JP5720311B2 - Dlc膜の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
非磁性基体10として、平滑な表面を有するガラス基板を準備した。スパッタ法を用いて、非磁性基体10の上に、CoZrNbからなる膜厚45nmの軟磁性裏打ち層20,CoNiFeSiからなる膜厚5nmのシード層30、およびRuからなる膜厚10nmの中間層を、この順に形成した。次いで、スパッタ法を用いて、CoCrPt−SiO2からなるグラニュラー構造を有する膜厚8nmの第1磁性層、Ruからなる膜厚0.2nmの非磁性結合層、およびCoCrPtBからなる膜厚8nmの第2磁性層からなる磁気記録層50を形成し、磁気記録媒体基板を得た。
本比較例は、従来技術によるプラズマCVD法のみによるDLC保護膜の形成に関する。最初に、実施例1と同様の手順により、磁気記録媒体基板を得た。
実施例1および比較例1で得られた種々の膜厚を有するDLC保護膜60を含む磁気記録媒体の耐食性を評価した。磁気記録媒体の表面上に2mlの3%硝酸を滴下した。1時間放置した後に硝酸を回収し、誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP−MS)によりCo溶出量を測定した。測定結果を図4に示した。
実施例1で得られた膜厚1.5nmのDLC保護膜60を有する磁気記録媒体および比較例1で得られた膜厚2.5nmのDLC保護膜を有する磁気記録媒体について、ピンオンディスク(POD)試験により耐久性を評価した。POD試験は、Al2O3−TiC製の直径2mmの球を0.3Nの力で磁気記録媒体表面に押圧し、磁気記録媒体を回転させることによって前述の球を線速度24.88mm/秒で磁気記録媒体表面に摺動させ、摩擦係数を測定することによって実施した。本評価では、摩擦係数が変化するまでの磁気記録媒体の回転回数を耐久性の基準とした。評価結果を図5に示した。
20 軟磁性裏打ち層
30 シード層
40 中間層
50 磁気記録層
60 保護膜
61 第1層
62 第2層
100 プラズマ発生室
110 真空チャンバー
120 放電コイル
130 マッチング装置
140 高周波電源
150 ガス供給口
160 接続口
200 グリッド電極
210 スイッチ
220 直流電源
300 成膜室
310 真空チャンバー
320 基板ホルダー
330 被成膜基板
340 基板バイアス電源
350 ガス排気口
Claims (9)
- DLC膜の製造方法であって、該DLC膜は第1層および第2層から構成され、該製造方法は、
炭化水素系原料ガスの熱分解により発生させたラジカル粒子を付着させて被成膜基板上に第1層を形成する工程と、
該炭化水素系原料ガスのプラズマ中で発生させたイオン粒子を被成膜基板に到達させて第2層を形成する工程と
を含むことを特徴とするDLC膜の製造方法。 - 第1層の形成工程および第2層の形成工程を同一装置内で実施することを特徴とする請求項1に記載のDLC膜の製造方法。
- 前記被成膜基板が、非磁性基板および磁気記録層を少なくとも含む磁気記録媒体基板であることを特徴とする請求項1に記載のDLC膜の製造方法。
- 第1層の形成工程において、前記炭化水素系原料ガスの熱分解を1000〜2000℃において実施することを特徴とする請求項1に記載のDLC膜の製造方法。
- 第2層の形成工程において、被成膜表面への到達時に前記イオン粒子が200〜500eVのエネルギーを有することを特徴とする請求項1に記載のDLC膜の製造方法。
- 炭化水素系原料ガスの供給口およびプラズマ発生手段を有するプラズマ発生室と、被成膜基板を収容する成膜室と、プラズマ発生室と成膜室との間に配置され、触媒化学気相堆積法における加熱触媒体およびプラズマ化学気相堆積法におけるイオン引き出し電極として機能するグリッド電極とを含むことを特徴とするDLC膜の製造装置。
- 前記被成膜基板が、非磁性基板および磁気記録層を少なくとも含む磁気記録媒体基板であることを特徴とする請求項6に記載のDLC膜の製造装置。
- 前記グリッド電極が1本の導体で形成されていることを特徴とする請求項6に記載のDLC膜の製造装置。
- 前記プラズマ発生手段が、誘導結合方式、容量結合方式、およびECR方式からなる群から選択される手段であることを特徴とする請求項6に記載のDLC膜の製造装置。
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