JP2010092563A - 磁気ディスクの製造方法及び磁気ディスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の磁気ディスクの製造方法は、ディスク基体上に少なくとも磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成する保護層形成工程と、前記炭素系保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と、を具備し、前記保護層形成工程は、高周波プラズマを用いたCVD法により前記磁気記録層上に前記炭素系材料を成膜する成膜工程と、前記成膜した炭素系材料膜に対して窒素ガスで窒化処理する工程と、を含み、前記成膜工程において、前記高周波プラズマの周波数を相対的に高い周波数から相対的に低い周波数に変化させることを特徴とする。
【選択図】なし
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る磁気ディスクの製造方法により得られた磁気ディスクの概略構成を示す図である。
(実施例)
非磁性の基板として表面が平滑な化学強化ガラス基板を用い、これを洗浄した後、DCマグネトロンスパッタ装置内に導入し、厚さ10nmの密着層(CrTi)2、厚さ50nmの軟磁性裏打ち層(FeCoTaZr)3、厚さ20nmの下地層4(NiW及びRu)、厚さ20nmの磁気記録層5(CoCrPt−TiO2)を成膜し、次いで、図3に示す装置を用いて、厚さ5nmの炭素系保護層6を成膜した。続いて、炭素系保護層6に対して窒化処理を行った。このあと、DCマグネトロンスパッタ装置から取り出し、洗浄後ディップ法により潤滑剤(PFPE)を塗布し、ベークして潤滑層7を形成した。このようにして実施例の磁気ディスクを作製した。なお、炭素系保護層6の磁気記録層5側の膜質が硬く、潤滑層7側の膜質が軟らかい保護膜を成膜するため、保護膜の初期成長1.7nmについて高周波プラズマの周波数を40.68MHzとし、その上の1.6nmについて高周波プラズマの周波数を27.12MHzとし、最上部の1.6nmについて高周波プラズマの周波数を13.56MHzとした。
炭素系保護層6の磁気記録層5側の膜質が軟らかく、潤滑層7側の膜質が硬い保護膜を成膜するため、保護膜の初期成長1.7nmについて高周波プラズマの周波数を13.56MHzとし、その上の1.6nmについて高周波プラズマの周波数を27.12MHzとし、最上部について高周波プラズマの周波数を40.68MHzとすること以外実施例と同様にして比較例の磁気ディスクを作製した。
2 密着層
3 軟磁性裏打ち層
4 下地層
5 磁気記録層
6 炭素系保護層
7 潤滑層
11 真空チャンバ
13 基板ホルダ
14 ガス導入部
15 ガス排気部
16 バイアス印加手段
61 表層
Claims (3)
- ディスク基体上に少なくとも磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成する保護層形成工程と、前記炭素系保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と、を具備する磁気ディスクの製造方法であって、前記保護層形成工程は、高周波プラズマを用いたCVD法により前記磁気記録層上に前記炭素系材料を成膜する成膜工程と、前記成膜した炭素系材料膜に対して窒素ガスで窒化処理する工程と、を含み、前記成膜工程において、前記高周波プラズマの周波数を相対的に高い周波数から相対的に低い周波数に変化させることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
- 前記高周波プラズマの周波数を40.68MHz、27.12MHz、13.56MHzと順に変化させることを特徴とする請求項1記載の磁気ディスクの製造方法。
- ディスク基体上に直接又は中間層を介して形成された磁気記録層と、前記磁気記録層上に直接又は中間層を介して形成された炭素系保護層と、前記炭素系保護層上に形成された潤滑層と、を具備し、前記炭素系保護層において、前記磁気記録層側の硬度が高く、前記潤滑層側の硬度が低いことを特徴とする磁気ディスク。
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2008
- 2008-10-10 JP JP2008263970A patent/JP2010092563A/ja active Pending
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