ＣｏＯ膜なる酸化膜上あ
るいはＣｏＮｉＯ膜なる酸化膜上に上記部分酸化膜を形
成すると、保磁力が高くなるとか結晶配向性が改善され
るとかの効果がある。これを従来の方法で実施しようと
すると、例えば、ＣｏＯ膜を形成する工程と磁性層であ
るＣｏ−Ｏ膜を形成する工程とを２度に分ける必要があ
り、生産性が低下する。この発明は、これら２工程を１
工程で行い、生産性と膜質改善とをともに満足させよう
とするものである。すなわち、初期入射部に酸素を導入
することで、膜の形成初期層を局所的に酸化させ、この
酸化された初期層に上記酸化膜と同様な働きをさせるも
のである。
【００１９】上記目的を達成するためには、初期入射部
に導入した酸素の膜形成部への回り込みをいかに防止し
かつその影響をいかに抑制するかが重要である。そのた
め、初期入射角を規定する遮蔽板１４１の上方に酸素導
入ノズル１５１を設置し、酸素導入ノズル１５１の向き
は、導入酸素が基板１００の走行下流側の膜形成部に回
り込みにくいように、上流側に向ける。このとき、酸素
導入ノズル１５１からの酸素流は集束している方がよ
い。
に導入した酸素の膜形成部への回り込みをいかに防止し
かつその影響をいかに抑制するかが重要である。そのた
め、初期入射角を規定する遮蔽板１４１の上方に酸素導
入ノズル１５１を設置し、酸素導入ノズル１５１の向き
は、導入酸素が基板１００の走行下流側の膜形成部に回
り込みにくいように、上流側に向ける。このとき、酸素
導入ノズル１５１からの酸素流は集束している方がよ
い。
【００２０】図３に酸素流を集束させることのできる酸
素導入ノズル１５１の一例を斜視図にて示している。図
３中のハッチング部１５５は断面を示すもので酸素導入
配管にいたるものである。導入する酸素１５８は酸素配
管から酸素導入路１５６を通ってスリット部１５７から
真空中に発せられる。なお、１５８は模式的に酸素の流
れを示したものである。図３のようにスリット部１５７
の間隙が導入路長より十分に小さいとき酸素流は集束す
る。図３のような折れ曲がり形状は酸素流集束のために
は必要ではないが、ここでは設置に都合がよいようにこ
のような折れ曲がり形状としている。
素導入ノズル１５１の一例を斜視図にて示している。図
３中のハッチング部１５５は断面を示すもので酸素導入
配管にいたるものである。導入する酸素１５８は酸素配
管から酸素導入路１５６を通ってスリット部１５７から
真空中に発せられる。なお、１５８は模式的に酸素の流
れを示したものである。図３のようにスリット部１５７
の間隙が導入路長より十分に小さいとき酸素流は集束す
る。図３のような折れ曲がり形状は酸素流集束のために
は必要ではないが、ここでは設置に都合がよいようにこ
のような折れ曲がり形状としている。
【００２１】図４に酸素導入ノズル１５１が設置されて
いる様子を膜形成初期部の概略拡大図で示している。集
束した酸素流が基板走行方向に対し上流側に向くように
酸素導入ノズル１５１が設置されている。ここで、集束
酸素流のさらに望ましい導入方向について説明する。図
４中において、遮蔽板１４１は蒸発原子の入射角がφb
となるように設置されている。図中φb は９０゜として
いる。酸素導入ノズル１５１からの集束酸素流は蒸発原
子の入射角がφa （φa ＜φb ）なる点に向けて導入す
る。図中φa は８５゜としている。このようにすること
で、入射角φa 以上の部分は集束酸素流の影響を強く受
ける。例えば、蒸発原子がコバルトの場合、入射角φa
以上の部分は十分に酸化されてＣｏＯとなる。図面的に
蒸発原子は入射角φb なる点を越えることはないが、実
際には、蒸発原子は散乱しているので入射角φb なる点
を越え、さらに上流側においても基板１００に堆積す
る。このような部分も酸化され、膜質改善に寄与する。
したがって、この発明の初期入射角φi はφa に相当す
るといえる。
いる様子を膜形成初期部の概略拡大図で示している。集
束した酸素流が基板走行方向に対し上流側に向くように
酸素導入ノズル１５１が設置されている。ここで、集束
酸素流のさらに望ましい導入方向について説明する。図
４中において、遮蔽板１４１は蒸発原子の入射角がφb
となるように設置されている。図中φb は９０゜として
いる。酸素導入ノズル１５１からの集束酸素流は蒸発原
子の入射角がφa （φa ＜φb ）なる点に向けて導入す
る。図中φa は８５゜としている。このようにすること
で、入射角φa 以上の部分は集束酸素流の影響を強く受
ける。例えば、蒸発原子がコバルトの場合、入射角φa
以上の部分は十分に酸化されてＣｏＯとなる。図面的に
蒸発原子は入射角φb なる点を越えることはないが、実
際には、蒸発原子は散乱しているので入射角φb なる点
を越え、さらに上流側においても基板１００に堆積す
る。このような部分も酸化され、膜質改善に寄与する。
したがって、この発明の初期入射角φi はφa に相当す
るといえる。
【００２２】酸素導入ノズル１５１から初期入射部に導
入する酸素量は、終期入射部の酸素導入ノズル１５０か
らの酸素量の高々１／３以下でよい。これは、初期入射
部の蒸発原子の密度が低いからである。１／５程度が好
適である。これは、導入量の増加にともない成膜部への
酸素の回り込み量が増加するからである。ただし、この
導入量は、装置の大きさや排気速度により異なるので、
一義的には決まらないものである。
入する酸素量は、終期入射部の酸素導入ノズル１５０か
らの酸素量の高々１／３以下でよい。これは、初期入射
部の蒸発原子の密度が低いからである。１／５程度が好
適である。これは、導入量の増加にともない成膜部への
酸素の回り込み量が増加するからである。ただし、この
導入量は、装置の大きさや排気速度により異なるので、
一義的には決まらないものである。
【００２３】以上のような対策をとっても、初期入射部
に導入した酸素の膜形成部への回り込みを完全に防止し
その影響を完全に抑制することは困難である。そこで、
余分な酸素を速やかに排気するために、遮蔽板１４１を
平板状としかつ平板面が円筒状キャン１１０上の基板１
００に対向しないようにし、初期入射部における排気速
度を高める。ここでさらに重要な点は、膜形成部の開口
部を広くすることである。すなわち、遮蔽板１４１と遮
蔽板１４０との間隔を広げることである。膜形成部の開
口部を広くすることで、膜形成部全体に及ぼす酸素の回
り込みの影響を緩和することが可能である。１個の蒸発
源１３０に２カ所の蒸発部１８０，１８１があって広い
開口幅を実現しているこの実施例の構成は、酸素の回り
込みの影響を緩和する上で非常に有効である。図６に示
した従来例では、開口幅の拡大は入射角を単に低角にす
ることになり、入射角の点で膜特性の改善はできなくな
ってしまう。
に導入した酸素の膜形成部への回り込みを完全に防止し
その影響を完全に抑制することは困難である。そこで、
余分な酸素を速やかに排気するために、遮蔽板１４１を
平板状としかつ平板面が円筒状キャン１１０上の基板１
００に対向しないようにし、初期入射部における排気速
度を高める。ここでさらに重要な点は、膜形成部の開口
部を広くすることである。すなわち、遮蔽板１４１と遮
蔽板１４０との間隔を広げることである。膜形成部の開
口部を広くすることで、膜形成部全体に及ぼす酸素の回
り込みの影響を緩和することが可能である。１個の蒸発
源１３０に２カ所の蒸発部１８０，１８１があって広い
開口幅を実現しているこの実施例の構成は、酸素の回り
込みの影響を緩和する上で非常に有効である。図６に示
した従来例では、開口幅の拡大は入射角を単に低角にす
ることになり、入射角の点で膜特性の改善はできなくな
ってしまう。
【００２４】この第１の実施例による真空蒸着装置を用
いて、蒸着テープを作製した具体例について説明する。
円筒状キャン１１０の直径は１．５ｍとし、テープ厚７
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを基板１０
０として使用した。蒸発物質１２０としてはＣｏを用い
た。蒸発部１８０と１８１との間隔は約３０ｃｍとし
た。遮蔽板１４１を図４におけるφb が９０゜となるよ
うに設定し、酸素導入ノズル１５１からの酸素流はφa
が８５゜になるように調整した。また、遮蔽板１４０を
φf が５０゜となるように設定した。このとき、遮蔽板
１４１と１４０との間の開口幅は約５０ｃｍであった。
酸素導入ノズル１５０からは、１．０〔ｌ／分〕の割合
で酸素を導入し、酸素導入ノズル１５１からは０．５
〔ｌ／分〕（サンプル１−１）、０．３〔ｌ／分〕（サ
ンプル１−２）、０．２〔ｌ／分〕（サンプル１−３）
および０．１〔ｌ／分〕（サンプル１−４）の割合で酸
素を導入する場合について実施し、膜厚０．１μｍの磁
性層を形成した。
いて、蒸着テープを作製した具体例について説明する。
円筒状キャン１１０の直径は１．５ｍとし、テープ厚７
μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを基板１０
０として使用した。蒸発物質１２０としてはＣｏを用い
た。蒸発部１８０と１８１との間隔は約３０ｃｍとし
た。遮蔽板１４１を図４におけるφb が９０゜となるよ
うに設定し、酸素導入ノズル１５１からの酸素流はφa
が８５゜になるように調整した。また、遮蔽板１４０を
φf が５０゜となるように設定した。このとき、遮蔽板
１４１と１４０との間の開口幅は約５０ｃｍであった。
酸素導入ノズル１５０からは、１．０〔ｌ／分〕の割合
で酸素を導入し、酸素導入ノズル１５１からは０．５
〔ｌ／分〕（サンプル１−１）、０．３〔ｌ／分〕（サ
ンプル１−２）、０．２〔ｌ／分〕（サンプル１−３）
および０．１〔ｌ／分〕（サンプル１−４）の割合で酸
素を導入する場合について実施し、膜厚０．１μｍの磁
性層を形成した。
【００２５】このようにして作製したサンプルをテープ
状にスリットし、センダストからなるギャップ長０．１
５μｍのリング型磁気ヘッドを用いて記録波長０．５μ
ｍにおける記録再生特性の評価を行った。測定の結果、
サンプル１−３における再生出力（Ｃ）および再生出力
／ノイズ（Ｃ／Ｎ）が最も高かった。他のサンプルのＣ
およびＣ／Ｎをサンプル１−３を基準にして示すと、サ
ンプル１−１が−２．５ｄＢおよび−１．１ｄＢ、サン
プル１−２が−１．１ｄＢおよび−０．２ｄＢ、サンプ
ル１−４が−２．０ｄＢおよび−３．９ｄＢであった。
酸素導入ノズル１５１からの導入酸素量が多すぎる場合
には、ノイズは低くなるが、過剰な酸素が飽和磁化を低
下させるために再生出力も低下するものと考えられる。
また、導入酸素量が少なすぎる場合には、保磁力が低下
することによりノイズが大きくなり再生出力も低下する
と考えられる。
状にスリットし、センダストからなるギャップ長０．１
５μｍのリング型磁気ヘッドを用いて記録波長０．５μ
ｍにおける記録再生特性の評価を行った。測定の結果、
サンプル１−３における再生出力（Ｃ）および再生出力
／ノイズ（Ｃ／Ｎ）が最も高かった。他のサンプルのＣ
およびＣ／Ｎをサンプル１−３を基準にして示すと、サ
ンプル１−１が−２．５ｄＢおよび−１．１ｄＢ、サン
プル１−２が−１．１ｄＢおよび−０．２ｄＢ、サンプ
ル１−４が−２．０ｄＢおよび−３．９ｄＢであった。
酸素導入ノズル１５１からの導入酸素量が多すぎる場合
には、ノイズは低くなるが、過剰な酸素が飽和磁化を低
下させるために再生出力も低下するものと考えられる。
また、導入酸素量が少なすぎる場合には、保磁力が低下
することによりノイズが大きくなり再生出力も低下する
と考えられる。
【００２６】以上の説明では、磁性層が単層構造のもの
について説明したが、２層以上の多層構造でもよい。多
層構造にすることで、磁性層の磁区が小さくなりノイズ
が低くなることが知られている。２層以上の積層型磁性
層とする場合には、各層を形成する際に、入射角、酸素
導入量および膜厚を制御し、膜全体として所望の特性と
なるようにすればよい。
について説明したが、２層以上の多層構造でもよい。多
層構造にすることで、磁性層の磁区が小さくなりノイズ
が低くなることが知られている。２層以上の積層型磁性
層とする場合には、各層を形成する際に、入射角、酸素
導入量および膜厚を制御し、膜全体として所望の特性と
なるようにすればよい。
【００２７】ところで、通常の方法で磁性層を多層構造
とするためには、層の数ほど蒸着を実施する必要があ
り、生産性の低下につながる。つぎの第２の実施例で
は、１回の基板走行で２層構造の磁性層を形成する方法
について説明する。第２の実施例によれば優れた磁性層
をより生産性よく製造することが可能である。図５はこ
の発明の第２の実施例における磁気記録媒体の製造方法
に用いられる真空蒸着装置の一例の内部構成を示す概略
断面図である。図１に示した構成に対して、蒸着成膜部
が２個ある構造である。供給ロール１６０から巻き出さ
れた基板１００は円筒状キャン１１０の周面に沿って走
行し巻き取りロール１７０に巻き取られる。その間に、
蒸発源（第２の蒸発源）１３１、遮蔽板１４３および１
４２からなる第２開口部１９１において下部磁性層が形
成され、次に蒸発源（第１の蒸発源）１３０、遮蔽板１
４１および１４０からなる第１開口部１９０において上
部磁性層が形成される。蒸発源１３１および１３０に
は、蒸着物質１２０および１２１としてＣｏあるいはＣ
ｏ−Ｎｉ合金を仕込む。この蒸発源１３１および１３０
は、基板１００の走行方向に沿って、円筒状キャン１１
０の中心を通る鉛直線に対して基板１００の走行方向の
上流側の同じ側に配置している。
とするためには、層の数ほど蒸着を実施する必要があ
り、生産性の低下につながる。つぎの第２の実施例で
は、１回の基板走行で２層構造の磁性層を形成する方法
について説明する。第２の実施例によれば優れた磁性層
をより生産性よく製造することが可能である。図５はこ
の発明の第２の実施例における磁気記録媒体の製造方法
に用いられる真空蒸着装置の一例の内部構成を示す概略
断面図である。図１に示した構成に対して、蒸着成膜部
が２個ある構造である。供給ロール１６０から巻き出さ
れた基板１００は円筒状キャン１１０の周面に沿って走
行し巻き取りロール１７０に巻き取られる。その間に、
蒸発源（第２の蒸発源）１３１、遮蔽板１４３および１
４２からなる第２開口部１９１において下部磁性層が形
成され、次に蒸発源（第１の蒸発源）１３０、遮蔽板１
４１および１４０からなる第１開口部１９０において上
部磁性層が形成される。蒸発源１３１および１３０に
は、蒸着物質１２０および１２１としてＣｏあるいはＣ
ｏ−Ｎｉ合金を仕込む。この蒸発源１３１および１３０
は、基板１００の走行方向に沿って、円筒状キャン１１
０の中心を通る鉛直線に対して基板１００の走行方向の
上流側の同じ側に配置している。
【００２８】第２開口部１９１における蒸発源１３１に
は蒸発部１８２がある。蒸発部１８２を１カ所でなく２
カ所としてもよい。蒸発部を２カ所とする場合、後述す
る第１開口部１９０と同様の構成とし、遮蔽板１４３の
上流側に酸素導入ノズル１５１と同様の酸素導入ノズル
を設ける。図５においては、装置規模を小さくするため
に１カ所の蒸発部としている。蒸発部１８２からの蒸発
原子は、遮蔽板１４３で初期入射角φi2が規定され、遮
蔽板１４２で終期入射角φf2が規定される。初期入射角
φi2は８５゜以下、終期入射角φf2は５０゜以上が望ま
しい。初期入射角φi2が８５゜以上では膜の結晶配向性
が低下し、終期入射角φf2が５０゜以下では保磁力が低
下する。遮蔽板１４２と円筒状キャン１１０との間には
酸素導入ノズル１５２が設置され、第２開口部１９１に
向け酸素が導入される。遮蔽板１４２の後端部は鍵型に
なっており、酸素導入ノズル１５２からの酸素が下流側
に回り込むのを抑制している。また、遮蔽板１４３は平
板状で円筒状キャン１１０上の基板１００に対向しない
構造となっており、この部分の排気速度が高められてい
る。さらに、蒸発源１３１は第１開口部１９０よりも上
方に位置し、第１開口部１９０の初期入射部の排気を妨
げない構造である。
は蒸発部１８２がある。蒸発部１８２を１カ所でなく２
カ所としてもよい。蒸発部を２カ所とする場合、後述す
る第１開口部１９０と同様の構成とし、遮蔽板１４３の
上流側に酸素導入ノズル１５１と同様の酸素導入ノズル
を設ける。図５においては、装置規模を小さくするため
に１カ所の蒸発部としている。蒸発部１８２からの蒸発
原子は、遮蔽板１４３で初期入射角φi2が規定され、遮
蔽板１４２で終期入射角φf2が規定される。初期入射角
φi2は８５゜以下、終期入射角φf2は５０゜以上が望ま
しい。初期入射角φi2が８５゜以上では膜の結晶配向性
が低下し、終期入射角φf2が５０゜以下では保磁力が低
下する。遮蔽板１４２と円筒状キャン１１０との間には
酸素導入ノズル１５２が設置され、第２開口部１９１に
向け酸素が導入される。遮蔽板１４２の後端部は鍵型に
なっており、酸素導入ノズル１５２からの酸素が下流側
に回り込むのを抑制している。また、遮蔽板１４３は平
板状で円筒状キャン１１０上の基板１００に対向しない
構造となっており、この部分の排気速度が高められてい
る。さらに、蒸発源１３１は第１開口部１９０よりも上
方に位置し、第１開口部１９０の初期入射部の排気を妨
げない構造である。
【００２９】第１開口部１９０の構成は、図１に示した
構成と同様である。１個の蒸発源１３０に基板走行方向
において２カ所の蒸発部１８０および１８１を設けるこ
とで、従来よりも開口部を基板走行方向に拡大すること
ができ、生産性を改善することができる。初期入射角φ
i1は、８５゜以下が望ましい。終期入射角φf1は、磁性
層としての保磁力を確保するために、５０゜以上が望ま
しい。酸素導入ノズル１５０からの酸素導入法は従来例
と同様である。酸素導入ノズル１５１にかかる説明は後
述する。
構成と同様である。１個の蒸発源１３０に基板走行方向
において２カ所の蒸発部１８０および１８１を設けるこ
とで、従来よりも開口部を基板走行方向に拡大すること
ができ、生産性を改善することができる。初期入射角φ
i1は、８５゜以下が望ましい。終期入射角φf1は、磁性
層としての保磁力を確保するために、５０゜以上が望ま
しい。酸素導入ノズル１５０からの酸素導入法は従来例
と同様である。酸素導入ノズル１５１にかかる説明は後
述する。
【００３０】上記方法で磁性層を形成する場合には、上
部磁性層の膜厚を下部磁性層の膜厚よりも厚くなるよう
に設定する。上部磁性層の膜厚の磁性層全体に占める割
合は６０％以上８０％以下が好適である。これは、この
発明においては、結晶学的に下部磁性層を上部磁性層の
下地層と位置づけているためである。下地層たる薄い下
部磁性層上に主たる上部磁性層を形成することで記録再
生特性が改善される。膜厚の厚い上部磁性層を生産性の
高い第１開口部１９０で形成できるので非常に都合がよ
い。
部磁性層の膜厚を下部磁性層の膜厚よりも厚くなるよう
に設定する。上部磁性層の膜厚の磁性層全体に占める割
合は６０％以上８０％以下が好適である。これは、この
発明においては、結晶学的に下部磁性層を上部磁性層の
下地層と位置づけているためである。下地層たる薄い下
部磁性層上に主たる上部磁性層を形成することで記録再
生特性が改善される。膜厚の厚い上部磁性層を生産性の
高い第１開口部１９０で形成できるので非常に都合がよ
い。
【００３１】上記では、酸素導入ノズル１５１から酸素
を導入しない場合でも、上記構成で磁性層を形成するこ
とで磁性層の特性が改善されることについて説明した。
つぎに、酸素導入ノズル１５１から酸素を導入する場合
について説明をする。第１開口部１９０の構成は、蒸発
源１３０および酸素導入ノズル１５１の配置を含め図１
に示した構成とほぼ同様とする。また、酸素導入ノズル
の形状、設置方向および酸素の差し向け方は図３および
図４と同様とする。
を導入しない場合でも、上記構成で磁性層を形成するこ
とで磁性層の特性が改善されることについて説明した。
つぎに、酸素導入ノズル１５１から酸素を導入する場合
について説明をする。第１開口部１９０の構成は、蒸発
源１３０および酸素導入ノズル１５１の配置を含め図１
に示した構成とほぼ同様とする。また、酸素導入ノズル
の形状、設置方向および酸素の差し向け方は図３および
図４と同様とする。
【００３２】以上の構成で、２層構造の磁性層を形成す
る際の酸素導入ノズル１５１から酸素を導入する理由は
以下のようである。酸素導入ノズル１５１から酸素を導
入することにより、第１開口部１９０で形成される上部
磁性層の初期層部分を局所的に酸化する。ただし、酸化
された初期層を上述のように酸化膜下地層とするのでは
ない。ここでの酸化された初期層は、下部磁性層と上部
磁性層との磁気的結合を弱めるための磁気分離層の役目
を担う物である。磁気分離層を設けることで、ノイズの
低減がより促進される。ここでの磁気分離層としての酸
化された初期層は、酸化膜下地層とする場合よりも膜厚
を薄くする必要がある。したがって、初期入射角φi1を
設定する際、図４におけるφa およびφb が一致するよ
うに、遮蔽板１４１および酸素導入ノズル１５１を配置
する。すなわち、このときのφi1はφa およびφb と一
致する。このときに酸化させようとするのは、初期入射
角φi1以上で基板１００に到達する散乱された蒸発原子
であり、導入酸素量も少量でよい。
る際の酸素導入ノズル１５１から酸素を導入する理由は
以下のようである。酸素導入ノズル１５１から酸素を導
入することにより、第１開口部１９０で形成される上部
磁性層の初期層部分を局所的に酸化する。ただし、酸化
された初期層を上述のように酸化膜下地層とするのでは
ない。ここでの酸化された初期層は、下部磁性層と上部
磁性層との磁気的結合を弱めるための磁気分離層の役目
を担う物である。磁気分離層を設けることで、ノイズの
低減がより促進される。ここでの磁気分離層としての酸
化された初期層は、酸化膜下地層とする場合よりも膜厚
を薄くする必要がある。したがって、初期入射角φi1を
設定する際、図４におけるφa およびφb が一致するよ
うに、遮蔽板１４１および酸素導入ノズル１５１を配置
する。すなわち、このときのφi1はφa およびφb と一
致する。このときに酸化させようとするのは、初期入射
角φi1以上で基板１００に到達する散乱された蒸発原子
であり、導入酸素量も少量でよい。
【００３３】初期入射角φi1は、８５゜以下が望まし
い。終期入射角φf1は、磁性層としての保磁力を確保す
るために、５０゜以上が望ましい。酸素導入ノズル１５
１からの酸素導入量は、上述の如く少量でよく、酸素導
入ノズル１５０からの導入量の高々１／２０までであ
り、１／５０程度が好適である。ただし、この導入量
は、前述した如く、装置の大きさや排気速度により異な
るので、一義的には決まらないものである。下部磁性層
形成用に導入される酸素導入ノズル１５２からの酸素が
回り込むと、酸素導入ノズル１５１からの酸素導入によ
る磁性層の制御が困難となるので、遮蔽板１４２の形状
を図５の如く鍵型にするとか、これをできるだけ円筒状
キャン１１０に接近させることが重要である。
い。終期入射角φf1は、磁性層としての保磁力を確保す
るために、５０゜以上が望ましい。酸素導入ノズル１５
１からの酸素導入量は、上述の如く少量でよく、酸素導
入ノズル１５０からの導入量の高々１／２０までであ
り、１／５０程度が好適である。ただし、この導入量
は、前述した如く、装置の大きさや排気速度により異な
るので、一義的には決まらないものである。下部磁性層
形成用に導入される酸素導入ノズル１５２からの酸素が
回り込むと、酸素導入ノズル１５１からの酸素導入によ
る磁性層の制御が困難となるので、遮蔽板１４２の形状
を図５の如く鍵型にするとか、これをできるだけ円筒状
キャン１１０に接近させることが重要である。
【００３４】上記方法で磁性層を形成する場合の各磁性
層の膜厚は、上述した酸素導入ノズル１５１から酸素を
導入しない場合の２層構造の磁性層と同様で、上部磁性
層の膜厚を下部磁性層の膜厚よりも厚くなるように設定
する。上部磁性層の膜厚の磁性層全体に占める割合は６
０％以上８０％以下が好適である。この第２の実施例に
よる真空蒸着装置を用いて、蒸着テープを作製した具体
例について説明する。
層の膜厚は、上述した酸素導入ノズル１５１から酸素を
導入しない場合の２層構造の磁性層と同様で、上部磁性
層の膜厚を下部磁性層の膜厚よりも厚くなるように設定
する。上部磁性層の膜厚の磁性層全体に占める割合は６
０％以上８０％以下が好適である。この第２の実施例に
よる真空蒸着装置を用いて、蒸着テープを作製した具体
例について説明する。
【００３５】蒸発物質１２０および１２１としてはＣｏ
を用いた。第２開口部１９１におけるφi2が８５゜、φ
f2が５０゜となるように遮蔽板１４３および１４２を設
定した。第１開口部１９０におけるφi1が８５゜、φf1
が５０゜となるように遮蔽板１４１および１４０を設定
した。蒸発源１３０の２カ所の蒸発部１８０と１８１と
の間隔は上記第１の実施例と同様（約３０ｃｍ）とし
た。酸素導入ノズル１５１の設定は、集束した酸素流が
蒸発原子の入射角がφi1なる場所に向かうようにした。
以上のような構成で、下部磁性層の膜厚が０．０３μｍ
および上部磁性層の膜厚が０．０７μｍの２層構造の磁
性層を形成した。第２開口部１９１における酸素導入ノ
ズル１５２からは、０．３〔ｌ／分〕の割合で酸素を導
入した。第１開口部１９０における酸素導入ノズル１５
０からは、１．０〔ｌ／分〕の割合で酸素を導入した。
また、酸素導入ノズル１５１からは０〔ｌ／分〕（サン
プル２−１）、０．０２〔ｌ／分〕（サンプル２−
２）、０．０５〔ｌ／分〕（サンプル２−３）および
０．１〔ｌ／分〕（サンプル２−４）の割合で酸素を導
入した。
を用いた。第２開口部１９１におけるφi2が８５゜、φ
f2が５０゜となるように遮蔽板１４３および１４２を設
定した。第１開口部１９０におけるφi1が８５゜、φf1
が５０゜となるように遮蔽板１４１および１４０を設定
した。蒸発源１３０の２カ所の蒸発部１８０と１８１と
の間隔は上記第１の実施例と同様（約３０ｃｍ）とし
た。酸素導入ノズル１５１の設定は、集束した酸素流が
蒸発原子の入射角がφi1なる場所に向かうようにした。
以上のような構成で、下部磁性層の膜厚が０．０３μｍ
および上部磁性層の膜厚が０．０７μｍの２層構造の磁
性層を形成した。第２開口部１９１における酸素導入ノ
ズル１５２からは、０．３〔ｌ／分〕の割合で酸素を導
入した。第１開口部１９０における酸素導入ノズル１５
０からは、１．０〔ｌ／分〕の割合で酸素を導入した。
また、酸素導入ノズル１５１からは０〔ｌ／分〕（サン
プル２−１）、０．０２〔ｌ／分〕（サンプル２−
２）、０．０５〔ｌ／分〕（サンプル２−３）および
０．１〔ｌ／分〕（サンプル２−４）の割合で酸素を導
入した。
【００３６】以上のようにして作製したサンプルをテー
プ状にスリットし、上記第１の実施例と同様に記録波長
０．５μｍにおける記録再生特性の評価を行った。測定
の結果、サンプル２−２におけるＣおよびＣ／Ｎが最も
高かった。他のサンプルのＣおよびＣ／Ｎをサンプル２
−２を基準にして示すと、サンプル２−１が＋０．５ｄ
Ｂおよび−０．５ｄＢ、サンプル２−３が−０．８ｄＢ
および−０．３ｄＢ、サンプル２−４が−２．２ｄＢお
よび−１．８ｄＢであった。なお、上記第１の実施例に
おけるサンプル１−３と第２の実施例におけるサンプル
２−２との比較においては、サンプル２−２の方がＣお
よびＣ／Ｎともに１ｄＢ程度優れていた。これは２層構
造の効果と考えられる。酸素導入ノズル１５１から酸素
を導入しなかったサンプル２−１は再生出力は高いがノ
イズも高くなる。しかし、後述する比較例のサンプルに
比べるとＣおよびＣ／Ｎともに３ｄＢ以上高くなってい
る。酸素導入ノズル１５１から酸素を導入したサンプル
は導入酸素量の増加とともに再生出力が減少する傾向が
あり、多すぎる場合には極端に減少する。これは飽和磁
化が低下すること以上に、余剰な酸素の膜形成部への回
り込みにより結晶配向性が劣化するものと考えられる。
プ状にスリットし、上記第１の実施例と同様に記録波長
０．５μｍにおける記録再生特性の評価を行った。測定
の結果、サンプル２−２におけるＣおよびＣ／Ｎが最も
高かった。他のサンプルのＣおよびＣ／Ｎをサンプル２
−２を基準にして示すと、サンプル２−１が＋０．５ｄ
Ｂおよび−０．５ｄＢ、サンプル２−３が−０．８ｄＢ
および−０．３ｄＢ、サンプル２−４が−２．２ｄＢお
よび−１．８ｄＢであった。なお、上記第１の実施例に
おけるサンプル１−３と第２の実施例におけるサンプル
２−２との比較においては、サンプル２−２の方がＣお
よびＣ／Ｎともに１ｄＢ程度優れていた。これは２層構
造の効果と考えられる。酸素導入ノズル１５１から酸素
を導入しなかったサンプル２−１は再生出力は高いがノ
イズも高くなる。しかし、後述する比較例のサンプルに
比べるとＣおよびＣ／Ｎともに３ｄＢ以上高くなってい
る。酸素導入ノズル１５１から酸素を導入したサンプル
は導入酸素量の増加とともに再生出力が減少する傾向が
あり、多すぎる場合には極端に減少する。これは飽和磁
化が低下すること以上に、余剰な酸素の膜形成部への回
り込みにより結晶配向性が劣化するものと考えられる。
【００３７】比較例として、従来の方法で磁性層を形成
した。真空蒸着装置の基本構成は図６に示すものであ
る。蒸発物質１２０としてはＣｏを用いた。φi が９０
°およびφf が３０°となるように遮蔽板１４１および
１４０を設定した。このとき、遮蔽板１４１と１４０と
の間の開口幅が、上記第１の実施例の開口幅とほぼ同様
の約５０ｃｍとなった。このような構成で、膜厚０．１
μｍの磁性層を形成した。酸素導入ノズル１５０から
１．５〔ｌ／分〕（サンプルＨ１−１）、１．８〔ｌ／
分〕（サンプルＨ１−２）および２．１〔ｌ／分〕（サ
ンプルＨ１−３）の割合で酸素を導入した。
した。真空蒸着装置の基本構成は図６に示すものであ
る。蒸発物質１２０としてはＣｏを用いた。φi が９０
°およびφf が３０°となるように遮蔽板１４１および
１４０を設定した。このとき、遮蔽板１４１と１４０と
の間の開口幅が、上記第１の実施例の開口幅とほぼ同様
の約５０ｃｍとなった。このような構成で、膜厚０．１
μｍの磁性層を形成した。酸素導入ノズル１５０から
１．５〔ｌ／分〕（サンプルＨ１−１）、１．８〔ｌ／
分〕（サンプルＨ１−２）および２．１〔ｌ／分〕（サ
ンプルＨ１−３）の割合で酸素を導入した。
【００３８】以上のようにして作製した比較用サンプル
をテープ状にスリットし、上記第１の実施例と同様に記
録波長０．５μｍにおける記録再生特性の評価を行っ
た。測定の結果、サンプルＨ１−２におけるＣおよびＣ
／Ｎが最も高かった。上記第１の実施例におけるサンプ
ル１−３に対する比較用サンプル１−２のＣおよびＣ／
Ｎはともに約−４ｄＢであった。このように比較例にお
けるサンプルの特性が劣るのは、比較例の場合、実施例
と同じ開口幅でも終期入射角が低角であり、サンプルＨ
１−２においても保磁力が低いことが原因と考えられ
る。また、酸素導入量が多いために、終期入射部から導
入した酸素が初期入射部にも回り込み膜全体の結晶配向
性が劣化していることも原因と考えられる。
をテープ状にスリットし、上記第１の実施例と同様に記
録波長０．５μｍにおける記録再生特性の評価を行っ
た。測定の結果、サンプルＨ１−２におけるＣおよびＣ
／Ｎが最も高かった。上記第１の実施例におけるサンプ
ル１−３に対する比較用サンプル１−２のＣおよびＣ／
Ｎはともに約−４ｄＢであった。このように比較例にお
けるサンプルの特性が劣るのは、比較例の場合、実施例
と同じ開口幅でも終期入射角が低角であり、サンプルＨ
１−２においても保磁力が低いことが原因と考えられ
る。また、酸素導入量が多いために、終期入射部から導
入した酸素が初期入射部にも回り込み膜全体の結晶配向
性が劣化していることも原因と考えられる。
【００３９】上記実施例の説明では、高分子フィルム基
板１００としてポリエチレンテレフタレートフィルムを
用いた場合のみ説明したが、これに限らず、例えばポリ
イミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエーテルイ
ミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等の
高分子フィルムでも、全く同様であることは言うまでも
ない。
板１００としてポリエチレンテレフタレートフィルムを
用いた場合のみ説明したが、これに限らず、例えばポリ
イミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエーテルイ
ミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等の
高分子フィルムでも、全く同様であることは言うまでも
ない。
【００４０】また、円筒状キャン１１０の大きさ、蒸発
原子の入射角、蒸発部１８０，１８１の間隔、酸素導入
量あるいは膜厚なども上記実施例の値に限定されるもの
ではない。
原子の入射角、蒸発部１８０，１８１の間隔、酸素導入
量あるいは膜厚なども上記実施例の値に限定されるもの
ではない。
【００４１】
【発明の効果】この発明によれば、走行している基板上
に、真空蒸着法によってコバルトと酸素またはコバルト
とニッケルと酸素を主成分とする磁性層を形成する際
に、１個の蒸発源に基板走行方向において蒸発部を２カ
所とすることで、従来よりも開口部（蒸発原子の入射範
囲）を基板走行方向に拡大し、終期入射部に酸素を導入
するとともに初期入射部へも酸素を導入することで、高
い生産性で優れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を
製造することができる。
に、真空蒸着法によってコバルトと酸素またはコバルト
とニッケルと酸素を主成分とする磁性層を形成する際
に、１個の蒸発源に基板走行方向において蒸発部を２カ
所とすることで、従来よりも開口部（蒸発原子の入射範
囲）を基板走行方向に拡大し、終期入射部に酸素を導入
するとともに初期入射部へも酸素を導入することで、高
い生産性で優れた記録再生特性を有する磁気記録媒体を
製造することができる。
【００４２】さらに、２つの蒸発源を設けることによ
り、２層構造の磁性層を１回の基板走行で形成すること
ができ、２層構造とすることでより特性の優れた磁気記
録媒体を生産性よく製造することができる。
り、２層構造の磁性層を１回の基板走行で形成すること
ができ、２層構造とすることでより特性の優れた磁気記
録媒体を生産性よく製造することができる。
【図１】この発明の第１の実施例における磁気記録媒体
の製造方法に用いられる真空蒸着装置の内部構成を示す
概略断面図である。
の製造方法に用いられる真空蒸着装置の内部構成を示す
概略断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例における蒸発源の概略
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図３】この発明の第１の実施例における酸素導入ノズ
ルの概略を示す斜視図である。
ルの概略を示す斜視図である。
【図４】この発明の第１の実施例における初期入射部の
概略拡大断面図である。
概略拡大断面図である。
【図５】この発明の第２の実施例における磁気記録媒体
の製造方法に用いられる真空蒸着装置の内部構成を示す
概略断面図である。
の製造方法に用いられる真空蒸着装置の内部構成を示す
概略断面図である。
【図６】従来の磁気記録媒体の製造方法に用いられる真
空蒸着装置の内部構成を示す概略断面図である。
空蒸着装置の内部構成を示す概略断面図である。
１００ 基板 １１０ 円筒状キャン １２０ 蒸発物質 １２１ 蒸発物質 １３０ 蒸発源 １３１ 蒸発源 １４０ 遮蔽板 １４１ 遮蔽板 １４２ 遮蔽板 １４３ 遮蔽板 １５０ 酸素導入ノズル １５１ 酸素導入ノズル １５２ 酸素導入ノズル １６０ 供給ロール １７０ 巻き取りロール １８０ 蒸発部 １８１ 蒸発部 １８２ 蒸発部 １９０ 第１開口部 １９１ 第２開口部
フロントページの続き (72)発明者 石田 達朗 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−41442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−157728（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−193328（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−258226（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開650159（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/85 C23C 14/08 C23C 14/56
Claims (4)
- 【請求項１】 走行する基板上に真空蒸着法によってコ
バルトと酸素またはコバルトとニッケルと酸素を主成分
とする磁性層を形成する際、コバルトまたはコバルト・
ニッケル合金の蒸発源に前記基板の走行方向の上流側お
よび下流側に蒸発部を設け、前記上流側および下流側蒸
発部からの蒸発原子の前記基板への入射範囲を上流側お
よび下流側遮蔽板によって規定し、前記上流側蒸発部か
らの蒸発原子の前記入射範囲の初期入射部への入射角よ
り前記下流側蒸発部からの蒸発原子の前記入射範囲の終
期入射部への入射角の方を小さくし、前記入射範囲の初
期入射部および終期入射部に酸素を導入することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 走行する基板上に真空蒸着法によってコ
バルトと酸素またはコバルトとニッケルと酸素を主成分
とする磁性層を形成する際、前記基板の走行方向の下流
側にコバルトまたはコバルト・ニッケル合金の第１の蒸
発源を配置するとともに、前記基板の走行方向の上流側
にコバルトまたはコバルト・ニッケル合金の第２の蒸発
源を配置し、前記第１の蒸発源に前記基板の走行方向の
上流側および下流側に蒸発部を設け、前記上流側および
下流側蒸発部からの蒸発原子の前記基板への第１の入射
範囲を第１の上流側および下流側遮蔽板によって規定
し、前記上流側蒸発部からの蒸発原子の前記第１の入射
範囲の初期入射部への入射角より前記下流側蒸発部から
の蒸発原子の前記第１の入射範囲の終期入射部への入射
角の方を小さくし、前記第１の入射範囲の初期入射部お
よび終期入射部に酸素を導入し、前記第２の蒸発源から
の蒸発原子の前記基板への第２の入射範囲を第２の上流
側および下流側遮蔽板によって規定し、前記第２の蒸発
源からの蒸発原子の前記第２の入射範囲の初期入射部へ
の入射角より前記第２の蒸発源からの蒸発原子の前記第
２の入射範囲の終期入射部への入射角の方を小さくし、
前記第２の入射範囲の終期入射部に酸素を導入すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 第２の蒸発源に前記基板の走行方向の上
流側および下流側に蒸発部を設け、前記第２の蒸発源の
上流側蒸発部からの蒸発原子を第２の入射範囲の初期入
射部へ入射させ、前記第２の蒸発源の下流側蒸発部から
の蒸発原子を第２の入射範囲の終期入射部へ入射させ、
前記第２の入射範囲の初期入射部に酸素を導入すること
を特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 初期入射部に酸素を導入する際、上流側
遮蔽板よりも上流位置から基板の走行方向の上流側に向
けて酸素を導入する請求項１，２または３記載の磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15690894A JP3241538B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| KR1019940026599A KR100239102B1 (ko) | 1993-10-20 | 1994-10-18 | 자기기록매체의 제조방법 |
| US08/325,125 US5549936A (en) | 1993-10-20 | 1994-10-18 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
| EP94116433A EP0650159B1 (en) | 1993-10-20 | 1994-10-19 | Manufacturing method of magnetic recording medium |
| DE69426748T DE69426748T2 (de) | 1993-10-20 | 1994-10-19 | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsmediums |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15690894A JP3241538B2 (ja) | 1994-07-08 | 1994-07-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0830970A JPH0830970A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3241538B2 true JP3241538B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=15638021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15690894A Expired - Fee Related JP3241538B2 (ja) | 1993-10-20 | 1994-07-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3241538B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580678B2 (en) | 1999-09-08 | 2003-06-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Rewritable compact disk and manufacturing method thereof |
-
1994
- 1994-07-08 JP JP15690894A patent/JP3241538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580678B2 (en) | 1999-09-08 | 2003-06-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Rewritable compact disk and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830970A (ja) | 1996-02-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |