JP4961157B2 - 成膜装置及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
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Description
非導電性の基板に対しバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置であって、少なくとも一の非導電性の基板を保持する基台と、バイアス印加用端子を有しこのバイアス印加用端子を非導電性の基板上に成膜された導電性膜に接触させることによってこの導電性膜にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段とを備え、バイアス印加用端子は、温度に応じて形状が変化する部材によって形成されており、温度変化による変形によって、基台上に保持された非導電性の基板に接離することを特徴とするものである。
構成1を有する成膜装置において、バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材は、形状記憶合金であることを特徴とするものである。
構成1を有する成膜装置において、バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材は、バイメタルであることを特徴とするものである。
構成1乃至構成3のいずれか一を有する成膜装置において、バイアス印加用端子は、成膜に伴う温度上昇によって変形して、基台上に保持された非導電性の基板に接触するとともに、成膜の終了に伴う温度降下によって変形して、基台上に保持された非導電性の基板より離間することを特徴とするものである。
構成1乃至構成3のいずれか一を有する成膜装置において、バイアス印加用端子の温度を制御する温度制御手段を備え、バイアス印加用端子は、成膜中に温度制御手段により温度が上昇されることによって変形して、基台上に保持された非導電性の基板に接触するとともに、成膜の終了後に温度制御手段により温度が降下されることによって変形して、基台上に保持された非導電性の基板より離間することを特徴とするものである。
構成1乃至構成3のいずれか一を有する成膜装置において、バイアス印加用端子に電流を供給する電流供給手段を備え、バイアス印加用端子は、成膜中に電流供給手段により電流を供給されて温度上昇することによって変形して、基台上に保持された非導電性の基板に接触するとともに、成膜の終了後に電流供給手段による電流供給が遮断されて温度が降下されることによって変形して、基台上に保持された非導電性の基板より離間することを特徴とするものである。
構成1乃至構成6のいずれか一を有する成膜装置において、基板としてディスク基板を用い、このディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜することを特徴とするものである。
非磁性及び非導電性のディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜する磁気ディスクの製造方法であって、ディスク基板を基台上に保持させる工程と、真空チャンバ内において基台上に保持されたディスク基板上に導電性膜を成膜する工程と、真空チャンバ内においてバイアス印加手段のバイアス印加用端子を変形させることによりこのバイアス印加用端子をディスク基板上に成膜された導電性膜に接触させる工程と、真空チャンバ内においてバイアス印加手段によりバイアス印加用端子を介して導電性膜にバイアス電圧を印加しつつ該導電性膜上に磁性層及び保護層を順次成膜する工程とを有し、バイアス印加部材として、温度に応じて形状が変化する部材によって形成され温度変化による変形によって基台上に保持された非導電性の基板に接離するものを用いることを特徴とするものである。
構成8を有する磁気ディスクの製造方法において、バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材として、形状記憶合金を用いることを特徴とするものである。
構成8を有する磁気ディスクの製造方法において、バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材として、バイメタルを用いることを特徴とするものである。
構成8乃至構成10のいずれか一を有する磁気ディスクの製造方法において、バイアス印加用端子を、成膜に伴う温度上昇によって変形させて、基台上に保持された非導電性の基板に接触させるとともに、成膜の終了に伴う温度降下によって変形させて、基台上に保持された非導電性の基板より離間させることを特徴とするものである。
構成8乃至構成10のいずれか一を有する磁気ディスクの製造方法において、バイアス印加用端子の温度を制御する温度制御手段を用いて、バイアス印加用端子を、成膜中に温度上昇させることによって変形させて、基台上に保持された非導電性の基板に接触させるとともに、成膜の終了後に温度降下させることによって変形させて、基台上に保持された非導電性の基板より離間させることを特徴とするものである。
構成8乃至構成10のいずれか一を有する磁気ディスクの製造方法において、バイアス印加用端子に電流を供給する電流供給手段を用いて、バイアス印加用端子を、成膜中に電流を供給して温度上昇させることによって変形させて、基台上に保持された非導電性の基板に接触させるとともに、成膜の終了後に電流供給を遮断して温度降下させることによって変形させて、基台上に保持された非導電性の基板より離間させることを特徴とするものである。
図1は、本発明に係る磁気ディスクの製造方法によって製造される磁気ディスクの構成を示す平面図(a)及び断面図(b)である。
図2は、本発明に係る成膜装置における回転搬送型の枚葉式反応チャンバの構成を示す平面図(a)及び直線搬送型の枚葉式反応チャンバの構成を示す平面図(b)である。
図3は、本発明に係る成膜装置における基台の構成を示す平面図である。
形状記憶合金は、一般に、所望の形状として高熱処理を施すことにより、このときの形状を記憶することができ、常温において変形させても、いわゆる変態温度(Af)に加熱すると、元の所望の形状に戻る性質を有する。このような形状記憶合金としては、例えば、NiTiCu線材等を用いることができる。また、バイメタルは、熱膨張係数の異なる2つの金属合金を貼り合わせたもので、温度変化により、各金属合金の熱膨張の差によって生ずる応力によって、変形(反り)を生ずるようになっている。
この実施の形態においては、磁性層3の成膜時に、基台6によって保持されている複数枚のディスク基板1に対し、同時にDCバイアスを印加させることが可能であり、高記録密度に対応した磁気ディスクを良好な生産性において製造することができる。
前述のように構成された基台6を用いて、非導電性のディスク基板(ガラス基板)1の表面に下地層2(第1の下地層(GIF層)2a及び第2の下地層(UL層)2b)、磁性層3(いわゆるAFC構造を有する場合は、スペーサにより分割された複数の磁性層)を成膜するにあたっては、まず、精密研磨及び化学強化処理を施した1.0インチ型磁気ディスク用のディスク基板1を、基台6により保持させる。なお、磁気ディスクは、ディスク基板の両面に同様の構成を有するが、ここでは、一方の面のみについて説明する。
比較例(1)として、第2の下地層2b及び磁性層3の成膜をDCバイアスを印可せずに行い、他は前述の実施例と同様にして、磁気ディスクを作成した。
図7は、本発明に係る磁気ディスクの製造方法におけるDCバイアスの効果として、保持力との関係(a)及びSN比との関係(b)を示すグラフである。
2 下地層
2a 第1の下地層
2b 第2の下地層
3 磁性層
4 保護層
5 潤滑層
6 基台
6a 基台本体
7 第1のターゲット
8 第2のターゲット
9 第3のターゲット
13 バイアス印加用端子
14 バイアス印加部材
15 扞部
16 直流電圧供給端子
17 導線
Claims (13)
- 非導電性の基板に対し、バイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置であって、
少なくとも一の非導電性の基板を保持する基台と、
バイアス印加用端子を有し、このバイアス印加用端子を前記非導電性の基板上に成膜された導電性膜に接触させることによって、この導電性膜にバイアス電圧を印加するバイアス印加手段と
を備え、
前記バイアス印加用端子は、温度に応じて形状が変化する部材によって形成されており、温度変化による変形によって、前記基台上に保持された非導電性の基板に接離する
ことを特徴とする成膜装置。 - 前記バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材は、形状記憶合金である
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材は、バイメタルである
ことを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記バイアス印加用端子は、成膜に伴う温度上昇によって変形して、前記基台上に保持された非導電性の基板に接触するとともに、成膜の終了に伴う温度降下によって変形して、前記基台上に保持された非導電性の基板より離間する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の成膜装置。 - 前記バイアス印加用端子の温度を制御する温度制御手段を備え、
前記バイアス印加用端子は、成膜中に前記温度制御手段により温度が上昇されることによって変形して、前記基台上に保持された非導電性の基板に接触するとともに、成膜の終了後に前記温度制御手段により温度が降下されることによって変形して、前記基台上に保持された非導電性の基板より離間する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の成膜装置。 - 前記バイアス印加用端子に電流を供給する電流供給手段を備え、
前記バイアス印加用端子は、成膜中に前記電流供給手段により電流を供給されて温度上昇することによって変形して、前記基台上に保持された非導電性の基板に接触するとともに、成膜の終了後に前記電流供給手段による電流供給が遮断されて温度が降下されることによって変形して、前記基台上に保持された非導電性の基板より離間する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の成膜装置。 - 前記基板としてディスク基板を用い、このディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の成膜装置。 - 非磁性及び非導電性のディスク基板上に下地層、磁性層及び保護層を順次成膜する磁気ディスクの製造方法であって、
前記ディスク基板を、基台上に保持させる工程と、
真空チャンバ内において、前記基台上に保持されたディスク基板上に導電性膜を成膜する工程と、
前記真空チャンバ内において、バイアス印加手段のバイアス印加用端子を変形させることにより、このバイアス印加用端子を前記ディスク基板上に成膜された導電性膜に接触させる工程と、
前記真空チャンバ内において、前記バイアス印加手段により、前記バイアス印加用端子を介して前記導電性膜にバイアス電圧を印加しつつ、該導電性膜上に磁性層及び保護層を順次成膜する工程と
を有し、
前記バイアス印加部材として、温度に応じて形状が変化する部材によって形成され温度変化による変形によって前記基台上に保持された非導電性の基板に接離するものを用いる
ことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。 - 前記バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材として、形状記憶合金を用いる
ことを特徴とする請求項8記載の磁気ディスクの製造方法。 - 前記バイアス印加用端子をなす温度に応じて形状が変化する部材として、バイメタルを用いる
ことを特徴とする請求項8記載の磁気ディスクの製造方法。 - 前記バイアス印加用端子を、成膜に伴う温度上昇によって変形させて、前記基台上に保持された非導電性の基板に接触させるとともに、成膜の終了に伴う温度降下によって変形させて、前記基台上に保持された非導電性の基板より離間させる
ことを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一に記載の磁気ディスクの製造方法。 - 前記バイアス印加用端子の温度を制御する温度制御手段を用いて、前記バイアス印加用端子を、成膜中に温度上昇させることによって変形させて、前記基台上に保持された非導電性の基板に接触させるとともに、成膜の終了後に温度降下させることによって変形させて、前記基台上に保持された非導電性の基板より離間させる
ことを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一に記載の磁気ディスクの製造方法。 - 前記バイアス印加用端子に電流を供給する電流供給手段を用いて、前記バイアス印加用端子を、成膜中に電流を供給して温度上昇させることによって変形させて、前記基台上に保持された非導電性の基板に接触させるとともに、成膜の終了後に電流供給を遮断して温度降下させることによって変形させて、前記基台上に保持された非導電性の基板より離間させる
ことを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一に記載の磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006094722A JP4961157B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 成膜装置及び磁気ディスクの製造方法 |
PCT/JP2007/056721 WO2007114190A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-03-28 | 成膜装置及び磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006094722A JP4961157B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 成膜装置及び磁気ディスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007270189A JP2007270189A (ja) | 2007-10-18 |
JP4961157B2 true JP4961157B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=38563459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006094722A Expired - Fee Related JP4961157B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 成膜装置及び磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4961157B2 (ja) |
WO (1) | WO2007114190A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2926740B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1999-07-28 | ソニー株式会社 | 薄膜形成装置 |
JPH06264237A (ja) * | 1993-03-16 | 1994-09-20 | Ulvac Japan Ltd | 磁気記録体の製造装置の基板ホルダー |
JP3783106B2 (ja) * | 1994-03-07 | 2006-06-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成方法および装置 |
JPH08138225A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 |
JP3002632B2 (ja) * | 1995-06-22 | 2000-01-24 | ホーヤ株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び基板ホルダ |
US6228429B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-05-08 | Intevac, Inc. | Methods and apparatus for processing insulating substrates |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006094722A patent/JP4961157B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2007
- 2007-03-28 WO PCT/JP2007/056721 patent/WO2007114190A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007114190A1 (ja) | 2007-10-11 |
JP2007270189A (ja) | 2007-10-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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