JPS5933628A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5933628A JPS5933628A JP14251682A JP14251682A JPS5933628A JP S5933628 A JPS5933628 A JP S5933628A JP 14251682 A JP14251682 A JP 14251682A JP 14251682 A JP14251682 A JP 14251682A JP S5933628 A JPS5933628 A JP S5933628A
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- Japan
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- film
- permalloy
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- degrees
- recording medium
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は垂直記録方式に適した垂直磁気記録媒体の製造
方法に関する。
方法に関する。
従来例の構成とその問題点
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある１、この方式においては媒体の膜面に垂直方
向が磁化容易軸である垂直磁気記録媒体が必要となる１
）このような媒体に信Ｆｊ、 ？記録すると残貿磁化は
媒体の膜面に垂直方向を向き、従って信号が短波長にな
る程媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる
。垂直磁気記録媒体は高分子材料あるいは非磁性金属等
の非磁性材料から成る基板」二に、ＣＯとＣｒを主成分
とし、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する＋１“θ外
層（以下この磁性層をＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜と呼ぶ）
全スパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成した
ものである。
方式がある１、この方式においては媒体の膜面に垂直方
向が磁化容易軸である垂直磁気記録媒体が必要となる１
）このような媒体に信Ｆｊ、 ？記録すると残貿磁化は
媒体の膜面に垂直方向を向き、従って信号が短波長にな
る程媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる
。垂直磁気記録媒体は高分子材料あるいは非磁性金属等
の非磁性材料から成る基板」二に、ＣＯとＣｒを主成分
とし、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する＋１“θ外
層（以下この磁性層をＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜と呼ぶ）
全スパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成した
ものである。
しかし非磁性基板上に直接にＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を形
成した垂直磁気記録媒体（以下この媒体を序層膜媒体と
呼ぶ）は、信号を記録内生する際の効率が低い。これを
改善するために２層膜媒体が開発されている。これは非
磁性基板とＣｏ−Ｃｒ垂１α磁化膜との間に、膜面内に
磁化容易軛１を有するパーマロイ膜を設けたものである
。この様な縮性な・有する２層膜媒体を用いれば、単層
膜媒体（・こ比べ記録効率及び再生効率が改善され、特
に、公Ｅｌ＋の補助磁極励磁型垂直ヘッドにより信号を
記頌内生する際のく力率改善が顕著である。
成した垂直磁気記録媒体（以下この媒体を序層膜媒体と
呼ぶ）は、信号を記録内生する際の効率が低い。これを
改善するために２層膜媒体が開発されている。これは非
磁性基板とＣｏ−Ｃｒ垂１α磁化膜との間に、膜面内に
磁化容易軛１を有するパーマロイ膜を設けたものである
。この様な縮性な・有する２層膜媒体を用いれば、単層
膜媒体（・こ比べ記録効率及び再生効率が改善され、特
に、公Ｅｌ＋の補助磁極励磁型垂直ヘッドにより信号を
記頌内生する際のく力率改善が顕著である。
Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を得るためには、稠密六方構造の
Ｃ＠を膜面に垂直方向（ｌこ配向させることが必要であ
るが、２層膜媒体の場合にはＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向性
がＦ地であるパーマ１コイ膜の配向性に影響される。こ
の原因としてはＣｏ−Ｃｒ膜形成時のエビタキ／−の効
用が考えられ、パーマロイ膜上ＫＣ軸配向性の良いＣｏ
−Ｃｒ膜を得るためには、パーマロイ膜の（１１１）而
が膜面に千行Ｕこなるように結晶を成長させなけれはな
らない。
Ｃ＠を膜面に垂直方向（ｌこ配向させることが必要であ
るが、２層膜媒体の場合にはＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向性
がＦ地であるパーマ１コイ膜の配向性に影響される。こ
の原因としてはＣｏ−Ｃｒ膜形成時のエビタキ／−の効
用が考えられ、パーマロイ膜上ＫＣ軸配向性の良いＣｏ
−Ｃｒ膜を得るためには、パーマロイ膜の（１１１）而
が膜面に千行Ｕこなるように結晶を成長させなけれはな
らない。
発明の目的
本発明はトシ］二ｔ７）ような点に鑑みなされ／ヒもの
で真空蒸着法により、蒸発原子の散板への入射角を限′
ｉドして、移動ｊ〜つつある基板トにＴｉ を蒸着す
ることにより、そのトに配向性の優れた、パーマロイ膜
及びＣｏ−Ｃｒ ＩＩ！Ｉを形成する方法、すなわち、
心性の優れた２ｊ脅膜媒体を形成する方法を提供するこ
とを目的とする。
で真空蒸着法により、蒸発原子の散板への入射角を限′
ｉドして、移動ｊ〜つつある基板トにＴｉ を蒸着す
ることにより、そのトに配向性の優れた、パーマロイ膜
及びＣｏ−Ｃｒ ＩＩ！Ｉを形成する方法、すなわち、
心性の優れた２ｊ脅膜媒体を形成する方法を提供するこ
とを目的とする。
発明の構成
本発明は（１１１）配向性の優−ｈ−たパーマロイ膜を
形成するためには、Ｋ空蒸着法により、蒸発原子の基板
への入射角を限定して形成し／こＴｉ膜十、に、パーマ
ロイ膜を形成すれｄ：よいことが、実験の結果明らかＶ
Ｃなっ／こことによりなされたもので、すなわち、Ｔｉ
膜を真空蒸着法により膜形成初期における蒸発原子
の入射角が６０度以下になるようにして、移動しつつあ
る基板上に形成するものである。
形成するためには、Ｋ空蒸着法により、蒸発原子の基板
への入射角を限定して形成し／こＴｉ膜十、に、パーマ
ロイ膜を形成すれｄ：よいことが、実験の結果明らかＶ
Ｃなっ／こことによりなされたもので、すなわち、Ｔｉ
膜を真空蒸着法により膜形成初期における蒸発原子
の入射角が６０度以下になるようにして、移動しつつあ
る基板上に形成するものである。
以下に第１図〜第５図を１月いて本発明を説明する。２
層膜媒体Ｖこ、ｌｌ、−いては、Ｃ０−Ｃｒ膜の（００
２）而に関するロッキング曲線の半値幅Δθ５ｏを１８
度以下にしないと、信号を記録１′１丁生ずる際の特性
が悪い。
層膜媒体Ｖこ、ｌｌ、−いては、Ｃ０−Ｃｒ膜の（００
２）而に関するロッキング曲線の半値幅Δθ５ｏを１８
度以下にしないと、信号を記録１′１丁生ずる際の特性
が悪い。
第１図ＶＣ１例を示す。なおΔθ６゜Ｕｌ（００２）而
の配向の分散を表１見（〜でいると考えらＩｔ、この値
が小さい稈配向件が艮い。８１１１図の縦１ｆＩｌｌ＋
は２層膜媒体に波長０．６７ｚｍの信号を記録＋Ｉｉ牛
し／こ際の出力の相対値を示し、横軸はＣｏ−Ｃｒ
膜のΔθ５ｏを示す。
の配向の分散を表１見（〜でいると考えらＩｔ、この値
が小さい稈配向件が艮い。８１１１図の縦１ｆＩｌｌ＋
は２層膜媒体に波長０．６７ｚｍの信号を記録＋Ｉｉ牛
し／こ際の出力の相対値を示し、横軸はＣｏ−Ｃｒ
膜のΔθ５ｏを示す。
一！／こ記録及び再生用ヘッドとして６″ｉ補助磁俸励
磁型垂直ヘツドを使用（〜、２層膜媒体におけるパーマ
ロイ膜及びＣｏ−Ｃｒ膜の膜厚をいずれも０．２μｍと
した。Δθ５ｏが１８度以トになると出力が急檄に劣化
する。この原因ｖ１２、Δ０６ｏが１８度以下ではＣｏ
−Ｃｒ膜の残留磁化な、１膜而に垂直方向を向いている
が、１８度を越えると１１１１°ｆ而内を向いてし１う
ためではないかと思われる。
磁型垂直ヘツドを使用（〜、２層膜媒体におけるパーマ
ロイ膜及びＣｏ−Ｃｒ膜の膜厚をいずれも０．２μｍと
した。Δθ５ｏが１８度以トになると出力が急檄に劣化
する。この原因ｖ１２、Δ０６ｏが１８度以下ではＣｏ
−Ｃｒ膜の残留磁化な、１膜而に垂直方向を向いている
が、１８度を越えると１１１１°ｆ而内を向いてし１う
ためではないかと思われる。
第２図には種々の配向性のパーマロイ膜上にＣ０−Ｃｒ
膜を形成した場合の、パーマロイ膜の（１１１）面に
関するロッキング曲線の半値幅Δθム。と、ＣＯ−−Ｃ
ｒ膜の（００２）面に関するロッキング曲線の半値幅Δ
θ６ｏとの関係を示す。この図から、Δθ５゜を小さく
するためには、Δθ４ｏを小さくする必要があり、Δθ
６ｏを１８度以下にするためには、Δθ６ｏ を２６度
以下にしなければならないことがわかる。
膜を形成した場合の、パーマロイ膜の（１１１）面に
関するロッキング曲線の半値幅Δθム。と、ＣＯ−−Ｃ
ｒ膜の（００２）面に関するロッキング曲線の半値幅Δ
θ６ｏとの関係を示す。この図から、Δθ５゜を小さく
するためには、Δθ４ｏを小さくする必要があり、Δθ
６ｏを１８度以下にするためには、Δθ６ｏ を２６度
以下にしなければならないことがわかる。
すなわち、記録ｒＪＴ牛特性の１愛れた２層膜媒体を借
るためＶこは、パーマロイ膜のΔθＳＯを２６度以下に
することが要求さノア〜る。
るためＶこは、パーマロイ膜のΔθＳＯを２６度以下に
することが要求さノア〜る。
実験の結果、真空蒸／ｉ′？法にしり、膜形成初期にお
ける蒸発源−ｒ−の入射角がｅｏｙ−以Ｆになるように
して、移動しつつある基板上に゛ｒｉ膜全形成し、その
上にパーマロイ膜を形成すると、Δθ４ｏが２６度以下
のパーマロイ膜が得られることが明らかになった０この
ことを以下に説明する。なお、′ｌ°１膜を移動しつつ
ある基板上に形成するのは、このようにすることにより
、長 の膜がＭ産できるからである。
ける蒸発源−ｒ−の入射角がｅｏｙ−以Ｆになるように
して、移動しつつある基板上に゛ｒｉ膜全形成し、その
上にパーマロイ膜を形成すると、Δθ４ｏが２６度以下
のパーマロイ膜が得られることが明らかになった０この
ことを以下に説明する。なお、′ｌ°１膜を移動しつつ
ある基板上に形成するのは、このようにすることにより
、長 の膜がＭ産できるからである。
第３図にｋｌ： 、秤々の配向性のＴｉ膜十にパーマロ
イ１１位を形成した場合の、１゛ｉ膜の（００２）而に
関するロッキング曲線の半値幅Δθ／１０と、パーマロ
イ膜の（１１１）面に関するロッキング曲線の半値幅Δ
θｉｏとの関係を示す。この図から、Δθ６’Ｏを２６
度以下にする／ζめには、Δ０．ｉｏを１４度以丁にす
る必要のあることがわかる。
イ１１位を形成した場合の、１゛ｉ膜の（００２）而に
関するロッキング曲線の半値幅Δθ／１０と、パーマロ
イ膜の（１１１）面に関するロッキング曲線の半値幅Δ
θｉｏとの関係を示す。この図から、Δθ６’Ｏを２６
度以下にする／ζめには、Δ０．ｉｏを１４度以丁にす
る必要のあることがわかる。
真空蒸着法により、基板を円筒状キャンの周側面に沿っ
て移動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の薄ｊ
１ケが非常に生産性良く得らノ土る７、第４図にこのよ
うな連続巻取式真窒蒸着装ｊＮの内部構造の概１略を示
す。、基板１は円筒状キャン２の周側面に沿って矢印へ
の向きに走行する。蒸発源６と円筒状キャン２との間に
ロ：マスク５が配置されており、蒸発原子に１、スリッ
トＳを通って基板１に刺着する。
て移動させつつ、薄膜の形成を行なうとテープ状の薄ｊ
１ケが非常に生産性良く得らノ土る７、第４図にこのよ
うな連続巻取式真窒蒸着装ｊＮの内部構造の概１略を示
す。、基板１は円筒状キャン２の周側面に沿って矢印へ
の向きに走行する。蒸発源６と円筒状キャン２との間に
ロ：マスク５が配置されており、蒸発原子に１、スリッ
トＳを通って基板１に刺着する。
３．４はそれぞれ基板１の供給ロール及び巻取りロール
である。寸たψ１は膜形成初期における蒸発原子の入射
角（膜の法線方向と蒸発原子の基板への平均の入射方向
とのなす鋭角を入射角と呼ぶ）、ψ２は膜形成後期にお
ける蒸発原子の入射角を示す。
である。寸たψ１は膜形成初期における蒸発原子の入射
角（膜の法線方向と蒸発原子の基板への平均の入射方向
とのなす鋭角を入射角と呼ぶ）、ψ２は膜形成後期にお
ける蒸発原子の入射角を示す。
第４図に示されるような真空蒸着装置によりＴｉ膜を形
成する場合に、Ｔｉ膜の配向性はψ。に依存することが
実験の結果間らかになった。第６図はψ２が３０度一定
の場合のＴｉ膜のΔθ晶とψ１との関係を示す。Δθａ
Ｏはψ１が大きくなるに従い増加し、ψ１が６０度を越
えると、Δθべ′。は１４度を越えてしまう。すなわち
、ψ１を６Ｑ度以下にしてＴｉ膜を蒸着することにより
、ｌ’ｉ膜のΔθコ′。は１４度以下に々す、このより
なＴｉ膜上にパーマロイ膜及びＧｏ−Ｃｒ膜を形成する
ことにより、Δθ６ｏが１８度以下の２層膜媒体が得ら
れる。
成する場合に、Ｔｉ膜の配向性はψ。に依存することが
実験の結果間らかになった。第６図はψ２が３０度一定
の場合のＴｉ膜のΔθ晶とψ１との関係を示す。Δθａ
Ｏはψ１が大きくなるに従い増加し、ψ１が６０度を越
えると、Δθべ′。は１４度を越えてしまう。すなわち
、ψ１を６Ｑ度以下にしてＴｉ膜を蒸着することにより
、ｌ’ｉ膜のΔθコ′。は１４度以下に々す、このより
なＴｉ膜上にパーマロイ膜及びＧｏ−Ｃｒ膜を形成する
ことにより、Δθ６ｏが１８度以下の２層膜媒体が得ら
れる。
なおψ２は０度から９０度１で変化させても、Ｔｉ膜の
配向ＩＩ４′１１７Ｊ、殆ど変わらなかった。
配向ＩＩ４′１１７Ｊ、殆ど変わらなかった。
実施例の１１）、明
ψ１ を２０度、ψ２を４０度として、第４図に示され
るような連続巻取式真空蒸着装置に」：すＴｉ膜を作製
し、その十に同じく真空蒸着法に」：す、パーマロイ膜
及びＣｏ−Ｃｒ膜を作製した。出来だ膜のΔθ５０１Δ
θ５′Ｏ及びΔθべ′。は、そｈ−それ６度、７度及び
７度であり、２層膜媒体として優れたも面記録方式に適
し特性の優れた２層膜媒体が容易に得られる。
るような連続巻取式真空蒸着装置に」：すＴｉ膜を作製
し、その十に同じく真空蒸着法に」：す、パーマロイ膜
及びＣｏ−Ｃｒ膜を作製した。出来だ膜のΔθ５０１Δ
θ５′Ｏ及びΔθべ′。は、そｈ−それ６度、７度及び
７度であり、２層膜媒体として優れたも面記録方式に適
し特性の優れた２層膜媒体が容易に得られる。
汗、１図は２層膜媒体に信号を記録し門生した場合の、
出力のΔθ５ｏ依存性を示す図、第２図ｄ：パーマロイ
膜上にＣｏ−Ｃｒ膜を形成した場合のパーマロイ膜のΔ
θＳＯとＣｏ −Ｃｒ膜のΔθ１５０との関係を示す図
、第３図はＴｉ膜十にパーマロイ１１ψを形成した場合
の、Ｔ１膜のΔθ−′。とパー−７ｒ：Ｉイ膜。 Δθ６’Ｏとの関係を示す図、卯、４図は連続巻取式真
空蒸着装置の内部の概略を示す図、第５図はＴ１蒸着膜
のΔθ５δとψ１ との関係を示す図である。 １・・・・・基板、２・・・・・キャン、６・・・・マ
スク、６・・・・・蒸発源〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 θ １０ ２０ △θ５０（鷹ジ 第２図 八〇Ｑ００１ ６０％（麿） 第４図 第５図 乞（渚） １２８−
出力のΔθ５ｏ依存性を示す図、第２図ｄ：パーマロイ
膜上にＣｏ−Ｃｒ膜を形成した場合のパーマロイ膜のΔ
θＳＯとＣｏ −Ｃｒ膜のΔθ１５０との関係を示す図
、第３図はＴｉ膜十にパーマロイ１１ψを形成した場合
の、Ｔ１膜のΔθ−′。とパー−７ｒ：Ｉイ膜。 Δθ６’Ｏとの関係を示す図、卯、４図は連続巻取式真
空蒸着装置の内部の概略を示す図、第５図はＴ１蒸着膜
のΔθ５δとψ１ との関係を示す図である。 １・・・・・基板、２・・・・・キャン、６・・・・マ
スク、６・・・・・蒸発源〇 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 θ １０ ２０ △θ５０（鷹ジ 第２図 八〇Ｑ００１ ６０％（麿） 第４図 第５図 乞（渚） １２８−
Claims (1)
- 基板上にＴｉ膜が形成され、その上にパーマロイ膜を介
して、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、ＣＯとＣｒ
を主成分とする磁性層が形成されて成る垂直磁気記録媒
体を製造するに際し、前記Ｔｉ膜を真空蒸着法１・こよ
り膜形成初期における蒸発原子の入射角が６０度以下に
なるようにして、移動しつつある基板」二に形成するこ
とを特徴とする垂直磁気記録媒体の標情方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14251682A JPS5933628A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14251682A JPS5933628A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933628A true JPS5933628A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15317168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14251682A Pending JPS5933628A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933628A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239424A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気デイスク |
| US5543221A (en) * | 1987-09-21 | 1996-08-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-08-17 JP JP14251682A patent/JPS5933628A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61239424A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気デイスク |
| US5543221A (en) * | 1987-09-21 | 1996-08-06 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium |
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