JPH03295018A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録再生特性に優れた垂直磁気記録媒体
に関する。

従来の技術 短波長記録再生特性に優れた磁気記録方式とし７て、垂
直磁気記録方式がある。この方式においては垂直磁気異
方性を有する垂直磁気記録媒体が必要となる。このよう
な媒体に信号を記録すると磁化は媒体の膜面に垂直方向
を向く。従って信号が短波長になるほど、媒体内反磁界
が誠少し、高い再生出力が得られる。

現在一般的に用いられている垂直磁気記録媒体は、高分
子フィルム上に直接に、あるいはＴｌＧｅ、Ｓｉ、Ｃａ
Ｏ，ＳｉＣ２，高分子等の非磁性下地層を介して、Ｃｏ
基の垂直磁気異方性を有する合金磁性層をスバ、り法や
真空茎着法により形成したものである。特にＣＯとＣｒ
を含有する膜は、ＣｒＯ量が３０重量％以下の範囲では
結晶系が稠害六方構造であり、そのＣ軸を膜面に対して
垂直方向に配向させることが可能であるので、容易に垂
直磁気異方性膜を実現できる。

発明が解決しようとする課題 垂直磁気記録方式は、原理的に高密度記録に適した記録
方式であるが、従来のリング形磁気ヘッドを用いて記録
再生を行おうとすると、必ずしも十分な再生出力を得る
ことができなかった。すなわち、リング形磁気へノドか
ら漏れる磁束の、媒体に垂直方向の成分が少ないために
、有効に垂直磁気記録媒体に記録することができなかっ
た。また再生の時も同様に、膜面垂直方向に記録された
磁化をリング形磁気ヘッドで有効に読み出すことができ
なかった。

課題を解決するための手段 本発明は、上記の問題点を解決するために、支持基板上
に少なくともＣＯとＣｒ、またはＣＯとＣｒとＮｉを主
成分として含む垂直磁化膜が形成されて成る垂直磁気記
録媒体において、前記垂直磁化膜の抗磁力を膜面の法線
に対する印加磁界方向を変化させながら測定したときに
、抗磁力曲線の最大値が膜面の法線方向から５°以上４
５°以下ずれており、極大値・極小値が各々一つである
ことを特徴とする。

作用 本発明の媒体は抗磁力曲線の最大値が膜面の法線方向か
らずれているので、磁化容易方向が膜面の法線に対して
傾斜している。そこで磁気ヘッドとしてリング形磁気ヘ
ッドを用いた場合に記録され易い、また抗磁力曲線の極
大値・極小値が各々一つずつであるので、自己減磁作用
もほとんどなく、高い再生出力が得られる。

実施例 次に本発明を具体的に実施例に基づいて説明する。

第１図の実施例Ａは、本発明の垂直磁気記録媒体の抗磁
力の印加磁界方向依存性を示す曲線の例である。第１図
のφは、第２図に示すように、媒体１に垂直で、媒体の
法線２を含むある特定の面内で、印加磁界方向３と媒体
の法線２とのなす角度である。従って、０°及び１８０
ａは同し角度で媒体の法線方向であり、９０°は媒体面
内方向である。また第１図においては、実施例Ａとの比
較のために、比較例Ｂ及び比較例Ｃが示されている。実
施例Ａ、比較例Ｂおよび比較例Ｃは、ともにＣｏとＣｒ
からなる合金であり、作製方法も蒸発原子の基板への入
射角を除いては同一であるが、抗磁力の印加磁場依存性
は第１図に示すように大きく異なる。第１図の比較例Ｂ
は従来の垂直磁気記録媒体を示すもので、抗磁力は膜面
に垂直方向０°で極大値を取る。第１図の実施例Ａは極
大極小値が１つずつしかない点では比較例Ｂと同しであ
るが、抗磁力の極大値が膜面に垂直方向から約１０°ず
れている点が異なっている。比較例Ｃは抗磁力の極大値
が膜面に垂直方向から約１０゜ずれている点では実施例
Ａと同しであるが、極大値・極小値が共に２つ存在する
点で実施例Ａと根本的に異なる。

第１図のＡ−Ｃの媒体を従来のリング形磁気へ７ドを用
いて記録再生すると、実施例への媒体は比較例Ｂおよび
比較例Ｃに比較して高い再生出力を示すが、この理由を
次に説明する。まず比較例Ｂの従来の垂直磁気記録媒体
は、第１図の抗磁力の印加磁場依存性より、磁化容易軸
が膜面にほぼ垂直であると考えられる。そのために、リ
ング形磁気ヘッドで十分な記録を行うことは困難である
。

そこで磁化容易軸を膜面に垂直な方向から傾斜させると
、良好な記録再生特性が得られる。このような媒体が実
施例Ａである。しかし磁化容易軸が傾斜し過ぎると、減
磁作用が大きくなり、記録再生特性も劣化する。このよ
うな状態が比較例Ｃである。比較例Ｃではｐに示すよう
な抗磁力曲線の大きなくぼみが見られるが、この特徴的
な抗磁力線の形は面内記録媒体である蒸着（ＭＥ）テー
プに！（以したものである（篠原、吉田、小田桐、蓮郷
：金属芸着テープの柱状構造と性質、アイ　イイー・イ
ー、磁気に関する報告書、２０巻、５号、８２４頁、１
９８４年［Ｋ、５ＨＩＮＯＨＡＲＡＨ，ＹＯ５ＩＩＩＤ
Ａ　Ｍ、０ＤＡＧＩＲＩ　ＡＮＤ　Ａ、ＴＯＭＡＧＯ：
Ｃ０ＬＬＩ門ＮＥＲ５ＴＲＵＣＴＩＩＲＥ　　ＯＦ　　
ＭＥＴＡＬ−ＥＶＡＰＯＲＡＴＥＤ　　ＴＡＰＥ、１Ｅ
ＥＥＴｒａｎｓ　ａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｓ、νｏｊ、　ＭＡＧ−２０，Ｎｏ、５ｐ、８２４
（１９８４）　］　）　、つまり、従来のＣｏ−Ｃｒ垂
直磁気記録媒体の磁化容易軸を膜面の法線方向から次第
に傾けて行き、面内磁化容易軸を持つ成分が多く発生す
る直前の傾きで止めた実施例へが、リング形磁気ヘッド
を用いて最高の記録再生特性を有する。抗磁力曲線の最
大価の膜面法線方向からのずれは５°以上４５°以下が
適当である。また、抗磁力曲線に於て、第１図Ｐに示す
ような落込みができると、面内容易磁化成分により減磁
作用が起こり特性は大幅に低下する。よって極大値極小
値はただ一つずつであるのがよい。以上はＣｏ−Ｃｒ垂
直磁気記録媒体について説明したが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ
垂直磁気記録媒体でもほぼ同様のことが言える。　次に
、第１図に示す様な特徴を有する媒体の製造法の一例を
、第３図に基づいて説明する。膜面の法線に対して磁化
容易軸が傾斜している薄膜媒体は真空蒸着法により作製
可能である。真空蒸着法に於いては高分子基板を円筒状
キャンの周面に沿って走行させつつ薄膜の形成を行うと
テープ状の磁気記録媒体が非常に生産性よく得られる。

第３図はこのような真空蒸着装置の内部構造の概略図で
ある。高分子基板４が円筒状キャン５の周面に沿って走
行する。蒸発源６と円筒状キャン５との間には遮蔽板７
が配Ｗされており、この遮蔽板７の開口部を通って蒸発
原子８は基板４に付着する。Ｃｏなとの高融点金属を高
いレートで蒸発させるための蒸発源としては電子ビーム
蒸発源が適している。９．ｌＯは基板を巻くためのボビ
ンであり、９は巻出し側、１０は巻取り側ボビンである
。θ１．θ２は蒸着開始部及び蒸着終了部に於ける革着
原子の基板への入射角である。

巻出し側ボビン９から巻出された基板４は円筒状キャン
５の周面に沿って矢印の方向１１に走行する。基板４は
円筒状キャン５の周面で磁性層を形成された後、巻取り
ボビン１０に巻き取られる。

蒸発源の中にはＣＯとＣｒを含有する合金を入れておく
。蒸発原子の基板への入射角は、膜の成長にともなって
θ１からθ２に変化する（以後、このような連続的に変
化する角度を（θ１．θ２）と表わす）。本実施例では
入射角を（２５゜−２５”）、（４５°　２０°）、（
６５°、２０°）にして媒体を約２００ｎｍの厚みに作
製した。この媒体の抗磁力を、基板の搬送方向に印加磁
場を変化させて測定すると、第１図のＡ、Ｂ、Ｃにそれ
ぞれ類似の抗磁力曲線を持つ媒体が得られた。

更にＡ−Ｃの媒体上に、保護層としてプラズマインジェ
クノヨンＣＶＤ法によりダイアモンド状炭素嗅を約１０
ｎｍ形成した後、更に弗素系の潤滑材を塗布した。

以上のごとく作製した本発明の媒体の１３０ｋＦＲＰｌ
　　（１インチ当り１３００００回の磁化反転のある記
録状態）に於ける再生出力及びノイズを従来の媒体と比
較して第１表に示す。ただし、リング形磁気ヘッドとし
てはギャンプ長０．１５μｍのアモｌレファスヘンドを
用いた。

第１表 第１表から本実施例の磁気記録媒体Ａが比較例Ｂ及びＣ
に比べて高い再往出力を有していることがわかる。従っ
て本発明の媒体を用いることにより高シ）Ｓ／ト比が得
られる。

また、本実施例では保護層としてダイアモンド状炭素層
を形成した場合について述べたが、Ｃ００またはＣｏ−
Ｎｉ−０部分酸化膜をダイアモンド状炭素層の代わりに
用いることも可能である。

この場合Ｃｏ−０またはＣｏ−Ｎｉ−０層は単に保護層
としてではなく磁性層として働き、更に高いＳ／Ｎ比が
得られる（特願平１２２３５５８号１特願平１−２２３
５６２号）。

発明の効果 本発明によれば、従来のリング形磁気ヘッドを用いて、
優れた高宙度記録再生特性を示す垂直磁気記録媒体が作
製可能である。

【図面の簡単な説明】

第１圀は本発明の一実施例に於ける抗磁力の印加磁界依
存性を示す図、第２図は第１図の抗磁力の印加磁界依存
性を測定する方法を説明する図、第３図は本発明の媒体
を製造するための真空蒸着装置の概略を示す図である。 ｌ・・・・媒体、２・・・・・・媒体の法線、３・・・
・・印加磁界方向、４・・・高分子基板、５・・・・・
円筒状キャン、６・・・・蒸発源、７・・・・・遮蔽板
、８・・・・・・蒸発原子、９・・・巻出しボビン、１
０・・・・・・巻取りボビン、１１・・・・・・基板の
搬送方向。 第 １ 図 ψ （°） 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持基板上に少なくともＣｏとＣｒ、またはＣｏとＣｒ
   とＮｉを主成分として含む垂直磁化膜が形成されて成る
   垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁化膜の抗磁力を
   膜面の法線と印加磁界のなす角を変化させながら測定し
   たときに、抗磁力曲線の最大値が膜面の法線方向から５
   ゜以上４５゜以下ずれており、極大値・極小値が各々一
   つであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。