JPH0520666A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0520666A JPH0520666A JP17508891A JP17508891A JPH0520666A JP H0520666 A JPH0520666 A JP H0520666A JP 17508891 A JP17508891 A JP 17508891A JP 17508891 A JP17508891 A JP 17508891A JP H0520666 A JPH0520666 A JP H0520666A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は薄膜型磁気記録媒体に関するもの
で、高い再生出力及び優れた耐久性を有する磁気記録媒
体を提供することを目的とする。 【構成】 高分子基板１上に少なくともCoとCrを含有
し、磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜している第１
の磁性層２が形成され、その上に少なくともCoとCrを含
有し磁化容易軸が膜面の法線に対し第１の磁性層と同方
向に傾斜し、かつその法線に対する傾斜角が第１の磁性
層よりも小である第２の磁性層３が形成され、さらにそ
の上に少なくともCoと酸素を含有し磁化容易軸が膜面の
法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜している第３
の磁性層４が形成されていることを特徴とする磁気記録
媒体。
で、高い再生出力及び優れた耐久性を有する磁気記録媒
体を提供することを目的とする。 【構成】 高分子基板１上に少なくともCoとCrを含有
し、磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜している第１
の磁性層２が形成され、その上に少なくともCoとCrを含
有し磁化容易軸が膜面の法線に対し第１の磁性層と同方
向に傾斜し、かつその法線に対する傾斜角が第１の磁性
層よりも小である第２の磁性層３が形成され、さらにそ
の上に少なくともCoと酸素を含有し磁化容易軸が膜面の
法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜している第３
の磁性層４が形成されていることを特徴とする磁気記録
媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は長波長領域から短波長領
域にわたって高い再生出力を有し、かつ耐久性の優れた
磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
域にわたって高い再生出力を有し、かつ耐久性の優れた
磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】短波長記録特性の優れた磁気記録方式と
して、垂直磁気記録方式がある。この方式においては垂
直磁気異方性を有する垂直磁気記録媒体が必要となる。
このような媒体に信号を記録すると磁化は媒体の膜面に
垂直な方向を向く。従って信号が短波長になるほど、媒
体内反磁界が減少し、高い再生出力が得られる。
して、垂直磁気記録方式がある。この方式においては垂
直磁気異方性を有する垂直磁気記録媒体が必要となる。
このような媒体に信号を記録すると磁化は媒体の膜面に
垂直な方向を向く。従って信号が短波長になるほど、媒
体内反磁界が減少し、高い再生出力が得られる。
【０００３】現在一般的に用いられている垂直磁気記録
媒体は、高分子フィルム等の非磁性基板上に直接に、あ
るいはTi、Ge、Si、CoO、SiO2、高分子等の非磁性下地
層を介して、Co基の垂直磁気異方性を有する合金磁性層
をスパッタ法や真空蒸着法により形成したものである。
媒体は、高分子フィルム等の非磁性基板上に直接に、あ
るいはTi、Ge、Si、CoO、SiO2、高分子等の非磁性下地
層を介して、Co基の垂直磁気異方性を有する合金磁性層
をスパッタ法や真空蒸着法により形成したものである。
【０００４】従来の垂直磁気記録媒体は優れた短波長記
録再生特性を有しているが、既に市販されているメタル
塗布型テープ（ＭＰテープ）や蒸着テープ（ＭＥテー
プ）に対して、出力が充分高いとは言い難かった。ま
た、従来の垂直磁気記録媒体は耐久性においても満足で
きるものではなかった。そこで、これを解決するため
に、本発明者は基板上にCoとCrを含有し、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している第１の磁性層が形成さ
れ、その上に少なくともCoと酸素を含有し、磁化容易軸
が膜面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜して
いる第２の磁性層が形成されている磁気記録媒体を提案
した（特願平１−２２３５５８号）。
録再生特性を有しているが、既に市販されているメタル
塗布型テープ（ＭＰテープ）や蒸着テープ（ＭＥテー
プ）に対して、出力が充分高いとは言い難かった。ま
た、従来の垂直磁気記録媒体は耐久性においても満足で
きるものではなかった。そこで、これを解決するため
に、本発明者は基板上にCoとCrを含有し、磁化容易軸が
膜面の法線に対して傾斜している第１の磁性層が形成さ
れ、その上に少なくともCoと酸素を含有し、磁化容易軸
が膜面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜して
いる第２の磁性層が形成されている磁気記録媒体を提案
した（特願平１−２２３５５８号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記提案の磁気記録媒
体によれば、再生出力及び耐久性が改善できるが、再生
出力の点でまだ充分とはいい難かった。すなわち上記提
案の磁気記録媒体においては、CoとCrを含有する第１の
磁性層は、真空蒸着法により連続して形成されているの
で、その結晶配向性は膜形成時の蒸発原子の基板への膜
形成開始部における入射角によってほぼ決定される。膜
形成開始部における入射角を60゜未満として形成した場
合には、短波長領域における再生出力は高いが、長波長
領域においては低い再生出力しか得られない。一方、膜
形成開始部における入射角を60゜以上として形成した場
合には、長波長領域における再生出力は高いが、短波長
領域においては高い再生出力が得られにくい。本発明は
長波長領域から短波長領域にわたって高い再生出力を有
し、かつ耐久性の優れた媒体を供給しようとするもので
ある。
体によれば、再生出力及び耐久性が改善できるが、再生
出力の点でまだ充分とはいい難かった。すなわち上記提
案の磁気記録媒体においては、CoとCrを含有する第１の
磁性層は、真空蒸着法により連続して形成されているの
で、その結晶配向性は膜形成時の蒸発原子の基板への膜
形成開始部における入射角によってほぼ決定される。膜
形成開始部における入射角を60゜未満として形成した場
合には、短波長領域における再生出力は高いが、長波長
領域においては低い再生出力しか得られない。一方、膜
形成開始部における入射角を60゜以上として形成した場
合には、長波長領域における再生出力は高いが、短波長
領域においては高い再生出力が得られにくい。本発明は
長波長領域から短波長領域にわたって高い再生出力を有
し、かつ耐久性の優れた媒体を供給しようとするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記要望を実現
したものであって、高分子基板上に直接あるいは非磁性
下地層を介して少なくともCoとCrを含有し、磁化容易軸
が膜面の法線に対して傾斜している第１の磁性層が形成
され、その上に少なくともCoとCrを含有し磁化容易軸が
膜面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜し、か
つその法線に対する傾斜角が第１の磁性層の磁化容易軸
の傾斜角よりも小である第２の磁性層が形成され、さら
にその上に少なくともCoと酸素を含有し磁化容易軸が膜
面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜している
第３の磁性層が形成されていることを特徴とする。
したものであって、高分子基板上に直接あるいは非磁性
下地層を介して少なくともCoとCrを含有し、磁化容易軸
が膜面の法線に対して傾斜している第１の磁性層が形成
され、その上に少なくともCoとCrを含有し磁化容易軸が
膜面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜し、か
つその法線に対する傾斜角が第１の磁性層の磁化容易軸
の傾斜角よりも小である第２の磁性層が形成され、さら
にその上に少なくともCoと酸素を含有し磁化容易軸が膜
面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜している
第３の磁性層が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
【作用】磁化容易軸が膜面の法線方向に対して傾斜して
いるCoとCrを含有する磁性層を、真空蒸着法によって、
全膜厚にわたって連続して形成せずに、途中に不連続部
を配置すると、そこで結晶配向性も不連続になる。Coと
Crを含有する磁性層を膜中に不連続部を有する２層構造
とし、この構造の膜の基板側の層を第１の磁性層、表面
側の層を第２の磁性層と呼び、第１の磁性層の磁化容易
軸の膜法線に対する傾斜角を、第２の磁性層の磁化容易
軸の傾斜角よりも大きくすることにより、長波長領域か
ら短波長領域にわたって高い再生出力を有する磁気記録
媒体が得られる。この媒体においては、第１の磁性層の
磁化容易軸の傾斜角が大きいことが、長波長領域におけ
る再生出力に寄与し、第２の磁性層の磁化容易軸の傾斜
角が第１の磁性層よりも小さいことが、短波長領域にお
ける再生出力に寄与しているものと考えられる。
いるCoとCrを含有する磁性層を、真空蒸着法によって、
全膜厚にわたって連続して形成せずに、途中に不連続部
を配置すると、そこで結晶配向性も不連続になる。Coと
Crを含有する磁性層を膜中に不連続部を有する２層構造
とし、この構造の膜の基板側の層を第１の磁性層、表面
側の層を第２の磁性層と呼び、第１の磁性層の磁化容易
軸の膜法線に対する傾斜角を、第２の磁性層の磁化容易
軸の傾斜角よりも大きくすることにより、長波長領域か
ら短波長領域にわたって高い再生出力を有する磁気記録
媒体が得られる。この媒体においては、第１の磁性層の
磁化容易軸の傾斜角が大きいことが、長波長領域におけ
る再生出力に寄与し、第２の磁性層の磁化容易軸の傾斜
角が第１の磁性層よりも小さいことが、短波長領域にお
ける再生出力に寄与しているものと考えられる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の一実施例を（図１）に基づい
て説明する。
て説明する。
【０００９】（図１）は本発明の磁気記録媒体の構成の
一例を示す図である。（図１）において１は高分子基
板、２は磁化容易軸が膜面の法線５に対してφ1傾斜し
ている少なくともCoとCrを含有する第１の磁性層であ
る。３は磁化容易軸が膜面の法線５に対して第１の磁性
層２と同方向に傾斜し、かつその法線に対する傾斜角φ
2が第１の磁性層の磁化容易軸の傾斜角φ1よりも小であ
る、少なくともCoとCrを含有する第２の磁性層、４は磁
化容易軸が膜面の法線５に対して第１の磁性層と同方向
に傾斜している、少なくともCoと酸素を含有する第３の
磁性層である。５は膜面の法線、６は第１の磁性層の磁
化容易軸の傾斜方向、 φ1はその法線５に対する角度で
ある。７は第２の磁性層の磁化容易軸の傾斜方向、φ2
はその法線５に対する角度である。８は第３の磁性層の
磁化容易軸の傾斜方向、φ3はその法線５に対する角度
である。φ1とφ2との関係は、φ1＞φ2である。
一例を示す図である。（図１）において１は高分子基
板、２は磁化容易軸が膜面の法線５に対してφ1傾斜し
ている少なくともCoとCrを含有する第１の磁性層であ
る。３は磁化容易軸が膜面の法線５に対して第１の磁性
層２と同方向に傾斜し、かつその法線に対する傾斜角φ
2が第１の磁性層の磁化容易軸の傾斜角φ1よりも小であ
る、少なくともCoとCrを含有する第２の磁性層、４は磁
化容易軸が膜面の法線５に対して第１の磁性層と同方向
に傾斜している、少なくともCoと酸素を含有する第３の
磁性層である。５は膜面の法線、６は第１の磁性層の磁
化容易軸の傾斜方向、 φ1はその法線５に対する角度で
ある。７は第２の磁性層の磁化容易軸の傾斜方向、φ2
はその法線５に対する角度である。８は第３の磁性層の
磁化容易軸の傾斜方向、φ3はその法線５に対する角度
である。φ1とφ2との関係は、φ1＞φ2である。
【００１０】第１、第２の磁性層の成分の例としては、
Co-Cr、Co-Ni-Cr、あるいはこれらに微量の不純物を含
む薄膜がある。第３の磁性層の成分の例としては、Co-
O、Co-Ni-O、あるいはこれらに微量の不純物を含む薄膜
がある。
Co-Cr、Co-Ni-Cr、あるいはこれらに微量の不純物を含
む薄膜がある。第３の磁性層の成分の例としては、Co-
O、Co-Ni-O、あるいはこれらに微量の不純物を含む薄膜
がある。
【００１１】次に、（図１）に示す構造を有する媒体の
製造法の一例を、（図２）に基づいて説明する。膜面の
法線に対して磁化容易軸が傾斜している薄膜媒体は真空
蒸着法により作製可能である。真空蒸着法においては、
高分子基板を円筒状キャンの周面に沿って走行させつつ
薄膜の形成を行うと、テープ状の磁気記録媒体が非常に
生産性よく得られる。
製造法の一例を、（図２）に基づいて説明する。膜面の
法線に対して磁化容易軸が傾斜している薄膜媒体は真空
蒸着法により作製可能である。真空蒸着法においては、
高分子基板を円筒状キャンの周面に沿って走行させつつ
薄膜の形成を行うと、テープ状の磁気記録媒体が非常に
生産性よく得られる。
【００１２】（図２）はこのような真空蒸着装置の内部
構造の概略図である。高分子基板１が円筒状キャン９の
周面に沿って走行する。蒸発源１０と円筒状キャン９と
の間には遮蔽板１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが配置されてお
り、この遮蔽板の開口部１３及び１４を通って蒸発原子
１５は高分子基板１に付着する。
構造の概略図である。高分子基板１が円筒状キャン９の
周面に沿って走行する。蒸発源１０と円筒状キャン９と
の間には遮蔽板１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが配置されてお
り、この遮蔽板の開口部１３及び１４を通って蒸発原子
１５は高分子基板１に付着する。
【００１３】第１及び第２の磁性層を形成する際には、
蒸発源１０に蒸発物質１１として、Co-CrあるいはCo-Ni
-Cr合金を充填しておき、高分子基板１を矢印１６の向
きに走行させる。開口部１３を通過した蒸発原子１５に
よって第１の磁性層が形成され、開口部１４を通過した
蒸発原子１５によって第２の磁性層が、第１の磁性層の
上に形成される。なお、Co等の高融点金属を高いレート
で蒸発させるための蒸発源としては電子ビーム蒸発源が
適している。１７、１８はそれぞれ高分子基板１の供給
ロール及び巻き取りロールである。θ1、θ2は、それぞ
れ第１の磁性層の膜形成開始部及び膜形成終了部におけ
る、蒸発原子の高分子基板１への入射角である。θ3、
θ4はそれぞれ第２の磁性層の膜形成開始部及び膜形成
終了部の入射角である。
蒸発源１０に蒸発物質１１として、Co-CrあるいはCo-Ni
-Cr合金を充填しておき、高分子基板１を矢印１６の向
きに走行させる。開口部１３を通過した蒸発原子１５に
よって第１の磁性層が形成され、開口部１４を通過した
蒸発原子１５によって第２の磁性層が、第１の磁性層の
上に形成される。なお、Co等の高融点金属を高いレート
で蒸発させるための蒸発源としては電子ビーム蒸発源が
適している。１７、１８はそれぞれ高分子基板１の供給
ロール及び巻き取りロールである。θ1、θ2は、それぞ
れ第１の磁性層の膜形成開始部及び膜形成終了部におけ
る、蒸発原子の高分子基板１への入射角である。θ3、
θ4はそれぞれ第２の磁性層の膜形成開始部及び膜形成
終了部の入射角である。
【００１４】第１の磁性層が開口部１３の部分で形成さ
れる際に、蒸発原子の基板への入射角は膜の成長にとも
なってθ1からθ2に変化する。本方法で成膜する際に
は、θ 1を60゜以上とし、θ2を50゜〜80゜とすることによ
り、磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜しており、高
い再生出力を有する媒体が得られる。第２の磁性層が開
口部１４の部分で形成される際には、蒸発原子の基板へ
の入射角は膜の成長にともなってθ3からθ4に変化す
る。この場合に、θ3を25゜〜55゜、θ4を0゜〜30゜とする
ことにより、第１の磁性層よりも膜法線に対する磁化容
易軸の傾斜角が小さく、かつ磁化容易軸の膜法線に対す
る傾斜方向が第１の磁性層と同方向である磁性層が得ら
れる。
れる際に、蒸発原子の基板への入射角は膜の成長にとも
なってθ1からθ2に変化する。本方法で成膜する際に
は、θ 1を60゜以上とし、θ2を50゜〜80゜とすることによ
り、磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜しており、高
い再生出力を有する媒体が得られる。第２の磁性層が開
口部１４の部分で形成される際には、蒸発原子の基板へ
の入射角は膜の成長にともなってθ3からθ4に変化す
る。この場合に、θ3を25゜〜55゜、θ4を0゜〜30゜とする
ことにより、第１の磁性層よりも膜法線に対する磁化容
易軸の傾斜角が小さく、かつ磁化容易軸の膜法線に対す
る傾斜方向が第１の磁性層と同方向である磁性層が得ら
れる。
【００１５】次に、巻き取りロール１８に巻き取られ
た、第１及び第２の磁性層の形成された高分子基板１を
矢印１６と反対の向きに走行させて、供給ロール１７に
巻き取る。この際に蒸発は停止させておく。
た、第１及び第２の磁性層の形成された高分子基板１を
矢印１６と反対の向きに走行させて、供給ロール１７に
巻き取る。この際に蒸発は停止させておく。
【００１６】次に、第１及び第２の磁性層の形成された
高分子基板１を矢印１６の向きに走行させて、第３の磁
性層を形成する。この際には、開口部１３と蒸発源１０
との間に遮蔽板を設置することにより、開口部１３は閉
じておく。また、蒸発源１０には、蒸発物質１１として
CoあるいはCo-Ni合金を充填しておく。蒸着時には真空
槽内に酸素ガスを導入する。酸素雰囲気中で蒸着した第
３の磁性層は酸素と反応し部分酸化膜になる。第３の磁
性層は開口部１４の部分で形成され、その際に蒸発原子
の基板への入射角は、膜の成長にともなってθ3からθ4
に変化する。第３の磁性層形成の際の入射角は10゜以上
70゜以下とすることにより、磁化容易軸が膜面の法線に
対して第１の磁性層と同方向に傾斜しており、高出力を
有する媒体が得られる。
高分子基板１を矢印１６の向きに走行させて、第３の磁
性層を形成する。この際には、開口部１３と蒸発源１０
との間に遮蔽板を設置することにより、開口部１３は閉
じておく。また、蒸発源１０には、蒸発物質１１として
CoあるいはCo-Ni合金を充填しておく。蒸着時には真空
槽内に酸素ガスを導入する。酸素雰囲気中で蒸着した第
３の磁性層は酸素と反応し部分酸化膜になる。第３の磁
性層は開口部１４の部分で形成され、その際に蒸発原子
の基板への入射角は、膜の成長にともなってθ3からθ4
に変化する。第３の磁性層形成の際の入射角は10゜以上
70゜以下とすることにより、磁化容易軸が膜面の法線に
対して第１の磁性層と同方向に傾斜しており、高出力を
有する媒体が得られる。
【００１７】実際に（図２）における、θ1、θ2、
θ3、θ4をそれぞれ80゜、70゜、50゜及び10゜とし、蒸発
源１０にCo-Cr合金を充填して、第１及び第２の磁性層
の蒸着を行なった。高分子基板１としては膜厚8μmのポ
リイミドフィルムを用い、第１及び第２の磁性層の膜厚
を、それぞれ0.02μm及び0.15μmとした。磁性層の組成
はCrが約20wt％である。第３の磁性層はθ3、θ4を45゜
及び20゜とし、開口部１３と蒸発源１０との間に遮蔽板
を配置することにより開口部１３を閉じ、蒸発源１０に
Coを充填して、真空槽内に酸素ガスを導入しつつ成膜し
た。第１及び第２の磁性層形成時には、円筒状キャン９
の表面温度は250℃に設定し、第３の磁性層形成時には7
0℃に設定した。
θ3、θ4をそれぞれ80゜、70゜、50゜及び10゜とし、蒸発
源１０にCo-Cr合金を充填して、第１及び第２の磁性層
の蒸着を行なった。高分子基板１としては膜厚8μmのポ
リイミドフィルムを用い、第１及び第２の磁性層の膜厚
を、それぞれ0.02μm及び0.15μmとした。磁性層の組成
はCrが約20wt％である。第３の磁性層はθ3、θ4を45゜
及び20゜とし、開口部１３と蒸発源１０との間に遮蔽板
を配置することにより開口部１３を閉じ、蒸発源１０に
Coを充填して、真空槽内に酸素ガスを導入しつつ成膜し
た。第１及び第２の磁性層形成時には、円筒状キャン９
の表面温度は250℃に設定し、第３の磁性層形成時には7
0℃に設定した。
【００１８】この媒体をテープ状にスリットし、アモル
ファスから成るギャップ長0.15μmのリング形磁気ヘッ
ドを用いて、記録再生特性の測定を行なった。（表１）
に10kFRPI（１インチ当たり10000回磁化反転のある記録
状態）、及び130kFRPIにおける再生出力を、８ミリＶＴ
Ｒ用ＭＰテープ及びＭＥテープ、従来のCo-Cr垂直磁気
記録媒体と比較して示す。
ファスから成るギャップ長0.15μmのリング形磁気ヘッ
ドを用いて、記録再生特性の測定を行なった。（表１）
に10kFRPI（１インチ当たり10000回磁化反転のある記録
状態）、及び130kFRPIにおける再生出力を、８ミリＶＴ
Ｒ用ＭＰテープ及びＭＥテープ、従来のCo-Cr垂直磁気
記録媒体と比較して示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】（表１）から、本発明の媒体が従来の媒体
に比べて、長波長領域から短波長領域にわたって極めて
高い再生出力を有していることがわかる。また、本発明
の媒体は媒体表面がCoを含有する部分酸化膜になってい
るので、従来のCo-Cr垂直磁気記録媒体に比べて優れた
耐久性を有している。
に比べて、長波長領域から短波長領域にわたって極めて
高い再生出力を有していることがわかる。また、本発明
の媒体は媒体表面がCoを含有する部分酸化膜になってい
るので、従来のCo-Cr垂直磁気記録媒体に比べて優れた
耐久性を有している。
【００２１】以上では、第１及び第２の磁性層として、
Co-Cr合金を用い、第３の磁性層としてCo-Oを用いた例
について説明したが、第１及び第２の磁性層としては少
なくとも、CoとCrを含有すればよく、第３の磁性層とし
ては、少なくともCoと酸素を含有すればよい。
Co-Cr合金を用い、第３の磁性層としてCo-Oを用いた例
について説明したが、第１及び第２の磁性層としては少
なくとも、CoとCrを含有すればよく、第３の磁性層とし
ては、少なくともCoと酸素を含有すればよい。
【００２２】第２の磁性層の膜厚としては、0.08μm以
上0.3μm以下、第３の磁性層の膜厚としては0.03μm以
上0.12μm以下が望ましい。この範囲外であると、短波
長領域において高出力を得ることが困難になってしま
う。この理由を述べる。第２の磁性層の膜厚が0.08μm
未満であると、結晶配向性が低いために、信号を記録し
た際に垂直磁化成分が残りにくい。第２の磁性層の膜厚
が0.3μmを越えると、全膜厚にわたる記録が困難にな
る。また、第３の磁性層の膜厚が0.03μm未満である
と、第３の磁性層を設けた効果が薄れてしまい、充分な
耐久性が確保できなくなる。第３の磁性層の膜厚が0.12
μmを越えると、全帯域にわたって再生出力が低下す
る。これは、部分酸化膜が金属と酸化物の微細な結晶粒
から成ることによるものと考えられるが、まだ原因は明
確にはなっていない。第１の磁性層の膜厚は0.1μmを越
えないことが望ましい。0.1μmを越えると短波長領域に
おける再生出力が低下してしまう。この原因もまだ明ら
かではないが、0.1μmを越えると表面の凹凸が増加し、
その上に形成する第２の磁性層の結晶配向性が劣化する
ことが考えられる。
上0.3μm以下、第３の磁性層の膜厚としては0.03μm以
上0.12μm以下が望ましい。この範囲外であると、短波
長領域において高出力を得ることが困難になってしま
う。この理由を述べる。第２の磁性層の膜厚が0.08μm
未満であると、結晶配向性が低いために、信号を記録し
た際に垂直磁化成分が残りにくい。第２の磁性層の膜厚
が0.3μmを越えると、全膜厚にわたる記録が困難にな
る。また、第３の磁性層の膜厚が0.03μm未満である
と、第３の磁性層を設けた効果が薄れてしまい、充分な
耐久性が確保できなくなる。第３の磁性層の膜厚が0.12
μmを越えると、全帯域にわたって再生出力が低下す
る。これは、部分酸化膜が金属と酸化物の微細な結晶粒
から成ることによるものと考えられるが、まだ原因は明
確にはなっていない。第１の磁性層の膜厚は0.1μmを越
えないことが望ましい。0.1μmを越えると短波長領域に
おける再生出力が低下してしまう。この原因もまだ明ら
かではないが、0.1μmを越えると表面の凹凸が増加し、
その上に形成する第２の磁性層の結晶配向性が劣化する
ことが考えられる。
【００２３】第２及び第３の磁性層の磁化容易軸の傾斜
角φ2及びφ3は、いずれも20゜から70゜の範囲内にある
場合に高い再生出力が得られる。20゜未満の場合には従
来の垂直磁気記録媒体以下の再生出力になってしまう。
70゜を越えると、従来の面内磁気記録媒体と同様の特性
になってしまう。すなわちこの場合には、短波長領域に
おける再生出力が大幅に低下してしまう。
角φ2及びφ3は、いずれも20゜から70゜の範囲内にある
場合に高い再生出力が得られる。20゜未満の場合には従
来の垂直磁気記録媒体以下の再生出力になってしまう。
70゜を越えると、従来の面内磁気記録媒体と同様の特性
になってしまう。すなわちこの場合には、短波長領域に
おける再生出力が大幅に低下してしまう。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、長波長領域から短波長
領域にわたって高い再生出力が得られ、かつ耐久性の優
れた磁気記録媒体を提供できる。
領域にわたって高い再生出力が得られ、かつ耐久性の優
れた磁気記録媒体を提供できる。
【図１】本発明の媒体構造の一例の概略を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の磁気記録媒体を作製するた
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図である。
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図である。
１ 高分子基板
２ 第１の磁性層
３ 第２の磁性層
４ 第３の磁性層
５ 膜面の法線
６ 第１の磁性層の磁化容易軸の方向
７ 第２の磁性層の磁化容易軸の方向
８ 第３の磁性層の磁化容易軸の方向
９ 円筒状キャン
１０ 蒸発源
１１ 蒸発物質
１２Ａ、１２Ｂ，１２Ｃ 遮蔽板
１３ 第１の磁性層を形成するための開口部
１４ 第２及び第３の磁性層を形成するための開口部
１５ 蒸発原子
１７ 供給ロール
１８ 巻き取りロール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石田 達朗
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子基板上に直接あるいは非磁性下地
層を介して少なくともCoとCrを含有し、磁化容易軸が膜
面の法線に対して傾斜している第１の磁性層が形成さ
れ、その上に少なくともCoとCrを含有し磁化容易軸が膜
面の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜し、かつ
その法線に対する傾斜角が第１の磁性層の磁化容易軸の
傾斜角よりも小である第２の磁性層が形成され、さらに
その上に少なくともCoと酸素を含有し磁化容易軸が膜面
の法線に対して第１の磁性層と同方向に傾斜している第
３の磁性層が形成されていることを特徴とする磁気記録
媒体。 - 【請求項２】 高分子基板上に直接あるいは非磁性下地
層を介して少なくともCoとCrを含有する第１の磁性層を
形成し、その上に少なくともCoとCrを含有する第２の磁
性層を形成し、さらにその上に少なくともCoと酸素を含
有する第３の磁性層を真空蒸着法により形成する際に、
第１層目の膜形成開始部における蒸発原子の基板への入
射角を基板法線方向に対して60゜以上とし、第１層目の
膜形成終了部における入射角を50゜〜80゜とし、第２層目
の膜形成開始部における入射角を第１層目の膜形成終了
部における入射角よりも小さくかつ25゜〜55゜とし、第２
層目の膜形成終了部における入射角を0゜〜30゜とし、第
３層目の蒸発原子の基板への入射角を10゜以上70゜以下
とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17508891A JPH0520666A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17508891A JPH0520666A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520666A true JPH0520666A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15990041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17508891A Pending JPH0520666A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06111267A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Kao Corp | 磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP17508891A patent/JPH0520666A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06111267A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Kao Corp | 磁気記録媒体 |
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