JPS5914132A - 磁気テ−プ転写装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は強磁性薄膜を非磁性基体に設けて構成した磁気
テープをマスクテープとして用い、かつ転写バイアス磁
界をテープ面に傾斜してマスクテープの磁化困難軸方向
に印加することにより、同じ抗磁力を有するテープへの
転写、あるいは従来に比して低い抗磁力を有するマスク
テープからの転写を可能にした磁気接触転写装置に関す
るものである。

捷ず、第１図以下を用いて従来の代表的な転写方式につ
いて説明する。第１図は一括巻取り転写方式の概略の構
成図を示すものである。記録済マスタテープの供給リー
ル２およびスレーブテープの供給リール４よりそれぞれ
記録済マスタテープ１および未記録のスレーブテープ３
が導出され、互の磁性層を向い合せた状態で走行する。

次に両テープは固定ガイドボスト９の摺動面に一定角度
巻付けられ、続いてその状態でギヤプスタン已に一定角
巻刊けられた後、巻取りリール１０上に共に巻取られる
。巻取リール１０は支点１１を中心に回転可能なアーム
１２上に設けられ、ばね８の付勢力によって常に巻取り
−ル１０上に巻かれた両テープ６の最外周がキャプスタ
ン５に圧接し、巻かれた両テープ６は巻かれるにしたが
って転写バイアス発生器７の中に入るように構成されて
いる。巻取られた後、巻取リールは低スピードで回転し
その間に転写バイアス発生器７から転写バイアス全テー
プの長手方向に印加して、マスクテープ−Ｌの信号がス
レーブテープ上に転写されることになる。続いて両テー
プは高速でそれぞれの供給リール２および４上に巻戻さ
れる。

第２図は転写バイアス発生器の概略の構成図を示すもの
である０励磁コイル１３に電流を流して珪素鋼板を積層
した磁心１４およびこれと対向する磁心１６との間に磁
界１６を発生せしめ、巻取られた両チーゾロの長手方向
に磁界を印加する。

つまり第３図において、ｘ９ｙ９ｚはそれぞれテープの
長手方向、巾方向、厚み方向を示すものであるが転写・
・イアス磁界１６は矢印の示すように、主としてテープ
長手方向に加えられる。

このようにして、マスクテープ１の磁性層１７の磁化２
０から発生する信号磁界１９によってスレーブテープ３
の磁性層１８が磁化され、マスタチーブ上の信号がスレ
ーブテープへ運転される。

上述の方式で転写した代表的な転写特性を示すと第４図
の様になる。

ごこでスレーブテープは抗磁力Ｈｃが６７０ｏｅ。

Ｂｒは１４７０ｇａｕｓｓのｃｏ系酸酸化鉄テープ用い
たＯ 一般にマスタテープからスレーブテープ上に信号を転写
する場合、マスクテープの抗磁力は、スレーブテープの
抗磁力の約２．５〜３倍必要とされる。第４図は上述の
スレーブテープに対して、１５００　ｏ６および２００
００ｅの抗磁力を有するマスタテープを用い転写特性を
測定したものである。

この時のへラドチーブの相対スピードＩｒｉ　５．８　
ｍ　／ｉ：ｅｃであり、記録波長は約１μｍの信号を使
用した。

１５００ｏｅの抗磁力のマスクテープの場合、転写バイ
アス磁界強度を増加するにつれ、転写出力レベル２１は
次第に増大し、マスタチーブ上の磁化が転写バイアス磁
界によって消去され、マスクテープ出力レベル２３が低
下し始める近傍で最大となり、その後、マスクテープ出
力の減少とともに減衰する。

これに対して、２０００ｏｅの抗磁力のマスクテープの
場合には、特性２４のごとく転写バイアス磁界にて消去
されにくいため、転写バイアスに４１して２２の特性の
様に、大巾な転写出力を得ることができる〇 以上の様に良質な信号を得るためには、スレーブテープ
の抗磁力に対してマスクテープのＨｃは極めて大きなも
のとなる。

上記の例で（ｄ　２０００　ｏ　ｅの場合、スレーブテ
ープの約３倍となっている。

丑だ今後ＨＣが１０．０００ｅ前後の合金粉末テープあ
るいは強磁性薄膜形テープなどをビデオ用テープとして
試作されており、これら全スレーブテープとした場合の
マスクテープは約３０ＱＯＯｅ以上の抗磁力が心安とさ
れることになる。前述の１５００ｏｅと２０００ｏｅの
マスタテープはＦｅ−Ｃ０系合金粉末の微粒子を塗布し
たものであるが、塗布形テープで３０００００の抗磁力
を達成することは極めて困難であり、現時点では開発の
見通しが立たない状態にある。また、強磁性薄膜形テー
プでも従来の転写方式を用いれば同様なことが言える。

本発明はこの点に鑑み、強磁性金属薄膜テープの膜厚方
向の磁気特性の変化および膜厚方向に転写バイアスを印
加することによる反磁界を利用し同一抗磁力を有するテ
ープ間の転写および比較的小さな抗磁力を有するマスタ
テープから、スレーブテープへ信号を転写できるように
したものである０ 本発明に用いるマスクテープは、蒸着、スパッタ、メッ
キなどの手段により、ポリエチレンテレフタレートポリ
イミド、ポリアミド系の有機物質などのフィルムあるい
は他の非磁性基板上にＧＯ＋Ｇｏ−Ｇｒ、　Ｇｏ−Ｎｉ
等の強磁性薄膜を形成し、テープ状にスリットしたもの
である。以下はテープ状のものについて説明するがシー
ト状の媒体の転写に関しても同様である。

以下には斜め蒸着法によって作成した強磁性金属薄膜テ
ープを例にとって述べる。斜め蒸着法は基板面に対して
蒸着する原子を入射角を持たせて蒸着せしめるものであ
る。蒸着したグレインは一般に柱状構造を示しており、
蒸着面と傾いた状態に形成される、。

しかしこの柱状の軸の方向が磁気的容易軸方向になるわ
けてはなく、磁性体が薄膜であることによって静磁エネ
ルギーを最小ならしむる反磁界を発生し、柱状のｌｌ＋
方向からずれて、より面内に近付いた方向をむくことに
なる。これが以下に示す肌６図中の００方向である。

次に第６図以下を用い、本発明の原理について説明する
。

簡単のため＝ＩＩＩｌｌ］（磁気異方性を持つ単磁区粒
子の１ｊ７１転モデルを用いて説明する。第５図に示す
ように非磁性の基板２６−ヒの強磁性金属薄膜２５０面
内の一方向をＸｌｌｌｌ１３０、膜面に対して垂直方向
を２軸３１にとり、ｘ、ｚ面内で磁界２７の磁１ｉＨと
それがＸ軸となす角度ψを可変する場合、エネルギーＥ
は下式で表現される。

Ｅ＝ＭＨＣＯ３（ψ−θ。−θ）　＋ＫｄＳｔｎ　９）
→−ＫｕＳｉｎθなおＫｄは反磁界ＶＣよる異方性定数
で２πＭ２に等しい。また磁化容易軸方向と２軸とのな
す角度をθ。とじた。Ｋｕは一軸異方性定数である。

この時磁化Ｍは上式のエネルギーを最小にする状態で安
定し、磁化容易軸方向２９とθなる角度で安定する。

上記説明を第６図のベクトル図を用いてモテル的に説明
する。簡単のために、θ○＝０として磁化Ｍ０３２がＸ
軸方向（ここでは磁化容易軸と一致する。）を向いてい
たとする。これに対して磁界Ｈ１３３をψなる角度で印
加すると磁化は上述したごとく、３４の方向を向き、再
びＨ＋に取りされば３２の位置に戻シｘ軸方向をむくこ
とになる。

またＸ方向に一度磁化したＭＯを反転さすためにはψば
９００以上である必要がある。

捷ず磁界Ｈ２３５とＨ３３６’ｉ９０　以上の角度ψで
印加した場合を考える。磁界強度の弱いＨ２３５の場合
には磁化は３９のベクトルで示すように若干磁界方向を
むくが磁界を零にすれば再びＸ軸方向におちつく。

しかし磁界強度の充分太きｆｉＨ３３６の場合にはベク
トル３７の位置まで回転し、磁界Ｈ３を零にすれば磁化
は３８で示す位置におちつき元の３２から３８に反転す
る。したがって磁化はＭＯから−Ｍｏに反転したことＫ
なる。次に磁界の方向をＺ方向に加えたＨ４４０を太き
くした場合には磁化のべりトルは磁界を加えている間は
４１の方向を向くが、磁界を除去するともとのＸ軸方向
の３２のム装置にもどる。

以上のことをＭ−Ｈ曲線にて判りやすいように説明する
と第７図のようになる。

第７図４２お」：ひ４３はそれぞれ単磁区粒子の磁化容
易方向（ψ＝０．１８０　）および磁化困難１ｔＩ１１
方向（ψ＝９０）に磁界Ｈを加えた時のそれぞれの方向
の磁化量Ｍ’（５表わしたものであり、これはＳｔｏｒ
ｎｅｒ−ｗｏｒｆａｒｔｈ　　モテルとして知ら扛てい
る。すなわち４２は磁界を力目え、次いで反転磁界を加
えて、除去する寸でｏ−ａ　−ｂ　−ａ　−ｅ　−ｆ−
（Ｊ−ｈ−ｉ−にのＭ−Ｈカーブを示し、４３はｏ　−
ｂ　−ｄ　−ｂ　−ｏ　−ｈ　−ｊ−ｈ　−ｏとなる。

これにより判ることは４２は磁界を取り除いた後でも磁
界方向に完全に磁化していることであり、４３は磁界方
向に対して全く磁化していないことを意味している。し
たがって４２は転写バイアス磁界の作用のもとにテープ
上から発生する信号磁界によって、できるだけ多くの残
留磁化が必要とされるスレーブテープとしての特性とし
て適している。

一方４３は強い転写バイアス磁界に対しても信号磁化が
消去されないことがマスクテープの特性として適してい
る。

したがって転写磁界はできるだけマスクテープに対して
１ｌ−１：磁化困難軸方向ベスレーブテープに対しては
磁化容易軸方向へ印加することが重重しい。

実際のテープの場合には、単磁区粒子の集合体と考えら
れるから、前述のような理想的な角型性の良いＭ−Ｈカ
ーブは得られずな捷つだ形となる。

壕だ本発明ではテープの厚み方向の上記の磁気異方性を
利用している。これは面内の磁気異方性とは大巾に異な
り、後述するように、膜厚方向への磁界の角度によ−、
で著しい磁気特性が変化する性質と薄膜であることによ
って膜厚方向−・の磁化から生ずる４πＭＳ相当の反磁
界により膜内の実効磁界が減少する効果を利用したもの
である。

したがって第７図では磁化困難軸方向の印加磁界Ｈが増
加し次いで反転磁界が加えられて、除去されるにつれて
４３のｏ　−ｃ−ｄ　−ｃ　−ｏ　−ｉ　−ｊ−ｉ　−
０のりれき全たどる。このように、膜厚方向には強い反
磁界が作用するため、飽和磁化ＭＳの犬なるマスクテー
プに対しては、マスクテープ上の信号が面内の場合より
さらに消えにくくなる。

本発明は−に記特性および斜め蒸着による強磁性金属薄
膜の強い磁気異方性を利用した有効な転写装置を提供し
ようとするものである。

次に本発明に用いる斜め蒸着テープについて、さらに詳
細に第８図以下を用いて説明する。

第８図は斜め蒸着テープを製造する蒸着装置の構造の一
部を示すものである。基板となるベースフィルム４５は
般送用のガイドロール４７を経て回転するキャン４６上
に一定角度巻きついた状態で走行し、ガイドロール４９
を経て巻きとられる。

この場合キャン４６の鏡面状に仕上げた表面にベースフ
ィルム４５が密接し、かつキャン４６の内部に具備した
冷却装置によって有効に冷却−され、ベースフィルム４
６が熱損傷するのを防止している。斜め蒸着法によるテ
ープは基板に対して斜めに蒸着原子の蒸着流全衝突させ
蒸着して得られるものである。

この−例として、ＣＯあるいはＣＯ系合金などの強磁性
金属の蒸発源６２に電子ビーム６３を電子銃５１から照
射し、蒸発源５２を瞬時的に蒸発せしめて、その蒸気流
を例えば５４の位置においては法線ｎ１に対しθ１の角
度で入射せしめ、壕だ基板４５がさらに進んだ５５の位
置では、その位置の法線ｎ２に対してθ２の角度で入射
せしめる。

この時０１〉θ２　となり、基板４５がキャン４６にそ
って移動するにつれて連続的に入射角が小さくなる。１
だ４８は入射角を制御するマスクである。したがって、
上述の方法で得られた蒸着層の長手方向に対する破断面
を走査形電子顕微鏡で観察すると第９図の様になる。

つまり基板４５との境界近傍ではかなり傾斜しているが
、次第に立った状態にコラム６６が形成される。次に以
上の製造方法によって試作したテープの緒特性について
説明する。

第１０図人は試作テープ５７の長手方向ｆｘ軸方向に、
巾方向を紙面と垂直な方向ＶＣ配置した状態、したがっ
てテープ厚みの方向はｙ軸に配置し、外部磁場Ｈをテー
プ面に斜めに印加して、振動試料形の磁気特性測定装置
ＶＳＭを用いて、磁気時・ｔ’ｔ′に測定する時の配置
を示したものである。

第１０図Ｂは、第１０図人の配置でテープ面にχ・１す
る角度ψを変えて得られたＢ−Ｈ線であり、例えは５８
，５９．６０はそれぞれψの値が○　。

−４５，９０の時の曲線である。第１０図Ｂから別かる
ように角度によって抗磁力Ｈｃが変化しており、丑だ同
時に角型比Ｂｒ　／　Ｂｍも変化している。ＨＣおよび
Ｂｒ／Ｂｍを」二記方法によって測定し、ψにχ・１す
る変化を表わすと第１１図の様になる。これより判かる
ように−・例を示すとＨｃはψがＯでば１０００ｏｅ　
、　Ｏを中心にして正方向は角度を増すにつれて増大し
＋８０〜＋９０の間で極大値を持つ。丑だ負方向では角
度とともに増大し一６０近傍で最大値となり、次に一７
３近傍で極小値となって再び角度を増すと増大する特性
曲線６１が得られた。

一方Ｂｒ／Ｂｍは＋２０の角度で最大となり、−７３°
近傍で極小となる６２の特性曲線が得られた。

以」二の磁気特性は、前述したごとく蒸着テープのコラ
ムのかだむきで決定されるのではなく、薄膜であること
によって静磁エネルギーを最小ならしむる反磁界によっ
て、コラムの軸からずれ、より面内に近すいた方向で決
定している。

すなわち、この方向が磁化困難軸方向を示す第１１図の
一７３近傍における極小点を示し、面内から２０程度磁
化容易軸方向が傾むいている。同時に磁化容易軸方向を
示す角型比Ｂｒ／Ｂｍの最大値も＋２０方向となり良く
一致ｌ〜でいる。

次に本発明の接触転写の原理について、第１２図および
第１３図を用いて説明する〇 第１２図Ａに示すように斜め蒸着による強磁性金属薄膜
６４を基板６６上に形成したマスクテープと磁性層６了
と基板６６とからなるスレーブテープを用い強磁性薄膜
上に記録された信号磁化６８から発生する６９によって
スレーブチー７”ノ磁付層６７を磁化する場合を考える
。

この状態に、後述するようにマスタテープが消去されに
くい方向ψ。に転写バイアス磁界７０企印加する。この
場合第１２図Ｂに示すように信号磁界７１と転写バイア
ス磁界７２との合成による実効磁界がスレーブテープ上
に加わり、前述の原理に従ってスレーブテープ」二の磁
化７４が反転された時、マスタテープ上の信号磁界７１
によって磁化され、第１３図に示すように７５の信号磁
化がイ４Ｉられる。当然ながらマスタテープとして要求
される特性としてはマスタテープ上に記録された信号が
、充分高いレベルの転写バイアス磁界によって消去され
ず、常に強い信号磁界全発生していることである。

以下に本発明者が発見したマスクテープ上の信号磁界（
外部磁界、この場合は転写バイアス磁界に相当する。）
の強度と印加磁界方向による影響について第１４図を用
い説明する０ 第１４図はあらかじめ、ＢＳ　＝７０００　ｑａｕＢＢ
　。

ＨＣ：１００００ｅの斜め蒸着テープを長手方向に充分
大きな直流磁界により飽和まで磁化した時の最大残留磁
束密度Ｂｒｏと、この状態のテープに反転磁界の印加方
向（テープ長手方向に対する角度ψ）と強度を変えて加
え、その後の残留磁束密度Ｂｒψとの比Ｂｒψ／　Ｂ　
ｒψの変化を測定したものであるＯ 該反転磁界強度を６００ｏｓ　、　Ｉ　Ｋ　ｏｅ、　１
．５Ｋｏｅ　、　２　Ｋｏｅ　、　２．５　Ｋｏｅ　、
　３　Ｋｏｅと変えて測定した。

第１２図より判かるように比較的磁界強度の小さい場合
には、磁界印加方向ψに対してＢｒψ／Ｂ　ｒ　。

はなだらかに変化するが、磁界強度が大きくなるにつｔ
で急峻に変化することが判明した。前述のごとく、この
テープサンプルではＨｃが極小になる磁界印加方向は−
７３であり６３の一点鎖線で示す角度である。

本来、この方向に磁界を印加した時が最も消去されにぐ
いと考えられるが、実際には９００〜８０゜が最も消去
されにくい方向になっている。

これは薄膜のため膜厚方向に強い反磁界が発生し蒸着膜
内部の実効的な磁界が減少するためと考えられる。その
ため、該反磁界による効果と蒸着膜の磁化困難軸方向に
反転磁界を加える効果とによって例えば１ＫＯｅの転写
バイアスでは＋８６°〜−５０の領域に消去されにくい
角度が発生している０ 次に本発明の具体一実施例について説明する。

第１５図は前述した斜め蒸着したテープを用い同一のテ
ープ間で接触転写する場合のマスタテープ７６の磁化容
易Ｉｌ！Ｉ１１方向了８と方向−ブテープ了７の磁化容
易軸方向７９との位置関係を示したものである。以上の
ごとくそれぞれテープ長手方向に対して→−θと一〇の
角度で勾配の符合が異なる。

第１５図のごとく両テープ全接触せしめ、転写バイアス
磁界をテープ厚み方向から、テープ長手方向に対して例
えばψ＝−６６°の角度で印加した。

この角度はスレーブテープに対してはψ＝＋６５゜に相
当する。スレーブテープの動作点は第１１図のψ＝＋６
５におけるカーブ上にあり、Ｈｃ＝＝１４００　ｏｅ　
Ｂｒ　／ＢＨ１＝０．６となる。したがって、一般に磁
場転写では、良質の信号を得るにはスレーブテープのＨ
ｃの１．５倍程度の転写バイアス磁界が必要とされるの
で、上記実施例の場合には２１００ｏｅ程度の転写バイ
アス磁界が用いられる。この場合マスタテープ上の信号
は転写バイアス磁界によって第１４図からも明らかなよ
うに−１、ｓｄＢの劣化程度であり、実用上問題なく良
質の画像信号が得られた。

次に第１６図および第１７図を用いて本発明の磁気テー
プ転写装置の具体一実施例に関して説明する。

第１６図は磁気テープ転写装置の概略の構成図を示した
ものである。記録済マスタテープの供給リール８０およ
びスレーブテープの供給リール８２よりそれぞれ記録済
マスタテープ８４および未記録のスレーブテープ８５が
導出され、互の磁性層を向い合せた状態で走行する。次
に両テープはそれぞれテンションアーム８６および８７
全経て固定カイトボス）９０に一定角度巻きつけられて
密接し、続いて転写磁界発生器９２で転写磁界全印加さ
る０ここでマスタテープ上の信号カスレープテープ上に
転写されることになる。

次に一上記マスタテープ８４とスレーブテープ８５は固
定のガイドボスト９１とそれぞれのテンションアーム８
９および８９を経てマスタテープ川巻取リール８１．ｊ
つ・よＯ・スレーブテープ巻取りリール８３上にそれぞ
れ巻き取られ、転写が完了する。

第１７図は転写磁界発生器９２の構成を示したものであ
る０、 記録済マスタテープ８４と未記録のスレーブテープ８５
の磁性層を密接した状態で第一の磁極９４をガラス９５
てモールドした摺動部９７に、一定角度巻きつけて走行
せしめる。この摺動部は両テープをさらに密接すると同
時に転写磁界を印加できる効果を持つものである。ざら
に両テープを介して第一の磁極９４に対向した第二の磁
極９３を、さらに第二の磁極９３に励磁用巻線９６を設
ける。

この励磁用巻線９６には転写バイアス電流を流して励磁
し、第二の磁極より磁界を発生せしめ、さらに第一の磁
極９４を磁化することによって、第一の磁極９４の近傍
に強い転写磁界９８を発生せしめる。

そこで密接した両テープは第１７図に示すことく第一磁
極９７の近傍で両テープの面に対して傾斜した方向に転
写磁界を受け、前述した原理にもとづいてマスタテープ
上の信号がスレーブテープ」二に転写するものである。

第一の磁極９４としては飽和磁化の高く、磁化率の犬な
るパーマロイ、センダスト、各種アモルファスなどの金
属磁性材料が適しているがフェライト磁性材料でも適用
できる。

また第一の磁極９４のＩｔ］　ｔは、第二の磁極９３か
ら発生する磁界によって磁化され、この磁化された第一
の磁極９４から発生する磁界がスレ−ブテ−グのベース
の厚みを介して、スレーブテープの磁性層を充分磁化で
きる強さになるよう設馴し、その範囲ではできるたけ狭
い方が良好である。−例としてスレーブテープとしてベ
ースフィルム厚が約１０μｍ１その上に０．１５１１ｍ
のＧｏ−Ｎｉ　の磁性層を形成１−だもの、第一の磁極
９４として１１０１Ｊ厚のセンダストヲ用いた。この場
合、センダストの第一の磁極９４の先端から約１０μｍ
離れたスレーブテープの磁性層には、センダストの第一
の磁極を飽和１で磁化した時、センダストの飽和磁束度
密は約８０００　ｇａｕｓｓとすれ（ば、この約狛の値
２７００　ｇａｕｓｓの磁界を発生し得る０したがって
第二の磁極９３に巻かｇだ励磁巻線９６へ流す電流によ
って最適な転写・ぐイアス磁界を選定できるものである
。　、 またさらにマスクテープとスレーブテープの組合せによ
って犬なる転写）・イアスが必要な場合には、第一の磁
極の［１］ｔと第一の磁極からの距離を選ぶことによっ
て適合できるものである。

一方第二の磁極はＭｎ　−Ｚｎ系のフェライト磁性利金
もって構成し、第二の磁極の第一の磁極と近接する側の
二ソ／に曲率を持たせ、捷だ第一の磁極と対向する面積
を充分大なるようしこすることによってマスタテープが
油出されるような強い磁界が発生するのを防止している
。なお第二二の磁極の材料としては、その他のフェライ
ト材、金属磁性材料も用いることができる。

また第一の磁極をモールドあるいは被ふくする桐料とし
ては耐マモウ性のある非磁性フェライト。

セラミック利などの非磁性物質は全て適用できる。

両テーグに加わる磁界の方向ψは第一の磁極と第二の磁
極のテープ長手方向の距離βとテープ厚み方向の距離り
の関数で極めて容易に決定さる。

それはほぼｔａｎ（ｈ／β）で決捷り、磁界方向および
強度に分布を持つが前述した磁界の印加方向に容易に設
計することができるものである。

上述した磁気テープ転写装置を用いて同一テープ間で転
写したところ、実用上極めて良好な画像信号が得られた
。

以上のごとく、同一テープ間でもマスクテープの磁化容
易軸方向とスレーブテープの磁化容易１咄とテープ長手
方向となす勾配の正負の符合が異なるように配置し、転
写バイアス磁界を所定の角度と強度を設定することによ
って、接触転写が可能（でなるものである。

上記実施例は同一テープ間の例であるが、もちろん、ス
レーブテープとしてきらにＨｃが小さく、動作点におけ
るＢｒ７８ｍの大きなテープを用いることが重重しい。

捷だスレーブテープとしてｒ　　Ｆｅ２０３１　ＣｒＯ
２１ＣＯ−酸化鉄、その仙台金粉末など塗布型テープを
用いる場合も同様に転写可能であり、この場合には次の
様な特徴がある。前述したように本発明に用いた強磁性
金属薄膜テープの場合、膜厚方向からの反磁界は最大４
πＭｓであり７０００〜１００００ｏｅ、これに対して
塗布型では１０００〜５００００ｅである。従って前者
をマスクテープとして、後者全スレーブテープに用いる
ことによって各テープ内部での実効磁界に差を生じせし
めて、有効な転写を可能にすることができるものである
。

丑だスレーブテープとしてＣ０−Ｃｒ等の垂直記録媒体
を用いる場合には、スレーブテープの磁化容易軸は膜面
に垂直のため動作点におけるＢｒ７８ｍは極めて良好に
選定可能であり、第１４図にも示したようにマスタテー
プが最も消去されにくい９０方向の転写バイアス磁界を
用いることによって良質の信号を得ることができるもの
である。

以上の様に転写バイアス磁界の方向と強度は、スレーブ
テープによって異なるが、例えは最近の高密度言己録用
としてｃｏ酸化鉄、ＣｒＯ２、Ｆｅ系合金などテープの
ＨＣは５５０〜１４００ｏｅ　であり、捷だ斜め蒸着テ
ープのＨｃは７００〜１０００ｏｅなどである。

したがってＨａの小さなテープ例えば５５０ｏｅ程度の
ＣＯ酸化鉄テープに転写するためには、その１．６倍の
転写バイアス磁界強度は約８５０ｏｅが適当であり、こ
の場合、印加磁界方向は＋８５゜〜−４８が最適であっ
た。一方、蒸着テープの場合、第１１図のごと＜　Ｈｃ
が角度ψによって変化するが動作点において、スレーブ
テープのＨｃ−１５００ｏｅの場合には、２．３Ｋｏｅ
の転写バイアス磁界強度と−６０〜＋８５　が実験的に
良質の画質を得るのに適していた。４ すなわちマスクテープの磁化困難軸方向全中心にして正
方向には＋２０°負方向には一２５°の範囲の方向に転
写バイアス磁界を印加することによって、マスタテープ
の信号の劣化が−２〜−３ｄＢ　　　　・以内にとど捷
り実用可能な範囲内で使用できることか判った。

また、転写バイアス磁界の方向を磁化困難軸方向（ここ
では−７３）から＋８５の範囲に選んだ場合には１５Ｋ
Ｏｅ程度の極めて大きな転写バイアス磁界強度に対して
も、第１４図における４Ｋｏｅ印加時のカーブと同じ特
性が得られてマスクテープ上の信号はほとんど消去され
ないことも同時に判明した。

したがって、この範囲の転写バイアス磁界を利用するこ
とにより、さらに良質な信号が得られるものである。

以上のように本発明によれば同一テープあるいはＨｃの
比較的小さなテープからの接触転写が可能となる。また
、転写バイアス磁界の方向をマスクテープの磁化困難方
向に対して正方向に＋２ｏ０負方向に一２５範囲内に選
ぶことにより、マスクテープ上の信号がほとんど消去さ
れない状態で使用でき、良質の転写出力を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は転写装置の概略構成を示す平面図、第２図は転
写バイアス磁界発出器の概略構成平面図、第３図は転写
の原理を示す斜視図、第４図は従来の転写特性図、第６
図および第６図は強磁性金属薄膜テープの原理図、第７
図は強磁性金属薄膜テープのＭ−Ｈ特性図、第８図（は
斜め蒸着テープ製造装置の構成図、第９図は斜め蒸着テ
ープの断面を模式的に示す図、！１０図Ａは斜め蒸着テ
ープの厚み方向に対する測定方向を示す図、Ｂは同斜め
蒸着テープの特性図、第１１図は斜め蒸着テープのＨｃ
およびＢｒ／Ｂｙ１１の特性図、第１２図Ａ。 Ｂおよび第１３図は本発明の接触転写の原理図、第１４
図は本発明の転写バイアス磁界方向と強度に対するマス
クテープの特性図、第１５図は本発明の接触転写の原理
図、第１６図は本発明の磁気テープ転写装置の概略図、
第１７図は本発明の転写磁界発生器の構成図である。 １・・・・・・マスタテープ、３・・・・・・スレーブ
テープ、７・・・・・・転写バイアス発生器、１ｏ・・
・・・・巻取リール。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 ｆＪｌ　２図 第３図 第４図 ス し プ 皇ｚ’４バイ了ス（ム界５！渡（初大丁イ適）第６図 第７図 第８図 び ５ン 第９図 第１０図 第１１図 ザ（■ 第１２図 第１４図 水車ス槌界ｊ５句（ゾン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 信号記録済みの磁性薄膜テープよりなるマスターテープ
   と未記録のスレ一ブテープの磁性層を互に向合せの状態
   で走行せしめる手段と、第一の磁極が非磁性利料により
   被ふくされ、前記両テープを一定角度巻きつけ両テープ
   を密接さぜる摺動部と、前記両テープを介して第一の磁
   極に対向する第二の磁極よりなり、かつ前記単一の磁極
   および第二の磁極をテープ長手方向に所定の間隔をおい
   て配備することてより、前記第一の磁極と第二の磁極間
   において両テープの磁性面と傾斜し前記マスタテープの
   磁化困難軸方向に転写磁界を印加することを特徴とする
   磁気テープ転写装置。