KR100797872B1 - 자기 디스크, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 재배치하지 않고 바이어스 전압을 인가하여, 균일한 보자력 분포를 얻을 수 있어 고기록밀도화가 가능한 자기 디스크, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

하지층을 형성하는 공정에서 절연성 기판(11)을 도전성 재료로 이루어지는 지지 스프링(43)에 의해 지지하여 하지층을 형성하고, 기록층을 형성하는 공정에서 이 지지 상태 그대로 가동 전극(45)을 절연성 기판의 단부면(11a)에 접촉시켜 스퍼터법에 의해 바이어스 전압을 공급하면서 기록층을 형성한다. 하지층은 기판(11)의 단부면에도 형성되어 있기 때문에 가동 전극(45)과 하지층의 전기적인 도통이 양호하며, 또한 하지층의 형성시에 기판 표면에 형성되는 하지층과 지지 스프링(43)의 접촉부 일부를 가교하도록 하지층이 형성되기 때문에, 지지 스프링(43)과 하지층은 전기적으로 도통하는 상태가 된다. 하지층에는 가동 전극(45) 및 지지 스프링(43)을 통해 바이어스 전압이 급전된다.

Description

자기 디스크, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치{MAGNETIC DISK, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND MAGNETIC RECORDING DEVICE}

도 1은 종래의 바이어스 인가 기구를 설명하기 위한 도면이다.

도 2는 본 발명에 따른 제조 방법에 의해 형성되는 자기 디스크의 일례를 도시하는 주요부 단면도이다.

도 3은 자기 디스크의 제조 장치의 개략도이다.

도 4는 본 발명에 따른 제조 방법에 이용되는 진공 처리실의 구성도이다.

도 5는 본 발명의 제1 예에 따른 기판 홀더의 정면도로서, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다.

도 6은 지지 스프링의 접촉부와 하지층의 접촉 모습을 설명하기 위한 도면이다.

도 7은 본 발명의 제2 예에 따른 기판 홀더의 정면도로서, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다.

도 8은 본 발명의 제3 예에 따른 기판 홀더의 정면도로서, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태 를 도시한 도면이다.

도 9는 본 발명의 제4 예에 따른 기판 홀더의 정면도이다.

도 10은 본 발명의 제5 예에 따른 기판 홀더의 정면도로서, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다.

도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 자기 기억 장치의 주요부를 도시한 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 : 자기 디스크

11 : 기판

11a : 단부면

12 : 하지층

13 : 자성층

14 : 보호막

20 : 제조 장치

21 : 로드록실

22A∼22D : 진공 처리실

23 : 언로드록실

24 : 반송 기구

25 : 게이트 밸브

26 : 바이어스 인가 전원

28 : 가이드판

30 : 가스 공급 기구

31 : 가스 배기 기구

32 : 타겟

33 : 타겟 홀더

34 : 캐소드

35 : 스퍼터 전원

36 : 절연재

37 : 플라즈마 발생부

40, 50, 60, 70 : 기판 홀더

41, 51 : 홀더 도전부

41a : 개구부

42 : 홀더 절연부

43 : 지지 스프링(지지 부재)

45, 52 : 가동 전극

46, 53 : 전극 막대

48, 54, 61, 71 : 접촉 단자

48a : 접촉부

49 : 스프링

53b : 지지점

53c : 판스프링부

56 : 베어링

본 발명은 자기 디스크, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치에 관한 것으로, 특히 기판에 바이어스 전압을 인가하여 자성층 등을 형성하는 자기 디스크의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 자기 기억 장치는 고화질의 디지털 정지 화상이나 동화상 기록에 이용되게 되어, 대용량화 및 고기록밀도화가 요구되고 있다. 자기 기억 장치, 특히 자기 디스크 장치는 고속 액세스성을 가지며, 또한 소형 경량이기 때문에 가정용 음향 화상 기억 장치나, 휴대 단말기에 내장되게 되어 있다.

이러한 상황 하에서 자기 디스크 장치에 이용되는 자기 디스크는 고기록밀도화를 꾀하기 위해서 자성층의 고보자력화나 박막화가 진행되고 있다. 고기록밀도로 되는 만큼 자성층의 자화를 부정하는 방향으로 생기는 반자계가 증대한다. 반자계에 대항하기 위해서 자성층의 고보자력화가 필요해진다. 또한, 자성층의 두께가 클수록 반자계가 크기 때문에 자성층의 박막화가 필요해진다.

또한, 휴대 단말기로서 이용되는 경우는, 휴대시에 자기 디스크 장치에 진동이나 충격이 가해지는 일이 많아진다. 종래, 자기 디스크의 기판으로서는 알루미 늄 합금 기판이 주류였다. 그러나, 알루미늄 합금 기판은 기록 재생 동작시에 충격이 가해지면 자기 헤드가 자기 디스크의 표면에 충돌하여 함몰 등의 손상을 받기 쉽다. 그래서, 알루미늄 합금 기판보다도 고탄성율의 유리 기판이 이용되게 되었다.

그런데, 자기 디스크는 자기 디스크를 구성하는 각 층이 스퍼터법이나 플라즈마 CVD(화학적 기상 성장)법을 이용하여 성막된다. 예컨대 스퍼터법에 의해 자성층을 성막하는 경우는, 기판의 양면에 성막하기 위해서 기판을 연직으로 세워서 지지하는 기판 홀더가 이용되고 있다(예컨대, 특허 문헌 1 또는 2 참조). 기판은 그 바깥 가장자리의 단부면이 기판 홀더의 발톱형 지지 부재에 의해 걸려 유지된다. 이와 같이 지지된 상태로 진공 처리실 내에서 타겟에 Ar 이온 등을 충돌시켜, 튀어나온 금속 입자를 하지층이 형성된 비자성 기판 상에 형성한다. 이 때, 금속 입자는 플러스로 대전되기 때문에, 비자성 기판에 마이너스 전압의 바이어스를 인가하여 금속 입자를 가속시킨다. 이와 같이 가속시킴으로써 자성층의 보자력이 증가하는 것이 알려져 있다.

그런데, 특허 문헌 1에서는 기판 홀더의 발톱형 지지 부재를 통해 바이어스를 인가하고 있다. 기판이 절연성인 경우는, 지지 부재와 하지층과의 접촉을 양호하게 하기 위해서 자성층을 성막하기 전에 기판을 회전시켜 지지 부재가 접촉하는 단부면의 위치를 바꾸는 변환 기구를 설치하고 있다.

또한, 특허 문헌 2에서는 도 1에 도시한 바와 같이 기판(101)을 지지 부재(103)에 의해 걸려 유지되게 하고, 기판(101)의 아래쪽 단부면에 바이어스 인가용 단자(104)를 접촉시켜 바이어스를 인가하는 기판 홀더(100)가 제안되어 있다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성7-243037호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평성9-7174호 공보

그러나, 특허 문헌 1에서는 기판을 회전시키는 변환 기구를 진공 처리실 내에서 행하기 때문에, 변환 기구를 설치하기 위한 진공 처리실이 여분으로 하나가 필요해진다. 진공 처리실의 비용은 수천 만 엔으로 제조비용에 영향을 준다. 또한, 제조 스페이스 상의 제약에 의해 진공 처리실을 늘릴 수 없는 경우는, 성막할 수 있는 층이 한층 감소하여 자기 디스크의 설계상의 제약이 된다. 또한, 변환부에서는 기판을 떼어내서 회전시키고, 또한 지지 부재에 걸어 유지하는 조작이 필요해져 유지 불량이나 기판을 떨어뜨리는 등의 문제가 생길 우려가 있다.

또한, 특허 문헌 2에서는 도 1에 도시한 바와 같이 바이어스 인가용 단자(104)가 가로 막대(105)에 의해 밀어 올려지고, 접촉부(104a)가 기판(101)의 아래쪽에 접촉하여 바이어스가 인가된다. 이 기판 홀더(100)에서는 바이어스 전압이 급전되는 개소는 접촉부(104a)뿐이기 때문에, 하지막 등의 박막화에 의해 바이어스 전압이 자기 디스크의 면내에서 불균일해 질 우려가 있다. 그 결과, 자기 디스크의 면내에서 균일한 보자력 분포를 얻을 수 없게 된다고 하는 문제가 있다.

그래서, 본 발명은 상기 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 기판을 재배치하지 않고 바이어스 전압을 인가하여, 균일한 보자력 분포를 얻을 수 있어 고기록밀도화가 가능한 자기 디스크, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치 를 제공하는 것이다.

본 발명의 한 관점에 따르면, 도전성 기판 홀더에 도전성 재료로 이루어지는 복수의 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지하여, 이 절연성 기판의 표면에 도전층을 형성하는 제1 공정과, 스퍼터법에 의해 상기 도전층에 마이너스의 바이어스 전압을 공급하면서 상기 도전층 상에 기록층을 형성하는 제2 공정을 포함하는 자기 디스크의 제조 방법으로서, 상기 제2 공정은 상기 제1 공정에서 상기 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지한 상태로, 가동 전극을 절연성 기판의 단부면 상의 도전층에 접촉시키고, 상기 가동 전극 및 기판 지지 부재를 통해 도전층에 바이어스 전압을 공급하면서 기록층을 퇴적하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크의 제조 방법이 제공된다.

본 발명에 따르면, 제1 공정에서 절연성 기판을 도전성 재료로 이루어지는 복수의 지지 부재에 의해 지지하여 도전층을 형성한다. 이 지지 상태 그대로 제2 공정에서 가동 전극을 절연성 기판의 단부면에 접촉시켜 바이어스 전압을 공급하여 스퍼터법에 의해 기록층을 형성한다. 도전층은 절연성 기판의 단부면에도 형성되어 있기 때문에, 가동 전극과 도전층의 전기적인 도통은 양호하다. 또한, 도전층의 형성시에 도전층이 절연성 기판과 지지체의 접촉 부분의 일부를 가교하도록 형성되기 때문에, 지지체와 도전층은 전기적으로 도통 상태가 된다. 따라서, 도전층에는 가동 전극 및 복수의 지지 부재를 통해 도전층의 전체에 걸쳐 균일한 바이어스 전압이 공급된다. 이와 같이 하여 바이어스 전압을 공급함으로써, 균일한 보자 력 분포를 갖는 기록층이 형성되는 것을 기대할 수 있다. 그 결과, 자기 디스크의 고기록밀도화가 가능해진다. 또한, 복수의 개소에서 바이어스 전압이 공급됨으로써, 이상 방전의 발생을 억제하고, 이상 방전의 발생으로 인한 결함의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 수율이 향상되는 것을 기대할 수 있다.

또한, 종래 기술란에서 설명한 바와 같이, 기록층을 형성하기 전에 기판을 재배치하도록 회전시키는 처리를 본 발명의 제조 방법에서는 행하지 않기 때문에, 그 처리를 위한 설비 비용을 필요로 하지 않는다. 따라서, 본 발명의 제조 방법은 제조비용을 줄일 수 있다.

상기 가동 전극은 전극체와, 이 전극체의 선단부에 설치된 접촉 단자와, 전극 스프링을 가지며, 상기 제1 공정에서 상기 전극 스프링이 스프링 힘을 작용시켜 접촉 단자를 상기 단부면으로부터 격리시키고, 상기 제2 공정에서 상기 가동 전극을 전극 스프링의 스프링 힘의 방향에 거스르는 방향으로 압박하여 상기 접촉 단자를 단부면 상의 도전층에 접촉시켜도 좋다. 이와 같이 배치함으로써, 자성층의 보자력이 한층 더 균일화되는 것을 기대할 수 있다. 가동 전극에 전극 스프링을 설치하여, 바이어스 전압을 공급하지 않는 경우는 스프링 힘을 이용하여 가동 전극을 기판의 단부면으로부터 떨어지도록 한다. 간단한 기구로 기판의 단부면과의 비접촉 동작을 행할 수 있다.

상기 가동 전극은 절연성 기판의 상측에 배치되어, 진공 처리실 내에 설치된 압박 수단에 의해 상기 가동 전극을 아래쪽으로 압박하여 절연성 기판의 상측 단부면의 도전층에 접촉 단자를 접촉시키도록 하여도 좋다. 압박 수단을 비교적 공간 적인 제약이 적은 진공 처리실 내의 상부에 설치할 수 있다.

또한, 상기 가동 전극이 단부면에 접촉할 때에, 상기 접촉 단자가 기판의 둘레 방향에 힘을 인가하여 절연성 기판을 회전시켜, 지지 스프링과 단부면의 접촉 위치를 이동시켜도 좋다. 접촉 위치를 어긋나게 함으로써 기판의 단부면에 형성된 도전층과 가동 전극과의 접촉을 보다 양호하게 할 수 있다.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 절연성 기판과, 상기 절연성 기판상에 도전층과 기록층을 구비하는 자기 디스크로서, 전술한 것 중 어느 하나에 따른 제조 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 디스크가 제공된다.

본 발명에 따르면, 자기 디스크는 기록층이 균일한 보자력 분포를 갖는 것이 기대되고, 그 결과, 고기록밀도화가 가능한 자기 디스크가 실현된다. 또한, 자기 디스크는 결함의 발생이 억제되고, 수율이 양호한 것을 기대할 수 있다.

본 발명의 그 밖의 관점에 따르면, 상기한 자기 디스크와 기록 재생 수단을 구비하는 자기 기억 장치가 제공된다.

본 발명에 따르면, 자기 디스크는 고기록밀도화가 가능하고, 또한, 수율도 양호한 것을 기대할 수 있기 때문에, 대용량으로 제조비용이 저렴한 자기 기억 장치를 실현할 수 있다.

이하 도면을 참조하면서 실시 형태를 설명한다.

(제1 실시 형태)

도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 제조 방법에 의해 형성되는 자기 디스크의 일례의 단면도이다.

도 2를 참조하면, 자기 디스크(10)는 기판(11)과, 그 기판(11) 상에 하지층(12), 기록층(13), 보호막(14)이 순차 퇴적된 구성으로 이루어진다.

기판(11)은 디스크형의 비자성 절연성 재료, 예컨대 유리 기판, 플라스틱 기판, 세라믹 기판 등이 이용된다. 기판(11)은 그 표면에 요철, 소위 텍스쳐가 형성되어 있어도 좋다. 텍스쳐로서는 레이저 텍스쳐나 미케니컬 텍스쳐를 들 수 있다. 기판(11)은 그 둘레 방향을 따라 가늘고 긴 다수의 홈으로 이루어지는 미케니컬 텍스쳐가 형성되어 있을 수도 있다.

하지층(12)은 비자성의 Cr, Cr-X 합금(X = Mo, W, V, B, Mo 및 이들 합금으로부터 선택되는 1종)으로부터 선택된다. 하지층(12)은 예컨대 Cr, CrMo, CrW를 들 수 있다. 이러한 하지층(12)을 마련함으로써, 자성층의 자화 용이 축 방향(easy magnetization direction)을 기판(11)과 평행한 방향, 소위 면내 방향으로 배향시킬 수 있다. 하지층(12)은 도전성이며 기록층을 형성할 때에 바이어스 전압이 공급된다.

기록층(13)은 Co, Ni, Fe, Co계 합금, Ni계 합금, Fe계 합금 등의 강자성 재료로부터 선택되고, Co계 합금 중, 특히 CoCr, CoCr계 합금, CoCrTa, CoCrTa계 합금 및 CoCrPt, CoCrPt계 합금이 바람직하다. 기록층(13)은 2개의 강자성층 각각의 자화가 강자성층에 끼워진 비자성 결합층을 통해 반강자성적으로 결합하는 구조를 갖더라도 좋다.

보호막(14)은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 비정질 카본이나, 수소화 카본, 질화 카본 등으로부터 선택된다. 보호막(14)은 스퍼터법이나 플라즈마 CVD법에 의 해 형성된다. 플라즈마 CVD법에 의해 보호막을 형성할 때는, 자성층과 마찬가지로 바이어스 전압이 공급된다. 바이어스 전압을 공급하여 성막함으로써 치밀한 막 품질의 보호막이 형성된다.

또, 도시는 생략하지만, 기판(11)과 하지층(12) 사이에 1층 혹은 2층 이상의 금속 재료로 이루어지는 시드층을 형성해도 좋다. 시드층은 도전성을 가지며, 자성층(13)이나 보호막(14)을 바이어스 전압을 공급하여 형성할 때에, 하지층(12)과 마찬가지로 도전층으로서 바이어스 전압이 인가된다. 또한, 나중에 자세히 설명하지만, 도 2에 도시한 바와 같이, 기판(11)의 바깥 가장자리부의 단부면(11a)에도 하지층(12), 자성층(13), 보호막(14)이 형성된다.

다음에 제1 실시 형태에 따른 자기 디스크의 제조 방법을 설명한다.

도 3은 자기 디스크의 제조 장치의 개략도이다. 도 3을 참조하면, 제조 장치(20)는 로드록실(21), 진공 처리실(22A∼22C), 언로드록실(23)로 이루어지고, 각각 서로 게이트 밸브(25)에 의해 격리되어 있다. 또한, 제조 장치(20)에는 기판(11)을 지지하는 기판 홀더(40), 기판 홀더(40)를 로드록실(21)로부터 진공 처리실(22A∼22C)을 통해 언로드록실(23)에 반송하는 반송 기구(24)가 설치되고, 또한, 도시되어 있지 않지만, 제조 장치(20)에는 가스 공급 기구 및 배기 기구가 설치된다.

최초로, 카트리지 등에 충전된 기판(11)이 제조 장치(20)에 공급된다. 로드록실(21)에 있어서 로봇(도시 생략)에 의해 기판(11)을 한 장씩 추출하여, 기판 홀더(40)에 얹어 놓는다. 기판 홀더(40)는 나중에 상세히 서술하지만, 기판 홀더 (40)의 개구부에 지지 스프링(43)이 설치되고, 기판(11)은 지지 스프링(43)에 걸려 유지된다. 지지 스프링(43)을 3개 설치하여, 기판(11)의 중심과 지지 스프링(43)의 접촉점을 연결하는 선이 서로 이루는 각을 예컨대 120도가 되도록 각각을 배치함으로써, 기판(11)이 균형적으로 지지된다. 또한, 지지 스프링(43)은 3개로 한정되지 않으며, 2개이어도 4개 이상이어도 좋다.

이어서, 로드록실(21)에서는 배기 기구에 의해 내부의 배기를 행하여 진공 분위기를 형성한다. 이러한 진공 분위기에서 게이트 밸브(25)를 개방하여, 기판 홀더(40)를 다음 진공 처리실(22A)로 반송한다. 또, 각각의 진공 처리실(22A∼22C)의 처리가 행하여지는 동안은 게이트 밸브(25)를 폐쇄한 상태로 한다. 다만, 각 진공 처리실(22A∼22C)의 내부 분위기를 공통으로 설정하는 경우는, 게이트 밸브(25)를 개방한 채로 각각의 처리를 행해도 좋다. 또, 이하의 설명에서는 게이트 밸브(25)의 동작 설명을 생략한다.

진공 처리실(22A)에서는 절연성 기판(11)을 가열 처리한다. 진공 처리실(22A)의 내부를 압력이 예컨대 0.67 Pa의 Ar 가스 분위기로 설정한다. 그리고, 열 분해 질화 붕소 히터 등의 가열 수단을 이용하여 기판(11)을 약 200℃의 온도로 가열한다. 기판(11)의 가열에 의해, 이 후의 하지층(12)이나 기록층(13)을 형성하는 공정에서 양호한 막 품질의 하지층(12)이나 기록층(13)을 형성할 수 있다. 또한, 기판(11)의 가열에 의해 기판(11) 표면의 수분이나 오물을 제거할 수 있다. 이어서, 기판(11)이 적재된 기판 홀더(40)를 다음 진공 처리실(22B)로 반송한다.

진공 처리실(22B)에서는 스퍼터법에 의해 기판(11)의 표면에 하지층(12)을 형성한다. 도 4를 참조하면서, 하지층(12)의 형성 공정을 설명한다.

도 4는, 본 발명에 따른 제조 방법에 이용되는 진공 처리실의 구성도이다. 도 4는 자성층을 성막할 때의 진공 처리실의 구성을 도시한 것이지만, 이 도 4를 이용하여 하지층(12)의 형성 공정을 설명한다.

도 4를 참조하면, 진공 처리실(22C)은 외부와 격리되어 있고, 중앙에 반송 기구(24)에 고정된 기판 홀더(40)와, 기판 홀더(40) 각 측에 타겟(32), 타겟 홀더(33), 캐소드(34) 및 캐소드(34)에 접속된 스퍼터 전원(35)이 마련되어 있다. 또한, 진공 처리실(22C)에는 내부에 Ar 가스 등을 공급하는 가스 공급 기구(30) 및 내부를 배기하는 가스 배기 기구(31)가 설치된다.

이러한 진공 처리실(22C)에서 상술한 Cr 혹은 Cr-X 합금 재료로 이루어지는 타겟(32)을 이용하여, 예컨대 DC 마그네트론법에 의해 하지층(12)을 형성한다. 이 때, 진공 처리실 내를 예컨대 압력이 0.67 Pa의 Ar 가스 분위기로 설정한다. 하지층(12)의 두께는 적절하게 선택된다. 하지층(12)의 두께를 예컨대 수 ㎚∼십수 ㎚ 정도의 두께로 설정하는 경우는, 바이어스 인가시의 바이어스 균일성 등의 점에서 기판(11)과 하지층(12) 사이에 시드층을 형성하는 것이 바람직하다. 시드층은, 예컨대 NiP 등의 비정질 금속막으로 이루어지고, 두께를 5 ㎚∼100 ㎚ 정도로 설정한다. 또한, 시드층은 예컨대 B2 결정 구조를 갖는 AlRu 등이라도 좋다. 하지층(12), 혹은 시드층과 하지층(12)의 적층막에 의해 도전층으로서의 두께를 증가할 수 있다. 이어서, 도 3으로 되돌아가서, 기판(11)이 적재된 기판 홀더(40)를 다음 진공 처리실(22C)로 반송한다.

진공 처리실(22C)에서는 스퍼터법에 의해 하지층(12)에 바이어스 전압을 공급하면서 자성층을 형성한다. 다시 도 4를 참조하면, 자성층(13)을 형성하는 진공 처리실(22C)의 내부에는 기판 홀더(40)에 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 인가 전원(26)이 접속된다. 바이어스 인가 전원(26)으로부터 마이너스극의 바이어스 전압, 예컨대 -300V가 공급된다. 바이어스 인가 전원(26)은 기판 홀더(40)의 Al 합금이나 Ti 합금재로 이루어지는 홀더 도전부(41)에 접속되어 있다. 또, 기판 홀더(40)는 애자 등의 절연재(42)를 통해 반송 기구(24)에 고정되어 있다.

기판(11)은 지지 스프링(43)에 의해 지지되어 있다. 지지 스프링(43)은 일단을 기판 홀더(40)의 홀더 도전부(41)에 고정되고, 타단이 기판(11)의 단부면(11a)에 접촉하고 있다. 또한, 기판(11)의 상측 홀더 도전부(41)에는 가동 전극(45)이 설치된다. 가동 전극(45)은 진공 처리실(22C)에 고정된 가이드판(28)에 의해 밀어 내려져, 기판(11)에 접촉한 상태로 되어 있다. 또 가이드판(28)과 진공 처리실(22C)은 절연재(36)에 전기적으로 절연되어 있다.

이와 같이 하여 바이어스 전압을 공급한 상태로, 진공 처리실(22C)의 내부를 압력이 0.67 Pa의 Ar 가스 분위기로 설정하고, DC 마그네트론법에 의해 예컨대 CoCrPtB 재료로 이루어지는 타겟(32)을 이용하여 기록층(13)을 형성한다. 기록층(13)은, 예컨대 두께가 5 ㎚∼20 ㎚ 로 설정된다. 또, 기록층(13)이 제1 자성층(예컨대 CoCr 막), 비자성 결합층(예컨대 Ru 막), 제2 자성층(예컨대 CoCrPtB 막)으로 이루어지는 경우는, 각각의 층을 각 진공 처리실 내에서 형성한다. 이하, 바이어스 인가 방법을 자세히 설명한다.

도 5는, 본 발명의 제1 예에 따른 기판 홀더의 정면도로, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다.

도 5의 (A) 및 (B)를 참조하면, 기판 홀더(40)는 홀더 도전부(41)와, 홀더 절연부(42)와, 홀더 도전부(41)의 개구부(41a)에 고착된 3개의 지지 스프링(43)과, 기판(11)의 상측에 설치된 가동 전극(45) 등으로 구성된다.

지지 스프링(43)은 금속재, 예컨대 인코넬 등의 스프링재로 이루어지고, 예컨대 두께가 0.5 ㎜ 정도의 판형이다. 지지 스프링(43)은 그 기초부가 개구부(14a)에 고착되고, 그 앞단부가 대략 수직으로 절곡되어 형성된 접촉부(43a)로 되어 있다. 접촉부(43a)는 기판(11)의 바깥 가장자리부의 단부면(11a)에 접촉하여, 지지 스프링(43)의 지지점(43b)을 중심으로 하여 기판(11)의 중심 방향으로 힘이 인가되도록 되어 있다. 이와 같이 3개의 지지 스프링(43)에 의해 기판(11)이 기판 홀더(40)에 지지된다.

또, 기판의 단부면(11a)은 도 2에 도시한 바와 같은 외측에 볼록 형상을 갖기 때문에, 접촉부(43a)는 그 앞단부가 오목부로 되어 있어도 좋다. 하지층(12)을 형성했을 때에, 접촉부(43a)와 기판(11) 상에 형성된 하지층(12)을 전기적으로 도통하는 가교부가 형성되기 쉬운 점에서는, 접촉부(43a) 선단부의 오목부는 그 오목부가 얕은 쪽이 좋다.

가동 전극(45)은 전극 막대(46)와, 그 앞단부에 고착된 접촉 단자(48)와, 전극 막대(46)의 상면과 기판 홀더(40)의 상면 사이에 배치된 스프링(49) 등으로 구 성된다.

전극 막대(46)는 금속재로 이루어져, 예컨대 홀더 도전부(41)의 알루미늄 합금과 같은 재료로 이루어진다. 접촉 단자(48)는 그 기초부가 전극 막대(46)에 고착되어 있다. 접촉 단자(48)는 그 앞단부가 대략 수직으로 절곡되어 형성된 접촉부(48a)로 되어 있다. 접촉 단자(48)는 금속재, 예컨대 지지 스프링(43)과 같은 재료로 이루어진다. 접촉부(48a)는 기판의 단부면(11a)에 접촉하는 부분의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또, 금속 막대(46)는 기판 홀더(40) 내에 구멍부(41b)를 설치하여, 그 구멍부(41b)에 삽입해도 된다.

또, 도시는 생략하지만, 가동 전극(46)은 기판 홀더(40)의 표면에 홈부를 설치하여, 홈부를 안내 홈으로서 상하 이동 가능하도록 그 홈부에 전극 막대(46)를 배치하는 구성으로 해도 좋다. 또한 전극 막대(46)가 탈락하지 않도록 홈부를 덮는 커버를 설치해도 좋다.

스프링(46)은 스프링성을 갖는 금속재로 이루어지고, 특별히 재료는 한정되지 않는다. 스프링은 적어도 그 표면이 도전성을 갖는 재료를 이용한다.

도 5의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판 홀더(40)는 가열 처리나 하지층(12)을 형성하는 진공 처리실 내에서는 스프링(49)이 전극 막대(46) 및 접촉 단자(48)를 끌어올려서 접촉부(48a)가 기판의 단부면(11a)에 접촉하지 않도록 한다.

한편, 도 5의 (B)에 도시한 바와 같이, 자성층을 형성하는 진공 처리실에서는 진공 처리실 내에 설치된 가이드판(28)에 가동 전극(45)의 금속 막대(46) 상면(46a)이 접촉하여, 가동 전극(45)이 밀어 내려져, 접촉부(48a)가 기판(11)의 상측 단부면(11a)에 접촉한다. 기판의 단부면(11a)에도 형성된 하지층(12)과, 가동 전극(45)을 통해 기판 홀더(40)의 홀더 도전부(41)가 전기적으로 도통한다. 또, 가동 전극(46)이 조금 지나치게 밀어 내려진 경우라도, 접촉 단자(48)가 판스프링재이기 때문에 변형하여, 접촉 단자(48)가 단부면(11a)에서 벗어나거나, 기판(11)이 지지 스프링(43)으로부터 벗어나는 일은 없다.

기판 홀더(40)의 홀더 도전부(41)에는 바이어스 인가 전원(26)에 의해 마이너스의 바이어스 전압이 공급된다. 바이어스 전압은 홀더 도전부(41)로부터, 가동 전극(45) 및 3개의 지지 스프링(43)을 통해 기판(11)의 하지층(12)에 공급된다. 가동 전극(45)은 기판의 단부면(11a)에 형성된 하지층(12)에 직접 접촉하기 때문에 전기적인 도통이 양호하다. 또한 지지 스프링(43)은 부분적으로 하지층(12)에 접촉해 있어 전기적으로 도통해 있다. 이 접촉 모습을 도 6을 참조하면서 설명한다.

도 6은 기판의 단부면에 있어서 지지 스프링의 접촉부와 하지층의 접촉 모습을 설명하기 위한 도이다. 도 6은 기판(11)과 지지 스프링(43)의 접촉부(43a) 등의 단면을 도시하고 있다.

도 6을 참조하면, 접촉부(43a)의 선단은 예컨대 오목형으로 되어 있고, 한편, 기판(11)의 단부면(11a)은 볼록형으로 되어 있다. 하지층(12)을 형성할 때에, 기판의 단부면(11a)에는 기판(11)의 표면에 거의 직교하는 방향(X 방향)으로부터 금속 입자(SP)가 입사되어, 기판(11)의 표면 및 단부면(11a)에 하지층(12)이 형성된다. 다만, 금속 입자(SP)는 접촉부(43a)에 차폐되어, 접촉부(43a)와 단부면(11a)이 접촉하는 접점(43a-1) 부근에서는 하지층(12)이 다른 영역보다도 얇아진 다. 그러나, 금속 입자(SP)의 일부가 접촉부(43a)를 둘러싸는 접점(43a-1) 부근에 퇴적하여, 단부면(11a)에 형성된 하지층(12)과 접촉부(43a)를 가교한다. 또한, 도면에 도시하는 Y 방향으로 돌아 들어가는 금속 입자(SP)도 접점(43a-1) 부근에 퇴적된다. 그 결과, 하지층(12)과 접촉부(43a)가 전기적으로 도통하게 된다.

도 5로 되돌아가서, 지지 스프링(43)은 3군데에서 하지층(12)에 접촉해 있기 때문에, 하지층(12) 전체에 균일한 바이어스 전압이 공급된다. 이와 같이, 가동 전극과 지지 스프링(43)에 의해 바이어스 전압을 공급함으로써 하지층(12)이 박막으로서 하더라도, 충분히 바이어스 전압을 인가할 수 있다.

도 3으로 되돌아가서, 자성층(13)을 형성한 후에, 다음 진공 처리실(22D)로 기판 홀더(40)를 반송한다. 반송할 때에 가동 전극(45)은 가이드판(28)으로부터 떨어지고, 접촉 단자(48)는 기판(11)으로부터 떨어진다.

진공 처리실(22D)에서는, 예컨대 플라즈마 CVD 법에 의해 보호막으로서, 기록층(13)을 덮는 수소화 카본막을 형성한다. 수소화 카본막의 형성은, 구체적으로는, 탄화 수소계 가스, 수소 가스, 불활성 가스 등을 진공 처리실(22D)의 내부에 공급하여, 압력을 예컨대 5 Pa로 설정한다. 그리고, 플라즈마 발생부(37)에 고주파 전력(예컨대 100 W)을 공급하여, 플라즈마를 발생시킨다. 한편, 자성층(13)을 형성했을 때와 마찬가지로 하여, 가동 전극(45)과 지지 스프링(43)을 통해 자성층(13)에 마이너스의 바이어스(예컨대 -300 V)를 인가한다. 이와 같이 하여, 자성층(13)의 표면에 수소화 카본막을 형성한다.

계속해서, 기판 홀더(40)를 언로드록실(23)에 반송한다. 언로드록실(23)에 서는 로봇에 의해 보호막(14)까지 형성된 자기 디스크(11)(기판)를 떼어 내서, 카트리지 등에 충전한다. 그리고, 언로드록실(23)의 내부를 진공 분위기에서 대기압으로 되돌리고, 자기 디스크가 제조 장치로부터 추출된다.

이 후, 도시를 생략하지만, 보호막(14)의 표면에 침지법 등에 의해 예컨대 불소계의 퍼플루오로폴리에테르의 윤활층을 형성하여, 자기 디스크가 형성된다.

본 실시 형태에 따르면, 하지층(12)을 형성할 때에 절연성 기판(11)은 도전성 재료로 이루어지는 지지 스프링(43)에 의해 지지되어 있다. 이러한 지지 상태 그대로 가동 전극(45)을 기판의 단부면(11a)에 접촉시켜 기록층(13)을 형성한다. 하지층(12)은 기판의 단부면(11a)에도 형성되어 있기 때문에, 가동 전극(45)과 하지층(12)의 전기적인 도통은 양호하다. 또한, 하지층(12)의 형성시에 단부면(11a)에 형성된 하지층(12)과 지지 스프링(43)과의 접촉부(43a) 일부를 가교하도록 하지층(12)이 형성되기 때문에, 지지 스프링(43)과 하지층(12)은 전기적으로 도통 상태가 된다. 따라서, 하지층(12)에는 가동 전극(45) 및 지지 스프링(43)을 통해 바이어스 전압이 급전된다. 이와 같이 바이어스 전압을 공급함으로써, 하지층(12)이 형성된 기판 표면 전체에 걸쳐 균일한 보자력 분포를 갖는 기록층(13)이 형성되는 것을 기대할 수 있다. 그 결과, 자기 디스크의 고기록밀도화가 가능해진다. 또한, 복수 개소에서 바이어스 전압이 공급됨으로써, 이상 방전의 발생을 억제하여, 이상 방전의 발생으로 인한 결함의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 수율이 향상하는 것을 기대할 수 있다. 또한, 보호막(14)에 관해서도 마찬가지로 바이어스 전압을 공급하고 형성함으로써, 균일하고 치밀한 막 품질의 보호막(14)을 형성할 수 있다.

다음에, 본 실시 형태에 따른 제조 방법에 이용하는 기판 홀더의 다른 예에 관해서 설명한다.

도 7은, 본 발명의 제2 예에 따른 기판 홀더의 정면도로, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.

도 7의 (A) 및 (B)를 참조하면, 기판 홀더(50)는 홀더 도전부(51)와 홀더 절연부(42)와 홀더 도전부(51)의 개구부(41a)에 고착된 3개의 지지 스프링(43)과, 기판(11) 상측에 설치된 가동 전극(52) 등으로 구성된다.

가동 전극(52)은 전극 막대(53)와 그 앞단부에 고착된 접촉 단자(54) 등으로 구성된다. 전극 막대(53)의 머리 부분에는 지지점(53b)에서 절곡되고, 홀더 도전부(51)의 상면을 따라서 연장하는 2개의 판스프링부(53c)가 설치된다. 판스프링부(53c) 각각의 선단이 홀더 도전부(51)의 상변 면(51b)에 접촉해 있다. 이와 같이 하여, 판스프링부(53c)가 전극 막대(53)와 접촉 단자(54)를 상측으로 끌어올려서, 접촉부(54a)와 기판의 단부면(11a)을 격리하고 있다.

또한, 접촉 단자(54)는 전극 막대(53)의 하부에서 기판의 단부면(11a)을 따라서 양측으로 연장하고, 그 각각의 선단부가 대략 수직으로 절곡된 접촉부(54a)로 되어 있다. 2개의 접촉부(54a) 선단은 기판의 단부면(11a)과 거의 같은 반경의 가상 원주상에 배치되어 있다. 접촉 단자(54)는 도 5에 도시하는 제1 예의 접촉 단 자(48)와 같은 재료로 이루어진다.

도 7의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판 홀더(50)는 가열 처리나 하지층(12)을 형성하는 진공 처리실 내에서는 2개의 판스프링부(53c) 각각의 선단이 홀더 도전부(51)의 상변 면(51b)에 접촉하여 전극 막대(53)를 상측으로 끌어올림으로써 접촉 단자(54a)가 기판의 단부면(11a)에서 떨어지도록 하고 있다.

또한, 도 7의 (B)을 참조하면, 자성층을 형성하는 진공 처리실에서는 진공 처리실 내에 가동 전극을 밀어내려, 접촉 단자(54a)를 기판의 단부면(11a)에 접촉시키는 베어링(56)이 설치된다. 베어링(56)은 진공 처리실의 상부에 절연재(36)를 통해 지지판(55)에 지지되어 있다. 베어링(56)은 기판 홀더(50)의 이동 방향을 따라서 회전하도록 되어 있다.

기판 홀더(50)는 진공 처리실 내로 반송되면, 베어링(56)이 가동 전극(52)의 판스프링부(53c)에 접촉하고, 기판 홀더(50)의 이동에 따라 베어링(56)은 판스프링부(53c)를 밀어 내리면서 전극 막대(53)의 상면(53a)에 도달한다. 그 위치에서 기판 홀더(50)가 정지한다. 전극 막대(53)는 베어링(56)에 의해 밀어 내려져, 접촉 단자(54)의 2개의 접촉부(54a)가 기판의 단부면(11a)에 접촉한다. 접촉 단자(54)는 스프링성을 갖기 때문에, 다소의 지나친 밀어내리는 힘이 작동하더라도 흡수할 수 있다. 이와 같이 하여, 가동 전극(52)이 기판(11)의 상측 단부면(11a)에 접촉한다.

이러한 상태로, 기판 홀더(50)에는 바이어스 인가 전원(26)에 의해 마이너스의 바이어스 전압이 공급되어, 지지 스프링(43)과 가동 전극(52)을 통해 기판(11) 에 형성된 하지층에 바이어스 전압이 인가된다.

기판 홀더(50)는 가동 전극(52)의 상부에 판스프링부(53c)가 설치되고, 베어링(56)이 그 판스프링부(53c)의 표면에서 회전하면서 가동 전극(52)을 밀어 내린다. 따라서, 베어링(56)과 판스프링부(53c)의 미끄럼 이동을 회피할 수 있어 파티클의 발생이나 막 박리를 억제할 수 있다. 그 결과, 자기 디스크의 결함 발생이 억제되어 수율을 향상할 수 있다.

또한, 가동 전극(52)은 접촉 단자(54)에 2개의 접촉부(54a)가 설치되기 때문에, 급전 개소가 증가하여 바이어스 전압 분포를 한층 더 균일화할 수 있다. 또, 홀더 도전부(51)의 상변 면(11a)이 곡선형으로 형성되어 있지만, 반드시 곡선형일 필요는 없다.

도 8은 본 발명의 제3 예에 따른 기판 홀더의 정면도이다. 제3 예에 따른 기판 홀더는 제2 예의 변형예이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.

도 8을 참조하면, 기판 홀더(60)는 홀더 도전부(51)와, 홀더 절연부(42)와, 홀더 도전부(51)의 개구부(41a)에 고착된 3개의 지지 스프링(43)과, 기판(11) 상측에 설치된 가동 전극(62) 등으로 구성된다. 가동 전극(62)의 접촉 단자(64)가 다른 것 이외는, 제2 예에 따른 기판 홀더의 가동 전극과 마찬가지이기 때문에, 그 설명을 생략한다.

접촉 단자(64)는 전극 막대(53)의 하부에서 기판의 단부면(11a)을 따라서 양측에 연장하고, 그 각각의 선단부가 대략 수직으로 절곡되어 형성된 접촉부(64a, 64c)를 갖는다. 또한, 접촉 단자(64)는 전극 막대(53)의 하부에 접촉부(64b)를 갖는다. 이와 같이 3개의 접촉부(64a∼64c)가 동시에 기판의 단부면(11a)에 접촉함으로써, 가동 전극과 기판(11)에 형성된 하지층(12)의 전기적인 도통을 한층 더 향상시킨다. 또, 바이어스 전압의 인가 동작은 제2 예에 따른 기판 홀더의 경우와 마찬가지이기 때문에 그 설명을 생략한다.

도 9는 본 발명의 제4 예에 따른 기판 홀더의 정면도로, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다. 제4 예에 따른 기판 홀더는 제2 예의 변형예이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.

도 9의 (A) 및 (B)을 참조하면, 제4 예에 따른 기판 홀더(70)는 홀더 도전부(51)와, 홀더 절연부(42)와, 홀더 도전부(51)의 개구부(41a)에 고착된 3개의 지지 스프링(43)과, 기판(11) 상측에 설치된 가동 전극(62) 등으로 구성된다. 기판 홀더(70)는, 가동 전극(72)의 접촉 단자(74)가 다른 것 이외에는 제2 예에 따른 가동 전극과 마찬가지로 구성되어 있다.

접촉 단자(74)는 전극 막대의 하부(53c)에서 기판(11)의 단부면(11a)을 따라서 양측으로 연장되는 아암부(74a, 74b)를 가지고, 그 각각의 선단부가 절곡되어 형성된 접촉부(74c, 74d)를 갖는다. 접촉부(74c, 74d)는 전극 막대(53)의 하부(53c)에서 상호 다른 거리에 설치된다. 즉, 한 쪽 아암부(74a)가 다른 쪽 아암부(74b)보다 길게 설정된다. 또한, 한 쪽 접촉부(74c)는 아암부와 접촉부가 연장하 는 방향과 이루는 각 θ를 90도 보다 커지도록 설정한다. 이와 같이 설정함으로써, 도 9의 (A)에 도시한 바와 같이 접촉부(74c)가 기판의 단부면(11a)에서 떨어진 상태로부터 도 9(B)에 도시한 바와 같이 베어링(56)에 의해 가동 전극(72)을 밀어 내리면, 접촉부(74c)에 의해 기판(11)에는 화살표 A로 도시하는 방향으로 회전력이 작용한다. 이 회전력에 의해, 지지 스프링(43)이 기판의 단부면(11a)과 접촉하는 위치가 간신히 이동한다. 이 이동 거리는 예컨대 0.1 ㎜∼2 ㎜ 정도로 충분하다. 그 결과, 지지 스프링(43)의 선단부(43a)는 단부면(11a) 상에 하지층(12)이 형성되어 있는 곳과 접촉하여, 지지 스프링(43)과 하지층의 전기적인 도통이 더욱 향상하여, 바이어스 전압 분포를 균일화할 수 있다.

도 10은 본 발명의 제5 예에 따른 기판 홀더의 정면도로, (A)는 가동 전극이 기판으로부터 떨어진 상태를 도시하고, (B)는 가동 전극이 기판에 접촉한 상태를 도시한 도면이다. 제5 예에 따른 기판 홀더는, 제2 예의 변형예이다. 도면 중, 먼저 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.

도 10의 (A) 및 (B)를 참조하면, 기판 홀더(80)는 홀더 도전부(81)와, 홀더 절연부(42)와, 홀더 도전부(81)의 개구부(81a)에 고착된 3개의 지지 스프링(43)과, 기판(11)의 상측에 설치된 제1 가동 전극(52)과, 제1 가동 전극(52)에 연동하는 2개의 제2 가동 전극(82)으로 구성된다.

제1 가동 전극(52)은 도 7에 도시하는 제2 예에 따른 기판 홀더의 가동 전극(52)과 마찬가지로 구성되어, 전극 막대의 선단에 접촉 단자(54)가 설치된다. 제2 가동 전극(82)은 제1 가동 전극(52)의 전극 막대(53)로부터 기판 홀더(80)의 표면을 따라서 가로 방향으로 연장되는 제1 아암(83)과, 제1 아암(83)에 연결되어 거의 연직 방향으로 연장되는 제2 아암(84)과, 제2 아암(84)의 선단부에 고착된 접촉 단자(85) 등으로 이루어진다.

제1 아암(83)은 일단이 지지점(86a)에 의해 전극 막대(53)에 연결되고, 타단이 지지점(86c)에 의해 제2 아암(84)에 연결되어 있다. 제1 아암(83)에는 또한 지지점(86b)이 마련되고, 그 지지점(86b)은 홀더 도전부(81)에 고정되어 있다. 제1 아암(83) 또는 제2 아암은 이들 지지점(86a∼86c) 둘레로 회동 가능하게 되어 있다. 제1 아암(83)은 전극 막대(53)가 아래쪽으로 밀어 내리면 지지점(86a)이 내려가고, 타단의 지지점(86c)이 상측으로 이동한다.

제2 아암(84)은 홀더 도전부(81)에 설치된 안내홈(81a) 내에 배치되어 있다. 제2 아암(84)은 안내홈(81a)에 의해 가로 방향의 움직임이 어는 정도 규제되어 있다. 제2 아암(84)은 제1 아암(83)에 의해 지지점(86c)이 상하로 동작함으로써, 상하 방향으로 움직이도록 되어 있다. 접촉 단자(85)는 그 앞단에 접촉부(85a)가 설치된다.

도 10의 (A)에 도시한 바와 같이, 기판 홀더(80)는 가열 처리나 하지층(12)을 형성하는 진공 처리실 내에서는 전술한 바와 같이 전극 막대(53)가 상측으로 끌어올려지고, 제1 가동 전극(52)의 접촉부(54a)와 제2 가동 전극의 접촉부(85a)는 기판의 단부면(11a)에서 떨어진 상태가 되어 있다.

도 10의 (B)에 도시한 바와 같이, 자성층을 형성하는 진공 처리실에서는 베 어링(56)에 의해 제1 가동 전극(52)이 밀어 내려져, 접촉부(54a)가 기판의 단부면(11a)에 접촉한다. 이 동작과 동시에, 제1 아암(83)은 지지점(86b)을 고정점으로 하여 지지점(86a)이 아래쪽으로 이동하면서 지지점(86c) 측이 상측으로 이동하고, 또 제2 아암(84)이 상측으로 이동한다. 그 결과, 접촉 단자(85)가 상측으로 이동하여, 접촉부(85a)가 기판의 단부면(11a)에 접촉한다.

이와 같이 하여, 제1 가동 전극(52) 및 2개의 제2 가동 전극(82)과, 지지 스프링(43)을 통해 하지층(12)의 표면에 바이어스 전압이 공급된다. 따라서, 바이어스 전압의 면내 분포가 더욱 균일해지고, 자성층(13)의 보자력이 한층 더 균일화되는 것을 기대할 수 있다.

(제2 실시 형태)

본 발명의 실시 형태는, 제1 실시 형태에 따른 제조 방법에 의해 형성된 자기 디스크를 구비한 자기 기억 장치에 관한 것이다.

도 11은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 자기 기억 장치의 주요부를 도시한 도면이다. 도 11을 참조하면, 자기 기억 장치(90)는 대략 하우징(91)으로 이루어진다. 하우징(91) 내에는 스핀들(도시 생략)에 의해 구동되는 허브(92), 이 허브(92)에 고정되어 회전되는 자기 디스크(93), 액츄에이터 유닛(94), 이 액츄에이터 유닛(94)에 부착되어 자기 디스크(93)의 반경 방향으로 이동되는 아암(95) 및 서스펜션(96), 이 서스펜션(96)에 지지된 자기 헤드(98)가 설치된다. 자기 헤드(98)는 MR 소자(자기 저항 효과형 소자), GMR 소자(거대 자기 저항 효과형 소자) 또는 TMR 소자(터널 자기 효과형) 등의 재생 헤드와 유도형 기록 헤드의 복합형 헤드로 이루 어진다. 이 자기 기억 장치(90)의 기본 구성 자체는 주지의 사항으로, 그 상세한 설명은 본 명세서에서는 생략한다.

자기 디스크(93)는, 예컨대, 제1 실시 형태에 따른 제조 방법에 의해 형성된 자기 디스크이다. 자기 디스크(93)는 그 표면 전체에 걸쳐 균일한 보자력 분포를 갖는 기록층이 형성되는 것을 기대할 수 있다. 그 결과, 자기 디스크(93)의 고기록밀도화가 가능해진다. 또한, 복수 개소에서 바이어스 전압이 공급됨으로써, 이상 방전의 발생을 억제하고, 이상 방전의 발생으로 인한 결함의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 수율이 향상하는 것을 기대할 수 있다. 따라서, 대용량으로 제조비용이 저렴한 자기 기억 장치(90)를 실현할 수 있다.

또, 본 실시 형태에 따른 자기 기억 장치(90)의 기본 구성은 도 11에 도시하는 것으로 한정되는 것이 아니며, 자기 헤드(98)는 전술한 구성에 한정되지 않으며, 공지의 자기 헤드를 이용할 수 있다.

이상 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관해서 상세히 서술했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 변형·변경이 가능하다. 예컨대, 제1 예에서 제4 예에 따른 기판 홀더에 있어서, 지지 스프링의 배치 및 개수를 모두 마찬가지로 하여 설명했지만, 본 발명의 작용·효과를 손상하지 않는 한 지지 스프링의 배치 및 수를 적절하게 변경해도 좋다.

또, 이상의 설명에 관해서 다시 이하의 부기를 개시한다.

(부기 1) 도전성 기판 홀더에 도전성 재료로 이루어지는 복수의 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지하여, 이 절연성 기판의 표면에 도전층을 형성하는 제1 공정과,

스퍼터법에 의해 상기 도전층에 마이너스의 바이어스 전압을 공급하면서 상기 도전층 상에 기록층을 형성하는 제2 공정을 포함하는 자기 디스크의 제조 방법으로서,

상기 제2 공정은,

상기 제1 공정에서 상기 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지한 상태로, 가동 전극을 절연성 기판의 단부면 상의 도전층에 접촉시키고, 상기 가동 전극 및 기판 지지 부재를 통해 도전층에 바이어스 전압을 공급하면서 기록층을 퇴적하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 2) 상기 기판 지지 부재는 복수의 지지 스프링으로 이루어지고, 이 지지 스프링 각각의 선단부가 절연성 기판의 바깥 가장자리부의 단부면에 접촉하도록 대략 소정 간격을 두고 배치되도록 되어 있고,

상기 가동 전극은 인접하는 지지 스프링 사이의 상기 단부면 상의 도전층에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 3) 상기 가동 전극은 전극체와, 이 전극체의 선단부에 설치된 접촉 단자와, 전극 스프링을 가지고,

상기 제1 공정에서 상기 전극 스프링이 스프링 힘을 작용시켜 접촉 단자를 상기 단부면으로부터 격리시키고,

상기 제2 공정에서 상기 가동 전극을 전극 스프링의 스프링 힘의 방향에 거 스르는 방향으로 압박하여 상기 접촉 단자를 단부면 상의 도전층에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 2에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 4) 상기 접촉 단자는 복수의 접촉부를 가지고, 이 접촉부의 각각이 상기 단부면 상의 도전층에 접촉하는 것을 특징으로 하는 부기 1∼3 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 5) 상기 가동 전극은 절연성 기판의 상측에 배치되어, 진공 처리실 내에 설치된 압박 수단에 의해 상기 가동 전극을 아래쪽으로 압박하여 절연성 기판의 상측 단부면의 도전층에 접촉 단자를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 부기 1∼4 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 6) 상기 압박 수단은 상기 기판 홀더의 이동 방향으로 회전하는 베어링을 포함하고, 이 베어링이 가동 전극의 상면에 접촉하여, 이 가동 전극을 아래쪽으로 압박하는 것을 특징으로 하는 부기 5에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 7) 상기 전극 스프링은 그 스프링 힘이 가동 전극을 상측으로 밀어 올려 접촉 단자를 단부면으로부터 격리시키는 방향으로 작용하는 것을 특징으로 하는 부기 5에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 8) 상기 가동 전극이 단부면에 접촉할 때에, 상기 접촉 단자가 기판의 둘레 방향으로 힘을 인가하여 절연성 기판을 회전시켜, 상기 지지 스프링과 단부면의 접촉 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 부기 1∼7 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 9) 상기 접촉 단자는 판스프링으로 이루어지고, 그 기초부가 전극체에 고착되어, 그 선단부가 대략 90도로 절곡되어 이루어지는 접촉부로 구성되는 것을 특징으로 하는 부기 1∼8 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 10) 상기 전극 스프링은 전극체와 일체화되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1∼9 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 11) 상기 제2 공정은 복수의 상기 가동 전극의 각각을 절연성 기판의 단부면에 대략 등간격으로 접촉시키는 것을 특징으로 하는 부기 1∼10 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 12) 상기 복수의 가동 전극은 그 중 하나를 압박함으로써 모든 가동 전극이 절연성 기판의 단부면에 접촉하게 되는 것을 특징으로 하는 부기 11에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 13) 상기 제2 공정 후에,

플라즈마 CVD 법에 의해 상기 기록층에 마이너스의 바이어스 전압을 공급하면서 상기 기록층 상에 보호막을 형성하는 제3 공정을 추가로 구비하고,

상기 제3 공정은,

상기 제1 공정에서 상기 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지한 상태로, 가동 전극을 절연성 기판의 단부면 상의 도전층에 접촉시키고, 이 가동 전극 및 기판 지지 부재를 통해 도전층 및 기록층에 바이어스 전압을 공급하면서 보호막을 퇴적하는 것을 특징으로 하는 부기 1∼12 중 어느 하나의 항에 기재된 자기 디스크의 제조 방법.

(부기 14) 절연성 기판과,

상기 절연성 기판 상에 도전층과 기록층을 구비하는 자기 디스크로서,

부기 1∼13 중 어느 하나의 항에 기재된 제조 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

(부기 15) 부기 14에 기재된 자기 디스크와,

기록 재생 수단을 구비하는 자기 기억 장치.

(부기 16) 도전성 홀더와,

각각 상기 도전성 홀더와 접촉하여, 절연성 기판을 사이에 끼우는 복수의 도전성 기판 지지 부재와,

상기 절연성 기판에 대하여 접촉 및 이탈 가능하게 지지되는 가동 전극

를 구비하는 기판 유지 기구.

본 발명에 따르면, 절연성 기판상에 도전층을 형성하고, 거의 그 지지 상태 그대로 가동 전극과 복수의 지지 부재를 통해 바이어스 전압을 공급하면서 스퍼터법에 의해 기록층을 형성한다. 이것에 의해 균일한 보자력 분포를 갖는 기록층이 형성되는 것을 기대할 수 있다. 그 결과, 자기 디스크의 고기록밀도화가 가능해진다. 또한, 복수의 개소에서 바이어스 전압이 공급됨으로써, 이상 방전의 발생을 억제하고, 이상 방전의 발생으로 인한 결함의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 수율이 향상하는 것을 기대할 수 있다.

Claims (7)

1. 삭제
2. 도전성 기판 홀더에 도전성 재료로 이루어지는 복수의 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지하여, 상기 절연성 기판의 표면에 도전층을 형성하는 제1 공정과,

   스퍼터법에 의해 상기 도전층에 마이너스의 바이어스 전압을 공급하여 상기 도전층 상에 기록층을 형성하는 제2 공정을 포함하는 자기 디스크 제조 방법에 있어서,

   상기 제2 공정은,

   상기 제1 공정에서 상기 기판 지지 부재에 의해 절연성 기판을 지지한 상태로, 가동 전극을 절연성 기판의 단부면 상의 도전층에 접촉시켜, 상기 가동 전극 및 기판 지지 부재를 통해 도전층에 바이어스 전압을 공급하면서 기록층을 퇴적하며, 상기 복수의 기판 지지 부재에서 상기 절연성 기판과 접촉하는 접촉부의 선단은 오목형이며,

   상기 가동 전극은 전극체와, 이 전극체의 선단부에 설치된 접촉 단자와, 전극 스프링을 구비하며,

   상기 제1 공정에서 상기 전극 스프링이 스프링 힘을 작용시켜 접촉 단자를 상기 단부면으로부터 격리시키고,

   상기 제2 공정에서 상기 가동 전극을 전극 스프링의 스프링 힘의 방향에 거스르는 방향으로 압박하여 상기 접촉 단자를 단부면 상의 도전층에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 자기 디스크의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 가동 전극은 절연성 기판의 상측에 배치되어, 진공 처리실 내에 설치된 압박 수단에 의해 상기 가동 전극을 아래쪽으로 압박하여 절연성 기판의 상측 단부면의 도전층에 접촉 단자를 접촉시키는 것을 특징으로 하는 자기 디스크의 제조 방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 가동 전극이 단부면에 접촉할 때에 상기 접촉 단자가 기판의 둘레 방향에 힘을 인가하여 절연성 기판을 회전시켜, 지지 스프링과 단부면의 접촉 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 자기 디스크의 제조 방법.
5. 절연성 기판과,

   상기 절연성 기판 상에 도전층과 기록층을 구비하는 자기 디스크로서,

   제2항에 기재된 제조 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 디스크.
6. 제5항에 기재된 자기 디스크와,

   기록 재생 수단을 구비하는 자기 기억 장치.
7. 삭제

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