JPH1055538A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH1055538A JPH1055538A JP20991196A JP20991196A JPH1055538A JP H1055538 A JPH1055538 A JP H1055538A JP 20991196 A JP20991196 A JP 20991196A JP 20991196 A JP20991196 A JP 20991196A JP H1055538 A JPH1055538 A JP H1055538A
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- target
- substrate
- magnetic
- surface roughness
- treatment
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地層や磁性層の成膜工程でのパーティクル
付着を防止して、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩
留り良く製造する。 【解決手段】 下地層及び／又は磁性層形成用スパッタ
ターゲットとして、表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍ以上の
ターゲットを用いて成膜する。 【効果】 表面粗度の高いターゲットであれば、成膜中
にターゲットの非エロージョン部に付着、堆積した成膜
成分のターゲットに対する密着力が大きいことから、こ
の成膜成分がターゲットから剥離し難い。このため、タ
ーゲットに付着、堆積した成膜成分がターゲットから剥
離して基板上にパーティクルとして付着することによる
製品欠陥の発生は防止される。
付着を防止して、欠陥のない高品質の磁気記録媒体を歩
留り良く製造する。 【解決手段】 下地層及び／又は磁性層形成用スパッタ
ターゲットとして、表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍ以上の
ターゲットを用いて成膜する。 【効果】 表面粗度の高いターゲットであれば、成膜中
にターゲットの非エロージョン部に付着、堆積した成膜
成分のターゲットに対する密着力が大きいことから、こ
の成膜成分がターゲットから剥離し難い。このため、タ
ーゲットに付着、堆積した成膜成分がターゲットから剥
離して基板上にパーティクルとして付着することによる
製品欠陥の発生は防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体の製造
方法に係り、特に、基板上にスパッタ法により下地層及
び磁性層を順次形成して磁気記録媒体を製造する方法に
おいて、下地層及び／又は磁性層の成膜工程でのパーテ
ィクル付着の問題を解決し、欠陥のない高品質の磁気記
録媒体を歩留り良く製造する方法に関する。
方法に係り、特に、基板上にスパッタ法により下地層及
び磁性層を順次形成して磁気記録媒体を製造する方法に
おいて、下地層及び／又は磁性層の成膜工程でのパーテ
ィクル付着の問題を解決し、欠陥のない高品質の磁気記
録媒体を歩留り良く製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く利用されている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が広く利用されている。
【０００３】従来、磁気記録媒体としては、一般に、ア
ルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ−Ｐメッキ
等の非磁性メッキ処理を施した後、Ｃｒ等の下地層を形
成し、次いでＣｏ系合金の磁性層を形成し、更に炭素質
の保護層を形成した磁気ディスクが使用されている。
ルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ−Ｐメッキ
等の非磁性メッキ処理を施した後、Ｃｒ等の下地層を形
成し、次いでＣｏ系合金の磁性層を形成し、更に炭素質
の保護層を形成した磁気ディスクが使用されている。
【０００４】このような磁気ディスクにおいては、その
高記録密度化に伴い、記録再生時の磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さく
なっており、最近では０．１５μｍ以下程度となってい
る。
高記録密度化に伴い、記録再生時の磁気ディスクと磁気
ヘッドとの間隔、即ち磁気ヘッドの浮上量は益々小さく
なっており、最近では０．１５μｍ以下程度となってい
る。
【０００５】このように磁気ヘッドの浮上量が著しく小
さいことから、磁気ディスク表面に歪みがあるとヘッド
クラッシュを招き、磁気ディスク表面が傷付くことがあ
る。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小なう
ねりでも、情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なり易い。このため、表面に欠陥のない高品質な磁気デ
ィスクが要求されている。
さいことから、磁気ディスク表面に歪みがあるとヘッド
クラッシュを招き、磁気ディスク表面が傷付くことがあ
る。また、ヘッドクラッシュに至らないような微小なう
ねりでも、情報の読み書きの際の種々のエラーの原因と
なり易い。このため、表面に欠陥のない高品質な磁気デ
ィスクが要求されている。
【０００６】ところで、磁気ディスクの下地層及び磁性
層は、一般に、通過式の成膜装置を用い、ディスク状基
板をトレイに装着して搬送装置によって順次搬送するこ
とで形成されている。このような成膜装置では、成膜回
数が増加するにつれて、成膜装置内の非スパッタ領域や
トレイ等の搬送装置にスパッタ成膜時に生成した成膜成
分が付着して堆積してくる。そして、堆積した成膜成分
が絶縁破壊を起こして異常放電を起こすようになり、ス
パークを発し、放電が不安定になる。
層は、一般に、通過式の成膜装置を用い、ディスク状基
板をトレイに装着して搬送装置によって順次搬送するこ
とで形成されている。このような成膜装置では、成膜回
数が増加するにつれて、成膜装置内の非スパッタ領域や
トレイ等の搬送装置にスパッタ成膜時に生成した成膜成
分が付着して堆積してくる。そして、堆積した成膜成分
が絶縁破壊を起こして異常放電を起こすようになり、ス
パークを発し、放電が不安定になる。
【０００７】また、この堆積物が絶縁破壊を起こす際
に、破壊部分に過電流が流れ、溶融物質の塊が飛散し、
これが基板側の成膜部にパーティクルとして微小欠陥
（異常突起）を増加させる原因となる。更に、堆積物が
剥離して飛散し、これが基板側の成膜部に付着すること
によっても欠陥が発生する。
に、破壊部分に過電流が流れ、溶融物質の塊が飛散し、
これが基板側の成膜部にパーティクルとして微小欠陥
（異常突起）を増加させる原因となる。更に、堆積物が
剥離して飛散し、これが基板側の成膜部に付着すること
によっても欠陥が発生する。
【０００８】従って、従来の方法においては、スパッタ
成膜時に異常放電が増加してまた場合や、製品欠陥の発
生率が高くなってきた場合には、成膜装置内の非スパッ
タ領域やトレイ等の搬送装置に付着した絶縁性の堆積物
を定期的に除去する必要がある。
成膜時に異常放電が増加してまた場合や、製品欠陥の発
生率が高くなってきた場合には、成膜装置内の非スパッ
タ領域やトレイ等の搬送装置に付着した絶縁性の堆積物
を定期的に除去する必要がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置
に付着した絶縁性の堆積物を除去しても、パーティクル
付着が改善されない場合や、また、除去後、早期に製品
欠陥の発生に到る場合があった。
うに成膜装置内の非スパッタ領域やトレイ等の搬送装置
に付着した絶縁性の堆積物を除去しても、パーティクル
付着が改善されない場合や、また、除去後、早期に製品
欠陥の発生に到る場合があった。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、成膜
工程でのパーティクルの付着を防止して、欠陥のない高
品質の磁気記録媒体を歩留り良く製造する方法を提供す
ることを目的とする。
工程でのパーティクルの付着を防止して、欠陥のない高
品質の磁気記録媒体を歩留り良く製造する方法を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、基板上にスパッタ法により下地層及び磁性
層を順次形成して磁気記録媒体を製造する方法におい
て、下地層を形成するためのターゲット及び／又は磁性
層を形成するためのターゲットとして、表面粗さ（Ｒ
ａ）１０μｍ以上のターゲットを用いることを特徴とす
る。
製造方法は、基板上にスパッタ法により下地層及び磁性
層を順次形成して磁気記録媒体を製造する方法におい
て、下地層を形成するためのターゲット及び／又は磁性
層を形成するためのターゲットとして、表面粗さ（Ｒ
ａ）１０μｍ以上のターゲットを用いることを特徴とす
る。
【００１２】本発明者らは、成膜工程におけるパーティ
クル付着の原因について検討を行った結果、スパッタ法
による下地層及び磁性層の形成に用いるターゲットの非
エロージョン部表面に付着堆積した成膜成分がこれらの
原因となっていることを見出した。
クル付着の原因について検討を行った結果、スパッタ法
による下地層及び磁性層の形成に用いるターゲットの非
エロージョン部表面に付着堆積した成膜成分がこれらの
原因となっていることを見出した。
【００１３】即ち、これらのターゲットの非エロージョ
ン部表面に付着、堆積した成膜成分が剥離して基板上に
パーティクルとして付着することで製品欠陥が発生して
いる。
ン部表面に付着、堆積した成膜成分が剥離して基板上に
パーティクルとして付着することで製品欠陥が発生して
いる。
【００１４】本発明では、１０μｍ以上の表面粗さ（Ｒ
ａ）となるように表面処理したターゲットを用いる。こ
のように表面粗度の高いターゲットであれば、成膜中に
ターゲットの非エロージョン部に付着、堆積した成膜成
分のターゲットに対する密着力が大きいことから、この
成膜成分がターゲットから剥離し難い。
ａ）となるように表面処理したターゲットを用いる。こ
のように表面粗度の高いターゲットであれば、成膜中に
ターゲットの非エロージョン部に付着、堆積した成膜成
分のターゲットに対する密着力が大きいことから、この
成膜成分がターゲットから剥離し難い。
【００１５】従来ターゲットの表面粗さ（Ｒａ）は２μ
ｍ程度であり、このように表面平滑なターゲットでは、
付着、堆積した成膜成分が剥離し易く、パーティクル付
着による製品欠陥を引き起こし易い。
ｍ程度であり、このように表面平滑なターゲットでは、
付着、堆積した成膜成分が剥離し易く、パーティクル付
着による製品欠陥を引き起こし易い。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１７】本発明における磁気記録媒体の基板として
は、一般に、アルミニウム合金からなるディスク状基板
が用いられ、通常、該アルミニウム合金基板を所定の厚
さに加工した後、その表面を鏡面加工してから非磁性金
属、例えばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の
下地層を無電解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜
厚に形成する。次いで、上記基板の下地層上にテキスチ
ャ加工処理を施し、該基板表面に微細な溝又は凹凸を形
成する。このテキスチャ加工により磁気ヘッドと基板と
の吸着が防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁
気異方性が良好となる。
は、一般に、アルミニウム合金からなるディスク状基板
が用いられ、通常、該アルミニウム合金基板を所定の厚
さに加工した後、その表面を鏡面加工してから非磁性金
属、例えばＮｉ−Ｐ合金、又はＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等の
下地層を無電解メッキ処理等により約５〜２０μｍの膜
厚に形成する。次いで、上記基板の下地層上にテキスチ
ャ加工処理を施し、該基板表面に微細な溝又は凹凸を形
成する。このテキスチャ加工により磁気ヘッドと基板と
の吸着が防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁
気異方性が良好となる。
【００１８】このような処理を施した基板上に、下地層
（第２次下地層）及び磁性層を順次スパッタ法により形
成し、更に保護層を形成する。
（第２次下地層）及び磁性層を順次スパッタ法により形
成し、更に保護層を形成する。
【００１９】下地層としては、一般にＣｒ下地層が形成
され、その膜厚は通常５０〜２０００Åの範囲である。
従って、本発明において、下地層形成用ターゲットとし
ては、通常Ｃｒターゲットが用いられる。
され、その膜厚は通常５０〜２０００Åの範囲である。
従って、本発明において、下地層形成用ターゲットとし
ては、通常Ｃｒターゲットが用いられる。
【００２０】磁性層としては、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ
（ここでＸとしてはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ，Ａｕ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥ
ｕよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙
げられる。）等で表わされるＣｏ系合金の磁性金属薄膜
層が好適であり、その膜厚は通常２００〜２５００Åの
範囲である。従って、本発明において磁性層形成用ター
ゲットとしては通常Ｃｏ系合金ターゲットが用いられ
る。
ｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ
（ここでＸとしてはＬｉ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｒ，Ｎｉ，Ａｓ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐ
ｔ，Ａｕ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥ
ｕよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙
げられる。）等で表わされるＣｏ系合金の磁性金属薄膜
層が好適であり、その膜厚は通常２００〜２５００Åの
範囲である。従って、本発明において磁性層形成用ター
ゲットとしては通常Ｃｏ系合金ターゲットが用いられ
る。
【００２１】本発明においては、スパッタ法による下地
層及び磁性層の形成に当り、ターゲットとして、表面粗
さ（Ｒａ）が１０μｍ以上となるように表面処理を施し
たものを用いる。
層及び磁性層の形成に当り、ターゲットとして、表面粗
さ（Ｒａ）が１０μｍ以上となるように表面処理を施し
たものを用いる。
【００２２】このターゲットの表面処理方法としては、
ターゲットの表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍ以上となるよ
うな方法であれば良く、特に制限はないが、例えば、湿
式又は乾式のブラスト処理が有効である。ブラスト処理
に用いるブラスト材としては、例えば、ガラスビーズ、
アルミナビーズ等が挙げられ、ターゲットの種類に応じ
て、用いるブラスト材の粒径、噴付圧力等を適宜調整
し、ターゲット表面の表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍ以上
となるようにブラスト処理すれば良い。
ターゲットの表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍ以上となるよ
うな方法であれば良く、特に制限はないが、例えば、湿
式又は乾式のブラスト処理が有効である。ブラスト処理
に用いるブラスト材としては、例えば、ガラスビーズ、
アルミナビーズ等が挙げられ、ターゲットの種類に応じ
て、用いるブラスト材の粒径、噴付圧力等を適宜調整
し、ターゲット表面の表面粗さ（Ｒａ）が１０μｍ以上
となるようにブラスト処理すれば良い。
【００２３】なお、ターゲットの表面粗さ（Ｒａ）が過
度に粗いと、異常放電が発生する可能性がある。本発明
においては、ターゲットは、その表面粗さ（Ｒａ）が１
０〜５０μｍになるように表面処理するのが好ましい。
度に粗いと、異常放電が発生する可能性がある。本発明
においては、ターゲットは、その表面粗さ（Ｒａ）が１
０〜５０μｍになるように表面処理するのが好ましい。
【００２４】一般に、下地層形成用のＣｒターゲット又
は磁性層形成用のＣｏ系合金ターゲットを表面粗さ（Ｒ
ａ）１０〜５０μｍとするためのブラスト処理条件は、
次の通りである。
は磁性層形成用のＣｏ系合金ターゲットを表面粗さ（Ｒ
ａ）１０〜５０μｍとするためのブラスト処理条件は、
次の通りである。
【００２５】Ｃｒターゲット ブラスト材：粒径５０〜３００μｍ程度のガラスビーズ
或いは粒径５０〜３００μｍ程度のアルミナビーズ 噴付圧力：２．０〜８．０ｋｇ／ｃｍ2 ブラスト時間：１０〜１２０ｓｅｃＣｏ系合金ターゲット ブラスト材：粒径５０〜３００μｍ程度のガラスビーズ
或いは粒径５０〜３００μｍ程度のアルミナビーズ 噴付圧力：２．０〜８．０ｋｇ／ｃｍ2 ブラスト時間：１０〜１２０ｓｅｃ このようなターゲットを用いて下地層及び磁性層を形成
した後は、保護層として好ましくは炭素質膜が形成され
る。炭素質膜は、一般に、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス雰囲気
中でダイヤモンド状、グラファイト状又はアモルファス
状のカーボンをターゲットとするスパッタ法により磁性
層上に被着形成される。また、スパッタ雰囲気中に水
素、窒素、空気等を混入することにより水素化カーボン
膜、窒素化カーボン膜を形成しても良い。このようにし
て形成される保護層の膜厚は、通常１００〜１０００Å
の範囲とされる。
或いは粒径５０〜３００μｍ程度のアルミナビーズ 噴付圧力：２．０〜８．０ｋｇ／ｃｍ2 ブラスト時間：１０〜１２０ｓｅｃＣｏ系合金ターゲット ブラスト材：粒径５０〜３００μｍ程度のガラスビーズ
或いは粒径５０〜３００μｍ程度のアルミナビーズ 噴付圧力：２．０〜８．０ｋｇ／ｃｍ2 ブラスト時間：１０〜１２０ｓｅｃ このようなターゲットを用いて下地層及び磁性層を形成
した後は、保護層として好ましくは炭素質膜が形成され
る。炭素質膜は、一般に、Ａｒ、Ｈｅ等の希ガス雰囲気
中でダイヤモンド状、グラファイト状又はアモルファス
状のカーボンをターゲットとするスパッタ法により磁性
層上に被着形成される。また、スパッタ雰囲気中に水
素、窒素、空気等を混入することにより水素化カーボン
膜、窒素化カーボン膜を形成しても良い。このようにし
て形成される保護層の膜厚は、通常１００〜１０００Å
の範囲とされる。
【００２６】保護層形成後は、常法に従ってテープクリ
ーニングを行い、このテープクリーニング工程終了後
は、通常の場合、保護層の表面に潤滑剤層を設けて製品
とされる。この場合、潤滑剤としては、例えば、フッ素
系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層は、通常、ディップ
コート法、スピンコート法、スプレーコート法等により
保護層上に約１５〜５０Åの厚さに形成される。
ーニングを行い、このテープクリーニング工程終了後
は、通常の場合、保護層の表面に潤滑剤層を設けて製品
とされる。この場合、潤滑剤としては、例えば、フッ素
系液体潤滑剤が使用され、潤滑剤層は、通常、ディップ
コート法、スピンコート法、スプレーコート法等により
保護層上に約１５〜５０Åの厚さに形成される。
【００２７】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２８】実施例１，２、比較例１ 通過式成膜装置を用いて、基板ホルダーにディスク状ア
ルミニウム合金基板（Ｎｉ−Ｐメッキ層付きアルミニウ
ム基板）を装着し、スパッタ室に搬送してＣｒ下地層を
形成するに当り、Ｃｒターゲットとして各々下記のもの
を用い、スパッタ電圧１．０ｋｗでスパッタを行った。
ルミニウム合金基板（Ｎｉ−Ｐメッキ層付きアルミニウ
ム基板）を装着し、スパッタ室に搬送してＣｒ下地層を
形成するに当り、Ｃｒターゲットとして各々下記のもの
を用い、スパッタ電圧１．０ｋｗでスパッタを行った。
【００２９】実施例１：不二精機製造所製ブラスト装置
「液体ホーニング装置」による液体ホーニング式ブラス
ト処理（ブラスト材：粒径１５０μｍのガラスビーズ，
噴付圧力：４．０ｋｇ／ｃｍ2 ，処理時間：６０秒）で
表面粗さ（Ｒａ）１０μｍとしたＣｒターゲット 実施例２：不二精機製造所製ブラスト装置「液体ホーニ
ング」による液体ホーニング式ブラスト処理（ブラスト
材：粒径６０μｍのガラスビーズ，噴付圧力：６．０ｋ
ｇ／ｃｍ2 ，処理時間：１００秒）で表面粗さ（Ｒａ）
５０μｍとしたＣｒターゲット 比較例１：ブラスト処理を行っていない表面粗さ（Ｒ
ａ）２μｍのＣｒターゲット このときのスパッタ時間に対する成膜基板上のパーティ
クル数の増加状況を調べ、結果を図１に示した。
「液体ホーニング装置」による液体ホーニング式ブラス
ト処理（ブラスト材：粒径１５０μｍのガラスビーズ，
噴付圧力：４．０ｋｇ／ｃｍ2 ，処理時間：６０秒）で
表面粗さ（Ｒａ）１０μｍとしたＣｒターゲット 実施例２：不二精機製造所製ブラスト装置「液体ホーニ
ング」による液体ホーニング式ブラスト処理（ブラスト
材：粒径６０μｍのガラスビーズ，噴付圧力：６．０ｋ
ｇ／ｃｍ2 ，処理時間：１００秒）で表面粗さ（Ｒａ）
５０μｍとしたＣｒターゲット 比較例１：ブラスト処理を行っていない表面粗さ（Ｒ
ａ）２μｍのＣｒターゲット このときのスパッタ時間に対する成膜基板上のパーティ
クル数の増加状況を調べ、結果を図１に示した。
【００３０】実施例３，４、比較例２ 通過式成膜装置を用いて、基板ホルダーにディスク状ア
ルミニウム合金基板（Ｎｉ−Ｐメッキ層付きアルミニウ
ム基板）を装着し、スパッタ室に搬送してＣｏ系合金磁
性層を形成するに当り、Ｃｏ系合金（Ｃｏ−１２ａｔ％
Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ）ターゲットとして各々下記のもの
を用い、スパッタ電圧１．０ｋｗでスパッタを行った。
ルミニウム合金基板（Ｎｉ−Ｐメッキ層付きアルミニウ
ム基板）を装着し、スパッタ室に搬送してＣｏ系合金磁
性層を形成するに当り、Ｃｏ系合金（Ｃｏ−１２ａｔ％
Ｃｒ−２ａｔ％Ｔａ）ターゲットとして各々下記のもの
を用い、スパッタ電圧１．０ｋｗでスパッタを行った。
【００３１】実施例３：不二精機製造所製ブラスト装置
「液体ホーニング」による液体ホーニング式ブラスト処
理（ブラスト材：粒径１５０μｍのガラスビーズ，噴付
圧力：４．０ｋｇ／ｃｍ2 ，処理時間：６０秒）で表面
粗さ（Ｒａ）１０μｍとしたＣｏ系合金ターゲット 実施例４：不二精機製造所製ブラスト装置「液体ホーニ
ング」による液体ホーニング式ブラスト処理（ブラスト
材：粒径６０μｍのガラスビーズ，噴付圧力：６．０ｋ
ｇ／ｃｍ2 ，処理時間：１００秒）で表面粗さ（Ｒａ）
５０μｍとしたＣｏ系合金ターゲット 比較例２：ブラスト処理を行っていない表面粗さ（Ｒ
ａ）２μｍのＣｏ系合金ターゲット このときのスパッタ時間に対する成膜基板上のパーティ
クル数の増加状況を調べ、結果を図２に示した。
「液体ホーニング」による液体ホーニング式ブラスト処
理（ブラスト材：粒径１５０μｍのガラスビーズ，噴付
圧力：４．０ｋｇ／ｃｍ2 ，処理時間：６０秒）で表面
粗さ（Ｒａ）１０μｍとしたＣｏ系合金ターゲット 実施例４：不二精機製造所製ブラスト装置「液体ホーニ
ング」による液体ホーニング式ブラスト処理（ブラスト
材：粒径６０μｍのガラスビーズ，噴付圧力：６．０ｋ
ｇ／ｃｍ2 ，処理時間：１００秒）で表面粗さ（Ｒａ）
５０μｍとしたＣｏ系合金ターゲット 比較例２：ブラスト処理を行っていない表面粗さ（Ｒ
ａ）２μｍのＣｏ系合金ターゲット このときのスパッタ時間に対する成膜基板上のパーティ
クル数の増加状況を調べ、結果を図２に示した。
【００３２】図１，２より、表面粗さ（Ｒａ）が１０μ
ｍ以上に表面処理されたターゲットを用いることによ
り、得られる成膜基板上のパーティクル数を低減するこ
とができ、エラーの少ない高品質の磁気記録媒体を歩留
り良く製造することができることがわかる。
ｍ以上に表面処理されたターゲットを用いることによ
り、得られる成膜基板上のパーティクル数を低減するこ
とができ、エラーの少ない高品質の磁気記録媒体を歩留
り良く製造することができることがわかる。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒
体の製造方法によれば、下地層や磁性層の成膜工程での
パーティクル付着を防止して、欠陥のない高品質の磁気
記録媒体を歩留り良く製造することができる。
体の製造方法によれば、下地層や磁性層の成膜工程での
パーティクル付着を防止して、欠陥のない高品質の磁気
記録媒体を歩留り良く製造することができる。
【図１】実施例１，２及び比較例１におけるパーティク
ル数の増加状況を示すグラフである。
ル数の増加状況を示すグラフである。
【図２】実施例３，４及び比較例２におけるパーティク
ル数の増加状況を示すグラフである。
ル数の増加状況を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にスパッタ法により下地層及び磁
性層を順次形成して磁気記録媒体を製造する方法におい
て、 下地層を形成するためのターゲット及び／又は磁性層を
形成するためのターゲットとして、表面粗さ（Ｒａ）１
０μｍ以上のターゲットを用いることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、下地層を形成するた
めのターゲットがＣｒターゲットであることを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、磁性層を形成
するためのターゲットがＣｏ系合金ターゲットであるこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20991196A JPH1055538A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20991196A JPH1055538A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055538A true JPH1055538A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=16580701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20991196A Pending JPH1055538A (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1055538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1314795A1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-05-28 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target producing few particles |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP20991196A patent/JPH1055538A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1314795A1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-05-28 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target producing few particles |
| EP1314795B1 (en) * | 2000-08-25 | 2005-07-20 | Nikko Materials Co., Ltd. | Sputtering target producing few particles |
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