JP2008090900A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】グラニュラー構造の磁気記録層を備えた磁気記録媒体の表面粗さを低くして、低浮上量化および高記録密度化を達成すること。
【解決手段】磁気記録媒体1の非磁性ガラス基板として表面粗さRaが0.3nm以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層5を、CoCrPt合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molより大きなTa2O5を用いた。ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体1の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さRaが0.3nm以下の磁気記録媒体を得ることができる。
【選択図】図3
【解決手段】磁気記録媒体1の非磁性ガラス基板として表面粗さRaが0.3nm以下のものを用い、その上に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層5を、CoCrPt合金に、酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molより大きなTa2O5を用いた。ギブス自由エネルギーの値に基づき酸化物材料を選択することにより、磁気記録媒体1の表面粗さを非磁性ガラス基板の表面粗さ以下に低減でき、表面粗さRaが0.3nm以下の磁気記録媒体を得ることができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、垂直磁気記録方式のHDD等に搭載するのに適した磁気記録媒体および、その製造方法に関するものである。
磁気記録媒体の高記録密度化を達成するために垂直磁気記録方式が提案されている。垂直磁気記録方式の磁気記録媒体は、その磁気記録層の磁化容易化軸が主として基板に垂直に配向されたものである。垂直磁気記録方式の磁気記録媒体において、さらなる高記録密度化のためには、低ノイズ化と高熱安定性を両立させることが必要である。このためには、強磁性結晶粒子の微細化および均一化を図ることと、強磁性結晶粒子間を確実に磁気的に分離できることが要求される。
近年、強磁性結晶粒子を確実に分離して粒子間相互作用を低減するために、グラニュラー構造と呼ばれる磁気記録層が注目されている。グラニュラー構造の磁気記録層では、強磁性結晶粒子間の粒界を酸化物若しくは窒化物で構成して、強磁性結晶粒子の磁気的な分離性能を確保している。特許文献1には、磁気的分離性能を確保するために、磁性結晶粒子がSiO2添加物によって取り囲まれたグラニュラー構造の磁気記録層を形成する方法が提案されている。特許文献2には、磁性結晶粒子がTiO2添加剤によって取り囲まれたグラニュラー構造の磁気記録層を形成する方法が提案されている。
特開2002−83411号公報
特開2001−43526号公報
ここで、磁気記録媒体の高記録密度化および信頼性の向上のためには、磁気記録媒体と磁気ヘッドの距離を狭めるために低浮上量化も必要になる。低浮上量化のためには、磁気記録媒体の表面の平滑度を高めること、換言すると、その表面粗さを小さくすることが要求される。また、磁気記録媒体の表面粗さは、磁気特性分布に対する影響が大きいので、磁気特性分布の均一化を図る上からも表面粗さを小さくすることが要求される。
磁気記録媒体の表面粗さを小さくするためには、成膜前の基板表面の表面粗さが小さくなるように当該基板表面を研磨する必要がある。しかしながら、高記録密度化および低浮上量化のために成膜前の基板の表面粗さを小さくしても、その表面に形成されるグラニュラー構造の磁気記録層を適切に成膜しないと、成膜後の磁気記録媒体の表面粗さが、成膜前の基板の表面粗さよりも大きくなってしまう。
本発明の課題は、このような点に鑑みて、グラニュラー構造の磁気記録層を適切な材料を用いて成膜することにより、成膜前の基板の表面粗さと同程度の表面粗さを備えた磁気記録媒体を製造できるようにすることにある。
上記の課題を解決するために、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板と、この非磁性基板の上に形成された、グラニュラー構造の磁気記録層とを有し、前記磁気記録層は、Coを主体とする結晶粒子と、酸化物からなる粒界部とを備え、前記酸化物として、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上のものを用いることを特徴としている。
本発明では、グラニュラー構造の磁気記録層におけるCo磁性材料からなる結晶粒子を取り囲んでいる粒界部が、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上の酸化物を用いて形成されている。本発明者等の実験によれば、−800kJ/mol以上のギブス自由エネルギーを備えた酸化物を用いることにより、グラニュラー構造の磁気記録層の膜厚を均一にすることができると考えられる。本発明によれば、成膜後の磁気記録媒体の表面粗さを、成膜前の基板の表面粗さと同程度にできることが確認された。
ここで、前記結晶粒子として、CoPtを含む合金を用いることができる。とりわけ、CoPt合金またはCoCrPt合金を用いることができ、前記酸化物として、Ta2O5またはCr2O3を用いることができる。特に、Ta2O5を用いることが望ましい。
本発明によれば、前記非磁性基板の表面粗さがRaで0.3nm以下の非磁性基板の上に、グラニュラー構造の磁気記録層を成膜した場合においても、成膜後の媒体表面の表面粗さをRaで0.3nm以下にできることが確認された。したがって、磁気ヘッドの低浮上量化を達成できるので、高記録密度化に極めて有利である。
なお、前記磁気記録層は、磁化容易化軸が前記非磁性基板に対して平行に配向している面内磁性層とすることもできるが、高記録密度化のためには、磁化容易化軸が垂直に配向している垂直磁性層とすることが望ましい。
次に、本発明は、非磁性基板の上に、グラニュラー構造の磁気記録層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上の金属酸化物材料と、強磁性材料とを含むスパッタリングターゲットを用いて前記磁気記録層を成膜することを特徴としている。
ここで、前記磁気記録層のスパッタリング成膜を2.7nm/sec以下のレートで行うことがのぞましい。また、前記金属酸化物としてTa2O5またはCr2O3を用いると共に、前記強磁性材料としてCoPtを含む合金、とりわけ、CoPt合金またはCoCrPt合金を用いることが望ましい。さらに、前記非磁性基板として、表面粗さがRaで0.3nm以下のものを用いることがのぞましい。さらには、前記磁気記録層を、磁化容易化軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向している垂直磁性層とすることが望ましい。
本発明の磁気記録媒体では、非磁性基板表面に形成した磁気記録層のグラニュラー構造における結晶粒子を取り囲む粒界部を形成している酸化物を、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上の金属酸化物材料から選択するようにしている。このような酸化物を選択することにより、磁気記録層における磁性結晶粒子の結晶性や配向性を改善することができ、均一で平坦な膜厚のグラニュラー構造の磁気記録層を成膜でき、成膜後の媒体表面の表面粗さを非磁性基板の表面粗さ以下にすることができる。特に、高記録密度化に必要な低浮上量化のために、媒体表面の表面粗さを0.3nm以下にする場合に有効である。
(実施例1)
図1に示すように、磁気記録媒体1として、非磁性ガラス基板2の表面に、下側から順に、軟磁性層3、下地層4、非磁性下地層5、グラニュラー構造の磁気記録層6、炭素系保護層7、および潤滑層8からなる多層薄膜を成膜したものを製造した。非磁性ガラス基板2として表面粗さがRaで0.3nm以下のものを用いた。磁気記録層6の強磁性材料としてはCoPt合金あるいはCoCrPt合金を用いた。その酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−764kJ/molのTa2O5を用いた。
図1に示すように、磁気記録媒体1として、非磁性ガラス基板2の表面に、下側から順に、軟磁性層3、下地層4、非磁性下地層5、グラニュラー構造の磁気記録層6、炭素系保護層7、および潤滑層8からなる多層薄膜を成膜したものを製造した。非磁性ガラス基板2として表面粗さがRaで0.3nm以下のものを用いた。磁気記録層6の強磁性材料としてはCoPt合金あるいはCoCrPt合金を用いた。その酸化物材料としてギブス自由エネルギーの値が−764kJ/molのTa2O5を用いた。
成膜前における非磁性ガラス基板2の表面粗さ、および、磁気記録媒体1の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡)で測定した。それぞれにおける測定位置を、磁気記録媒体1の中心から14.5mm、22mmおよび30.6mmの3箇所の半径位置とした。
この結果、磁気記録媒体1の表面粗さは、いずれの測定位置においても非磁性ガラス基板2の表面粗さ以下であることが確認され、Raも0.3nm以下であることが確認された。
本実施例1における具体的な製造条件を以下に示す。
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型してガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる直径が65mmで、表面粗さがRaで0.3nm以下の平滑な非磁性ガラス基板2を得た。
得られた非磁性ガラス基板2における中心から14.5mm、22mmおよび30.6mmの3箇所の半径位置での表面粗さをAFMで測定したところ、それぞれ、Raが0.27nm、0.26nmおよび0.26nmであった。
次に、非磁性ガラス基板2の上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、Ar雰囲気中で軟磁性層3を成膜した。この軟磁性層3は、膜厚200nmのアモルファスCoTaZr(Co:88at%、Ta:7.0at%、Zr:4.9at%)層となるように、CoTaZrターゲットを用いた。
次に、軟磁性層3の上に、真空引きを行った枚葉・静止対向型成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法により、Ar雰囲気中で、下地層4、非磁性下地層5、磁気記録層6を順次成膜した。すなわち、アモルファスのNiTa(Ni:45at%、Ta:55at%)からなる10nm厚の下地層4と、Ruからなる30nm厚の非磁性下地層5を形成した。
これに引き続き、Ta2O5を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、15nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、Ta2O5:12at%とし、ガス圧4Paとし、成膜レートは2.7nm/secとした。
磁気記録媒体1における保護層7は特に制限されない。保護層としては、例えば、Cr膜、Cr合金膜、カーボン膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられる。これらの保護膜は、下地層、磁気記録層等とともにインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護膜は、単層としても良く、あるいは、同一又は異種の膜からなる多層構成としても良い。
上記の保護層上に、あるいは上記の保護層に代えて、他の保護層を形成しても良い。例えば、上記の保護層に代えて、Cr膜の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素(SiO2)膜を形成しても良い。
磁気記録媒体1における潤滑層8は特に制限されない。潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルをフレオン系などの溶媒で希釈し、媒体表面にディップ法、スピンコート法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じ加熱処理を行って形成する。
形成された磁気記録媒体16における非磁性ガラス基板2の中心から14.5mm、22mmおよび30.6mmの3箇所の半径位置での表面粗さをAFMで測定したところ、それぞれ、Raが0.26nm、0.26nmおよび0.24nmであり、いずれも、対応位置での非磁性ガラス基板2の表面粗さ以下であることが確認された。
(実施例2)
実施例1と基本的に同一の条件で図1に示す構造の磁気記録媒体を製造した。異なる点は、磁気記録層6の酸化物材料として、ギブス自由エネルギーの値が−705.3kJ/molのCr2O3を用いたことである。すなわち、Cr2O3を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、14nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、Cr2O3:12at%であり、ガス圧は4Paであり、成膜レートは2.55nm/secとした。
実施例1と基本的に同一の条件で図1に示す構造の磁気記録媒体を製造した。異なる点は、磁気記録層6の酸化物材料として、ギブス自由エネルギーの値が−705.3kJ/molのCr2O3を用いたことである。すなわち、Cr2O3を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、14nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、Cr2O3:12at%であり、ガス圧は4Paであり、成膜レートは2.55nm/secとした。
形成された磁気記録媒体1における非磁性ガラス基板2の中心から14.5mm、22mmおよび30.6mmの3箇所の半径位置での表面粗さをAFMで測定したところ、それぞれ、Raが0.29nm、0.28nmおよび0.28nmであり、ほぼ0.3nmに近い値となることが確認された。
(比較例1)
実施例1と基本的に同一の条件で図1に示す構造の磁気記録媒体を製造した。異なる点は、磁気記録層6の酸化物材料として、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molを下回る−890kJ/molのTiO2を用いたことである。すなわち、TiO2を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、14nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、TiO2:12at%であり、ガス圧は4Paであり、成膜レートを2.80nm/secとした。
実施例1と基本的に同一の条件で図1に示す構造の磁気記録媒体を製造した。異なる点は、磁気記録層6の酸化物材料として、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molを下回る−890kJ/molのTiO2を用いたことである。すなわち、TiO2を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、14nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、TiO2:12at%であり、ガス圧は4Paであり、成膜レートを2.80nm/secとした。
形成された磁気記録媒体1における非磁性ガラス基板2の中心から14.5mm、22mmおよび30.6mmの3箇所の半径位置での表面粗さをAFMで測定したところ、それぞれ、Raが0.36nm、0.36nmおよび0.34nmであり、0.3nmを0.05nm近く上回る値となることが確認された。
(比較例2)
実施例1と基本的に同一の条件で図1に示す構造の磁気記録媒体を製造した。異なる点は、磁気記録層6の酸化物材料として、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molを下回る−856.7kJ/molのSiO2を用いたことである。すなわち、SiO2を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、16nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、SiO2:12at%であり、ガス圧は4Paであり、成膜レートを3.2nm/secとした。
実施例1と基本的に同一の条件で図1に示す構造の磁気記録媒体を製造した。異なる点は、磁気記録層6の酸化物材料として、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/molを下回る−856.7kJ/molのSiO2を用いたことである。すなわち、SiO2を含有するCoCrPtからなる強磁性体のターゲットを用いて、16nmのhcp結晶構造からなる磁気記録層6を形成した。この磁気記録層6を形成するためのターゲットの組成は、Co:62at%、Cr:10at%、Pt:16at%、SiO2:12at%であり、ガス圧は4Paであり、成膜レートを3.2nm/secとした。
形成された磁気記録媒体1における非磁性ガラス基板2の中心から14.5mm、22mmおよび30.6mmの3箇所の半径位置での表面粗さをAFMで測定したところ、それぞれ、Raが0.36nm、0.35nmおよび0.33nmであり、0.3nmを0.05nm近く上回る値となることが確認された。
(評価結果)
図2は上記の実施例1、2および比較例1、2において使用した金属酸化物材料のギブス自由エネルギーの値を示す図表である。ギブス自由エネルギーは絶対値が大きいほど酸素と金属が強く引き付けあうことを表すパラメータである。
図2は上記の実施例1、2および比較例1、2において使用した金属酸化物材料のギブス自由エネルギーの値を示す図表である。ギブス自由エネルギーは絶対値が大きいほど酸素と金属が強く引き付けあうことを表すパラメータである。
図3は上記の実施例1、2および比較例1、2における表面粗さの測定結果を、非磁性ガラス基板の表面粗さの測定結果と共に示すグラフである。グラフから分かるように、Taを含む酸化物の場合(実施例1)には、非磁性ガラス基板の表面粗さ以下の表面粗さの磁気記録媒体1が得られることが分かる。また、Crを含む酸化物の場合(実施例2)には、非磁性ガラス基板の表面粗さよりも僅かに表面粗さが増加するものの、ほぼ0.3nm程度の表面粗さが得られることが分かる。これに対して、Ti、Siを含む酸化物を用いた場合(比較例1、2)には、表面粗さが0.35nm程度、あるいはそれを超える値となり、非磁性ガラス基板の表面粗さに比べて0.1nm増加していることが分かる。
以上要するに、グラニュラー構造の磁気記録層の酸化物を変えることにより、磁気記録媒体の表面粗さを制御することが可能であり、酸化物としてギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上、好ましくは−760kJ/mol以上とすることにより、従来よりも表面粗さの低い磁気記録媒体を製造可能である。この結果、磁気ヘッドの低浮上量化を実現できるので、高記録密度化に極めて有効である。特に、Taを含む酸化物を用いることが有効である。
1 磁気記録媒体
2 ガラス基板
3 軟磁性層
4 下地層
5 非磁性下地層
6 磁気記録層
7 保護層
8 潤滑層
2 ガラス基板
3 軟磁性層
4 下地層
5 非磁性下地層
6 磁気記録層
7 保護層
8 潤滑層
Claims (9)
- 非磁性基板と、
この非磁性基板の上に形成された、グラニュラー構造の磁気記録層とを有し、
前記磁気記録層は、Coを主体とする結晶粒子と、酸化物からなる粒界部とを備え、
前記酸化物として、ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上のものを用いることを特徴とする磁気記録媒体。 - 前記結晶粒子は、CoPtを含む合金であり、
前記酸化物は、Ta2O5またはCr2O3であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 前記非磁性基板の表面粗さはRaで0.3nm以下であり、
前記磁気記録媒体の表面粗さはRaで0.3nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁気記録層は、磁化容易化軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向している垂直磁性層であることを特徴とする請求項1ないし3のうちのいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板の上に、グラニュラー構造の磁気記録層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、
ギブス自由エネルギーの値が−800kJ/mol以上の金属酸化物材料と、強磁性材料とを含むスパッタリングターゲットを用いて前記磁気記録層を成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 前記磁気記録層のスパッタリング成膜を2.7nm/sec以下のレートで行うことを特徴とする請求項5に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記金属酸化物としてTa2O5またはCr2O3を用いると共に、
前記強磁性材料としてCoPtを含む合金を用いることを特徴とする請求項6に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記非磁性基板として、表面粗さがRaで0.3nm以下のものを用いることを特徴とする請求項5ないし7のうちのいずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁気記録層を、磁化容易化軸が前記非磁性基板に対して主に垂直に配向している垂直磁性層とすることを特徴とする請求項5ないし8のうちのいずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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WO2019066086A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | Hoya株式会社 | ガラススペーサ及びハードディスクドライブ装置 |
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2006
- 2006-09-29 JP JP2006269344A patent/JP2008090900A/ja active Pending
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