JPS5812140A - 磁気テ−プ転写方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は強磁性薄膜を非磁性基体に設けて構成した磁気
テープをマスタテープとして用い、かつ転写バイアス磁
界をテープ面に傾斜してマスタテープの磁化困難軸方向
に印加することによシ、同じ抗磁力を有するテープへの
転写、あるいは従来に比して低い抗磁力を有するマスタ
テープからの転写を可能にした磁気接触転写に関するも
のである。

まず、第１図以下を用いて従来の代表的な転写方式につ
いて説明する。第１図は一括巻取り転写方式の概略の構
成図を示すものである。記録済マスタテープの供給リー
ル２およびスレーブテープの供給リール４よりそれぞれ
記録済マスタテープ１および未記幾のスレーブテープ３
が導出され、互の磁性層を向い合せた状態で走行する。

次に両テープは固定ガイドボスト９の摺動面に一定角度
巻付けられ、続いてその状態でキャプスタン６に一定角
巻付けられた後、巻取りリール１０上に共に巻取られる
。巻取リール１０は支点１１を中心に回転可能なアーム
１２上に設けられ、ばね８の付勢力によって常に巻取リ
ール１ｏ上に巻かれた両テープ６の最外周がキャプスタ
ン６に圧接し、巻かれた両テープｅは巻かれるにしたが
って転写バイアス発生器７の中に入るように構成されて
いる。会取られた後、巻取リールは低スピードで回転し
その間に転写バイアス発生器７から転写バイアスをテー
プの長手方向に印加して、マスタテープ上の信号がスレ
ーブテープ上に転写されることになる。続いて両テープ
は高速でそれぞれの供給リール２および４上に巻戻され
る。

第２図は転写バイアス発生器の概略の構成図を示すもの
である。励磁コイル１３に電流を流して珪素鋼板を積層
した磁心１４およびこれと゛対向する磁心１５との間に
磁界１６を発生せしめ、巻取られた両テープ６の長手方
向に磁界を印加する。

つまり第３図において、Ｘ、７．Ｚはそれぞれテープの
長手方向、巾方向、厚み方向を示すものであるが転写バ
イアス磁界１６は矢印の示すように、主としてテープ長
手方向に加えられる。

このようにして、マスタテープ１の磁性層１７の磁化２
ｏから発生する信号磁界１９によってスレーブテープ３
の磁性層１８が磁化され、マスタテープ上の信号がスレ
ーブテープへ転写される。

上述の方式で転写した代表的な転写特性を示すと第４図
の様になる。

ここでスレーブテープは抗磁力Ｈｃが６７０ｏｅ。

Ｂｒは１４７０ｇａ帽■のＣｏ系酸化鉄テープを用いた
。

一般にマスタテープからスレーブテープ上に信号を転写
する場合、マスタテープの抗磁力は、スレーブテープの
抗磁力の約２．５〜３倍必要とされる。第４図は上述の
スレーブテープに対して、１５００ｏｅおよび２０００
ｏｅの抗磁力を有するマスタテープを用い転写特性を測
定したものである。

この時のへラドテープの相対スピードは５．８ｍ／ｓｅ
ａであり、記録波長は約１μｍの信号を使用した。

１６００ｏｅの抗磁力のマスタテープの場合、転写バイ
アス磁界強度を増加するにつれ、転写出力レベル２１は
次第に増大し、マスタテープ上の磁化が転写バイアス磁
界によって消去され、マスタテープ出力レベル２３が低
下し始める近傍で最大となり、その後、マスタテープ出
力の減少とともに減衰する。

これに対して、２０００ｏｅの抗磁力のマスタテープの
場合には、特性２４のごとく転写バイアス磁界にて消去
されにくいため、転写バイアスに対して２２の特性の様
に、大巾な転写出力を得ることができる。

以上の様に良質な信号を得るためには、スレーブテープ
の抗磁力に対してマスタテープのＨｃは極めて大きなも
のとなる。

上記の例では２０００ｏｅの場合、スレーブテープの約
３倍となっている。

また今後Ｈｃが１０００ｏｅ前後の合金粉末テープある
いは強磁性薄膜形テープなどをビデオ用テープとして試
作されており、これらをスレーブテープとした場合のマ
スタテープは約３０００　ｏｓ以上の抗磁力が必要とさ
れることになる。前述の１５００ｏｅと２０００　ｏ　
ｅのマスタテープはＦｅ’−Ｃ。

系合金粉末の微粒子を塗布したものであるが、塗布形テ
ープで３０００　ｏ　ｅの抗磁力を達成することは極め
て困難であり、現時点では開発の見通しが立たない状態
にある。また、強磁性薄膜形テープでも従来の転写方式
を用いれば同様なことが言える。

本発明はこの点に鑑み、強磁性金属薄膜テープの膜厚方
向の磁気特性の変化および膜厚方向に転写バイアスを印
加することによる反磁界を利用し同一抗磁力を有するテ
ープ間の転写および比較的小さな抗磁力を有するマスタ
テープから、スレーブテープへ信号を転写できるように
したものである。

本預明に用いるマスタテープは、蒸着、スパッタ、メッ
キなどの手段により、ポリエチレンテレフタレートポリ
イミド、ポリアミド系の有機物質などのフィルムあるい
は他の非磁性基板上にＣｏ。

Ｃｏ−Ｃｒ　、　Ｇｏ−ＮＬ等の強磁性薄膜を形成し、
テープ状にスリットしたものである。以下はテープ状の
ものについて説明するがシート状の媒体の転写に関して
も同様である。

以下には斜め蒸着法によって作成した強磁性金属薄膜テ
ープを例にとって述べる。斜め蒸着法は基板面に対して
蒸着する原子を入射角を持たせて蒸着せしめるものであ
る。蒸着したグレインは一般に柱状構造を示しており、
蒸着面と傾いた状態に形成される。

しかしこの柱状の軸の方向が磁気的容易軸方向になるわ
けではなく、磁性体が薄膜であることに１よって静磁エ
ネルギーを最小ならしむる反磁界を発生し、柱状の軸方
向からずれて、よシ面内に近付いた方向をむくことにな
る。これが以下に示す第５図中のθ。方向である。

次に第６図以下を用い、本発明の原理について説明する
。

簡単のため一軸磁気異方性を持つ単磁区粒子の回転モデ
ルを用いて説明する。第６図に示すように非磁性の基板
２６上の強磁性金属薄膜２５の面内の一方向をＸ軸３０
．膜面に対して垂直方向を２軸３１にとり、！、Ｚ面内
で磁界２７の強度ＨとそれがＸ軸となす角度ψを可変す
る場合、エネルギーＥは下式で表現される。

Ｅ−ＭＨＣＯ８（ψ−θ。−θ）　＋ＫｄＳｌｎ２＜ｐ
＋Ｋｕｓｉｎ２θなおＫｄは反磁界による異方性定数で
２πＭ２に等しい。また磁化容易軸方向とＩ軸とのなす
角度をθ。とじた。Ｋｕは一軸異方性定数である。

この時磁化Ｍは上式のエネルギーを最小にする状態で安
定し、磁化容易軸方向２９とθなる角度で安定する。

上記説明を第６図のベクトル図を用いてモデル的に説明
する。簡単のために、θ。二〇　として磁化Ｍｏ３２が
Ｘ軸方向（ここでは磁化容易軸と一致する。）を向いて
いたとする。これに対して磁界Ｈ１３３をψなる角度で
印加すると磁化は上述したごとく、３４の方向を向き、
再びＨｌ　を取りされば３２の位置に戻シＩ軸方向をむ
くことになる。

またＸ方向に一度磁化したＭｏを反転さすだめにはψは
９０°以上である必要がある。

まず磁界Ｈ２３６とＨ３３ｏを９０’以上の角度ψで′
印加した場合を考える。磁界強度の弱いＨ２３５の場合
には磁化は３９のベクトルで示すように若干磁界方向を
むくが磁界を零にすれば再びＸ軸方向におちつく。

しかし磁界強度の充分大きなＨ３３ｏの場合には、ベク
トル３７の位置まで回転し、磁界Ｈ３を零にすれば磁化
は３８で示す位置におちつき元の３２から３８に反転す
る。したがって磁化はＭｏから−Ｍｏに反転したことに
なる。次に磁界の方向を２方向に加えたＨ４４ｏを大き
くした場合には磁化のベクトルは磁界を加えている間は
４１の方向を向くが、磁界を除去するともとのＸ軸方向
の３２の位置にもどる。

以上のことをＭ−Ｈ曲線にて判りやすいように説明する
と第７図のようになる。

第７図４２および４３はそれぞれ単磁区粒子の磁化容易
軸方向（ψ＝０８，１８ｏ０）および磁化困難軸方向（
ψ＝　ｅ　ｏｏ）に磁界Ｈを加えた時のそれぞれの方向
の磁化量Ｍを表わしたものであシ、これはＳｔｏｒｎｅ
ｒ−ｗｏｒｆａｒｔｈモデルとして知られている。すな
わち４２は磁界を加え、次いで反転磁界を加えて、除去
するまで０−ａ−ｂ−ｄ−ｅ　−ｆ　−ｇ−ｈ　−’）
−にのＭ−Ｈカーブを示し、４３はｏ−ｂ−ｄ−ｂ−ｏ
−ｈ−ｊ−ｈ−ｏとなる。これより判ることは４２は磁
界を取り除いた後でも磁界方向に完全に０ 磁化していることであり、４３は磁界方向に対して全く
磁化していないことを意味している。したがって４２は
転写バイアス磁界の作用のもとにテープ上から発生する
信号磁界によって、できるだけ多くの残留磁化が必要と
されるスレーブテープとしての特性として適している。

一方４３は強い転写バイアス磁界に対しても信号磁化が
消去されないことがマスタテープの特性として適してい
る。

したがって転写磁界はできるだけマスタテープに対して
は磁化困難軸方向へ、スレーブテープに対しては磁化容
易軸方向へ印加することが望ましい。実際のテープの場
合には、単磁区粒子の集合体と考えられるから、前述の
ような理想的な角型性の良いＭ　−Ｈｃｕｒｖｅ　　は
得られない。

また本発明ではテープの厚み方向の上記の磁気異方性を
利用している。これは面内の磁気異方性とは大巾に異な
り、後述するように、膜厚方向への磁界の角度によって
著しい磁気特性が変化する性質と薄膜であることによっ
て膜厚方向への磁化から生ずる４πＭｓ相当の反磁界に
より膜内の実効磁界が減少する効果を利用したものであ
る。

したがって第７図では磁化困難軸方向の印加磁界Ｈが増
加し次いで反転磁界が加えられて、除去されるにつれて
４３のｏ−ｃ　−ｄ−ｃ　−ｏ−ｉ−ｊ−ｉ　−。

のりれきをたどる。このように、膜厚方向には強い反磁
界が作用するだめ、飽和磁化ＭＳの大なるマスタテープ
に対しては、マスタテープ上の信号が面内の場合よりさ
らに消えにくくなる。本発明は上記特性および斜め蒸着
による強磁性金属薄膜の強い磁気異方性を利用して、有
効な転写方式を提供しようとするものである。

次に本発明に用いる斜め蒸着テープについて、さらに詳
細に第８図以下を用いて説明する。

第８図は斜め蒸着テープを製造する蒸着装置の構造の一
部を示すものである。基板となるベースフィルム４６は
一慇送用のガイドロール４ｉを経て回転するキャン４６
上に一定角度巻きついた状態で走行し、ガイドロール４
９を経て巻きとられる。

この場合キャン４６の鏡面状に仕上げた表面にベースフ
ィルム４６が密接し、かつキャン４６の内部に具備した
冷却装置によって有効に冷却され、ベースフィルム４５
が熱損傷するのを防止している。斜め蒸着法によるテー
プは基板に対して斜めに蒸着原子の蒸着流を衝突させ蒸
着して得られるものである。

この−例として、ＣｏあるいはＣｏ系合金などの強磁性
金属の蒸発源６２に電子ビーム５３を電子銃６１から照
射し、蒸発源６２を瞬時的に蒸発せしめて、その蒸気流
を例えば６４の位置においては法線ｎ１に対しθ１の角
度で入射せしめ、まだ基板４６がさらに進んだ６６の位
置では、その位置の法線ｎ２に対してθ２の角度で入射
せしめる。この時θ、〉θ２となり、基板４６がキャン
４６にそって移動するにつれて連続的に入射角が小さく
なる。また４８は入射角を制御するマスクである。した
がって、上述の方法で得られた蒸着層の長手方向に対す
る破断面を走査形電子顕微鏡で観察すると第９図の様に
なる。

つまり基板４５との境界近傍ではかなり傾斜しているが
、次第に立った状態にコラム５ｅが形成される。次に以
上の製造方法によって試作したテープの緒特性について
説明する。

第１０図Ａは試作テープ６７の長手方向を！軸方向に、
巾方向を紙面と垂直な方向に配置した状態、したがって
テープ厚みの方向はｙ軸に配置し、外部磁場Ｈをテープ
面に斜めに印加して、振動試料形の磁気特性測定装置Ｖ
ＳＭを用いて、磁気特性を測定する時の配置を示したも
のである。

第１０図Ｂは、第１０図Ａの配置でテープ面に対する角
度ψを変えて得られたＢ−Ｈ線であり、例えば５８，５
９．６０はそれぞれψの値が。。。

−４５°、９０°の時の曲線である。第１０図Ｂから判
かるように角度によって抗磁力Ｈｃが変化しており、ま
た同時に角型比Ｂｒ／Ｂｍも変化している。

ＨｃおよびＢｒ／Ｂｍを上記方法によって測定し、ψに
対する変化を表わすと第１１図の様になる。

これより判かるように一例を示すとＨｃはψが。。

では１０００　ｏｅ　、　Ｏｏを中心にして正方向は角
度を増すにつれて増大し＋ａｏ’〜＋９０’の間で極大
値を持つ。また負方向では角度とともに増大し一６００
近傍で最大値となり、次に一７３°近傍で極小値となっ
て再び角度を増すと増大する特性曲線６１が得られた。

一方Ｂｒ／Ｂｍは＋２００の角度で最大となり、−７３
°近傍で極小となる６２の特性曲線が得られた。

以上の磁気特性は、前述したごとく蒸着テープのコラム
のかだむきで決定されるのではなく、薄膜であることに
よって静磁エネルギーを最小ならしむる反磁界によって
、コラムの軸からずれ、より面内に近すいた方向で決定
している。

すなわち、この方向が磁化困難軸方向を示す第１１図の
一７３°近傍における極小点を示し、面内から２０°程
度磁化容易軸方向が傾むいている。同時に磁化容易軸方
向を示す角型比Ｂｒ／Ｂｍの最大値も＋２０’方向とな
り良く一致している。

次に本発明の接触転写の原理について、第１２図および
第１３図を用いて説明する。

第１２図Ａに示すように斜め蒸着による強磁性金属薄膜
６４を基板６５上に形成したマスクテープと磁性層６７
と基板６６とからなるスレーブテープを用い強磁性薄膜
上に記録された信号磁化６８から発生する６９によって
スレーブテープの磁性層６７を磁化する場合を考える。

この状態に、後述するようにマスクテープが消去されに
くい方向ψ。に転写バイアス磁界７ｏを印加する。この
場合第１２図Ｂに示すように信号磁界７１と転写バイア
ス磁界７２との合成による実効磁界がスレーブテープ上
に加わり、前述の原理に従ってスレーブテープ上の磁化
７４が反転された時、マスタテープ上の信号磁界７１に
よって磁化され、第１３図に示すように７６の信号磁化
が得られる。当然ながらマスタテープとして要求される
特性としてはマスタテープ上に記録された信号が、充分
高いレベルの転写バイアス磁界によって消去されず、常
に強い信号磁界を発生していることである。

以下に本発明者が発見したマスタテープ上の信号磁界（
外部磁界、この場合は転写バイアス磁界に相当する。）
の強度と印加磁界方向による影響について第１４図を用
い説明する。

第１４図はあらかじめ、ＢＢ　＝　７０００ｇａｕｓｓ
　。

ＨＣ＝１０００ｏｅの斜め蒸着テープを長手方向に充分
大きな直流磁界により飽和まで磁化した時の最大残留磁
束密度Ｂｒｏと、この状態のテープに反転磁界の印加方
向（テープ長手方向に対する角度ψ）と強度を変えて加
え、その後の残留磁束密度Ｂｒψとの比Ｂｒψ／Ｂｒψ
の変化を測定したものである。

該反転磁界強度を５００　ｏｓ、　Ｉ　Ｋｏｅ　１．５
Ｋｏｅ　。

２　Ｋｏｅ　、　２．５Ｋｏｅ　、　３Ｋｏｅと変えて
測定した。

第１２図より判かるように比較的磁界強度の小さい場合
には、磁界印加方向ψに対してＢｒψ／Ｂ　ｒ　。

はなだらかに変化するが、磁界強度が大きくなるにつれ
て急峻に変化することが判明した。前述のごとく、この
テープサンプルではＨｃが極小になる磁界印加力向は一
°７３°であり６３の一点鎖線で示す角度である。

本来、との方向に磁界を印加した時が最も消去されにく
いと考えられるが、実際には９０°〜８０゜１７、　。

が最も消去されにくい方向になっている。

これは薄膜のため膜厚方向に強い反磁界が発生し蒸着膜
内部の実効的な磁界が減少するためと考えられる。その
ため、該反磁界による効果と蒸着膜の磁化困難軸方向に
反転磁界を加える効果とによって例えばＩ　Ｋｏｅの転
写バイアスでは＋８５°〜−５００の領域に消去されに
くい角度が発生している。

次に本発明の具体一実施例について説明する。

第１６図は前述した斜め蒸着したテープを用い同一のテ
ープ間で接触転写する場合のマスタテープ７６の磁化容
易軸方向７８とスレーブテープ７７の磁化容易軸方向７
９との位置関係を示したものである。以上のごとくそれ
ぞれテープ長手方向に対して十〇と−θの角度で勾配の
符合が異なる。

第１６図のごとく両テープを接触せしめ、転写バイアス
磁界をテープ厚み方向から、テープ長手方向に対して例
えばψ−−６６°の角度で印加した。

この角度はスレーブテープに対してはψ＝＋６６゜に相
当する。スレーブテープの動作点は第１１図のψ＝＋６
５０におけるカーブ上にあり、Ｈｃ＝１４００　ｏｓ　
Ｂ　ｒ　／　Ｂｍ＝　０．６　　となる。したカッチ、
一般に磁場転写では、良質の信号を得るにはスレーブテ
ープのＨＣの１．６倍程度の転写バイアス磁界が必要と
されるので、上記実施例の場合には２１００　ｏｓ程度
の転写バイアス磁界が用いられる。

この場合マスタテープ上の信号は転写バイアス磁界によ
って第１４図からも明らかなように−１，ｓｄＢの劣化
程度であり、実用上問題なく良質の画像信号が得られた
。

以上のごとく、同一テープ間でもマスタテープの磁化容
易軸方向とスレーブテープの磁化容易軸とテープ長手方
向となす勾配の正負の符合が異なるように配置し、転写
バイアス磁界を所定の角度と強度を設定することによっ
て、接触転写が可能になるものである。

上記実施例は同一テープ間の例であるが、もちろん、ス
レーブテープとしてさらにＨｃが小さく、動作点におけ
るＢｒ／Ｂｍの大きなテープを用いることが望ま、しい
。

１９゜ またスレーブテープとしてｒ　−Ｆ　ｅ　２０３　＋　
Ｃｒ　０２ｔＣ〇−酸化鉄、その地合金粉末など塗布型
テープを用いる場合も同様に転写可能であシ、この場合
に−は次の様な特徴がある。前述したように本発明に用
いた強磁性金属薄膜テープの場合、膜厚方向からの反磁
界は最大４πＭＳであシフ０００〜１００００（至）。

これに対して塗布型では１０００〜５０００ｏｅである
。従って前者をマスタテープとして、後者をスレーブテ
ープに用いることによって各テープ内部での実効磁界に
差を生じせしめて、有効な転写を可能にすることができ
るものである。

またスレーブテープとしてＣｏ−Ｃｒ等の垂直記録媒体
を用いる場合には、スレーブテープの磁化容易軸は膜面
に垂直のため動作点におけるＢｒ／Ｂｍは極めて良好に
選定可能であり、第１４図にも示したようにマスタテー
プが最も消去されにくい９ｏ０方向の転写バイアス磁界
を用いることによって良質の信号を得ることができるも
のである。

以上の様に転写バイアス磁界の方向と強度は、スレーブ
テープによ、って異なるが、例えば最近の高密度記録用
としてＣＯ酸化鉄、ＣｒＯ２，Ｆｅ系合金などテープの
Ｈｃは５５０〜１４００ｏｅであシ、また斜め蒸着テー
プのＨＣは７００〜１０００ｏθなどである。

しだがってＨｃの小さなテープ例えば６５０ｏｅ程度の
Ｃｏ酸化鉄テープに転写するためには、その１，６倍の
転写バイアス磁界強度は約５５ｏｏｅが適当であり、こ
の場合、印加磁界方向は汁８５°〜−４８°が最適であ
った。一方、蒸着テープの場合第１１図のととくＨｃが
角度ψによって変化するが動作点において、スレーブテ
ープのＨＣ：１５００ｏｅの場合には、２．３Ｋｏｅの
転写バイアス磁界強度と一６０°〜＋８５°が実験的に
良質の画質を得るのに適していた。

すなわちマスタテープの磁化困難軸方向を中心にして正
方向には＋２００負方向には一２６°の範囲の方向に転
写バイアス磁界を印加することによって、マスタテープ
の信号の劣化が−２〜−３ｄＢ以内にとどまり実用可能
な範囲・内で使用できることが判った。

捷だ、転写バイアス磁界の方向を磁化困難軸方向（ここ
では−７３°）から＋８５°の範囲に選んだ場合には１
５Ｋｏｅ　　程度の極めて大きな転写バイアス磁界強度
に対しても、第１４図におけるＡＫｏｅ印加時のカーブ
と同じ特性が得られてマスタチーブトの信号はほとんど
消去されないことも同時に判明した。

したがって、この範囲の転写バイアス磁界を利用するこ
とにより、さらに良質な信号が得られるものである。

以トのように本発明によれば同一テープあるいはＨＣの
比較的小さなテープからの接触転写が可能となる。また
、転写バイアス磁界の方向をマスタテープの磁化困難軸
方向に対して正方向に＋２００負方向に一２６°範囲内
に選ぶことにょシ、マスタテープ上の信号がほとんど消
去されない状態で使用でき、良質の転写出力を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は転写装置の概略構成を示す平面図、第２図は転
写バイアス磁界発生器の概略構成平面図、第３図は転写
の原理を示す斜視図、第４図は従来の転写特性図、第６
図および第６図は強磁性金属薄膜テープの原理図、第７
図は強磁性金属薄膜テープのＭ−Ｈ特性図、第８図は斜
め蒸着テープ製造装置の構成図、第９図は斜め蒸着テー
プの断面を模式的に示す図、第１０図Ａは斜め蒸着テー
プの厚み方向に対する測定方法を示す図、Ｂは同斜め蒸
着テープの特性図、第１１図は斜め蒸着テープのＨｃお
よびＢｒ／Ｂｍの特性図、第１２図Ａ。 Ｂおよび第１３図は本発明の接触転写の原理図、第１４
図は本発明の転写バイアス磁界方向と強度に対するマス
タテープの特性図、第１５図は本発明の接触転写の原理
図である。 １・・−マスターテープ、３−・・・・・スレーブテー
プ、７・・・・・・転写バイアス発生器、１ｏ・・・・
巻取リール。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 第３図 ＠　４　図 亨云写ハ゛イＹスｊ銭シトＲ’ｌ＜羽し１ｆ！。 第６８１ 第８図 第９図 第１０１ｆ μ ＠ＩＩＩＷ ゾ（頂） 第１２図 ４ ＠１３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）信号記録済マスタテープと未記録のスレーブテー
   プの磁性層とを互に密接せしめ外部より前記密接した両
   テープの磁性層面と傾斜し、前記マスクテープの磁化困
   難軸方向を中心に＋２０°〜−２６゜の範囲の方向へ転
   写バイアス磁界を印加し、前記マスタテープ上の信号を
   スレーブテープ上に転写することを特徴とする磁気テー
   プ転写方式。
2. （２）マスタテープの磁化容易軸方向がテープ長手方向
   となす傾きと、スレーブテープの磁化容易軸方向のテー
   プ長手方向との傾きの正負の符号が異なることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項に記載の磁気テープ転写方式
   。