JPS5992441A - 磁気テ−プ転写装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は強磁性薄膜を非磁性基体に設けて構成した磁気
テープをマスタテープとして用い、かつ転写バ、イアス
磁界をテープ面に傾斜してマスタテープの磁化困難軸方
向に印加することにより、同じ抗磁力を有するテープへ
の転写、あるいは従来に比して低い抗磁力を有するマス
タテープからの転写を可能にした磁気テープ転写装置に
関するものである。

従来例の構成とその問題点 まず、第１図以下を用いて従来の代表的な転写方式につ
いて説明する。第１図は一括巻取り転写方式の概略の構
成図を示すものである。記録済マスタテープの供給リー
ル２およびスレーブテープの供給リール４よりそれぞれ
記録済マスタテープ１および未記幾のスレーブテープ３
が導出され、互いの磁性層を向い合せた状態で走行する
。次に両テープは固定カイトボスト９の摺動面に一定角
度巻付けられ、続いてその状態でキャプスタン６に一定
角巻付けられた後、巻取りリール１０上に共に巻取られ
る。巻取リール１０は支点１１を中心に回転可能なアー
ム１２上に設けられ、ばね８の付勢力によって常に巻取
リール１０上に巻かれた両テープ６の最外周がキャプス
タン６に圧接し、巻かれた両テープ６は巻かれるにした
がって転写バイアス発生器７の中に入るように構成され
ている。巻取られた後、巻取リールは低スピードで回転
しその間に転写バイアス発生器７から転写バイアスをテ
ープの長手方向に印加して、マスタテープ上の信号がス
レーブテープ上に転写されることになる。続いて両テー
プは高速でそれぞれの供給リール２および４上に巻戻さ
れる。

第２図は転写バイアス発生器の概略の構成図を示すもの
である。励磁コイル１３に電流を流して珪素鋼板を積層
した磁心１４およびこれと対向する磁心１５との間に磁
界１６を発生せしめ、巻取られた両テープ６の長手方向
に磁界を印加する０つまり第３図において、Ｘ　、Ｖ　
、Ｚはそれぞれテープの投手力向、巾方向、厚み方向を
示すものであるが転写バイアス磁界１６は矢印の示すよ
うに、主としてテープ長手方向に加えられる。

このようにして、マスタテープ１の磁性層１７の磁化２
Ｑから発生する信号磁界１９ＶＣよってスレーブテープ
３の磁性層１８が磁化され、マスクテープ上の信号がス
レーブテープへ転写される。

上述の方式で転写した代表的な転写特性を示すと第４図
の様になる。

ここでスレーブテープは抗磁力Ｈｃが６７０ｏｅ。

Ｂｒは１４７０ｇａｕｓｓのＣＯ系酸酸化鉄テープ用い
た。

一般にマスタテープからスレーブテープ上に信号を転写
する場合、マスタテープの抗磁力は、スレーブテープの
抗磁力の約２．６〜３倍必要とされる。第４図は上述の
スレーブテープに対して、１５００ｏｅおよび２０００
　ｏｅの抗磁力を有するマスタテープを用い転写特性を
測定したものである。

この時のへラドテープの相対スピードは５．８ｍ／ｓｅ
ａであり、記録波長は約１μｍの信号を使用した。

１５００ｏｅの抗磁力のマスタテープの場合、転写バイ
アス磁界強度を増加するにつれ、転写出力レベル２１は
次第に増大し、マスタテープ上の磁化が転写バイアス磁
界によって消去され、マスタテープ出力レベル２３が低
下し始める近傍で最大となり、その後、マスタテープ出
力の減少とともに減衰する。

これに対して、２０００ｏｅの抗磁力のマスタテープの
場合には、特性２４のごとく転写ノ（イアス磁界にて消
去されにくいため、転写バイアスに対して２２の特性の
様に、大巾な転写出力を得ることができる。

以上の様に良質な信号を得るためには、スレーブテープ
の抗磁力に対してマスタテープの児は極めて大きなもの
となる。

上記の例では２０００ｏｅの場合、スレーブテープの約
３倍となっている。

寸だ今後火が１０００　ｏｅ前後の合金粉末テープある
いは強磁性薄膜形テープなどをビデオ用テープとして試
作されており、これらをスレーブテープとした場合のマ
スクテープは約３０００ｏｅ以上の抗磁力が必要とされ
ることになる。前述の１５００ｏｅと２０００　ｏｅの
マスタテープはＦｅ　−Ｃ。

系合金粉末の微粒子を塗布したものであるが、塗布形テ
ープで３０００ｏｅの抗磁力を達成することは極めて困
難であり、現時点では開発の見通しが立たない状態にあ
る。また、強磁性薄膜形テープでも従来の転写方式を用
いれば同様のことが言えるＯ 後述するごとく、上記転写方式に対して本発明者によっ
て提案されている方式がある。それは強磁性金属薄膜テ
ープの膜厚方向の磁気特性変化を利用し比較的低い抗磁
力のマスタテープあるいは同一の抗磁力を有するテープ
間で転写できるものである。しかしこれまで密接したマ
スタテープおよびスレーブテープの両面に対して所定の
角度で転写バイアス磁界を容易に加えることができなか
った０ 発明の目的 本発明は密接したマスタテープとスし・−ブテープの面
に傾斜し、取扱いが簡単で、容易に所定の角度に転写バ
イアス磁界を印加し得る転写）くイアス発生器を具備し
た磁気テープ転写装置を供給することを目的と−するも
のである。

発明の構成 本発明の磁気テープの転写装置は、強磁性薄膜を非磁性
の基体に設けて構成したマスタテープを用いかつ転写バ
イアス磁界をテープ面に傾斜してマスタテープの磁化困
難軸方向に印加することにより、スレーブテープ上に信
号を転写する装置において、転写バイアス発生器を次の
様に構成することにより極めて容易に上記マスタテープ
磁化困難軸方向に加えることができるようにしたもので
ある。

マスクおよびスレーブ両テープを一定角度巻付は密接せ
しめる凸状の摺動部を形成するとともに第１の磁極をそ
の凸状の最大位置からずれた位置に配備した形でモール
ドしかつ励磁巻線を施こし第１の磁極より面積の大なる
第２の磁極を該両テープと同じ側に配備することによっ
てマスタテープの磁化困難軸方向に転写バイアス磁界を
容易に加えることができる。

実施例の説明 マスクテープとしては、蒸着、スパッタ、メッキなどの
手段により、ポリエチレンテレフタレートポリイミド、
ポリアミド系の有機物質などのフィルムあるいは他の非
磁性基板上にＧｏ　、　Ｃｏ　−Ｏｒ　。

Ｇｏ−Ｎｉ等の強磁性薄膜を形成し、テープ状にスリッ
トしたものを用いた。以下はテープ状のものについて説
明するがシート状の媒体の転写に関しても同様である。

以下には斜め蒸着法によって作成した強磁性金属薄膜テ
ープを例にとって述べる。斜め蒸着法は基板面に対して
蒸着する原子を入射角を持たせて蒸着せしめるものであ
る。蒸着したグレインは一般に柱状構造を示しており、
蒸着面と傾いた状態に形成される。

しかしこの柱状の軸の方向が磁気的容易軸方向になるわ
けではなく、磁性体が薄膜であることによって静磁エネ
ルギーを最小ならしむる反磁界を発生し、柱状の軸方向
からずれて、より面内に近付いた方向をむくことになる
。これが以下に示す第５図中のθ。方向である。

次に第５図以下を用い、本発明の原理について、説明す
る。

簡単のため一軸磁気異方性を持つ単磁区粒子の回転モデ
ルを用いて説明する。第６図に示すように非磁性の基板
２６上の強磁性金属薄膜２６０面内の一方向をＸ軸３０
．膜面に対して垂直方向を２軸３１にとり、ｘ、ｚ面内
で磁界２７０強度ＨとそれがＸ軸となす角度ψを可変す
る場合、エネルギーＥは下式で表現される。

Ｅ−ＭＨＣＯ３（ψ−θ。−θ）＋ＫｄＳｉｎ２ψ＋Ｋ
ｕＳｉｎ２θなおＫｄは反磁界による異方性定数で２π
Ｍに等しい。壕だ磁化容易軸方向とＸ軸とのなす角度を
θ。

とじた。Ｋｕは一軸異方性定数である。

この時磁化Ｍは上式のエネルギーを最小にする状態で安
定し、磁化容易軸方向２９とθなる角度で安定する。

上記説明を第６図のベクトル図を用いてモデル的に説明
する。簡単のために、θ。二〇として磁イしＭｏ　３２
がＸ軸方向（ここでは磁化容易軸と一致する。）を向い
ていたとする。これに対して磁界Ｈ１３３をψなる角度
で印加すると磁化は上述したごとく、３４の方向を向き
、再びＨｌを取りされば３２の位置に戻りＸ軸方向をむ
くことになる。またＸ方向に一度磁化したＭｏを反転さ
すためにはψは９０°以上である必要がある。

まず磁界Ｈ２３６とＨ３３６を９０’以上の角度ψで印
加した場合を考える。磁界強度の弱いＩ（２３６の場合
には磁化は３９のベクトルで示すように若干磁界方向を
むくが磁界を零にすれば再ひＸ軸方向におちつく。

しかし磁界強度の充分大きなＨ３３６の場合にはベクト
ル３７の位置まで回転し、磁界Ｈ３を零にすれば磁化は
３８で示す位置におちつき元の３２から３８に反転する
。したがって磁化はＭＯから−ＭＯに反転したことにな
る。次に磁界の方向を２方向に加えたＨ４４０を大きく
した場合には磁化のベクトルは磁界を加えている間は４
１の方向を向くが、磁界を除去するともとのＸ軸方向の
３２の位置にもどる。

以上のことをＭ−Ｈ曲線にて判りやすいようＶこ説明す
ると第７図のようになる。

第７図４２および４３はそれぞれ単磁区粒子の磁化容易
軸方向（ψ＝σ、１８０°）および磁化困難方向（ψ＝
　９　ｏ”）に磁界Ｈを加えた時のそれぞれの方向の磁
化量Ｍを表わしたものであり、これはＳｔｏｒｎｅｒ−
ｗｏｒｆａｒｔｈ−Ｅデルとして知られている。

すなわち４２は磁界を加え、次いで反転磁界を加えて、
除去するまでｏ　−ａ　−ｂ　−ｄ　−ｅ　−４−ｇ　
−ｈ−ｊ　−ｋ　のＭ−Ｈカルブを示し、４３はｏ　−
ｂ　−ｄ−ｂ　−ｏ　−ｈ　−５−ｈ−ｏとなる。これ
より判ることは４２は磁界を取り除いた後でも磁界方向
に完全に磁化していることであり、４３は磁界方向に対
して全く磁化していないことを意味している０したがっ
て４２は転写バイアス磁界の作用のもとにテープ上から
発生する信号磁界によって、できるだけ多くの残留磁化
が必要とされるスレーブテープとしての特性として適し
ている。

一方４３は強い転写バイアス磁界に対しても信号磁化が
消去されないことがマスタテープの特性として適してい
る。

したがって転写磁界はできるだけマスタテープに対し人
い磁化困難軸方向へ、スレーブテープに対しては磁化容
易軸方向へ印加することが望ましい。実際のテープの場
合には、単磁区粒子の集合体と考えられるから、前述の
ような理想的な角型性の良いＭ　−Ｈｃｕｒｖｅ　　は
得られずなまった形となる。

またこの転写ではテープの厚み方向の上記の磁気異方性
を利用している。これは面内の磁気異方性とは大巾に異
なり、後述するように、膜厚方向への磁界の角度によっ
て蓄しい磁気特性が変化する性質と薄膜であることによ
って膜厚方向への磁化から生ずる４πＭｓ相当の反磁界
により膜内の実効磁界が減少する効果を利用したもので
ある。

したがって第７図では磁化困難軸方向の印加磁界Ｈが増
加し次いで反転磁界が加えられて、除去されるにつれて
４３のｏ　−ｃ　−ｄ　−ｃ　−ｏ−ｉ　−ｊ　−１−
ｏのりれきをたどる。このように、膜厚方向には強い反
磁界が作用するため、飽和磁化ＭＳの大なるマスタテー
プに対しては、マスタテープ上の信号が面内の場合より
さらに消えにくくなる。

次に本実施例で用いる斜め蒸着テープについて、さらに
詳細に第８図以下を用いて説明する。

第８図は斜め蒸着テープを製造する蒸着装置の構造の一
部を示すものである。基板となるベースフィルム４５は
般送用のガイドロール４７を経て回転するキャン４６上
に一定角度巻きついた状態で走行し、ガイドロール−４
９を経て巻きとられる。

この場合キャン４６の鏡面状に仕上げた表面にベースフ
ィルム４６が密接し、かつキャン４６の内部に具備した
冷却装置によって有効に冷却され、ベースフィルム４６
が熱損傷するのを防止している。斜め蒸着法によるテー
プは基板に対して斜めに蒸着原子の蒸着流を衝突させ蒸
着して得られるものである。

この−例として、Ｃｏ　あるいはＣＯ系合金などの強磁
性金属の蒸発源６２に電子ビーム６３を電子銃６１から
照射し、蒸発源６２を瞬時的に蒸発せしめて、その蒸気
流を例えが５４の位置においる。この時θ１〉θ２とな
り、基板４６がキャン４６にそって移動するにつれて連
続的に入射角が小さくなる。また４８は入射角を制御す
るマスクである。したがって、上述の方法で得られた蒸
着層の長手方向に対する破断面を走査形電子顕微鏡で観
察すると第９図の様になる。

つまり基板４６との境界近傍ではかなり傾斜しているが
、次第に立った状態にコラム６６が形成される。次に以
上の製造方法によって試作したテープの緒特性について
説明する。

第１０図へは試作テープ５７の長手方向をＸ軸方向に、
巾方向を紙面と垂直な方向に配置した状態、したがって
テープ厚みの方向はｙ軸に配置し、外部磁場Ｈをテープ
面に斜めに印加して、振動試料形の磁気特性測定装置Ｖ
ＳＭを用いて、磁気特性を測定する時の配置を示したも
のである。

第１０図Ｂは、第１０図Ａの配置でテープ面に対する角
度ψを変えて得られたＢ−Ｈ線であり、例えば６８，５
９．６０はそれぞれψの値が０°。

−４５°、９ｏ０　の時の曲線である。第１０図Ｂから
判かるように角度によって抗磁力上が変化しており、ま
た同時に角型比Ｂｒ／Ｂｍ　も変化している。

ＨｃおよびＢｒ７８ｍを上記方法によって測定し、ψに
対する変化を表わすと第１１図の様になる。これより判
かるように一例を示すと−はψが０加は１０００ｏｅ　
、　Ｏ’を中心にして正方向は角度を増すにつれて増大
し＋８０’〜＋９０’の間で極大値を持つ。また負方向
では角度とともに増大し一６０’近傍で最大値となり、
次に一７３゛近傍で極小値となって再び角度を増すと増
大する特性曲線６１が得られた。

一方Ｂ　ｒ　／Ｂｍは＋２０’の角度で最大となり、−
７３ｆ傍で極小となる６２の特性曲線が得られた０ 以上の磁気特性は、前述したごとぐ蒸着テープのコラム
のかだむきで決定されるのではなく、薄膜であることに
よって静磁エネルギーを最小ならしむる反磁界によっ゛
て、コラムの軸からずれ、より面内に近すいた方向で決
定している。

すなわち、この方向が磁化困難軸方向を示す第１１図の
一７３°近傍における極小点を示し、面内から２０°程
度磁化容易軸方向が傾むいている。同時に磁化容易軸方
向を示す角型比Ｂｒ／Ｂｍの最大値も＋２０’方向とな
り良く一致している。

次に接触転写の原理について、牢１２図および第１３図
を用いて説明する。

第１２図Ａに示すように斜め蒸着による強磁性金属薄膜
６４を基板６６上に形成したマスタテープと磁性層６７
と基板６６とからなるスレーブテープを用い強磁性薄膜
上に記録された信号磁化６８から発生する６９によって
スレーブテープの磁性層６７を磁化する場合を考える。

この状態に、後述するようにマスタテープが消去されに
くい方向ψ。に転写バイアス磁界７Ｑを印加する。この
場合第１２図Ｂに示すように信号磁界７１と転写バイア
ス畔７１との合成による実効磁界がスレーブテープ上に
加わり、前述の原理に従ってスレーブテープ上の磁化７
４が反転された時、マスタテープ上の信号磁界７１によ
って磁化され、第１３図に示すように７６の信号磁化が
得られる。

当然ながらマスクテープとして要求される特性としては
マスクテープ上に記録された信号が、充分筒いレベルの
転写バイアス磁界によって消去されず、常に強い信号磁
界を発生していることである。

以下に本発明者が発見したマスタテープ上の信号磁界（
外部磁界、この場合は転写バイアス磁界に相当する。）
の強度と印加磁界方向による影響について第１４図を用
い説明する。

第１４図はあらかじめ、Ｂ３＝７０００ｇａｕｓｓ　。

Ｈｃ＝１００００ｅ　の斜め蒸着テープを長手方向に充
分大きな直流磁界により飽和まで磁化した時の最大残留
磁束密度Ｂｒｏと、この状態のテープに反転磁界の印加
方向（テープ長手方向に対する角度ψ）と強度を変えて
加え、その後の残留磁束密度Ｂｒψとの比Ｂｒψ／Ｂ　
ｒψの変化を測定したものである。

該反転磁界強度を５００ｏｅ　、　Ｉ　Ｋｏｅ　１．５
　Ｋｏｅ　。

２　Ｋｏｅ　、　２．５　Ｋｏｅ　、　３　Ｋｏｅと変
えて測定したＯ第１２図より判かるように比較的磁界強
度の小さい場合には、磁界印加方向ψに対してＢｒψ／
Ｂ　ｒ　。

はなだらかに変化するが、磁界強度が大きくなるにつれ
て急峻に変化することが判明した。前述のごとく、この
テープサンプルではＨＣが極小になる磁界印加方向は一
７３°であり６３の一点鎖線で示す角度である。

本来、この方向に磁界を印加した時が最も消去されにく
いと考えられるが、実際には９０°〜８０’が最も消去
されにくい方向になっている。

これは薄膜のため膜厚方向に強い反磁界が発生し蒸着膜
内部の実効的な磁界が減少するためと考えられる。その
ため、該反磁界による効果と蒸着膜の磁化困難軸方向に
反転磁界を加える効果とによって例えば１ＫＯｅの転写
バイアスでは＋８６°〜−５０°の領域に消去されにく
い角度が発生している。

第１５図は前述した斜め蒸着したテープを用い同一のテ
ープ間で接触転写する場合のマスタテープ７６の磁化容
易軸方向７８とスレーブテーファ７の磁化容易軸方向７
６との位置関係を示したものである。以上のごとくそれ
ぞれテープ長手方向に対して十〇と一〇の角度で勾配の
符合が異なる。

第１６図のごとく両テープを接触せしめ、転写バイアス
磁界をテープ厚み方向から、テープ長手方向に対して例
えばψ＝−６５°の角度で印加した０この角度はスレー
ブテープに対してはψ＝＋６６゜に相当する。スレーブ
テープの動作点は第１１図のψ＝＋６６°におけるカー
ブ上にあり、顯＝１４００ｏｅＢｘ／Ｂｍ＝０．６とな
る。したがって、一般に磁場転写では、良質の信号を得
るにはスレーブテープの先の１．５倍相度の転写バイア
ス磁界が必要とされるので、上記実施例の場合には２１
００ｏｅ程度の転写バイアス磁界が用いられる。

この場合マスタテープ上の信号は転写バイアス磁界によ
って第１４図からも明らかなように−１，６ｄＢの劣化
程度であり、実用上問題なく良質の画像信号が得られた
。

次に第１６図および第１７図を用いて本発明の磁気テー
プ転写装置の具体一実施例に関して説明する。

第１６図は磁気テープの概略の構成図を示したものであ
る。記録済マスタテープの供給リール８０およびスレー
ブテープの供給リール８２よりそれぞれ記録済マスタテ
ープ８４および未記録のスレーブテープ８６が導出され
、互の磁性層を向い合せた状態で走行する。次に両テー
プはそれぞれテンションアーム８６および８７を経て固
定ガイドポスト９０に一定角度巻きつけられて密接し、
続いて転写磁界発生器９２で転写磁界を印加さる。

ここでマスタテープ上の信号がスレーブテープ上に転写
されることになる。

次に上記マスタテープ８４とスレーブテープ８５は固定
のガイドポスト９１とそれぞれのテンションアーム８９
および８９を経て該マスタテープ用巻取リール８１およ
びスレーブテープ巻取リール８３上にそれぞれ巻き取ら
れ、転写が完了する。

第１７図は転写磁界発生器９２の構成を示したものであ
る。

記録済マスタテープ８４と未記録のスレーブテープ８６
の磁性層を密接した状態で第一の磁極９４をガラス９３
でモールドした摺動部９６を形成する０この部分に該密
接した両テープを一定角度巻きつけて走行せしめると同
時に該両テープをさらに密着せしめる効果を持つもので
ある。さらに該テープに対して第一の磁極と同一側に第
二の磁極９６を、さらに第二の磁極に励磁用巻線９７を
設ける。この励磁用巻線には転写バイアス電流を流して
励磁せしめて磁界を発生せしめさらに第一の磁極９４を
磁化することによって、第一の磁極の近傍に強い転写磁
界９８を発生せしめる。

そこで該密接した両テープは第一磁極９４の近傍で該両
テープの面に対して傾斜した方向に転写磁界を受け、前
述した原理にもとづいて、マスタテープ上の信号がスレ
ーブテープ上に転写するものである。第一の磁極として
は飽和磁化の高く、磁化率の犬なるパーマロイ、センダ
スト、各種アモルファスなどの金属磁性材料が適してい
るフェライト磁性材料でも適用できる。

また第一の磁極９４の巾ｔは、第二の磁極から発生する
磁界によって磁化され、この磁化された第一の磁極から
発生する磁界が、スレーブテープ、のベースの厚みを介
して、スレーブテープの磁性層を充分磁化できる強さに
なるよう設計し、その範囲ではできるだけ狭い方が良好
である。本発明で実施した１例であるがスレーブテープ
としてベースフィルム厚が約１０μｍ２その上にα１５
μｍのＣｏ−Ｎｉの磁性層を形成したもの、第一の磁極
として１０　ｌｉｍ厚のセンダストを用いた。この場合
、センダストの第一の磁極の先端から約１０μｍ離れた
スレーブテープの磁性層には、センダストの第一の磁極
を飽和まで磁化した時、センダストの飽和磁束度密は約
８０００　ｇ　ａ　ｕ　ｓ　ｓ　　とすれば、この約１
／３の値２７００ｇａｕｓｓの磁界を発生し得る。

したがって第二の磁極に巻かれた励磁巻線へ流す電流に
よって最適な転写バイアス磁界を選定できるものである
。

またさらにマスタテープとスレーブテープの組合せによ
って大なる転写バイアスが必要な場合には、第一の磁極
の巾ｔと第一の磁極からの距離を選ぶことによって適合
できるものである。

一方第二の磁極はＭｎ−Ｚｎ系のフェライト磁性材をも
って構成し、第二の磁極の第一の磁極と近接する側のエ
ツジに曲率を持たせることによって、マスタテープが消
磁されるような強い磁界が発生するのを防止している。

なお第二の磁極の材料としては、その他のフェライト材
、金属磁性拐料も用いることができる。

また第一の磁極をモールドあるいは被ふくする材料とし
ては耐マモウ性のある非磁性フェライト。

セラミック材などの非磁性物質は全て適用できる。

なお両テープに加わる磁界の方向は第一の磁極と第二の
磁極のテープ長手方向の距離Ｕとテープ摺動部の径Ｈの
関数でかつ壕だ主としてテープ摺動部の径Ｒで決定され
る。また磁界方向および強度に分布を持つが前述した磁
界の印加方向に容易に計することができる。

上述した磁気テープ転写装置を用いて同一テープ間で転
写したところ実用上極めて良好な画像信号が得られた。

以上のごとく、同一テープ間でもマスクテープの磁化容
易軸方向とスレーブテープの磁化容易軸とテープ長手方
向となす勾配の正負の符号が異なるように配置し、転写
バイアス磁界を所定の角度と強度を設定することによっ
て、接触転写が可能になるものである。

上記実施例は同一テープ間の例であるが、もちろん、ス
レーブテープとしてさらに火が小さく、動作点における
Ｂ　ｒ　／Ｂｍの大きなテープを用いることが望ましい
。

捷だスレーブテープとしてｒ−Ｆｅ２０３．ＣｒＯ２゜
Ｃｏ−酸化鉄、その地合金粉末々と塗布型テープを用い
る場合も同様に転写可能であり、この場合には次の様な
特徴がある。前述したように本発明に用いた強磁性金属
薄膜テープの場合、膜厚方向からの反磁界は最大４πＭ
Ｓであり７ｏ○○〜１ｏ○００ｏｅ、これに対して塗布
型では１００ｏ〜６００００ｅである。従って前者をマ
スタテープとして、後者をスレーブテープに用いること
によって各テープ内部での実効磁界に差を生じせしめて
、有効な転写を可能にすることができるものである。

またスレーブテープとしてＣｏ−Ｃｒ等の垂直記録媒体
を用いる場合には、スレーブテープの磁化容易軸は膜面
に垂直のため動作点におけるＢｒ／Ｂｍは極めて良好に
選定可能であり、第１４図にも示したようにマスクテー
プが最も消去されにくい９０°方向の転写バイアス磁界
を用いることによって良質の信号を得ることができるも
のである。

以上の様に転写バイアス磁界の方向と強度は、スレーブ
テープによって異なるが、例えば最近の高密度記録用と
してＣｏ酸化鉄、　ＣｒＯ２＋　Ｆｅ系合金などテープ
の先は５５０〜１４００ｏｅであり、また斜め蒸着テー
プの児は７００〜１００００８などである。

したがって児の小さなテープ例えば５５０ｏｅ程度のＣ
ｏ酸化鉄テープに転写するためには、その１．５倍の転
写バイアス磁界強度は約８５０ｏｅが適当であり、この
場合、印加磁界方向は＋８５０〜−４８°が最適であっ
た。一方、蒸着テープの場合第１１図のごとくキが角度
ψによって変化するが動作点において、スレーブテープ
の一：１５０００ｅ　の場合には、２．３Ｋｏｅの転写
バイアス磁界強へと一６００〜＋８５°が実験的に良質
の画質を得るのに適していた。

すなわちマスターテープの磁化困難軸方向を中心にして
正方向には＋２０°負方向には一２５°の範囲の方向に
転写バイアス磁界を印加することによって、マスクテー
プの信号の劣化が−２〜−３ｄＢ以内にとどまり実用可
能な範囲内で使用できることが判った。

ま几、転写バイアス磁界の方向を磁化困難軸方向（ここ
では−７３°）から＋８５°の範囲に選んだ場合には１
５Ｋｏｅ程度の極めて大きな転写バイアス磁界強度に対
しても、第１４図における４　Ｋｏｅ印加時のカーブと
同じ特性が得られてマスタテープ上の信号はほとんど消
去されないことも同時に判明した。

したがって、この範囲の転写バイアス磁界を利用するこ
とにより、さらに良質な信号が得られるものである。

発明の効果 以上のように本発明によれば同一テープあるいはＨｃの
比較的小さ々テープからの接触転写が可能となる接触転
写装置において、接触する両テープの片側から本発明の
転写バイアス装置を接触せしめることができ、また摺動
部の曲率半径によって磁界方向が選定することができて
極めて取扱いが容易となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は転写装置の概略構成を示す平面図、第２図は転
写バイアス磁界発生器の概略構成平面図、第３図は転写
の原理を示す斜視図、第４図は従来の転写特性図、第５
図および第６図は強磁性金属薄膜テープの原理図、第７
図は強磁性金属薄膜テープのＭ−Ｈ特性図、第８図は斜
め蒸着テープ製造装置の構成図、第９図は斜め蒸着テー
プの断面を模式的に示す図、第１０図（Ａ）は斜め蒸着
テープの厚み方向に対する測定方法を示す図、第１０図
（Ｂ）は同斜め蒸着テープの特性図、第１１図は斜め蒸
着テープのｌ（ＣおよびＢｘ／Ｂｍの特性図、第１２図
［Ａ）　、　（Ｂ）および第１３図は接触転写の原理図
、第１４図は転写バイアス磁界方向と強度に対するマス
タテープの特性図、第１６図は接触転写の原理図、第１
６図は本発明の実施例の磁気テープ転写装置の全体構成
を示す図、第１７図は本発明の転写磁界発生器の構成を
示す図である。 １・・・・・・マスタテープ、３・・・・・・スレーブ
テープ、７・・・・・・転写バイアス発生器、１０・・
・・・巻取リール。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第３図 第４図 隼ス写バイアス雀龜界強、復（顆か値）第５図 第６図 花７図 、５′Ｌ１ ］ 第１０図　　　（Ａ） （Ｂ） 第１１図 ｙωＵ 第１２図 １４ −ど７ 第１４図 反隼式磁与方向（カ 第１５図 第１６図 第１７図 か ２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 信号記録済みのテープと未記録のスレーブテープの磁性
   層を互いに向合せの状態で走行せしめる手段と、少なく
   とも第１の磁極をガラスその他の非磁性材料などによっ
   て、モールドあるいは被覆し前記テープを一定角巻きつ
   け密接せしめる凸状の摺動部と、前記両テープに対して
   前記第１の磁極と同じ側にあり、前記第１の磁極のテー
   プ摺動面に比して大なる面積を有し力つ励磁用巻線を施
   こした第２の磁極と、前記第１の磁極を前記摺動部の凸
   状の最大位置からずれた位置に配備して前記両テープの
   磁性面と傾斜してマスクテープの困難軸方向に転写磁界
   を印加する転写磁界発生器とを具備したことを特徴とす
   る磁気テープ転写装置。