JPH04364224A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH04364224A JPH04364224A JP13911091A JP13911091A JPH04364224A JP H04364224 A JPH04364224 A JP H04364224A JP 13911091 A JP13911091 A JP 13911091A JP 13911091 A JP13911091 A JP 13911091A JP H04364224 A JPH04364224 A JP H04364224A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高いＣ／Ｎの得られる磁
気記録媒体の製造方法に関する。
気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録再生装置は年々高密度化してお
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づいている
。
り、短波長記録再生特性の優れた磁気記録媒体が要望さ
れている。現在では基板上に磁性粉を塗布した塗布型磁
気記録媒体が主に使用されており、上記要望を満足すべ
く特性改善がなされているが、ほぼ限界に近づいている
。
【０００３】この限界を越えるものとして薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒
体における磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されている。磁気テープとして
実用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適し
ており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層とした蒸着テープが既
にＨｉ８方式ＶＴＲテープとして実用化されている。
録媒体が開発されている。薄膜型磁気記録媒体は真空蒸
着法、スパッタリング法、メッキ法等により作製され、
優れた短波長記録再生特性を有する。薄膜型磁気記録媒
体における磁性層としては、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等が検討されている。磁気テープとして
実用化する際には、製造法として真空蒸着法が最も適し
ており、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏを磁性層とした蒸着テープが既
にＨｉ８方式ＶＴＲテープとして実用化されている。
【０００４】蒸着テープ製造方法の一例を、（図１）を
用いて以下に説明する。（図１）は蒸着テープを作製す
るための真空蒸着装置内部の構成の一例である。高分子
基板１は円筒状キャン２に沿って矢印６の向きに走行す
る。蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、高分子基板１
に付着することにより磁性層が形成される。蒸発源８と
しては電子ビーム蒸発源が適しており、この中に蒸発物
質７としてのＣｏ基の合金を充填する。
用いて以下に説明する。（図１）は蒸着テープを作製す
るための真空蒸着装置内部の構成の一例である。高分子
基板１は円筒状キャン２に沿って矢印６の向きに走行す
る。蒸発源８から蒸発した蒸発原子９が、高分子基板１
に付着することにより磁性層が形成される。蒸発源８と
しては電子ビーム蒸発源が適しており、この中に蒸発物
質７としてのＣｏ基の合金を充填する。
【０００５】なお、蒸発源として電子ビーム蒸発源を用
いるのは、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸発速度で蒸発さ
せるためである。３Ａ、３Ｂは不要な蒸発原子が基板に
付着するのを防ぐために設けてある遮蔽板である。１０
は蒸着時に真空槽内に酸素を導入するための酸素導入口
である。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テ
ープは、この様な方法で製造されている。４、５はそれ
ぞれ基板１の供給ロールと巻き取りロールである。
いるのは、Ｃｏ等の高融点金属を高い蒸発速度で蒸発さ
せるためである。３Ａ、３Ｂは不要な蒸発原子が基板に
付着するのを防ぐために設けてある遮蔽板である。１０
は蒸着時に真空槽内に酸素を導入するための酸素導入口
である。現在市販されているＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テ
ープは、この様な方法で製造されている。４、５はそれ
ぞれ基板１の供給ロールと巻き取りロールである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】今後、磁気記録再生装
置はますます小型大容量化の方向にあり、これを実現す
るために、磁気テープには高Ｃ／Ｎの要求がますます強
くなる。ここで、Ｃ／Ｎとは信号出力とノイズとの比の
ことであり、高Ｃ／Ｎを得るためには、高出力化及び低
ノイズ化を図らなければならない。
置はますます小型大容量化の方向にあり、これを実現す
るために、磁気テープには高Ｃ／Ｎの要求がますます強
くなる。ここで、Ｃ／Ｎとは信号出力とノイズとの比の
ことであり、高Ｃ／Ｎを得るためには、高出力化及び低
ノイズ化を図らなければならない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記要望を実現
したものであって、真空蒸着法により基板上に磁化容易
軸が膜面の法線に対して傾斜しているＣｏと酸素を含有
する第１の磁性層を基板温度を１５０℃以上として形成
し、その上に磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜して
いるＣｏと酸素を含有する第２の磁性層を基板温度を１
４０℃以下として形成することを特徴とする
したものであって、真空蒸着法により基板上に磁化容易
軸が膜面の法線に対して傾斜しているＣｏと酸素を含有
する第１の磁性層を基板温度を１５０℃以上として形成
し、その上に磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜して
いるＣｏと酸素を含有する第２の磁性層を基板温度を１
４０℃以下として形成することを特徴とする
【０００８】
【作用】Ｃｏ基の合金と酸素からなる磁性層は、一般に
Ｃｏ合金部と酸化Ｃｏ合金部とに分離した部分酸化膜に
なっている。本発明の構成の媒体におけるＣｏ合金と酸
素からなる第１の磁性層は、１５０℃以上の基板温度で
蒸着するので、膜中のＣｏ合金部と酸化Ｃｏ合金部との
分離が促進され、ノイズが低く、特に長波長領域におけ
る出力に寄与をする。第２の磁性層は１４０℃以下の基
板温度で蒸着するので、高い結晶磁気異方性を確保でき
、短波長領域における出力に寄与する。その結果、本発
明の媒体は長波長領域から短波長領域にわたって高いＣ
／Ｎを有する。
Ｃｏ合金部と酸化Ｃｏ合金部とに分離した部分酸化膜に
なっている。本発明の構成の媒体におけるＣｏ合金と酸
素からなる第１の磁性層は、１５０℃以上の基板温度で
蒸着するので、膜中のＣｏ合金部と酸化Ｃｏ合金部との
分離が促進され、ノイズが低く、特に長波長領域におけ
る出力に寄与をする。第２の磁性層は１４０℃以下の基
板温度で蒸着するので、高い結晶磁気異方性を確保でき
、短波長領域における出力に寄与する。その結果、本発
明の媒体は長波長領域から短波長領域にわたって高いＣ
／Ｎを有する。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一
例を（図１）に基づいて説明する。
例を（図１）に基づいて説明する。
【００１０】まず、第１の磁性層の成膜方法を説明する
。高分子基板１が円筒状キャン２の表面に沿って矢印６
の向きに走行する。蒸発源８と円筒状キャン２との間に
は遮蔽板３Ａ、３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開
口部を通って蒸発原子９は高分子基板１に付着する。 蒸発物質７としてＣｏ合金を蒸発源８に充填する。酸素
導入口１０から真空層内に酸素を導入する。θｉ、θｆ
は、それぞれ磁性層の蒸着開始部及び蒸着終了部におけ
る蒸発原子の高分子基板１への入射角である。第１の磁
性層形成時には、円筒状キャンの表面温度を１５０℃以
上に設定しておく。
。高分子基板１が円筒状キャン２の表面に沿って矢印６
の向きに走行する。蒸発源８と円筒状キャン２との間に
は遮蔽板３Ａ、３Ｂが配置されている。この遮蔽板の開
口部を通って蒸発原子９は高分子基板１に付着する。 蒸発物質７としてＣｏ合金を蒸発源８に充填する。酸素
導入口１０から真空層内に酸素を導入する。θｉ、θｆ
は、それぞれ磁性層の蒸着開始部及び蒸着終了部におけ
る蒸発原子の高分子基板１への入射角である。第１の磁
性層形成時には、円筒状キャンの表面温度を１５０℃以
上に設定しておく。
【００１１】次に、第２の磁性層の成膜方法を説明する
。第１の磁性層が形成されて巻き取りロール５に巻き取
られた高分子基板１を円筒状キャン２の周面に沿って矢
印６の逆向きに走行させ、供給ロール４に巻き戻す。 この際に、蒸発源の電源は切っておき、蒸発を停止させ
ておく。次に、この高分子基板１を矢印６の向きに走行
させて、第２の磁性層を形成する。円筒状キャンの表面
温度は１４０℃以下にしておく。なお、蒸発物質７とし
てはＣｏ合金を蒸発源８に充填しておく。また酸素導入
口１０から、真空層内に酸素を導入する。
。第１の磁性層が形成されて巻き取りロール５に巻き取
られた高分子基板１を円筒状キャン２の周面に沿って矢
印６の逆向きに走行させ、供給ロール４に巻き戻す。 この際に、蒸発源の電源は切っておき、蒸発を停止させ
ておく。次に、この高分子基板１を矢印６の向きに走行
させて、第２の磁性層を形成する。円筒状キャンの表面
温度は１４０℃以下にしておく。なお、蒸発物質７とし
てはＣｏ合金を蒸発源８に充填しておく。また酸素導入
口１０から、真空層内に酸素を導入する。
【００１２】第１の磁性層を成膜する際には、円筒状キ
ャンの表面温度を１５０℃以上とすることにより、長波
長領域で高出力を有し、しかも低ノイズの媒体が得られ
る。第２の磁性層を成膜する際には、円筒状キャンの表
面温度を１４０℃以下とすることにより、短波長領域で
高出力を有する媒体が得られる。
ャンの表面温度を１５０℃以上とすることにより、長波
長領域で高出力を有し、しかも低ノイズの媒体が得られ
る。第２の磁性層を成膜する際には、円筒状キャンの表
面温度を１４０℃以下とすることにより、短波長領域で
高出力を有する媒体が得られる。
【００１３】次に、上記説明の方法に従って作製する際
の具体的な実施例について述べる。まず、（図１）に示
す構成で第１の磁性層を形成した。蒸発源８に蒸発物質
７としてのＮｉを２０ｗｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ合金を
充填して、蒸着を行なった。円筒状キャン２の直径は１
ｍであり、その表面温度を２００℃とした。高分子基板
１としては膜厚８μｍのポリイミドフィルムを用いた。 θｉは９０゜、θｆは４０゜に設定した。なおこの場合
には、遮蔽板３Ａは不要である。また、酸素導入口１０
から１．２ｌ／ｍｉｎの量の酸素を真空槽内に導入した
。この様にして、平均の膜堆積速度を０．３μｍ／ｓと
して、膜厚０．１３μｍの第１の磁性層を形成した。以
上の条件において円筒状キャンの表面温度及び磁性層厚
以外は市販の蒸着テープの場合とほぼ同様である。
の具体的な実施例について述べる。まず、（図１）に示
す構成で第１の磁性層を形成した。蒸発源８に蒸発物質
７としてのＮｉを２０ｗｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ合金を
充填して、蒸着を行なった。円筒状キャン２の直径は１
ｍであり、その表面温度を２００℃とした。高分子基板
１としては膜厚８μｍのポリイミドフィルムを用いた。 θｉは９０゜、θｆは４０゜に設定した。なおこの場合
には、遮蔽板３Ａは不要である。また、酸素導入口１０
から１．２ｌ／ｍｉｎの量の酸素を真空槽内に導入した
。この様にして、平均の膜堆積速度を０．３μｍ／ｓと
して、膜厚０．１３μｍの第１の磁性層を形成した。以
上の条件において円筒状キャンの表面温度及び磁性層厚
以外は市販の蒸着テープの場合とほぼ同様である。
【００１４】次に、巻き取りロール５に巻き取られた第
１の磁性層の形成された高分子基板を、供給ロール４に
巻き戻した。この際に蒸発は停止しておいた。
１の磁性層の形成された高分子基板を、供給ロール４に
巻き戻した。この際に蒸発は停止しておいた。
【００１５】次に、第２の磁性層を形成した。蒸発物質
７としては第１の磁性層形成時に充填したＮｉを２０ｗ
ｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ合金をそのまま使用した。円筒
状キャンの表面温度は１００℃とした。θｉは９０゜、
θｆは４０゜に設定した。酸素導入口１０からの酸素導
入量は１．２ｌ／ｍｉｎとした。この様にして、平均の
膜堆積速度を０．３μｍ／ｓとして、膜厚０．０７μｍ
の第２の磁性層を形成した。 以上の条件は円筒状キャンの表面温度及び磁性層厚以外
は市販の蒸着テープの場合とほぼ同様である。
７としては第１の磁性層形成時に充填したＮｉを２０ｗ
ｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ合金をそのまま使用した。円筒
状キャンの表面温度は１００℃とした。θｉは９０゜、
θｆは４０゜に設定した。酸素導入口１０からの酸素導
入量は１．２ｌ／ｍｉｎとした。この様にして、平均の
膜堆積速度を０．３μｍ／ｓとして、膜厚０．０７μｍ
の第２の磁性層を形成した。 以上の条件は円筒状キャンの表面温度及び磁性層厚以外
は市販の蒸着テープの場合とほぼ同様である。
【００１６】この媒体をテープ状にスリットし、センダ
ストから成るギャップ長０．１５μｍのリング形磁気ヘ
ッドを用いて記録再生特性の評価を行なった。その結果
、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、記録
波長３．８μｍで２ｄＢ、０．５４μｍで２ｄＢ、０．
３８μｍで１ｄＢ高い再生出力が得られた。また、ノイ
ズは市販の蒸着テープに対して、全帯域で約１ｄＢ低か
った。 従ってＣ／Ｎとしては、市販の蒸着テープに対して、記
録波長３．８μｍで３ｄＢ、０．５４μｍで３ｄＢ、０
．３８μｍで２ｄＢ高い値が得られた。
ストから成るギャップ長０．１５μｍのリング形磁気ヘ
ッドを用いて記録再生特性の評価を行なった。その結果
、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テープに対して、記録
波長３．８μｍで２ｄＢ、０．５４μｍで２ｄＢ、０．
３８μｍで１ｄＢ高い再生出力が得られた。また、ノイ
ズは市販の蒸着テープに対して、全帯域で約１ｄＢ低か
った。 従ってＣ／Ｎとしては、市販の蒸着テープに対して、記
録波長３．８μｍで３ｄＢ、０．５４μｍで３ｄＢ、０
．３８μｍで２ｄＢ高い値が得られた。
【００１７】以上では、本発明の条件の基板温度でＣｏ
と酸素を含有する磁性層を形成すると、市販の蒸着テー
プを越えるＣ／Ｎを有する媒体が得られることを説明し
たが、第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす
角が、第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす
角よりも大なるようにすることにより、より高いＣ／Ｎ
が達成できる。以下にこのことについて、具体的な実施
例をあげて説明する。
と酸素を含有する磁性層を形成すると、市販の蒸着テー
プを越えるＣ／Ｎを有する媒体が得られることを説明し
たが、第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす
角が、第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす
角よりも大なるようにすることにより、より高いＣ／Ｎ
が達成できる。以下にこのことについて、具体的な実施
例をあげて説明する。
【００１８】蒸発原子の基板への入射角以外は上記の説
明と全く同様の条件で磁性層を形成した場合について説
明する。第１の磁性層はθｉを９０゜、θｆを５０゜と
して形成した。第２の磁性層はθｉを６０゜、θｆを３
０゜として形成した。入射角をこのように設定すると、
第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす角を、
第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす角より
も大きくすることができる。
明と全く同様の条件で磁性層を形成した場合について説
明する。第１の磁性層はθｉを９０゜、θｆを５０゜と
して形成した。第２の磁性層はθｉを６０゜、θｆを３
０゜として形成した。入射角をこのように設定すると、
第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす角を、
第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線とのなす角より
も大きくすることができる。
【００１９】このようにして作製した媒体をテープ状に
スリットし、センダストから成るギャップ長０．１５μ
ｍのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を
行なった。その結果、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テ
ープに対して、記録波長３．８μｍで２ｄＢ、０．５４
μｍで４ｄＢ、０．３８μｍで６ｄＢ高い再生出力が得
られた。また、ノイズは市販の蒸着テープに対して、全
帯域で約１ｄＢ低かった。従ってＣ／Ｎとしては、市販
の蒸着テープに対して、記録波長３．８μｍで３ｄＢ、
０．５４μｍで５ｄＢ、０．３８μｍで７ｄＢ高い値が
得られた。
スリットし、センダストから成るギャップ長０．１５μ
ｍのリング形磁気ヘッドを用いて記録再生特性の評価を
行なった。その結果、市販のＨｉ８方式ＶＴＲ用蒸着テ
ープに対して、記録波長３．８μｍで２ｄＢ、０．５４
μｍで４ｄＢ、０．３８μｍで６ｄＢ高い再生出力が得
られた。また、ノイズは市販の蒸着テープに対して、全
帯域で約１ｄＢ低かった。従ってＣ／Ｎとしては、市販
の蒸着テープに対して、記録波長３．８μｍで３ｄＢ、
０．５４μｍで５ｄＢ、０．３８μｍで７ｄＢ高い値が
得られた。
【００２０】以上では、第１の磁性層はθｉを９０゜、
θｆを５０゜、第２の磁性層はθｉを６０゜、θｆを３
０゜として形成した実施例について説明したが、蒸発原
子の基板への入射角は、この値に限ったものではなく、
第１の磁性層形成の際にはθｆを３０゜以上、第２の磁
性層形成の際には、θｉを７０゜以下θｆを１０゜以上
の範囲にし、第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線と
のなす角が、第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線と
のなす角よりも大きくなっていればよい。
θｆを５０゜、第２の磁性層はθｉを６０゜、θｆを３
０゜として形成した実施例について説明したが、蒸発原
子の基板への入射角は、この値に限ったものではなく、
第１の磁性層形成の際にはθｆを３０゜以上、第２の磁
性層形成の際には、θｉを７０゜以下θｆを１０゜以上
の範囲にし、第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線と
のなす角が、第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法線と
のなす角よりも大きくなっていればよい。
【００２１】第１の磁性層を成膜する際に、円筒状キャ
ンの表面温度を１５０℃以上とし、蒸発原子の基板への
入射角を３０゜以上とすることにより、磁化容易軸が膜
面の法線に対して傾斜しており、かつ長波長領域で高出
力を有し、しかも低ノイズの媒体が得られる。蒸発原子
の基板への入射角を３０゜以上とするためには、θｆを
３０゜以上にすればよい。通常はθｉを７０゜〜９０゜
、θｆを３０゜〜５０゜に設定する。θｉを９０゜とす
る場合には、遮蔽板３Ａは不要である。
ンの表面温度を１５０℃以上とし、蒸発原子の基板への
入射角を３０゜以上とすることにより、磁化容易軸が膜
面の法線に対して傾斜しており、かつ長波長領域で高出
力を有し、しかも低ノイズの媒体が得られる。蒸発原子
の基板への入射角を３０゜以上とするためには、θｆを
３０゜以上にすればよい。通常はθｉを７０゜〜９０゜
、θｆを３０゜〜５０゜に設定する。θｉを９０゜とす
る場合には、遮蔽板３Ａは不要である。
【００２２】第２の磁性層を成膜する際には、円筒状キ
ャンの表面温度を１４０℃以下とし、蒸発原子の基板へ
の入射角を１０゜以上７０゜以下とすることにより、磁
化容易軸が膜面の法線に対して傾斜しており、かつ短波
長領域で高出力を有する媒体が得られる。蒸発原子の基
板への入射角を１０゜以上７０゜以下とするためには、
θｉを１０゜以上、θｆを７０゜以下にすればよい。通
常はθｉを４０゜〜７０゜、θｆを１０゜〜３０゜に設
定する。
ャンの表面温度を１４０℃以下とし、蒸発原子の基板へ
の入射角を１０゜以上７０゜以下とすることにより、磁
化容易軸が膜面の法線に対して傾斜しており、かつ短波
長領域で高出力を有する媒体が得られる。蒸発原子の基
板への入射角を１０゜以上７０゜以下とするためには、
θｉを１０゜以上、θｆを７０゜以下にすればよい。通
常はθｉを４０゜〜７０゜、θｆを１０゜〜３０゜に設
定する。
【００２３】以上では第１及び第２の磁性層として、Ｃ
ｏに対してＮｉを２０ｗｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜
についてのみ説明したが、他の組成のＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜
やＣｏ−Ｏ膜あるいはその他のＣｏ合金膜であっても全
く同様の本発明の効果が得られる。また、基板について
は、ポリイミドフィルムについて説明したが、ポリアミ
ドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の高分子フ
ィルムでも、全く同様であることは言うまでもない。
ｏに対してＮｉを２０ｗｔ％含有するＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜
についてのみ説明したが、他の組成のＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜
やＣｏ−Ｏ膜あるいはその他のＣｏ合金膜であっても全
く同様の本発明の効果が得られる。また、基板について
は、ポリイミドフィルムについて説明したが、ポリアミ
ドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム等の高分子フ
ィルムでも、全く同様であることは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、高いＣ／Ｎを有する磁
気記録媒体を提供できる。
気記録媒体を提供できる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の製造方法を説明するた
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図である。
めの真空蒸着装置内部の概略を示す図である。
１ 高分子基板
２ 円筒状キャン
３Ａ、３Ｂ 遮蔽板
４ 供給ロール
５ 巻き取りロール
６ 基板走行方向
７ 蒸発物質
８ 蒸発源
９ 蒸発原子
１０ 酸素導入口
Claims (3)
- 【請求項１】 真空蒸着法により基板上に磁化容易軸
が膜面の法線に対して傾斜しているＣｏと酸素を含有す
る第１の磁性層を基板温度を１５０℃以上として形成し
、その上に磁化容易軸が膜面の法線に対して傾斜してい
るＣｏと酸素を含有する第２の磁性層を基板温度を１４
０℃以下として形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】 第１の磁性層の磁化容易軸と膜面の法
線とのなす角が、第２の磁性層の磁化容易軸と膜面の法
線とのなす角よりも大なることを特徴とする請求項１記
載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 真空蒸着法により蒸発原子の基板への
入射角を基板法線方向に対して３０゜以上として第１の
磁性層を形成し、蒸発原子の基板への入射角を基板法線
方向に対して１０゜以上７０゜以下として第２の磁性層
を形成することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13911091A JPH04364224A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13911091A JPH04364224A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364224A true JPH04364224A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15237721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13911091A Pending JPH04364224A (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364224A (ja) |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP13911091A patent/JPH04364224A/ja active Pending
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