JP2010146683A - 保護膜の形成方法、及び当該方法により得られた保護膜、並びに当該保護膜を含む磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマCVD法によって保護膜を形成する工程であって、上記炭化水素ガスの流量が50sccm以上200sccm以下であり、放電電流が0.1A以上0.3A以下である、保護膜の形成工程と、(2)工程(1)で形成した保護膜の表面処理工程であって、(2a)アルゴンガス中でのプラズマ処理、及び(2b)窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理を含む表面処理工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の形成方法。
【選択図】図1
Description
(1)基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマCVD法によって保護膜を形成する工程であって、上記炭化水素ガスの流量が50sccm以上200sccm以下であり、放電電流が0.1A以上0.3A以下である、保護膜の形成工程と、
(2)工程(1)で形成した保護膜の表面処理工程であって、
(2a)アルゴンガス中でのプラズマ処理、及び
(2b)窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理
を含む表面処理工程と
を含む磁気記録媒体用保護膜の形成方法に関する。本発明の保護層の形成方法は、各種デバイスに含まれる磁気記録媒体の製造に適用することができる。
本発明の第1の実施形態は、磁気記録媒体用保護膜の形成方法である。
(1)基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマCVD法によって保護膜を形成する工程であって、上記炭化水素ガスの流量が50sccm以上200sccm以下であり、放電電流が0.1A以上0.3A以下である、保護膜の形成工程(以下、単に「第1工程」と称する場合がある)と、
(2)工程(1)で形成した保護膜の表面処理工程であって、(2a)アルゴンガス中でのプラズマ処理、及び(2b)窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理を含む表面処理工程(以下、単に「第2工程」と称する場合がある)と
を含む磁気記録媒体用保護膜の形成方法に関する。
本工程は、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマCVD法によって保護膜を形成する工程であって、上記炭化水素ガスの流量が50sccm以上200sccm以下であり、放電電流が0.1A以上0.3A以下である、保護膜の形成工程である。
本工程は、工程(1)で形成した保護膜の表面処理工程であって、(2a)アルゴンガス中でのプラズマ処理、及び(2b)窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理を含む表面処理工程である。
しい。
本発明の第2の実施形態は、第1の実施形態の方法で形成された磁気記録媒体用保護膜である。前述のように、本発明の保護膜は単層膜であり、コンタミネーションガス、特に不純物の吸着の抑制と、潤滑膜との良好な結合とを両立させることは勿論のこと、特に、磁気記録層からのCoの溶出を抑制するとともに、極薄の膜厚を実現することができる。
本発明の第3の実施形態は、基体と、上記基体上に形成された金属膜層と、上記金属膜層上に形成された第2の実施形態の保護膜とを備える、磁気記録媒体である。本発明の磁気記録媒体は、保護膜の上に潤滑膜をさらに備えてもよい。潤滑膜は、記録/読み出し用磁気ヘッドが磁気記録媒体に接触している際の潤滑を付与するための膜であり、例えば、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤、又は当該技術において知られている種々の液体潤滑剤材料を使用して形成することができる。潤滑膜は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
(実施例1)
最初に、直径95mm、厚さ1.75mmのアルミニウム基体上に、CoZrNbからなる膜厚40nmの下地層、Ruからなる膜厚15nmの中間層、及びCoCrPt−SiO2からなる膜厚15nmの磁気記録層を順次積層して金属膜層を形成した。
(実施例2−1)
エチレンガスの流量を60sccmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2−1の磁気記録媒体を得た。
エチレンガスの流量を140sccmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2−2の磁気記録媒体を得た。
エチレンガスの流量を180sccmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2−3の磁気記録媒体を得た。
エミッション電流を0.15Aとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3の磁気記録媒体を得た。
(比較例1−1)
エチレンガスの流量を30sccmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1−1の磁気記録媒体を得た。
エチレンガスの流量を220sccmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1−2の磁気記録媒体を得た。
(比較例2−1)
エミッション電流を0.35Aとしたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2−1の磁気記録媒体を得た。
エミッション電流を0.45Aとしたこと以外は、実施例1と同様にして、比較例2−1の磁気記録媒体を得た。
保護膜の表面処理(アルゴンプラズマ処理、及び窒素プラズマ処理)を施さなかったこと以外は、実施例1と同様にして、比較例3の磁気記録媒体を得た。
エミッション電流を0.55Aとしたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例3の磁気記録媒体を得た。
上記のようにして得た実施例1〜3及び比較例1〜4の各磁気記録媒体について、濃度3%の硝酸水溶液を滴下して、Co溶出量を高周波誘導結合プラズマ質量分析計(ICP−MS)により測定した。この結果を表1に示す。
Claims (4)
- (1)基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に、炭化水素ガスを原料として用いるプラズマCVD法によって保護膜を形成する工程であって、前記炭化水素ガスの流量が50sccm以上200sccm以下であり、放電電流が0.1A以上0.3A以下である、保護膜の形成工程と、
(2)工程(1)で形成した保護膜の表面処理工程であって、
(2a)アルゴンガス中でのプラズマ処理、及び
(2b)窒素ガスを含むガス中でのプラズマ処理
を含む表面処理工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の形成方法。 - 前記炭化水素ガスがエチレンであることを特徴とする、請求項1に記載の磁気記録媒体用保護膜の形成方法。
- 請求項1又は2に記載の方法により得られた磁気記録媒体用保護膜。
- 基体と、
前記基体上に形成された金属膜層と、
前記金属膜層上に形成された請求項3に記載の保護膜と
を備えることを特徴とする、磁気記録媒体。
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