JP4630850B2 - パターンド磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、パターンド磁気記録媒体およびその製造方法に関する。

磁気記録媒体の面記録密度を向上させて、ＨＤＤ（ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ）の記録容量を増大させる研究が進んでいる。その結果、磁気記録媒体上の各記録ビットサイズは数１０ｎｍ程度の極めて微細なものになってきている。このような微細な記録ビットから再生出力を得るには、各ビットに対して可能な限り大きい飽和磁化と膜厚を確保することが必要となる。しかし、記録ビットの微細化に伴い、１ビットあたりの磁化量は小さくなる。１ビットあたりの磁化量が小さくなるに従って「熱揺らぎ」による磁化反転が起きやすくなり、磁化情報が消失してしまうという問題がある。すなわち、磁性粒子の磁化の向きを一方向に保つのに必要な磁気異方性エネルギーが室温の熱揺らぎエネルギー程度になり、時間とともに磁化が揺らぎ、それにより記録した情報が消失するという現象が起きる。一般に、Ｋｕ・Ｖ／ｋＴ（ここで、Ｋｕは異方性定数、Ｖは磁化最小単位体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である）の値が小さい程、この熱揺らぎの影響が大きくなり、経験的には、Ｋｕ・Ｖ／ｋＴが１００未満になると、「熱揺らぎ」による磁化の反転が起きると言われている。

この熱揺らぎによる磁化反転の問題を解決する媒体として、「パターンド媒体」と呼ばれる磁気記録媒体が注目されている（例えば、特許文献１参照）。パターンド媒体は、一般には、非磁性体層中に記録ビット単位となる複数の磁性体領域をそれぞれ独立に形成した磁気記録媒体であるが、磁気的に連続した磁性薄膜を記録磁区の大きさに分断した媒体と言うこともできる。パターンド媒体は磁性薄膜を記録磁区の大きさに分断したものであるから、磁化最小単位体積Ｖを大きくでき、熱揺らぎの問題を回避することができる。

一方、近年のＨＤＤのトラック密度の向上においては、隣接トラックとの干渉という問題が顕在化している。特に記録ヘッド磁界フリンジ効果による書きにじみの低減は重要な技術課題である。例えば特許文献２に記載されている、記録トラック間を物理的に分離するディスクリートトラック型パターンド磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体）は、記録時におけるサイドイレース現象、再生時におけるサイドリード現象などを低減できるため、クロストラック方向の密度を高めることが可能となり、高密度な磁気記録媒体を提供できる。なお、ＤＴＲ媒体はパターンド媒体の一つの形態である。

垂直磁気記録膜（現行の厚さ：２０ｎｍ）をパターンド媒体に加工するためには、記録膜を２０ｎｍの深さにエッチングして凹凸パターンを形成する必要がある。しかし、このパターンド媒体に対して現行の浮上式記録再生ヘッドで読み書きを行おうとすると、記録再生ヘッドの浮上量は１０ｎｍ程度であるため、記録再生ヘッドとパターンド媒体が接触してしまう恐れがある。従って、パターンド媒体に対して現行の浮上式記録再生ヘッドで記録の読み書きを行うためには、磁性層の凹凸を埋め込み、媒体の表面を平坦化する必要がある。

磁気記録媒体の磁性層の凹凸を埋め込んで媒体の平坦化を行う手法としては、特許文献３に記載されているような、バイアススパッタ法を用い、非磁性膜、例えばＳｉＯ_２膜を埋め込む方法が挙げられる。この方法は平坦性が良好なパターンド媒体が作製できることが期待されたが、プロセスダストが多く発生してしまうという問題がある。プロセスダストの発生はバイアススパッタ法（基板バイアスをかけながら、ＲＦスパッタ法で成膜する方法）を用いる限り避けて通れない問題である。

そこで、基板バイアスなしのＤＣスパッタ法を用い、Ｃ（炭素）を凹凸埋め込み剤として成膜することにより、パターンド媒体の作製を行っている。この方法はプロセスダストの発生は殆ど無いが、凹凸の埋め込み形状があまり良くないという問題がある。

妥協策として、基板バイアスをかけずにＲＦスパッタ法を用い、ＳｉＯ_２を凹凸埋め込み剤として成膜する方法がある。この場合、局所的な凹凸の埋め込み形状は良好だが、プロセスダストの発生に加え、成膜したＳｉＯ_２に応力がかかり、膜剥がれが生じてしまう。さらに、ＳｉＯ_２成膜レートが遅いという問題もある。一般的にパターンド媒体の凹凸を平坦にするためには１００ｎｍ程度埋め込む必要があるが、ＳｉＯ_２の場合、大きなターゲットを用いてスパッタ圧を最適化しても３３０秒以上かかってしまう。これは量産を考えた場合にコスト増大に繋がる。

特許文献４には、保護層としてＳｉＯＣ膜をスパッタリングにより成膜した相変化光記録媒体が記載されている。特許文献４記載のＳｉＯＣ膜は平坦な層の上に積層された保護層であり、凹凸を埋め込んで媒体を平坦にするための埋め込み材料としては記載されていない。パターンド媒体の埋め込み材料として必要な効果は、表面粗さＲａが小さく、成膜時に発生するプロセスダストが少なく、埋め込み形状が良好であるということであり、これらの効果は特許文献４に記載されていない。
特開２００１−１７６０４号公報 特開７−８５４０６号公報 特許第３６８６０６７号公報 特開２００５−２５８５１号公報

本発明の目的は、表面粗さＲａが小さく、成膜時に発生するプロセスダストが少なく、埋め込み形状が良好な非磁性埋め込み層により磁性層の凹凸が埋め込まれた、パターンド媒体を提供することである。

また、本発明の他の目的は、非磁性埋め込み層の成膜工程において、表面粗さＲａが小さく、埋め込み形状が良好な非磁性埋め込み層を、高い成膜速度で、かつ発生するプロセスダストを少量に抑えて成膜することができる、パターンド媒体の製造方法を提供することである。

本発明の一態様に係るパターンド磁気記録媒体は、基板と、前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％以上且つ３０ａｔ％以下であるＳｉＯＣ膜で形成された非磁性埋め込み層とを具備したことを特徴とする。

本発明の他の態様に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法は、基板上に、強磁性記録層を成膜する工程と、前記強磁性記録層を加工して、凸パターンをなす強磁性記録層を形成する工程と、スパッタリングターゲットとしてＳｉＣターゲットを用い、プロセスガスとして酸素含有量が５ｖｏｌ％以上且つ５５ｖｏｌ％以下であるＡｒ−Ｏ_２混合ガスを用いてＤＣスパッタリングを行うことにより、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％以上且つ３０ａｔ％以下であるＳｉＯＣ膜で形成された非磁性埋め込み層を埋め込む工程とを含むことを特徴とする。

本発明によると、表面粗さＲａが小さく、成膜時に発生するプロセスダストが少なく、埋め込み形状が良好な非磁性埋め込み層により磁性層の凹凸が埋め込まれた、パターンド媒体を提供することができる。

また、本発明によると、非磁性埋め込み工程において、表面粗さＲａが小さく、埋め込み形状が良好な非磁性埋め込み層を、高い成膜速度で、かつ発生するプロセスダストを少量に抑えて成膜することができる、パターンド媒体の製造方法を提供することができる。

本発明者らは、ＳｉＣターゲットをスパッタリングターゲットとし、かつＡｒ−Ｏ_２混合ガスをプロセスガスとしてＤＣスパッタリングを行うことにより、ＳｉＯ_２と同様の埋め込み性能を有するＳｉＯＣ膜を、ＳｉＯ_２の成膜と比べて高い成膜速度で、かつ発生するプロセスダストを少量に抑えながら成膜できることを見出した。

図１に、本発明のパターンド媒体の一実施形態の概略断面図を示す。図１のパターンド媒体において、基板１上に下地層２および凸パターンをなす強磁性記録層３が形成されている。凸パターンをなす強磁性記録層３の間の凹部には、非磁性体の埋め込み層７が埋め込まれており、強磁性記録層３は埋め込み層７を介して互いに分離されている。さらに、図１の媒体は、強磁性記録層３および非磁性埋め込み層７を覆うように保護膜８が形成されている。保護膜８上には潤滑剤（図示せず）が塗布される。

強磁性記録層３のパターンを概略的に図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）は、ディスクリートトラック１１、プリアンブル部１２、アドレス部１３、サーボ部１４が強磁性記録層のパターンとして形成されている、ディスクリートトラック型パターンド磁気記録媒体（ＤＴＲ媒体）の表面パターンである。図２（Ｂ）に概略的に示されるような、記録トラック部がディスクリートビット１５となっているディスクリートビット型パターンド磁気記録媒体（狭義のパターンド媒体）であってもよい。

本発明のパターンド媒体は、凸パターンをなす強磁性記録層３の間の凹部に埋め込まれている非磁性埋め込み層７が、Ｓｉ、ＯおよびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％〜３０ａｔ％であるＳｉＯＣ膜であることを特徴とする。

炭素の含有量が上述の範囲にあるＳｉＯＣ膜は、埋め込み性能はＳｉＯ_２と同様である一方、プロセスダストが不可避的に発生するバイアスＲＦスパッタ法を使用する必要がないため、成膜速度の高いＤＣスパッタ法で成膜することができ、プロセスダスト発生も抑えることができる。上述のＳｉＯＣ膜により磁性パターン間の凹部が埋め込まれているパターンド媒体は、埋め込み形状が良好なため、表面粗さＲａが小さく、それにより記録再生ヘッドの安定浮上を実現できる。また、記録再生ヘッドの安定浮上により、良好なビットエラーレート（ＢＥＲ）の値を示す。

また、炭素の含有量が上述の範囲にあるＳｉＯＣ膜により磁性パターン間の凹部が埋め込まれているパターンド媒体は、ＳｉＯ_２を用いて埋め込みを行った従来の媒体と比較すると、埋め込み層の酸素欠陥の効果により埋め込み層成膜の際の記録層の酸化が抑えられ、より良好なＢＥＲの値を示す。

一方、炭素含有量が０．０５ａｔ％より少ないＳｉＯＣ膜により磁性パターン間の凹部が埋め込まれているパターンド媒体には、ＳｉＯＣ膜の酸素欠陥率が低いために、埋め込み層成膜の際に記録層上に生成した酸化膜が存在する。従ってこの媒体は、この酸化膜の存在により信号強度が低下するために、ＢＥＲが劣る。また、炭素含有量が３０ａｔ％よりも大きいＳｉＯＣ膜により磁性パターン間の凹部が埋め込まれているパターンド媒体は、埋め込み性能が劣るため、記録再生ヘッドの安定浮上が望めない。

以下、図面を参照しながら本発明のパターンド媒体の製造方法を説明する。なお、パターンド媒体の各構成の材料は後述する。

まず図３（Ａ）に示すように、基板１上に下地層２（軟磁性下地層や配向制御用下地層を含む）、強磁性記録層３および保護層４を順次成膜する。例えば、ガラス基板１上に、軟磁性層としてＣｏＺｒＮｂ層を１２０ｎｍ、配向制御用下地層としてＲｕを２０ｎｍ、強磁性記録層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２層を２０ｎｍ順次成膜し、その上に保護層としてＣ保護層を４ｎｍ成膜する。

図３（Ｂ）に示すように、保護層４上に、スピンコート法によって、インプリントレジスト層５を成膜する。インプリントレジストとしては例えば、一般的なノボラック系のフォトレジスト、スピンオングラス（ＳＯＧ）を用いることができる。

図３（Ｃ）に示すように、インプリントレジスト層５にスタンパ６をプレスすることによってパターンを転写する（インプリント法）。スタンパ６は、転写しようとするトラック部、プリアンブル部、アドレス部、およびバースト部のそれぞれのパターンに対応する凹凸パターンを有する。スタンパの表面に予めフッ素系の剥離剤を塗布することで、スタンパ６とインプリントレジスト層５との良好な剥離ができる。

ここでインプリント法によるパターンの転写を説明する。インプリントはダイセットを用いて行う。ダイセットの下板上に、スタンパ６、基板１、バッファ層を順に積層させ、その上に、これらをダイセットの下板との間に挟み込むようにダイセットの上板を設置する。このとき、スタンパ６の凹凸と基板１上に成膜したインプリントレジスト層５とを対向させて積層させる。プレスは例えば、２０００ｂａｒで６０秒間行う。６０秒はレジストの移動時間である。

インプリント工程後にスタンパ６を取り除くことにより、図３（Ｄ）に示すように、凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層５を有する基板１を得る。

図３（Ｅ）に示すように、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、インプリントレジスト層５に転写されたパターン凹部に残留するレジスト残渣を除去する。ＲＩＥに用いるガスは、インプリントレジスト層５の材料に応じて適時選択する。インプリントレジストとしてＳＯＧを用いた場合は、フッ素系ガス、例えばＣＦ_４やＳＦ_６が好適だが、大気中の水と反応してＨＦ、Ｈ_２ＳＯ_４などの酸が生じることがあるため、水洗を行う必要がある。インプリントレジストとしてノボラック系フォトレジストを用いた場合には、酸素ガスを用いるＲＩＥが好適である。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマが生成可能な誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma；ＩＣＰ）が好適だが、電子サイクロトン共鳴（Electron Cyclotron Resonance；ＥＣＲ）プラズマ、一般的な並行平板型ＲＩＥ装置を用いることもできる。

図３（Ｆ）に示すように、残渣を除去したインプリントレジスト層５をエッチングマスクとして用い、磁性体加工を行う。磁性体加工にはＡｒイオンビームを用いたエッチング（Ａｒイオンミリング）が好適だが、Ｃｌガス、もしくはＣＯとＮＨ_３との混合ガスを用いたＲＩＥでも良い。ＣＯとＮＨ_３との混合ガスを用いたＲＩＥの場合、エッチングマスクにはＴｉ、Ｔａ、Ｗなどのハードマスクを用いなくてはならない。これら磁性体ＲＩＥを用いた場合、磁性体凹凸にテーパは付かない。如何なる材料でもエッチング可能なＡｒイオンミリングで磁性体加工を行う場合は、例えば加速電圧４００Ｖ、イオン入射角度は３０°から７０°まで変化させてエッチングを行う。ＥＣＲイオンガンを用いたミリングは、静止対向型（イオン入射角９０°）でエッチングすることで、殆ど磁性体凹凸にテーパが付かない加工が可能である。この結果、強磁性記録層３の凹凸パターンが形成される。

図３（Ｇ）に示すように、強磁性記録層３の凸部上に残留するインプリントレジスト層５を除去する。レジスト除去には、レジスト残渣除去と同様の方法を使用することができる。

図３（Ｈ）に示すように、記録再生ヘッドの安定浮上を実現するために、非磁性埋め込み層７による強磁性記録層３の凹凸パターンの埋め込みを行う。

本発明の方法では、非磁性埋め込み工程において、スパッタリングターゲットとしてＳｉＣターゲットを用い、かつプロセスガスとしてＡｒ−Ｏ_２混合ガスを用いて、ＤＣスパッタリングを行うことにより、ＳｉＯＣ埋め込み層７を成膜することを特徴とする。

本発明の方法では、酸素を５ｖｏｌ％〜５５ｖｏｌ％含有するＡｒガスをプロセスガスとして用いる。酸素含有量が５ｖｏｌ％より少ないと、ＳｉＣが十分にＳｉＯＣ化できず、良好な埋め込み性能が得られない。また、酸素含有量が５５ｖｏｌ％を超えると、ＳｉＣをＳｉＯＣ化する際に余剰となる酸素が記録層を酸化して媒体表面に酸化膜が形成されてしまう。その結果、完成後のパターンド媒体のＢＥＲが劣化する。

パターンド媒体の凹凸を平坦にするためには非磁性埋め込み層を１００ｎｍ程度成膜する必要がある。従来のＲＦバイアススパッタリングによるＳｉＯ_２の成膜は成膜速度が低く、成膜に著しく時間がかかってしまいコスト増大に繋がる。しかし、本発明は成膜速度の高いＤＣスパッタリングを用いるため、従来のＳｉＯ_２の成膜に比べてコストを抑えることができる。また、ＤＣスパッタ法で埋め込み層を成膜できるので、プロセスダストを抑えることができる。

本発明に従ってＳｉ、ＯおよびＣを含有するＳｉＯＣ膜を非磁性埋め込み層として成膜することにより、ＳｉＯ_２を成膜した場合と同様の表面平坦性が得られ、さらに酸素欠陥の効果により記録層の酸化が抑えられる。

図３（Ｉ）に示すように、強磁性記録層３が露出するまでエッチバックを行う。エッチバック工程では、Ａｒイオンミリングを用いることが好ましい。本発明の方法ではシリコン系埋め込み層を使用しているので、フッ素系ガスを用いたＲＩＥを行うこともできる。ＥＣＲを用いたエッチングでも良い。

図３（Ｊ）に示すように、Ｃ保護層４の形成を行う。Ｃ保護層４は、凹凸へのカバレッジを良くするためにＣＶＤ法で成膜することが望ましいが、スパッタ法、真空蒸着法でも構わない。ＣＶＤ法でＣ保護層４を形成した場合、ｓｐ^３結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が形成される。膜厚は２ｎｍ以下であるとカバレッジが悪くなり、１０ｎｍ以上だと、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってＳＮＲが低下するので好ましくない。また、保護層３上には、潤滑剤（図示せず）を塗布する。

（実施例）
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

（実施例１）
本実施例では図３に示した方法に従い、パターンド媒体を製造した。

まず、ガラス基板上に軟磁性層として１２０ｎｍのＣｏＺｒＮｂ層、配向制御用下地層として２０ｎｍのＲｕ層、強磁性記録層として２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２層、保護層として４ｎｍの炭素を順次成膜した。

その後、保護膜上にスピンコート法で、インプリントレジスト層としてＳＯＧを厚さ１００ｎｍになるように塗布した。次に、図２（Ａ）に示したようなパターンに対応する凹凸パターンが形成されたインプリントスタンパをＳＯＧ層にプレスしてインプリントを行い、ＳＯＧ層に凹凸パターンを転写した。

パターン転写後、ＩＣＰエッチング装置においてＲＩＥを行い、転写された凹凸パターンの凹部にあるインプリント残渣を除去した。ＲＩＥは以下の条件で３０秒間行った：プロセスガス；ＣＦ_４、チャンバー圧；２ｍＴｏｒｒ、Ｃｏｉｌ ＲＦ；１００Ｗ、Ｐｌａｔｅｎ ＲＦ；１００Ｗ。

レジスト残渣除去後、インプリントレジストをエッチングマスクとして用い、強磁性記録層に対してイオンミリングによる加工を行った。イオンミリングはエッチング装置において以下の条件で３分間行った：プロセスガス；Ａｒ、プラズマソース；ＥＣＲイオンガン、マイクロ波パワー；８００Ｗ、加速電圧；５００Ｖ。イオンミリングによるエッチング後、凹部において保護層および強磁性記録層が完全に除去され、凸部上面から凹部上面までの高さの差が２４ｎｍである凹凸パターンが形成された。

磁性体加工後、凸パターンをなす強磁性記録層上に残るＳＯＧをＲＩＥによって除去した。ＲＩＥは以下の条件で１分間行った：プロセスガス；ＣＦ_４、チャンバー圧；２ｍＴｏｒｒ、Ｃｏｉｌ ＲＦ；１００Ｗ、Ｐｌａｔｅｎ ＲＦ；１００Ｗ。

レジスト除去後、スパッタ装置において、記録再生ヘッドの安定浮上を目的として、磁性層のパターンの凹部に非磁性層による埋め込みを行った。以下の条件で１４０秒間成膜を行い、非磁性埋め込み層を１００ｎｍ成膜した：成膜方法；ＤＣスパッタ法、スパッタリングターゲット；ＳｉＣターゲット、プロセスガス；Ａｒ−Ｏ_２混合ガス（流量：Ａｒ；８０ｓｃｃｍ、Ｏ_２；２０ｓｃｃｍ（酸素含有量：２０ｖｏｌ％））。

非磁性埋め込み層を成膜した状態で、非磁性埋め込み層の組成をＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）で分析した。分析により得られた組成は、Ｓｉ；４２．０ａｔ％、Ｏ；５７．５ａｔ％、Ｃ；０．５ａｔ％であった。この方法で得られた非磁性埋め込み層を以下、ＳｉＯＣ膜と称する。

次に、非磁性埋め込み層をエッチバックした。エッチバックは以下の条件で約５分間ＥＣＲイオンガンを用いてイオンミリングすることによって行った：プロセスガス；Ａｒ、マイクロ波パワー；８００Ｗ、加速電圧；７００Ｖ。エッチバックの終点検出は、四重極式質量分析計（Ｑ−ｍａｓｓ）を用いて、磁性層表面のＣｏが検出されたところとした。

エッチバック後、ＣＶＤ（化学気相堆積法）で表面にＤＬＣ保護層を形成し、その上に潤滑剤を塗布することで本実施例のパターンド媒体を得た。

完成した媒体に対して、グライドヘッドを用いてＡＥ（Acoustic emission）測定を行ったところ、ＡＥ信号は観測されなかった。媒体をドライブに組み込み、ＢＥＲ（ビットエラー率）を測定したところ、１．０×１０^−６という良好な値を得た。

（比較例１）
非磁性埋め込み工程において、以下の条件で非磁性埋め込み層を成膜した以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した：成膜方法；バイアススパッタ法、スパッタリングターゲット；ＳｉＯ_２ターゲット、プロセスガス；純Ａｒガス。

本例では、ＳｉＯ_２埋め込み層を１００ｎｍ成膜するために５００秒間必要であった。

完成した媒体に対して、グライドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ダスト起因と思われるスパイク状のＡＥ信号が観測された。ＡＥ信号が観測されたため、ドライブ評価が不可能であり、ＢＥＲ評価は行わなかった。

（比較例２）
非磁性埋め込み工程において、以下の条件で非磁性埋め込み層を成膜した以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した：成膜方法；ＤＣスパッタリング、スパッタリングターゲット；Ｃ、プロセスガス；純Ａｒガス。

完成した媒体に対して、グライドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ＡＥ信号は観測されなかった。媒体をドライブに組み込み、ＢＥＲ（ビットエラー率）を測定したところ、３．０×１０^−６という値を得た。

実施例１と比較例１との結果を比較すると、本発明の方法を用いてパターンド媒体を作製することにより、ＳｉＯ_２バイアススパッタよりも約３．６倍高い成膜速度で埋め込み層を成膜できることがわかる。さらに、比較例１（従来例）のＳｉＯ_２による埋め込みを行ったパターンド媒体はダスト起因によるＡＥ信号が観察されるが、実施例１のパターンド媒体は、非磁性埋め込み層成膜の際にＤＣスパッタリングを用いることによりプロセスダストを抑えることができるので、表面性がよく、ＡＥ信号が観察されない。

実施例１の結果と比較例２の結果とを比較すると、比較例２のＢＥＲは実施例１のＢＥＲの３倍であり、ＢＥＲが劣化していることがわかる。この理由としては、比較例２の媒体はＣを用いて埋め込みを行っているために埋め込み形状が悪く、それにより記録再生ヘッドの浮上が安定しないことが考えられる。それに対し、実施例１のパターンド媒体は、良好なＢＥＲの値を示したことからも、埋め込み形状が良好で表面粗さＲａが小さいため、記録再生ヘッドの浮上が安定することがわかる。

（実施例２）
非磁性埋め込み工程において、炭素含有量を様々に変化させたスパッタリングターゲットを用いてを行ったこと以外は、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

スパッタリングターゲットの炭素含有量は、用いるターゲットを、ＳｉＣターゲット、Ｓｉ−ＳｉＣコンポジットターゲット、またはＳｉＣ−Ｃコンポジットターゲットに変えることで変化させた。

実施例１と同様に、非磁性埋め込み層を成膜した状態で、非磁性埋め込み層の組成をＳＩＭＳで分析した。分析結果から、スパッタリングターゲットの炭素含有量を変化させることで、非磁性埋め込み層の炭素含有量を変化させることができることがわかった。

次に、記録層酸化防止効果の、非磁性埋め込み層の炭素含有量依存性を調べるために、作製したパターンド媒体に対してオージェ電子分光法（AES）で深さ方向の組成分析を行い、分析結果から酸化膜の膜厚を測定した。図４は、酸化膜厚を非磁性埋め込み層の炭素含有量に対してプロットしたものである。図４から明らかなように、非磁性埋め込み層の炭素含有量が０．０５ａｔ％以上の媒体では、酸化膜は検出されなかった。

（実施例３）
非磁性埋め込み工程において、プロセスガスを、流量がＡｒ；１８０ｓｃｃｍ、Ｏ_２；２０ｓｃｃｍ（酸素含有量１０ｖｏｌ％）のＡｒ−Ｏ_２混合ガスとした以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

実施例１と同様に、非磁性埋め込み層を成膜した状態で、非磁性埋め込み層の組成をＳＩＭＳで分析した結果、本実施例の非磁性埋め込み層はＳｉ；４２．５２ａｔ％、Ｏ；５７．４ａｔ％、Ｃ；０．０８ａｔ％の組成を有するＳｉＯＣ膜であることがわかった。

媒体完成後グラインドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ＡＥ信号は検出されなかった。媒体をドライブに組み込み、ＢＥＲを測定した結果、１．０×１０^−６という良好な値を得た。

（比較例３）
非磁性埋め込み工程において、プロセスガスを、流量がＡｒ：２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２：８０ｓｃｃｍ（酸素含有量８０ｖｏｌ％）の、Ａｒ−Ｏ_２混合ガスとした以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

実施例１と同様に、非磁性埋め込み層を成膜した状態で、非磁性埋め込み層の組成をＳＩＭＳで分析した結果、非磁性埋め込み層はＳｉ：３４．９８ａｔ％、Ｏ：６５．０ａｔ％、Ｃ：０．０２ａｔ％の組成を有するＳｉＯＣ膜であることがわかった。

媒体完成後グラインドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ＡＥ信号は検出されなかった。媒体をドライブに組み込み、ＢＥＲを測定した結果、１．０×１０^−５という値を得た。ＢＥＲが悪い原因としては、非磁性埋め込み層の酸素欠陥効果が十分に発揮されず、非磁性埋め込み工程の際に記録層が酸化されてしまい、信号強度が低下したと考えられる。

実施例２の結果から、非磁性埋め込み層であるＳｉＯＣ膜の炭素含有量が０．０５ａｔ％以上の記録媒体であれば、埋め込み層の酸素欠陥効果により記録層に酸化膜が存在しないことがわかる。さらに、実施例１、実施例３の結果から、ＳｉＯＣ膜の炭素含有量が０．０５ａｔ％以上の記録媒体であれば、記録層に酸化膜が存在せず、良好なＢＥＲの値を示すことがわかった。

一方で、比較例３の結果から、非磁性埋め込み層の炭素含有量が０．０５ａｔ％未満のパターンド媒体は、非磁性埋め込み層の酸素欠陥効果が十分に発揮されないために記録層に酸化膜が存在し、その結果良好なＢＥＲを得ることができないことがわかった。

（実施例４）
非磁性埋め込み工程において、使用するＡｒ−Ｏ_２混合プロセスガスの酸素含有量を様々に変化させてたこと以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

本例では、Ａｒ−Ｏ_２混合プロセスガスの酸素含有量を、Ｏ_２の流量を２０ｓｃｃｍに固定し、Ａｒの流量を変化させることによって変化させた。

非磁性埋め込み工程で用いるプロセスガスの酸素含有量と記録層の酸化膜生成との関係を調べるために、実施例２と同様にＡＥＳによる深さ方向の組成分析結果を用いて、製造したそれぞれの媒体の記録層の酸化膜厚を調べた。図５は酸化膜厚をプロセスガスの酸素含有量に対してプロットした図である。

図５から明らかなように、プロセスガスの酸素含有量が５０ｖｏｌ％以下では、酸化膜厚がゼロであり、非磁性埋め込み工程中に記録層が酸化してしまうことがなかった。酸素含有量が５５ｖｏｌ％では、酸化膜厚が１ｎｍ以下であるが、自然酸化膜が１ｎｍ程度であることを考えるとプロセス上は問題ない。

一方で、酸素含有量が５５ｖｏｌ％を超えると、ＳｉＣをＳｉＯ_２化する際に余剰となった酸素が記録層を酸化してしまうことがわかった。

（実施例５）
非磁性埋め込み工程において、プロセスガスを、流量がＡｒ；２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２；２０ｓｃｃｍ（酸素含有量５０ｖｏｌ％）のＡｒ−Ｏ_２混合ガスとした以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

実施例１と同様に、非磁性埋め込み層を成膜した状態で、非磁性埋め込み層の組成をＳＩＭＳで分析した結果、非磁性埋め込み層はＳｉ；４２．２ａｔ％、Ｏ；５６．１ａｔ％、Ｃ；１．７ａｔ％の組成を有するＳｉＯＣ膜であることがわかった。

媒体完成後、実施例２と同様にＡＥＳによる深さ方向の組成分析結果を用いて、記録層に酸化膜が存在するかどうかを調べたところ、本実施例で作製した媒体の記録層からは酸化膜が観察されなかった。

媒体完成後、グラインドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ＡＥ信号は検出されなかった。媒体をドライブに組み込み、ＢＥＲを測定した結果、１．０×１０^−６という良好な値を得た。

（比較例４）
非磁性埋め込み工程において、プロセスガスを、流量がＡｒ；２ｓｃｃｍ、Ｏ_２；２０ｓｃｃｍ（酸素含有量９０ｖｏｌ％）のＡｒ−Ｏ_２混合ガスとした以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

媒体完成後、実施例２と同様にＡＥＳによる深さ方向の組成分析結果を用いて、記録層に酸化膜が存在しているかどうかを調べたところ、酸化膜が６．５ｎｍ観測された。

媒体完成後、グラインドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ＡＥ信号は検出されなかった。媒体をドライブに組み込み、ＢＥＲを測定した結果、１．０×１０^−４という値を得た。ＢＥＲが悪くなった原因としては、磁性体膜厚が２０ｎｍであるのに対し、酸化膜がその１／３程度を占めるため、信号強度が１／３以下まで低下したためであると考えられる。

実施例４の結果から、埋め込み工程において、スパッタリングターゲットをＳｉＣとし、酸素含有量が５５ｖｏｌ％以下のＡｒ−Ｏ_２混合ガスをプロセスガスとして用いることで、記録層の酸化を抑えることができることがわかる。また、実施例５の結果から、上記の範囲の酸素含有量のＡｒ−Ｏ_２混合ガスをプロセスガスとして用いることで、記録層の酸化を抑え、良好なＢＥＲ値を示すパターンド媒体を作製できることがわかった。一方で、比較例４の結果から、酸素含有量が５５ｖｏｌ％を超えるＡｒ−Ｏ_２混合ガスをプロセスガスとして用いると、埋め込み工程において記録層を酸化してしまい、信号強度を低下させ、結果完成した媒体のＢＥＲの値を劣化させてしまうことがわかった。

（実施例６）
３インチのＳｉ基板上に以下の条件でＳｉＯＣ膜を１００ｎｍ成膜した：成膜方法；ＤＣスパッタ法、スパッタリングターゲット；ＳｉＣターゲット、プロセスガス；Ａｒ−Ｏ_２混合ガス（Ａｒ；８０ｓｃｃｍ、Ｏ_２；２０ｓｃｃｍ（酸素含有量：２０ｖｏｌ％））。図６（Ａ）に実施例６で成膜したＳｉＯＣ膜のパーティクルマップを示す。

成膜したＳｉＯＣ膜上のプロセスダストのパーティクル数をパーティクルカウンタ（KLA-Tencor製TeraStar）で数えたところ、２００個であった。

（比較例５）
３インチのＳｉ基板上に以下の条件でバイアススパッタ法でＳｉＯ_２膜を１００ｎｍ成膜した：成膜方法；バイアススパッタ法、スパッタリングターゲット；ＳｉＯ_２ターゲット、プロセスガス；純Ａｒガス。図６（Ｂ）に実施例６で成膜したＳｉＯ_２膜のパーティクルマップを示す。

成膜したＳｉＯ_２膜上のプロセスダストのパーティクル数を実施例６と同じ方法で数えたところ、２１５０個であった。

実施例６および比較例５の結果を比較すると、本発明の方法では、ＤＣスパッタ法で非磁性埋め込み層を成膜することにより、従来のＳｉＯ_２のバイアススパッタによる非磁性凹凸埋め込み方法と比較して、１０倍もプロセスダストが少ないことがわかる。従って本発明の方法を用いることにより、プロセスダストを抑え、表面粗さＲａが小さい非磁性埋め込み層を成膜でき、それによりＡＥ信号が観察されず、かつヘッドの安定浮上を達成できることによる良好なＢＥＲを示すパターンド媒体が製造できることがわかる。

（実施例７）
インプリント工程において、図２（Ｂ）に示したようなパターンに対応する凹凸パターンが形成されたインプリントスタンパをプレスしてインプリントを行ッたこと以外、実施例１と同じ方法でパターンド媒体を作製した。

完成した媒体は、クロストラック方向１２０ｎｍ、ダウントラック方向２５ｎｍの長方形の記録ビットを有し、１３０Ｇｂｐｓｉ相当の記録密度を有する、ディスクリートビットパターンド媒体であった。

媒体完成後、グラインドヘッドを用いてＡＥ測定を行ったところ、ＡＥ信号は検出されなかった。また、実施例２と同様に記録層に対してＡＥＳによる深さ方向の組成分析を行ったところ、記録層に酸化膜は存在しないことがわかった。

実施例７の結果から、実施例７のようなディスクリートビットパターンド媒体であっても、本発明を用いることにより、実施例１から６までのディスクリートトラック型パターンド磁気記録媒体と同様な効果が期待できることがわかる。

以下、本発明の実施形態に係るパターンド媒体の各層に用いられる材料や、各層の積層構造について説明する。

＜基板＞
基板としては、例えばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板にＮｉＰ等のメッキが施されたもの等を用いることができる。ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。また，基板上への薄膜の形成方法として以下ではスパッタリング法のみを取り上げたが，真空蒸着法や電解メッキ法などでも同様の効果を得ることができる。

＜軟磁性下地層＞
軟磁性下地層（SUL）は、垂直磁磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。

軟磁性下地層には、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。このような材料として、ＦｅＣｏ系合金例えばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金例えばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金例えばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金例えばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金例えばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。また、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。

また、軟磁性下地層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏは、好ましくは８０ａｔ％以上含まれる。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により製膜した場合にアモルファス層が形成されやすく、アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。

軟磁性下地層の下には、軟磁性下地層の結晶性の向上あるいは基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。

軟磁性下地層と記録層との間には、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性下地層と記録層との交換結合相互作用を遮断することと、記録層の結晶性を制御することとの二つがある。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、あるいはこれらを含む合金、あるいはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。

スパイクノイズ防止のために軟磁性下地層を複数の層に分け０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挿入することで反強磁性結合させても良い。また、ＣｏＣｒＰｔやＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持った硬磁性膜、あるいはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ等の反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させても良い。その際に、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の前後に磁性(たとえばＣｏ)あるいは非磁性の膜(たとえばＰｔ)を積層させても良い。

＜強磁性記録層（一般的な構造）＞
垂直磁気記録層は、Ｃｏを主成分とし、Ｐｔを含む合金からなると、高異方性が達成できるので好ましい。記録層はさらに、酸化物を含んだ材料からなっていても良い。この酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンまたは磁気記録層を構成する金属の酸化物が好適である。

垂直磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性を良好なものとし、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得ることができる。このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。垂直磁気記録層中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子の孤立化、微細化をすることができるためである。酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため好ましくない。垂直磁気記録層のＣｒの含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であるのは、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ耐性が得られるために好適だからである。Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ耐性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。垂直磁気記録層のＰｔの含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲であるのは、垂直磁性層に必要なＫｕを得、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好であり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ耐性、記録再生特性が得られるために好適であることによる。Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。また、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ耐性を得るためのＫｕが得られないため好ましくない。

垂直磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含む事により、磁性粒子の微細化を促進、あるいは結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ耐性を得ることができる。上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ耐性が得られないため好ましくない。

また、垂直磁気記録層としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ，およびＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。

垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは５ないし６０ｎｍ、より好ましくは１０ないし４０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作し得る。垂直磁気記録層の厚さが５ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、垂直磁気記録層の厚さが４０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。垂直磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。垂直磁気記録層の垂直角型比は、０．８以上であることが好ましい。垂直角型比が０．８未満であると、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。

＜保護層＞
保護層としては、垂直磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的設けられる。その材料としては、例えばＣ、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２を含むものがあげられる。保護層の厚さは、１ないし１０ｎｍとすることが好ましい。これにより、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。

カーボンは、ｓｐ^２結合炭素（グラファイト）とｓｐ^３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ^３結合炭素のほうが優れるが、結晶質であることから表面平滑性はグラファイトに劣る。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法で形成される。この方法では、ｓｐ^２結合炭素とｓｐ^３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが形成される。ｓｐ^３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれる。耐久性、耐食性に優れ、アモルファスであることから表面平滑性にも優れるため、磁気記録媒体の表面保護膜として利用されている。ＣＶＤ（Chemical vapor Deposition）法によるＤＬＣの成膜は、原料ガスをプラズマ中で励起、分解し、化学反応によってＤＬＣを生成させるため、条件を合わせることで、よりｓｐ^３結合炭素に富んだＤＬＣを形成することができる。

＜潤滑層＞
潤滑層に使用する潤滑剤としては、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などが挙げられる。

本発明のパターンド媒体の一例を示す断面図。 本発明のパターンド媒体の磁性パターンの例を示す平面図。 本発明のパターンド媒体の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の実施例におけるパターンド媒体のＳｉＯＣ埋め込み膜中のＣ含有量と、記録層中の酸化膜の膜厚との関係を示す図。 本発明の実施例における非磁性埋め込み工程で使用したＡｒ−Ｏ_２混合プロセスガス中の酸素含有量と、記録層中の酸化膜の膜厚との関係を示す図。 本発明の方法を用いて成膜したＳｉＯＣ膜および従来の方法を用いて成膜したＳｉＯ_２膜のパーティクルマップ。

符号の説明

１…基板、２…下地層、３…強磁性記録層、４…保護層、５…インプリントレジスト層、６…インプリントスタンパ、７…ＳｉＯＣ埋め込み層、８…保護層。

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された、凸パターンをなす強磁性記録層と、
   前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に埋め込まれた、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％以上且つ３０ａｔ％以下であるＳｉＯＣ膜で形成された非磁性埋め込み層と
   を具備したことを特徴とするパターンド磁気記録媒体。
2. 前記凸パターンをなす強磁性記録層はディスクリートトラックを含むことを特徴とする請求項１記載のパターンド磁気記録媒体。
3. 前記凸パターンをなす強磁性記録層はディスクリートビットを含むことを特徴とする請求項１記載のパターンド磁気記録媒体。
4. 基板上に、強磁性記録層を成膜する工程と、
   前記強磁性記録層を加工して、凸パターンをなす強磁性記録層を形成する工程と、
   スパッタリングターゲットとしてＳｉＣターゲットを用い、プロセスガスとして酸素含有量が５ｖｏｌ％以上且つ５５ｖｏｌ％以下であるＡｒ−Ｏ_２混合ガスを用いてＤＣスパッタリングを行うことにより、前記凸パターンをなす強磁性記録層の間の凹部に、Ｓｉ、Ｏ、およびＣを含有し、Ｃの含有量が０．０５ａｔ％以上且つ３０ａｔ％以下であるＳｉＯＣ膜で形成された非磁性埋め込み層を埋め込む工程と
   を含むことを特徴とするパターンド磁気記録媒体の製造方法。
5. 前記凸パターンをなす強磁性記録層はディスクリートトラックを含むことを特徴とする請求項４記載のパターンド磁気記録媒体の製造方法。
6. 前記凸パターンをなす強磁性記録層はディスクリートビットを含むことを特徴とする請求項４記載のパターンド磁気記録媒体の製造方法。

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