JP2001344735A - フロッピー(登録商標)ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
フロッピー(登録商標)ディスクおよびその製造方法Info
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
- G11B5/825—Disk carriers flexible discs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73937—Substrates having an organic polymer comprising a ring structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 形状安定性に優れたフロッピーディスクを提
供する。 【解決手段】 可撓性性支持体の一方の面に少なくとも
強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成したフロッピーデ
ィスクにおいて、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポ
リアミドフィルム等の可撓性支持体をホットメルト接着
シートで貼り合わせた構造であるフロッピーディスク。
供する。 【解決手段】 可撓性性支持体の一方の面に少なくとも
強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成したフロッピーデ
ィスクにおいて、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポ
リアミドフィルム等の可撓性支持体をホットメルト接着
シートで貼り合わせた構造であるフロッピーディスク。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高記録密度のフロッ
ピーディスクの製造方法に関し、寸法安定性および耐熱
性が高く、そりが少なく、平滑な表面性を有する支持
体、この支持体を用いたフロッピーディスク媒体、およ
びこれらの製造法に関するものである。
ピーディスクの製造方法に関し、寸法安定性および耐熱
性が高く、そりが少なく、平滑な表面性を有する支持
体、この支持体を用いたフロッピーディスク媒体、およ
びこれらの製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】磁気テープ、ハードディスク等の磁気記
録媒体においては、スパッタリング法や蒸着法等の真空
成膜法によって作製した強磁性金属薄膜を記録層とする
蒸着テープや薄膜型ハードディスク等の磁気記録媒体が
実用化されている。このような磁気記録媒体では、高い
磁気エネルギーが容易に得られ、さらに非磁性基板の表
面を平滑にすることによって平滑な表面性を容易に達成
できるためスペーシング損失が少なく、高い電磁変換特
性を有する特徴があるため高密度記録材料に適してい
る。特にスパッタリング法により得られた磁性層は蒸着
法より得られたものに比べて磁気エネルギーを高めるこ
とができるため、ハードディスクの様な高い記録密度が
要求される磁気記録媒体に採用されている。
録媒体においては、スパッタリング法や蒸着法等の真空
成膜法によって作製した強磁性金属薄膜を記録層とする
蒸着テープや薄膜型ハードディスク等の磁気記録媒体が
実用化されている。このような磁気記録媒体では、高い
磁気エネルギーが容易に得られ、さらに非磁性基板の表
面を平滑にすることによって平滑な表面性を容易に達成
できるためスペーシング損失が少なく、高い電磁変換特
性を有する特徴があるため高密度記録材料に適してい
る。特にスパッタリング法により得られた磁性層は蒸着
法より得られたものに比べて磁気エネルギーを高めるこ
とができるため、ハードディスクの様な高い記録密度が
要求される磁気記録媒体に採用されている。
【0003】一方フロッピーディスク型の磁気記録媒体
はハードディスクと比較して、対衝撃性に優れ、低コス
トであるために非常に広く使用されている。さらに本出
願人は、基体上に形成した下層磁性層、もしくは下層非
磁性層上に薄膜の磁性層を磁性塗料の塗布によって形成
した塗布型の磁気記録媒体によって、3.5型のフロッ
ピーディスク1枚当たり200MBを超える大容量の媒
体を提供している。しかしながら、その記録密度は未だ
ハードディスクの1/10以下である。これはハードデ
ィスクのように磁性膜をスパッタリング法で作製しよう
とする試みが多数報告されているものの、未だ実用化に
は至っていないことが大きな要因である。
はハードディスクと比較して、対衝撃性に優れ、低コス
トであるために非常に広く使用されている。さらに本出
願人は、基体上に形成した下層磁性層、もしくは下層非
磁性層上に薄膜の磁性層を磁性塗料の塗布によって形成
した塗布型の磁気記録媒体によって、3.5型のフロッ
ピーディスク1枚当たり200MBを超える大容量の媒
体を提供している。しかしながら、その記録密度は未だ
ハードディスクの1/10以下である。これはハードデ
ィスクのように磁性膜をスパッタリング法で作製しよう
とする試みが多数報告されているものの、未だ実用化に
は至っていないことが大きな要因である。
【0004】これには様々な理由があるが、その理由の
一つにこの様なフロッピーディスクに適した支持体の開
発が困難であることが挙げられる。スパッタリング法で
磁性膜を作製するフロッピーディスクの支持体には以下
の様な4つの特性が要求される。 (1)平滑な表面性 スパッタリング法で磁気記録媒体を作製する場合には支
持体の表面性がほぼそのまま媒体の表面性に反映される
ため、高い記録密度の磁気記録媒体を作製するには非常
に平滑な表面性を有する支持体が必要となる、具体的に
は最大表面粗さRmaxで60nm以下の支持体が必要で
ある。 (2)高い耐熱性 高密度記録用の磁性膜には高出力、低ノイズといった電
磁変換特性が必要であり、このために磁性膜をスパッタ
リング法で作製する際、支持体を加熱しながら成膜しな
ければならない。したがって支持体には非常に高い耐熱
性が要求され、加熱において也変形や化学変化を生じる
ことなく安定でなければならない。具体的には支持体と
して200℃以上の耐熱性が必要である。
一つにこの様なフロッピーディスクに適した支持体の開
発が困難であることが挙げられる。スパッタリング法で
磁性膜を作製するフロッピーディスクの支持体には以下
の様な4つの特性が要求される。 (1)平滑な表面性 スパッタリング法で磁気記録媒体を作製する場合には支
持体の表面性がほぼそのまま媒体の表面性に反映される
ため、高い記録密度の磁気記録媒体を作製するには非常
に平滑な表面性を有する支持体が必要となる、具体的に
は最大表面粗さRmaxで60nm以下の支持体が必要で
ある。 (2)高い耐熱性 高密度記録用の磁性膜には高出力、低ノイズといった電
磁変換特性が必要であり、このために磁性膜をスパッタ
リング法で作製する際、支持体を加熱しながら成膜しな
ければならない。したがって支持体には非常に高い耐熱
性が要求され、加熱において也変形や化学変化を生じる
ことなく安定でなければならない。具体的には支持体と
して200℃以上の耐熱性が必要である。
【0005】(3)少ないそり 高密度フロッピーディスクでは転送速度を高めるため、
ハードディスク同様に高速回転しながら磁気ヘッドと接
触または接触に近い非常に低いフライングハイトで摺動
する。フロッピーディスクが面ぶれを起こすとヘッドと
強く接触し、摺動が不安定となるため走行耐久性、信頼
性の劣化につながる。このためフロッピーディスクの面
ぶれは50μm以下に押さえる必要がある。このような
面ぶれはフロッピーディスクが静的に持っているそりの
影響を強く受ける。このそりは支持体がもともと持って
いる場合と媒体の製造工程で表裏の応力差が生じて発生
する場合がある。製造工程で発生するそりは工程条件に
よって調整可能であるが、支持体がもともと持っている
そりは支持体の厚みが磁性膜の厚みよりも遙かに大きい
ため、工程条件による調整は非常に困難である。しかも
支持体として耐熱性の大きな芳香族ポリイミドや芳香族
ポリアミドフィルムを用いる場合には、素材の耐熱性が
高いため、加熱による形状修正が不可能である。このた
め支持体は静的にほとんどそりが無いことが必要とな
る。具体的には3.5型のディスク形状に打ち抜いた状
態で1mm以下に押さえる必要がある。 (4)寸法安定性 最近のフロッピーディスクはノート型パソコンの普及に
よってノート型パソコン内部で使用されることが考えら
れるが、ノート型パソコン内部は温度が高く、またノー
ト型パソコンは外出先に携帯されことも多いため、広い
温度範囲で使用される。この様な状況においてフロッピ
ーディスクは温度に対する寸法安定性に優れ、安定にト
ラッキング可能とする必要がある。このためには支持体
は熱的寸法安定性に優れなければならない。以上の4つ
の必要特性を満たす支持体の開発は非常に困難であり、
市販されていない。
ハードディスク同様に高速回転しながら磁気ヘッドと接
触または接触に近い非常に低いフライングハイトで摺動
する。フロッピーディスクが面ぶれを起こすとヘッドと
強く接触し、摺動が不安定となるため走行耐久性、信頼
性の劣化につながる。このためフロッピーディスクの面
ぶれは50μm以下に押さえる必要がある。このような
面ぶれはフロッピーディスクが静的に持っているそりの
影響を強く受ける。このそりは支持体がもともと持って
いる場合と媒体の製造工程で表裏の応力差が生じて発生
する場合がある。製造工程で発生するそりは工程条件に
よって調整可能であるが、支持体がもともと持っている
そりは支持体の厚みが磁性膜の厚みよりも遙かに大きい
ため、工程条件による調整は非常に困難である。しかも
支持体として耐熱性の大きな芳香族ポリイミドや芳香族
ポリアミドフィルムを用いる場合には、素材の耐熱性が
高いため、加熱による形状修正が不可能である。このた
め支持体は静的にほとんどそりが無いことが必要とな
る。具体的には3.5型のディスク形状に打ち抜いた状
態で1mm以下に押さえる必要がある。 (4)寸法安定性 最近のフロッピーディスクはノート型パソコンの普及に
よってノート型パソコン内部で使用されることが考えら
れるが、ノート型パソコン内部は温度が高く、またノー
ト型パソコンは外出先に携帯されことも多いため、広い
温度範囲で使用される。この様な状況においてフロッピ
ーディスクは温度に対する寸法安定性に優れ、安定にト
ラッキング可能とする必要がある。このためには支持体
は熱的寸法安定性に優れなければならない。以上の4つ
の必要特性を満たす支持体の開発は非常に困難であり、
市販されていない。
【0006】例えば磁気テープ、フロッピーディスクの
支持体として広く使用されているポリエチレンテレフタ
レートやポリエチレンナフタレートは、そのガラス転移
温度がスパッタリング法で磁性層を成膜する際の加熱温
度よりも遙かに低いため、磁性層を成膜する際に変形を
生じ、さらに磁性層にクラックが発生する場合が多い。
またこの様な温度まで加熱するとオリゴマーの表面析出
による表面性の劣化や加水分解による機械的な特性の劣
化が著しい。
支持体として広く使用されているポリエチレンテレフタ
レートやポリエチレンナフタレートは、そのガラス転移
温度がスパッタリング法で磁性層を成膜する際の加熱温
度よりも遙かに低いため、磁性層を成膜する際に変形を
生じ、さらに磁性層にクラックが発生する場合が多い。
またこの様な温度まで加熱するとオリゴマーの表面析出
による表面性の劣化や加水分解による機械的な特性の劣
化が著しい。
【0007】また、芳香族ポリイミドや芳香族ポリアミ
ドといった耐熱性樹脂フィルムは十分な耐熱性を有する
ものの、その製造における問題により、平滑な表面性と
少ないそりを実現することが困難である。またポリアミ
ドフィルムは、その厚みが50μm以上のフィルムの作
製することが困難である。また芳香族ポリイミドや芳香
族ポリアミドフィルムはその価格が高価であるため、作
製するフロッピーディスクの製造原価において大きな割
合を占める。
ドといった耐熱性樹脂フィルムは十分な耐熱性を有する
ものの、その製造における問題により、平滑な表面性と
少ないそりを実現することが困難である。またポリアミ
ドフィルムは、その厚みが50μm以上のフィルムの作
製することが困難である。また芳香族ポリイミドや芳香
族ポリアミドフィルムはその価格が高価であるため、作
製するフロッピーディスクの製造原価において大きな割
合を占める。
【0008】さらにどの様な材料の支持体を使用したと
しても、ある程度以上表面を平滑にすると、支持体の搬
送や巻き取りといった取り扱いが非常に困難となる。こ
の問題を解決するためには支持体の端面近傍に積極的に
凹凸を作製し、搬送部材や支持体裏面への貼り付きを防
止する必要があるが、この方法を用いても支持体の幅を
ある程度広くすると、その効果が少なくなり、取り扱い
特性が悪化する。
しても、ある程度以上表面を平滑にすると、支持体の搬
送や巻き取りといった取り扱いが非常に困難となる。こ
の問題を解決するためには支持体の端面近傍に積極的に
凹凸を作製し、搬送部材や支持体裏面への貼り付きを防
止する必要があるが、この方法を用いても支持体の幅を
ある程度広くすると、その効果が少なくなり、取り扱い
特性が悪化する。
【0009】このため上記必要特性を満足する支持体を
作製するためには、既存のフィルムを加工して、支持体
としての特性を向上させる必要がある。この様な方法と
して芳香族ポリイミドや芳香族ポリアミドといった耐熱
性フィルムを積層して貼り合わせて積層体からなる支持
体を作製する方法が考えられる。この方法を用いること
によってフィルムがそりを持っている場合でも、そりを
打ち消し合う方向に貼り合わせることによって、そのそ
りを大幅に低減することが可能である。また必ずしも両
面が平滑である必要が無く、一方の表面を可能な限り平
滑にし、他方の面を粗くして取り扱いを容易とし、粗い
面同土を接着することによって両面が平滑な支持体を作
製することが可能である。
作製するためには、既存のフィルムを加工して、支持体
としての特性を向上させる必要がある。この様な方法と
して芳香族ポリイミドや芳香族ポリアミドといった耐熱
性フィルムを積層して貼り合わせて積層体からなる支持
体を作製する方法が考えられる。この方法を用いること
によってフィルムがそりを持っている場合でも、そりを
打ち消し合う方向に貼り合わせることによって、そのそ
りを大幅に低減することが可能である。また必ずしも両
面が平滑である必要が無く、一方の表面を可能な限り平
滑にし、他方の面を粗くして取り扱いを容易とし、粗い
面同土を接着することによって両面が平滑な支持体を作
製することが可能である。
【0010】しかしながら、汎用のエポキシ系やポリエ
ステル系の接着剤を用いて貼り合わせを行う方法では、
磁性膜成膜時の加熱によって接着力が著しく低下した
り、熱分解による揮発ガス成分が発生するという問題が
あった。また溶剤に溶解して塗布する場合には、接着剤
層の残留溶剤によって気泡を発生する問題があつた。ま
た十分な耐熱性を有する熱硬化性ポリイミドを接着剤と
して使用して積層を行う方法では熱硬化性ポリイミドが
特定の高沸点溶媒にしか溶解せず、この溶剤を完全に除
去することが困難であるため、接着のための熱硬化工程
で接着面に気泡が発生するという問題があった。また装
置が大がかりになるという問題があった。
ステル系の接着剤を用いて貼り合わせを行う方法では、
磁性膜成膜時の加熱によって接着力が著しく低下した
り、熱分解による揮発ガス成分が発生するという問題が
あった。また溶剤に溶解して塗布する場合には、接着剤
層の残留溶剤によって気泡を発生する問題があつた。ま
た十分な耐熱性を有する熱硬化性ポリイミドを接着剤と
して使用して積層を行う方法では熱硬化性ポリイミドが
特定の高沸点溶媒にしか溶解せず、この溶剤を完全に除
去することが困難であるため、接着のための熱硬化工程
で接着面に気泡が発生するという問題があった。また装
置が大がかりになるという問題があった。
【0011】さらに他の耐熱性の高い熱硬化型、あるい
は熱可塑性樹脂を溶剤に溶解して塗布し、接着剤として
用いる場合には、接着剤の粘度が高く、接着剤の精密な
濾過による異物の除去が不可能であるため、接着面に異
物が混入しやすいという問題があった。そこで特開平8
−249641公報のように磁性膜を形成したフィルム
を接着剤を介して基材フィルムに接着する方法も提案さ
れているが、この方法では接着層を形成するための塗布
工程が必要である、接着面に異物が混入しやすい、基材
フィルムのそりがフロッピーディスクに影響してそりの
少ないフロッピーディスクを作成できない等の問題があ
った。
は熱可塑性樹脂を溶剤に溶解して塗布し、接着剤として
用いる場合には、接着剤の粘度が高く、接着剤の精密な
濾過による異物の除去が不可能であるため、接着面に異
物が混入しやすいという問題があった。そこで特開平8
−249641公報のように磁性膜を形成したフィルム
を接着剤を介して基材フィルムに接着する方法も提案さ
れているが、この方法では接着層を形成するための塗布
工程が必要である、接着面に異物が混入しやすい、基材
フィルムのそりがフロッピーディスクに影響してそりの
少ないフロッピーディスクを作成できない等の問題があ
った。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、平滑な表面
性、高い耐熱性、少ないそり、高い寸法安定性を有する
フロッピーディスクに関し、さらにこのフロッピーディ
スクを簡便な製造装置を用いて製造しようとするもので
ある。
性、高い耐熱性、少ないそり、高い寸法安定性を有する
フロッピーディスクに関し、さらにこのフロッピーディ
スクを簡便な製造装置を用いて製造しようとするもので
ある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は可撓性支
持体の一方の面に少なくとも強磁性金属薄膜からなる磁
性層を形成したフロッピーディスクにおいて、該可撓性
性支持体が2枚の耐熱性樹脂フィルムをホットメルト接
着シートで貼り合わせた構造であるフロッピーディスク
によって達成できる。また、2枚の耐熱性樹脂フィルム
のうち、少なくとも1枚のフィルムの一方の表面にスパ
ッタリング法で強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成し
た後、該2枚の耐熱性フィルムを真空下で加熱し、耐熱
性樹脂フィルムに含まれる水分を除去した後、真空下に
おいて耐熱性樹脂フィルムをホットメルト接着シートで
貼り合わせるフロッピーディスクの製造方法である。ま
たは、2枚の耐熱性樹脂フィルムのうち、少なくとも1
枚のフィルムの一方の表面にスパッタリング法で強磁性
金属薄膜を形成した後、該2枚の耐熱性フィルムをホッ
トメルト接着シートで貼り合わせる前記のフロッピーデ
ィスクの製造方法によって達成できる。
持体の一方の面に少なくとも強磁性金属薄膜からなる磁
性層を形成したフロッピーディスクにおいて、該可撓性
性支持体が2枚の耐熱性樹脂フィルムをホットメルト接
着シートで貼り合わせた構造であるフロッピーディスク
によって達成できる。また、2枚の耐熱性樹脂フィルム
のうち、少なくとも1枚のフィルムの一方の表面にスパ
ッタリング法で強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成し
た後、該2枚の耐熱性フィルムを真空下で加熱し、耐熱
性樹脂フィルムに含まれる水分を除去した後、真空下に
おいて耐熱性樹脂フィルムをホットメルト接着シートで
貼り合わせるフロッピーディスクの製造方法である。ま
たは、2枚の耐熱性樹脂フィルムのうち、少なくとも1
枚のフィルムの一方の表面にスパッタリング法で強磁性
金属薄膜を形成した後、該2枚の耐熱性フィルムをホッ
トメルト接着シートで貼り合わせる前記のフロッピーデ
ィスクの製造方法によって達成できる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明で用いる耐熱性樹脂フィル
ムは、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフ
ィルム、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルス
ルホン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリフェ
ニレンスルフィド、フッ素樹脂等のような耐熱性樹脂フ
ィルムを意味し、これらの中でも耐熱性の観点から芳香
族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフィルムが好
ましい。これは後述のように磁性膜のスパッタリング時
に基板加熱やプラズマの熱によって基板表面が高温に達
するためであり、耐熱性が不足すると熱変形、熱分解ガ
ス放出、オリゴマー析出といった支障をきたすためであ
る。この耐熱性フィルムの支持体の表面となる面の表面
性は可能な限り平滑な表面であることが好ましい。
ムは、芳香族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフ
ィルム、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルス
ルホン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリフェ
ニレンスルフィド、フッ素樹脂等のような耐熱性樹脂フ
ィルムを意味し、これらの中でも耐熱性の観点から芳香
族ポリイミドフィルム、芳香族ポリアミドフィルムが好
ましい。これは後述のように磁性膜のスパッタリング時
に基板加熱やプラズマの熱によって基板表面が高温に達
するためであり、耐熱性が不足すると熱変形、熱分解ガ
ス放出、オリゴマー析出といった支障をきたすためであ
る。この耐熱性フィルムの支持体の表面となる面の表面
性は可能な限り平滑な表面であることが好ましい。
【0015】これは作製するフロッピーディスクの表面
性はその電磁変換特性に非常に強い影響を与えるためで
ある。具体的には後述の下塗り層を使用する場合で、光
学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さ
Raで10nm以内、好ましくは5nm以内、触針式粗
さ計で測定した突起高さが1μm以内、好ましくは0.
1μm以内である。下塗り膜を用いない場合には光学式
の表面粗さ計で測定した表面粗さが中心線平均粗さRa
で3nm以内、好ましくは1nm以内、触針式粗さ計で
測定した突起高さが0.1μm以内、好ましくは0.0
6μm以内である。
性はその電磁変換特性に非常に強い影響を与えるためで
ある。具体的には後述の下塗り層を使用する場合で、光
学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さ
Raで10nm以内、好ましくは5nm以内、触針式粗
さ計で測定した突起高さが1μm以内、好ましくは0.
1μm以内である。下塗り膜を用いない場合には光学式
の表面粗さ計で測定した表面粗さが中心線平均粗さRa
で3nm以内、好ましくは1nm以内、触針式粗さ計で
測定した突起高さが0.1μm以内、好ましくは0.0
6μm以内である。
【0016】また耐熱性樹脂フイルムの接着面はハンド
リングや接着性のため、適度に荒れていることが好まし
く、具体的には光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さ
が中心線平均粗さRaで10nm以内、好ましくは5n
m以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが1μm以
内、好ましくは0.1μm以内である。
リングや接着性のため、適度に荒れていることが好まし
く、具体的には光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さ
が中心線平均粗さRaで10nm以内、好ましくは5n
m以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが1μm以
内、好ましくは0.1μm以内である。
【0017】ポリイミドフィルムの例としては宇部興産
(株)製ユーピレックス、鐘淵化学(株)製アピカル、
東レ・デュポン(株)製カプトン等が挙げられる。また
ポリアミドフィルムの例としては旭化成工業(株)製ア
ラミカ、東レ(株)社製ミクトロン等があげられる。こ
れらの耐熱性フィルムの厚みは3〜50μmの範囲が好
ましく、特に好ましくは10〜25μmである。
(株)製ユーピレックス、鐘淵化学(株)製アピカル、
東レ・デュポン(株)製カプトン等が挙げられる。また
ポリアミドフィルムの例としては旭化成工業(株)製ア
ラミカ、東レ(株)社製ミクトロン等があげられる。こ
れらの耐熱性フィルムの厚みは3〜50μmの範囲が好
ましく、特に好ましくは10〜25μmである。
【0018】本発明で使用するホットメルト接着シート
は基材を含まない熱可塑性の接着シートを意味する。こ
れは樹脂を加熱して溶融し、接着面に塗工するものでも
よいが、樹脂をあらかじめ離型紙上に塗工し、ロール状
に巻き取られているものが取り扱いが容易で好適であ
る。接着温度は生産性の観点から100℃〜180℃の
範囲であることが好ましい。本発明で使用できるホット
メルト接着シートはポリエステル樹脂、ポリオレフィ
ン、ポリウレタン、ポリアミド等があげられる。この様
な粘着剤の具体例としては東亜合成製アロンメルトシリ
ーズ、日本マタイ社社製エルファンシリーズ、日本リル
サン製プラチロンシリーズなどが挙げられる。
は基材を含まない熱可塑性の接着シートを意味する。こ
れは樹脂を加熱して溶融し、接着面に塗工するものでも
よいが、樹脂をあらかじめ離型紙上に塗工し、ロール状
に巻き取られているものが取り扱いが容易で好適であ
る。接着温度は生産性の観点から100℃〜180℃の
範囲であることが好ましい。本発明で使用できるホット
メルト接着シートはポリエステル樹脂、ポリオレフィ
ン、ポリウレタン、ポリアミド等があげられる。この様
な粘着剤の具体例としては東亜合成製アロンメルトシリ
ーズ、日本マタイ社社製エルファンシリーズ、日本リル
サン製プラチロンシリーズなどが挙げられる。
【0019】これらのホットメルト接着シートは、融点
が低く、耐熱性が低いため、耐熱性樹脂フィルムの片面
にあらかじめスパッタリング法で強磁性金属薄膜を形成
し、しかる後にこの耐熱性フィルム同士を貼り合わせる
必要がある。耐熱性フィルムを先に貼り合わせた後、こ
の支持体上に強磁性金属薄膜を設けると、接着剤が溶融
し、支持体が著しく変形してしまう。このホットメルト
接着シートは後述のように加熱圧着して使用するため、
一般的な表面粗さのものが使用可能である。この粘着剤
の厚みは10〜100μm、好ましくは20〜60μm
である。
が低く、耐熱性が低いため、耐熱性樹脂フィルムの片面
にあらかじめスパッタリング法で強磁性金属薄膜を形成
し、しかる後にこの耐熱性フィルム同士を貼り合わせる
必要がある。耐熱性フィルムを先に貼り合わせた後、こ
の支持体上に強磁性金属薄膜を設けると、接着剤が溶融
し、支持体が著しく変形してしまう。このホットメルト
接着シートは後述のように加熱圧着して使用するため、
一般的な表面粗さのものが使用可能である。この粘着剤
の厚みは10〜100μm、好ましくは20〜60μm
である。
【0020】本発明の貼り合わせは耐熱性樹脂フィルム
の磁性層を形成する面が外側となるようにホットメルト
接着シートをはさんで重ね、これを加熱圧着して行う
が、接着方法は熱平板プレス、熱ラミネートロールによ
るラミネートなどが使用できる。なかでも好ましくは真
空中の熱平板プレスまたは真空中の熱ラミネートロール
によるラミネートである。このときの温度はホットメル
ト接着剤の種類に依存するが、一般的は100℃〜18
0℃である。真空下で接着する場合、真空度は接着面に
気泡が発生しない様に選択すれば良いが、その真空度は
1.33kPa(10Torr)以下、好ましくは66
7Pa(5Torr)以下である。
の磁性層を形成する面が外側となるようにホットメルト
接着シートをはさんで重ね、これを加熱圧着して行う
が、接着方法は熱平板プレス、熱ラミネートロールによ
るラミネートなどが使用できる。なかでも好ましくは真
空中の熱平板プレスまたは真空中の熱ラミネートロール
によるラミネートである。このときの温度はホットメル
ト接着剤の種類に依存するが、一般的は100℃〜18
0℃である。真空下で接着する場合、真空度は接着面に
気泡が発生しない様に選択すれば良いが、その真空度は
1.33kPa(10Torr)以下、好ましくは66
7Pa(5Torr)以下である。
【0021】本発明において、芳香族ポリアミド、芳香
族ポリイミド、ポリエーテルイミドなどの耐熱樹脂フィ
ルムに含有されている水分が大きく影響を及ぼす。これ
らの樹脂は最大でおよそ2重量%の水分を含有してい
る。ホットメルト接着シートの接着温度は前述通り10
0℃〜180℃であるが、これらの耐熱性樹脂フィルム
をこの温度に加熱すると、フィルムから多量の水分が放
出される。このためホットメルト接着シートと芳香族ポ
リイミドを熱ラミネートロールでラミネートしようとし
て直接加熱すると水蒸気が溶融したホットメルト接着剤
に吹き出して気泡を発生することがある。従って気泡を
発生させることなく貼り合わせるためには、貼り付け前
に耐熱性樹脂フィルムを十分に乾燥させておく必要があ
る。この乾燥温度は貼り付け温度から貼り付け温度より
も100℃高い温度範囲であることが好ましい。
族ポリイミド、ポリエーテルイミドなどの耐熱樹脂フィ
ルムに含有されている水分が大きく影響を及ぼす。これ
らの樹脂は最大でおよそ2重量%の水分を含有してい
る。ホットメルト接着シートの接着温度は前述通り10
0℃〜180℃であるが、これらの耐熱性樹脂フィルム
をこの温度に加熱すると、フィルムから多量の水分が放
出される。このためホットメルト接着シートと芳香族ポ
リイミドを熱ラミネートロールでラミネートしようとし
て直接加熱すると水蒸気が溶融したホットメルト接着剤
に吹き出して気泡を発生することがある。従って気泡を
発生させることなく貼り合わせるためには、貼り付け前
に耐熱性樹脂フィルムを十分に乾燥させておく必要があ
る。この乾燥温度は貼り付け温度から貼り付け温度より
も100℃高い温度範囲であることが好ましい。
【0022】熱平板プレスによって貼り合わせを行う場
合には、耐熱性樹脂フィルム、離型紙付きのホットメル
ト接着シートを重ね、加熱圧着して一方の耐熱性樹脂フ
ィルムにホットメルト接着シートを貼った後、接着剤の
離型紙を剥がし、もう一方の耐熱性フィルムを貼り合わ
せる。この貼り合わせは1枚ごとに行ってもよいが、複
数枚を積層させ、一度にプレスしても良い。これらの方
法は生産性が劣るものの、表裏面の熱および応力分布を
均一にすることができるため、そりの少ない支持体が作
製可能である。このとき、プレスは接着面の気泡発生を
防止するため、また各フィルムヘの塵埃の付着を防止す
るため、真空中でのプレスが好ましい。プレス面の表面
粗さは使用する支持体よりも平滑であることが好まし
く、表面が粗い場合にはその表面が支持体に転写し、支
持体表面が荒れてしまう。さらにプレス面は接着後の支
持体の貼り付きを防止するため、フッ素加工などの表面
処理が施されていることが好ましい。プレス圧力は98
1Pa〜981kPa(0.01〜10kgf/cm
2 )が適当である。
合には、耐熱性樹脂フィルム、離型紙付きのホットメル
ト接着シートを重ね、加熱圧着して一方の耐熱性樹脂フ
ィルムにホットメルト接着シートを貼った後、接着剤の
離型紙を剥がし、もう一方の耐熱性フィルムを貼り合わ
せる。この貼り合わせは1枚ごとに行ってもよいが、複
数枚を積層させ、一度にプレスしても良い。これらの方
法は生産性が劣るものの、表裏面の熱および応力分布を
均一にすることができるため、そりの少ない支持体が作
製可能である。このとき、プレスは接着面の気泡発生を
防止するため、また各フィルムヘの塵埃の付着を防止す
るため、真空中でのプレスが好ましい。プレス面の表面
粗さは使用する支持体よりも平滑であることが好まし
く、表面が粗い場合にはその表面が支持体に転写し、支
持体表面が荒れてしまう。さらにプレス面は接着後の支
持体の貼り付きを防止するため、フッ素加工などの表面
処理が施されていることが好ましい。プレス圧力は98
1Pa〜981kPa(0.01〜10kgf/cm
2 )が適当である。
【0023】ラミネートロールによって積層体を形成す
る場合には、一方の耐熱性樹脂フィルムの接着面に離型
紙付きのホットメルト接着シートを貼り付け、次に離型
紙を剥がした後、他方の耐熱性樹脂フィルムを貼り付け
て作製する。この貼り合わせは、1枚ごとにバッチ式に
接着させても良いし、ロールからロールヘ連続でラミネ
ートしても良い。バッチでラミネートする場合には平滑
板上にフィルムを重ね、この上をラミネートロールで押
して接着させるか、ラミネートロール間に耐熱性樹脂フ
ィルムとホットメルト接着シートを通すことで接着させ
る。ロール形態で連続ラミネートする場合にはラミネー
トロール間に耐熱性フィルムとホットメルト接着シート
を通して接着させる。バッチ式、連続式いずれの場合も
支持体よりも平滑であることが好ましく、表面が粗いと
この表面が支持体に転写し、支持体表面があれてしま
う。さらにラミネートは接着面の気泡発生を防止するた
め、また各フィルムヘの塵埃の付着を防止するため、真
空中でのラミネートが好ましい。ラミネートロール圧力
は981Pa〜981kPa(0.01〜10kgf/
cm2 )が好ましい。
る場合には、一方の耐熱性樹脂フィルムの接着面に離型
紙付きのホットメルト接着シートを貼り付け、次に離型
紙を剥がした後、他方の耐熱性樹脂フィルムを貼り付け
て作製する。この貼り合わせは、1枚ごとにバッチ式に
接着させても良いし、ロールからロールヘ連続でラミネ
ートしても良い。バッチでラミネートする場合には平滑
板上にフィルムを重ね、この上をラミネートロールで押
して接着させるか、ラミネートロール間に耐熱性樹脂フ
ィルムとホットメルト接着シートを通すことで接着させ
る。ロール形態で連続ラミネートする場合にはラミネー
トロール間に耐熱性フィルムとホットメルト接着シート
を通して接着させる。バッチ式、連続式いずれの場合も
支持体よりも平滑であることが好ましく、表面が粗いと
この表面が支持体に転写し、支持体表面があれてしま
う。さらにラミネートは接着面の気泡発生を防止するた
め、また各フィルムヘの塵埃の付着を防止するため、真
空中でのラミネートが好ましい。ラミネートロール圧力
は981Pa〜981kPa(0.01〜10kgf/
cm2 )が好ましい。
【0024】次に本発明で使用できる下塗り膜について
説明する。本発明の耐熱性樹脂フィルムの表面性が不十
分である場合には、耐熱性樹脂フィルム表面に平滑化を
目的とした下塗り膜を作成することが好ましい。下塗り
膜は耐熱性樹脂フィルムと同様に耐熱性が要求されるた
め、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコー
ン樹脂、フッ素系樹脂等が使用する必要があり、一般的
なポリエステル樹脂などは使用できない。なかでも下塗
り膜の素材としては平滑化効果が高い、熱硬化型イミド
や熱硬化型シリコーン樹脂を用いることが好ましい。こ
の下塗り膜の厚みとしては0.1〜3μmが好ましい。
またこの下塗り膜は耐熱性樹脂フィルムと熱可塑性樹脂
フィルムの接着の前に作製しても良いし、接着後に作成
しても良い。
説明する。本発明の耐熱性樹脂フィルムの表面性が不十
分である場合には、耐熱性樹脂フィルム表面に平滑化を
目的とした下塗り膜を作成することが好ましい。下塗り
膜は耐熱性樹脂フィルムと同様に耐熱性が要求されるた
め、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコー
ン樹脂、フッ素系樹脂等が使用する必要があり、一般的
なポリエステル樹脂などは使用できない。なかでも下塗
り膜の素材としては平滑化効果が高い、熱硬化型イミド
や熱硬化型シリコーン樹脂を用いることが好ましい。こ
の下塗り膜の厚みとしては0.1〜3μmが好ましい。
またこの下塗り膜は耐熱性樹脂フィルムと熱可塑性樹脂
フィルムの接着の前に作製しても良いし、接着後に作成
しても良い。
【0025】前記、熱硬化性イミド樹脂を用いる例とし
ては分子内に末端不飽和基を2つ以上有するイミドモノ
マーの熱童合物であるポリイミド樹脂がある。この様な
イミドモノマーの例としては下記化学式1で表されるピ
スアリルナジイミドがあげられる。
ては分子内に末端不飽和基を2つ以上有するイミドモノ
マーの熱童合物であるポリイミド樹脂がある。この様な
イミドモノマーの例としては下記化学式1で表されるピ
スアリルナジイミドがあげられる。
【0026】◎
【化1】
【0027】ただし、R1、R2は独立に選択された水素
またはメチル基、R3は脂肪族または芳香族の炭化水素
基等の2価の連結基。
またはメチル基、R3は脂肪族または芳香族の炭化水素
基等の2価の連結基。
【0028】本発明で好ましい熱硬化型ポリイミド樹脂
は既に重合したポリイミドを付与するのではなく、まず
耐熱性樹脂フィルム上にイミドモノマーを付与した後、
熱重合させて作製するポリイミドである。このイミドモ
ノマーは既にイミド環化反応が終了しているもので、分
子内に末端不飽和基を2つ以上有するものである。ポリ
イミドヘの重合反応は加熱などによってこのビニル基が
付加重合することによって進行する。したがって重合反
応は比較的低温で進行するため、ポリイミドをはじめ様
々な非磁性支持体上に付与することができる。またイミ
ドモノマーはその構造によって汎用の有機溶剤に溶解す
ることが可能であるため、生産性、作業性に優れる。ま
たイミドモノマーは当然ポリイミドよりも分子量が小さ
いため、その溶液の粘度が低く、これを非磁性支持体上
に塗布したときに、凹凸に対する回り込みが良く、平滑
化効果が高い。この様なイミド環と末端不飽和結合を2
つ以上有するイミドモノマー化合物は特開昭59−80
662号公報、特開昭60−178862号公報、特開
昭61−18761号公報、特開昭63−170358
号公報、特開平7−53516号公報などに記載されて
いる公知の合成方法で合成された公知の化合物を使用す
ることができる。
は既に重合したポリイミドを付与するのではなく、まず
耐熱性樹脂フィルム上にイミドモノマーを付与した後、
熱重合させて作製するポリイミドである。このイミドモ
ノマーは既にイミド環化反応が終了しているもので、分
子内に末端不飽和基を2つ以上有するものである。ポリ
イミドヘの重合反応は加熱などによってこのビニル基が
付加重合することによって進行する。したがって重合反
応は比較的低温で進行するため、ポリイミドをはじめ様
々な非磁性支持体上に付与することができる。またイミ
ドモノマーはその構造によって汎用の有機溶剤に溶解す
ることが可能であるため、生産性、作業性に優れる。ま
たイミドモノマーは当然ポリイミドよりも分子量が小さ
いため、その溶液の粘度が低く、これを非磁性支持体上
に塗布したときに、凹凸に対する回り込みが良く、平滑
化効果が高い。この様なイミド環と末端不飽和結合を2
つ以上有するイミドモノマー化合物は特開昭59−80
662号公報、特開昭60−178862号公報、特開
昭61−18761号公報、特開昭63−170358
号公報、特開平7−53516号公報などに記載されて
いる公知の合成方法で合成された公知の化合物を使用す
ることができる。
【0029】化合物1においてR1、R2はそれぞれ独立
に選択される水素またはメチル基、R3 は脂肪族、芳香
族等の2価の連結基であって特に限定はされない。例え
ば直鎖または分岐構造のアルキレン基およびアルケニル
基、シクロアルキレン基、アルキレン基を有するシクロ
アルキレン基、芳香族基、アルキレン基を有する芳香族
基、ポリオキシアルキレン基、カルボニル基、エーテル
基等などが挙げられる。イミドモノマーの溶剤への溶解
性やその重合物であるポリイミド樹脂の耐熱性はおもに
R3 の構造で決定される。このため所望の特性はR3 の
構造を選択することによって達成される。この様な化合
物は丸善石油化学社からBANIシリーズ、ANIシリ
ーズとして市販されている。
に選択される水素またはメチル基、R3 は脂肪族、芳香
族等の2価の連結基であって特に限定はされない。例え
ば直鎖または分岐構造のアルキレン基およびアルケニル
基、シクロアルキレン基、アルキレン基を有するシクロ
アルキレン基、芳香族基、アルキレン基を有する芳香族
基、ポリオキシアルキレン基、カルボニル基、エーテル
基等などが挙げられる。イミドモノマーの溶剤への溶解
性やその重合物であるポリイミド樹脂の耐熱性はおもに
R3 の構造で決定される。このため所望の特性はR3 の
構造を選択することによって達成される。この様な化合
物は丸善石油化学社からBANIシリーズ、ANIシリ
ーズとして市販されている。
【0030】また本発明の下塗り膜にはイミドモノマー
以外の成分が含有されていても良い。例えば重合を促進
するための硬化剤、表面に凹凸を設けるための耐熱性微
粒子(フィラー)、密着を改善するためのカップリング
剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤などが挙げられる。
硬化剤としてはp−トルエンスルホン酸、p−キシレン
スルホン酸、トルエンスルホン酸メチル、ピリジニウム
p−トルエンスルホネート、ピリジニウム−m−ニトロ
ベンゼンスルホネート、硫酸メチルヒドラジンなどが使
用できる。
以外の成分が含有されていても良い。例えば重合を促進
するための硬化剤、表面に凹凸を設けるための耐熱性微
粒子(フィラー)、密着を改善するためのカップリング
剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤などが挙げられる。
硬化剤としてはp−トルエンスルホン酸、p−キシレン
スルホン酸、トルエンスルホン酸メチル、ピリジニウム
p−トルエンスルホネート、ピリジニウム−m−ニトロ
ベンゼンスルホネート、硫酸メチルヒドラジンなどが使
用できる。
【0031】塗布溶剤としては化学式1のR3 の種類に
よって異なるが、多くの構造ではトルエン、キシレン、
アセトニトリル、シクロヘキサノン、メチルエチルケト
ン、アセトンなどに溶解可能であり、一部の構造におい
てはイソプロピルアルコール、エタノール、メタノール
等にも溶解可能である。また溶剤としてこれらの混合溶
剤を使用することもできる。
よって異なるが、多くの構造ではトルエン、キシレン、
アセトニトリル、シクロヘキサノン、メチルエチルケト
ン、アセトンなどに溶解可能であり、一部の構造におい
てはイソプロピルアルコール、エタノール、メタノール
等にも溶解可能である。また溶剤としてこれらの混合溶
剤を使用することもできる。
【0032】また本発明で好ましい熱硬化性シリコーン
樹脂の例としては、有機基が導入されたケイ素化合物を
原料としてゾルゲル法で作成したシリコーン樹脂があげ
られる。この様なシリコーン樹脂は二酸化ケイ素の結合
の一部を有機基で置換した構造からなり、シリコーンゴ
ムよりも大幅に耐熱性に優れている。また二酸化ケイ素
膜よりも柔軟性に優れるため、耐熱性樹脂フィルムの様
な可撓性フィルム上に作製してもクラックや剥離が生じ
にくい。
樹脂の例としては、有機基が導入されたケイ素化合物を
原料としてゾルゲル法で作成したシリコーン樹脂があげ
られる。この様なシリコーン樹脂は二酸化ケイ素の結合
の一部を有機基で置換した構造からなり、シリコーンゴ
ムよりも大幅に耐熱性に優れている。また二酸化ケイ素
膜よりも柔軟性に優れるため、耐熱性樹脂フィルムの様
な可撓性フィルム上に作製してもクラックや剥離が生じ
にくい。
【0033】原料となるモノマーを耐熱性樹脂フィルム
上に直接塗布し、硬化させる方法であるため、汎用溶剤
を使用することができ、凹凸に対する回り込みも良く、
平滑化効果が高い。さらに縮重合反応は酸やキレート剤
などの触媒の添加によって比較的低温から進行するた
め、硬化が短時間で可能であり、このため汎用の塗布機
での作製が可能である。
上に直接塗布し、硬化させる方法であるため、汎用溶剤
を使用することができ、凹凸に対する回り込みも良く、
平滑化効果が高い。さらに縮重合反応は酸やキレート剤
などの触媒の添加によって比較的低温から進行するた
め、硬化が短時間で可能であり、このため汎用の塗布機
での作製が可能である。
【0034】この熱硬化性シリコーン樹脂の原料となる
モノマーとしては芳香族炭化水素基、脂肪族やエポキシ
基を含有した有機残基等の有機残基を有するシランカッ
プリング剤である。芳香族炭化水素基や脂肪族炭化水素
基は硬化した樹脂において柔軟性を付与する効果があ
り、特に芳香族炭化水素基を有するシランカップリング
剤は脂肪族炭化水素基を導入したものより、耐熱性に優
れるため好ましい。またエポキシ基を含有したシランカ
ップリング剤は比較的低温から塗膜を硬化させる効果が
ある。例えば芳香族炭化水素基を含有するシランカップ
リング剤は下記化学式2で表される構造である。
モノマーとしては芳香族炭化水素基、脂肪族やエポキシ
基を含有した有機残基等の有機残基を有するシランカッ
プリング剤である。芳香族炭化水素基や脂肪族炭化水素
基は硬化した樹脂において柔軟性を付与する効果があ
り、特に芳香族炭化水素基を有するシランカップリング
剤は脂肪族炭化水素基を導入したものより、耐熱性に優
れるため好ましい。またエポキシ基を含有したシランカ
ップリング剤は比較的低温から塗膜を硬化させる効果が
ある。例えば芳香族炭化水素基を含有するシランカップ
リング剤は下記化学式2で表される構造である。
【0035】◎
【化2】
【0036】ただしR,R’はメチル基等一価の有機基
Aはアルキレン基等の二価の有機基または無し(直結)
Bはアルコキシ基、ハロゲン、水酸基等の一価の基X+
Y+Z=4である。化学式2においてAは好ましくは無
し、またはメチレン基である。
Aはアルキレン基等の二価の有機基または無し(直結)
Bはアルコキシ基、ハロゲン、水酸基等の一価の基X+
Y+Z=4である。化学式2においてAは好ましくは無
し、またはメチレン基である。
【0037】Bは反応性や磁性膜への腐食性を考慮する
と好ましくはアルコキシ基であり、重合反応を容易とす
るため、特にメトキシ基など炭素数4以下のアルコキシ
基が好ましい。Xは好ましくは1または2であるが、重
合反応を容易とするため、特に1であることが好まし
い。Yは好ましくは0または1であるが、重合反応を容
易とするため、特に好ましくは0である。従ってZは特
に3で有ることが好ましい。
と好ましくはアルコキシ基であり、重合反応を容易とす
るため、特にメトキシ基など炭素数4以下のアルコキシ
基が好ましい。Xは好ましくは1または2であるが、重
合反応を容易とするため、特に1であることが好まし
い。Yは好ましくは0または1であるが、重合反応を容
易とするため、特に好ましくは0である。従ってZは特
に3で有ることが好ましい。
【0038】このような具体例としては、以下のものが
挙げられる。◎
挙げられる。◎
【化3】
【0039】エポキシ基を有する有機残基を含んだシラ
ンカップリング剤は例えば下記化学式3で表される構造
である。
ンカップリング剤は例えば下記化学式3で表される構造
である。
【0040】◎
【化4】
【0041】ただし、Aはアルキレン基など2価の有機
残基 Bは水素またはアルキル基などの1価の有機残基 Rはアルキル基などの1価の有機残基 Xはアルコキシ基、水酸基、ハロゲン、水素から選択さ
れる1価の基 i+j+k=4 である。
残基 Bは水素またはアルキル基などの1価の有機残基 Rはアルキル基などの1価の有機残基 Xはアルコキシ基、水酸基、ハロゲン、水素から選択さ
れる1価の基 i+j+k=4 である。
【0042】化学式3の構造においてAは好ましくは水
素である。Rはメチル基、エチル基など。1価の有機残
基である。Xは反応性や磁性膜への腐食性を考慮すると
好ましくはアルコキシ基であり、重合反応を容易とする
ため、特にメトキシ基など炭素数4以下のアルコキシ基
が好ましい。Mは好ましくは1または2であるが、重合
反応を容易とするため、特に1であることが好ましい。
Lは好ましくは0または1であるが、重合反応を容易と
するため、特に好ましくは0である。したがってNは特
に3であることが好ましい。
素である。Rはメチル基、エチル基など。1価の有機残
基である。Xは反応性や磁性膜への腐食性を考慮すると
好ましくはアルコキシ基であり、重合反応を容易とする
ため、特にメトキシ基など炭素数4以下のアルコキシ基
が好ましい。Mは好ましくは1または2であるが、重合
反応を容易とするため、特に1であることが好ましい。
Lは好ましくは0または1であるが、重合反応を容易と
するため、特に好ましくは0である。したがってNは特
に3であることが好ましい。
【0043】このような化合物としては、以下の化学式
で示されるものが挙げられる。これらの化合物は、特開
昭51一11871号公報、特開昭63−23224号
公報に記載されている。
で示されるものが挙げられる。これらの化合物は、特開
昭51一11871号公報、特開昭63−23224号
公報に記載されている。
【0044】◎
【化5】
【0045】また、耐熱性、低コスト化、重合速度調整
のため、例えばメチル基等の炭化水素基を含んだシラン
カップリング剤を混合して用いてもよい。炭化水素を含
んだシランカップリング剤を併用すると下塗膜の耐熱性
を向上させることもできる。具体的にはこの炭化水素基
を含んだシランカップリング剤は下記のような構造であ
る。 R−Si(OR’)3 但し、R,R’は炭化水素基、Rの炭素数は少ないほど
下塗膜の耐熱性の向上に効果的である。
のため、例えばメチル基等の炭化水素基を含んだシラン
カップリング剤を混合して用いてもよい。炭化水素を含
んだシランカップリング剤を併用すると下塗膜の耐熱性
を向上させることもできる。具体的にはこの炭化水素基
を含んだシランカップリング剤は下記のような構造であ
る。 R−Si(OR’)3 但し、R,R’は炭化水素基、Rの炭素数は少ないほど
下塗膜の耐熱性の向上に効果的である。
【0046】上記芳香族炭化水素基を有するシランカッ
プリング剤およびエポキシ基を有する有機残基を含んだ
シランカップリング剤のアルコキシシラン等の部分は後
述の方法によって塗布乾燥することによって加水分解、
重合してシロキサン結合を生成する。一方、エポキシ基
は酸触媒や熱によって開環重合する。この加水分解速度
と重合速度は必要に応じて塩酸等の酸を添加することに
よって調整できる。
プリング剤およびエポキシ基を有する有機残基を含んだ
シランカップリング剤のアルコキシシラン等の部分は後
述の方法によって塗布乾燥することによって加水分解、
重合してシロキサン結合を生成する。一方、エポキシ基
は酸触媒や熱によって開環重合する。この加水分解速度
と重合速度は必要に応じて塩酸等の酸を添加することに
よって調整できる。
【0047】より低温から重合を開始させるためには、
硬化剤の併用が好ましく、例えば金属キレート化合物、
有機酸およびその塩、過塩素酸塩等、様々な化合物が知
られているが、特に硬化剤としては硬化の低温化、磁性
膜への腐食性の理由から金属キレート化合物が好まし
い。例えば3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ンにアルミニウムアセチルアセトネートを硬化触媒とし
て加えた場合100℃前後で短時間加熱するだけで硬化
できる。したがってグラビア連続塗布方法を用いてブロ
ッキングを生じること無く、巻き取ることができる。こ
のような硬化剤としては、アルミニウムアセチルアセト
ネート、ジルコニウムアセチルアセトネート、チタニウ
ムアセチルアセトネート等のβ−ジケトン類と金属のキ
レート化合物が特に有効である。このとき使用される塗
布溶剤は塩酸の添加量やシランカップリング剤の構造に
よって決定されるが、エタノール、メタノール、イソプ
ロピルアルコール、シクロヘキサノン等を用いることが
できる。
硬化剤の併用が好ましく、例えば金属キレート化合物、
有機酸およびその塩、過塩素酸塩等、様々な化合物が知
られているが、特に硬化剤としては硬化の低温化、磁性
膜への腐食性の理由から金属キレート化合物が好まし
い。例えば3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ンにアルミニウムアセチルアセトネートを硬化触媒とし
て加えた場合100℃前後で短時間加熱するだけで硬化
できる。したがってグラビア連続塗布方法を用いてブロ
ッキングを生じること無く、巻き取ることができる。こ
のような硬化剤としては、アルミニウムアセチルアセト
ネート、ジルコニウムアセチルアセトネート、チタニウ
ムアセチルアセトネート等のβ−ジケトン類と金属のキ
レート化合物が特に有効である。このとき使用される塗
布溶剤は塩酸の添加量やシランカップリング剤の構造に
よって決定されるが、エタノール、メタノール、イソプ
ロピルアルコール、シクロヘキサノン等を用いることが
できる。
【0048】本発明において耐熱性樹脂フィルムに前述
の熱硬化性ポリイミド樹脂層または熱硬化性シリコーン
樹脂層からなる下塗膜を作製する方法としては、原料と
なるモノマーと必要に応じて硬化剤など加え、有機溶剤
に溶解した塗布溶液をワイヤーバー法、グラビア法、ス
プレー法、ディップコート法、スピンコート法等の手法
によって耐熱性樹脂フィルム上に塗布した後、乾燥する
方法を使用することができる。さらにこの後、必要に応
じて下塗膜を焼成して硬化を促進させ、耐熱性や耐溶剤
性、密着性などを向上させることができる。また乾燥は
溶剤を揮発させために行われるものであるが、この時点
で同時に硬化を行うこともできる。乾燥方法としては一
般的に行われている熱風乾燥、赤外線乾燥などが使用で
きる。このときの乾燥温度は60℃〜250℃程度が好
ましい。
の熱硬化性ポリイミド樹脂層または熱硬化性シリコーン
樹脂層からなる下塗膜を作製する方法としては、原料と
なるモノマーと必要に応じて硬化剤など加え、有機溶剤
に溶解した塗布溶液をワイヤーバー法、グラビア法、ス
プレー法、ディップコート法、スピンコート法等の手法
によって耐熱性樹脂フィルム上に塗布した後、乾燥する
方法を使用することができる。さらにこの後、必要に応
じて下塗膜を焼成して硬化を促進させ、耐熱性や耐溶剤
性、密着性などを向上させることができる。また乾燥は
溶剤を揮発させために行われるものであるが、この時点
で同時に硬化を行うこともできる。乾燥方法としては一
般的に行われている熱風乾燥、赤外線乾燥などが使用で
きる。このときの乾燥温度は60℃〜250℃程度が好
ましい。
【0049】塗膜の乾燥の後、さらに硬化を促進させる
焼成方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加
熱などが使用できる。このときの加熱温度としては塗膜
の厚みと後の磁性膜の成膜方法及び成膜温度にもよる
が、1μm前後の場合には100℃〜350℃、好まし
くは200℃〜270℃の範囲である。温度がこれより
も低い場合には重合反応の進行が不十分であったり、磁
性膜のスパッタリング時に残留ガスや分解ガスを発生
し、磁性膜の結晶成長を阻害することがある。逆に高す
ぎると支持体の変形を引き起こしたり、生産性の低下に
つながる。また加熱による重合以外にも紫外線照射、電
子線照射などによる重合が可能な材料の場合には、加熱
によらずにこれらの照射によって重合反応を行っても良
い。
焼成方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加
熱などが使用できる。このときの加熱温度としては塗膜
の厚みと後の磁性膜の成膜方法及び成膜温度にもよる
が、1μm前後の場合には100℃〜350℃、好まし
くは200℃〜270℃の範囲である。温度がこれより
も低い場合には重合反応の進行が不十分であったり、磁
性膜のスパッタリング時に残留ガスや分解ガスを発生
し、磁性膜の結晶成長を阻害することがある。逆に高す
ぎると支持体の変形を引き起こしたり、生産性の低下に
つながる。また加熱による重合以外にも紫外線照射、電
子線照射などによる重合が可能な材料の場合には、加熱
によらずにこれらの照射によって重合反応を行っても良
い。
【0050】また下塗膜表面に高さが非常に低い微小突
起を設けることによって、磁気記録媒体と摺動部材との
真実接触面積を低滅し、摺動特性を改善することができ
るため、基材上の磁性膜面には微小突起構造を有するも
のが特に好ましい。この微小突起構造は接着後の支持体
のハンドリング性も著しく高める効果がある。
起を設けることによって、磁気記録媒体と摺動部材との
真実接触面積を低滅し、摺動特性を改善することができ
るため、基材上の磁性膜面には微小突起構造を有するも
のが特に好ましい。この微小突起構造は接着後の支持体
のハンドリング性も著しく高める効果がある。
【0051】この様な微小突起構造を作製する方法とし
ては球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗
布して有機物の突起を形成する方法などが使用できる
が、耐熱性を確保するためシリカ粒子が好ましい。また
突起をフィルム表面に固定するためにバインダーを用い
ることも可能であるが、耐熱性を確保するため、十分な
耐熱性を有する樹脂が好ましく、このような素材として
は本発明で接着剤として使用する熱硬化性イミドや熱硬
化性シリコーン樹脂を用いることが特に好ましい。微小
突起の高さは5〜60nm、好ましくは10〜30nm
であり、その密度は0.1〜100個/μm2 、好まし
くは1〜10個/μm2 である。微小突起の高さが高す
ぎると記録再生ヘッドと媒体のスペーシング損失によっ
て電磁変換特性が劣化し、微小突起が低すぎると摺動特
性の改善効果が少なくなる。微小突起の密度が小さすぎ
る場合は摺動特性の改善効果が小さくなり、多すぎると
凝集粒子の増加によって高い突起が増加して電磁変換特
性が劣化する。またバインダーの塗膜厚みは20nm以
下である。バインダーが厚すぎると乾燥後にフィルム裏
面と接着(ブロッキング)を生じる場合がある。
ては球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗
布して有機物の突起を形成する方法などが使用できる
が、耐熱性を確保するためシリカ粒子が好ましい。また
突起をフィルム表面に固定するためにバインダーを用い
ることも可能であるが、耐熱性を確保するため、十分な
耐熱性を有する樹脂が好ましく、このような素材として
は本発明で接着剤として使用する熱硬化性イミドや熱硬
化性シリコーン樹脂を用いることが特に好ましい。微小
突起の高さは5〜60nm、好ましくは10〜30nm
であり、その密度は0.1〜100個/μm2 、好まし
くは1〜10個/μm2 である。微小突起の高さが高す
ぎると記録再生ヘッドと媒体のスペーシング損失によっ
て電磁変換特性が劣化し、微小突起が低すぎると摺動特
性の改善効果が少なくなる。微小突起の密度が小さすぎ
る場合は摺動特性の改善効果が小さくなり、多すぎると
凝集粒子の増加によって高い突起が増加して電磁変換特
性が劣化する。またバインダーの塗膜厚みは20nm以
下である。バインダーが厚すぎると乾燥後にフィルム裏
面と接着(ブロッキング)を生じる場合がある。
【0052】本発明のフロッピーディスクにおける磁性
層となる強磁性金属薄膜はスパッタリング法や真空蒸着
法によって形成される。磁性層の組成としてはコバルト
を主体とした金属または合金が挙げられ、具体的にはC
o−Cr、Co−Ni−Cr、Co−Cr−Ta、Co
−Cr−Pt、Co−Cr−Ta−Pt、Co−Cr−
Pt−Si、Co−Cr−Pt−B、Co−O等が使用
できる。特に電磁変換特性を改善するためにCo−Cr
−Pt、Co−Cr−Pt−Taが好ましい。磁性層の
厚みは10〜30nmとするのが望ましい。
層となる強磁性金属薄膜はスパッタリング法や真空蒸着
法によって形成される。磁性層の組成としてはコバルト
を主体とした金属または合金が挙げられ、具体的にはC
o−Cr、Co−Ni−Cr、Co−Cr−Ta、Co
−Cr−Pt、Co−Cr−Ta−Pt、Co−Cr−
Pt−Si、Co−Cr−Pt−B、Co−O等が使用
できる。特に電磁変換特性を改善するためにCo−Cr
−Pt、Co−Cr−Pt−Taが好ましい。磁性層の
厚みは10〜30nmとするのが望ましい。
【0053】またこの場合磁性層の静磁気特性を改善す
るための下地層を設けることが好ましく、この下地層の
組成としては金属または合金などが挙げられ、具体的に
はCr、V、Ti、Ta、W、Si等またはこれらの合
金が使用でき、なかでもTa、Ni−P、Ni−Al、
Cr−Tiが特に好ましい。この下地層の厚みとしては
5nm〜50nmであり、好ましくは10nm〜30n
mである。
るための下地層を設けることが好ましく、この下地層の
組成としては金属または合金などが挙げられ、具体的に
はCr、V、Ti、Ta、W、Si等またはこれらの合
金が使用でき、なかでもTa、Ni−P、Ni−Al、
Cr−Tiが特に好ましい。この下地層の厚みとしては
5nm〜50nmであり、好ましくは10nm〜30n
mである。
【0054】さらに下地層の結晶配向性を制御するため
に、下地層の下にシード層を用いることが好ましく、具
体的にはTa、Mo、W、V、Zr、Cr、Rh、H
f、Nb、Mn、Ni、Al、Ru、Tiまたはこれら
の合金、特に好ましくはTa、Cr、Tiまたはこれら
の合金であり、厚みとしては15〜60nmであること
が好ましい。また、これらは下地層と異なり、アモルフ
ァス状態または下地層よりも結晶子が小さい状態で使用
される。
に、下地層の下にシード層を用いることが好ましく、具
体的にはTa、Mo、W、V、Zr、Cr、Rh、H
f、Nb、Mn、Ni、Al、Ru、Tiまたはこれら
の合金、特に好ましくはTa、Cr、Tiまたはこれら
の合金であり、厚みとしては15〜60nmであること
が好ましい。また、これらは下地層と異なり、アモルフ
ァス状態または下地層よりも結晶子が小さい状態で使用
される。
【0055】さらに下塗膜とシード層との密着性を高め
るために、密着層を形成しても良く、シード層を形成し
ない場合には、下塗膜と下地層との密着性を高かめるた
めに密着層を導入してもよい。密着層としては具体的に
はCr、V、Ti、Ta、W、Si等またはこれらの合
金が使用できる。スパッタリング法で磁性層を作製する
場合には、支持体を加熱した状態で成膜することが好ま
しく、DCまたはRFマグネトロンスパッタリング法を
用い、支持体温度は100℃〜250℃とすることが好
ましい。一方、支持体温度は加熱だけではなく、スパッ
タリング時の熱によっても加熱されるので注意を要す
る。
るために、密着層を形成しても良く、シード層を形成し
ない場合には、下塗膜と下地層との密着性を高かめるた
めに密着層を導入してもよい。密着層としては具体的に
はCr、V、Ti、Ta、W、Si等またはこれらの合
金が使用できる。スパッタリング法で磁性層を作製する
場合には、支持体を加熱した状態で成膜することが好ま
しく、DCまたはRFマグネトロンスパッタリング法を
用い、支持体温度は100℃〜250℃とすることが好
ましい。一方、支持体温度は加熱だけではなく、スパッ
タリング時の熱によっても加熱されるので注意を要す
る。
【0056】本発明の磁気記録媒体においては強磁性金
属薄膜上に保護膜が設けることが好ましく、この保護膜
によって走行耐久性、耐食性を著しく改善することがで
きる。保護膜としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジ
ルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、
窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭
化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラフ
ァイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護膜が挙
げられる。この保護膜としては、ヘッド材質と同等また
はそれ以上の硬度を有する硬質膜が好ましく、さらに摺
動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して持続す
るものが最も好ましく、そのような保護膜としてはダイ
ヤモンド状炭素(DLC)と称される硬質炭素膜が挙げ
られる。
属薄膜上に保護膜が設けることが好ましく、この保護膜
によって走行耐久性、耐食性を著しく改善することがで
きる。保護膜としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジ
ルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、
窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭
化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラフ
ァイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護膜が挙
げられる。この保護膜としては、ヘッド材質と同等また
はそれ以上の硬度を有する硬質膜が好ましく、さらに摺
動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して持続す
るものが最も好ましく、そのような保護膜としてはダイ
ヤモンド状炭素(DLC)と称される硬質炭素膜が挙げ
られる。
【0057】ダイヤモンド状炭素膜は、プラズマCVD
法、スパッタリング法等で作製したアモルファス炭素膜
であり、微視的にはsp2 結合によるクラスターとsp
3 結合によるクラスターの混合物である。この膜の硬度
はビッカース硬度で10×103MPa以上、好ましく
は20×103MPa以上である、ダイヤモンド状炭素
膜のラマン光分光分析によって測定した場合には、15
40-1cm付近にいわゆるGピークと呼ばれるメインピ
ークが、1390cm-1にいわゆるDピークと呼ぱれる
ショルダーが検出されることによって確認することがで
きる。これらのダイヤモンド状炭素膜はスパツタリング
法やCVD法によって作製することができるが、生産
性、品質の安定性および厚み10nm以下の超薄膜でも
良好な耐磨耗性を確保できるという点からCVD法によ
って作製することが好ましく、とくにプラズマによって
メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン、ある
いはエチレン、プロピレン等のアルケン、またはアセチ
レン等のアルキンをはじめとした炭素含有化合物を分解
して生成した化学種を磁性膜またはその手前に設けた電
極に負バイアス電圧を印加して加速して堆積する手法が
好ましい。
法、スパッタリング法等で作製したアモルファス炭素膜
であり、微視的にはsp2 結合によるクラスターとsp
3 結合によるクラスターの混合物である。この膜の硬度
はビッカース硬度で10×103MPa以上、好ましく
は20×103MPa以上である、ダイヤモンド状炭素
膜のラマン光分光分析によって測定した場合には、15
40-1cm付近にいわゆるGピークと呼ばれるメインピ
ークが、1390cm-1にいわゆるDピークと呼ぱれる
ショルダーが検出されることによって確認することがで
きる。これらのダイヤモンド状炭素膜はスパツタリング
法やCVD法によって作製することができるが、生産
性、品質の安定性および厚み10nm以下の超薄膜でも
良好な耐磨耗性を確保できるという点からCVD法によ
って作製することが好ましく、とくにプラズマによって
メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン、ある
いはエチレン、プロピレン等のアルケン、またはアセチ
レン等のアルキンをはじめとした炭素含有化合物を分解
して生成した化学種を磁性膜またはその手前に設けた電
極に負バイアス電圧を印加して加速して堆積する手法が
好ましい。
【0058】さらに原料ガスに窒素ガスを混合し、C、
H、Nからなるダイヤモンド状炭素とすることでヘッド
に対する摩擦係数を低減できる。硬質炭素保護膜の膜厚
が厚いと電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の
低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するために、
膜厚2〜30nmが好ましく、特に好ましくは5〜20
nmである。
H、Nからなるダイヤモンド状炭素とすることでヘッド
に対する摩擦係数を低減できる。硬質炭素保護膜の膜厚
が厚いと電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の
低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足するために、
膜厚2〜30nmが好ましく、特に好ましくは5〜20
nmである。
【0059】本発明の磁気記録媒体において、走行耐久
性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保
護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。潤
滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑
剤、極圧添加剤などが使用できる。炭化水素系潤滑剤と
してはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ス
テアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホ
ン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリ
ン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアル
コール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカル
ボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが
挙げられる。
性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保
護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。潤
滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑
剤、極圧添加剤などが使用できる。炭化水素系潤滑剤と
してはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ス
テアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホ
ン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリ
ン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアル
コール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカル
ボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが
挙げられる。
【0060】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエ
チレンオキシド重合体、パーフルオロ−n−プロピレン
オキシド重合体(CF2CF2CF2O)n、パーフルオロ
イソプロピレンオキシド重合体(CF(CF3)CF
20)n 、またはこれらの共重合体等である。具体的は
分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パ
ーフルオロエチレン共重合体(FOMBLIN Z−D
OL)等が挙げられる。極圧添加剤としてはリン酸トリ
ラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル
等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリ
ル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、
二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエ
チレンオキシド重合体、パーフルオロ−n−プロピレン
オキシド重合体(CF2CF2CF2O)n、パーフルオロ
イソプロピレンオキシド重合体(CF(CF3)CF
20)n 、またはこれらの共重合体等である。具体的は
分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パ
ーフルオロエチレン共重合体(FOMBLIN Z−D
OL)等が挙げられる。極圧添加剤としてはリン酸トリ
ラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル
等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリ
ル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、
二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【0061】上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して
使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上
に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワ
イヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップ
コート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させ
ればよい。潤滑剤の塗布量としては1〜30mg/m2
が好ましく、2〜20mg/m2が特に好ましい。
使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上
に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワ
イヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップ
コート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させ
ればよい。潤滑剤の塗布量としては1〜30mg/m2
が好ましく、2〜20mg/m2が特に好ましい。
【0062】本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾ
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、2−メル
カプトベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、
チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類お
よびこの誘導体等が挙げられる。これらは潤滑剤に混合
して保護膜上に塗布しても良いし、潤滑剤を塗布する前
に保護膜上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布しても良
い。防錆剤の塗布量としては0.1〜10mg/m2 が
好ましく、0.5〜5mg/m2 が特に好ましい。
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、2−メル
カプトベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、
チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類お
よびこの誘導体等が挙げられる。これらは潤滑剤に混合
して保護膜上に塗布しても良いし、潤滑剤を塗布する前
に保護膜上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布しても良
い。防錆剤の塗布量としては0.1〜10mg/m2 が
好ましく、0.5〜5mg/m2 が特に好ましい。
【0063】このような目的で使用可能なテトラザイン
デン環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
デン環化合物には、下記に示すものが挙げられる。
【0064】◎
【化6】
【0065】ここで、Rには、アルキル基、アルコキシ
基、アルキルアミド基から選ばれる炭化水素基である。
特に好ましくは、炭素数3以上20以下であり、アルコ
キシの場合には R4OCOCH2−のR4 は、C3H
7−、C6H13−、フェニル、またアルキル基の場合に
は、C6H13−、C9H19−、C17H35−が挙げられ、ア
ルキルアミドの場合にはR5NHCOCH2−のR5はフ
ェニル、C3H7−が挙げられる。
基、アルキルアミド基から選ばれる炭化水素基である。
特に好ましくは、炭素数3以上20以下であり、アルコ
キシの場合には R4OCOCH2−のR4 は、C3H
7−、C6H13−、フェニル、またアルキル基の場合に
は、C6H13−、C9H19−、C17H35−が挙げられ、ア
ルキルアミドの場合にはR5NHCOCH2−のR5はフ
ェニル、C3H7−が挙げられる。
【0066】また、チオウラシル環化合物には、下記に
示すものが挙げられる。
示すものが挙げられる。
【0067】◎
【化7】
【0068】ここで、Rは、上記したテトラザインデン
環化合物におけるものと同様のものから選ばれる。
環化合物におけるものと同様のものから選ばれる。
【0069】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を説明する。 実施例1 磁性面の最大突起粗さRmax が80nm、平均中心線粗
さRaが1.2nm、厚み25μmの芳香族ポリアミド
からなる耐熱性樹脂フィルムの両面にディップコート法
で熱硬化型イミド樹脂(丸善石油化学(株)社製BAN
I−NB)のシクロヘキサン−エタノール混合溶剤に溶
解した溶液を塗布し、室温で乾燥した後、250℃で1
時間加熱し、厚み1.0μmの下塗り膜を作製した。さ
らにこの上に、直径25nmのシリカ粒子と熱硬化性イ
ミド樹脂のシクロヘキサノン溶液を塗布した後、250
℃で1時間乾燥して、突起高さの平均値が約20nm、
突起密度が3個/μm2の微小突起を形成した。
さRaが1.2nm、厚み25μmの芳香族ポリアミド
からなる耐熱性樹脂フィルムの両面にディップコート法
で熱硬化型イミド樹脂(丸善石油化学(株)社製BAN
I−NB)のシクロヘキサン−エタノール混合溶剤に溶
解した溶液を塗布し、室温で乾燥した後、250℃で1
時間加熱し、厚み1.0μmの下塗り膜を作製した。さ
らにこの上に、直径25nmのシリカ粒子と熱硬化性イ
ミド樹脂のシクロヘキサノン溶液を塗布した後、250
℃で1時間乾燥して、突起高さの平均値が約20nm、
突起密度が3個/μm2の微小突起を形成した。
【0070】次いでこのフィルムを切り出し、均一な張
力を印加する円形のホルダーに挟み込んで固定し、磁性
膜形成用のスパッタリング装置に設置し、支持体を20
0℃に加熱した後、DCマグネトロンスパッタリング法
でCr−Ti下地膜を30nm成膜し、さらに引き続き
Co−Cr−Pt磁性膜を30nm成膜した。この下地
膜、磁性膜は支持体の片面に対して成膜した。さらにこ
の試料をスパッタリング装置から取り出し、磁性膜上に
エタンを原料としたプラズマCVD法によって厚み15
nmのダイヤモンド状炭素保護膜を成膜した。
力を印加する円形のホルダーに挟み込んで固定し、磁性
膜形成用のスパッタリング装置に設置し、支持体を20
0℃に加熱した後、DCマグネトロンスパッタリング法
でCr−Ti下地膜を30nm成膜し、さらに引き続き
Co−Cr−Pt磁性膜を30nm成膜した。この下地
膜、磁性膜は支持体の片面に対して成膜した。さらにこ
の試料をスパッタリング装置から取り出し、磁性膜上に
エタンを原料としたプラズマCVD法によって厚み15
nmのダイヤモンド状炭素保護膜を成膜した。
【0071】この磁性膜を設けた芳香族ポリアミドフィ
ルムを2枚準備し、一方のフィルムを図1に示した真空
平板プレスによって積層を行った。図1に示す真空平板
プレス機1は、真空チャンバー2内に、試料載置台3を
有し、試料載置台上には、内部に加熱用電気ヒータを設
けた下部鏡面研磨ステンレス板4Aをシリコーンゴム5
を介して介在させて載置し、下部鏡面研磨ステンレス板
4Aに下部試料保持リング6Aによって下部試料7Aを
取り付けた。一方、加圧シリンダー8の加圧軸9には加
圧板10を取り付け、加圧板10には、シリコーンゴム
5を介して内部に加熱用電気ヒータを設けた上部鏡面研
磨ステンレス板4Bを取り付け、上部鏡面研磨ステンレ
ス板4Bには、上部試料保持リング6Bによって上部試
料7Bを取り付けられる。真空平板プレス機1におい
て、上部試料保持リング6Bによって、内部に加熱用電
気ヒータを設けた上部鏡面研磨ステンレス板4Bの熱板
に磁性面が熱板と接するように固定し、ホットメルト接
着シート(東亞合成製アロンメルトPES111EE)
を内部に加熱用電気ヒータを設けた下部鏡面研磨ステン
レス板4Aに離型紙が熱板と接するように固定した。こ
の状態で真空度は667Pa(5Torr)まで脱気
し、上部鏡面研磨ステンレス板4を200℃に加熱して
1分間保持し、芳香族ポリアミドフィルムの乾燥を行っ
た。
ルムを2枚準備し、一方のフィルムを図1に示した真空
平板プレスによって積層を行った。図1に示す真空平板
プレス機1は、真空チャンバー2内に、試料載置台3を
有し、試料載置台上には、内部に加熱用電気ヒータを設
けた下部鏡面研磨ステンレス板4Aをシリコーンゴム5
を介して介在させて載置し、下部鏡面研磨ステンレス板
4Aに下部試料保持リング6Aによって下部試料7Aを
取り付けた。一方、加圧シリンダー8の加圧軸9には加
圧板10を取り付け、加圧板10には、シリコーンゴム
5を介して内部に加熱用電気ヒータを設けた上部鏡面研
磨ステンレス板4Bを取り付け、上部鏡面研磨ステンレ
ス板4Bには、上部試料保持リング6Bによって上部試
料7Bを取り付けられる。真空平板プレス機1におい
て、上部試料保持リング6Bによって、内部に加熱用電
気ヒータを設けた上部鏡面研磨ステンレス板4Bの熱板
に磁性面が熱板と接するように固定し、ホットメルト接
着シート(東亞合成製アロンメルトPES111EE)
を内部に加熱用電気ヒータを設けた下部鏡面研磨ステン
レス板4Aに離型紙が熱板と接するように固定した。こ
の状態で真空度は667Pa(5Torr)まで脱気
し、上部鏡面研磨ステンレス板4を200℃に加熱して
1分間保持し、芳香族ポリアミドフィルムの乾燥を行っ
た。
【0072】次に、上部鏡面研磨ステンレス板を150
℃、下部鏡面研磨ステンレス板を100℃とし、芳香族
ポリアミドフィルムとホットメルト接着シートを圧力
0.2Kg/cm2 で10秒間圧着させて貼り付けた。
貼り付け後、フィルムを一度大気中に取りだし、ホット
メルト接着シートの離型紙を剥がした後、再び真空平板
プレスで同様の条件で他方の芳香族ポリアミドフィルム
の乾燥と貼り付けを行った。さらにこの試料の保護膜上
にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント社
製FOMBLINZ−DOL)をフッ素系溶剤(住友ス
リーエム社製FC−77)に溶解した溶液をディップコ
ート法で塗布して厚み1nmの潤滑膜を作製した。そし
てこの試料を3.7型の磁気ディスク形状に打ち抜き、
フロッピーディスクを作製した。
℃、下部鏡面研磨ステンレス板を100℃とし、芳香族
ポリアミドフィルムとホットメルト接着シートを圧力
0.2Kg/cm2 で10秒間圧着させて貼り付けた。
貼り付け後、フィルムを一度大気中に取りだし、ホット
メルト接着シートの離型紙を剥がした後、再び真空平板
プレスで同様の条件で他方の芳香族ポリアミドフィルム
の乾燥と貼り付けを行った。さらにこの試料の保護膜上
にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント社
製FOMBLINZ−DOL)をフッ素系溶剤(住友ス
リーエム社製FC−77)に溶解した溶液をディップコ
ート法で塗布して厚み1nmの潤滑膜を作製した。そし
てこの試料を3.7型の磁気ディスク形状に打ち抜き、
フロッピーディスクを作製した。
【0073】実施例2 耐熱性樹脂フィルムとして磁性面の最大突起粗さRmax
が0.2μm、平均中心線粗さRaが2.0nm、厚み
25μmの芳香族ポリイミドフィルムを用い、ホットメ
ルト接着シート(日本リルサン製プラチロンH)を用い
た以外は、実施例1と同様に試料を作製した。
が0.2μm、平均中心線粗さRaが2.0nm、厚み
25μmの芳香族ポリイミドフィルムを用い、ホットメ
ルト接着シート(日本リルサン製プラチロンH)を用い
た以外は、実施例1と同様に試料を作製した。
【0074】実施例3 磁性面の最大突起粗さRmax が80nm、平均中心線粗
さRaが1.2nm、厚み25μm、幅30cmのロー
ル状の芳香族ポリアミドフィルムを連続巻き取り式グラ
ビアコーターに設置し、下記組成の塗布液を 3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 20.0質量% フェニルトリエトキシシラン 20.0質量% エタノール 44.6質量% シクロヘキサノン 0.6質量% 精製水 10.0質量% 塩酸(1モル/l) 4.4質量% アルミニウムアセチルアセトネート 0.4質量% をグラビアコート法で塗布し、これを120℃で乾燥、
硬化させ、熱硬化性シリコーン樹脂からなる膜厚0.6
μmの下塗り膜を作製し巻き取った。さらにこの下塗り
膜上に直径25nmのシリカ粒子と上記の熱硬化性シリ
コーン樹脂のエタノール−シクロヘキサノン溶液を塗布
した後、120℃で乾燥して、突起高さの平均値が20
nm、突起密度が3個/μm2 の微小突起を形成した。
この下塗り膜を170℃に加熱した熱ローラーに接触さ
せながら0.1m/secで搬送し、下塗り膜の硬化を
行って巻き取つた。
さRaが1.2nm、厚み25μm、幅30cmのロー
ル状の芳香族ポリアミドフィルムを連続巻き取り式グラ
ビアコーターに設置し、下記組成の塗布液を 3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン 20.0質量% フェニルトリエトキシシラン 20.0質量% エタノール 44.6質量% シクロヘキサノン 0.6質量% 精製水 10.0質量% 塩酸(1モル/l) 4.4質量% アルミニウムアセチルアセトネート 0.4質量% をグラビアコート法で塗布し、これを120℃で乾燥、
硬化させ、熱硬化性シリコーン樹脂からなる膜厚0.6
μmの下塗り膜を作製し巻き取った。さらにこの下塗り
膜上に直径25nmのシリカ粒子と上記の熱硬化性シリ
コーン樹脂のエタノール−シクロヘキサノン溶液を塗布
した後、120℃で乾燥して、突起高さの平均値が20
nm、突起密度が3個/μm2 の微小突起を形成した。
この下塗り膜を170℃に加熱した熱ローラーに接触さ
せながら0.1m/secで搬送し、下塗り膜の硬化を
行って巻き取つた。
【0075】この下塗りを設けた支持体を連続成膜式ス
パッタリング装置に設置し、速度60cm/minで搬
送しながら、150℃に加熱した加熱キャン上で芳香族
ポリアミドフィルム磁性面にDCマグネトロンスパッタ
リング法でCr−Ti下地膜を30nm、Co−Cr−
Pt磁性膜を30nm、炭素保護膜を20nmとなるよ
うに成膜して巻き取った。次にこの磁性膜を設けた試料
2ロールとホットメルト接着シートロール(東亞合成製
アロンメルトPES111EE)の1ロールを図2記載
の連続ラミネーターに設置した。
パッタリング装置に設置し、速度60cm/minで搬
送しながら、150℃に加熱した加熱キャン上で芳香族
ポリアミドフィルム磁性面にDCマグネトロンスパッタ
リング法でCr−Ti下地膜を30nm、Co−Cr−
Pt磁性膜を30nm、炭素保護膜を20nmとなるよ
うに成膜して巻き取った。次にこの磁性膜を設けた試料
2ロールとホットメルト接着シートロール(東亞合成製
アロンメルトPES111EE)の1ロールを図2記載
の連続ラミネーターに設置した。
【0076】図2に示す連続ラミネーター20におい
て、真空チャンバー21内を排気口22を真空ポンプに
接続して減圧した状態で、耐熱樹脂フィルム送り出しロ
ール23aおよび23bから、磁性層を設けた耐熱樹脂
フィルム24a、24bを送り出し、乾燥用熱ロール2
5a、25bおよびランプヒータ26a、26bによっ
て乾燥した後に、ホットメルト接着シート送り出しロー
ル27からホットメルト接着シート28を送り出し、ホ
ットメルト接着シートの接着層面に設けた離型紙29を
離型紙巻き取りロール30によって巻き取るとともに、
耐熱樹脂フィルム24a、24bとホットメルト接着シ
ート28とをラミネートロール31によって上下から押
圧しながら送り、耐熱樹脂フィルム24aおよび24b
をホットメルト接着シート28によって積層した貼り合
わせ試料32を貼り合わせ試料巻き取りロール33によ
って巻き取ることによって連続的にラミネートするもの
である。
て、真空チャンバー21内を排気口22を真空ポンプに
接続して減圧した状態で、耐熱樹脂フィルム送り出しロ
ール23aおよび23bから、磁性層を設けた耐熱樹脂
フィルム24a、24bを送り出し、乾燥用熱ロール2
5a、25bおよびランプヒータ26a、26bによっ
て乾燥した後に、ホットメルト接着シート送り出しロー
ル27からホットメルト接着シート28を送り出し、ホ
ットメルト接着シートの接着層面に設けた離型紙29を
離型紙巻き取りロール30によって巻き取るとともに、
耐熱樹脂フィルム24a、24bとホットメルト接着シ
ート28とをラミネートロール31によって上下から押
圧しながら送り、耐熱樹脂フィルム24aおよび24b
をホットメルト接着シート28によって積層した貼り合
わせ試料32を貼り合わせ試料巻き取りロール33によ
って巻き取ることによって連続的にラミネートするもの
である。
【0077】乾燥用熱ロールの温度は200℃、真空度
を667Pa(5Torr)とし、ラミネートロール温
度150℃、ラミネートロールに線圧490N/m
(0.5kgf/cm)を加え、速度0.1m/sec
で搬送して接着を行った。次にこの試料を連続グラビア
コートに設置し、両面の保護膜上にパーフルオロポリエ
ーテル系潤滑剤(アウジモント社製FOMBLINZ−
DOL)をフッ素系溶剤(住友スリーエム社製FC−7
7)に溶解した溶液を塗布して厚み1nmの潤滑膜を作
製して巻き取った。そしてこの試料を3.7型の磁気デ
ィスク形状に打ち抜き、フロッピーディスクを作製し
た。
を667Pa(5Torr)とし、ラミネートロール温
度150℃、ラミネートロールに線圧490N/m
(0.5kgf/cm)を加え、速度0.1m/sec
で搬送して接着を行った。次にこの試料を連続グラビア
コートに設置し、両面の保護膜上にパーフルオロポリエ
ーテル系潤滑剤(アウジモント社製FOMBLINZ−
DOL)をフッ素系溶剤(住友スリーエム社製FC−7
7)に溶解した溶液を塗布して厚み1nmの潤滑膜を作
製して巻き取った。そしてこの試料を3.7型の磁気デ
ィスク形状に打ち抜き、フロッピーディスクを作製し
た。
【0078】比較例 平滑面の最大突起粗さRmaxが0.2μm、平均中心線
粗さRaが2.0nm、粗面のRmax が0.2μm、R
aが2.9μmで厚み50μmの芳香族ポリイミドフィ
ルムの表面に熱硬化型イミド樹脂(丸善石油化学社製B
ANI−NB)のシクロヘキサンーエタノール混合溶剤
に溶解した溶液をディップコート法で塗布し、室温で乾
燥した後、250℃で1時間加熱し、厚み1.0μm下
塗り膜を作成した。さらにこの上に、直径25nmのシ
リカ粒子と熱硬化性イミド樹脂のシクロヘキサノン溶液
を塗布した後、250℃で1時間乾燥して、突起高さの
平均値が20nm、突起密度が3個/μm2 の微小突起
を形成した。
粗さRaが2.0nm、粗面のRmax が0.2μm、R
aが2.9μmで厚み50μmの芳香族ポリイミドフィ
ルムの表面に熱硬化型イミド樹脂(丸善石油化学社製B
ANI−NB)のシクロヘキサンーエタノール混合溶剤
に溶解した溶液をディップコート法で塗布し、室温で乾
燥した後、250℃で1時間加熱し、厚み1.0μm下
塗り膜を作成した。さらにこの上に、直径25nmのシ
リカ粒子と熱硬化性イミド樹脂のシクロヘキサノン溶液
を塗布した後、250℃で1時間乾燥して、突起高さの
平均値が20nm、突起密度が3個/μm2 の微小突起
を形成した。
【0079】次いでこの支持体7Bを切り出し、均一な
張力を印加する円形のホルダーに挟み込んで固定し、磁
性膜形成用のスパッタリング装置に設置し、支持体を2
00℃に加熱した後、DCマグネトロンスパッタリング
法でCr−Ti下地膜を30nm成膜し、さらに引き続
きCo−Cr−Pt磁性膜を30nm成膜した。この下
地膜、磁性膜は支持体の両面に対して成膜した。さらに
この試料をスパッタリング装置から取り出し、磁性膜上
にエタンを原料としたプラズマCVD法によって厚み1
5nmのダイヤモンドライクカーボン保護膜を成膜し
た。次にこの試料をホルダーから取り出し、この保護膜
上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント
社製FOMBLINZ−DOL)をフッ素系溶剤(住友
スリーエム社製FC−77)に溶解した溶液をディップ
コート法で塗布して厚み1nmの潤滑膜を作製した。そ
してこの試料を3.7型の磁気ディスク形状に打ち抜
き、フロッピーディスクを作製した。
張力を印加する円形のホルダーに挟み込んで固定し、磁
性膜形成用のスパッタリング装置に設置し、支持体を2
00℃に加熱した後、DCマグネトロンスパッタリング
法でCr−Ti下地膜を30nm成膜し、さらに引き続
きCo−Cr−Pt磁性膜を30nm成膜した。この下
地膜、磁性膜は支持体の両面に対して成膜した。さらに
この試料をスパッタリング装置から取り出し、磁性膜上
にエタンを原料としたプラズマCVD法によって厚み1
5nmのダイヤモンドライクカーボン保護膜を成膜し
た。次にこの試料をホルダーから取り出し、この保護膜
上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤(アウジモント
社製FOMBLINZ−DOL)をフッ素系溶剤(住友
スリーエム社製FC−77)に溶解した溶液をディップ
コート法で塗布して厚み1nmの潤滑膜を作製した。そ
してこの試料を3.7型の磁気ディスク形状に打ち抜
き、フロッピーディスクを作製した。
【0080】作製した試料は以下の評価方法によって評
価を行った。 (評価方法) (1)外観 各実施例の支持体ならびにフロッピーディスクについて
目視ならびに光学顕微鏡観察(100倍)を行い、支持
体表面および接着面の異物のかみ込み、気泡の発生の有
無を調べた。 (2)カール値 各支持体および完成したフロッピーディスクを3.5型
のフロッピーディスク形状に打ち抜き、これらを垂直に
立てた状態で、ディスク中心をリングでチャツキングし
た状態で60rpmで回転させた。そしてこの半径方向
について内周からの半径位置20mm〜45mmの範囲
をレーザー変位計で走査し、ディスク−変位計間距離が
最短となる位置と最長となる位置の差を求め、カール値
とした。 (3)面ぶれ 作製したフロッピーディスクをZipドライブ(富士写
真フイルム株式会社製Zip−100)で回転させた。
このときの最外周部の面ぶれ量を光ファイバー式変位計
によって測定した。上記評価方法に基づいて、各実施
例、および比較例で作製した試料を評価した評価結果を
表1に示す。
価を行った。 (評価方法) (1)外観 各実施例の支持体ならびにフロッピーディスクについて
目視ならびに光学顕微鏡観察(100倍)を行い、支持
体表面および接着面の異物のかみ込み、気泡の発生の有
無を調べた。 (2)カール値 各支持体および完成したフロッピーディスクを3.5型
のフロッピーディスク形状に打ち抜き、これらを垂直に
立てた状態で、ディスク中心をリングでチャツキングし
た状態で60rpmで回転させた。そしてこの半径方向
について内周からの半径位置20mm〜45mmの範囲
をレーザー変位計で走査し、ディスク−変位計間距離が
最短となる位置と最長となる位置の差を求め、カール値
とした。 (3)面ぶれ 作製したフロッピーディスクをZipドライブ(富士写
真フイルム株式会社製Zip−100)で回転させた。
このときの最外周部の面ぶれ量を光ファイバー式変位計
によって測定した。上記評価方法に基づいて、各実施
例、および比較例で作製した試料を評価した評価結果を
表1に示す。
【0081】
【表1】 試料 外観 カール(mm) 面ぶれ(μm) 実施例1 良好 良好 0.3 良好 40 実施例2 良好 良好 0.4 良好 40 実施例3 良好 良好 0.6 良好 48 比較例 良好 不良 2.0 不良 120
【0082】以上の実施例、比較例で示されているよう
に、本発明によって作製した実施例は外観、カールがと
もに良好であることがわかる。一方、ラミネートせず
に、1枚のフィルムを支持体として使用した比較例では
フィルムの元々もっているそりが残存し、カール量と面
ぶれ量が大きくなった。
に、本発明によって作製した実施例は外観、カールがと
もに良好であることがわかる。一方、ラミネートせず
に、1枚のフィルムを支持体として使用した比較例では
フィルムの元々もっているそりが残存し、カール量と面
ぶれ量が大きくなった。
【0083】
【発明の効果】本発明を用いることにより、そりが少な
く、表面および接着面に欠陥が少ない支持体を作成する
ことができ、この支持体を用いて作成したフロッピーデ
ィスクはカール量も小さくすることができる。
く、表面および接着面に欠陥が少ない支持体を作成する
ことができ、この支持体を用いて作成したフロッピーデ
ィスクはカール量も小さくすることができる。
【図1】図1は、本発明に用いる真空プレス機を説明す
る図である。
る図である。
【図2】図2は、本発明に用いる連続ラミネーターを説
明する図である。
明する図である。
1…真空平板プレス機、2…真空チャンバー、3…試料
載置台、4A…下部鏡面研磨ステンレス板、4B…上部
鏡面研磨ステンレス板、5…シリコーンゴム、6A…下
部試料保持リング、6B…上部試料保持リング、7A…
下部試料、7B…上部試料、8…加圧シリンダー、9…
加圧軸、10…加圧板、20…連続ラミネーター、21
…真空チャンバー、22…排気口、23a,23b…耐
熱樹脂フィルム送り出しロール、24a、24b…耐熱
樹脂フィルム、25a,25b…乾燥用熱ロール、26
a,26b…ランプヒータ、27…ホットメルト接着シ
ート送り出しロール、28…ホットメルト接着シート、
29…離型紙、30…離型紙巻き取りロール、31…ラ
ミネートロール、32…貼り合わせ試料、33…貼り合
わせ試料巻き取りロール
載置台、4A…下部鏡面研磨ステンレス板、4B…上部
鏡面研磨ステンレス板、5…シリコーンゴム、6A…下
部試料保持リング、6B…上部試料保持リング、7A…
下部試料、7B…上部試料、8…加圧シリンダー、9…
加圧軸、10…加圧板、20…連続ラミネーター、21
…真空チャンバー、22…排気口、23a,23b…耐
熱樹脂フィルム送り出しロール、24a、24b…耐熱
樹脂フィルム、25a,25b…乾燥用熱ロール、26
a,26b…ランプヒータ、27…ホットメルト接着シ
ート送り出しロール、28…ホットメルト接着シート、
29…離型紙、30…離型紙巻き取りロール、31…ラ
ミネートロール、32…貼り合わせ試料、33…貼り合
わせ試料巻き取りロール
Claims (5)
- 【請求項1】 可撓性性支持体の少なくとも一方の面に
強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成したフロッピーデ
ィスクにおいて、可撓性支持体が2枚の耐熱性樹脂フィ
ルムをホットメルト接着シートで貼り合わせた構造であ
ることを特徴とするフッピーディスク。 - 【請求項2】 耐熱性樹脂フィルムが芳香族ポリイミド
フィルムまたは芳香族ポリアミドフィルムであることを
特徴とする請求項1記載のフロッピーディスク。 - 【請求項3】 2枚の耐熱性樹脂フィルムのうち、少な
くとも1枚のフィルムの一方の表面にスパッタリング法
で強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成した後、該2枚
の耐熱性フィルムをホットメルト接着シートで貼り合わ
せることを特徴とするフロッピーディスクの製造方法。 - 【請求項4】 2枚の耐熱性樹脂フィルムのうち、少な
くとも1枚のフィルムの一方の表面にスパッタリング法
で強磁性金属薄膜からなる磁性層を形成した後、該2枚
の耐熱性フィルムを真空下で加熱し、耐熱性樹脂フィル
ムに含まれる水分を除去した後、真空下において耐熱性
樹脂フィルムをホットメルト接着シートで貼り合わせる
ことを特徴とするフロッピーディスクの製造方法。 - 【請求項5】 耐熱性樹脂フィルムが芳香族ポリイミド
フィルムまたは芳香族ポリアミドフィルムであることを
特徴とする請求項3または4記載のフロッピーディスク
の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000167746A JP2001344735A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | フロッピー(登録商標)ディスクおよびその製造方法 |
US09/871,731 US20020028354A1 (en) | 2000-06-05 | 2001-06-04 | Floppy disk and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000167746A JP2001344735A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | フロッピー(登録商標)ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001344735A true JP2001344735A (ja) | 2001-12-14 |
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ID=18670865
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2000167746A Pending JP2001344735A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | フロッピー(登録商標)ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020028354A1 (ja) |
JP (1) | JP2001344735A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106739424A (zh) * | 2015-11-20 | 2017-05-31 | 财团法人工业技术研究院 | 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法 |
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TWI391424B (zh) * | 2005-01-12 | 2013-04-01 | Taiyo Holdings Co Ltd | A hardened resin composition for inkjet and a hardened product thereof, and a printed circuit board using the same |
JP5109657B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-12-26 | 宇部興産株式会社 | ポリイミドフィルムの製造方法およびポリイミドフィルム |
KR20120089847A (ko) * | 2009-08-21 | 2012-08-14 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 슬라이딩 부재용 코팅 조성물 |
CN107415353B (zh) * | 2016-05-31 | 2021-05-11 | Skc株式会社 | 导电磁性复合片的制备方法和天线设备 |
GB2571255B (en) * | 2018-02-14 | 2020-12-16 | Camvac Ltd | Film lamination process |
CN110767592A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法、剥离装置 |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167746A patent/JP2001344735A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-04 US US09/871,731 patent/US20020028354A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106739424A (zh) * | 2015-11-20 | 2017-05-31 | 财团法人工业技术研究院 | 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法 |
US10173407B2 (en) | 2015-11-20 | 2019-01-08 | Industrial Technology Research Institute | Device for removing and adhering substrate and method for using the device |
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---|---|
US20020028354A1 (en) | 2002-03-07 |
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