JP2001126233A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2001126233A JP2001126233A JP30396599A JP30396599A JP2001126233A JP 2001126233 A JP2001126233 A JP 2001126233A JP 30396599 A JP30396599 A JP 30396599A JP 30396599 A JP30396599 A JP 30396599A JP 2001126233 A JP2001126233 A JP 2001126233A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜で耐摩耗性，摺動特性に優れ、かつ、膜表
面への不純物吸着が少ない保護膜が形成できて、耐久性
に優れ高記録密度の磁気記録媒体が得られる製造方法を
提供する。 【解決手段】非磁性基板上に非磁性下地層，磁性層を形
成し、その上に不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガス
を用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水素系膜を成膜した
後、この膜の表面から窒素イオンを進入させて表面から
膜厚の１０％〜３０％の部分を窒化して炭素水素窒素系
膜質に変質させ、この表面が変質した膜を保護膜とし、
この保護膜上に液体潤滑剤層を塗布形成して媒体とす
る。または、磁性層上に上述のようにしてプラズマＣＶ
Ｄ法で炭素水素系膜を成膜し、成膜しようとする保護膜
の７０％〜９０％の膜厚に達した時点で炭化水素系ガス
に窒素ガスを炭化水素系ガスに対して１０％〜３０％の
容量比で加え、残りの１０％〜３０％の膜厚の膜を炭素
水素窒素系膜として成膜して、この炭素水素系膜／炭素
水素窒素系膜を保護膜とし、この保護膜上に液体潤滑剤
層を塗布形成して媒体とする。
面への不純物吸着が少ない保護膜が形成できて、耐久性
に優れ高記録密度の磁気記録媒体が得られる製造方法を
提供する。 【解決手段】非磁性基板上に非磁性下地層，磁性層を形
成し、その上に不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガス
を用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水素系膜を成膜した
後、この膜の表面から窒素イオンを進入させて表面から
膜厚の１０％〜３０％の部分を窒化して炭素水素窒素系
膜質に変質させ、この表面が変質した膜を保護膜とし、
この保護膜上に液体潤滑剤層を塗布形成して媒体とす
る。または、磁性層上に上述のようにしてプラズマＣＶ
Ｄ法で炭素水素系膜を成膜し、成膜しようとする保護膜
の７０％〜９０％の膜厚に達した時点で炭化水素系ガス
に窒素ガスを炭化水素系ガスに対して１０％〜３０％の
容量比で加え、残りの１０％〜３０％の膜厚の膜を炭素
水素窒素系膜として成膜して、この炭素水素系膜／炭素
水素窒素系膜を保護膜とし、この保護膜上に液体潤滑剤
層を塗布形成して媒体とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンピュータな
どの情報処理機器用記憶装置としてのハード磁気ディス
ク装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関し、詳
しくは、磁気記録媒体の磁性層を保護するカーボン系保
護膜の形成方法に関する。
どの情報処理機器用記憶装置としてのハード磁気ディス
ク装置に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関し、詳
しくは、磁気記録媒体の磁性層を保護するカーボン系保
護膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】取り扱う情報量の増加や情報処理機器の
小型化に伴い、コンピュータをはじめとする情報処理機
器用記憶装置への高記録密度化の要求はより一層高まっ
てきている。主要な記憶装置であるハード磁気ディスク
装置においては、通常ＣＳＳ方式が採られ、情報を読み
書きする磁気ヘッドと磁気記録媒体の記録層である磁性
層との距離を小さくすることが高記録密度化の重要な要
素の一つとなっている。磁気記録媒体（以下、単に媒体
とも称する）の表面には、磁気ヘッドとの摩擦や摩耗に
よる劣化を防止するために保護膜が設けられているが、
高記録密度化を実現するためにはこの保護膜の膜厚を薄
くすることが要求されている。
小型化に伴い、コンピュータをはじめとする情報処理機
器用記憶装置への高記録密度化の要求はより一層高まっ
てきている。主要な記憶装置であるハード磁気ディスク
装置においては、通常ＣＳＳ方式が採られ、情報を読み
書きする磁気ヘッドと磁気記録媒体の記録層である磁性
層との距離を小さくすることが高記録密度化の重要な要
素の一つとなっている。磁気記録媒体（以下、単に媒体
とも称する）の表面には、磁気ヘッドとの摩擦や摩耗に
よる劣化を防止するために保護膜が設けられているが、
高記録密度化を実現するためにはこの保護膜の膜厚を薄
くすることが要求されている。
【０００３】従来、保護膜としては、カーボンターゲッ
トを純Ａｒガス中でスパッタリングして得られる無定形
カーボン膜（ａ−Ｃ膜）が用いられてきた。近年、磁気
ヘッドの材質，形状の変更や保護膜の薄膜化に伴い、磁
気ヘッド／媒体間の摺動条件が厳しくなり、ａ−Ｃ保護
膜の耐摩耗性，摺動性に問題が生じ始めた。そこで、保
護膜のスパッタリングに用いるＡｒガスを炭化水素系ガ
ス，水素ガスあるいは窒素ガスとの混合ガスに置き換
え、ａ−Ｃ保護膜を水素化あるいは窒素化することによ
り、膜の硬さや結合強度を増加させることにより耐摩耗
性，摺動性の向上を図ってきた。
トを純Ａｒガス中でスパッタリングして得られる無定形
カーボン膜（ａ−Ｃ膜）が用いられてきた。近年、磁気
ヘッドの材質，形状の変更や保護膜の薄膜化に伴い、磁
気ヘッド／媒体間の摺動条件が厳しくなり、ａ−Ｃ保護
膜の耐摩耗性，摺動性に問題が生じ始めた。そこで、保
護膜のスパッタリングに用いるＡｒガスを炭化水素系ガ
ス，水素ガスあるいは窒素ガスとの混合ガスに置き換
え、ａ−Ｃ保護膜を水素化あるいは窒素化することによ
り、膜の硬さや結合強度を増加させることにより耐摩耗
性，摺動性の向上を図ってきた。
【０００４】Ａｒガスに炭化水素系ガスまたは水素ガス
を混合したガス中でカーボンをスパッタリングして成膜
される水素化カーボン膜（ＤＬＣ膜）は、膜が硬く耐摩
耗性に優れ摺動性が良好であるが、表面が比較的活性
で、酸系，特にイオウ系の不純物を吸着し易く、この吸
着不純物が表面に塗布されている液体潤滑剤を変質さ
せ、そのために摺動性が劣化するという問題があった。
を混合したガス中でカーボンをスパッタリングして成膜
される水素化カーボン膜（ＤＬＣ膜）は、膜が硬く耐摩
耗性に優れ摺動性が良好であるが、表面が比較的活性
で、酸系，特にイオウ系の不純物を吸着し易く、この吸
着不純物が表面に塗布されている液体潤滑剤を変質さ
せ、そのために摺動性が劣化するという問題があった。
【０００５】また、Ａｒガスに窒素ガス，あるいは炭化
水素系ガスや水素ガスに窒素ガスなどを混合したガスの
中でカーボンターゲットをスパッタリングすることで得
られる無定形カーボン窒素膜（ａ−Ｃ：Ｎ膜）やカーボ
ン水素窒素膜（Ｃ：Ｈ：Ｎ膜）は、摺動性が良好でしか
も前述したような膜表面への酸系の不純物吸着が少な
く、液体潤滑剤の変質による摺動性の劣化がほとんど起
こらないことから、媒体用保護膜として注目されてい
る。しかし、ａ−Ｃ：Ｎ膜やＣ：Ｈ：Ｎ膜は、膜の機械
的強度についてはＤＬＣ膜に比して若干弱く、耐摩耗性
が若干劣る。
水素系ガスや水素ガスに窒素ガスなどを混合したガスの
中でカーボンターゲットをスパッタリングすることで得
られる無定形カーボン窒素膜（ａ−Ｃ：Ｎ膜）やカーボ
ン水素窒素膜（Ｃ：Ｈ：Ｎ膜）は、摺動性が良好でしか
も前述したような膜表面への酸系の不純物吸着が少な
く、液体潤滑剤の変質による摺動性の劣化がほとんど起
こらないことから、媒体用保護膜として注目されてい
る。しかし、ａ−Ｃ：Ｎ膜やＣ：Ｈ：Ｎ膜は、膜の機械
的強度についてはＤＬＣ膜に比して若干弱く、耐摩耗性
が若干劣る。
【０００６】これらの欠点を除くために、特開平９−１
２８７３２号公報に、第１の保護膜としてＤＬＣ膜を設
け、その上に第２の保護膜として窒素を含有するＤＬＣ
膜を形成して２層構造の保護膜とする媒体およびその製
造方法が提案されている。
２８７３２号公報に、第１の保護膜としてＤＬＣ膜を設
け、その上に第２の保護膜として窒素を含有するＤＬＣ
膜を形成して２層構造の保護膜とする媒体およびその製
造方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに保護膜をＤＬＣ膜の上に窒素を含有するＤＬＣ膜を
設けた２層構造とする方法も、媒体の耐久性を持たせる
ためにはそれぞれの膜にある程度の厚みを持たせる必要
があり、保護膜を全体の膜厚が１０ｎｍ以下の薄膜にす
ることは非常に困難であり、媒体の高記録密度化の点で
問題となっていた。
うに保護膜をＤＬＣ膜の上に窒素を含有するＤＬＣ膜を
設けた２層構造とする方法も、媒体の耐久性を持たせる
ためにはそれぞれの膜にある程度の厚みを持たせる必要
があり、保護膜を全体の膜厚が１０ｎｍ以下の薄膜にす
ることは非常に困難であり、媒体の高記録密度化の点で
問題となっていた。
【０００８】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、薄層で耐摩耗性，摺動性に優れ、かつ、膜
表面への不純物吸着が少ない保護膜を形成できて耐久性
に優れ高記録密度の媒体が得られる製造方法を提供する
ことを目的とする。
のであって、薄層で耐摩耗性，摺動性に優れ、かつ、膜
表面への不純物吸着が少ない保護膜を形成できて耐久性
に優れ高記録密度の媒体が得られる製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、非磁性基板の上に非磁性下地層，磁性層，保
護膜，液体潤滑剤層を備えてなる磁気記録媒体の製造方
法において、保護膜形成工程で、不活性ガスと炭化水素
系ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水素
系膜を成膜した後、引き続いてこの膜に表面から窒素イ
オンを進入させることにより表面から膜厚の１０％ない
し３０％の部分を窒化して炭素水素窒素系膜質に変質さ
せ、この表面が変質した膜を保護膜とする工程を採るこ
とによって解決される。
によれば、非磁性基板の上に非磁性下地層，磁性層，保
護膜，液体潤滑剤層を備えてなる磁気記録媒体の製造方
法において、保護膜形成工程で、不活性ガスと炭化水素
系ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水素
系膜を成膜した後、引き続いてこの膜に表面から窒素イ
オンを進入させることにより表面から膜厚の１０％ない
し３０％の部分を窒化して炭素水素窒素系膜質に変質さ
せ、この表面が変質した膜を保護膜とする工程を採るこ
とによって解決される。
【００１０】このような製造方法で形成された保護膜は
炭素水素系膜質の膜と炭素水素窒素系膜質の膜との間に
界面が発生しないために磁気ヘッドとの接触に際して膜
表面の摩耗が少なく薄膜の保護膜でもＣＳＳ６万回にも
問題なく対応できる。また、表面の炭素水素窒素系膜は
炭素水素系膜のダングリングボンドを窒素で埋めるかた
ちをとるので、表面が不活性となり、有害な不純物の吸
着も少なく摺動特性の劣化も避けられる。膜の窒化は膜
表面の不活性化が目的であるため、表面から１ｎｍ程度
が窒化されていればよい。
炭素水素系膜質の膜と炭素水素窒素系膜質の膜との間に
界面が発生しないために磁気ヘッドとの接触に際して膜
表面の摩耗が少なく薄膜の保護膜でもＣＳＳ６万回にも
問題なく対応できる。また、表面の炭素水素窒素系膜は
炭素水素系膜のダングリングボンドを窒素で埋めるかた
ちをとるので、表面が不活性となり、有害な不純物の吸
着も少なく摺動特性の劣化も避けられる。膜の窒化は膜
表面の不活性化が目的であるため、表面から１ｎｍ程度
が窒化されていればよい。
【００１１】上記の製造方法において、炭素水素系膜を
表面から窒化する方法としては、窒化された膜は薄膜で
十分機能するため、窒素プラズマ中で炭素水素系膜を成
膜された基板に−５０Ｖないし−３００Ｖの電圧を印加
するとにより炭素水素系膜の表面から窒素イオンを進入
させて窒化する方法が好適である。または、非磁性基板
の上に非磁性下地層，磁性層，保護膜，液体潤滑剤層を
備えてなる磁気記録媒体の製造方法において、保護膜形
成工程で、不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガス中を
用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水素系膜を成膜し、成膜
しようとする保護膜の７０％ないし９０％の膜厚に達し
た時点で、炭化水素系ガスに窒素ガスを炭化水素系ガス
に対して１０％ないし３０％の容量比で加え残りの１０
％ないし３０％の膜厚の膜を炭素水素窒素系膜として成
膜して、全膜厚のうち７０％ないし９０％が炭素水素系
膜質であり残りの表面の１０％ないし３０％が炭素水素
窒素系膜質からなる膜として保護膜を形成する製造方法
を採ることによっても解決される。
表面から窒化する方法としては、窒化された膜は薄膜で
十分機能するため、窒素プラズマ中で炭素水素系膜を成
膜された基板に−５０Ｖないし−３００Ｖの電圧を印加
するとにより炭素水素系膜の表面から窒素イオンを進入
させて窒化する方法が好適である。または、非磁性基板
の上に非磁性下地層，磁性層，保護膜，液体潤滑剤層を
備えてなる磁気記録媒体の製造方法において、保護膜形
成工程で、不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガス中を
用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水素系膜を成膜し、成膜
しようとする保護膜の７０％ないし９０％の膜厚に達し
た時点で、炭化水素系ガスに窒素ガスを炭化水素系ガス
に対して１０％ないし３０％の容量比で加え残りの１０
％ないし３０％の膜厚の膜を炭素水素窒素系膜として成
膜して、全膜厚のうち７０％ないし９０％が炭素水素系
膜質であり残りの表面の１０％ないし３０％が炭素水素
窒素系膜質からなる膜として保護膜を形成する製造方法
を採ることによっても解決される。
【００１２】この製造方法では保護膜は途中でガスの種
類を切り替えるだけで連続的に成膜されるため、炭素水
素系膜質の膜と炭素水素窒素系膜質の膜との間に界面は
存在しない。表面に向かって窒素濃度が増加していく膜
質になり、最終表面では炭素水素系膜のダングリングボ
ンドが窒素で埋められて窒素濃度が８％ないし１０％の
膜となっている。従って、膜の摩耗も少なく，表面も不
活性化していて有害な不純物の吸着も避けられる。
類を切り替えるだけで連続的に成膜されるため、炭素水
素系膜質の膜と炭素水素窒素系膜質の膜との間に界面は
存在しない。表面に向かって窒素濃度が増加していく膜
質になり、最終表面では炭素水素系膜のダングリングボ
ンドが窒素で埋められて窒素濃度が８％ないし１０％の
膜となっている。従って、膜の摩耗も少なく，表面も不
活性化していて有害な不純物の吸着も避けられる。
【００１３】このような保護膜の製造方法により、膜厚
１０ｎｍ以下の薄膜でも摩耗が少なく摺動性良好で、し
かも、不純物吸着が少ない保護膜を形成することがで
き、耐久性の優れた媒体を得ることができる。
１０ｎｍ以下の薄膜でも摩耗が少なく摺動性良好で、し
かも、不純物吸着が少ない保護膜を形成することがで
き、耐久性の優れた媒体を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明においては、非磁性基板
を、真空中で加熱し、その上に非磁性下地層，磁性層，
保護膜を連続した工程で形成することが可能なスパッタ
装置を用いて、媒体を作成する。まず、アルミニウム合
金などからなる非磁性基板を洗浄し、スパッタ装置のロ
ード室に投入する。ロード室内を約１×１０-6Ｔｏｒｒ
の真空とし、真空中で基板は加熱室に移送され、所要の
温度，例えば約２００℃に加熱される。次いで基板はス
パッタ室に移送され、Ｃｒ，Ｃｒ1-X Ｍｏx ，Ｃｒ1-X
Ｗx などの合金を不活性ガス，例えばＡｒガス中でスパ
ッタして膜厚１０ｎｍ〜２０ｎｍの下地層を成膜する。
続いて、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔなどの磁性合
金を不活性ガス中でスパッタして膜厚２０ｎｍ〜３０ｎ
ｍの磁性層を成膜する。その後、基板をカーボンチャン
バに移送し、Ａｒガスと炭化水素系ガス，例えばメタン
（ＣＨ4 ），アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ），トルエン（Ｃ7
Ｈ8 ）などのガスをチャンバ内に導入し、ＲＦ法，イオ
ン・ビーム法，ＥＣＲ法などでプラズマを点灯して導入
した炭化水素系ガスを解離し、基板の磁性層上にＤＬＣ
膜を成膜する。なお、このプラズマＣＶＤ法による膜の
形成に際しては、基板に−２００Ｖないし−３００Ｖの
負のバイアスを印加すると、イオンの膜への衝撃効果を
利用して膜の緻密性を高めることができ、好適である。
を、真空中で加熱し、その上に非磁性下地層，磁性層，
保護膜を連続した工程で形成することが可能なスパッタ
装置を用いて、媒体を作成する。まず、アルミニウム合
金などからなる非磁性基板を洗浄し、スパッタ装置のロ
ード室に投入する。ロード室内を約１×１０-6Ｔｏｒｒ
の真空とし、真空中で基板は加熱室に移送され、所要の
温度，例えば約２００℃に加熱される。次いで基板はス
パッタ室に移送され、Ｃｒ，Ｃｒ1-X Ｍｏx ，Ｃｒ1-X
Ｗx などの合金を不活性ガス，例えばＡｒガス中でスパ
ッタして膜厚１０ｎｍ〜２０ｎｍの下地層を成膜する。
続いて、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔなどの磁性合
金を不活性ガス中でスパッタして膜厚２０ｎｍ〜３０ｎ
ｍの磁性層を成膜する。その後、基板をカーボンチャン
バに移送し、Ａｒガスと炭化水素系ガス，例えばメタン
（ＣＨ4 ），アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ），トルエン（Ｃ7
Ｈ8 ）などのガスをチャンバ内に導入し、ＲＦ法，イオ
ン・ビーム法，ＥＣＲ法などでプラズマを点灯して導入
した炭化水素系ガスを解離し、基板の磁性層上にＤＬＣ
膜を成膜する。なお、このプラズマＣＶＤ法による膜の
形成に際しては、基板に−２００Ｖないし−３００Ｖの
負のバイアスを印加すると、イオンの膜への衝撃効果を
利用して膜の緻密性を高めることができ、好適である。
【００１５】このようにして、所要の膜厚５ｎｍないし
１０ｎｍのＤＬＣ膜を形成後、同一チャンバ内で、ガス
を炭化水素系ガスから窒素ガスに切り替え、窒素ガスの
プラズマを点灯し、基板に負のバイアスを印加する。す
るとプラズマ中の窒素イオンは基板の方に引きつけら
れ、印加したバイアス電圧に応じたエネルギーをもって
基板に突入する。イオンの進入距離は、イオン注入法か
ら計算でき、１０００Ｖの印加電圧においてＤＬＣ膜中
に平均的に約９ｎｍ進入する。媒体の場合には、保護膜
表面の不活性化が目的であり、保護膜表面から１ｎｍ程
度が窒化されればよいので、基板に印加するバイアスと
しては−５０Ｖないし−３００Ｖとされる。このように
して、磁性層上に全膜厚の８０％〜９０％が炭素水素系
膜質の膜で残りの表面から１０％〜２０％の膜厚の部分
が炭素水素窒素系膜質の膜からなる保護膜を形成するこ
とができる。
１０ｎｍのＤＬＣ膜を形成後、同一チャンバ内で、ガス
を炭化水素系ガスから窒素ガスに切り替え、窒素ガスの
プラズマを点灯し、基板に負のバイアスを印加する。す
るとプラズマ中の窒素イオンは基板の方に引きつけら
れ、印加したバイアス電圧に応じたエネルギーをもって
基板に突入する。イオンの進入距離は、イオン注入法か
ら計算でき、１０００Ｖの印加電圧においてＤＬＣ膜中
に平均的に約９ｎｍ進入する。媒体の場合には、保護膜
表面の不活性化が目的であり、保護膜表面から１ｎｍ程
度が窒化されればよいので、基板に印加するバイアスと
しては−５０Ｖないし−３００Ｖとされる。このように
して、磁性層上に全膜厚の８０％〜９０％が炭素水素系
膜質の膜で残りの表面から１０％〜２０％の膜厚の部分
が炭素水素窒素系膜質の膜からなる保護膜を形成するこ
とができる。
【００１６】また、上述の方法と同様にして、カーボン
チャンバ内でＤＬＣ膜の成膜を開始し、所要の膜厚の７
０％〜９０％まで成膜した時点で炭化水素系ガスに対し
て容量比で１０％〜３０％の窒素ガスを加え所要の膜厚
となるまでプラズマを点灯し続ける。こうすることによ
り、全体の膜厚のうちの表面から１０％ないし３０％の
膜が窒化され、全膜厚の７０％〜９０％が炭素水素系膜
質の膜で、残りの表面から１０％ないし３０％の部分が
炭素水素窒素系膜質の膜で膜表面の窒素濃度が８％ない
し１０％である保護膜が形成される。
チャンバ内でＤＬＣ膜の成膜を開始し、所要の膜厚の７
０％〜９０％まで成膜した時点で炭化水素系ガスに対し
て容量比で１０％〜３０％の窒素ガスを加え所要の膜厚
となるまでプラズマを点灯し続ける。こうすることによ
り、全体の膜厚のうちの表面から１０％ないし３０％の
膜が窒化され、全膜厚の７０％〜９０％が炭素水素系膜
質の膜で、残りの表面から１０％ないし３０％の部分が
炭素水素窒素系膜質の膜で膜表面の窒素濃度が８％ない
し１０％である保護膜が形成される。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の具体的な実施例について説
明する。 実施例１ 非磁性基板としてのアルミニウム合金からなるディスク
状基板を、スパッタ装置のロード室に入れる。ロード室
内を約１×１０-6Ｔｏｒｒの真空にし、基板を真空中で
加熱室に移送し約２００℃に加熱する。次に、加熱され
た基板はスパッタ室に移送され、Ｃｒからなる膜厚約２
０ｎｍの下地層，ＣｏＣｒ15Ｔａ4 Ｐｔ 3 からなる膜厚
約３０ｎｍの磁性層をＡｒガス中で順次スパッタ成膜さ
れる。続いて、カーボンチャンバに移送され、チャンバ
内に、容量比でＡｒガス２にエチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）５を
加えた混合ガスを導入し、ＲＦ法で混合ガスのプラズマ
を点灯してガスを解離し、基板に−２００Ｖのバイアス
を印加した状態で基板の磁性層上にＤＬＣ膜を形成す
る。ＤＬＣ膜の膜厚が８ｎｍに達した時点で、同一チャ
ンバ内で混合ガスを窒素ガスに切り替え、窒素ガスのプ
ラズマを点灯し、基板に−２００Ｖのバイアスを印加す
る。プラズマ中の窒素イオンが基板の方に引きつけら
れ、ＤＬＣ膜の表面から進入し、表面から約２ｎｍの深
さまでの膜が窒化される。
明する。 実施例１ 非磁性基板としてのアルミニウム合金からなるディスク
状基板を、スパッタ装置のロード室に入れる。ロード室
内を約１×１０-6Ｔｏｒｒの真空にし、基板を真空中で
加熱室に移送し約２００℃に加熱する。次に、加熱され
た基板はスパッタ室に移送され、Ｃｒからなる膜厚約２
０ｎｍの下地層，ＣｏＣｒ15Ｔａ4 Ｐｔ 3 からなる膜厚
約３０ｎｍの磁性層をＡｒガス中で順次スパッタ成膜さ
れる。続いて、カーボンチャンバに移送され、チャンバ
内に、容量比でＡｒガス２にエチレン（Ｃ2 Ｈ4 ）５を
加えた混合ガスを導入し、ＲＦ法で混合ガスのプラズマ
を点灯してガスを解離し、基板に−２００Ｖのバイアス
を印加した状態で基板の磁性層上にＤＬＣ膜を形成す
る。ＤＬＣ膜の膜厚が８ｎｍに達した時点で、同一チャ
ンバ内で混合ガスを窒素ガスに切り替え、窒素ガスのプ
ラズマを点灯し、基板に−２００Ｖのバイアスを印加す
る。プラズマ中の窒素イオンが基板の方に引きつけら
れ、ＤＬＣ膜の表面から進入し、表面から約２ｎｍの深
さまでの膜が窒化される。
【００１８】このようにして、磁性層上に、全膜厚の約
８０％炭素水素系膜質の膜で、残りの表面から約２０％
の部分が炭素水素窒素系膜質の膜である膜厚約８ｎｍの
ＤＬＣ／炭素水素窒素系膜の保護膜を形成した後、カー
ボンチャンバから取り出し、保護膜上に液体潤滑剤層を
塗布形成して媒体を得る。 実施例２ 実施例１と同様にして基板上に磁性層まで成膜する。そ
の基板をカーボンチャンバに移送し、チャンバ内に実施
例１と同様の容量比でＡｒガス２にエチレン（Ｃ
2 Ｈ4 ）５を加えた混合ガスを導入し、ＲＦ法で混合ガ
スのプラズマを点灯して混合ガスを解離し、基板に−２
００Ｖのバイアスを印加した状態で基板の磁性層上にＤ
ＬＣ膜を形成する。ＤＬＣ膜の膜厚が約６ｎｍに達した
時点で、前記混合ガスに２０％程度の窒素ガスを加え、
プラズマを点灯し続けて成膜を継続し、全体の膜厚が８
ｎｍになるまで成膜して、膜厚８ｎｍのＤＬＣ／炭素水
素窒素系膜の保護膜を形成する。その後、実施例１と同
様にして液体潤滑剤層を形成して媒体とする。
８０％炭素水素系膜質の膜で、残りの表面から約２０％
の部分が炭素水素窒素系膜質の膜である膜厚約８ｎｍの
ＤＬＣ／炭素水素窒素系膜の保護膜を形成した後、カー
ボンチャンバから取り出し、保護膜上に液体潤滑剤層を
塗布形成して媒体を得る。 実施例２ 実施例１と同様にして基板上に磁性層まで成膜する。そ
の基板をカーボンチャンバに移送し、チャンバ内に実施
例１と同様の容量比でＡｒガス２にエチレン（Ｃ
2 Ｈ4 ）５を加えた混合ガスを導入し、ＲＦ法で混合ガ
スのプラズマを点灯して混合ガスを解離し、基板に−２
００Ｖのバイアスを印加した状態で基板の磁性層上にＤ
ＬＣ膜を形成する。ＤＬＣ膜の膜厚が約６ｎｍに達した
時点で、前記混合ガスに２０％程度の窒素ガスを加え、
プラズマを点灯し続けて成膜を継続し、全体の膜厚が８
ｎｍになるまで成膜して、膜厚８ｎｍのＤＬＣ／炭素水
素窒素系膜の保護膜を形成する。その後、実施例１と同
様にして液体潤滑剤層を形成して媒体とする。
【００１９】比較例１ 実施例１と同様にして、カーボンチャンバ内で膜厚８ｎ
ｍのＤＬＣ膜を形成する。その後、チャンバ内のガスを
窒素ガスに切り替えてＤＬＣ膜表面を窒化することなし
にチャンバから取り出して、膜厚８ｎｍのＤＬＣ膜の保
護膜とする。その後、実施例１と同様にして液体潤滑剤
層を形成して媒体とする。
ｍのＤＬＣ膜を形成する。その後、チャンバ内のガスを
窒素ガスに切り替えてＤＬＣ膜表面を窒化することなし
にチャンバから取り出して、膜厚８ｎｍのＤＬＣ膜の保
護膜とする。その後、実施例１と同様にして液体潤滑剤
層を形成して媒体とする。
【００２０】このようにして作製した実施例１，実施例
２および比較例１の各媒体について媒体表面への不純物
の吸着性を評価するために代表的な不純物としてのイオ
ウ系ガス吸着量としてＳイオン吸着量を調べた。その結
果をａ−Ｃ：Ｎ膜と比較して図１に示す。図１に見られ
るように、実施例１および実施例２の媒体においては、
Ｓイオンの吸着量はＤＬＣ膜を保護膜とする比較例１の
媒体に比して非常に少なくａ−Ｃ：Ｎ膜とほぼ同等であ
る。従って、液体潤滑剤層の劣化はａ−Ｃ：Ｎ膜を保護
膜とする媒体と同等に少ない。また、実施例１および実
施例２の媒体においては、保護膜を形成するＤＬＣ膜と
炭素水素窒素膜の間には界面が存在しないので耐摩耗性
は高く、ＣＳＳ６万回にも十分に耐え得る。実施例の製
造方法により、薄膜の保護膜でも耐久性の良い，高記録
密度の優れた媒体が得られる。
２および比較例１の各媒体について媒体表面への不純物
の吸着性を評価するために代表的な不純物としてのイオ
ウ系ガス吸着量としてＳイオン吸着量を調べた。その結
果をａ−Ｃ：Ｎ膜と比較して図１に示す。図１に見られ
るように、実施例１および実施例２の媒体においては、
Ｓイオンの吸着量はＤＬＣ膜を保護膜とする比較例１の
媒体に比して非常に少なくａ−Ｃ：Ｎ膜とほぼ同等であ
る。従って、液体潤滑剤層の劣化はａ−Ｃ：Ｎ膜を保護
膜とする媒体と同等に少ない。また、実施例１および実
施例２の媒体においては、保護膜を形成するＤＬＣ膜と
炭素水素窒素膜の間には界面が存在しないので耐摩耗性
は高く、ＣＳＳ６万回にも十分に耐え得る。実施例の製
造方法により、薄膜の保護膜でも耐久性の良い，高記録
密度の優れた媒体が得られる。
【００２１】
【発明の効果】この発明によれば、非磁性基板の上に非
磁性下地層，磁性層，保護膜，液体潤滑剤層を備えてな
る磁気記録媒体の製造方法において、保護膜形成工程
で、不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガスを用いてプ
ラズマＣＶＤ法で炭素水素系膜を成膜した後、この膜を
表面から窒化して表面から膜厚の約２０％を炭素水素窒
素系膜質に変質させ、この表面が変質した膜を保護膜と
する。または、保護膜形成工程で、不活性ガスと炭化水
素系ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水
素系膜を成膜し、成膜しようとする保護膜の７０％ない
し９０％の膜厚に達した時点で、炭化水素系ガスに窒素
ガスを炭化水素系ガスに対して１０％ないし３０％の容
量比で加え残りの１０％ないし３０％の膜厚の膜を炭素
水素窒素系膜として成膜して、全膜厚のうち７０％ない
し９０％が炭素水素系膜質であり残りの表面の１０％な
いし３０％が炭素水素窒素系膜質からなる膜として保護
膜を形成する。このようにして形成された保護膜を有す
る媒体とすることにより、１０ｎｍ以下の薄膜の保護膜
で高記録密度が得られ、しかもも耐摩耗性，摺動性に優
れ、かつ、表面への不純物の吸着が少なくて液体潤滑剤
層の劣化が少なく、耐久性に優れた磁気記録媒体を製造
することが可能となる。
磁性下地層，磁性層，保護膜，液体潤滑剤層を備えてな
る磁気記録媒体の製造方法において、保護膜形成工程
で、不活性ガスと炭化水素系ガスの混合ガスを用いてプ
ラズマＣＶＤ法で炭素水素系膜を成膜した後、この膜を
表面から窒化して表面から膜厚の約２０％を炭素水素窒
素系膜質に変質させ、この表面が変質した膜を保護膜と
する。または、保護膜形成工程で、不活性ガスと炭化水
素系ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水
素系膜を成膜し、成膜しようとする保護膜の７０％ない
し９０％の膜厚に達した時点で、炭化水素系ガスに窒素
ガスを炭化水素系ガスに対して１０％ないし３０％の容
量比で加え残りの１０％ないし３０％の膜厚の膜を炭素
水素窒素系膜として成膜して、全膜厚のうち７０％ない
し９０％が炭素水素系膜質であり残りの表面の１０％な
いし３０％が炭素水素窒素系膜質からなる膜として保護
膜を形成する。このようにして形成された保護膜を有す
る媒体とすることにより、１０ｎｍ以下の薄膜の保護膜
で高記録密度が得られ、しかもも耐摩耗性，摺動性に優
れ、かつ、表面への不純物の吸着が少なくて液体潤滑剤
層の劣化が少なく、耐久性に優れた磁気記録媒体を製造
することが可能となる。
【図１】各種膜を保護膜とする媒体表面へのＳイオン吸
着量をａ−Ｃ：Ｎ膜の場合と比較したグラフ図
着量をａ−Ｃ：Ｎ膜の場合と比較したグラフ図
Claims (3)
- 【請求項１】非磁性基板の上に非磁性下地層，磁性層，
保護膜，液体潤滑剤層を備えてなる磁気記録媒体の製造
方法において、前記保護膜形成工程が、不活性ガスと炭
化水素系ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で炭
素水素系膜を成膜し、引き続いてこの膜に表面から窒素
イオンを進入させることにより表面から膜厚の１０％な
いし３０％の部分を窒化して炭素水素窒素系膜質に変質
させ、この表面が変質した膜を保護膜とする工程である
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法
において、保護膜形成工程で、窒素プラズマ中で炭素水
素系膜を成膜された基板に−５０Ｖないし−３００Ｖの
電圧を印加するとにより窒素イオンを進入させ炭素水素
系膜を表面から窒化して炭素水素窒素系膜質に変質させ
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】非磁性基板の上に非磁性下地層，磁性層，
保護膜，液体潤滑剤層を備えてなる磁気記録媒体の製造
方法において、保護膜形成工程で、不活性ガスと炭化水
素系ガスの混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で炭素水
素系膜を成膜し、成膜しようとする保護膜の７０％ない
し９０％の膜厚に達した時点で、炭化水素系ガスに窒素
ガスを炭化水素系ガスに対して１０％ないし３０％の容
量比で加え残りの１０％ないし３０％の膜厚の膜を炭素
水素窒素系膜として成膜して、全膜厚のうち７０％ない
し９０％が炭素水素系膜質であり残りの表面の１０％な
いし３０％が炭素水素窒素系膜質からなる膜として保護
膜とする工程であることを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30396599A JP2001126233A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30396599A JP2001126233A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126233A true JP2001126233A (ja) | 2001-05-11 |
Family
ID=17927420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30396599A Withdrawn JP2001126233A (ja) | 1999-10-26 | 1999-10-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001126233A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010231863A (ja) * | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US8182883B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-05-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming a protective film for a magnetic recording medium, a protective film formed by the method and a magnetic recording medium having the protective film |
| US8334028B2 (en) | 2008-12-22 | 2012-12-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming a protective film |
| JP2014114492A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Yuutekku:Kk | プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
-
1999
- 1999-10-26 JP JP30396599A patent/JP2001126233A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8182883B2 (en) | 2008-08-27 | 2012-05-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming a protective film for a magnetic recording medium, a protective film formed by the method and a magnetic recording medium having the protective film |
| US8865269B2 (en) | 2008-08-27 | 2014-10-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming a protective film for a magnetic recording medium, a protective film formed by the method and a magnetic recording medium having the protective film |
| US8334028B2 (en) | 2008-12-22 | 2012-12-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming a protective film |
| JP2010231863A (ja) * | 2009-03-28 | 2010-10-14 | Hoya Corp | 磁気ディスクの製造方法 |
| WO2011001774A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2011014178A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Wd Media Singapore Pte Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2014114492A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Yuutekku:Kk | プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050801 |
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