JP2003296922A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 下塗膜表面の欠陥が少なく、かつ磁性膜表面
欠陥の少ない磁気記録媒体を提供すること。 【解決手段】支持体の少なくとも一方の面に下塗膜、そ
の上に強磁性金属薄膜から成る磁性膜を有する磁気記録
媒体において、該下塗膜は下記一般式（１）で表される
化合物とそのオリゴマー（シロキサン結合数が２以上、
かつ粘度が４〜１００ｍＰａ・ｓｅｃである）を含む混
合物の反応物からなることを特徴とする磁気記録媒体。
一般式（１）Ｒ_a−Ｓｉ−Ｘ_b（式中、ａ＋ｂ＝４、ａ＝
０〜３（ただし、ｂが２以上であるものを少なくとも含
む）であり、Ｒは官能基を有してもよい炭素数１〜４０
の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示す。）。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は強磁性金属薄膜を磁
性膜とする磁気記録媒体に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】磁気テープ、フロッピー（登録商標）デ
ィスクあるいはハードディスク等の磁気記録媒体は一般
に、非磁性支持体上に磁性膜、保護膜などを成膜する工
程によって製造されている。このような磁気記録媒体に
おいては、スパッタ法や蒸着法等の真空成膜法によって
作製した強磁性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体が
実用化されている。上記のようなスパッタ法や蒸着法に
よって磁性膜を形成した磁気記録媒体は、高い磁気エネ
ルギーが容易に得られ、さらに非磁性支持体の表面を平
滑にすることによって平滑な磁性膜表面性を容易に達成
できるためスペーシングロスが少なく、高い電磁変換特
性を得ることができるため高密度記録材料に適してい
る。特にスパッタ法は蒸着法よりさらに磁気エネルギー
を高めることができるため、ハードディスクのような高
い記録密度が要求される媒体に採用されている。 【０００３】そして、最近の磁気記録媒体では高記録密
度化の要求が強く、従来からさらに高い電磁変換特性が
必要となってきている。このため、磁気テープやフロッ
ピーディスクのように、非磁性支持体としてポリエチレ
ンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレート
フィルム等の可撓性高分子フィルムを用いたものにおい
て、記録密度の向上等を図るため、スパッタ法や蒸着法
で強磁性金属薄膜から成る磁性膜を形成することが望ま
しい。 【０００４】しかし、そのような高分子フィルムは耐熱
性に劣るので、スパッタ法で成膜した場合、あるいは蒸
着法により蒸着速度を高めて成膜した場合、高分子フィ
ルムもしくはその表面が加熱されて非磁性支持体が変形
（熱負け）する、また、オリゴマーの析出等による表面
劣化が発生し、非磁性支持体の平滑な表面性、ひいては
磁性膜の平滑な表面性を得ることが困難である等の問題
がある。 【０００５】この問題を解決するために、次のような技
術が提案されている。一つは、非磁性支持体である高分
子フィルムの材料として耐熱性樹脂を用いる方法であ
る。用いる耐熱性樹脂としては、ポリイミドフィルムな
どが考えられるが、一般にポリイミドフィルムは高価で
ある。加えて、非常に平滑で表面性の良いポリイミドフ
ィルムの作製、使用は技術上困難であり、この方法は現
実的ではない。 【０００６】他には、例えば塗布により磁性膜を形成す
る従来の磁気記録媒体に一般に用いられている比較的安
価な高分子フィルム上に下塗膜を形成し、膜の平滑性や
耐熱性を高める方法が提案されている。 【０００７】例えば特開平６−３４９０４２号には、比
較的表面の粗い高分子フィルム上に微粒子を含有した樹
脂膜を設けることにより適切な表面性を有するフィルム
を作製する方法が開示されている。しかし、ここで使用
されている一般的な樹脂結合剤を用いた場合、スパッタ
法により磁性膜を作製すると熱的なダメージによる表面
性の劣化が激しい。 【０００８】また特開平７−２２５９３４号には、ポリ
エチレンテレフタレート上にポリエチレンナフタレート
を塗布し、熱によるオリゴマー析出を抑制する方法が開
示されている。しかし、ポリエチレンナフタレートを用
いても、スパッタ法で一般的な温度である２００℃まで
フィルムを加熱するとオリゴマー析出による表面性の劣
化を生じる。 【０００９】また特開平６−２０８７１７号には、より
耐熱性の高いポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を高分子
フィルム上に塗布する方法が開示されている。このよう
な材料を用いるとスパッタ法に耐えうる耐熱性をフィル
ムに付与することが可能ではある。しかしポリアミド樹
脂やポリイミド樹脂は汎用溶剤に対する溶解性が低く、
扱いにくい溶剤を使用する必要がある。また、樹脂が汎
用溶剤に可溶性であっても、溶液の粘度が高いため、薄
くて均一な被膜が得られず、表面性を高めることは困難
である。さらにこのような方法では、溶剤を十分に乾燥
することが難しく、塗膜中の溶剤残留量が多くなるた
め、フィルムの巻き取り時に塗膜とフィルムのバック面
が接着してしまうブロッキングを引き起こしやすく、ま
た磁性膜を形成する際に揮発する残留溶剤が真空槽内を
汚染する可能性もある。 【００１０】さらに耐熱性の高い被膜としては無機物の
被膜を形成することが有効であり、例えば、シラン化合
物の加水分解で得られるシリカ膜や金属アルコキシドか
ら得られる金属酸化物の被膜を形成することが考えられ
る。しかしながらそのような無機物の被膜では非磁性支
持体の熱変化についていけず、その被膜表面に割れが生
じてその上に成膜される磁性膜にクラックが発生すると
いう問題がある。 【００１１】これらの問題をある程度解決したものとし
て、本出願人による特開平８−３２９４４３に記載され
ている、主にＳｉ−Ｏ若しくはＳｉ−Ｏ−Ｎからなる下
塗層を有する磁気記録媒体がある。この磁気記録媒体
は、平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパ
ッタ法で磁性膜を作製した場合でも、表面性の劣化やク
ラックの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れが
少ない下塗膜を有するものである。しかしながら、この
下塗膜の作製において、原料を塗布する際にはじきが発
生することがあり、下塗膜を均一なものとすることが困
難であった。また、この下塗膜は、重ね塗りをすること
が出来ず、膜の厚さを増加させることが不可能であっ
た。そこで、上記課題に対処するため本出願人は芳香族
炭化水素基を有する有機基を含んだシランカップリング
剤の重合物を主成分とする耐熱性の下塗膜を提案した。 【００１２】しかしながら、下塗膜の形成速度が不均一
となるためか、下塗膜の表面にゴマ状等の突起が形成す
る欠陥が見られることが分かった。そして、この欠陥は
磁性膜の表面欠陥の原因ともなっていた。 【００１３】 【発明が解決しようとする課題】本発明は下塗膜表面の
欠陥が少なく、かつ磁性膜表面欠陥の少ない磁気記録媒
体を提供することを課題とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は支持体の少なく
とも一方の面に下塗膜、その上に強磁性金属薄膜から成
る磁性膜を有する磁気記録媒体において、該下塗膜は下
記一般式（１）で表される化合物とそのオリゴマー（シ
ロキサン結合数が２以上、かつ粘度が４〜１００ｍＰａ
・ｓｅｃである）を含む混合物の反応物からなることを
特徴とする磁気記録媒体である。 一般式（１） Ｒ_a−Ｓｉ−Ｘ_b （式中、ａ＋ｂ＝４、ａ＝０〜３（ただし、ｂが２以上
であるものを少なくとも含む）であり、Ｒは官能基を有
してもよい炭素数１〜４０の有機基を示し、Ｘは加水分
解性基を示す。） 【００１５】本発明の好ましい態様は以下の通りであ
る。 （１）前記一般式（１）で表される化合物が、芳香族炭
化水素基を有するシランカップリング剤及び／又はエポ
キシ基を有するシランカップリング剤を含むこと。 （２）前記強磁性金属薄膜が、スパッタ法により成膜さ
れたものであること。 （３）前記磁気記録媒体がディスク状であること。 （４）支持体に、前記一般式（１）で表される化合物と
そのオリゴマー（シロキサン結合数が２以上、かつ粘度
が４〜１００ｍＰａ・ｓｅｃである）を含む塗布液を塗
布した後、加熱することにより下塗膜を形成して前記磁
気記録媒体を得ること。 （５）前記塗布液に硬化剤を添加すること。 （６）前記塗布液に金属キレート化合物から成る硬化剤
を添加すること。 【００１６】 【発明の実施の形態】本発明により、支持体上に下塗膜
として形成される、一般式（１）で表される化合物（以
下、化合物（１）ともいう）及び化合物（１）のオリゴ
マーの重合物からなる重合膜は、下塗膜表面の欠陥を低
減し、ひいては磁性膜表面の欠陥を低減することができ
るので安定した良好な電磁変換特性を得ることができ
る。また、下塗膜はシロキサン結合からなるが、少なく
とも有機基を含むため、従来のポリエステル樹脂などと
比較して、耐熱性、耐ブロッキング性に優れている。ま
たこの重合膜は、テトラエトキシシランなどを出発原料
としたゾルゲル法によって作製されるシリカ膜と比較し
て耐クラック性に優れている。 【００１７】また、下塗膜の有機基は塗膜に柔軟性を付
与し、耐クラック性を向上させるとともに適切な表面エ
ネルギーを達成できるため、下塗液の塗布乾燥時のはじ
き現象を軽減でき、この効果は支持体上に付着物などの
欠陥が存在する場合に特に顕著に現れる。さらに本発明
の下塗膜上にさらに塗布を行う場合でも、その塗布液を
はじくことなく塗布することができ、重ね塗りによって
膜の厚みを増加させることができる。 【００１８】さらに本発明ではシリコーン樹脂のモノマ
ー及びオリゴマー溶液を塗布液として使用して下塗膜を
形成することができるため、塗布液粘度が低く、作製し
た下塗膜の平滑性に特に優れており、ナノメータ、サブ
ナノメーターの尺度で平滑である。したがって将来の高
記録密度用磁気記録媒体の基板として非常に適してい
る。 【００１９】さらに、媒体を重ねて置いても下塗り成分
の移行によるブロッキング（貼り付き）がないという特
徴もある。 【００２０】化合物（１）について説明する。式中、ａ
＋ｂ＝４、ａ＝０〜３（ただし、ｂが２以上であるもの
を少なくとも含む）であり、好ましくはａ＝１である。
Ｒは官能基を有してもよい炭素数１〜４０の有機基を示
し、Ｘは加水分解性基を示す。 【００２１】有機基としては、脂肪族基及び芳香族基が
挙げられる。脂肪族基としては、アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アラルキル基などが挙げられ、ア
ルキル基が好ましく、炭素数１〜４０のものが好まし
く、炭素数１〜３５のものが更に好ましい。アルキル基
は、環状、直鎖、分岐あるいはそれらの組み合わせでも
よい。芳香族基としては、フェニル基が好ましい。有機
基のなかでは特に、メチル基またはフェニル基が好まし
い。 【００２２】有機基の水素原子は、官能基で置換されて
いてもよい。官能基とは、重合性基、または少なくとも
支持体と静電的相互作用や水素結合等の相互作用が可能
なものを意味する。ただし、本発明では、化合物（１）
としては該官能基を少なくとも含むものを使用すること
が好ましい。官能基は、重合性であるものでもよいし、
重合の結果形成された新たな基が官能基となり得るもの
であってもよい。また、官能基は、重合開始剤などの硬
化剤（触媒）が存在する場合にのみ重合性であってもよ
い。 【００２３】官能基としては、例えば、炭素−炭素二重
結合、または窒素原子、酸素原子、イオウ原子、リン原
子等から構成される基が挙げられる。 【００２４】好ましい官能基としては、メルカプト基、
アミノ基、少なくともカルボニル基、ＣＯＮＨ結合基、
ビニル基、エポキシ基等を含むものが好ましく、例え
ば、Ｒ¹Ｒ²＝ＣＲ¹−、Ｒ¹Ｒ²＝ＣＲ¹−ＣＯ−、Ｒ¹Ｒ²
Ｎ−、Ｒ¹Ｓ−、Ｒ¹ＣＯ−、Ｒ¹ＯＯＣ−、Ｒ¹ＣＯＮ
（Ｒ²）−、Ｒ¹Ｒ²Ｎ−ＣＯ−、Ｒ¹Ｒ²Ｎ−ＣＯＯ−、
Ｒ¹ＯＣＯＮ（Ｒ²）−、 【００２５】 【化１】 【００２６】ＭＯ₃Ｓ−、ＭＯ₃ＳＯ−、（ＭＯ）₂ＯＰ
−、（ＭＯ）₂ＯＰＯ−等が挙げられる。Ｒ¹及びＲ
²は、同一でも異なってもよく、上記Ｒで定義した有機
基または水素原子を意味する。Ｒ¹及びＲ²として好まし
いものは、水素原子または上記Ｒで定義した有機基で好
ましいものとして挙げた基が挙げられる。Ｍは水素原
子、アルカリ金属またはアンモニウムを意味する。官能
基としては、中でもグリシドキシ基、（メタ）クリロキ
シ基（メタクリロキシ基及びアクリロキシ基を包含する
意味である。）が特に好ましい。 【００２７】ここで挙げた官能基は、上記Ｒで定義した
有機基の水素原子１個以上に置換され、複数の場合は、
官能基は互いに同じでも異なってもよい。 【００２８】次にＸについて説明する。Ｘは加水分解性
基を示す。加水分解性基は、−ＯＨ基または水との反応
で−ＯＨ基に変換し得る基を意味し、例えば、ハロゲン
原子、水酸基、アルコキシ基等が挙げられ、中でもアル
コキシ基が好ましく、特にメトキシ基またはエトキシ基
が好ましい。 【００２９】次に一般式（１）で表される化合物（化合
物（１）ともいう）のオリゴマーについて説明する。こ
のオリゴマーは、シロキサン結合数が２以上、かつ粘度
が４〜１００ｍＰａ・ｓｅｃである。また、粘度は４〜
１００ｍＰａ・ｓｅｃが更に好ましく、５〜５０ｍＰａ
・ｓｅｃが特に好ましい。 【００３０】本発明で用いるオリゴマーは、一次元的
（線状または鎖状）に形成されたものでも、ニ次元的
（面状）に形成されたものでも、三次元的（立体状）に
形成されたものでもよい。言い換えれば、シロキサン結
合は、同一珪素原子に最大４個まで形成可能である。 【００３１】本発明において、オリゴマーは分子構造の
同じ物を用いても、分子構造が互いに異なる複数のもの
を用いることもできる。 【００３２】本発明で用いる下塗膜は化合物（１）とそ
のオリゴマーを含む混合物の反応物からなる。 【００３３】化合物（１）とオリゴマーとの配合割合
は、適宜選定されるが、化合物（１）１００質量部に対
して０．０１〜１００質量部用いることが好ましく、
０．０２〜８０質量部用いることが更に好ましい。 【００３４】本発明で使用される化合物（１）としては
芳香族炭化水素基を有するシランカップリング剤及び／
又はエポキシ基を有するシランカップリング剤を含むこ
とが好ましい。 【００３５】芳香族炭化水素基を有するシランカップリ
ング剤としては、例えば下記一般式（１ａ）で示される
化合物（１ａ）が挙げられる。 【００３６】 【化２】 【００３７】ただしＲ³、Ｒ⁴はメチル基等一価の有機
基、Ａはアルキレン基等の二価の有機基または無し（直
結）、Ｘは前記と同義であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４である。 【００３８】化合物（１ａ）においてＡは好ましくは無
し（直結）またはメチレン基である。Ｘは反応性や磁性
膜への腐食性を考慮すると好ましくはアルコキシ基であ
り、重合反応を容易とするため、特にメトキシ基など炭
素数４以下のアルコキシ基が好ましい。ｘは好ましくは
１または２であるが、重合反応を容易とするため、特に
１で有ることが好ましい。ｙは好ましくは０または１で
あるが、重合反応を容易とするため、特に好ましくは０
である。従ってｚは特に３で有ることが好ましい。 【００３９】このような化合物（１ａ）としては、 【００４０】 【化３】【００４１】等があげられる。 【００４２】本発明で使用されるエポキシ基を有するシ
ランカップリング剤は例えば下記一般式（１ｂ）で示さ
れる化合物（１ｂ）が挙げられる。 【００４３】 【化４】 【００４４】但しＡ¹はアルキレン基など２価の有機
基、Ｒ⁵は水素またはアルキル基などの１価の有機基、
Ｒ⁶はアルキル基などの１価の有機基、Ｘは前記加水分
解性基、Ｌ＋Ｍ＋Ｎ＝４である。 【００４５】化合物（１ｂ）においてＲ⁵は好ましくは
水素原子である。Ｒ⁶は好ましくは、メチル基、エチル
基など１価の有機基である。Ｘは反応性や磁性膜への腐
食性を考慮すると好ましくはアルコキシ基であり、重合
反応を容易とするため、特にメトキシ基など炭素数４以
下のアルコキシ基が好ましい。Ａ¹は好ましくはエーテ
ル結合を有する炭素数１〜５のアルキレン基、Ｍは好ま
しくは１または２であるが、重合反応を容易とするた
め、特に１で有ることが好ましい。Ｌは好ましくは０ま
たは１であるが、重合反応を容易とするため、特に好ま
しくは０である。従ってＮは特に３で有ることが好まし
い。 【００４６】このような化合物としては、 【００４７】 【化５】 【００４８】等が挙げられる。これらの化合物は、特開
昭５１−１１８７１号、特開昭６３−２３２２４号に記
載されている。 【００４９】上記化合物（１）及び本発明に用いるオリ
ゴマーは後述の方法によって支持体上に塗布乾燥するこ
とによって、それらの加水分解性基が加水分解、重合し
てシロキサン結合を生成する。一方、エポキシ基は酸触
媒や熱によって開環重合する。この加水分解速度と重合
速度は必要に応じて塩酸等の酸を添加することによって
調整できる。 【００５０】より低温から重合を開始させるため、硬化
剤の併用が好ましく、例えば金属キレート化合物、有機
酸およびその塩、過塩素酸塩等、様々な化合物が知られ
ているが、特に硬化剤（硬化触媒）としては硬化の低温
化、磁性膜への腐食性の理由から金属キレート化合物が
好ましい。例えば３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン等にアルミニウムアセチルアセトネートを硬化
触媒として加えた場合１００℃前後で短時間加熱するだ
けで硬化できるため、ポリエチレンテレフタレートなど
耐熱性の低い基板上でも硬化できる。従ってグラビア連
続塗布法を用いてブロッキングを生じること無く、巻き
取ることができる。このような硬化剤としては、アルミ
ニウムアネチルアセトネート、ジルコニウムアネチルア
セトネート、チタニウムアセチルアセトネート等のβ−
ジケトン類と金属のキレート化合物が特に有効である。 【００５１】また、耐熱性、低コスト化、重合速度調整
のため、例えばメチル基等の炭化水素基を含んだシラン
カップリング剤を混合して用いてもよい。炭化水素を含
んだシランカップリング剤を併用すると下塗膜の耐熱性
を向上させることもできる。具体的にはこの炭化水素基
を含んだシランカップリング剤は下記のような構造であ
る。 【００５２】Ｒ⁷−Ｓｉ（ＯＲ⁸）₃ 但し、Ｒ⁷、Ｒ⁸は炭化水素基、Ｒ⁷の炭素数は少ないほ
ど下塗膜の耐熱性の向上に効果的である。 【００５３】下塗膜は支持体に、化合物（１）とそのオ
リゴマーを含む塗布液を支持体に塗布することにより形
成することができる。 【００５４】好ましくは、支持体上に化合物（１）とそ
のオリゴマー、硬化剤、塩酸をメタノール等の有機溶剤
に溶解した溶液を塗布液としてワイヤーバー法、グラビ
ア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法
等の手法によって支持体上に塗布した後、乾燥する方法
を使用することができる。さらにこの後、必要に応じて
下塗膜を焼成して硬化を促進させ、耐熱性や耐溶剤性、
密着性などを向上させる。 【００５５】このとき使用される塗布溶剤は塩酸の添加
量やシランカップリング剤の構造によって決定される
が、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコー
ル、シクロヘキサノン等を用いることができる。 【００５６】また乾燥は上記溶剤を揮発させために行わ
れるものであるが、この時点で同時に硬化を行うことも
できる。乾燥方法としては一般的に行われている熱風乾
燥、赤外線乾燥などが使用できる。このときの乾燥温度
は６０℃〜１５０℃程度が好ましい。 【００５７】塗膜の乾燥の後、さらに硬化を促進させる
焼成方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加
熱などが使用できる。このときの加熱温度としては塗膜
の厚みと後の磁性膜の成膜方法及び成膜温度にもよる
が、１μｍ前後の場合には１００℃〜２５０℃、好まし
くは１２０℃〜２００℃の範囲である。温度がこれより
も低い場合には重合反応の進行が不十分であり、逆に高
すぎると支持体の変形を引き起こしたり、生産性の低下
につながる。 【００５８】また加熱による重合以外にも紫外線照射、
電子線照射などによる重合も可能である。 【００５９】また本発明の下塗膜には上記以外の成分が
含有されていても良い。このような添加剤としては表面
に微小な凹凸を設けるための耐熱性微粒子（フィラ
ー）、耐熱性ならびに塗膜の硬度を調整するための金属
アルコキシド、支持体との密着を改善するためのカップ
リング剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤などが挙げら
れる。 【００６０】表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒子と
してはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアなどの
無機酸化物、炭酸カルシウム、炭素、高分子などが挙げ
られる。この形状としては単分散で球状であることが好
ましい。その粒子径は下塗膜の膜厚に応じて選ばれるが
５〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍであ
る。下塗膜用塗布液は主としてアルコール、シクロヘキ
サノン、ＭＥＫ、トルエンなどの溶液であるため、耐熱
性微粒子としては該溶媒の１種または２種以上に分散し
たオルガノシリカゾルや酸性水溶液に分散したシリカゾ
ルなどが特に好適である。 【００６１】耐熱性ならびに塗膜の硬度を調整するため
の金属アルコキシドとしてはテトラエトキシシラン、テ
トラプロポキシジルコニウムなどが挙げられ、これらの
添加によって耐熱性と硬度を向上させることができる。 【００６２】本発明で使用する支持体としては、フレキ
シブル媒体の場合には、厚さ３〜１００μｍのポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ
イミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のフイルム等
が使用できる。また、フィルムの内部にフィラーを含有
し、フィルム表面に凹凸を形成したものでも良い。一
方、リジット媒体の場合にはガラス基板、アルミ基板や
カーボン基板が使用できる。 【００６３】また本発明の下塗膜は支持体との密着性に
優れるが、密着性が不足の場合にはシランカップリング
剤などの添加剤による支持体の表面処理や酸素プラズ
マ、アルゴンプラズマ、紫外線照射、電子線照射、火炎
などによる処理を施すことが好ましい。 【００６４】本発明の磁気記録媒体における磁性膜とな
る強磁性金属薄膜は従来より公知の真空蒸着法、スパッ
タ法により形成できる。 【００６５】磁性膜をスパッタ法で形成する場合、組成
としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属また
は合金が挙げられ、具体的にはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｂ等が使用できる。特に電磁変換特性を改善
するためにＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔが好ま
しい。磁性膜の厚みは１０〜３００ｎｍとするのが望ま
しい。またこの場合、磁性膜の静磁気特性を改善するた
めの下地膜を設けることが好ましく、この下地膜の組成
としては従来より公知の金属または合金などが挙げら
れ、具体的にはＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ等また
はこれらの合金が使用でき、中でもＣｒ、Ｃｒ−Ｔｉ、
Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｓｉが特に好ましい。この下地膜の厚
みとしては５ｎｍ〜５００ｎｍであり、好ましくは１０
ｎｍ〜２００ｎｍである。 【００６６】またスパッタ法で磁性膜を作製する場合に
は、基板またはフイルムを加熱した状態で成膜する事が
好ましく、そのときの温度は１５０〜２００℃前後であ
る。 【００６７】磁性膜を真空蒸着法で作製する場合、組成
としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属また
は合金が挙げられ、具体的にはＣｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ
−Ｆｅなどを酸素雰囲気中で蒸着し、膜中に酸素を含ん
だものが使用できる。特に電磁変換特性を改善するため
磁性層を構成する金属原子の９０％以上、さらに好まし
くは９５％以上はコバルトであるＣｏ−Ｏ、またはＣｏ
−Ｏを含有するＣｏ−Ｆｅ等が好ましい。磁性層の厚み
は、１００〜３００ｎｍとするのが望ましく、さらに望
ましくは１２０〜２００ｎｍである。 【００６８】また、強磁性金属薄膜は電磁変換特性を改
善するため重層構成としたり、非磁性下地層や中間層を
有していても良い。 【００６９】本発明の磁気記録媒体においては強磁性金
属薄膜上に保護膜が設けられていてもよく、この保護膜
によってさらに走行耐久性、耐食性を改善することがで
きる。 【００７０】保護膜としてはシリカ、アルミナ、チタニ
ア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸
化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化
物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、
グラファイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護
膜が挙げられる。 【００７１】前記炭素保護膜は、プラズマＣＶＤ法、ス
パッタリング法等で作製したアモルファス、グラファイ
ト、ダイヤモンド構造、もしくはこれらの混合物からな
るカーボン膜であり、特に好ましくは一般にダイヤモン
ドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜である。こ
の硬質炭素膜はビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ ²
（９．８ＧＰａ）以上、好ましくは２０００ｋｇ／ｍｍ
²（１９．６ＧＰａ）以上の硬質の炭素膜である。ま
た、その結晶構造はアモルファス構造であり、かつ非導
電性である。そして、ダイヤモンド状炭素膜の構造をラ
マン光分光分析によって測定した場合には、１５２０〜
１５６０ｃｍ^-1にピークが検出されることによって確認
することができる。炭素膜の構造がダイヤモンド状構造
からずれてくるとラマン光分光分析により検出されるピ
ークが上記範囲からずれるとともに、炭素膜の硬度も低
下する。 【００７２】この硬質炭素保護膜はメタン、エタン、プ
ロパン、ブタン等のアルカン、あるいはエチレン、プロ
ピレン等のアルケン、またはアセチレン等のアルキンを
はじめとした炭素含有化合物を原料としたプラズマＣＶ
Ｄや、水素や炭化水素雰囲気下で炭素をターゲットとし
たスパッタ法等によって形成することができる。 【００７３】硬質炭素保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特
性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生じ、膜厚が
薄いと耐磨耗性が不足するために、膜厚２．５〜２０ｎ
ｍが好ましく、とくに好ましくは５〜１０ｎｍである。 【００７４】また、この硬質炭素保護膜上に付与する潤
滑剤との密着をさらに向上させる目的で硬質炭素保護膜
表面を酸化性もしくは不活性気体によって表面処理して
も良い。 【００７５】本発明の磁気記録媒体において、走行耐久
性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保
護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。 【００７６】潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、
フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。 【００７７】炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、
オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等の
エステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸
類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ス
テアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコー
ル類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ス
テアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。 【００７８】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエ
チレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレン
オキシド重合体（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフルオロ
イソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃）ＣＦ
₂Ｏ）_nまたはこれらの共重合体等である。 【００７９】極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等
のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン
酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ
亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベ
ンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。 【００８０】上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して
使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上
に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワ
イヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップ
コート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させ
ればよい。 【００８１】潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ
²が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。 【００８２】本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾ
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メル
カプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合
物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環
類およびこの誘導体等が挙げられる。 【００８３】 【実施例】以下、本発明の具体的実施例を説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。 【００８４】厚み２０μｍのアラミドフィルムにフェニ
ルトリエトキシシラン（信越化学工業社製ＫＢＥ−１０
３）と、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
（信越化学工業社製ＫＢＭ−４０３）を質量比で１：
１、更に本発明に用いるオリゴマーとして信越化学工業
社製ＫＲ−２１７（粘度：８ｍＰａ・ｓｅｃ）を６０質
量％（対フェニルトリエトキシシランとγ―グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランの合計質量比）、及び塩
酸をエタノールに溶解した後、硬化剤としてアルミニウ
ムアセチルアセトネートを添加して塗布液を作製した。
この溶液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で
乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作製した。次に１０μｍ
厚の接着シートを用いて下塗膜面を外側にしてフィルム
を貼り合わせ、全厚を５０μｍのフィルムとした後、１
７０℃で２時間加熱し、下塗膜及び接着剤の硬化と脱溶
剤処理を行った。このフィルムをスパッタ装置に設置
し、基板温度１５０℃でＤＣマグネトロンスパッタ法を
用いてＣｒ−Ｔｉ下地膜を６０ｎｍ成膜し、さらにＣｏ
ーＰｔ−Ｃｒ磁性膜を３０ｎｍ成膜した。次に磁性膜上
にＤＣマグネトロンスパッタ法で炭素保護膜を２０ｎｍ
成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポリエーテ
ル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮＺ−ＤＯ
Ｌ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＨＦＥー７２００）
に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布して厚み２ｎ
ｍの潤滑膜を作製した。これら下塗膜、下地膜、磁性
膜、保護膜、潤滑膜はフィルムの両面に対して成膜し
た。そしてこの試料を３．７インチの磁気ディスク形状
に打ち抜き、フレキシブルディスクを作製した。 【００８５】実施例２ 実施例１において信越化学工業社製ＫＲ−２１７を９０
質量％（対フェニルトリエトキシシランとγ―グリシド
キシプロピルトリメトキシシランの合計質量比）添加し
た以外は、実施例１と同様に試料を作製した。 【００８６】実施例３ 実施例１において本発明に用いるオリゴマーを信越化学
工業社製ＫＲ−２１３（粘度：１８ｍＰａ・ｓｅｃ）と
し、添加量を９０質量％（対フェニルトリエトキシシラ
ンとγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシランの合
計質量比）とした以外は、実施例１と同様に試料を作製
した。 【００８７】実施例４ 実施例１において本発明に用いるオリゴマーを信越化学
工業社製ＫＲ−５１０（粘度：１００ｍＰａ・ｓｅｃ）
とし、添加量を０．１質量％（対フェニルトリエトキシ
シランとγ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
の合計質量比）とした以外は、実施例１と同様に試料を
作製した。 【００８８】比較例１ 実施例１において信越化学工業社製ＫＲ−２１７を添加
せずに下塗膜を形成した以外は実施例１と同様に試料を
作製した。 【００８９】作製した試料は以下の観点から評価を行っ
た。 【００９０】塗布後の下塗膜表面及び完成した媒体表面
について光学顕微鏡観察（５０倍、１０視野）を行い、
欠陥（面内方向で直径０．１ｍｍ程度の円状で中心部が
突起している）の個数をカウントし、１０個以下を○、
３０個以下を△、５１個以上を×、１０１個以上を××
として評価した。上記評価結果を表１に示す。 【００９１】 【表１】 【００９２】 【発明の効果】本発明により、支持体上に下塗膜として
形成される重合膜は、例えば、芳香族炭化水素基を有す
るシランカップリング剤やエポキシ基を有するシランカ
ップリング剤を含む化合物（１）及び化合物（１）のオ
リゴマーの重合物からなり、シロキサン結合、およびエ
ポキシ基の開環による結合を有しているため、従来のポ
リエステル樹脂などと比較して、耐熱性、耐ブロッキン
グ性に優れている。またこの重合膜は、テトラエトキシ
シランなどを出発原料としたゾルゲル法によって作製さ
れるシリカ膜と比較して耐クラック性に優れている。更
に、本発明は下塗膜形成にオリゴマーを用いているため
に下塗膜表面の欠陥を低減し、ひいては磁性膜表面の欠
陥を低減することができるので安定した良好な電磁変換
特性を得ることができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 支持体の少なくとも一方の面に下塗膜、
   その上に強磁性金属薄膜から成る磁性膜を有する磁気記
   録媒体において、該下塗膜は下記一般式（１）で表され
   る化合物とそのオリゴマー（シロキサン結合数が２以
   上、かつ粘度が４〜１００ｍＰａ・ｓｅｃである）を含
   む混合物の反応物からなることを特徴とする磁気記録媒
   体。 一般式（１） Ｒ_a−Ｓｉ−Ｘ_b （式中、ａ＋ｂ＝４、ａ＝０〜３（ただし、ｂが２以上
   であるものを少なくとも含む）であり、Ｒは官能基を有
   してもよい炭素数１〜４０の有機基を示し、Ｘは加水分
   解性基を示す。）