JP2001357514A

JP2001357514A - 情報記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP2001357514A
Application number: JP2000180981A
Authority: JP
Inventors: Nobuhide Hotta; 延秀堀田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2000-06-16
Filing date: 2000-06-16
Publication date: 2001-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に記録層と保護層との少なくとも２層
が積層されている情報記録媒体の製造に際し、保護層か
ら研磨により異物を容易に除去する方法を提供する。【解決手段】研磨を除電ブローを施しながら行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスクのよう
な情報記録媒体の製造方法に関するものであり、具体的
には製造過程における研磨方法の改良に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータの外部記憶装置として広く
用いられている磁気ディスクは、アルミニウムやガラス
等の基板上に、下地層、磁性層、保護層及び潤滑層の各
層を順次形成した構造を有している。その代表的な製造
方法では、基板を研磨して平滑としたのち、その上に下
地層、磁性層及び保護層を順次スパッタリングにより形
成する。次いで保護層の表面を研磨して突起などを除去
すると共に付着している異物を除いて表面を清浄とし、
最後に保護層の上に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成す
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、磁気ディスクの
高記録密度化が著しく進行しており、それに伴って磁気
ディスク表面と浮上磁気ヘッドとの間隙はますます小さ
なものとなっている。その結果、磁気ディスクの表面に
微小な異物や突起が存在していてもエラーやヘッドクラ
ッシュの原因となるので、保護層表面の研磨により除去
すべき異物の大きさも非常に小さくなってきている。し
かし異物は小さくなるほど保護層表面に付着しやすく、
研磨によりこれを除去するのは極めて困難である。従っ
て本発明は微小な異物をも研磨により容易に除去し得る
方法を提供しようとするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は磁気ディスク
の保護層の表面を研磨するに際し微小異物が除去し難い
原因について検討した結果、研磨により静電気が発生す
ることがその原因であり、発生した静電気を消失させる
ならば微小異物といえども容易に研磨により除去し得る
ことを見出した。本発明はこの知見に基づくもので、本
発明によれば情報記録媒体の製造過程で研磨により微小
異物を除去するに当たり、除電ブローを施しながら研磨
を行うことにより、効率よく異物の除去を行うことがで
きる。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明は情報記録媒体の製造にお
いて、研磨により静電気が発生する場面に広く適用する
ことができるが、その代表的な適用場面は、磁気ディス
クの製造における保護層の研磨である。磁気ディスクの
代表的な製造法では、先ず鏡面加工したアルミニウム合
金基板にＮｉＰ又はＮｉＰＣｕの無電解メッキを施し、
メッキ層の表面をポリッシングして平滑にしたのち、更
にテキスチャー加工を施す。これにより基板表面に微細
な凹凸が形成され、最終的に得られる磁気ディスクにお
いて、磁気ヘッドが磁気ディスク表面に吸着されるのを
防止することができる。

【０００６】これらの表面加工を経た基板に、下地層及
び磁性層を形成する。層形成は通常はスパッタリングに
より行うが、所望ならば他の方法、例えば磁性層ならば
メッキ法や蒸着法で行うこともできる。下地層としては
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属やこれらを主成分と
する合金が用いられる。好ましくはＣｒ又はＣｒ合金で
下地層を形成する。Ｃｒ合金としてはＣｒ_1-bＸ_b （式中、ＸはＭｏ、Ｗ及びＴｉより成る群から選ばれた
金属を表し、ｂは０．０２≦ｂ≦０．５なる数を表す）
で表されるものが好ましい。下地層の厚さは通常５〜２
００ｎｍである。

【０００７】なお、ガラス基板の場合には通常はテキス
チャー加工は行わない。また、基板と上記の下地層との
間に、さらにＮｉＡｌ、ＮｉＣｒＺｒ、ＮｉＡｌＣｒ、
ＣｏＣｒＺｒなどの合金から成るもう一つの下地層をス
パッタリングにより形成して、下地層を二層構成とする
のが好ましく、これにより磁性層のさらなる高保持力化
を図ることができる。この下層の下地層は、ＮｉとＡｌ
とが合計で８０原子％以上であり、かつＮｉとＡｌの合
計に占めるＮｉの原子％が４５〜５５％であるＮｉＡｌ
系合金で形成するのが好ましい。この下層の下地層の厚
さも通常は５〜２００ｎｍである。

【０００８】磁性層は通常はＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、Ｃｏ
Ｓｍ、ＣｏＣｒＸ、ＣｏＮｉＸ、ＣｏＷＸなどのコバル
ト系強磁性合金で形成する。これらの合金において、Ｘ
はＬｉ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａ
ｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、
Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ及びＢより成る群から選ばれる金
属を表す。好ましくはＣｏＳｍ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、
ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＢＴａな
どを用いる。磁性層の厚さは通常は５〜１００ｎｍであ
り、好ましくは１０〜６０ｎｍである。

【０００９】磁性層の上には保護層を形成する。保護層
も通常はスパッタリングにより形成するが、所望ならば
蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などで形成
することもできる。保護層は炭素、水素化炭素、窒素化
炭素などの炭素質、炭化チタン、炭化ケイ素などの炭化
物、窒化ケイ素や窒化チタンなどの窒化物、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどの酸化物
などで形成するが、特に炭素、水素化炭素、窒素化炭素
などの炭素質で形成するのが好ましい。例えば保護層を
水素化炭素で形成するには、炭素をターゲットとして用
いて、希ガスと水素ガスを含むプラズマ中でスパッタリ
ングすればよい。

【００１０】ターゲットの炭素としては、ダイヤモンド
状、グラファイト状又はアモルファス状のいずれをも用
いることができる。希ガスとしてはアルゴン、ヘリウ
ム、ネオン、キセノン、ラドン、クリプトンのいずれを
も用いることができるが、アルゴンを用いるのが好まし
い。スパッタリング雰囲気中の水素ガスの濃度は通常２
〜２０容量％、好ましくは５〜１０容量％である。スパ
ッタリング法としては通常は直流マグネトロンスパッタ
リング法が用いられるが、高周波マグネトロンスパッタ
リング法を用いることもできる。スパッタリングは通常
は、チャンバー内の圧力０．５〜２０ミリＴｏｒｒ、好
ましくは１〜１０ミリＴｏｒｒ、基板温度３００℃以
下、好ましくは室温〜２５０℃の条件で行われる。保護
層の厚さは通常は１〜７０ｎｍであり、好ましくは２〜
５０ｎｍである。基板とターゲットとの間隔、スパッタ
リング時間、投入電力などは、目的とする保護層の層厚
に応じて適宜決定すればよい。

【００１１】保護層の表面には突起が存在していたり、
保護層形成時にスパッタリング装置の壁面から剥離して
落下した異物などが存在しているので、研磨してこれら
の突起や異物を除去する。研磨は通常は保護層の形成さ
れているディスクを回転させ、これに研磨部材を接触さ
せることにより行われる。研磨部材としては通常はポリ
エチレンテレフタレートやポリアミドなどの合成樹脂の
フィルムに、粒径０．３〜３μｍ程度のアルミナ砥粒や
炭化ケイ素砥粒などの砥粒を担持した研磨テープを用
い、この研磨テープを保護層上に軽く押しつけながら、
保護層上に新しいテープ部分を連続的に送り出すことに
より研磨が行われる。通常はディスクを１００〜５００
０ｒｐｍで回転させ、研磨テープの送り速度１〜１０ｍ
ｍ／秒で研磨を行う。なお、研磨開始前に新しいテープ
面を送り出しておき、研磨時にはテープの送りを中断さ
せる方式を用いることもできる。

【００１２】本発明では、この研磨に際し除電ブローを
併用する。すなわち空気に高電圧を印加してイオン化し
た空気流を生成させ、この空気流をディスクの研磨部位
に吹きつけつつ研磨を行う。これにより研磨により発生
する静電気が中和されるので、静電気により異物が保護
層上に吸引されて付着するのを阻止することができる。
通常はディスクの保護層と研磨テープとの接触部位ない
しはそのできるだけ近傍で測定して、保護層表面と研磨
テープ間の電位差が１００Ｖ以下、好ましくは５０Ｖ以
下となるように除電ブローを行う。所定時間研磨したな
らば、研磨面に潤滑剤を塗布して保護層の表面に潤滑層
を形成する。潤滑剤としては通常はフッ素系のものを用
いる。

【００１３】

【実施例】以下に実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。実施例１直径６５ｍｍのガラス基板上に、Ｎｉ₅₀Ａｌ₅₀合金から
成る下部下地層４０ｎｍ、Ｃｒから成る上部下地層２０
ｎｍ、Ｃｏ₈₃Ｃｒ₁₃Ｔａ₄合金から成る磁性層２０ｎ
ｍ、並びに微量の水素及び窒素を含む炭素から成る保護
層５ｎｍを、スパッタリングにより順次形成した。この
保護層の表面をキーエンス社製、高速除電ブロアーＳＪ
−Ｆを用いて除電ブローを行いながら、研磨テープを用
いて下記の条件で３秒間研磨した。除電ブローはディス
クとテープとの接触部に向けてディスク面にほぼ平行に
行った。

【００１４】テープ：ＷＡ８０００ＨＤ−０４（日本ミ
クロコーティング社製品）テープテンション：４０ｇ（合成樹脂発泡体製の押圧材
で押圧）ディスク周速度：３００ｍ／分テープ送り速度：０ｍ／秒（テープは研磨時は送られて
いない。但し幅方向に１５ｍｍ／秒で移動させた）除電方式：コロナ放電パルスＤＣＩ．Ｃ．Ｃ方式で、３
００ｍｍ離れている１０００Ｖ帯電物を１秒以内に１０
０Ｖに除電できる。

【００１５】研磨終了後のディスクの保護層上の異物数
を表１に示す。なお異物数の測定は、パーティクルサン
プラーＷＳ１０００（横河電機社製品）を用い、保護層
上の異物を空気流で吹き飛ばし、これを吸引してカウン
トした。また、測定は１０枚のディスクについて行い、
その１枚当たりの平均値で表示した。なお表１には除電
ブローを行わない以外は全く同様に研磨を行った場合の
結果も併記した。

【００１６】

【表１】本発明によれば常法により研磨を行うに際し、除電ブロ
ーを併用するという簡単な手段で研磨面に残存する異物
数を著しく減少させることができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも記録層と保護層とを
この順序で形成する情報記録媒体の製造方法において、
基板ないしはその上に形成されたいずれかの層の表面に
研磨部材を接触させて、静電気が発生する状態で研磨す
るに際し、除電ブローを施しながら研磨を行うことを特
徴とする方法。
【請求項２】基板上に少なくとも記録層と保護層とを
この順序で形成し、次いで保護層表面に研磨部材を接触
させて保護層表面を研磨する情報記録媒体の製造方法に
おいて、研磨を除電ブローを施しながら行うことを特徴
とする方法。
【請求項３】研磨部材が合成樹脂基材に研磨剤を担持
させてなる研磨テープであることを特徴とする請求項１
又は２記載の方法。
【請求項４】基板がガラスであることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】除電ブローを研磨部材とこれが接触して
いる表面との間の電位差が１００Ｖ以下となるように施
すことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載
の方法。
【請求項６】情報記録媒体が磁気記録媒体であること
を特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の方
法。